CN102073181B - 显示基板、其制造方法以及具有该显示基板的显示设备 - Google Patents

显示基板、其制造方法以及具有该显示基板的显示设备 Download PDF

Info

Publication number
CN102073181B
CN102073181B CN201010514704.2A CN201010514704A CN102073181B CN 102073181 B CN102073181 B CN 102073181B CN 201010514704 A CN201010514704 A CN 201010514704A CN 102073181 B CN102073181 B CN 102073181B
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
data wire
pixel electrode
base plate
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201010514704.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102073181A (zh
Inventor
许命九
崔相虔
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN102073181A publication Critical patent/CN102073181A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102073181B publication Critical patent/CN102073181B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136213—Storage capacitors associated with the pixel electrode
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits

Abstract

本发明提供了一种显示基板、其制造方法以及具有该显示基板的显示设备，所述显示基板包括像素电极、第m条数据线(“m”为自然数)、浮动电极、第(m+1)条数据线以及存储电极。像素电极设置在基板的像素区域中。第m条数据线设置在像素电极的第一侧且电连接至像素电极。浮动电极与第m条数据线部分地重叠。第(m+1)条数据线设置在像素电极的第二侧。存储电极与第(m+1)条数据线间隔开。

Description

显示基板、其制造方法以及具有该显示基板的显示设备
技术领域
本发明的示例性实施方式涉及一种显示基板、制造该显示基板的方法、以及包括该显示基板的显示设备。更具体地，本发明的示例性实施方式涉及具有改进的显示质量的显示基板、制造该显示基板的方法、以及具有该显示基板的显示设备。
背景技术
通常，液晶显示(LCD)设备包括LCD面板和向LCD面板提供光的背光。LCD面板可包括阵列基板、面对该阵列基板的滤色片基板、以及设置在阵列基板与滤色片基板之间的液晶层。多个薄膜晶体管可设置在阵列基板上。滤色片可形成在滤色片基板上。LCD设备可根据液晶的排列变化利用透光率来显示灰阶。
例如，阵列基板可包括数据线、栅极线、以及像素电极。数据线和栅极线电连接至薄膜晶体管。像素电极布置在像素区域中并电连接至薄膜晶体管。像素电极是液晶电容器的第一电极。滤色片基板可包括作为液晶电容器的第二电极的公共电极。布置在像素电极与公共电极之间的液晶的排列随像素电极和公共电极形成的电场的强度而改变。
在数据线与相邻的像素电极(所述像素电极接收到与该数据线的电压不同的电压)之间可能产生耦合电容，并且该耦合电容可能产生诸如偏色(colorshift)的显示缺陷。
另外，在LCD设备中，根据视角的不同，在LCD设备的侧部或正面感受到的穿过液晶层的光可能不相同。例如，在像素电极和数据线彼此邻接的区域中，根据视角可能出现光泄漏，因此会产生显示缺陷。
发明内容
本发明的示例性实施方式提供一种具有高显示质量的显示基板。
本发明的示例性实施方式还提供一种制造所述显示基板的方法。
本发明的示例性实施方式还提供一种包括所述显示基板的显示设备。
本发明的其他特征将在下面的描述中阐述，并且所述特征从所述描述中部分地显而易见、或者可通过本发明的实践而获得。
本发明的一个示例性实施方式公开了一种显示基板，其包括：像素电极，设置在一基板上的像素区域中；第一数据线，设置在像素电极的第一侧且电连接至像素电极；浮动电极，与第一数据线部分地重叠；第二数据线，设置在像素电极的第二侧；以及存储电极，与像素电极重叠且与第二数据线间隔开。
本发明的示例性实施方式还公开了一种用于制造显示基板的方法，所述方法包括：在一基板上的像素区域中形成第一导电图案，该第一导电图案包括浮动电极和存储电极；在形成有第一导电图案的基板上形成第二导电图案，该第二导电图案包括与浮动电极部分地重叠的第一数据线和与存储电极间隔开的第二数据线；以及在形成有第二导电图案的基板上的像素区域中形成像素电极，该像素电极电连接至第一数据线。
本发明的一个示例性实施方式还公开了一种显示设备，其包括显示基板以及面对所述显示基板且包括公共电极的相对基板，所述显示基板包括：像素电极，设置在一基板上的像素区域中；第一数据线，设置在像素电极的第一侧且电连接至像素电极；浮动电极，与第一数据线部分地重叠，所述浮动电极电性浮动；第二数据线，设置在像素电极的第二侧；以及存储电极，与像素电极重叠且与第二数据线间隔开，其中所述存储电极被构造成接收电压。
应该理解的是，前面的概述和下面的详细描述都是示例性和解释性的，旨在对要求保护的本发明提供进一步的解释。
附图说明
被包括进来以提供对本发明的进一步理解且合并于说明书中并构成说明书一部分的附图示出了本发明的示例性实施方式，附图连同具体描述一起用于解释本发明的原理。
图1是示出根据本发明一个示例性实施方式的显示设备的平面图。
图2是沿图1中的线I-I′截取的横截面图。
图3A和图3B分别是图示了形成图2显示基板的第一导电图案的方法的横截面图和平面图。
图4A和图4B分别是图示了形成图2显示基板的第二导电图案的方法的横截面图和平面图。
图5A和图5B分别是图示了形成图2显示基板的滤色片层的方法的横截面图和平面图。
图6A和图6B分别是图示了形成图2显示基板的接触孔的方法的横截面图和平面图。
图7A和图7B分别是图示了形成图2显示基板的透明电极层的方法的横截面图和平面图。
图8A和图8B是图示了由图2的显示基板防止偏色和光泄漏的概念图。
图9是图示了根据本发明一示例性实施方式的显示设备的横截面图。
图10A、图10B、图10C和图10D是图示了制造图9显示设备的方法的横截面图。
具体实施方式
下文参照附图更全面地描述本发明，附图示出了本发明的示例性实施方式。然而，本发明可以以多种不同方式体现，不应认为其局限于本文所述的实施方式。相反，提供这些示例性实施方式是为了使本发明的公开内容更详尽，并将本发明的保护范围充分地传达给本领域技术人员。在附图中，为了清楚起见，可放大层和区域的尺寸以及相对尺寸。附图中的相同附图标记表示相同的元件。
应该理解的是，当说到一元件或层位于另一元件或层“上”或“连接至”另一元件或层时，该元件或层可直接位于另一元件或层上或直接连接至另一元件或层，或者可能存在插入元件或层。相反，当说到一元件“直接”位于另一元件或层上或“直接连接至”另一元件或层时，则不存在插入元件或层。正如本文所使用的，术语“和/或”包括一个或多个所列相关项目中的任何一个和所有组合。
应该理解的是，尽管本文可使用术词第一、第二、第三等来描述各种元件、部件、区域、层、和/或部分，但这些元件、部件、区域、层、和/或部分不受这些术语所限。这些术语仅用来将一个元件、部件、区域、层、或部分与另一元件、部件、区域、层、或部分区分开。因此，在不背离本发明的教导的前提下，下面讨论的第一元件、部件、区域、层、或部分也可命名为第二元件、部件、区域、层、或部分。
为了易于描述，本文可使用空间关系术语，例如“下面”、“下方”、“下部”、“上方”、“上部”及类似词，以描述附图所示的一个元件或特征相对于另一个(或多个)元件或特征的关系。可以理解，除了图中示出的方位外，空间关系术语还旨在包括设备在使用或操作中的不同方位。例如，如果将附图中的设备翻转，那么被描述为在其它元件或特征“下方”或“下面”的元件将定位在其它元件或特征的“上方”。因此，示例性术语“下方”可以包括“上方”和“下方”两个方位。可以将设备以其它方式定位(旋转90°或处于其它方位)，并且相应地对本文使用的空间相对关系术语进行解释。
这里所使用的术语仅用于描述特定示例性实施方式的目的，而并不用于限制本发明。除非文中清楚地指明是其它情况，否则这里所使用的单数形式“一”、“一个”和“该”也旨在包括复数形式。还可以理解，当术语“包含”和/或“包括”用于本说明书中时，表明存在所述的特征、整体、步骤、操作、元件、和/或部件，但并不排除存在或附加有一个或多个其它的特征、整体、步骤、操作、元件、部件、和/或其组合。
以下，将参照作为本发明理想化示例性实施方式(和中间结构)的示意图的横截面图来描述本发明的示例性实施方式。因此，可以预料到由于例如制造技术和/或公差而造成的与图示形状的差异。所以，本发明不应该被理解为局限于这里所示区域的特定形状，而是应该包括由于例如制造而造成的形状上的偏差。因此，图中所示的区域本质上是示意性的，它们的形状不旨在描述设备的一区域的实际形状，并且也不旨在限制本发明的范围。
除非另外限定，本文使用的所有术语(包括技术术语和科技术语)的含义与本发明所属技术领域的普通技术人员通常所理解的相同。还应该进一步理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语应解释为具有与相关技术的情景中的含义相一致的含义，并且不应将这些术语解释为理想化的或过于正式的含义，除非文中特别限定。
下文中，将参照附图详细地描述本发明。
图1是示出根据本发明一个示例性实施方式的显示设备的平面图。图2是沿图1中的线I-I′截取的横截面图。
参照图1和图2，显示设备500A包括显示基板100、相对基板200、以及液晶层300。
显示基板100包括第一基板101、晶体管层TRL、滤色片层CFL、以及透明电极层TEL。
晶体管层TRL包括第一导电图案、绝缘层110、第二导电图案、以及保护层130。绝缘层110和保护层130可包含有机材料或无机材料。可替换地，绝缘层110和保护层130可由包含有机材料和无机材料的多层制成。
第一导电图案包括设置在第一基板101上的第n条栅极线GLn、第n条存储电极线STLn、以及第m个浮动电极FEm(“m”和“n”是自然数)。
第n条栅极线GLn沿第一方向延伸，且包括多个栅电极。例如，第n条栅极线GLn包括设置在第m个像素区域Pm中的栅电极GE。
第n条存储电极线STLn包括沿第一方向延伸的第n条存储线SLn、连接至第n条存储线SLn的多个存储电极、以及连接至第n条存储线SLn的多个凸出电极。第n条存储电极线STLn接收存储公共电压。
存储电极可邻近于数据线且基本上平行于数据线而设置。所述多个凸出电极可邻近于多个栅电极设置。
例如，第m个存储电极STm连接至第n条存储线SLn并邻近且基本上平行于第(m+1)条数据线DLm+1而设置在第m个像素区域Pm中。第m个凸出电极Em连接至第n条存储线SLn，并邻近于栅电极GE而设置在第m个像素区域Pm中。第m个存储电极STm是限定在第m个像素区域Pm中的存储电容器的公共电极，并且另外可以遮挡泄漏至邻近于第(m+1)条数据线DLm+1的区域的光。
第m个浮动电极FEm与第m条数据线DLm部分地重叠，并设置成基本上平行于第m条数据线DLm。第m个浮动电极FEm电性浮动，并且可遮挡泄漏至邻近于第m条数据线DLm的区域的光。第m个浮动电极FEm的宽度可大于第m个存储电极STm的宽度。第m个浮动电极FEm与第(m-1)个存储电极STm-1间隔开。
绝缘层110设置在设有第一导电图案的第一基板101上，以便覆盖第一导电图案。
第二导电图案包括第m条数据线DLm、接触电极CE、以及第(m+1)条数据线DLm+1。
第m条数据线DLm沿与第一方向交叉的第二方向延伸，并且包括多个源电极。例如，第m条数据线DLm与第(m-1)个存储电极STm-1间隔开，并设置在与第m个浮动电极FEm部分重叠的区域中。第m条数据线DLm可包括设置在第m个像素区域Pm中的源电极SE。接触电极CE设置在设有第m个凸出电极Em的区域中，并与第m个凸出电极Em重叠。接触电极CE包括设置在与源电极SE间隔开的区域中的漏电极DE。
第(m+1)条数据线DLm+1面对第m条数据线DLm。第m个像素区域Pm设置在第(m+1)条数据线DLm+1与第m条数据线DLm之间。第(m+1)条数据线DLm+1可包括多个源电极。
具有第m条数据线DLm、接触电极CE、以及第(m+1)条数据线DLm+1的第二导电图案可进一步包括沟道图案CH。沟道图案CH可包括半导体层和欧姆接触层。
连接至第n条栅极线GLn和第m条数据线DLm的晶体管TR可由栅电极GE、源电极SE、漏电极DE、以及沟道图案CH限定。第m个像素区域Pm中的存储电容器可由第m个凸出电极Em、绝缘层110、以及接触电极CE限定。
保护层130设置成覆盖设有第二导电图案的第一基板101上的第二导电图案。
滤色片层CFL包括遮光图案BM、多个滤色片(包括第一滤色片CF1、第二滤色片CF2、以及第三滤色片CF3，见图5B所示)、以及覆盖层150。滤色片层CFL可以省去覆盖层150。
遮光图案BM可设置在设有第一和第二导电图案的区域中。例如，遮光图案BM设置成与设有第n条栅极线GLn、第n条存储电极线STLn、第m条数据线DLm、接触电极CE、以及第(m+1)条数据线DLm+1的区域相对应。
第一滤色片CF1、第二滤色片CF2、以及第三滤色片CF3中的每一个均设置在相邻数据线之间的区域中。例如，第一滤色片CF1设置在第m条数据线DLm与第(m+1)条数据线DLm+1之间的区域中，第二滤色片CF2设置在第m条数据线DLm与第(m-1)条数据线(未示出)之间的区域中，并且第三滤色片CF3设置第(m+1)条数据线DLm+1与第(m+2)条数据线(未示出)之间的区域中。因此，第一滤色片CF1可设置在第m个像素区域Pm中，第二滤色片CF2可设置在第(m-1)个像素区域Pm-1中，并且第三滤色片CF3可设置在第(m+1)个像素区域Pm+1中。
覆盖层150设置成覆盖第一基板101上的遮光图案BM以及第一滤色片CF1、第二滤色片CF2和第三滤色片CF3，使得显示基板100平坦化。
透明电极层TEL包括多个像素电极和第一配向层170。
例如，第m个像素电极PEm可设置在与第n条栅极线GLn、第m条数据线DLm、以及第(m+1)条数据线DLm+1相对应的第m个像素区域Pm中。第(m-1)个像素电极PEm-1可设置在与第n条栅极线GLn、第(m-1)条数据线(未示出)、以及第m条数据线DLm相对应的第(m-1)个像素区域Pm-1中。第(m+1)个像素电极PEm+1可设置在与第n条栅极线GLn、第(m+1)条数据线DLm+1、以及第(m+2)条数据线(未示出)相对应的第(m+1)个像素区域Pm+1中。
第m个像素电极PEm通过开口H电连接至晶体管TR，所述晶体管连接至第n条栅极线GLn和第m条数据线DLm。第m个像素电极PEm设置成与第m个存储电极STm重叠。第m个像素电极PEm和第m个存储电极STm可限定第m个像素区域Pm的存储电容器。
第一配向层170设置成覆盖第一基板101上的第(m-1)个像素电极PEm-1、第m个像素电极PEm以及第(m+1)个像素电极PEm+1。第一配向层170初始排列液晶层300的液晶。
相对基板200包括第二基板201、公共电极210以及第二配向层230。公共电极210设置在第二基板201上，并可与第(m-1)个像素电极PEm-1、第m个像素电极PEm和第(m+1)个像素电极PEm+1中的每一个以及液晶层300一起限定液晶电容器。第二配向层230设置在公共电极210上，且初始排列液晶层300的液晶。
在下文中，将参照图3A、图3B、图4A、图4B、图5A、图5B、图6A、图6B、图7A和图7B来描述制造显示基板100的方法。
图3A和3B分别是图示了形成图2显示基板的第一导电图案的方法的横截面图和平面图。
参照图2、图3A和图3B，在第一基板101上形成第一导电层，并对第一导电层图案化以形成第一导电图案。第一导电图案包括第n条栅极线GLn、第n条存储电极线STLn、以及第m个浮动电极FEm。
第n条栅极线GLn沿第一方向延伸，且包括栅电极GE。第n条存储电极线STLn包括沿第一方向延伸的第n条存储线SLn、连接至第n条存储线SLn且沿与第一方向交叉的第二方向延伸的第m个存储电极STm、以及连接至第n条存储线SLn且邻近于栅电极GE的第m个凸出电极Em。第n条存储电极线STLn接收存储公共电压。
第m个浮动电极FEm与第m个存储电极STm间隔开。第m个浮动电极FEm遮挡光泄漏。第m个浮动电极FEm的宽度可大于第m个存储电极STm的宽度。
在形成有第一导电图案的第一基板101上形成绝缘层110。
图4A和图4B分别是图示了形成图2显示基板的第二导电图案的方法的横截面图和平面图。
参照图2、图4A和图4B，在绝缘层110上形成沟道层和第二导电层。沟道层可包括半导体层和欧姆接触层。使用相同的掩模同时对沟道层和第二导电层图案化，以便形成第二导电图案。
第二导电图案具有包括第二导电层和沟道层的双层结构，并且包括第m条数据线DLm、接触电极CE、以及第(m+1)条数据线DLm+1。第m条数据线DLm、接触电极CE、以及第(m+1)条数据线DLm+1中的每一个都包括沟道图案CH。
第m条数据线DLm沿第二方向延伸，并包括源电极SE。第m条数据线DLm与第m个存储电极STm间隔开，并且形成在与第m个浮动电极FEm部分重叠的区域中。因此，第m个浮动电极FEm可遮挡从邻近于第m条数据线DLm的区域泄漏的光。源电极SE形成在栅电极GE之上。
接触电极CE与第m个凸出电极Em部分地重叠。接触电极CE包括形成在栅电极GE之上的漏电极DE。漏电极DE与源电极SE间隔开并露出沟道图案CH。
第(m+1)条数据线DLm+1面对第m条数据线DLm，且包括多个源电极。
可由栅电极GE、源电极SE、漏电极DE以及沟道图案CH限定连接至第n条栅极线GLn和第m条数据线DLm的晶体管TR。可由第m个凸出电极Em、绝缘层110、以及接触电极CE限定第m个像素区域Pm的存储电容器。
在其上形成有第二导电图案的第一基板101上形成保护层130。保护层130可包含有机材料或无机材料。可替换地，保护层130可由包含有机材料和无机材料的多层制成。从而，在第一基板101上形成晶体管层TRL。
在本示例性实施方式中，利用相同的掩模同时对沟道层和第二导电层图案化。可替换地，可利用第一掩模对沟道层图案化，并且可利用第二掩模对第二导电层图案化。
图5A和图5B分别是图示了形成图2显示基板的滤色片层的方法的横截面图和平面图。
参照图2，图5A和图5B，在其上形成有保护层130的第一基板101上形成遮光层，并对遮光层图案化以形成遮光图案BM。
遮光图案BM形成在形成有第n条栅极线GLn、第n条存储电极线STLn、第m条数据线DLm、接触电极CE、第(m+1)条数据线DLm+1、以及晶体管TR的区域中。遮光图案BM在第一基板101的整个区域上可具有矩阵形状。
在其上形成有遮光图案BM的第一基板101上形成彩色光刻胶层(colorphotoresistlayer)，并且对该彩色光刻胶层图案化以形成滤色片。
例如，在第一基板101上形成第一彩色光刻胶层并对第一彩色光刻胶层图案化，从而在第一区域中形成第一滤色片CF1。在形成有第一滤色片CF1的第一基板101上形成第二彩色光刻胶层并对第二彩色光刻胶层图案化，从而在第二区域中形成第二滤色片CF2。在形成有第一滤色片CF1和第二滤色片CF2的第一基板101上形成第三彩色光刻胶层并对第三彩色光刻胶层图案化，从而在第三区域中形成第三滤色片CF3。第一区域可由第m条数据线DLm和第(m+1)条数据线DLm+1限定，第二区域可由第(m-1)条数据线(未示出)和第m条数据线DLm限定，而第三区域可由第(m+1)条数据线DLm+1和第(m+2)条数据线(未示出)限定。
从而，在第m个像素区域Pm中形成第一滤色片CF1，在第(m-1)个像素区域Pm-1中形成第二滤色片CF2，并且在第(m+1)个像素区域Pm+1中形成第三滤色片CF3。
穿过接触电极CE上的遮光图案BM以及第一滤色片CF1、第二滤色片CF2和第三滤色片CF3而形成露出保护层130的开口H。
这样，在第一基板101上形成滤色片层CFL。
图6A和图6B分别是图示了形成图2显示基板的接触孔的方法的横截面图和平面图。
参照图2、图6A以及图6B，在形成有第一滤色片CF1、第二滤色片CF2和第三滤色片CF3的第一基板101上形成覆盖层150。覆盖层150可包含有机材料或无机材料。可替换地，覆盖层150可由包含有机材料和无机材料的多层制成。穿过接触电极CE上的覆盖层150而形成露出保护层130的开口H。覆盖层150可省去。
对通过开口H露出的保护层130进行蚀刻以形成接触孔135，所述保护层是通过在形成有滤色片层CFL的第一基板101上进行蚀刻工艺而露出的。通过接触孔135而露出接触电极CE。
图7A和图7B分别是图示了形成图2显示基板的透明电极层的方法的横截面图和平面图。
参照图2、图7A以及图7B，在第一基板101(穿过该第一基板形成有接触孔135)上形成透明导电层，并对透明导电层图案化以形成包括第(m-1)个像素电极PEm-1、第m个像素电极PEm和第(m+1)个像素电极PEm+1的多个像素电极。
例如，在第m个像素区域Pm中形成第m个像素电极PEm，在第(m-1)个像素区域Pm-1中形成第(m-1)个像素电极PEm-1，并且在第(m+1)个像素区域Pm+1中形成第(m+1)个像素电极PEm+1。在第m个像素区域Pm中，第m个像素电极PEm与第m个存储电极STm重叠。第m个像素电极PEm通过接触孔135与接触电极CE进行接触，并与晶体管TR的漏电极DE电连接。
可在第m个像素电极PEm与第m个存储电极STm重叠的区域中限定第m个像素区域Pm中的存储电容器。
图8A和图8B是图示了由图2的显示基板防止偏色和光泄漏的概念图。
参照图2和图8A，第(m-1)个存储电极STm-1和第m个浮动电极FEm设置在第m条数据线DLm的侧部。第(m-1)个存储电极STm-1与第m条数据线DLm间隔开，且设置在第m条数据线DLm的第一侧，而第m个浮动电极FEm与第m条数据线DLm部分地重叠，且设置在第m条数据线DLm的第二侧。第m个像素电极PEm设置成与第m个浮动电极FEm部分地重叠。
第m个浮动电极FEm电性浮动，并与第m个像素电极PEm部分重叠。第m个浮动电极FEm的电势电平(potentiallevel)可根据与第m个浮动电极FEm重叠的第m个像素电极PEm的电势电平而改变。
第m个浮动电极FEm受形成在第m个像素区域Pm中的第m个像素电极PEm的电势电平影响，而不受邻近于第m个浮动电极且形成在第(m-1)个像素区域Pm-1中的第(m-1)个像素电极PEm-1的电势电平影响。因此，可防止由于邻近于第m个浮动电极的第(m-1)个像素电极PEm-1的耦合电容而造成的偏色。
参照图8B，第(m-1)个存储电极STm-1和第m个浮动电极FEm设置在第m条数据线DLm的侧部。第(m-1)个存储电极STm-1与第m条数据线DLm间隔开，且设置在第m条数据线DLm的第一侧，而第m个浮动电极FEm与第m条数据线DLm部分地重叠，且设置在第m条数据线DLm的第二侧。
根据工艺容限(processmargin)，遮光图案BM未形成在中心位置BMA，而是形成在偏移至中心位置BMA一侧的偏移位置中。在这种情况下，由于形成了与第m条数据线DLm部分地重叠的第m个浮动电极FEm，因而可遮挡从第m条数据线DLm与第m个像素电极PEm之间的区域泄漏的光。因此，第m个浮动电极FEm可根据视角而遮挡光泄漏。
根据本示例性实施方式，可减少偏色并可防止光泄漏。
在下文中，使用相同的附图标记来表示与以上所述相同或类似的部件，因此将省略任何重复的描述。
图9是图示了根据本发明一示例性实施方式的显示设备的横截面图。
参照图1和图9，显示设备500B包括显示基板100、相对基板200、以及液晶层300。
显示基板100包括第一基板101、晶体管层TRL、滤色片层CFL、以及透明电极层TEL。
晶体管层TRL包括第一导电图案、绝缘层110、第二导电图案以及保护层130。
第一导电图案包括设置在第一基板101上的第n条栅极线GLn、第n条存储电极线STLn以及第m个浮动电极FEm。
第n条存储电极线STLn包括沿第一方向延伸的第n条存储线SLn、连接至第n条存储线SLn的多个存储电极、以及连接至第n条存储线SLn的多个凸出电极。第n条存储电极线STLn接收存储公共电压。
例如，第m个存储电极STm连接至第n条存储线SLn，并邻近且基本上平行于第(m+1)条数据线DLm+1而设置在第m个像素区域Pm中。第m个凸出电极Em连接至第n条存储线SLn，并邻近于栅电极GE而设置在第m个像素区域Pm中。第m个存储电极STm是限定在第m个像素区域Pm中的存储电容器的公共电极，并且另外可以遮挡泄漏至邻近于第(m+1)条数据线DLm+1的区域的光。
第m个浮动电极FEm与第m条数据线DLm部分地重叠，并设置成基本上平行于第m条数据线DLm。第m个浮动电极FEm电性浮动，并且可遮挡泄漏至邻近于第m条数据线DLm的区域的光。第m个浮动电极FEm的宽度可大于第m个存储电极STm的宽度。
绝缘层110设置在设有第一导电图案的第一基板101上，以便覆盖第一导电图案。
第二导电图案包括第m条数据线DLm、接触电极CE、以及第(m+1)条数据线DLm+1。
第m条数据线DLm沿与第一方向交叉的第二方向延伸，并且包括多个源电极。例如，第m条数据线DLm与第(m-1)个存储电极STm-1间隔开，并设置在与第m个浮动电极FEm部分重叠的区域中。第m条数据线DLm可包括设置在第m个像素区域Pm中的源电极SE。接触电极CE设置在设有第m个凸出电极Em的区域中，并与第m个凸出电极Em重叠。接触电极CE包括设置在与源电极SE间隔开的区域中的漏电极DE。
保护层130设置成覆盖设有第二导电图案的第一基板101上的第二导电图案。
滤色片层CFL包括遮光图案BM、多个滤色片(包括第一滤色片CF1、第二滤色片CF2、以及第三滤色片CF3)、以及覆盖层150。滤色片层CFL可以省去覆盖层150。
第一滤色片CF1、第二滤色片CF2、以及第三滤色片CF3中的每一个均设置在相邻数据线之间的区域中。例如，第一滤色片CF1设置在第m条数据线DLm与第(m+1)条数据线DLm+1之间的区域中，第二滤色片CF2设置在第m条数据线DLm与第(m-1)条数据线(未示出)之间的区域中，并且第三滤色片CF3设置第(m+1)条数据线DLm+1与第(m+2)条数据线(未示出)之间的区域中。因此，第一滤色片CF1可设置在第m个像素区域Pm中，第二滤色片CF2可设置在第(m-1)个像素区域Pm-1中，并且第三滤色片CF3可设置在第(m+1)个像素区域Pm+1中。
遮光图案BM可设置在设有第一和第二导电图案的区域中。例如，遮光图案BM设置成与设有第n条栅极线GLn、第n条存储电极线STLn、第m条数据线DLm、接触电极CE以及第(m+1)条数据线DLm+1的区域相对应。
透明电极层TEL包括多个像素电极和第一配向层170。第m个像素电极PEm可设置在与第n条栅极线GLn、第m条数据线DLm以及第(m+1)条数据线DLm+1相对应的第m个像素区域Pm中。第(m-1)个像素电极PEm-1可设置在与第n条栅极线GLn、第(m-1)条数据线(未示出)以及第m条数据线DLm相对应的第(m-1)个像素区域Pm-1中。第(m+1)个像素电极PEm+1可设置在与第n条栅极线GLn、第(m+1)条数据线DLm+1以及第(m+2)条数据线(未示出)相对应的第(m+1)个像素区域Pm+1中。
第一配向层170设置在设有第(m-1)个像素电极PEm-1、第m个像素电极PEm、以及第(m+1)个像素电极PEm+1的第一基板101上。
图10A、图10B、图10C和图10D是图示了制造图9显示设备的方法的横截面图。
参照图9和图10A，在第一基板101上形成第一导电层，并对第一导电层图案化以形成第一导电图案。第一导电图案包括第n条栅极线GLn、第n条存储电极线STLn以及第m个浮动电极FEm。第n条存储电极线STLn包括沿第一方向延伸的第n条存储线SLn、连接至第n条存储线SLn且沿与第一方向交叉的第二方向延伸的第m个存储电极STm、以及连接至第n条存储线SLn且邻近于栅电极GE的第m个凸出电极Em。第m个浮动电极FEm与第m个存储电极STm间隔开。
在形成有第一导电图案的第一基板101上形成绝缘层110。
在绝缘层110上形成沟道层和第二导电层。沟道层可包括半导体层和欧姆接触层。使用相同的掩模同时对沟道层和第二导电层图案化，以便形成第二导电图案。
第二导电图案具有包括第二导电层和沟道层的双层结构，并且包括第m条数据线DLm、接触电极CE以及第(m+1)条数据线DLm+1。第m条数据线DLm、接触电极CE、以及第(m+1)条数据线DLm+1中的每一个都包括沟道图案CH。第m条数据线DLm与第m个存储电极STm间隔开，并且形成在与第m个浮动电极FEm部分重叠的区域中。因此，第m个浮动电极FEm可遮挡从邻近于第m条数据线DLm的区域泄漏的光。
在其上形成有第二导电图案的第一基板101上形成保护层130。保护层130可包含有机材料或无机材料。可替换地，保护层130可由包含有机材料和无机材料的多层制成。从而，在第一基板101上形成晶体管层TRL。
参照图9和图10B，在形成有保护层130的第一基板101上形成彩色光刻胶层，并对该彩色光刻胶层图案化以形成滤色片。
例如，在第一基板101上形成第一彩色光刻胶层并对第一彩色光刻胶层图案化，从而在第一区域中形成第一滤色片CF1。在形成有第一滤色片CF1的第一基板101上形成第二彩色光刻胶层并对第二彩色光刻胶层图案化，从而在第二区域中形成第二滤色片CF2。在形成有第一滤色片CF1和第二滤色片CF2的第一基板101上形成第三彩色光刻胶层并对第三彩色光刻胶层图案化，从而在第三区域中形成第三滤色片CF3。第一区域可由第m条数据线DLm和第(m+1)条数据线DLm+1限定，第二区域可由第(m-1)条数据线(未示出)和第m条数据线DLm限定，并且第三区域可由第(m+1)条数据线DLm+1和第(m+2)条数据线(未示出)限定。
从而，在第m个像素区域Pm中形成第一滤色片CF1，在第(m-1)个像素区域Pm-1中形成第二滤色片CF2，并且在第(m+1)个像素区域Pm+1中形成第三滤色片CF3。
在形成有第一滤色片CF1、第二滤色片CF2、以及第三滤色片CF3的第一基板101上形成遮光层，并对遮光层图案化以形成遮光图案BM。遮光图案BM形成在形成有第n条栅极线GLn、第n条存储电极线STLn、第m条数据线DLm、接触电极CE、第(m+1)条数据线DLm+1、以及晶体管TR的区域中。遮光图案BM在第一基板101的整个区域上可具有矩阵形状。
穿过接触电极CE上的遮光图案BM以及第一滤色片CF1、第二滤色片CF2和第三滤色片CF3而形成露出保护层130的开口H。
参照图9和图10C，在形成有第一滤色片CF1、第二滤色片CF2和第三滤色片CF3的第一基板101上形成覆盖层150。覆盖层150可包含有机材料或无机材料。可替换地，覆盖层150可由包含有机材料和无机材料的多层制成。穿过接触电极CE上的覆盖层150而形成露出保护层130的开口H1。对通过开口H1露出的保护层130进行蚀刻以形成接触孔135，所述保护层是通过在形成有滤色片层CFL的第一基板101上进行蚀刻工艺而露出的。
参照图9和图10D，在具有接触孔135的第一基板101上形成透明导电层，并对透明导电层图案化以形成包括第(m-1)个像素电极PEm-1、第m个像素电极PEm、以及第(m+1)个像素电极PEm+1的多个像素电极。例如，在第m个像素区域Pm中，第m个像素电极PEm与第m个存储电极STm重叠。第m个像素电极PEm通过接触孔135与接触电极CE进行接触，并与晶体管TR的漏电极DE电连接。
根据本发明的一个示例性实施方式，数据线的第一侧与接收公共电压的存储电极间隔开，并且数据线的第二侧与浮动电极部分地重叠，因而可减少偏色并可防止光泄漏。
不应认为本发明的前述示例性实施方式限制了本发明。尽管已描述了本发明的多个示例性实施方式，但本领域技术人员很容易理解的是，在本质上不背离本发明的教导及优点的前提下可对所述示例性实施方式进行许多修改。因此，所有这些修改都包含在本发明的范围内。因此，应该理解的是，前面所述的是对本发明的解释，不应认为本发明局限于所公开的具体示例性实施方式，并且对所公开的示例性实施方式以及其它实施方式进行的修改均包含在本发明的范围内。
本领域技术人员应该理解的是，在不背离本发明的精神或保护范围的前提下可对本发明作出各种修改和变型。因此，本发明旨在涵盖对本发明的修改和变型，只要所述修改和变型落在所附权利要求及其等同物的范围内。

Claims (14)

1.一种显示基板，包括：
像素电极，设置在一基板上的像素区域中；
第一数据线，设置在所述像素电极的第一侧，且电连接至所述像素电极；
遮光图案，与所述像素电极形成在相同的基板上；
第一浮动电极，设置在相对于由所述像素电极和邻近电极限定的中心位置偏移的位置处，并且所述第一浮动电极与所述第一数据线、所述遮光图案和所述像素电极至少部分地重叠；
第二数据线，设置在所述像素电极的第二侧；
第二浮动电极，与所述第二数据线部分地重叠，其中，所述第二浮动电极位于与所述第一浮动电极相邻的像素区域；以及
存储电极，与所述像素电极重叠且与所述第二数据线间隔开，并且
其中，所述第一浮动电极与所述第二浮动电极电分离。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述浮动电极电性浮动，并且所述存储电极被配置为接收电压。
3.根据权利要求1所述的显示基板，进一步包括：
第一栅极线，与所述第一数据线及所述第二数据线交叉；
存储线，设置成与所述第一栅极线平行，且电连接至所述存储电极；以及
晶体管，电连接至所述第一数据线及所述第一栅极线。
4.根据权利要求3所述的显示基板，进一步包括设置在所述基板上且覆盖所述晶体管的滤色片层。
5.根据权利要求4所述的显示基板，其中，所述滤色片层包括：
遮光图案，覆盖所述第一数据线及所述第二数据线；以及
滤色片，设置在所述像素电极与所述基板之间的像素区域中。
6.根据权利要求5所述的显示基板，进一步包括覆盖层，所述覆盖层设置在所述基板上且位于所述滤色片与所述像素电极之间，并覆盖所述遮光图案和所述滤色片。
7.根据权利要求3所述的显示基板，进一步包括：
接触电极，用于将所述像素电极电连接至所述晶体管；以及
凸出电极，所述凸出电极电连接至所述存储线，且与所述接触电极重叠。
8.一种制造显示基板的方法，所述方法包括以下步骤：
在一基板上的像素区域中形成第一导电图案，所述第一导电图案包括第一浮动电极和存储电极；
在具有所述第一导电图案的所述基板上形成第二导电图案，所述第二导电图案包括与所述第一浮动电极部分地重叠的第一数据线和与所述存储电极间隔开并与第二浮动电极部分地重叠的第二数据线，其中，所述第二浮动电极位于与所述第一浮动电极相邻的像素区域；
在所述第一导电图案和所述第二导电图案上形成遮光图案；以及
在具有所述第二导电图案的所述基板上的像素区域中形成像素电极，所述像素电极电连接至所述第一数据线，
其中，所述遮光图案与所述像素电极形成在相同的基板上，并且
其中，所述第一浮动电极设置在相对于由所述像素电极和邻近电极限定的中心位置偏移的位置处，并且所述第一浮动电极与所述第一数据线、所述遮光图案和所述像素电极至少部分地重叠，以及
其中，所述第一浮动电极与所述第二浮动电极电分离。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，形成第一导电图案的步骤进一步包括形成与所述第一数据线及所述第二数据线交叉的第一栅极线，以及形成与所述第一栅极线平行的存储线，所述存储线电连接至所述存储电极。
10.根据权利要求9所述的方法，进一步包括形成电连接至所述第一栅极线及第一数据线的晶体管。
11.根据权利要求10所述的方法，进一步包括形成用于将所述像素电极电连接至所述晶体管的接触电极，以及形成电连接至所述存储线且与所述接触电极重叠的凸出电极。
12.根据权利要求10所述的方法，进一步包括在所述基板上形成滤色片层。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，形成滤色片层的步骤包括：
形成覆盖所述第一数据线和所述第二数据线的遮光图案；以及
在所述像素区域中形成滤色片。
14.根据权利要求13所述的方法，进一步包括在所述基板上形成覆盖层。
CN201010514704.2A 2009-10-21 2010-10-21 显示基板、其制造方法以及具有该显示基板的显示设备 Expired - Fee Related CN102073181B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090100164A KR20110043166A (ko) 2009-10-21 2009-10-21 표시 기판, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 표시 장치
KR10-2009-0100164 2009-10-21

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102073181A CN102073181A (zh) 2011-05-25
CN102073181B true CN102073181B (zh) 2016-06-01

Family

ID=43878618

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201010514704.2A Expired - Fee Related CN102073181B (zh) 2009-10-21 2010-10-21 显示基板、其制造方法以及具有该显示基板的显示设备

Country Status (3)

Country Link
US (1) US8698158B2 (zh)
KR (1) KR20110043166A (zh)
CN (1) CN102073181B (zh)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014054569A1 (ja) * 2012-10-03 2014-04-10 シャープ株式会社 半導体装置及び表示装置
KR20140044453A (ko) * 2012-10-05 2014-04-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판 및 이를 포함하는 액정 표시 패널
KR102164311B1 (ko) 2013-12-06 2020-10-13 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR102123979B1 (ko) * 2013-12-09 2020-06-17 엘지디스플레이 주식회사 리페어 구조를 갖는 유기발광표시장치
KR20160106798A (ko) * 2015-03-02 2016-09-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN105116655B (zh) * 2015-09-22 2017-04-12 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示面板、阵列基板及其制造方法
KR102596074B1 (ko) * 2016-07-18 2023-11-01 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판 및 이의 제조 방법
CN107037641B (zh) * 2017-05-12 2020-04-24 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示面板和显示装置
KR102509111B1 (ko) * 2018-05-17 2023-03-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210146486A (ko) 2020-05-26 2021-12-06 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6525788B1 (en) * 1998-10-21 2003-02-25 Advanced Display Inc. Liquid crystal display device
CN1641453A (zh) * 2004-01-13 2005-07-20 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 平面内切换型液晶显示装置及其采用的存储电容
CN1677207A (zh) * 2004-03-30 2005-10-05 Lg.菲利浦Lcd株式会社 液晶显示器及其制造方法
CN101043041A (zh) * 2006-03-20 2007-09-26 Nec液晶技术株式会社 有源矩阵衬底、液晶显示器件和液晶显示器件的制造方法
CN101126874A (zh) * 2006-08-16 2008-02-20 三星电子株式会社 具有浮动电极的液晶显示面板

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080007813A (ko) * 2006-07-18 2008-01-23 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판
US8400599B2 (en) * 2006-08-16 2013-03-19 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display panel having a light blocking electrode

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6525788B1 (en) * 1998-10-21 2003-02-25 Advanced Display Inc. Liquid crystal display device
CN1641453A (zh) * 2004-01-13 2005-07-20 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 平面内切换型液晶显示装置及其采用的存储电容
CN1677207A (zh) * 2004-03-30 2005-10-05 Lg.菲利浦Lcd株式会社 液晶显示器及其制造方法
CN101043041A (zh) * 2006-03-20 2007-09-26 Nec液晶技术株式会社 有源矩阵衬底、液晶显示器件和液晶显示器件的制造方法
CN101126874A (zh) * 2006-08-16 2008-02-20 三星电子株式会社 具有浮动电极的液晶显示面板

Also Published As

Publication number Publication date
KR20110043166A (ko) 2011-04-27
CN102073181A (zh) 2011-05-25
US8698158B2 (en) 2014-04-15
US20110089424A1 (en) 2011-04-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102073181B (zh) 显示基板、其制造方法以及具有该显示基板的显示设备
US9618816B2 (en) Array substrate for liquid crystal display device and method of fabricating the same
CN101093329B (zh) 用于共平面开关模式液晶显示器的阵列基板及其制造方法
US8035779B2 (en) Thin film transistor display panel, liquid crystal display having the same, and method of manufacturing liquid crystal display
US9151992B2 (en) Color filter substrate and liquid crystal display device including the same
CN101211080B (zh) 用于液晶显示装置的阵列基板及其制造方法
CN100454122C (zh) 能够减小漏电流的液晶显示装置及其制造方法
CN102466926B (zh) 液晶显示器及其制造方法
CN102053426B (zh) 显示基板
EP3594739B1 (en) Display panel, and testing method thereof
KR101391836B1 (ko) 어레이 기판 및 이를 포함하는 액정표시장치
KR101254828B1 (ko) 액정표시장치
KR101543629B1 (ko) 표시기판, 이의 제조방법 및 이를 갖는 표시패널
KR102078807B1 (ko) 액정 표시 장치
KR20140055848A (ko) 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
CN102043273B (zh) 常黑模式液晶显示器装置
US20080055504A1 (en) Making dual side displays
CN105278188A (zh) 液晶显示器及其制造方法
CN101311792B (zh) 显示器基板及其制造方法和具有该显示器基板的显示装置
US20190081076A1 (en) Thin film transistor substrate and display panel
KR101310284B1 (ko) 표시 장치와, 표시 기판 및 이의 제조 방법
KR20090126729A (ko) 표시 기판 및 이의 제조 방법
KR20020056110A (ko) 액정 표시 장치용 어레이 기판 및 그의 제조 방법
KR20130010704A (ko) 게이트 인 패널 구조 액정표시장치용 어레이 기판
KR20040057785A (ko) 액정표시장치

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: SAMSUNG DISPLAY CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

Effective date: 20121224

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20121224

Address after: Gyeonggi Do, South Korea

Applicant after: Samsung Display Co., Ltd.

Address before: Gyeonggi Do, South Korea

Applicant before: Samsung Electronics Co., Ltd.

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20160601

Termination date: 20171021

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee