CN105278188A - 液晶显示器及其制造方法 - Google Patents

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朴成均
李政洙
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Abstract

公开了液晶显示器及其制造方法。在一个方面中，液晶显示器包括第一基板、面向第一基板的第二基板、以及插入第一基板和第二基板之间的液晶层。第一基板包括第一绝缘基板；形成在第一绝缘基板上方并且包括漏电极的薄膜晶体管(TFT)；以及绝缘层，覆盖TFT并且包括具有不同高度的上部和下部，其中，绝缘层具有通过下部形成从而曝露漏电极的开口。第一基板也包括形成在绝缘层上方的参考电极；覆盖参考电极的层间绝缘层；以及形成在层间绝缘层上方并且通过开口电连接至漏电极的像素电极。

Description

液晶显示器及其制造方法
相关申请的交叉引用
本专利申请要求于2014年5月28日提交的韩国专利申请第10-2014-0064577号的优先权，通过引用将其全部内容结合在此。
技术领域
所描述的技术主要涉及液晶显示器及其制造方法。
背景技术
液晶显示器(LCD)使用液晶层显示图像。LCD根据其驱动机制被分为面内切换(IPS)模式、垂直配向(VA)模式和面至线切换(PLS)模式。
LCD使用水平或垂直电场驱动液晶层以显示图像。具体地，液晶层的形成在电极上方的液晶分子在PLS模式下由于强边缘电场而基本上平行于LCD的基板而旋转。
发明内容
一个发明方面是液晶显示器，该液晶显示器能够克服在应用于制造高分辨率显示面板的处理中的技术限制。
另一个方面是一种制造液晶显示器的方法。
另一个方面是一种液晶显示器，该液晶显示器包括第一基板、面向第一基板的第二基板、以及插入在第一基板和第二基板之间的液晶层。
第一基板包括：第一绝缘基板；形成在第一绝缘基板上的薄膜晶体管；绝缘层，覆盖薄膜晶体管，包括上部和在距离第一绝缘基板的高度上不同于上部的下部，并且包括通过下部的一部分形成以暴露薄膜晶体管的漏电极的开口部；参考电极，形成在绝缘层上；层间绝缘层，覆盖参考电极；以及像素电极，形成在层间绝缘层上以通过开口部电连接至漏电极。
另一个方面是一种制造液晶显示器的方法，所述液晶显示器包括第一基板、面向第一基板的第二基板、插入在第一基板和第二基板之间的液晶层，所述方法包括形成第一基板。通过以下形成第一基板：在第一绝缘基板上形成薄膜晶体管；形成有机绝缘图案，该有机绝缘图案覆盖薄膜晶体管并且包括上部和在距离第一绝缘基板的高度上不同于上部的下部，该下部至少形成在薄膜晶体管的漏电极上；在有机绝缘图案上形成参考电极；使用参考电极作为掩模蚀刻有机绝缘图案以形成包括贯通形成以暴露漏电极的开口部的绝缘层；形成层间绝缘层以覆盖参考电极；以及在层间绝缘层上形成像素电极，使得像素电极通过开口部电连接至漏电极。
另一个方面是一种液晶显示器(LCD)，该液晶显示器包括第一基板、面向第一基板的第二基板、以及插入在第一基板和第二基板之间的液晶层。第一基板包括第一绝缘基板；薄膜晶体管(TFT)，形成在第一绝缘基板上方并且包括漏电极；以及绝缘层，覆盖TFT并且包括具有不同高度的上部和下部，其中，绝缘层具有通过下部形成从而曝露漏电极的开口。第一基板还包括形成在绝缘层上方的参考电极；覆盖参考电极的层间绝缘层；以及形成在层间绝缘层上方并且通过开口电连接至漏电极的像素电极。
在以上LCD中，参考电极进一步形成在上部和下部上方。在以上LCD中，参考电极曝露漏电极的至少一部分。
以上LCD进一步包括保护层，形成在绝缘层下方从而覆盖TFT，其中，保护层包括贯通形成的第一接触孔从而曝露漏电极的至少一部分。
在以上LCD中，层间绝缘层基本上覆盖参考电极并且具有贯通形成从而曝露漏电极的一部分的第二接触孔。在以上LCD中，在第二接触孔进一步形成在开口中。在以上LCD中，第二接触孔的宽度小于开口的宽度。
在以上LCD中，第一接触孔具有与第二接触孔的宽度对应的宽度。在以上LCD中，第一接触孔的宽度与开口的宽度对应。
在以上LCD中，像素电极通过第一接触孔和第二接触孔直接接触漏电极。
在以上LCD中，第一基板进一步包括滤色层，包括多个彩色像素；以及黑色矩阵，形成在彩色像素之间，其中，当在平面图中观察时，下部和开口形成在黑色矩阵形成的区域中。
在以上LCD中，第二基板进一步包括第二绝缘基板，面向第一绝缘基板并且连接到第一绝缘基板；滤色层，形成在第二绝缘基板上方并且包括多个彩色像素；以及黑色矩阵，形成在彩色像素之间，其中，当在平面图中观察时，下部和开口形成在黑色矩阵形成的区域中。
另一个方面是一种制造液晶显示器(LCD)的方法，所述液晶显示器包括第一基板、面向第一基板的第二基板、以及插入在第一基板和第二基板之间的液晶层。所述方法包括形成第一基板，所述形成第一基板包括在第一绝缘基板上形成包括漏电极的薄膜晶体管(TFT)；形成有机绝缘图案，该有机绝缘图案i)覆盖TFT并且ii)包括具有不同高度的上部和下部，其中，下部至少形成在漏电极上方；在有机绝缘图案上方形成参考电极；以及使用参考电极作为掩模蚀刻有机绝缘图案从而形成具有贯通形成的开口的绝缘层，其中，开口曝露漏电极。形成第一基板进一步包括形成层间绝缘层从而覆盖参考电极；以及在层间绝缘层上方形成像素电极，使得像素电极通过开口部电连接至漏电极。
以上方法进一步包括在形成TFT之后形成覆盖TFT的第一无机绝缘层。在以上方法中，形成有机绝缘图案包括在第一无机绝缘层上方形成感光有机绝缘层、以及使用半色调掩模通过曝光处理图案化感光有机绝缘层，从而形成包括上部和下部的有机绝缘图案。
在以上方法中，形成层间绝缘层包括在参考电极和有机绝缘图案上方形成第二无机绝缘层；在第二无机绝缘层上形成具有贯通形成的开孔的感光图案；以及使用感光图案作为掩模蚀刻第一无机绝缘层和第二无机绝缘层，从而分别通过第一无机绝缘层和第二无机绝缘层形成第一接触孔和第二接触孔，其中，第一接触孔和第二接触孔曝露漏电极的至少一部分。
在以上方法中，蚀刻第一无机绝缘层从而形成具有贯通形成的第一接触孔的保护层，其中，当使用参考电极作为掩模蚀刻有机绝缘图案时，第一接触孔与开口对应。
在以上方法中，形成层间绝缘层包括在参考电极和有机绝缘图案上方形成第二无机绝缘层；在第二无机绝缘层上形成具有贯通形成的开孔的感光图案；以及使用感光图案作为掩模蚀刻第二无机绝缘层，从而通过第二无机绝缘层形成第二接触孔，使得通过第二接触孔曝露漏电极的至少一部分。
在以上方法中，第二接触孔形成在开口中。在以上方法中，第二接触孔的宽度小于开口的宽度。
根据所公开的实施方式的至少一个，绝缘层包括在薄膜晶体管所形成的区域中具有相对小厚度的下部，并且因此能够降低用于形成通过层间绝缘层的接触孔的感光层的厚度，通过该接触孔曝露漏电极。因此，能够精确地形成微接触孔，并且能够降低曝光处理的难度。
附图说明
图1是示出了根据示例性实施方式的液晶显示器的框图。
图2是示出了在图1中示出的像素的等效电路图。
图3是示出了在图2中示出的液晶显示面板的平面图。
图4是沿着在图3中示出的线H-H’截取的截面图。
图5是示出了在图4中示出的有机绝缘层的平面图。
图6A至图6H是示出了在图4中示出的第一基板的制造方法的截面图。
图7是示出了根据另一示例性实施方式的液晶显示面板的截面图。
图8A至图8F是示出了在图7中示出的第一基板的制造方法的截面图。
具体实施方式
应当理解的是，当元件或层被称为在另一元件或层上、“连接至”或“耦接至”另一元件或层时，其可以直接在另一元件或层上、直接连接或耦接至另一元件或层，或者可存在中间元件或层。相反，当提到一个元件直接在另一元件或层上、“直接连接至”或“直接耦接至”另一元件或层时，则不存在介入元件或层。在全文中，相同的数字表示相同的元件。如在本文中使用的，术语“和/或”包括一个或多个所列出的相关条目的任何和所有组合。
应当理解的是，尽管本文中可使用“第一”、“第二”等术语来描述各种元件、部件、区域、层和/或部分，然而，这些元件、部件、区域、层和/或部分不应被这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或者部分与另一元件、部件、区域、层或者部分进行区分。因此在不背离本发明的教导的情况下，下面所讨论的第一元件、第一部件、第一区域、第一层或者第一部分可被称为第二元件、第二部件、第二区域、第二层或者第二部分。
为了便于描述，本文中使用的诸如“在…之下”、“在…下方”、“下部”、“在…上方”、“上部”等空间相关术语可用于描述如附图中示出的一个元件或者特征与另一元件或者特征的关系。应当理解的是，除了附图中描述的定向之外，空间相关术语旨在包含使用或操作中的设备的不同定向。例如，如果图中的设备被翻转，则被描述为在其他元件或特征的下方或之下的元件将被定位为在其他元件或特征上方。因此，示例性术语“在…下方”可包括在…上方和在…下方两个方位。该设备可以以其他方式定位(旋转90度或在其他方位)并且相应解释本文所用的空间相对描述符。
在本文中使用的术语仅仅用于描述特定的实施方式，并非旨在限制本发明。除非上下文另外清楚地表示，否则如本文所使用的单数形式“一个(a)”“一个(an)”及“该(the)”旨在还包括复数形式。将应进一步理解的是，当被用在本说明书中时，术语“包括(includes)”和/或“包括(including)”指明所描述的特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，而并不排除一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其组合的存在或添加。
除非另有定义，否则，本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)与本发明所属领域中的普通技术人员的通常理解具有相同的含义。将进一步应当理解的是，诸如通用词典中所定义的那些术语应当解释为具有与相关技术的上下文中的意思一致的含义，而不解释为理想的或过于正式的意思，除非本文中明确地进行了这样的限定。在本公开中，术语“基本上”包括完全、几乎完全、或在一些应用和根据本领域技术人员的任何有效程度。另外，“形成在…上”也能够表示“形成在…上方”。术语“连接的”能够包括电连接。
图1是示出了根据示例性实施方式的液晶显示器(LCD)1000的框图。图2示出了以面至线切换(PLS)模式下所驱动的LCD1000的基本上等效的电路图。
参考图1，LCD1000包括显示图像的图像显示部300，驱动图像显示部300的栅极驱动器400和数据驱动器500，以及控制栅极驱动器400和数据驱动器500的定时控制器600。
图像显示部300包括多个栅极线G1至Gn、多个数据线D1至Dm、以及多个像素PX。如图2所示，图像显示部300包括第一基板100、面向第一基板100的第二基板200、以及插入第一基板和第二基板之间的液晶层250。
栅极线G1至Gn和数据线D1至Dm形成在第一基板100上。栅极线G1至Gn沿行方向延伸并且基本上彼此平行地设置。数据线D1至Dm沿列方向延伸并且基本上彼此平行地设置。
每个像素PX包括薄膜晶体管和液晶电容器。因为像素PX的每一个具有基本上相同的结构和功能，所以将仅详细地描述一个像素PX。例如，被连接到第i条(“i”是等于或大于1的整数)栅极线Gi和第j条(“j”是等于或大于1的整数)数据线Dj的像素包括薄膜晶体管Tr和液晶电容器Clc。
薄膜晶体管Tr包括连接到第i个栅极线Gi的栅电极、连接到第j个数据线Dj的源极、以及连接到液晶电容器Clc的漏电极。
液晶电容器Clc包括形成在第一基板100上的作为其两个端子的像素电极PE和参考电极CE。液晶层250用作介电物质。像素电极PE电连接至薄膜晶体管Tr的漏电极，并且参考电极CE接收来自参考电压生成器700的参考电压Vcom。
每个像素PX包括形成在第二基板200上对应于像素电极PE的滤色层230以表示基色之一。与图2不同，滤色层230可以形成在像素电极PE上或形成在像素电极PE下。
再次参考图1，定时控制器600从LCD1000外部接收多个图像信号RGB和多个控制信号CS。定时控制器600将图像信号RGB的数据格式转换为适于数据驱动器500和定时控制器600之间的接口的数据格式。然后，定时控制器600将所转换的图像信号R’G’B’施加至数据驱动器500。定时控制器600至少部分基于控制信号CS生成数据控制信号D-CS(例如，输出开始信号、水平启动信号等)和栅极控制信号G-CS(例如，垂直开始信号、垂直时钟信号、垂直时钟条信号等)。数据控制信号D-CS被施加至数据驱动器500，并且栅极控制信号G-CS被施加至栅极驱动器400。
栅极驱动器400至少部分基于从定时控制器600提供的栅极控制信号G-CS顺序地输出栅极信号。因此，像素PX通过栅极信号被顺序地扫描。
数据驱动器500将从定时控制器600提供的图像信号R’G’B’转换为被施加至图像显示部300的数据电压。
因此，每个像素PX至少部分基于栅极信号的对应栅极信号而导通，并且导通的像素PX被施加有来自数据驱动器500的数据电压中的对应的数据电压，从而以期望的灰度显示图像。
图3是示出了在图2中示出的LCD面板1000的平面图。图4是沿着在图3中示出的线H-H’截取的截面图。图5是示出了在图4中示出的有机绝缘层的平面图。
参考图3和图4，图像显示部300(在下文中，称为LCD面板)包括第一基板100、面向第一基板100的第二基板200、以及插入在第一基板和第二基板之间的液晶层250。
第一基板100包括由透明玻璃或塑料形成的第一绝缘基板110。第一基板100还包括形成在第一绝缘基板110上的第i条栅极线Gi、第(j-1)条数据线Dj-1、第j条数据线Dj。
第i条栅极线Gi沿第一方向A1延伸。第(j-1)条数据线Dj-1和第j条数据线Dj沿与第一方向A1相交的第二方向A2延伸。第(j-1)条数据线Dj-1和第j条数据线Dj沿第一方向A1彼此隔开预定距离。
第i条栅极线Gi通过栅极绝缘层120与第(j-1)条数据线Dj-1和第j条数据线Dj电绝缘。第(j-1)条数据线Dj-1和第j条数据线Dj至少部分地由保护层130覆盖。作为一个实施例，保护层130包括由氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)形成的无机绝缘层。此外，保护层130可以具有氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的单层结构，但是其不限于此或不由此限制。根据一些实施方式，保护层130可以具有上层和下层的双层结构，该上层和下层分别由氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)形成。
有机绝缘层140形成在保护层130上。有机绝缘层140能够由丙烯类树脂(acryl-basedresin)构成。
此外，薄膜晶体管Tr、像素电极PE和参考电极CE形成在第一绝缘基板110上。详细地，薄膜晶体管Tr包括对应于第i条栅极线Gi的一部分的栅电极GE和对应于第j条数据线Dj的一部分的源极SE。薄膜晶体管Tr还包括形成在栅电极GE上并且与源极SE隔开预定距离的漏电极DE。漏电极DE电连接到像素电极PE。
像素电极PE包括多个分支电极PE1、使分支电极PE1的第一端彼此连接的第一连接电极PE2、以及使分支电极PE1的第二端彼此连接的第二连接电极PE3。分支电极PE1沿第二方向A2延伸并且沿第一方向A1设置。第一连接电极PE2和第二连接电极PE3沿第一方向A1延伸。此外，第二连接电极PE3的一部分沿第二方向A2延伸从而至少部分地与漏电极DE重叠。
保护层130包括贯通形成从而曝露漏电极DE的一部分的第一接触孔H1。有机绝缘层140形成在保护层130上。
参考图4和图5，有机绝缘层140包括上部HP、下部LP、以及开口部OP。上部HP的上表面位于从第一绝缘基板110测量的第一高度h1处，并且下部LP的上表面位于从第一绝缘基板110测量的第二高度h2处。第一高度h1大于第二高度h2。开口部OP被形成为曝露漏电极DE。
如图5所示，像素区域PA包括有效区域AA和阻挡区域BA。有效区域AA透射传播至其的光，而阻挡区域BA使用黑色矩阵220阻挡光。虽然未在图中示出，但是可以沿着第(j-1)条数据线Dj-1和第j条数据线Dj进一步形成垂直阻挡区域。
有机绝缘层140的上部HP形成在有效区域AA中，并且虽然未在图中示出，有机绝缘层140的上部HP能够进一步形成在垂直阻挡区域中。
在图5中，当在平面图中观察时，开口部OP基本上具有四边形形状，但是开口部OP的形状不限于此。
参考电极CE形成在像素电极PE上或形成在像素电极PE下方。如图4所示，参考电极CE形成在有机绝缘层140上并且基本上由层间绝缘层(inter-insulatinglayer)150覆盖。像素电极PE形成在层间绝缘层150上。如上所述，参考电极CE形成在像素电极PE下方并且面向像素电极PE，但是参考电极CE通过形成在参考电极CE和像素电极PE之间的层间绝缘层150与像素电极PE电绝缘。
层间绝缘层150包括贯通形成以与第一接触孔H1对应的第二接触孔H2，并且因此通过第二接触孔H2曝露了通过第一接触孔H1暴露的漏电极DE。因此，第二连接电极PE3通过第一接触孔H1和第二接触孔H2直接接触漏电极DE。
第一接触孔H1和第二接触孔H2形成在形成开口部OP的区域中并且尺寸小于开口部OP的尺寸。
每个像素PX的参考电极CE电连接至形成在相同行且相邻的参考电极从而形成参考电极行。参考电极行在第一基板100的一个端部处电连接至参考电压供给线VSL(参考图1)。参考电极行从参考电压生成器700接收参考电压Vcom(参考图1)。
再次参考图4，第二基板200包括由透明玻璃或塑料形成的第二绝缘基板210。可以包括多个彩色像素的滤色层230形成在第二绝缘基板210上，并且黑色矩阵220形成在两个相邻的彩色像素之间。黑色矩阵220由例如，有机材料BM、铬(Cr)等的遮光材料形成。保护膜层240形成在黑色矩阵220和滤色层230上，从而平坦化第二基板200的上表面。保护膜层240可以由有机绝缘材料构成。
开口部OP由下部LP包围。下部LP和开口部OP被形成为对应于其中形成黑色矩阵220的阻挡区域BA。
第二基板200耦接至第一基板100的同时面向第一基板100，并且液晶层250插入在第一基板100和第二基板200之间。
当栅极信号通过第i条栅极线Gi施加至像素PX时，薄膜晶体管Tr至少部分基于栅极信号而导通。施加至第j条数据线Dj的数据电压从漏电极DE输出并且施加至像素电极PE。
施加有数据电压的像素电极PE与施加有参考电压Vcom的参考电极CE形成电场，从而确定液晶分子的配向方向。入射并透射穿过液晶层250的光被在特定方向上配向的液晶分子极化。
像素电极PE和参考电极CE形成液晶电容器Clc(参考图1)，该液晶电容器Clc包括作为介电物质的液晶层250，从而在断开薄膜晶体管Tr之后维持施加至像素电极PE的电压。
虽然未在图中示出，但是每个像素PX可以进一步包括与像素电极PE重叠的存储线。存储线和像素电极PE使用栅极绝缘层120、保护层130和有机绝缘层140作为其介电物质而形成存储电容器。可以增强液晶电容器Clc的电压维持能力。
图6A至图6H是示出了在图4中示出的第一基板的制造方法的截面图。详细地，将主要参考图6A至图6H描述在第一基板100上形成有机绝缘层140和像素电极PE的处理。
参考图6A，在第一绝缘基板110上形成栅极绝缘层120和漏电极DE。栅极绝缘层120可以由氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)形成。
然后，第一无机绝缘层131被形成为覆盖漏电极DE。在第一无机绝缘层131上形成有机绝缘材料141。有机绝缘材料141可以由具有感光性的丙烯类树脂形成。
参考图6B，在有机绝缘材料141上方形成半色调掩模(halftonemask)145。半色调掩模145包括在第一区域P1中的遮光图案145a和在第二区域P2中的半曝光图案145b。在此，有机绝缘材料141可以是正型感光材料，但不限于此。然而，当有机绝缘材料141包括负型感光材料时，能够形成开口图案而不是遮光图案145a，从而执行全曝光。
当有机绝缘材料141通过半色调掩模145曝露于光并且显影时，形成有机绝缘图案143，该有机绝缘图案143包括形成在第一区域P1中的上部HP和形成在第二区域P2中的下部LP。
参考图6C，在有机绝缘图案143上形成第一透明导电层。第一透明导电层可以由例如氧化铟锡的透明导电材料形成。图案化第一透明导电层从而形成参考电极CE。参考电极CE的端部延伸至下部LP的上表面。此外，参考电极CE可以被部分开口从而曝露下部LP的一部分。
参考图6D，使用参考电极CE作为掩模蚀刻下部LP的该部分。因此，下部LP被部分开口，并且开口部OP通过有机绝缘层140而形成。
参考图6E，在有机绝缘层140上形成第二无机绝缘层151，并且在第二无机绝缘层151上形成感光层153。
由于上部HP和下部LP之间的阶梯差而形成阶梯差部分153a。感光层153距离第一绝缘基板110的高度在阶梯差部分153a中降低。在阶梯差部分153a中，上部HP和下部LP之间的高度上的高度降低是不同的。因此，当感光层153的厚度在阶梯差部分153a中降低时，感光层153的溶解能力(resolvingpower)增加。感光层153的溶解能力至少部分地基于感光层153的厚度。因此，当下部LP延伸至有效区域AA时，感光层153的厚度在阶梯差部分153a中被更多地降低。然而，当下部LP延伸至有效区域AA时，有效区域AA的单元间隙均匀性劣化。因此，下部LP形成在阻挡区域BA中。
参考图6F，以曝光处理通过阶梯差部分153a形成开孔155a，从而曝露第二无机绝缘层151。当使用具有开孔155a的感光图案155蚀刻第一无机绝缘层141和第二无机绝缘层151时，形成如图6G所示的层间绝缘层150和保护层130。通过第一接触孔H1和第二接触孔H2曝露漏电极DE的一部分。然后，通过清除处理(stripprocess)从层间绝缘层150去除感光图案155。
参考图6H，在层间绝缘层150上形成第二透明导电层。第二透明导电层可以由例如，氧化铟锡、氧化铟锌等的透明导电材料形成。通过图案化处理图案化第二透明导电层，并且因此在层间绝缘层150上形成像素电极PE。像素电极PE通过第一接触孔H1和第二接触孔H2接触漏电极DE。
图7是示出了根据另一示例性实施方式的LCD面板310的截面图。在图7中，相同的参考标号表示图4中的相同元件，并且因此将省去对相同元件的细节描述。
参考图7，LCD面板310包括第一基板100、面向第一基板100的第二基板200、以及插入在第一基板和第二基板之间的液晶层250。
第一基板100进一步包括形成在保护层130上的滤色层160、和形成在像素电极PE或层间绝缘层150上的黑色矩阵170。
滤色层160包括红色、绿色和蓝色彩色像素。滤色层160的侧面和上表面由有机绝缘层140全部覆盖。
有机绝缘层140包括上部HP、下部LP以及开口部OP。上部HP位于距离第一绝缘基板110的第一高度h1处，并且下部LP位于距离第一绝缘基板110低于第一高度的第二高度h2处。开口部OP被形成为曝露漏电极DE。
这里，第一接触孔H1通过保护层130形成，从而具有与开口部OP的尺寸和宽度对应的尺寸和宽度。漏电极DE的上表面通过第一接触孔H1曝露。
参考电极CE形成在有机绝缘层140上并且至少部分地由层间绝缘层150覆盖。参考电极CE从与开口部OP对应的区域被去除。
层间绝缘层150延伸至开口部OP并且形成在漏电极DE的上表面上。层间绝缘层150包括贯通形成的第二接触孔H2以部分地曝露漏电极DE的上表面。第二接触孔H2形成在开口部OP中并且具有小于开口部OP的尺寸和宽度的尺寸和宽度。
像素电极PE形成在层间绝缘层150上并且通过第二接触孔H2直接接触漏电极DE。如上所述，参考电极CE形成在像素电极PE下方并在通过层间绝缘层150与像素电极PE电绝缘的同时面向像素电极PE。
黑色矩阵170形成在像素电极PE上。黑色矩阵170可以由有机材料BM构成。
图8A至图8F是示出了在图7中示出的第一基板的制造方法的截面图。
参考图8A，在第一绝缘基板110上形成栅极绝缘层120和漏电极DE。形成第一无机绝缘层131从而覆盖漏电极DE，并且在第一无机绝缘层131上形成有机绝缘图案143。有机绝缘图案143可以由丙烯类树脂形成。
有机绝缘图案143包括上部HP和下部LP。上部HP的上表面位于距离第一绝缘基板110测量的第一高度h1，并且下部LP的上表面位于距离第一绝缘基板110测量的第二高度h2。在应用以形成有机绝缘图案143的曝光处理中能够控制第二高度h2。
参考图8B，在有机绝缘图案143上形成第一透明导电层。图案化第一透明导电层从而形成参考电极CE。参考电极CE的端部延伸至下部LP的上表面。此外，参考电极CE可以被开口从而曝露有机绝缘图案143的下部LP的一部分。
参考图8C，使用参考电极CE作为掩模部分地蚀刻有机绝缘图案143的下部LP。因此，下部LP的一部分被开口，并且因此开口部OP通过有机绝缘层140形成。
当在蚀刻处理期间使用基本上同时蚀刻第一无机绝缘层131和有机绝缘图案143的蚀刻剂时，第一无机绝缘层131可以被另外地蚀刻。在这种情况下，在一个蚀刻处理期间，开口部OP通过有机绝缘层140形成，并且基本上同时地，第一接触孔H1通过保护层130形成。因此，第一接触孔H1可以具有与开口部OP的尺寸和宽度对应的尺寸和宽度。
参考图8D，在参考电极CE上形成第二无机绝缘层151，并且在第二无机绝缘层151上形成感光图案155。
阶梯差部分153a由于在上部HP和下部LP之间的阶梯差而形成在感光图案155中。开孔155b形成在阶梯差部分153a中，从而曝露第二无机绝缘层151。当使用具有开孔155b的感光图案155蚀刻第二无机绝缘层151时，如图8E所示，形成第二接触孔H2通过其形成的层间绝缘层150。
这里，第二接触孔H2的尺寸和宽度小于第一接触孔H1和开口部OP的尺寸和宽度。因此，层间绝缘层150的端部可以形成在通过第一接触孔H1暴露的漏电极DE的上表面上。
然后，通过清除处理从层间绝缘层150去除感光图案155。
参考图8F，在层间绝缘层150上形成第二透明导电层。通过图案化处理图案化第二透明导电层从而在层间绝缘层150上形成像素电极PE。像素电极PE通过第一接触孔H1和第二接触孔H2接触漏电极DE。
在图7中示出的黑色矩阵170形成在像素电极PE上从而与阻挡区域对应。从而，完成第一基板100。
如上所述，有机绝缘层140包括在其中形成薄膜晶体管Tr的阻挡区域BA中具有相对小厚度的下部LP。因此，可以降低用来通过层间绝缘层150形成第二接触孔H2的感光层153的厚度。因此，能够改善感光层153的溶解能力。因此，可以精确地形成微接触孔，并且可以降低曝光处理的难度。
尽管已经描述了本发明的示例性实施方式，但应当理解的是，本发明不应局限于这些示例性实施方式，而是在如后文所要求的本发明的精神和范围内，本领域技术人员可做出各种改变和变形。

Claims (20)

1.一种液晶显示器，包括：
第一基板；
第二基板，面向所述第一基板；以及
液晶层，插入所述第一基板与所述第二基板之间，
其中，所述第一基板包括：
第一绝缘基板；
薄膜晶体管，设置在所述第一绝缘基板上并且包括漏电极；
绝缘层，覆盖所述薄膜晶体管并且包括具有不同高度的上部和下部，其中，所述绝缘层具有通过所述下部形成从而曝露所述漏电极的开口；
参考电极，设置在所述绝缘层上；
层间绝缘层，覆盖所述参考电极；以及
像素电极，设置在所述层间绝缘层上并且通过所述开口电连接至所述漏电极。
2.根据权利要求1所述的液晶显示器，其中，所述参考电极进一步形成在所述上部和所述下部上方。
3.根据权利要求2所述的液晶显示器，其中，所述参考电极曝露所述漏电极的至少一部分。
4.根据权利要求1所述的液晶显示器，进一步包括保护层，设置在所述绝缘层下方从而覆盖所述薄膜晶体管，其中，所述保护层包括贯通形成的第一接触孔从而曝露所述漏电极的至少一部分。
5.根据权利要求4所述的液晶显示器，其中，所述层间绝缘层覆盖所述参考电极并且具有贯通形成的第二接触孔从而曝露所述漏电极的所述至少一部分。
6.根据权利要求5所述的液晶显示器，其中，所述第二接触孔设置在所述开口中。
7.根据权利要求6所述的液晶显示器，其中，所述第二接触孔的尺寸和宽度小于所述开口的尺寸和宽度。
8.根据权利要求7所述的液晶显示器，其中，所述第一接触孔具有与所述第二接触孔的所述尺寸和宽度对应的尺寸和宽度。
9.根据权利要求7所述的液晶显示器，其中，所述第一接触孔的所述尺寸和宽度与所述开口的所述尺寸和宽度对应。
10.根据权利要求5所述的液晶显示器，其中，所述像素电极通过所述第一接触孔和所述第二接触孔直接接触所述漏电极。
11.根据权利要求1所述的液晶显示器，其中，所述第一基板进一步包括：
滤色层，包括多个彩色像素；以及
黑色矩阵，形成在所述彩色像素之间，
其中，当在平面图中观察时，所述下部和所述开口形成在形成有所述黑色矩阵的区域中。
12.根据权利要求1所述的液晶显示器，其中，所述第二基板进一步包括：
第二绝缘基板，面向所述第一绝缘基板并且连接到所述第一绝缘基板；
滤色层，设置在所述第二绝缘基板上并且包括多个彩色像素；以及
黑色矩阵，设置在所述彩色像素之间，其中，当在平面图中观察时，所述下部和所述开口设置在形成有所述黑色矩阵的区域中。
13.一种制造液晶显示器的方法，所述液晶显示器包括第一基板、面向所述第一基板的第二基板、以及插入在所述第一基板和所述第二基板之间的液晶层，所述方法包括：
形成第一基板，包括：
在第一绝缘基板上形成包括漏电极的薄膜晶体管；
形成有机绝缘图案，所述有机绝缘图案i)覆盖所述薄膜晶体管并且ii)包括具有不同高度的上部和下部，其中，所述下部至少形成在所述漏电极上方；
在所述有机绝缘图案上方形成参考电极；
使用所述参考电极作为掩模蚀刻所述有机绝缘图案从而形成具有贯通形成的开口的绝缘层，其中，所述开口曝露所述漏电极；
形成层间绝缘层从而覆盖所述参考电极；以及
在所述层间绝缘层上方形成像素电极，使得所述像素电极通过所述开口电连接至所述漏电极。
14.根据权利要求13所述的方法，进一步包括在形成所述薄膜晶体管之后形成覆盖所述薄膜晶体管的第一无机绝缘层。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述形成有机绝缘图案包括：
在所述第一无机绝缘层上方形成感光有机绝缘层；以及
使用半色调掩模通过曝光处理图案化所述感光有机绝缘层，从而形成包括所述上部和所述下部的所述有机绝缘图案。
16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述形成层间绝缘层包括：
在所述参考电极和所述有机绝缘图案上方形成第二无机绝缘层；
在所述第二无机绝缘层上形成感光图案，所述感光图案具有贯通形成的开孔；以及
使用所述感光图案作为掩模蚀刻所述第一无机绝缘层和所述第二无机绝缘层，从而形成通过所述第一无机绝缘层的第一接触孔和通过所述第二无机绝缘层的第二接触孔，其中，所述第一接触孔和所述第二接触孔曝露所述漏电极的至少一部分。
17.根据权利要求15所述的方法，其中，蚀刻所述第一无机绝缘层从而形成保护层，所述保护层具有贯通形成的第一接触孔，其中，当使用所述参考电极作为掩模蚀刻所述有机绝缘图案时，所述第一接触孔对应于所述开口。
18.根据权利要求17所述的方法，其中，所述形成层间绝缘层包括：
在所述参考电极和所述有机绝缘图案上方形成第二无机绝缘层；
在所述第二无机绝缘层上方形成感光图案，所述感光图案具有贯通形成的开孔；以及
使用所述感光图案作为掩模蚀刻所述第二无机绝缘层，从而形成通过所述第二无机绝缘层的第二接触孔，使得通过所述第二接触孔曝露所述漏电极的至少一部分。
19.根据权利要求18所述的方法，其中，所述第二接触孔形成在所述开口中。
20.根据权利要求19所述的方法，其中，所述第二接触孔的尺寸和宽度小于所述开口的尺寸和宽度。
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