CN102033371B - 阵列基板及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种阵列基板及其制造方法。该阵列基板包括：显示区域和位于所述显示区域四周的边框区域，所述边框区域包括：基板；位于所述基板之上的公共电极层；位于所述公共电极层之上的保护层；形成于所述保护层上并位于所述公共电极层之上的过孔；位于所述保护层之上并填充于所述过孔的透明导电层；形成于所述公共电极层和所述保护层上并位于所述基板之上的隔离线，所述隔离线位于所述过孔的外侧和封框胶区域的内侧，所述封框胶区域位于所述透明导电层之上并且所述封框胶区域的封框胶填充于所述隔离线中。本发明的技术方案有效保证了下边沿区域的显示品质。
Description
技术领域
本发明涉及液晶显示器制造领域，特别涉及一种阵列基板及其制造方法。
背景技术
随着液晶显示技术的发展，具有低消耗功率、无辐射等特性的TFT LCD已经成为液晶显示市场的主流。图1为现有技术中液晶显示面板的结构示意图，图2为图1中的局部放大图，图3为图2中A-A向剖视图，如图1、图2和图3所示，图1中的液晶显示面板的阵列基板包括显示区域1和位于该显示区域1四周的边框区域，该边框区域包括上边沿区域21、左边沿区域22、下边沿区域23和右边沿区域24。边框区域的上边沿区域21和左边沿区域22为集成电路板，边框区域的下边沿区域(还可称为数据反对面)23为虚线所示区域，下边沿区域23的具体结构可参见图2和图3所示。下边沿区域23包括基板3、位于基板3之上的公共电极层4、位于公共电极层4之上的保护层5、多个形成于保护层5上并位于公共电极层4之上的过孔6、位于保护层5之上并填充于过孔6的透明导电层7以及位于所述透明导电层7之上的封框胶区域8。进一步地，下边沿区域23还包括多个形成于公共电极层4上并位于基板3之上的狭缝9。其中，公共电极层4可用于稳定公共电极电压并为彩膜基板提供公共电极电压，从图3可以看出，公共电极层4的边缘与基板3的边缘之间的距离可设置为100um至300um，从而保证公共电极层4所提供的公共电极电压的稳定性；保护层5可用于防止公共电极层4被腐蚀；透明导电层7可通过过孔6和封框胶区域8内的金球Au Ball(或称为导电球)将公共电极层4与彩膜基板的透明导电层导通，从而使公共电极层4可以为彩膜基板提供稳定的电压。在图2中为了清楚表示出阵列基板各层的具体结构，覆盖于透明导电层7之上的封框胶区域8以虚线框表示。从图2和图3中可以看出，为防止空气或者水汽中的酸性物质腐蚀透明导电层7，封框胶区域8的宽度要大于透明导电层的宽度。
上述阵列基板的边框区域中的公共电极层容易出现被腐蚀的现象，以边框区域的下边沿区域中的公共电极层4为例，下边沿区域中的公共电极层4会出现被腐蚀的现象。如图2和图3所示，由于下边沿区域可能存在不可见裂痕或者各层结构间致密性不足的问题，水汽会从封框胶区域8与保护层5之间的缝隙渗入到过孔6的位置。由于过孔6的位置存在电压差，水汽中的酸性离子(例如Cl、S等)与位于过孔6下方的公共电极层4的活性金属(例如Al、Nd等)发生电化学反应，使公共电极层4被腐蚀。随着电化学反应的进行，公共电极层4逐渐被腐蚀掉，当公共电极层4被腐蚀的面积足够大时，公共电极层4提供的公共电极电压会出现异常，从而造成液晶显示面板的下边沿区域出现显示不良，降低了显示品质。当公共电极层4被腐蚀的情况严重时，甚至会影响到封框胶区域8，造成封框胶区域8发生液晶(LiquidCrystal，简称：LC)污染以及出现气泡(Bubble)等不良，从而进一步降低了显示品质。
发明内容
本发明的目的是针对现有技术中的问题，提供一种阵列基板及其制造方法，从而有效保证边框区域的显示品质。
为实现上述目的，本发明提供了一种阵列基板，包括：显示区域和位于所述显示区域四周的边框区域，所述边框区域包括：
基板；
位于所述基板之上的公共电极层；
位于所述公共电极层之上的保护层；
形成于所述保护层上并位于所述公共电极层之上的过孔；
位于所述保护层之上并填充于所述过孔的透明导电层；
形成于所述公共电极层和所述保护层上并位于所述基板之上的隔离线，所述隔离线位于所述过孔的外侧和封框胶区域的内侧，所述封框胶区域位于所述透明导电层之上并且所述封框胶区域的封框胶填充于所述隔离线中。
为实现上述目的，本发明实施例还提供了一种阵列基板的制造方法，包括：
在基板上形成公共电极层，在显示区域的公共电极层上形成栅线栅电极和公共电极，在边框区域的公共电极层上形成隔离线，所述隔离线位于基板之上；
在基板上形成公共电极层保护层，所述公共电极层保护层位于所述公共电极层之上；
在基板上形成位于所述公共电极层之上的数据层和位于所述数据层之上的数据层保护层，保护层包括所述公共电极层保护层和所述数据层保护层；
在显示区域的保护层上形成过孔，在边框区域的保护层上形成过孔并去除填充于隔离线中的保护层，在边框区域的保护层上形成的过孔位于所述公共电极层之上；
在基板上形成透明导电层，所述透明导电层位于所述保护层之上并填充于所述过孔，所述隔离线位于所述过孔的外侧和封框胶区域的内侧，所述封框胶区域位于所述透明导电层之上并且封框胶区域的封框胶填充于所述隔离线。
本发明实施例的技术方案中，通过在边框区域的过孔外侧和封框胶区域内侧设置以封框胶填充的隔离线，水汽被隔离线阻挡而无法进入过孔，避免过孔位置的公共电极层被腐蚀，从而有效保证了边框区域的显示品质。
下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。
附图说明
图1为现有技术中液晶显示面板的结构示意图；
图2为图1中的局部放大图；
图3为图2中A-A向剖视图；
图4为本发明实施例一提供的阵列基板的下边沿区域的放大图；
图5为图4中B-B向剖视图；
图6a为本发明实施例二中形成公共电极层的示意图；
图6b为本发明实施例二中形成保护层的示意图；
图6c为本发明实施例二中形成过孔的示意图；
图6d为本发明实施例二中形成透明导电层的示意图；
图6e为本发明实施例二中形成封框胶区域的示意图。
具体实施方式
本发明实施例一提供了一种阵列基板，该阵列基板包括显示区域和位于显示区域四周的边框区域，其中显示区域和边框区域的结构和位置关系可参见图1中所示。本实施例中，边框区域包括：基板、位于基板之上的公共电极层，形成于保护层之上并位于公共电极层之上的过孔，位于保护层之上并填充于过孔的透明导电层，形成于公共电极层和保护层上并位于基板之上的隔离线，隔离线位于过孔的外侧和封框胶区域的内侧，该封框胶区域位于透明导电层之上并且该封框胶区域的封框胶填充于隔离线中。
具体地，以边框区域的下边沿区域为例，边框区域的下边沿区域可参见图4和图5所示，图4为本发明实施例一提供的阵列基板的下边沿区域的放大图，图5为图4中B-B向剖视图，如图4和图5所示，下边沿区域包括基板3、公共电极层4、保护层5、透明导电层7、隔离线10和过孔6，换言之，隔离线10和过孔6位于下边沿区域，其中下边沿区域的多个过孔6形成过孔区域6’。公共电极层4位于基板3之上，保护层5位于公共电极层4之上，过孔6形成于保护层5上并位于公共电极层4之上，透明导电层7位于保护层5之上并填充于过孔6，隔离线10形成于公共电极层4和保护层5上并位于基板3之上，隔离线10还位于过孔区域6’的外侧和封框胶区域8的内侧，封框胶区域8位于透明导电层7之上并且封框胶区域8的封框胶填充于隔离线10。
进一步地，下边沿区域还可以包括形成于公共电极层4上并位于基板3之上的狭缝9。
本实施例中，隔离线10的长度可大于等于过孔区域6’的长度。隔离线10的宽度可以为10um至25um。
本实施例中，封框胶区域的封框胶的材料为树脂Resin、感光材料UVPhoto Initiator、填充剂Filter、硬化剂Hardener或者附属材料Additive。封框胶区域的宽度和位置可采用现有技术中封框胶区域的宽度和位置，无需因为隔离线10改变封框胶区域的宽度和位置。
本实施例中，基板3可采用厚度为0.5um至1.1um的玻璃基板，该玻璃基板优选为耐热性、耐药品性、透明性以及绝缘性高的玻璃基板。
本实施例中，公共电极层4的厚度可以为0.1um至0.3um，公共电极层的材料可采用金属或者金属化合物，例如，Al、Mo或者金属硅化合物等。
本实施例中，保护层5(或称为钝化层Passivation)的材料可采用SiNx。因阵列基板下边沿区域不存在数据层区域，所以保护层5兼具公共电极层绝缘层和钝化绝缘层的作用。
本实施例中，透明导电层的材料可采用ITO，透明导电层的厚度可以为0.1um至0.2um。
当有水汽从保护层5与封框胶区域8之间的缝隙渗入时，由于存在以封框胶区域8的封框胶填充的隔离线10，而封框胶的致密性和稳定性均很高，因此水汽被隔离线10阻挡无法渗入到过孔6，使过孔6位置的公共电极层4不会被腐蚀。
本实施例的技术方案中，通过在边框区域的过孔外侧和封框胶区域内侧设置以封框胶填充的隔离线，水汽被隔离线阻挡而无法进入过孔，避免过孔位置的公共电极层被腐蚀，从而有效保证了边框区域的显示品质。尤其是在对液晶显示面板进行信赖性测试时，即在高温、高湿且大于60小时的环境进行测试时，本实施例可有效避免公共电极层被腐蚀这一不可逆的不良现象的产生，从而在保证显示品质的同时，减少了信赖性测试时不可逆的不良现象的发生。特别是对于容易被腐蚀的下边沿区域，通过在下边沿区域的过孔区域外侧和封框胶区域内侧设置以封框胶填充的隔离线，水汽被隔离线阻挡而无法进入过孔，避免过孔位置的公共电极层被腐蚀，从而有效保证了下边沿区域的显示品质。
本发明实施例例二还提供了一种阵列基板的制造方法，该方法包括：在基板上形成公共电极层，显示区域的公共电极层上形成有栅线栅电极和公共电极，边框区域的公共电极层上形成有隔离线，该隔离线位于基板之上；在基板上形成公共电极层保护层，该公共电极层保护层位于公共电极层之上；在基板上形成公共电极层的数据层和位于数据层之上的数据层保护层，保护层包括公共电极层保护层和数据层保护层；在显示区域的保护层上形成过孔，在边框区域的保护层上形成过孔并去除填充于隔离线中的保护层，在边框区域的保护层上形成的过孔位于公共电极层之上；在基板上形成透明导电层，该透明导电层位于保护层之上并填充于过孔，隔离线位于过孔的外侧和封框胶区域的内侧，封框胶区域位于透明导电层之上并且封框胶区域的封框胶填充于隔离线。
下面结合附图，详细描述本发明中阵列基板的制造方法。为清楚的说明本发明中阵列基板的制造方法，下面的各个示意图以及具体描述均以下边沿区域为例。
图6a为本发明实施例二中形成公共电极层的示意图，如图6a所示，可通过构图工艺在基板3上形成公共电极层4。具体地，首先通过构图工艺中的溅射(Sputter)工艺在基板3上形成公共电极层4，再通过构图工艺在下边沿区域的公共电极层4上形成隔离线10。进一步地，还可通过构图工艺在下边沿区域的公共电极层4上形成狭缝9。
图6b为本发明实施例二中形成保护层的示意图，如图6b所示，保护层5覆盖整个基板3。由于下边沿区域不包括数据层，因此在下边沿区域，数据层保护层直接位于公共电极保护层之上，并且公共电极保护层和数据层保护层可以合称为保护层5。图6b中以保护层5表示公共电极保护层和数据层保护层。
图6c为本发明实施例二中形成过孔的示意图，如图6c所示，具体可通过构图工艺在下边沿区域的保护层5上形成多个过孔6并去除填充于隔离线10中的保护层5。下边沿区域的多个过孔6形成过孔区域。
图6d为本发明实施例二中形成透明导电层的示意图，如图6d所示，具体可通过构图工艺在基板3上形成透明导电层7。
在形成透明导电层之后即完成了阵列基板的制造过程。进一步地，在阵列基板与彩膜基板对盒的过程中，在阵列基板的基板3上还形成封框胶区域8。封框胶区域8位于透明导电层7之上并且封框胶区域8的封框胶填充于隔离线10。在下边沿区域，隔离线10位于过孔区域的外侧和封框胶区域8的内侧，图6e为本发明实施例二中形成封框胶区域的示意图，如图6e所示，具体可通过构图工艺在基板3上形成封框胶区域8。
采用本实施例中的方法制造出的阵列基板，当有水汽从保护层5与封框胶区域8之间的缝隙渗入时，由于存在以封框胶区域8的封框胶填充的隔离线10，而封框胶的致密性和稳定性均很高，因此水汽被隔离线10阻挡无法渗入到过孔6，使过孔6位置的公共电极层4不会被腐蚀。
本实施例的技术方案中，通过在边框区域的过孔外侧和封框胶区域内侧设置以封框胶填充的隔离线，水汽被隔离线阻挡而无法进入过孔，避免过孔位置的公共电极层被腐蚀，从而有效保证了边框区域的显示品质。在形成栅线栅电极的同时形成隔离线，无需增加任何工艺步骤，容易实现。尤其是在对液晶显示面板进行信赖性测试时，即在高温、高湿且大于60小时的环境进行测试时，本实施例可有效避免公共电极层被腐蚀这一不可逆的不良现象的产生，从而在保证显示品质的同时，减少了信赖性测试时不可逆的不良现象的发生。特别是对于容易被腐蚀的下边沿区域，通过在下边沿区域的过孔区域外侧和封框胶区域内侧设置以封框胶填充的隔离线，水汽被隔离线阻挡而无法进入过孔，避免过孔位置的公共电极层被腐蚀，从而有效保证了下边沿区域的显示品质。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对其进行限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而这些修改或者等同替换亦不能使修改后的技术方案脱离本发明技术方案的精神和范围。
Claims (12)
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：显示区域和位于所述显示区域四周的边框区域，所述边框区域包括：
基板；
位于所述基板之上的公共电极层；
位于所述公共电极层之上的保护层；
形成于所述保护层上并位于所述公共电极层之上的过孔；
位于所述保护层之上并填充于所述过孔的透明导电层；
形成于所述公共电极层和所述保护层上并位于所述基板之上的隔离线，所述隔离线位于所述过孔的外侧和封框胶区域的内侧，所述封框胶区域位于所述透明导电层之上并且所述封框胶区域的封框胶填充于所述隔离线中。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述隔离线和所述过孔位于所述边框区域的下边沿区域，位于所述下边沿区域的多个过孔形成过孔区域，所述隔离线位于所述过孔区域的外侧。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述隔离线的宽度为10微米至25微米。
4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述隔离线的长度大于等于所述过孔区域的长度。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述封框胶区域的封框胶的材料为树脂、感光材料、填充剂、硬化剂或者附属材料。
6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述透明导电层的材料为ITO。
7.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：
在基板上形成公共电极层，在显示区域的公共电极层上形成栅线栅电极和公共电极，在边框区域的公共电极层上形成隔离线，所述隔离线位于基板之上；
在基板上形成公共电极层保护层，所述公共电极层保护层位于所述公共电极层之上；
在基板上形成位于所述公共电极层之上的数据层和位于所述数据层之上的数据层保护层，保护层包括所述公共电极层保护层和所述数据层保护层；
在显示区域的保护层上形成过孔，在边框区域的保护层上形成过孔并去除填充于隔离线中的保护层，在边框区域的保护层上形成的过孔位于所述公共电极层之上；
在基板上形成透明导电层，所述透明导电层位于所述保护层之上并填充于所述过孔，所述隔离线位于所述过孔的外侧和封框胶区域的内侧，所述封框胶区域位于所述透明导电层之上并且封框胶区域的封框胶填充于所述隔离线。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述隔离线和所述过孔位于所述边框区域的下边沿区域，位于所述下边沿区域的多个过孔形成过孔区域，所述隔离线位于所述过孔区域的外侧。
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述隔离线的宽度为10微米至25微米。
10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述隔离线的长度大于等于所述过孔区域的长度。
11.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述封框胶区域的封框胶的材料为树脂、感光材料、填充剂、硬化剂或者附属材料。
12.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述透明导电层的材料为ITO。
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