CN102013408A - 载置台结构和处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供能够防止载置台产生较大的热应力，防止该载置台自身发生破损的载置台结构和处理装置。该载置台结构设置在处理容器内，用于载置要处理的被处理体，包括：由电介质形成的载置台，其载置并支承被处理体，并且设置有加热被处理体的加热机构；多个保护支柱管，其从处理容器的底部侧立起设置，上端部与载置台的下表面接合，并且下端部开放；加热器供电棒，其插通保护支柱管内，并且上端部与加热机构连接；吹扫气体流通用气密室，其设置在处理容器的底部侧，并且与保护支柱管内连通；和惰性气体供给机构，其向吹扫气体流通用气密室内供给惰性气体。由此，能够防止载置台产生较大的热应力，防止该载置台自身发生破损。

Description

载置台结构和处理装置
技术领域
本发明涉及半导体晶片等被处理体的处理装置和载置台结构。
背景技术
一般，在半导体集成电路的制造中，对半导体晶片等被处理体反复进行成膜处理、蚀刻处理、热处理、改性处理、结晶处理等各种单晶片处理，形成所希望的集成电路。在进行上述各种处理时，与该处理的种类对应地将必要的处理气体向处理容器内导入，例如，在成膜处理的情况下导入成膜气体或卤素气体，在改性处理的情况下导入臭氧气体，在结晶处理的情况下导入N2气体等惰性气体或O2气体等。
作为一片片地对半导体晶片实施热处理的单晶片式的处理装置的例子，在能够抽真空的处理容器内，例如设置内置有电阻加热器的载置台，在其上表面载置半导体晶片，在以规定的温度(例如100℃～1000℃)加热的状态下使规定的处理气体流过，在规定的处理条件下对晶片实施各种热处理(专利文献1～4)。因此，处理容器内的部件需要应对这些加热的耐热性和即使暴露在处理气体中也不会被腐蚀的耐腐蚀性。
不过，对于载置半导体晶片的载置台结构，一般情况下，使其具有耐热性耐腐蚀性，并且为了防止金属混染(contamination)等金属污染，例如在AlN等陶瓷材料中作为发热体埋入电阻加热器等，在高温下一体烧成来形成载置台，另外在其它的工序中同样烧成陶瓷材料等来形成支柱，例如通过热扩散接合将该一体烧成的载置台与上述支柱焊接，进行一体化，制造载置台结构。并且，将这样一体成型的载置台结构在处理容器内的底部立起设置。另外有时也代替上述陶瓷材料使用具有耐热耐腐蚀性的、并且热伸缩较小的石英玻璃。
此处对现有的载置台结构的一例进行说明。图8是表示现有的载置台结构的一例的剖面图。该载置台结构设置在能够真空排气的处理容器内，如图8所示，该载置台结构具有由AlN等陶瓷材料形成的圆板状的载置台2。并且，该载置台2的下表面的中央部与同样由例如AlN等陶瓷材料形成的圆筒状的支柱4例如通过热扩散接合来接合从而一体化。
于是，两者通过热扩散接合部6而气密地接合。此处，上述载置台2的大小，例如在晶片尺寸为300mm的情况下，直径为350mm左右，支柱4的直径为56mm左右。上述载置台2内例如设置有由加热器等构成的加热机构8，对载置台2上的作为被处理体的半导体晶片W进行加热。
上述支柱4的下端部通过固定块10固定在容器底部9，从而成为立起状态。而且，在上述圆筒状的支柱4内，设置有上端通过连接端子12与上述加热机构8连接的供电棒14，该供电棒14的下端部侧介由绝缘部件16向着下方贯通容器底部，向外部引出。由此，防止处理气体等侵入该支柱4内，防止上述供电棒14或连接端子12等被上述腐蚀性的处理气体腐蚀。
不过，在对半导体晶片进行处理时，载置台2自身成为高温状态，这时，虽说构成支柱4的材料由热传导率并不那么好的陶瓷材料形成，但因为载置台2与支柱4通过热扩散接合，所以大量的热不可避免地沿该支柱4从载置台2的中心侧向支柱4侧逃逸。因此，特别是在载置台2的升降温时，载置台2的中心部的温度变低产生冷点(cool spot)，而相对来说周边部的温度相对较高，在载置台2的面内产生较大温度差，其结果存在下述问题，即，在载置台2的中心部与周边部之间产生较大的热应力，载置台2会发生破损。
特别是，虽然与处理的种类也有关，但载置台2的温度能够达到700℃，所以上述温度差非常大，随之会产生很大的热应力。另外，除此之外还存在载置台的升降温的反复会促进上述热应力引起的破损的问题。
另外，载置台2和支柱4的上部成为高温状态发生热膨胀，另一方面支柱4的两端部由固定框10固定在容器底部9，所以应力集中在载置台2与支柱4的上部的接合处，存在以该部分为起点发生破损的问题。
为解决上述问题点，不通过热扩散接合来气密地将上述载置台2与支柱4一体接合，而是使具有高温耐热性的金属密封部件等介于其间，由陶瓷材料或石英等构成的销或螺栓来宽松地将两者连结。
这时，因为在上部连结部产生微小的间隙，所以为了防止例如腐蚀性的处理气体通过该微小的间隙侵入支柱4内，向上述支柱4内供给N2气体、Ar气体、He气体等惰性气体作为吹扫气体。根据这样的结构，上述载置台与支柱的上端部并没有被牢固地连结，所以从载置台的中心侧向支柱侧逃逸的热量减少。因此载置台的中心部与周边部的温度差得到抑制，能够防止较大的热应力施加在它们之间。
不过，在这种情况下，供给到上述支柱4内的吹扫气体会不可避免地通过上述微小的间隙向处理容器内的处理空间侧泄漏，其结果为，存在下述问题，即，不仅不能够在高真空下执行处理，因为吹扫气体会大量消耗，还会有运转成本高涨的问题。
专利文献1：日本特开平07-078766号公报
专利文献2：日本特开平06-260430号公报
专利文献3：日本特开2004-356624号公报
专利文献4：日本特开2006-295138号公报
发明内容
本发明着眼于上述问题点，为有效解决这些问题而设立。本发明是能够防止载置台产生较大的热应力，防止该载置台自身发生破损的载置台结构和处理装置。另外，本发明是能够抑制加热器供电棒或与其连接的加热单元被氧化的载置台结构和处理装置。
本发明的第一方面的载置台结构，设置在能够排气的处理容器内，用于载置要处理的被处理体，该载置台结构的特征在于，包括：由电介质形成的载置台，其载置并支承上述被处理体，并且设置有加热上述被处理体的加热机构；多个保护支柱管，其从上述处理容器的底部侧立起设置，上端部与上述载置台的下表面接合，并且下端部开放；加热器供电棒，其插通上述保护支柱管内，并且上端部与上述加热机构连接；吹扫气体流通用气密室，其设置在上述处理容器的底部侧，并且与上述保护支柱管内连通；和惰性气体供给机构，其向上述吹扫气体流通用气密室内供给惰性气体。
像这样，利用内部插通有加热器供电棒的多个保护支柱管使载置被处理体的载置台从处理容器的底部立起从而进行支承，所以与现有结构的支柱相比，载置台与保护支柱管的接合部的面积减少，因此能够相应地减少热量的逃逸，抑制冷点的产生。于是，能够防止载置台中产生较大的热应力，防止该载置台自身发生破损，并且，因为保护支柱管与现有的支柱相比容积变小，所以能够抑制防止腐蚀用的吹扫气体的供给量。
另外，因为向与插通有加热器供电棒的保护支柱管内连通的吹扫气体流通用气密室流入惰性气体，所以能够抑制加热器供电棒或与其连接的加热机构被氧化。
特别是如发明的第七方面所记载在那样，通过使多个吹扫气体流通用气密室经由加热器收容空间内及保护支柱管内连通，能够使惰性气体沿保护支柱管内和加热器收容空间内流动，能够进一步抑制加热器供电棒或与其连接的加热机构被氧化。
本发明的第十方面的处理装置，用于对被处理体实施处理，该处理装置的特征在于，包括：能够排气的处理容器；用于载置上述被处理体的如发明的第一至第九中任一方面所述的载置台结构；和向上述处理容器内供给气体的气体供给机构。
根据本发明的载置台结构和处理装置，利用内部插通有加热器供电棒的多个保护支柱管使载置被处理体的载置台从处理容器的底部立起从而进行支承，所以与现有结构的支柱相比，载置台与保护支柱管的接合部的面积减少，因此能够相应地减少热量的逃逸，抑制冷点的产生。于是，能够防止载置台中产生较大的热应力，防止该载置台自身发生破损，并且，因为保护支柱管与现有的支柱相比容积变小，所以能够抑制防止腐蚀用的吹扫气体的供给量。
另外，因为向与插通有加热器供电棒的保护支柱管内连通的吹扫气体流通用气密室流入惰性气体，所以能够抑制加热器供电棒或与其连接的加热机构被氧化。
附图说明
图1是表示具有本发明的载置台结构的处理装置的截面结构图。
图2是载置台结构的放大剖面图。
图3是表示载置台结构的安装部的放大剖面图。
图4是表示载置台结构的下部的水平截面的示意图。
图5是表示载置台的加热机构的加热器线的配置状态的平面示意图。
图6是表示本发明的载置台结构的第一变形实施例的下部的水平截面的示意图。
图7是表示在本发明的载置台结构中将加热器线分割为两个区时的第二变形实施例中的下部的水平截面的示意图。
图8是表示现有的载置台结构的一例的剖面图。
附图标记说明
20   处理装置
22   处理容器
24   喷淋头部(气体供给机构)
48   排气系统
54   载置台结构
58   载置台
60，60A，60B，60C  保护支柱管
61   加热器供电棒
62A，62B  吹扫气体流通用气密室
63   惰性气体供给机构
64   载置台主体
66   热扩散板
68   加热机构
72   收容槽
74   加热器收容空间
96   兼用供电棒
100  安装台座
104  管固定台
136  加热器电源部
150  惰性气体导入路
152  惰性气体排出路
158  气体通路
164  气体通路
W   半导体晶片(被处理体)
具体实施方式
以下，基于附图说明本发明的载置台结构和处理装置的合适的一实施方式。图1是表示具有本发明的载置台结构的处理装置的截面结构图，图2是载置台结构的放大剖面图，图3是表示载置台结构的安装部的放大剖面图，图4是表示载置台结构的下部的水平截面的示意图，图5是表示载置台的加热机构的加热器线的配置状态的平面示意图。此处以用等离子体进行成膜处理为例进行说明。
如图所示，该处理装置20具有例如截面的内部形成为大致圆形的铝制(包含铝合金)的处理容器22。在该处理容器22内的顶部，隔着绝缘层26设置有用于导入必要的处理气体例如成膜气体的气体供给机构即喷淋头部24，从设置于其下表面即气体喷射面28的多个气体喷射孔32A、32B向处理空间S喷射处理气体。该喷淋头部24兼作等离子体处理时的上部电极。
在该喷淋头部24内，形成有划分成两个中空状的区域的扩散室30A、30B，在将导入此处的处理气体沿平面方向扩散后，通过分别与各气体扩散室30A、30B连通的各气体喷射孔32A、32B进行喷射。即气体喷射孔32A、32B矩阵状配置。该喷淋头部24的整体由例如镍或哈司特(ハステロイ)(注册商标)等镍合金、铝、或铝合金形成。另外，作为喷淋头部24，根据使用的气体种类，存在气体扩散室为1个或3个以上的情况。
而且，在该喷淋头部24与处理容器22的上端开口部的绝缘层26的接合部，例如隔着由O形环等形成的密封部件34，对处理容器22内的气密性加以维持。而且，该喷淋头部24通过匹配电路36与例如13.56MHz的等离子体用的高频电源38连接，能够在必要时生成等离子体。该频率并不限定于上述13.56MHz。
另外，在处理容器22的侧壁，设置有用于对该处理容器22内搬入搬出作为被处理体的半导体晶片W的搬入搬出口40，并且在该搬入搬出口40设置有能够气密地进行开闭的门阀42。
而且，在该处理容器22的底部44的侧部，设置有排气口46。该排气口46与用于对处理容器22内排气的例如抽真空的排气系统48连接。该排气系统48具有与上述排气口46连接的排气通路49，该排气通路49依次设置有压力调整阀50和真空泵52，能够将处理容器22维持在所希望的压力。另外，按照处理状态的不同，存在将处理容器22内设置为接近大气压的压力的情况。
而且，在该处理容器22内的底部44设置有从此处立起的作为本发明的特征的载置台结构54。具体地说，该载置台结构54主要包括：载置台58，其用于在上表面载置并支承上述被处理体；多个保护支柱管60，其与上述载置台58连接，并用于使上述载置台58从上述处理容器22的底部44立起地加以支承；加热器供电棒61，其插通于这些保护支柱管60内；吹扫气体流通用气密室62A、62B(参照图2)，其设置在处理容器22的底部44侧，与上述加热器供电棒61所插通的保护支柱管60内连通；和惰性气体供给机构63，其向该吹扫气体流通用气密室62A、62B内供给惰性气体。另外，此处如后面所述，为插通兼用供电棒也设置保护支柱管60。
在图1中，为使发明易于理解，各保护支柱管60记为在横向排列，但实际上如图4所示地集中设置在载置台58的中央部。具体地说，上述载置台58整体由电介质形成，此处该载置台58包括：厚度较厚的由透明的石英形成的载置台主体64；和热扩散板66，该热扩散板66设置在该载置台主体64的上表面侧，由与上述载置台64不同的不透明的电介质形成，例如由作为耐热材料的氮化铝(AlN)等陶瓷材料形成。另外，该热扩散板66也可以由含有大量气泡的不透明石英形成。
而且，在上述载置台主体64内，例如以埋入的方式设置有加热机构68，并且在上述热扩散板66内以埋入的方式设置有兼用电极69。这样，在该热扩散板66的上表面载置上述晶片W，利用来自上述加热机构69的辐射热隔着热扩散板66对该晶片W进行加热。
如图2和图5所示，该加热机构68例如具有由碳线构成的加热器线70，在载置台主体64的大致整个面上设置成一定的图案形状。另外，该加热器线70并不限定于碳线，能够使用从由碳线、钨线、钼线构成的组中选择的一个材料。
具体地说，载置台主体64例如分割为上下二片的分割体64A、64B，在其中一片分割体例如分割体64A的表面，如图5所示在整个面上一笔画状地形成收容槽72，沿着该收容槽72内配置上述加热器线，之后将上述分割体64A、64B焊接或熔接接合。由此，上述收容槽72被密闭成为加热器收容空间74，成为在该加热器收容空间74内以埋入的方式配置上述加热器线70的状态，形成一个区的加热机构68。这种情况下，加热器线70的起点与终点位于载置台主体64的中心部。
另外，上述兼用电极69如上所述地设置在不透明的热扩散板66内。该兼用电极69由例如形成为网眼状的导体线构成，该兼用电极69的连接端子位于载置台58的中心部。此处，该兼用电极69兼用静电卡盘用的卡盘电极和作为用于实施高频电的下部电极的高频电极。
另外，在上述载置台58，形成有沿该上下方向贯通的多个例如3个销插通孔76(图1中只表示了两个)，上述各销插通孔76中配置能够上下移动地以松动配合状态插通的顶起销78。该顶起销78的下端配置有圆弧状的例如氧化铝等陶瓷制的顶起环80，上述各顶起销78的下端搭在该顶起环80上。从该顶起环80延伸的臂部82，与贯通处理容器22的底部44设置的出没杆84连结，该出没杆84能够通过致动器86升降。
由此，在晶片W的交接时使上述各顶起销78从各销插通孔76的上端向上方出没。另外，在上述出没杆84的处理容器22的底部44的贯通部，设置有能够伸缩的波纹管88，上述出没杆84能够在维持处理容器22内的气密性的同时升降。
此处，上述销插通孔76如图2所示由贯通孔92形成，该贯通孔92在连结上述载置台主体64和上述热扩散板66的连结件即螺栓90中沿着其长度方向形成。具体地说，在上述载置台主体64和热扩散板66形成有通过上述螺栓90的螺栓孔(未图示)，在该螺栓孔中插通形成有上述贯通孔92的螺栓90，通过螺母94将其坚固，由此使上述载置台主体64与热扩散板66结合。这些螺栓90和螺母94例如由氮化铝或氧化铝等陶瓷材料，或金属污染的可能性较小的金属材料例如镍等高融点金属、哈司特等合金等形成。
而且，如上所述，此处三根保护支柱管60如图4所示地集中设置在载置台58的中心部。各保护支柱管60由电介质形成，具体而言，由与上述载置台主体59相同的电介质材料例如石英形成，各保护支柱管60例如通过热焊接而气密地与上述载置台主体59的下表面一体地接合。
而且，此处三根保护支柱管60中，二根保护支柱管60A、60B内以松动配合状态插通有上述加热器供电棒61，剩余的一根保护支柱管60C内以松动配合状态插入有兼用供电棒96。即，对于加热器线70，进电和出电用的二根加热器供电棒61分别单独地插通保护支柱管60内，各加热器供电棒61的上端分别与上述加热器线70的两端电连接。这种情况下，两保护支柱管60内与收容加热器线70的加热器收容空间74内成为连通状态。上述各加热器供电棒61例如由碳、镍合金、钨合金、钼合金等构成。
另外，对于兼用电极69，上述兼用供电棒96插通保护支柱管60内，该兼用供电棒96的上端通过连接端子96A(参照图2)与兼用电极69电连接。上述兼用供电棒96例如由镍合金、钨合金、钼合金等构成。此处，供电棒61、96并不仅是坚硬的棒状部件，也包含绞接多根线材形成的具有挠性的棒状部件。
另外，处理容器22的底部44例如由不锈钢形成，如图2和图3所示，该中央部形成有导体引出口98，例如由不锈钢等构成的安装台座100通过O形环等密封部件102气密地安装固定在该导体引出口98的内侧。
而且，在该安装台座100上，设置有固定上述各保护支柱管60的管固定台104。上述管固定台104由与上述各保护支柱管60相同的材料形成，即此处由石英形成。而且，与插通上述兼用供电棒96的保护支柱管60C对应地，以贯穿上述管固定台104和安装台座100的方式形成有贯通孔106。并且上述保护支柱管60C的下端部与上述管固定台104的上表面通过热焊接等接合固定。于是，在管固定台104的上表面形成有焊接部101C。
而且，在上述管固定台104与安装台座100的接合面，例如由O形环构成的密封部件107C以包围上述贯通孔106的方式介于上述管固定台104与安装台座100之间。另外，上述兼用供电棒96的下端部例如与由钼等形成的导电性的金属棒108C接合，该金属棒10C以松动配合状态插通在上述贯通孔106内，向处理容器22的底部44侧突出。在该金属棒108C的周围，例如通过钎焊气密地覆盖有例如由氧化铝等陶瓷构成的绝缘套管110。该绝缘套管110的部分，通过由O形环等构成的密封部件112气密地贯通形成在例如由铝合金构成的密封板111上的贯通孔，向外引出。
该密封板111通过螺栓114安装固定在安装台座100的下表面，在该安装台座100与密封板111之间，例如由O形环构成的密封部件116以包围上述绝缘套管110的方式介于该安装台座100与密封板111之间，将内部维持为气密。此处，在上述保护支柱管60C内，以减压气氛封入有例如N2或Ar等惰性气体。
另外，与插通上述加热器供电棒61的保护支柱管60A、60B相对应地，以贯穿上述管固定台104和安装台座100的方式形成有贯通孔120、122，并且，这些贯通孔120、122的安装台座100的部分的内径设定为比管固定台104的部分的内径稍大。
而且，上述保护支柱管60A、60B分别插通上述各贯通孔120、122内，以其下端部在安装台座100的各贯通孔120、122内开放。另外，上述管固定台104的上表面与上述各保护支柱管60A、60B的周围通过热焊接接合固定。于是，在管固定台104的上表面形成有熔接部101A、101B。另外，在管固定台104与安装台座100的接合面，例如由O形环构成的密封部件107A、107B分别以包围上述各贯通孔120、122的方式介于管固定台104与安装台座100之间。
另外，上述各加热器供电棒61的下端部例如分别与由钼等形成的导电性的金属棒108A、108B接合，其下端部向处理容器22的底部44侧突出。在上述各金属棒108A、108B，例如由氧化铝等陶瓷构成的圆柱状的绝缘套管124A、124B，以被其贯通的方式从上述各保护支柱管60A、60B的下端部稍微离开地安装固定。该绝缘套管124A、124B与各金属棒108A、108B例如通过钎焊而气密地安装。
另外，在上述绝缘套管124A、124B的各外周面与安装台座100的上述各贯通孔120、122的内周面之间，分别存在由O形环等构成的密封部件126A、126B，用于维持气密性。由此，上述安装台座100的各贯通孔120、122内成为气密的空间，此处形成上述吹扫气体流通用气密室62A、62B，这些吹扫气体流通用气密室62A、62B为分别与保护支柱管60A、60B内连通的状态。
像这样，在固定各保护支柱管60的下端部的管固定台104的周边部，以包围该管固定台104的周围的方式设置有由例如不锈钢等形成的固定夹具130，该固定夹具130通过螺栓131固定在安装台座100侧。
此处，对各部件的尺寸的一例进行说明，载置台58的直径在与300mm(12英寸)的晶片对应的情况下为340mm左右，在与200mm(8英寸)晶片对应的情况下为230mm左右，在与400mm(16英寸)晶片对应的情况下为460mm左右。另外，各保护支柱管60的直径为8～16mm左右，各供电棒61、96的直径为4～6mm左右。
另外，为对上述吹扫气体流通用气密室62A、62B供给惰性气体，设置有上述惰性气体供给机构63(参照图1)。具体地说，该惰性气体供给机构63如图1至图3所示，具有向上述吹扫气体流通用气密室62A、62B导入惰性气体的惰性气体导入路150，和从上述吹扫气体流通用气密室62A、62B使导入的惰性气体排出的惰性气体排出路152。
在图示例中，上述惰性气体导入路150与上述两个吹扫气体流通用气密室62A、62B内的一个吹扫气体流通用气密室62A连通。该惰性气体导入路150的途中依次设置有如质量流控制器这样的流量控制器154和气体供给时为开状态的开闭阀156，能够按照需要将作为惰性气体的例如N2气体一面进行流量正控制一面进行供给。另外，作为惰性气体，也可以代替N2使用Ar、He等稀有气体。作为该惰性气体导入路150的一部分，例如在上述处理容器22的底部44和上述安装台座100通过穿孔形成有与上述一个吹扫气体流通用气密室62A连通的气体通路158(参照图3)。另外，在上述底部44与安装台座100的接合面，例如由O形环构成的密封部件160以包围上述气体通路158的方式介于上述底部44与安装台座100之间，维持该部分的密封性。
另外，惰性气体排出路152与另一吹扫气体流通用气密室62B连通，并且其下游侧和排气系统48的压力调整阀50与真空泵52之间的排气通路49(参照图1)连接，能够将吹扫气体流通用气密室62B内的气氛抽真空。另外，该惰性气体排出路152的途中设置有开闭阀162，能够控制是否抽真空。
作为该惰性气体排出路152的一部分，在上述处理容器22的底部44和上述安装台座100，例如通过穿孔形成有与上述另一吹扫气体流通用气密室62B连通的气体通路164(参照图3)。另外，在上述底部44与安装台座100的接合面，例如由O形环构成的密封部件166以包围上述气体通路164的方式介于上述底部44与安装台座100之间，维持该部分的密封性。
由此，从惰性气体导入路150向一个吹扫气体流通用气密室62A内导入的氮气(惰性气体)，依次流过一个保护支柱管60A内、载置台5的加热器收容空间74内、另一保护支柱管60B内、另一吹扫气体流通用气密室62B内和惰性气体排出路152，向排气系统48侧排出。
此处回到图1，与加热机构68的各加热器供电棒61连接的各配线132、134与上述加热器电源部136连接，基于由未图示的热电偶测定的温度，控制对上述加热机构68的供电量，维持所希望的温度。
另外，在与上述兼用供电棒96连接的配线138，分别连接有静电卡盘用的直流电源140和用于施加偏压用高频电的高频电源142，能够对载置于载置台58上的晶片W进行静电吸附，并在处理时对作为下部电极的载置台58施加高频电作为偏压。作为该高频电的频率，例如能够使用13.56MHz，另外能够使用400kHz等，但该频率并不限定于此。
另外，该处理装置20的整体的动作，例如处理压力的控制、载置台58的温度控制、处理气体的供给或供给停止、惰性气体供给机构63所进行的惰性气体的供给或供给停止等，例如通过由计算机等构成的装置控制部170进行。而且，该装置控制部170具有存储上述动作所必需的计算机程序的存储介质172。该存储介质172由软盘、CD(光盘)、硬盘或闪存等构成。
接着，对上述结构的使用等离子体的处理装置20的动作进行说明。首先，未处理的半导体晶片W被保持在未图示的搬送臂上，通过开状态下的门阀42、搬入搬出口40搬入处理容器22内，该晶片W在交接到上升的顶起销78上之后，通过使该顶起销78下降，使晶片W载置在载置台结构54的被各保护支柱管60支承的载置台58的热扩散板66的上表面，进行支承。这时，利用直流电源140对设置于载置台58的热扩散板66的兼用电极69施加直流电压，静电卡盘发挥作用，将晶片W附着在载置台58上进行保持。另外，也存在代替静电卡盘使用对晶片W的周边部进行按压的夹具机构的情况。
接着，一面分别进行流量控制，一面分别向喷淋头部24供给各种处理气体，利用气体喷射孔32A、32B喷射该气体，向处理空间S导入。然后，持续排气系统48的真空泵52的驱动，将处理容器22内的气氛抽真空，调整压力调整阀50的阀开度，将处理空间S的气氛维持为规定的处理压力。这时，晶片W的温度维持在规定的处理温度。即，利用加热器电源部136对构成载置台58的加热机构68的加热器线70施加电压，由此使其发热。
其结果为，晶片W被来自加热器线70的热升温加热。另外，热扩散板66中设置有未图示的热电偶，基于其测定值，加热器电源部136通过反馈进行温度控制。因此，能够进行温度控制，使得晶片W的温度总为面内均匀性较高的状态。这时，按照处理的种类的不同，载置台58的温度例如能够到达700℃左右。
另外，在进行等离子体处理时，通过驱动高频电源38，对作为上部电极的喷淋头部24与作为下部电极的载置台58之间施加高频，在处理空间S生成等离子体进行规定的等离子体处理。另外，这时通过从偏压用的高频电源142对设置于载置台58的热扩散板66中的兼用电极69施加高频电，能够进行等离子体离子的引入。
在此，对上述载置台结构54的功能进行详细说明。首先，如上所述，通过两根加热器供给棒61向加热机构68的加热器线70供给电。而且，基于未图示的热电偶的测定值利用反馈控制来控制供给电。
另外，通过兼用供电棒96向兼用电极69施加静电卡盘用的直流电压和偏压用的高频电。而且，上述各加热器供电棒61和兼用供电棒96，分别单独地插通较细的保护支柱管60内(60A～60C)，该保护支柱管60(60A～60C)的上端气密地与载置台58的载置台主体64的下表面热焊接。并且，这些保护支柱管60同时从载置台58本身立起进行支承。
进一步地，在晶片的处理时，利用惰性气体供给机构63，通过惰性气体导入路150向一个吹扫气体流通用气密室62A(参照图3)内导入流量被控制的例如N2气体作为惰性气体，进行吹扫。该N2气体依次流经插通有一个加热器供电棒61的保护支柱管60A内、收容加热器线70的加热器收容空间74内、插通有另一加热器供电棒61的保护支柱管60B内和另一吹扫气体流通用气密室62B(参照图4)，接着通过惰性气体排出路152向排气系统48的排气通路49真空排气。
在这样的状况下，对晶片W反复进行处理致使载置台58的升温和降温反复进行。而且，由于该载置台58的温度的升降，例如载置台58的温度达到上述700℃左右时，热伸缩导致在载置台58的中心部产生沿半径方向的距离0.2～0.3mm左右的热伸缩差。这时，在现有的载置台结构的情况下，因为由非常硬的陶瓷材料形成的载置台与直径较大的支柱通过热扩散接合牢固地一体结合，虽说上述热伸缩差仅为0.2mm～0.3mm左右，但由于伴随该热伸缩差产生的热应力的反复，载置台与支柱的接合部发生破损的现象频繁发生。
而相对的，本发明中载置台58由直径为1cm左右的较细的多根此处为三根保护支柱管60结合并支承，所以这些各保护支柱管60能够跟随载置台58的水平方向的热伸缩而移动，于是能够容许上述载置台58的热伸缩。其结果为，热应力不会施加在载置台58与各保护支柱管60的接合部上，能够防止各保护支柱管60的上端部和载置台58的下表面、即两者的连结部发生破损。
另外，由石英形成的上述各保护支柱管60通过焊接与载置台58的下表面牢固结合，但该保护支柱管60的直径如上所述小至10mm左右，其结果为，能够减小从载置台58向各保护支柱管60的传热量。于是，能够减少向各保护支柱管60侧逃逸的热，相应地能够在载置台58大幅抑制冷点的发生。
另外，上述加热器供电棒61和兼用供电棒96分别由保护支柱管60覆盖，所以不会暴露在腐蚀性的处理气体中，能够防止腐蚀。另外，如上所述，N2气体沿着插通有加热器供电棒61的保护支柱管60A、60B内和收容加热器线70的加热器收容空间74内流动，所以该加热器供电棒61和加热器线70不会暴露在氧中，于是能够防止它们因氧化而劣化。特别是，当上述加热器供电棒61和加热器线70由高温下在氧气氛中比较容易被氧化的碳构成的情况下，能够更显著地发挥上述氧化抑制效果。
这时，进行吹扫的保护支柱管60A、60B，只要是能够插通加热器供电棒61的尺寸即可，与现有的支柱4(参照图8)相比容积非常小，其气体量能够比现有的载置台结构小，相应地也能够减少惰性气体的消耗量，能够消减运转成本。
像这样，根据本发明，利用内部插通有加热器供电棒61的多个保护支柱管60，将载置作为被处理体的半导体晶片W的载置台58从处理容器2的底部立起，进行支承，所以与现有结构的支柱相比，载置台与保护支柱管的接合部的面积变少，热的逃逸也相应地减少，能够抑制冷点的产生。于是，能够防止载置台58产生较大的热应力，防止该载置台自身发生破损，并且因为该保护支柱管与现有的支柱相比容积变小，所以能够抑制防止腐蚀用的吹扫气体的供给量。
这种情况下，因为使兼用供电棒96插通保护支柱管60C内，也使用该保护支柱管60C支承载置台58，所以能够稳定地支承该载置台58。另外，向与加热器供电棒61所插通的保护支柱管60A、60B内连通的吹扫气体流通用气密室62A、62B流通惰性气体，所以能够抑制加热器供电棒61或与其连接的加热机构68(加热器线70)被氧化。
<第一变形实施例>
在上述实施例中，如图2至图4所示，安装台座100的两个吹扫气体流通用气密室62A、62B在此处相互分离开地划分而设置，但不限定于此，也可以如图6所示地构成。即，图6是表示本发明的载置台结构的第一变形实施例的下部的水平截面的示意图，此处上述两个吹扫气体流通用气密室62A、62B间通过设置于安装台座100的旁通路180连通。
由此，导入到一个吹扫气体流通用气密室62A的N2气体，不在上述保护支柱管60A、60B和加热器收容空间74内流动，而是通过旁通部180直接流向另一吹扫气体流通用气密室62B内。这种情况下也能够防止氧侵入上述保护支柱管60A、60B和加热器收容空间74内，所以能够抑制上述加热器供电棒61和加热器线70被氧化。
<第二变形实施例>
在上述各实施例中，以加热机构68通过一个区的区域对载置台58的整体进行加热的情况为例进行了说明，但并不限定于此，在将载置台58划分为同心圆状或两个以上多个区的区域进行加热的情况下，也能够适用本发明。
这种情况下，将构成加热机构68的加热器线70按区分割为多个同心圆状，各个分割的加热器线分别与进电和出电的两个加热器供电棒连接。而且，与前面的实施例相同的，每个加热器供电棒均插通保护支柱管。图7是表示在本发明的载置台结构中如上所述地将加热器线分割为例如两个区时的第二变形实施例中的下部的水平截面的示意图。另外，对于与之前参照图1～图6说明的结构部分相同的部分标记相同的参照符号。
在以同心圆状划分的两个区的区域对上述载置台58进行加热的情况下，加热机构68的加热器线70被分割为两个同心圆状的内周区的加热器线和外周区的加热器线。在图7中，将例如与内周区的加热器线连接的加热器供电棒表示为二根加热器供电棒61，它们分别插通保护支柱管60A、60B内。上述各加热器线分别设置在相对应的加热器收容空间内。
另外，与外周区的加热器线连接的加热器供电棒表示为二根加热器供电棒61-1，它们分别插通保护支柱管60(60D、60E)内。而且，在上述保护支柱管60D、60E的下方，也分别形成有与之前的吹扫气体流通用气密室62A、62B相同结构的吹扫气体流通用气密室62D、62E。与内周区对应的吹扫气体流通用气密室62A、62B和与外周区对应的吹扫气体流通用气密室62D、62E中的一方的吹扫气体流通用气密室，例如吹扫气体流通用气密室62A、62D通过设置于安装台座100的气体通路182连通。另外，另一方的吹扫气体流通用气密室62B、62E也通过设置于安装台座100的气体通路124连通。由此，能够使作为惰性气体的N2气体在内周区的加热器收容空间和外周区的加热器收容空间内并列地、即平行地流动。
这种情况下，也能够发挥与在之前的图1至图5中说明的实施例相同的作用效果。另外，在该第二变形实施例的情况下，由于增加了二根保护支柱管60D、60E，能够相应地更稳定地支承载置台58。
另外，在图7所示的第二变形实施例中，也可以不设置上述气体通路182、184，而是对与内周对应的保护支柱管60A、60B和与外周对应的保护支柱管60D、60E，分别单独地设置惰性气体供给机构。即，可以对保护支柱管60D、60E也设置惰性气体导入路和惰性气体排出路。另外，在像这样以划分为多个区的区域对载置台58进行加热的情况下，也可以使各区的加热器供给棒中的一个作为接地用的供电棒共用。
另外，在以上的各实施例中，以能够进行等离子体处理的处理装置为例进行了说明，但不进行等离子体处理而是进行通常的无等离子体的热处理的处理装置也能够适用本发明。这种情况下，能够省略而不设置等离子体用的高频电源38等，并且兼用电极69和随之的兼用供电棒96等也不设置。
另外，在上述各实施例中，如上所述省略了设置在载置台58的热电偶的记载，但构成该热电偶的热电偶棒当然能够以插通上述结构的保护支柱管60内的方式设置。
另外，在本实施例中，以使用等离子体的处理装置为例进行了说明，但如上所述，并不限定于此，能够适用于使用将加热机构68埋入载置台58的载置台结构的所有处理装置，例如使用等离子体的等离子体CVD的成膜装置、不使用等离子体的热CVD的成膜装置、蚀刻装置、热扩散装置、扩散装置、改性装置等。
另外，作为气体供给机构并不限定于喷淋头部24，例如可以利用插通处理容器22内的气体管嘴构成气体供给机构。另外，此处作为被处理体以半导体晶片为例进行了说明，但不限定于此，对于玻璃基板、LCD基板、陶瓷基板等均能够适用本发明。

Claims (10)

1.一种载置台结构，其设置在能够排气的处理容器内，用于载置要处理的被处理体，该载置台结构的特征在于，包括：
由电介质形成的载置台，其载置并支承所述被处理体，并且设置有加热所述被处理体的加热机构；
多个保护支柱管，其从所述处理容器的底部侧立起设置，上端部与所述载置台的下表面接合，并且下端部开放；
加热器供电棒，其插通于所述保护支柱管内，并且上端部与所述加热机构连接；
吹扫气体流通用气密室，其设置在所述处理容器的底部侧，并且与所述保护支柱管内连通；和
惰性气体供给机构，其向所述吹扫气体流通用气密室内供给惰性气体。
2.如权利要求1所述的载置台结构，其特征在于：
所述惰性气体供给机构具有：
向所述吹扫气体流通用气密室导入惰性气体的惰性气体导入路；和
将导入所述吹扫气体流通用气密室的惰性气体排出的惰性气体排出路。
3.如权利要求2所述的载置台结构，其特征在于：
所述惰性气体排出路被抽真空。
4.如权利要求1至3中任一项所述的载置台结构，其特征在于：
所述吹扫气体流通用气密室与所述加热器供电棒对应地单独设置。
5.如权利要求4所述的载置台结构，其特征在于：
所述各吹扫气体流通用气密室是连通的。
6.如权利要求1至5中任一项所述的载置台结构，其特征在于：
所述加热机构具有加热器线，所述加热器线配置在设于所述载置台内的加热器收容空间内。
7.如权利要求6所述的载置台结构，其特征在于：
所述多个吹扫气体流通用气密室经由所述保护支柱管内及所述加热器收容空间内被连通。
8.如权利要求6或7所述的载置台结构，其特征在于：
所述加热器线被同心圆状地分割为多个区，并且按所述多个区而设置有所述惰性气体供给机构。
9.如权利要求6或8所述的载置台结构，其特征在于：
所述加热器线由从碳线、钨线、钼线构成的组中选择的一种材料形成。
10.一种对被处理体实施处理的处理装置，其特征在于，包括：
能够排气的处理容器；
用于载置所述被处理体的如权利要求1至9中任一项所述的载置台结构；和
向所述处理容器内供给气体的气体供给机构。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104934307A (zh) * 2014-03-17 2015-09-23 斯克林集团公司 基板处理方法以及基板处理装置
CN107240568A (zh) * 2016-03-28 2017-10-10 日本碍子株式会社 晶片载置装置
CN107564792A (zh) * 2017-08-17 2018-01-09 沈阳拓荆科技有限公司 一种用于等离子体处理设备的rf讯号传递装置
CN110265323A (zh) * 2019-05-31 2019-09-20 沈阳拓荆科技有限公司 具有接点阵列的晶圆加热座

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9490150B2 (en) * 2012-07-03 2016-11-08 Applied Materials, Inc. Substrate support for substrate backside contamination control
US20140356985A1 (en) 2013-06-03 2014-12-04 Lam Research Corporation Temperature controlled substrate support assembly
JP6753654B2 (ja) * 2015-07-14 2020-09-09 株式会社日立ハイテク プラズマ処理装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06260430A (ja) * 1993-03-08 1994-09-16 Eiko:Kk プレートヒータ及びその製法
US5462603A (en) * 1993-06-24 1995-10-31 Tokyo Electron Limited Semiconductor processing apparatus
CN1833312A (zh) * 2003-04-07 2006-09-13 东京毅力科创株式会社 放置台结构以及具有该放置台结构的热处理装置
CN1835649A (zh) * 2005-03-16 2006-09-20 东京毅力科创株式会社 具有基板加热功能的基板载放机构
CN1885490A (zh) * 2005-06-23 2006-12-27 东京毅力科创株式会社 载置台装置的安装结构、处理装置和馈电线间放电防止方法
CN1954095A (zh) * 2004-07-05 2007-04-25 东京毅力科创株式会社 处理装置和加热器单元

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06260430A (ja) * 1993-03-08 1994-09-16 Eiko:Kk プレートヒータ及びその製法
US5462603A (en) * 1993-06-24 1995-10-31 Tokyo Electron Limited Semiconductor processing apparatus
CN1833312A (zh) * 2003-04-07 2006-09-13 东京毅力科创株式会社 放置台结构以及具有该放置台结构的热处理装置
CN1954095A (zh) * 2004-07-05 2007-04-25 东京毅力科创株式会社 处理装置和加热器单元
CN1835649A (zh) * 2005-03-16 2006-09-20 东京毅力科创株式会社 具有基板加热功能的基板载放机构
CN1885490A (zh) * 2005-06-23 2006-12-27 东京毅力科创株式会社 载置台装置的安装结构、处理装置和馈电线间放电防止方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104934307A (zh) * 2014-03-17 2015-09-23 斯克林集团公司 基板处理方法以及基板处理装置
US9786522B2 (en) 2014-03-17 2017-10-10 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate treatment method and substrate treatment apparatus
CN104934307B (zh) * 2014-03-17 2017-12-05 斯克林集团公司 基板处理方法以及基板处理装置
CN107240568A (zh) * 2016-03-28 2017-10-10 日本碍子株式会社 晶片载置装置
CN107564792A (zh) * 2017-08-17 2018-01-09 沈阳拓荆科技有限公司 一种用于等离子体处理设备的rf讯号传递装置
CN107564792B (zh) * 2017-08-17 2019-12-13 沈阳拓荆科技有限公司 一种用于等离子体处理设备的rf讯号传递装置
CN110265323A (zh) * 2019-05-31 2019-09-20 沈阳拓荆科技有限公司 具有接点阵列的晶圆加热座

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