CN101997502A - 封装件的制造方法、压电振动器的制造方法、振荡器、电子设备及电波钟 - Google Patents

封装件的制造方法、压电振动器的制造方法、振荡器、电子设备及电波钟 Download PDF

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Abstract

本发明提供即使在采用电阻值较大的接合材料(35)时，也能可靠地将接合材料(35)与基底基板用圆片(40)之间阳极接合的封装件的制造方法。通过将预先固接在由绝缘体制成的盖基板用圆片(50)的内表面的接合材料(35)和由绝缘体制成的基底基板用圆片(40)的内表面阳极接合来制造封装件的方法，其特征在于，具有阳极接合工序，在盖基板用圆片(50)的外表面配置成为阳极的接合辅助材料(72)，在基底基板用圆片(40)的外表面配置阴极(71)并施加电压；接合辅助材料(72)由在所述阳极接合工序中在所述接合辅助材料与所述第一基板之间产生阳极接合反应的材料形成。

Description

封装件的制造方法、压电振动器的制造方法、振荡器、电子设备及电波钟 
技术领域
本发明涉及封装件(package)的制造方法、压电振动器的制造方法、具有压电振动器的振荡器、电子设备及电波钟。 
背景技术
近年来，在便携电话或便携信息终端中，作为时刻源或控制信号等的定时源、参考信号源等，使用利用水晶等的压电振动器。对于这种压电振动器已知有很多种，但作为其中之一，已知有表面安装型的压电振动器。作为这种压电振动器，已知有将形成有压电振动片的压电基板用基底基板与盖基板从上下夹住而接合的3层构造型的结构。此时，压电振动器收纳在形成于基底基板与盖基板之间的空腔(密闭室)内。 
另外，近些年来还在开发2层构造型的结构，而非所述的3层构造型的结构。这种类型的压电振动器为通过直接接合基底基板与盖基板而封装的2层构造，在形成于两个基板之间的空腔内收纳有压电振动片。该封装件化的2层构造型的压电振动器与3层构造的结构相比，在可以谋求薄型化等方面较优，从而适于使用。 
作为使由玻璃材料制成的基底基板与盖基板直接接合的方法，提出了阳极接合。阳极接合是通过在一个基板的内表面固接接合材料，之后在该接合材料连接探针作为阳极，在另一基板的外表面配置阴极并施加电压，将接合材料与另一基板的内表面进行接合(例如参照专利文献1)。作为该接合材料的材料，采用Al。 
专利文献1：日本特开2001-72433号公报 
发明内容
然而，存在的问题是：若用于阳极接合的接合材料露出接合后的封装件的外侧，则由Al形成的接合材料会腐蚀，封装件的气密性会下降。 
因此，最近，作为接合材料的材料，探讨采用Si。 
然而，由于Si膜的薄层电阻较大，因此若用Si形成厚度较薄的接合材料，则电阻值会变大。因此，若在阳极接合时在接合材料连接探针，则电压降会与从探针连接点的距离成比例地增大。据此，存在的问题是：接合材料的电位变得不均匀，尽管在探针连接点附近会进行阳极接合，但在离开探针连接点的场所不会进行阳极接合。 
另外，为了在离开探针连接点的场所也进行阳极接合，需要施加高电压来进行阳极接合，能量消耗量变大。 
另外，为了形成电阻值较低的Si膜，利用溅镀或CVD等来形成Si膜需要在高温(800℃以上)进行。然而，由于形成Si膜的玻璃基板的软化点是600℃左右，因此难以在玻璃基板上以高温形成Si膜。 
本发明是鉴于如上所述的问题而完成的，其目的在于提供，即使在采用电阻值较大的接合材料时，也能可靠地将接合材料与基板之间阳极接合的封装件的制造方法及压电振动器的制造方法。 
为解决所述问题，本发明的封装件的制造方法，通过将预先固接在由绝缘体制成的第一基板的内表面的接合材料和由绝缘体制成的第二基板的内表面阳极接合，来制造封装件，其特征在于，具有阳极接合工序，在所述第一基板的外表面配置成为阳极的接合辅助材料，在所述第二基板的外表面配置阴极并施加电压；所述接合辅助材料由在所述阳极接合工序中、在所述接合辅助材料与所述第一基板之间产生阳极接合反应的材料形成。 
根据该结构，通过在接合辅助材料与阴极之间施加电压，在接合辅助材料与第一基板的外表面之间产生阳极接合反应，与此联动，接合材料与第二基板的内表面之间被阳极接合。据此，即使在采用电阻 值较大的接合材料时，也能对接合材料的整个表面施加均匀的电压，可以使接合材料与第二基板的内表面之间可靠地阳极接合。另外，由于接合辅助材料的电阻值可以任意设定，因此通过采用电阻值较小的接合辅助材料，可以与在采用电阻值较小的接合材料的情况的相同的条件下进行阳极接合。 
另外，优选的是所述接合材料由Al、Si膜或者Si块(bulk)材料形成。特别优选的是所述接合材料由Si膜形成。 
由于Si膜的薄层电阻较大，因此若由Si形成厚度较薄的接合材料则电阻值会增大，但根据本发明，可以使接合材料与第二基板的内表面之间可靠地阳极接合。而且，即使利用于阳极接合的接合材料露出接合后的封装件的外侧时，由Si形成的接合材料不会腐蚀，因此可以防止封装件的气密性的下降。 
另外，优选的是所述接合辅助材料由Al、Si块材料、Cr或者C形成。 
根据该结构，可以在接合辅助材料与第一基板的外表面之间确实产生阳极接合反应，因此与此联动，可以将接合材料与第二基板的内表面之间可靠地阳极接合。 
另外，优选的是所述接合辅助材料是铝箔等薄膜。 
通过采用处理容易且廉价的铝箔等薄膜作为接合辅助材料，可以抑制制造成本的上升。另外，由于铝箔等薄膜的厚度较薄，因此在阳极接合工序之后可以简单去除。 
另外，优选的是在所述阳极接合工序之后具有去除所述接合辅助材料的工序。 
根据该结构，可以制造接合辅助材料没有残留的、与以往相同的封装件。 
本发明的压电振动器的制造方法的特征在于，在使用权利要求1至权利要求5中任一项所述的封装件的制造方法而制造的封装件的内部，通过将压电振动片真空密封，制造压电振动器。 
根据该结构，由于包括接合材料与基板之间被可靠地阳极接合，气密性较好的封装件，可以使压电振动片的真空密封的可靠度提高。据此，压电振动器的串联谐振电阻值(R1)维持在较低的状态，因此能以低功率使压电振动片振动，可以制造能量效率较好的压电振动器。 
本发明的振荡器的特征在于，将所述压电振动器电连接至集成电路而作为振子。 
本发明的电子设备的特征在于，使所述压电振动器电连接至计时部。 
本发明的电波钟的特征在于，使所述压电振动器电连接至滤波部。 
根据本发明，由于包括能量效率较好的压电振动器，因此可以制造能量效率较好的振荡器、电子设备及电波钟。 
(发明效果) 
根据本发明的封装件的制造方法，通过在接合辅助材料与阴极之间施加电压，在接合辅助材料与第一基板的外表面之间产生阳极接合反应，与此联动，接合材料与第二基板的内表面之间被阳极接合。据此，即使在采用电阻值较大的接合材料时，也能对接合材料的整个表面施加均匀的电压，可以使接合材料与第二基板的内表面之间可靠地阳极接合。另外，由于接合辅助材料的电阻值可以任意设定，因此通过采用电阻值较小的接合辅助材料，可以与在采用电阻值较小的接合材料的情况的相同的条件下进行阳极接合。 
附图说明
图1是实施方式所涉及的压电振动器的外观斜视图。 
图2是将压电振动器的盖基板拆下的状态的俯视图。 
图3是沿着图2的A-A线的侧面剖视图。 
图4是压电振动器的分解斜视图。 
图5是压电振动片的俯视图。 
图6是压电振动片的仰视图。 
图7是沿着图5的B-B线的剖视图。 
图8是实施方式所涉及的压电振动器的制造方法的流程图。 
图9是圆片(wafer)体的分解斜视图。 
图10是接合工序的说明图，是沿着图9的C-C线的截面的局部放大图。 
图11是接合反应的说明图。 
图12是接合辅助材料去除工序的说明图，是沿着图9的C-C线的截面的局部放大图。 
图13是实施方式所涉及的振荡器的结构图。 
图14是实施方式所涉及的电子设备的结构图。 
图15是实施方式所涉及的电波钟的结构图。 
附图标记说明 
1...压电振动器；2...基底基板(第二基板)；3...盖基板(第一基板)；4...压电振动片；9...封装件；35...接合材料；40...基底基板用圆片；50...盖基板用圆片；60...圆片体；71...电极(阴极)；72...接合辅助材料；100...振荡器；101...振荡器的集成电路；110...便携信息设备(电子设备)；113...电子设备的计时部；130...电波钟；131...电波钟的滤波部。 
具体实施方式
(压电振动器) 
接下来，参照附图说明本发明的实施方式所涉及的压电振动器。图1是实施方式所涉及的压电振动器的外观斜视图。图2是将压电振动器的盖基板拆下的状态的俯视图。图3是沿着图2的A-A线的侧面剖视图。图4是压电振动器的分解斜视图。另外，在图4中，为了易于看清附图，省略后述的压电振动片4的激振电极15、引出电极 19、20、装配电极16、17及重锤金属膜21的图示。 
如图1至图4所示，本实施方式的压电振动器1是包括：基底基板2及盖基板3通过接合材料35被阳极接合的封装件9；以及收纳在封装件9的空腔C的压电振动片4的表面安装型的压电振动器1。 
图5是压电振动片的俯视图，图6是仰视图，图7是沿着图5的B-B线的剖视图。 
如图5至图7所示，压电振动片4是由水晶或钽酸锂、铌酸锂等压电材料形成的音叉型的振动片，在施加既定电压时进行振动。该压电振动片4包括：平行配置的一对振动腕部10、11；将该一对振动腕部10、11的基端侧一体固定的基部12；以及形成于一对振动腕部10、11的两主面上的沟部18。该沟部18沿着该振动腕部10、11的长边方向，从振动腕部10、11的基端侧形成到大致中间附近。 
另外，本实施方式的压电振动片4具有：形成于一对振动腕部10、11的外表面上并使一对振动腕部10、11振动的由第一激振电极13及第二激振电极14构成的激振电极15；以及与第一激振电极13及第二激振电极14电连接的装配电极16、17。激振电极15、装配电极16、17及引出电极19、20例如由铬(Cr)或镍(Ni)、铝(Al)、钛(Ti)等导电材料的被膜形成。 
激振电极15是使一对振动腕部10、11以既定的谐振频率在互相接近或者分离的方向振动的电极。构成激振电极15的第一激振电极13及第二激振电极14，在一对振动腕部10、11的外表面以分别电切断的状态构图而形成。具体而言，第一激振电极13主要形成于一个振动腕部10的沟部18上与另一振动腕部11的两侧面上，第二激振电极14主要形成于一个振动腕部10的两侧面上与另一振动腕部11的沟部18上。另外，第一激振电极13及第二激振电极14在基部12的两个主面上，分别经由引出电极19、20电连接至装配电极16、17。 
另外，在一对振动腕部10、11的前端覆盖有用于进行调整(频率调整)的重锤金属膜21，以使本身的振动状态在既定频率的范围内 振动。该重锤金属膜21分为粗略调整频率时使用的粗调膜21a、以及细微调整时使用的微调膜21b。 
如图1、图3及图4所示，盖基板3是由玻璃材料、例如碱石灰玻璃制成的可阳极接合的基板，形成为大致板状。在盖基板3的与基底基板2的接合面一侧，形成容纳压电振动片4的空腔C用的凹部3a。 
在盖基板3的与基底基板2的整个接合面一侧，形成阳极接合用的接合材料35。即，接合材料35除了形成在凹部3a的整个内表面，还形成于凹部3a的周围的边框区域。本实施方式的接合材料35由Si膜形成，但接合材料35也可以由Al形成。另外，作为接合材料，也可以为利用掺杂等而低电阻化的Si块材料。然后，如后文所述，该接合材料35与基底基板2阳极接合，空腔C被真空密封。 
基底基板2是由玻璃材料例如碱石灰玻璃制成的基板，如图1至图4所示，与盖基板3相同的外形形成为大致板状。 
在基底基板2的上表面2a侧(与盖基板3的接合面侧)，如图1至图4所示，构图有一对迂回电极36、37。各迂回电极36、37例如由下层为Cr膜、上层为Au膜的层叠体形成。 
而且，如图3、图4所示，通过金等的凸点(bump)B，所述的压电振动片4的装配电极16、17被凸点接合在迂回电极36、37的表面。压电振动片4以使振动腕部10、11从基底基板2的上表面2a浮起的状态被接合。 
另外，在基底基板2形成贯通该基底基板2的一对贯通电极32、33。各贯通电极32、33由不锈钢或Ag、Al等具有导电性的金属材料形成。一个贯通电极32形成于一个迂回电极36的正下方。另一贯通电极33形成于振动腕部11的前端附近，通过迂回布线与另一迂回电极37连接。 
另外，如图1、图3及图4所示，在基底基板2的下表面2b形成有一对外部电极38、39。一对外部电极38、39形成于基底基板2的长边方向的两端部，相对于一对贯通电极32、33分别电连接。 
在使这样构成的压电振动器1工作时，对形成于基底基板2的外部电极38、39，施加既定的驱动电压。这样，从一个外部电极38，经由一个贯通电极32及一个迂回电极36，通电至压电振动片4的第一激振电极13。另外，从另一外部电极39，经由另一贯通电极33及另一迂回电极37，通电至压电振动片4的第二激振电极14。据此，可以使电流在压电振动片4的由第一激振电极13及第二激振电极14构成的激振电极15中流过，并能使一对振动腕部10、11以既定频率在接近/分离的方向振动。然后，利用该一对振动腕部10、11的振动，可以用作时刻源、控制信号的定时源或参考信号源等。 
(压电振动器的制造方法) 
接下来，说明本实施方式的压电振动器的制造方法。图8是本实施方式的压电振动器的制造方法的流程图。图9是圆片体的分解斜视图。下面，说明在基底基板用圆片40与盖基板用圆片50之间封入多个压电振动片4来形成圆片体60，通过切断圆片体60来同时制造多个压电振动器的方法。另外，图9以下的各图所示的虚线M是表示在切断工序中进行切断的切断线。 
本实施方式的压电振动器的制造方法主要具有：压电振动片制作工序(S10)、盖基板用圆片制作工序(S20)、基底基板用圆片制作工序(S30)、以及组装工序(S40以后)。其中，压电振动片制作工序(S10)、盖基板用圆片制作工序(S20)及基底基板用圆片制作工序(S30)可以并行实施。另外，本实施方式的压电振动器的制造方法包含盖基板及基底基板通过接合材料阳极接合而成的封装件的制造方法。封装件的制造方法主要具有：接合材料形成工序(S24)、接合工序(S60)、以及接合辅助材料去除工序(S65)。 
在压电振动片制作工序(S10)中，制作图5至图7所示的压电振动片4。具体而言，首先以既定的角度对水晶的朗伯(Lambert)原矿石进行切片，得到一定厚度的圆片。接下来，对该圆片进行研磨而粗加工后，用蚀刻去除加工变质层，之后进行抛光(polish)等镜面研 磨加工，得到既定厚度的圆片。接下来，对圆片实施清洗等适当的处理后，利用光刻技术以压电振动片4的外形形状对该圆片进行构图，并且进行金属膜的成膜及构图，形成激振电极15、引出电极19、20、装配电极16、17、重锤金属膜21。据此，可以制作多个压电振动片4。接下来，进行压电振动片4的谐振频率的粗调。这是通过对重锤金属膜21的粗调膜21a照射激光使其一部分蒸发，使振动腕部的重量发生变化来进行的。 
在盖基板用圆片制作工序(S20)中，制作后面成为盖基板3的盖基板用圆片50。首先，将由碱石灰玻璃制成的圆板状的盖基板用圆片50，研磨加工至既定的厚度并清洗后，利用蚀刻等去除最表面的加工变质层(S21)。接下来，在盖基板用圆片50的与基底基板用圆片40的接合面形成多个空腔用的凹部3a(S22)。凹部3a的形成是通过加热冲压成形或蚀刻加工等进行的。接下来，研磨与基底基板用圆片40的接合面(S23)。 
接下来，在与基底基板用圆片40的接合面形成接合材料35(S24)。接合材料35除了形成在与基底基板用圆片40的接合面，还可以形成于凹部3a的整个内表面。据此，不需要对接合材料35进行构图，可以降低制造成本。接合材料35的形成可以利用溅射或CVD等成膜方法进行。另外，由于在接合材料形成工序(S24)之前进行研磨工序(S23)，因此确保接合材料35的表面的平面度，可以实现与基底基板用圆片40的稳定的接合。 
在基底基板用圆片制作工序(S30)中，制作之后面成为基底基板2的基底基板用圆片40。首先，将由碱石灰玻璃制成的圆板状的基底基板用圆片40，研磨加工至既定的厚度并清洗后，利用蚀刻等去除最表面的加工变质层(S31)。接下来，进行在基底基板用圆片40形成一对贯通电极32、33的贯通电极形成工序(S32)。贯通电极32、33例如通过在基底基板用圆片40形成贯通孔30、31，在贯通孔30、31内填充银膏等导电材料后烧结而形成。接下来，进行形成与一对贯 通电极32、33电连接的迂回电极36、37的迂回电极形成工序(S33)。 
然而，需要考虑在基底基板用圆片40的表面形成迂回电极36、37与接合材料35。但是，在这种情况下，在形成迂回电极36、37后形成接合材料35，制造时间变长。另外，为了防止两者间的扩散，需要边遮蔽迂回电极36、37边形成接合材料35，制造工序变得复杂。与之相对，在本实施方式中，在盖基板用圆片50形成接合材料35，在基底基板用圆片40形成迂回电极36、37。据此，可以并行实施迂回电极36、37的形成与接合材料35的形成，可以缩短制造时间。另外，由于不必考虑两者间的扩散，因此可以简化制造工序。 
在装配工序(S40)中，将制作的多个压电振动片4接合在基底基板用圆片40的迂回电极36、37的上表面。具体而言，首先，在一对迂回电极36、37上分别形成金等凸点B。接下来，将压电振动片4的基部12载放在凸点B上，边将凸点B加热至既定温度边将压电振动片4按压在凸点B。据此，以使压电振动片4的振动腕部10、11从基底基板用圆片40的上表面浮起的状态，基部12机械地固接在凸点B。另外，装配电极16、17和迂回电极36、37处于电连接的状态。 
在叠合工序(S50)中，对结束装配压电振动片4的基底基板用圆片40，叠合盖基板用圆片50。具体而言，边以未图示的基准标记等为指标，边将两个圆片40、50对准到正确的位置。据此，装配在基底基板用圆片40的压电振动片4，处于容纳在由盖基板用圆片50的凹部3a与基底基板用圆片40包围的空腔C内的状态。 
(接合工序) 
图10及图11是接合工序的说明图，是沿着图9的C-C线的截面的局部放大图。 
如图10(a)所示，在接合工序(S60)中，在盖基板用圆片50的上表面配置接合辅助材料72。接合辅助材料72由在接合辅助材料72与盖基板用圆片50之间产生阳极接合反应的材料形成。具体而言，接合材料是在将接合辅助材料与玻璃与电极叠合并加热，同时以接合 辅助材料侧为阳极、电极侧为阴极施加电压时，使玻璃所含有的钠离子向阴极移动，在玻璃的接合辅助材料侧产生负电荷层的材料。更具体而言，作为接合辅助材料72的材料，可以采用铝(Al)、硅(Si)块材料、铬(Cr)、碳(C)等的薄膜或块材料。另外，块材料是指具有相当厚度的基板状的构件。在图10(a)所示的本实施方式中，采用铝箔作为接合辅助材料72。通过采用处理容易且廉价的铝箔，可以抑制制造成本的增加。 
在接合工序(S60)中，在盖基板用圆片50的上表面配置接合辅助材料72，并且在基底基板用圆片40的下表面配置电极71。电极71由不锈钢或碳(C)等形成。接下来，使用夹具(未图示)按压接合辅助材料72与电极71之间，对圆片体60施加压力。接下来，每个夹具将圆片体60放入阳极接合装置的内部。接下来，将阳极接合装置的内部保持在既定温度，加热圆片体60。同时连接直流电源70，使接合辅助材料72为阳极、电极71为阴极，对圆片体60施加电压。本实施方式的接合辅助材料72由于由电阻值较小的铝形成，因此在接合辅助材料72的内部不会产生电压降，可以对盖基板用圆片50的整个表面施加均匀的电压。 
据此，如图11所示，盖基板用圆片50的玻璃材料所含有的钠离子向接合材料35移动。与此联动，基底基板用圆片40的玻璃材料所含有的钠离子也向电极71移动，产生电流。因此，在基底基板用圆片40的接合材料35一侧，形成缺乏钠离子的负电荷层。在该负电荷层与接合材料35之间产生静电引力，基底基板用圆片40与接合材料35的界面F2被阳极接合。另外，在盖基板用圆片50的接合辅助材料72侧也形成缺乏钠离子的负电荷层。因此，盖基板用圆片50与接合辅助材料72的界面F1也被阳极接合。 
另一方面，在图10(b)所示的本实施方式的变形例中，采用Si膜作为接合辅助材料76。另外，通过在由玻璃等绝缘材料制成的接合辅助基板77的表面形成Si膜，可以将Si膜作为接合辅助材料76处 理。在该变形例中，使用夹具按压接合辅助基板77与电极71之间，对圆片体60施加压力。而且，在Si膜连接直流电源70，在与电极71之间施加电压。另外，若将Si膜的膜厚形成得较厚，则Si膜的电阻值变小，因此可以抑制在Si膜内部的电压降。该变形例中也一样，可以将基底基板用圆片40与接合材料35之间阳极接合。但是，在变形例中，是处于与接合辅助基板77固接的状态的接合辅助材料76，与盖基板用圆片50阳极接合。 
(接合辅助材料去除工序) 
图12是接合辅助材料去除工序的说明图，是沿着图9的C-C线的截面的局部放大图。 
如图12(a)所示，在接合辅助材料去除工序(S65)中，去除阳极接合在盖基板用圆片50的接合辅助材料72。在本实施方式中，由于在盖基板用圆片50的上表面阳极接合铝箔作为接合辅助材料72，因此通过蚀刻来去除该铝箔。铝箔可以使用卤素类的蚀刻气体来进行蚀刻。由于铝箔的厚度为几十μm，较薄，因此以短时间的蚀刻就可以去除铝箔。 
另一方面，在图12(b)所示的本实施方式的变形例中，在盖基板用圆片50的上表面，除了接合辅助材料76的Si膜，还固接有接合辅助基板77。因此，在该变形例中，通过磨削去除接合辅助材料76及接合辅助基板77。具体而言，使用磨削机装置等磨削至虚线79所示的盖基板用圆片50的表层。根据磨削，即使在固接有较厚的接合辅助基板77的情况下，也可以在短时间去除接合辅助材料76与接合辅助基板77。 
另外，在图12(a)所示的本实施方式中，也可以利用磨削或者研磨来去除铝箔。 
在外部电极形成工序(S70)中，在基底基板用圆片的背面形成外部电极38、39。 
此处，优选的是进行吸气工序。具体而言，对预先形成于空腔的 内表面的吸气材料照射激光。据此，由于吸气材料蒸发并与空腔内的氧结合，因此可以使空腔内的真空度提高。作为吸气材料，可以采用铬(Cr)或铝(Al)等。 
在微调工序(S80)中，对各个压电振动器1的频率进行微调。具体而言，首先从外部电极38、39持续施加既定电压，使压电振动片4振动并测量频率。在该状态下，从基底基板用圆片40的外部照射激光，使重锤金属膜21的微调膜21b蒸发。据此，由于一对振动腕部10、11的前端侧的重量下降，因此压电振动片4的频率上升。据此，可以对压电振动器1的频率进行微调，收在标称频率的范围内。 
在切断工序(S90)中，沿着切断线M切断已接合的圆片体60。具体而言，首先在圆片体60的基底基板用圆片40的表面粘贴UV胶带。接下来，从盖基板用圆片50侧沿着切断线M照射激光(划线)。接下来，从UV胶带的表面沿着切断线M按下切断刀，割断圆片体60(断开)。之后，照射UV并剥离UV胶带。据此，可以将圆片体60分离为多个压电振动器。另外，也可以利用除此以外的切片等方法来切断圆片体60。 
在电特性检查工序(S100)中，测定压电振动器1的谐振频率或谐振电阻值、驱动器电平特性(谐振频率及谐振电阻值的激振电力相关性)等并进行核对。另外，还一并核对绝缘电阻特性等。最后，进行压电振动器1的外观检查，最终核对尺寸或质量等。 
如上所述，压电振动器1完成。 
如以上的详细说明，本实施方式的封装件的制造方法具有阳极接合工序，在盖基板用圆片50的内表面形成接合材料35，之后在盖基板用圆片50的外表面配置成为阳极的接合辅助材料72，在基底基板用圆片40的外表面配置成为阴极的电极71并施加电压；接合辅助材料72由在阳极接合工序中在接合辅助材料72与盖基板用圆片50之间产生阳极接合反应的材料形成。 
根据该结构，通过在接合辅助材料72与电极71之间施加电压， 在接合辅助材料72与盖基板用圆片50的外表面之间发生阳极接合反应，与此联动，接合材料35与基底基板用圆片40的内表面之间被阳极接合。据此，即使在采用电阻值较大的接合材料35时，也能对接合材料35的整个表面施加均匀的电压，可以使接合材料35与基底基板用圆片40的内表面之间可靠地阳极接合。另外，由于接合辅助材料72的电阻值可以任意设定，因此通过采用电阻值较小的接合辅助材料72，可以与在采用电阻值较小的接合材料的情况的相同的条件下进行阳极接合。若采用电阻值至少比接合材料35小的接合辅助材料72并在接合辅助材料72连接直流电源70，则与在接合材料35连接直流电源的情况相比，能以平缓的条件(低电压)进行阳极接合。 
另外，在本实施方式中，采用接合材料35由Si膜形成的构成。 
由于Si膜的薄层电阻较大，因此若由Si形成厚度较薄的接合材料则电阻值会增大，但根据本实施方式，可以使接合材料35与基底基板用圆片40的内表面之间可靠地阳极接合。而且如图3所示，即使利用于阳极接合的接合材料35露出接合后的封装件9的外侧的情况下，由于由Si形成的接合材料35不会腐蚀，因此可以防止封装件9的气密性下降。 
(振荡器) 
接下来，参照图13说明本发明所涉及的振荡器的一个实施方式。 
本实施方式的振荡器100如图13所示，将压电振动器1构成为电连接至集成电路101的振子。该振荡器100具备安装了电容器等的电子部件102的基板103。在基板103安装有振荡器用的上述集成电路101，在该集成电路101的附近安装有压电振动器1。这些电子部件102、集成电路101及压电振动器1通过未图示的布线图案分别电连接。此外，各构成部件通过未图示的树脂来模制(mould)。 
在这样构成的振荡器100中，对压电振动器1施加电压时，该压电振动器1内的压电振动片4振动。通过压电振动片4所具有的压电特性，将该振动转换为电信号，以电信号方式输入至集成电路101。 通过集成电路101对输入的电信号进行各种处理，以频率信号的方式输出。从而，压电振动器1作为振子起作用。 
此外，根据需求有选择地设定集成电路101的结构，例如RTC(实时时钟)模块等，能够附加钟表用单功能振荡器等的功能之外，还能附加控制该设备或外部设备的工作日期或时刻，或者提供时刻或日历等的功能。 
如上所述，根据本实施方式的振荡器100，由于包括基底基板2与盖基板3被可靠地阳极接合，可靠地确保空腔C内的气密，成品率提高的高质量的压电振动器1，因此振荡器100本身也同样稳定地确保导通性，可以提高工作的可靠度，谋求高质量化。并且除此之外，可以得到长期稳定的高精度的频率信号。 
(电子设备) 
接着，参照图14，就本发明的电子设备的一个实施方式进行说明。此外作为电子设备，举例说明了具有上述压电振动器1的便携信息设备110。 
最初本实施方式的便携信息设备110为例如以便携电话为首的，发展并改良了现有技术中的手表的设备。外观类似于手表，在相当于文字盘的部分配置液晶显示器，能够在该画面上显示当前的时刻等。此外，在用作通信机时，从手腕取下，通过内置于表带的内侧部分的扬声器及麦克风，可进行与现有技术的便携电话同样的通信。但是，与现有的便携电话相比，明显小型且轻量。 
下面，对本实施方式的便携信息设备110的结构进行说明。如图14所示，该便携信息设备110具备压电振动器1和供电用的电源部111。电源部111例如由锂二次电池构成。进行各种控制的控制部112、进行时刻等的计数的计时部113、与外部进行通信的通信部114、显示各种信息的显示部115、和检测各功能部的电压的电压检测部116与该电源部111并联连接。而且，通过电源部111来对各功能部供电。 
控制部112控制各功能部，进行声音数据的发送及接收、当前时 刻的测量或显示等的整个系统的动作控制。此外，控制部112具备预先写入程序的ROM、读取写入到该ROM的程序并执行的CPU、和作为该CPU的工作区使用的RAM等。 
计时部113具备压电振动器1和内置了振荡电路、寄存器电路、计数器电路及接口电路等的集成电路。对压电振动器1施加电压时压电振动片4振动，通过水晶所具有的压电特性，该振动转换为电信号，以电信号的方式输入到振荡电路。振荡电路的输出被二值化，通过寄存器电路和计数器电路来计数。然后，通过接口电路，与控制部112进行信号的发送与接收，在显示部115显示当前时刻或当前日期或者日历信息等。 
通信部114具有与传统的便携电话相同的功能，具备无线电部117、声音处理部118、切换部119、放大部120、声音输入/输出部121、电话号码输入部122、来电音发生部123及呼叫控制存储器部124。 
通过天线125，无线电部117与基站进行收发声音数据等各种数据的交换。声音处理部118对从无线电部117或放大部120输入的声音信号进行编码及解码。放大部120将从声音处理部118或声音输入/输出部121输入的信号放大到既定电平。声音输入/输出部121由扬声器或麦克风等构成，扩大来电音或受话声音，或者将声音集音。 
此外，来电音发生部123响应来自基站的呼叫而生成来电音。切换部119仅在来电时，通过将连接在声音处理部118的放大部120切换到来电音发生部123，在来电音发生部123中生成的来电音经由放大部120输出至声音输入/输出部121。 
此外，呼叫控制存储器部124存放与通信的呼叫及来电控制相关的程序。此外，电话号码输入部122具备例如0至9的号码键及其它键，通过按压这些号码键等，输入通话目的地的电话号码等。 
电压检测部116在通过电源部111对控制部112等的各功能部施加的电压小于既定值时，检测其电压降后通知控制部112。这时的既定电压值是作为使通信部114稳定动作所需的最低限的电压而预先设 定的值，例如，3V左右。从电压检测部116收到电压降的通知的控制部112禁止无线电部117、声音处理部118、切换部119及来电音发生部123的动作。特别是，停止耗电较大的无线电部117的动作是必需的。而且，显示部115显示通信部114由于电池余量的不足而不能使用的提示。 
即，通过电压检测部116和控制部112，能够禁止通信部114的动作，并在显示部115做提示。该显示可为文字消息，但作为更加直观的显示，也可以在显示于显示部115的显示面的上部的电话图标打“×(叉)”标记。 
此外，通过具备能够有选择地截断与通信部114的功能相关的部分的电源的电源截断部126，能够更加可靠地停止通信部114的功能。 
如上所述，根据本实施方式的便携信息设备110，由于包括基底基板2与盖基板3被可靠地阳极接合，可靠地确保空腔C内的气密，成品率提高的高质量的压电振动器1，因此便携信息设备本身也同样稳定地确保导通性，可以提高工作的可靠度，谋求高质量化。并且除此之外，可以显示长期稳定的高精度的时钟信息。 
(电波钟) 
接着，参照图15，就本发明的电波钟的一个实施方式进行说明。 
如图15所示，本实施方式的电波钟130具备电连接到滤波部131的压电振动器1，是接收包含时钟信息的标准电波，并具有自动修正为正确的时刻并加以显示的功能的钟表。 
在日本国内，在福岛县(40kHz)和佐贺县(60kHz)有发送标准电波的发送站(发送局)，分别发送标准电波。40kHz或60kHz这样的长波兼有沿地表传播的性质和在电离层和地表一边反射一边传播的性质，因此其传播范围宽，且由上述的两个发送站覆盖整个日本国内。 
以下，对电波钟130的功能性结构进行详细说明。 
天线132接收40kHz或60kHz长波的标准电波。长波的标准电波 将被称为定时码的时刻信息AM调制为40kHz或60kHz的载波。所接收的长波的标准电波由放大器133放大，由具有多个压电振动器1的滤波部131滤波并调谐。本实施方式中的压电振动器1分别具备与上述载波频率相同的40kHz及60kHz的谐振频率的水晶振动器部138、139。 
而且，滤波后的既定频率的信号通过检波、整流电路134来检波并解调。接着，经由波形整形电路135而抽出定时码，由CPU136计数。在CPU136中，读取当前的年、累积日、星期、时刻等的信息。被读取的信息反映于RTC137，显示出准确的时刻信息。 
由于载波为40kHz或60kHz，所以水晶振动器部138、139优选具有上述的音叉型结构的振动器。 
此外，虽然上述的说明由日本国内的示例表示，但长波的标准电波的频率在海外是不同的。例如，在德国使用77.5KHz的标准电波。所以，在将即使在海外也能够对应的电波钟130装入便携设备的情况下，还需要与日本的情况不同的频率的压电振动器1。 
如上所述，根据本实施方式的电波钟130，由于包括基底基板2与盖基板3被可靠地阳极接合，可靠地确保空腔C内的气密，成品率提高的高质量的压电振动器1，因此电波钟本身也同样稳定地确保导通性，可以提高工作的可靠度，谋求高质量化。并且除此之外，可以长期稳定地高精度对时刻进行计数。 
另外，本发明的技术范围不限于上述实施方式，包括在不脱离本发明内容的范围内，对上述实施方式施加的各种变更。即，实施方式所例举的具体材料或层结构等不过是一个例子，可以进行适当变更。 
例如，在上述实施方式中，作为接合材料的材料采用Si膜，但也可以采用Al。此时，通过使用本发明所涉及的封装件的制造方法，可以可靠地将接合材料与基底基板用圆片之间阳极接合。另外，若采用Al作为接合材料的材料，则可以将配置在盖基板的凹部的底面的接合材料用作吸气材料。这种情况下，由于不必形成与接合材料不同 的吸气材料，因此可以降低制造成本。 
另外，在上述实施方式中，采用Al或者Si作为接合辅助材料，但也可以采用Cr或者碳。在采用Cr或者碳时，即使在阳极接合工序中在接合辅助材料与第一基板之间产生阳极接合反应，接合辅助材料与第一基板也不会接合。因此，可以省略接合辅助材料去除工序。 
另外，在上述实施方式中，通过在盖基板用圆片的内表面形成接合材料，之后在盖基板用圆片的外表面配置成为阳极的接合辅助材料，在基底基板用圆片的外表面配置阴极并施加电压，将接合材料与基底基板用圆片的内表面之间阳极接合，但与其相反，也可以通过在基底基板用圆片的内表面形成接合材料，之后在基底基板用圆片的外表面配置成为阳极的接合辅助材料，在盖基板用圆片的外表面配置阴极并施加电压，将接合材料与盖基板用圆片的内表面之间阳极接合。 
另外，在上述实施方式中，使用本发明的封装件的制造方法，在封装件的内部封入压电振动片来制造压电振动器，但也可以在封装件的内部封入压电振动片以外的物体，来制造压电振动器以外的器件。 

Claims (10)

1.一种封装件的制造方法，通过将预先固接在由绝缘体制成的第一基板的内表面的接合材料和由绝缘体制成的第二基板的内表面阳极接合，来制造封装件，其特征在于，
具有阳极接合工序，在所述第一基板的外表面配置成为阳极的接合辅助材料，在所述第二基板的外表面配置阴极并施加电压；
所述接合辅助材料由在所述阳极接合工序中、在所述接合辅助材料与所述第一基板之间产生阳极接合反应的材料形成。
2.根据权利要求1所述的封装件的制造方法，其特征在于，
所述接合材料由Al、Si膜或者Si块材料形成。
3.根据权利要求1或2所述的封装件的制造方法，其特征在于，
所述接合材料由Si膜形成。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的封装件的制造方法，其特征在于，
所述接合辅助材料由Al、Si块材料、Cr或者C形成。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的封装件的制造方法，其特征在于，
所述接合辅助材料是铝箔。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的封装件的制造方法，其特征在于，
在所述阳极接合工序之后具有去除所述接合辅助材料的工序。
7.一种压电振动器的制造方法，其特征在于，
在使用权利要求1至6中任一项所述的封装件的制造方法而制造的所述封装件的内部，通过将压电振动片真空密封，制造压电振动器。
8.一种振荡器，其特征在于，由权利要求7所述的制造方法制造的压电振动器作为振子与集成电路电连接。
9.一种电子设备，其特征在于，由权利要求7所述的制造方法制造的压电振动器与计时部电连接。
10.一种电波钟，其特征在于，由权利要求7所述的制造方法制造的压电振动器与滤波部电连接。
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