JP2008035276A - 圧電発振器の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】電磁的なシールド機能を有する圧電発振器を効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】マトリクス状に配置された複数個の発振用ＩＣ２を有するウエハ２０ａと、発振用ＩＣ２と一対一に対応する封止空間１３が形成されるようにしてウエハ２０ａと接合されるマスター基板２０ｂと、封止空間１３に収容される圧電振動子３と、を含んでなる部品集合基板２０を準備する。部品集合基板２０を粘着シート２１に貼着した状態で発振用ＩＣ間の境界に沿って切断することにより個片を得る。個片の外表面に蒸着により金属膜１４を形成した後、粘着シートと個片とを剥離する。
【選択図】図４

Description

本発明は、温度補償型水晶発振器などの圧電発振器の製造方法に関するものである。

従来より、携帯用通信機器等の電子機器に組み込まれるタイミングデバイスとして圧電発振器が使用されている。

かかる従来の圧電発振器として、例えば、図５に示す温度補償型水晶発振器が知られている（例えば、特許文献１参照。）。この温度補償型水晶発振器は、第１の容器体３１と第２の容器体３３とを積み重ねた構造を有しており、第１の容器体３１には水晶振動子（図示せず）が収容され、第２の容器体３３には水晶振動子の発振出力を制御するための発振用ＩＣ３２が搭載されている。

このような従来の圧電発振器は、以下のようにして製造される。まず、第１、第２の容器体の主要部を構成する絶縁基板をいわゆる“多数個取り”の手法により製作する。具体的には大型の絶縁基板を用意し、それを分割することにより第１、第２の容器体に対応した複数個の絶縁基板を得る。その後、第１の容器体３１となる絶縁基板に水晶振動子を搭載し、これを封止する。一方、複数個の発振用ＩＣを有するウエハを分割することにより個々の発振用ＩＣ３２を準備しておき、これを第２の容器体３３に搭載する。最後に、第１の容器体３１と第２の容器体３３とを接合することにより製品としての圧電発振器が完成する。
特開平１０−９８１５１号公報

しかしながら上述した製造方法では、第１の容器体に水晶振動子を収容する作業を行う際、複数個の第１の容器体をキャリア等で保持しておく必要がある。第２の容器体についても同様に、発振用ＩＣを搭載する際、複数個の第２の容器体をキャリア等で保持しておく必要がある。このように従来の圧電発振器の製造方法では、第１、第２の容器体を一個一個キャリアで保持しておく必要があるため、組み立て作業が煩雑である上に、キャリア等の製造設備が別途必要になり、圧電発振器の生産性を向上させることが困難であった。

また、圧電発振器の小型化が進むにつれ圧電発振器に搭載される水晶振動子や発振用ＩＣが外部からのノイズの影響を受け易くなってきており、電磁的なシールド機能を有する圧電発振器を効率よく作製する方法が望まれていた。

本発明は上記問題に鑑み案出されたものであり、その目的は、電磁的なシールド機能を有する圧電発振器を効率よく製造する方法を提供することにある。

本発明は、マトリクス状に配置された複数個の発振用ＩＣを有するウエハと、前記発振用ＩＣと一対一に対応する封止空間が形成されるようにして前記ウエハと接合されるマスター基板と、前記封止空間に収容される圧電振動子と、を含んでなる部品集合基板を準備する工程Ａと、前記部品集合基板を粘着シートに貼着した状態で前記発振用ＩＣ間の境界に沿って切断することにより個片を得る工程Ｂと、前記個片の外表面に蒸着により金属膜を形成した後、前記粘着シートと前記個片とを剥離する工程Ｃとを含む圧電発振器の製造方法である。

また本発明の圧電発振器の製造方法は、前記工程Ｃにおいて、前記粘着シートを外方に引き伸すことにより隣接する個片間の距離を大きくした後、蒸着を行うことを特徴とするものである。

また本発明の圧電発振器の製造方法は、前記部品集合基板に接地導体を設けるとともに、前記工程Ｂにおける切断により前記個片の外表面に前記接地導体を露出させ、前記工程Ｃにおいて、前記接地導体の露出部に前記金属膜を被着させたことを特徴とするものである。

また本発明の圧電発振器の製造方法は、前記部品集合基板の前記粘着シートへ貼着される側の主面には、各個片領域ごとに外部端子が設けられており、前記工程Ｂにおいて、前記外部端子が前記粘着シートに埋設されるように貼着を行うことを特徴とするものである。

また本発明の圧電発振器の製造方法は、前記蒸着がＰＶＤ法により行われることを特徴とするものである。

本発明の圧電発振器の製造方法では、複数個の発振用ＩＣを有するウエハごとマスター基板に接合し、その後、分割を行うようにしている。すなわち、従来のように発振用ＩＣを一個一個容器体に搭載するのではなく、複数個の発振用ＩＣについて一括的に搭載作業を行うため生産性を飛躍的に向上させることができる。また部品集合基板を分割して得られる複数個の個片を粘着シートに貼着した状態で蒸着を行うことにより、複数個の個片に対し一括的に金属膜を形成することができ、電磁的なシールド機能を有した圧電発振器の生産性を向上させることができる。

また工程Ｃにおいて粘着シートを外方に引き伸ばすことにより隣接する個片間の距離を大きくしておくことにより、個片の側面（切断面）に対しても良好な状態で金属膜を形成することができる。

また前記部品集合基板に接地導体を設けるとともに、工程Ｂにおける切断により前記個片の外表面に前記接地導体を露出させ、工程Ｃにおいて、前記接地導体の露出部に前記金属膜を被着させておくことにより、電磁的なシールド効果を高めることができる。

また前記部品集合基板の前記粘着シートへ貼着される側の主面に、各個片領域ごとに外部端子を設け、工程Ｂにおいて、前記外部端子が前記粘着シートに埋設されるように貼着を行うにより、外部端子と金属膜との不要な短絡を防止することができる。

また蒸着をＰＶＤ法により行うことにより、蒸着時、比較的低温に保つことができるため発振用ＩＣ等への熱によるダメージを低減することができる。

以下、本発明を添付図面に基づいて詳細に説明する。なお、本実施形態では圧電発振器の一種である温度補償型水晶発振器を例に説明する。

図１は本発明の製造方法により作製された温度補償型水晶発振器の分解斜視図、図２は図１の温度補償型水晶発振器の断面図である。同図に示す温度補償型水晶発振器は、支持基板１、発振用ＩＣ２、圧電振動子としての水晶振動子３、並びに金属膜１４とから主に構成されている。

支持基板１は、例えば、平板状の絶縁層１ａ、１ｂ上に枠状の絶縁層１ｃ、１ｄを積層することにより形成され、上面側の中央域に凹部を有した構造となっている。かかる支持基板１は、その表面や内部に配線導体４及びビアホール導体５が形成されている。また、支持基板１の下面には複数個の外部端子６が設けられている。本実施形態においては支持基板１の下面四隅に配される４個の外部端子６が設けられており、それぞれ電源電圧端子、グランド端子、発振出力端子、発振制御端子として機能する。これらの外部端子６は、温度補償型水晶発振器をマザーボード（図示せず）等の外部電気回路に搭載する際、半田付け等によって外部電気回路の回路配線と電気的に接続されることとなる。

なお、絶縁層１ａ〜１ｄは、ガラス−セラミック、アルミナセラミックス等のセラミック材料や樹脂等の有機材料から形成されている。

支持基板１の上面側に設けられた凹部内には、水晶振動子３が収容されている。水晶振動子３は、所定の結晶軸でカットした水晶片の両主面に一対の振動電極を被着することにより形成され、外部からの変動電圧が一対の振動電極を介して水晶片に印加されると、所定の周波数で厚みすべり振動を起こすようになっている。また、凹部底面（絶縁層１ｂの上面）には一対の搭載パッドが設けらており、この搭載パッドと水晶振動子３の主面に形成した振動電極とが導電性の接続部材を介して電気的・機械的に接続されることにより水晶振動子３が支持基板１に搭載されている。

更に枠状の絶縁層１ｄの上面には、その外周側に基板側封止用導体７が、内周側に複数個の接続パッド８が、それぞれ形成されている。これらは後述するＩＣ側封止用導体９、電極パッド１０と接続されるものである。

支持基板１上には、凹部を塞ぐようにしてフリップチップ型の発振用ＩＣ２が配置されている。すなわち、発振用ＩＣ２が蓋体としての役割を果たしている。このように支持基板１上に配置される水晶振動子３の収容領域を発振用ＩＣ２で塞ぐように構成することで、従来のように水晶振動子を収容する容器体と発振用ＩＣを搭載する容器体とを重ねるようにした構造に比し、圧電発振器を低背・小型化することができる。この発振用ＩＣ２は、単結晶シリコン等から成る半導体基板の下面に、周囲の温度状態を検知する感温素子（サーミスタ）、水晶振動子３の温度特性を補償する温度補償データを格納するメモリ、温度補償データに基づいて水晶振動子３の振動特性を温度変化に応じて補正する温度補償回路、該温度補償回路に接続されて所定の発振出力を生成する発振回路等の電子回路が設けられており、発振回路で生成された発振出力は、外部に出力された後、クロック信号等の基準信号として利用されることとなる。

なお発振用ＩＣ２は、単結晶シリコンのインゴットを所定厚みにスライスしてシリコンウエハを得、その一主面に従来周知の半導体製造技術によって発振用ＩＣ２の一個分の領域ごとに発振回路等の電子回路を形成した後、ウエハを分割することによって得られる。また、発振用ＩＣ２と支持基板１とは平面視して略同一の大きさになるように形成されている。

発振用ＩＣ２の下面には、図３に示すように、下面外周縁に沿って環状に形成されたＩＣ側封止用導体９が設けられている。またＩＣ側封止用導体１３の内側には複数個の電極パッド１０が形成されている。

ＩＣ側封止用導体９は、先に述べた基板側封止用導体７と略同形状をなすようにして形成され、封止部材１１を介して接続されている。これにより、発振用ＩＣ２と支持基板１との間に設けられる封止空間１３、具体的には、発振用ＩＣ２の下面、凹部の内面によって囲まれた水晶振動子３の収納領域が気密封止されることとなる。封止空間１３には、水晶振動子３等の電気的特性を安定させるため不活性ガスが充填されている。

封止部材１１としては、ＡｕやＡｕ−Ｓｎ合金、半田等の金属から成るロウ材が好適に用いられる。ここで、基板側封止用導体７をグランド用の外部端子６と電気的に接続することにより、基板側封止用導体７、封止部材１１、及びＩＣ側封止用導体９をグランド電位に保持することができる。これにより、温度補償型水晶発振器の使用時、水晶振動子３が収容されている封止空間１３や発振用ＩＣ２の回路形成面（発振用ＩＣ２の下面）がグランド電位に保持された導体で囲まれた状態となり、封止空間１１内に侵入しようとする外部からのノイズが低減され、発振用ＩＣ２や封止空間１１内の水晶振動子３をより安定して動作させることができる。したがって、基板側封止用導体７をグランド用の外部端子６と電気的に接続しておくことが好ましい。

一方、電極パッド１０は、絶縁層１ｄの上面に設けた接続パッド８と一対一に対応するように形成されており、対応するもの同士が導電性接合材１２を介して電気的に接続している。導電性接合材１２としては、ＡｕやＡｕ−Ｓｎ合金、半田等の金属から成るロウ材が好適に用いられる。導電性接合材１２と先に述べた封止部材１１とを同一のロウ材で形成するようにすれば、両者を同一の工程で形成した上、同一の工程でロウ付けすることができ、温度補償型水晶発振器の生産性を向上させることができる。したがって、導電性接合材１２と封止部材１１とは同一のロウ材により形成することが好ましい。

支持基板１に発振用ＩＣ２を接合してなる温度補償型水晶発振器本体の上面及び側面には、金属膜１４が被着されている。この金属膜１４により外部からのノイズを良好に遮蔽することができ、温度補償型水晶発振器の動作信頼性を高く維持することが可能となる。金属膜１４は温度補償型水晶発振器本体に直接被着される第１金属膜１４ａと第１金属膜１４ａに被着される第２金属膜１４ｂとから構成されている。第１金属膜１４ａは、支持基板１及び発振用ＩＣ２への接着性が良い金属材料が選択され、例えば、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔｉ等が用いられる。なお第１金属膜１４ａの厚みは、例えば０．０１〜２０μｍに設定される。一方、第２金属膜１４ｂは、電磁的なシールド効果が高い金属材料が選択され、例えば、Ａｌ、Ｎｉ＋Ａｕ、Ｎｉ＋Ｃｒ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｓｉ_３Ｎ_４等が用いられる。なお、第２金属膜１４ｂの厚みは、例えば、０．０１〜２０μｍに設定される。第１金属膜１４ａを支持基板１等に設けた接地導体と電気的に接続しておけば、温度補償型水晶発振器の使用時、その全体がグランド電位に保持された導体で覆われた状態となり、外部からのノイズを有効に遮蔽できるため、温度補償型水晶発振器の動作信頼性をより高く維持することができる。したがって、第１金属膜１４ａは支持基板１等に設けた接地導体と電気的に接続されていることが好ましい。本実施形態においては、封止部材１１が接地導体となっているため、第１金属膜１４ａを封止部材１１に被着させている。封止部材１１は、環状に形成されていることから第１金属膜１４ａとの接触面積が多く、より確実に第１金属膜１４ａをグランド電位に保持させておくことができる。

次に、上述した温度補償型水晶発振器の製造方法について図４を用いて説明する。

（工程Ａ）
初めに、図４（ａ）に示すように、マトリクス状に配置された複数個の発振用ＩＣ２を有するウエハ２０ａと、発振用ＩＣ２と一対一に対応する封止空間１３が形成されるようにしてウエハ２０ａと接合されるマスター基板２０ｂと、封止空間１３に収容される圧電振動子３と、を含んでなる部品集合基板２０を準備する。

ウエハ２０ａは、単結晶シリコンのインゴットを所定厚みにスライスして得られるシリコン基板の一主面に従来周知の半導体製造技術により、発振回路等の電子回路を形成することによって製作される。電子回路は、縦ｍ列×横ｎ行（ｍ，ｎは２以上の自然数）のマトリクス状に配置された発振用ＩＣ２となる領域（図のａ−ａ’線で区画される領域。以下ＩＣ領域という。）ごとに形成される。ウエハ２０ａの下面にはＩＣ領域ごとに、ＩＣ側封止導体９と電極パッド１０が形成されている。ＩＣ側封止導体９は、Ａｇ，Ｃｕ，Ａｕ，Ｗ等の金属材料からなり、ＩＣ領域の外周縁に沿って環状に形成されている。電極パッド１０は、ＩＣ側封止導体９と同様の金属材料からなり、ＩＣ側封止導体９の内側に複数個形成されている。

一方、ウエハ２０ａと接合されるマスター基板２０ｂは、ガラス−セラミック、アルミナセラミックス等のセラミック材料から成り、ＩＣ領域と対応する領域（以下、基板領域という。）ごとに凹部が形成されている。また、マスター基板２０ｂの上面には基板領域ごとに基板側封止導体７と接続パッド８が形成されている。基板側封止導体７は、Ａｇ，Ｃｕ，Ａｕ，Ｗ等の金属材料からなり、ＩＣ側封止導体９と略同一の形状となるように基板領域の外周縁に沿って環状に形成されている。また接続パッド８は、基板側封止導体７と同様の金属材料からなり、電極パッド１０と対向する位置に形成される。

ＩＣ側封止導体９と基板側封止導体７とは封止部材１１を介して接続され、電極パッド１０と接続パッド８とは導電性接合材１２を介して接続されている。

またマスター基板２０ｂの下面には基板領域ごとに外部端子６が形成され、内部には配線導体４及びビアホール導体５が形成されている。

このようなマスター基板２０ｂは、アルミナセラミックス等から成るセラミック材料粉末に適当な有機溶剤等を添加・混合して得たセラミックグリーンシートの表面等に外部端子６、配線導体４となる導体ペーストを所定パターンに印刷・塗布するとともに、これを複数枚積層してプレス成形した後、高温で焼成することによって製作される。

マスター基板２０ｂの各基板領域に形成されている凹部の内壁面とウエハ２０ａの下面とで囲まれる封止空間１３には圧電振動子としての水晶振動子３が収容されている。水晶振動子３は、所定の結晶軸でカットした水晶片の両主面に一対の振動電極を被着することにより形成され、外部からの変動電圧が一対の振動電極を介して水晶片に印加されると、所定の周波数で厚みすべり振動を起こすようになっている。また、凹部底面には一対の搭載パッドが設けらており、この搭載パッドと水晶振動子３の主面に形成した振動電極とを導電性の接続部材により接続することにより水晶振動子３がマスター基板２０ｂの各基板領域に搭載されることとなる。水晶振動子３の搭載作業を従来のように個々の容器体に対して行うのではなく、マスター基板２０ｂの状態で行うことにより、マスター基板２０ｂ自体がキャリアとして機能し、別途キャリア部材を用意する必要がなく圧電発振器の生産性を向上させることができる。水晶振動子３をマスター基板２０ｂの各基板領域に搭載した後、ウエハ２０ａをマスター基板２０ｂに接合することによって部品集合基板２０が完成する。このように複数個の発振用ＩＣ２を有するウエハ２０ａごとマスター基板に接合しするようにしている。すなわち、従来のように発振用ＩＣを一個一個容器体に搭載するのではなく、複数個の発振用ＩＣについて一括的に搭載作業を行うため生産性を飛躍的に向上させることができる。

（工程Ｂ）
次に図４（ｂ）に示すように、部品集合基板２０を粘着シート２１に貼着した状態で発振用ＩＣ間の境界ａ−ａ’に沿って切断することにより個片を得る。

粘着シート２１は、部品集合基板２０を切断する際、個片が飛散しないようにしておくためのものであり、例えば、塩化ビニル、ポリオフィレン、ポリプロピレン、ポリエステル等からなる基材の表面にプレポリマー、モノマー、光重合開始剤、添加剤等からなる合成樹脂を被着形成したものが使用される。部品集合基板２０を粘着シート２１に貼着する際、部品集合基板２０の下面の各基板領域に設けられている外部端子６を粘着シート２１に埋設するようにしておけば、後述する工程Ｃにおいて金属膜１４を形成したときに、外部端子６と金属膜１４との不要な短絡を防止することができる。したがって、外部端子６は粘着シート２１に埋設されていることが好ましい。

部品集合基板２０の切断は、例えば、ダイシングブレード２２により行われる。ダイシングブレード２２を用いて切断を行う場合、粘着シート２１の粘着力は、３〜３０（Ｎ／２０ｍｍ）に設定しておくことが好ましく、より好ましくは７〜１５（Ｎ／２０ｍｍ）である。この粘着シート２１は後述する工程Ｃにおいて剥離することとなるため、剥離の際、粘着力を低下させることができるものが使用され、例えば、上記材料からなる粘着シート２１は、紫外線の照射により粘着力が低下するようになっている。

（工程Ｃ）
最後に図４（ｃ）に示すように、個片の外表面に蒸着により金属膜１４を形成した後、粘着シート２１と個片とを剥離する。

金属膜１４は、第１金属膜１４ａと第２金属膜１４ｂの２層構造となっており、第１金属膜１４ａは個片の外表面に直接被着され、第２金属膜１４ｂは第１金属膜１４ａの外表面に被着されている。

本発明のように蒸着により金属膜１４を形成する場合、個片間の距離を６０μｍ以上にしておくことが好ましい。個片間の距離が６０μｍより小さいと、蒸着時、金属が個片間に入り込みずらくなり、個片側面において金属膜１４の形成されない領域が多くなり電磁的なシールド機能の低下を招く。逆に個片間の距離を６０μｍ以上にしておけば、個片の側面にも確実に金属膜１４を形成することができ、電磁的なシールド機能をより確実なものとすることができる。個片間の距離は、ダイシングブレード２２の厚みによって調整することができる。また厚みの薄いダイシングブレード２２を用いた場合等において、より確実に個片間の距離を広げるためには、図４（ｃ）に示すように粘着シート２１に力Ｆを加え、粘着シート２１を外方に引き伸ばせばよい。

金属膜１４は、まず第１金属膜１４ａの形成から行われる。かかる第１金属膜１４ａの材料としては、個片に対し接着性が高く維持されるものが選択され、例えば、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔｉが好適に用いられる。このような金属材料を従来周知の蒸着法によって個片の上面及び側面に蒸着することより第１金属膜１４ａが形成される。蒸着法としては、比較的低温で行うことができるＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）法が好ましく、例えば、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティングが採用できる。第１金属膜１４ａの厚みは、例えば、０．０１〜２０μｍに設定される。個片に対し接着性の高い第１金属膜１４ａを形成しておくことにより、第１金属膜１４ａに被着される第２金属膜１４ｂの接着性を高く維持することができる。

次に第２金属膜１４ｂの形成を行う。かかる第２金属膜１４ｂの材料としては、電磁的な遮蔽効果に優れたものが選択され、例えば、Ａｌ、Ｎｉ＋Ａｕ、Ｎｉ＋Ｃｒ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｓｉ_３Ｎ_４が好適に用いられる。このような金属材料を第１金属膜１４ａの外表面に対し、第１金属膜１４ａと同様の蒸着法を用いて蒸着を行うことにより第２金属膜１４ｂが形成される。第２金属膜１４ｂの厚みは、例えば、０．０１〜２０μｍに設定される。

このように部品集合基板２０を分割して得られる個片を粘着シート２１に貼着した状態で蒸着を行うことにより、複数個の個片に対し一括的に金属膜１４を形成することができ、電磁遮蔽機能を有する温度補償型水晶発振器を効率よく作製することができる。

金属膜１４を形成した後、粘着シート２１と個片とを剥離する。粘着シート２１と個片との剥離作業を行う前に、粘着シート２１に紫外線を照射し粘着シート２１の粘着力を低下させておく。これにより個片と粘着シート２１との接着力が弱まり、粘着シート２１と個片との剥離を効率よく且つ確実に行うことができる。このときの粘着シート２１の粘着力は、０．１〜１．５（Ｎ／２０ｍｍ）の範囲にしておくことが好ましい。粘着シート２１に紫外線を照射した後、個片をピックアップすることにより粘着シート２１から剥離する。

以上の工程Ａ〜工程Ｃを経て、電磁的なシールド機能を有する温度補償型水晶発振器が完成する。

なお、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。

例えば、上述した実施形態においては、水晶振動子３を支持基板１の凹部底面に搭載するようにしたが、これに代えて、水晶振動子３を発振用ＩＣ２に搭載するようにしても構わない。

また上述した実施形態においては、支持基板１に凹部を形成し、この凹部を水晶振動子３の収容領域としたが、これに代えて、上面が平面状の支持基板１を用い、導電性接合材７や封止部材８の厚みにより収容領域を確保するようにしてもよい。

また上述した実施形態においては、封止導体１１を接地導体とし、封止導体１１に金属膜１４を被着させたが、封止導体１１に限らず他の接地導体に金属膜１４を被着するようにしてもよい。例えば、接地された配線導体４を支持基板１の側面に露出させておき、配線導体４の露出部に金属膜１４を被着するようにしてよい。

また上述した実施形態においては、圧電振動子として水晶振動子３を用いた温度補償型水晶発振器を例にとって説明したが、これに代えて、圧電振動子として弾性表面波フィルタ等の他の圧電振動子を用いる場合にも本発明は適用可能である。

本発明の一実施形態に係る圧電発振器（温度補償型水晶発振器）を示す分解斜視図である。 図１の温度補償型水晶発振器の断面図である。 図１の温度補償型水晶発振器に用いられる発振用ＩＣを下面より見た平面図である。 本発明の圧電発振器の製造方法を説明するための断面図である。 従来の圧電発振器の分解斜視図である。

符号の説明

１・・・支持基板
２・・・発振用ＩＣ
３・・・圧電振動子（水晶振動子）
４・・・配線導体
５・・・ビアホール導体
６・・・外部端子
７・・・基板側封止用導体
８・・・接続パッド
９・・・ＩＣ側封止用導体
１０・・・電極パッド
１１・・・封止部材
１２・・・導電性接合材
１３・・・封止空間
１４・・・金属膜
１５・・・搭載パッド
２０・・・部品集合基板
２１・・・粘着シート

Claims (5)

1. マトリクス状に配置された複数個の発振用ＩＣを有するウエハと、
   前記発振用ＩＣと一対一に対応する封止空間が形成されるようにして前記ウエハと接合されるマスター基板と、
   前記封止空間に収容される圧電振動子と、を含んでなる部品集合基板を準備する工程Ａと、
   前記部品集合基板を粘着シートに貼着した状態で前記発振用ＩＣ間の境界に沿って切断することにより個片を得る工程Ｂと、
   前記個片の外表面に蒸着により金属膜を形成した後、前記粘着シートと前記個片とを剥離する工程Ｃと、を含む圧電発振器の製造方法。
2. 前記工程Ｃにおいて、前記粘着シートを外方に引き伸すことにより隣接する個片間の距離を大きくした後、蒸着を行うことを特徴とする請求項１に記載の圧電発振器の製造方法。
3. 前記部品集合基板に接地導体を設けるとともに、前記工程Ｂにおける切断により前記個片の外表面に前記接地導体を露出させ、前記工程Ｃにおいて、前記接地導体の露出部に前記金属膜を被着させたことを特徴とする請求項１に記載の圧電発振器の製造方法。
4. 前記部品集合基板の前記粘着シートへ貼着される側の主面には、各個片領域ごとに外部端子が設けられており、前記工程Ｂにおいて、前記外部端子が前記粘着シートに埋設されるように貼着を行うことを特徴とする請求項１に記載の圧電発振器の製造方法。
5. 前記蒸着がＰＶＤ法により行われることを特徴とする請求項１に記載の圧電発振器の製造方法。

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