CN101990585B - 成膜装置 - Google Patents

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Abstract

一种成膜装置包括：成膜室(11)，在真空中将希望的膜成膜在基板(W)上；放入取出室(13)，经由第一开闭部(25)被固定于所述成膜室(11)，并能将内部减压为真空气氛；第二开闭部(36)，设置在所述放入取出室(13)的、与设置有所述第一开闭部(25)的面相反的面上；以及托架(21)，以所述基板(W)的成膜面与重力方向大致平行的方式保持所述基板(W)，所述托架或所述基板(W)通过所述第二开闭部(36)被搬入、搬出所述放入取出室(13)，在所述放入取出室(13)中并列配置多个所述托架(21)，在所述放入取出室(13)与所述成膜室(11)之间所述多个托架(21)被并列地搬入或搬出，在所述成膜室(11)中对保持在所述多个托架(21)上的多个所述基板(W)同时进行成膜。

Description

成膜装置
技术领域
本发明涉及成膜装置。
本申请基于2008年6月6日申请的特愿2008-149938号主张优先权，在此援用其内容。
背景技术
现在的太阳能电池所使用的材料中，被单晶Si型和多晶Si型材料占据大半，人们担心Si的材料不足等。
因此，近年来，制造成本低且材料不足的风险小、形成有薄膜Si层的薄膜太阳能电池的需求升高。
进一步，在仅具有现有型a-Si(非晶硅)层的现有的薄膜太阳能电池的基础上，最近通过层积a-Si层与μc-Si(微晶硅)层而实现转换效率提高的叠层型薄膜太阳能电池的需求升高。
这种薄膜太阳能电池的薄膜Si层(半导体层)的成膜工序中，多使用等离子体CVD装置。作为等离子体CVD装置，已知有群集式PE-CVD(等离子体CVD)装置、线列型PE-CVD装置、批次式PE-CVD装置等。
如果考虑薄膜太阳能电池的转换效率，作为上述叠层型太阳能电池的μc-Si层的膜厚，与a-Si层相比较需要确保约5倍左右的膜厚(1.5μm左右)。另外，为了获得μc-Si层需要均匀地形成优质的微晶层，增加成膜速度来形成微晶层是有成膜工序的界限的。因此，例如要求增加批处理数，以使生产率提高。即，要求以低成膜速度且高生产能力实现成膜处理的装置。
另外，提出了能够形成高品质的薄膜、且以降低制造成本或维护成本为目的的CVD装置(例如，参考专利文献1)。专利文献1的CVD装置由基体(基板)接收发送装置、可收纳多个基体的成膜腔室群、移动用腔室、以及腔室移动装置构成。另外，在成膜腔室的成膜室出入口设置有具有气密性的挡板，移动用腔室的收纳室出入口总是开放的。而且，对基体实施成膜时，通过腔室移动装置移动用腔室移动到基体接收发送装置的位置，将基体托架移送到移动用腔室中。另外，通过腔室移动装置，接合移动用腔室与成膜腔室，使基体托架移动到成膜腔室中，并对基体进行成膜。
专利文献1：特开2005-139524号公报
但是，在专利文献1的CVD装置中，为了对基体进行薄膜Si层的成膜，在将移动用腔室与成膜腔室接合，并进行减压以使移动用腔室内为真空状态后，打开成膜腔室的挡板，从移动腔室向成膜腔室移送基体托架。然后，在成膜腔室内加热基体，通过等离子体CVD法对基体进行薄膜Si层的成膜。成膜结束后，冷却基体，并将基体向与成膜腔室不同的处理室搬送。因此，虽然能够同时对多个基体实施成膜，但是为了对基体进行薄膜Si层的成膜，除了用于对基体进行成膜的时间以外，还需要用于进行多个步骤的时间。因此，为了实现高生产能力需要增加CVD装置的设置台数。但是，如果考虑装置的设置面积或成本效益，实现高生产能力是有界限的。另外，由于将移动用腔室与成膜腔室接合之后需要对腔室内进行减压，因此有时会由接合部产生泄漏而导致减压所需的时间变长。另外，由于移动用腔室的数量与成膜腔室的数量相比少，因此托架的更换时间有时会对整个装置的运转率造成影响。
发明内容
因此，本发明有鉴于上述情况而产生，提供一种在生产率或制造成本方面优异、且能够实现高生产能力的成膜装置。
本发明的第一方式的成膜装置包括：成膜室，在真空中将希望的膜成膜在基板上；放入取出室，经由第一开闭部被固定于所述成膜室，并能对内部减压为真空气氛；第二开闭部，设置在所述放入取出室的、与设置有所述第一开闭部的面相反的面上；以及托架，以所述基板的成膜面与重力方向大致平行的方式保持所述基板。进一步，在本发明的第一方式的成膜装置中，所述托架或所述基板通过所述第二开闭部被搬入、搬出所述放入取出室，在所述放入取出室中并列配置多个所述托架，在所述放入取出室与所述成膜室之间所述多个托架被并列地搬入、搬出，在所述成膜室中对保持在所述多个托架上的多个所述基板同时进行成膜。
根据具有上述结构的成膜装置，在放入取出室中能够并列配置多个托架，并且能够将多个托架搬入成膜室或从成膜室搬出多个托架，能够对保持在所述多个托架上的多个基板同时进行成膜，因此能够提高生产效率。即、即使进行低成膜速度的处理时也能够实现高生产能力。
另外，通过在托架上以基板的成膜面与重力方向大致平行的方式保持基板，能够缩小基板在装置内移动所需的面积。因此，能够实现装置的小型化，并且能够在与现有相同的设置面积之中配置更多的装置。因此，能够增加可同时成膜的基板块数，能够提高生产率。另外，在基板的成膜面与重力方向大致平行地沿铅直方向竖立的状态下进行成膜时，能够抑制成膜时产生的颗粒堆积在基板的成膜面上。因此，能够对基板进行高品质的半导体层的成膜。
本发明的第二方式的成膜装置包括：成膜室，在真空中将希望的膜成膜在基板上；放入取出室，经由第一开闭部被固定于所述成膜室，并能将内部减压为真空气氛；以及基板装卸室，经由第二开闭部被固定于所述放入取出室，并对能够保持所述基板的托架装卸所述基板。进一步，在本发明的第二方式的成膜装置中，所述托架以所述基板的成膜面与重力方向大致平行的方式保持所述基板，在所述基板装卸室内并列配置多个所述托架，在所述基板装卸室与所述放入取出室之间所述多个托架被并列地搬入、搬出，在所述放入取出室与所述成膜室之间所述多个托架被并列地搬入、搬出，在所述成膜室中对保持在所述多个托架上的多个所述基板同时进行成膜。
根据具有上述结构的成膜装置，在基板装卸室和放入取出室中能够并列配置多个托架，并且能够将多个托架搬入成膜室或从成膜室搬出多个托架，能够对保持在所述多个托架上的多个基板同时进行成膜，因此能够提高生产效率。即、即使进行低成膜速度的处理时也能够实现高生产能力。
另外，通过在托架上以基板的成膜面与重力方向大致平行的方式保持基板，能够缩小基板在装置内移动所需的面积，因此能够实现装置的小型化，并且能够在与现有相同的设置面积之中配置更多的装置。因此，能够增加可同时成膜的基板块数，能够提高生产率。另外，在基板的成膜面与重力方向大致平行地沿铅直方向竖立的状态下进行成膜时，能够抑制成膜时产生的颗粒堆积在基板的成膜面上。因此，能够对基板进行高品质的半导体层的成膜。
优选地，在本发明的第二方式的成膜装置中，包括：多个流程模块，以所述基板装卸室、所述放入取出室、以及所述成膜室为一组；以及驱动机构，共用于多个所述基板装卸室，搬入、搬出所述基板。
根据具有上述结构的成膜装置，通过配置多个流程模块，能够进一步增加可同时成膜的基板的块数，因此即使在以低速率对基板进行成膜时，也能够实现高生产能力。此时，由于驱动机构进行基板装卸室与基板收纳盒之间的基板的传递，因此能够进一步提高生产效率。另外，由于装置作为流程模块被一体化，因此能够缩短在工厂等中构筑制造线时的装置的设置时间(制造线的启动时间)。进一步，进行成膜室的维护时，能够分别对每个流程模块进行维护，无需停止整个制造线。因此，能够将维护时的生产效率的下降抑制到最小限度。
优选地，在本发明的第二方式的成膜装置中，所述流程模块并列配置，所述驱动机构具有移动部。
根据具有上述结构的成膜装置，由于并列配置多个流程模块，因此能够进一步增加可同时成膜的基板的块数。因此，即使在以低速率对基板进行成膜时，也能够实现高生产能力。此时，由于进行基板装卸室与基板收纳盒之间的基板的传递的驱动机构通过移动部移动，因此能够由多个模块共用一台驱动机构，能够实现成本下降。另外，由于装置作为流程模块被一体化，因此能够缩短在工厂等中构筑制造线时的装置的设置时间(制造线的启动时间)。进一步，进行成膜室的维护时，能够分别对每个流程模块进行维护，无需停止整个制造线。因此，能够将维护时的生产效率的下降抑制到最小限度。
优选地，在本发明的第二方式的成膜装置中，所述流程模块被设置为从所述驱动机构放射状地延伸。
根据具有上述结构的成膜装置，驱动机构不通过移动部移动，就能够对多个流程模块进行基板的传递。因此，能够缩短驱动机构的动作时间，并缩短节拍时间。
优选地，在本发明的第一方式或第二方式的成膜装置中，包括多个由一个所述放入取出室与一个所述成膜室连接构成的流程模块。在该成膜装置中，所述流程模块并列配置。
根据具有上述结构的成膜装置，通过并列配置多个流程模块，能够进一步增加可同时成膜的基板的块数。因此，即使在以低速率对基板进行成膜时，也能够实现高生产能力。此时，通过由多个模块共用进行基板装卸室与基板收纳盒之间的基板的传递的驱动机构，能够实现成本下降。另外，由于装置作为流程模块被一体化，因此能够缩短在工厂等中构筑制造线时的装置的设置时间(制造线的启动时间)。进一步，进行成膜室的维护时，能够分别对每个流程模块进行维护，无需停止整个制造线。因此，能够将维护时的生产效率的下降抑制到最小限度。
优选地，在本发明的第一方式或第二方式的成膜装置中，包括由一个所述放入取出室与多个所述成膜室分别连接，所述多个成膜室并列配置的流程模块。
根据具有上述结构的成膜装置，安装在托架上的基板能够在放入取出室内移动。因此，在多个成膜室中分别供给不同的成膜材料的情况下，基板通过放入取出室在多个成膜室之间搬送，种类不同的成膜材料在基板上依次层积。据此，能够高效地对具有多层结构的基板进行成膜。
优选地，在本发明的第一方式或第二方式的成膜装置中，包括：流程模块，由一个所述放入取出室与一个所述成膜室连接构成；以及驱动机构，将所述基板搬入、搬出所述流程模块。在该成膜装置中，所述流程模块被设置为从所述驱动机构放射状地延伸。
根据具有上述结构的成膜装置，通过配置多个流程模块，能够进一步增加可同时成膜的基板的块数，因此即使在以低速率对基板进行成膜时，也能够实现高生产能力。此时，由于驱动机构进行基板装卸室与基板收纳盒之间的基板的传递，因此能够进一步提高生产效率。另外，由于装置作为流程模块被一体化，因此能够缩短在工厂等中构筑制造线时的装置的设置时间(制造线的启动时间)。进一步，进行成膜室的维护时，能够分别对每个流程模块进行维护，无需停止整个制造线。因此，能够将维护时的生产效率的下降抑制到最小限度。
另外，由于流程模块被设置为从驱动机构放射状地延伸，因此无需通过移动部移动驱动机构，就能够对多个流程模块进行基板的传递。因此，能够缩短驱动机构的动作时间，并缩短节拍时间。
优选地，在本发明的第一方式或第二方式的成膜装置中，所述托架能够保持多个所述基板。
根据具有上述结构的成膜装置，由于能够在一个托架中对多个基板同时进行成膜，因此能够进一步提高生产率。
优选地，在本发明的第一方式或第二方式的成膜装置中，一个或两个所述托架能够以两块所述基板的成膜面对置的方式保持所述基板。
根据具有上述结构的成膜装置，通过从两块基板之间供给成膜材料，能够对两块基板同时进行成膜。因此，能够有助于生产率的提高。
优选地，在本发明的第一方式或第二方式的成膜装置中，包括搬送部，能够收容所述基板，并将所述基板搬送到所述成膜装置的外部。
根据具有上述结构的成膜装置，由于能够通过使用搬送部高效地进行基板到所述成膜装置的外部、例如进行成膜处理以外的处理工序的装置的搬送，因此能够有助于生产率的提高。
优选地，在本发明的第一方式或第二方式的成膜装置中，所述成膜室具有通过CVD法将微晶硅成膜在所述基板上的成膜部。
根据具有上述结构的成膜装置，由于能够对多个基板同时进行微晶硅的成膜，因此即使进行作为低成膜速度的处理的微晶硅的成膜处理时，也能够实现高生产能力。
优选地，在本发明的第一方式或第二方式的成膜装置中，所述放入取出室能够同时收容保持有搬入所述成膜室前的基板的第一托架、以及保持有从所述成膜室搬出后的基板的第二托架。
根据具有上述结构的成膜装置，由于能够将保持有搬入成膜室的成膜处理前的基板、以及保持有从成膜室搬出的成膜处理后的基板的第二托架同时收容在放入取出室，因此能够减少将放入取出室内的气氛切换为真空气氛或大气气氛的工序的数量。因此，能够提高生产率。进一步，在放入取出室中同时收容成膜处理前的基板与成膜处理后的基板时，蓄积在成膜处理后的基板上的热被传递到成膜处理前的基板上，从而进行热交换。即，能够省略将成膜处理前的基板收容在成膜室之后通常实施的加热工序、以及从放入取出室搬出成膜处理后的基板之前通常实施的冷却工序。结果能够提高生产率，并且能够取消现有的加热工序、冷却工序所使用的设备，从而能够降低制造成本。
优选地，在本发明的第一方式或第二方式的成膜装置中，所述成膜室具有多个电极单元。在该成膜装置中，所述电极单元包括：阴极单元，具有施加有电压的阴极，所述阴极被配置在两侧；以及一对阳极单元，具有与配置在所述阴极单元的两侧的所述阴极隔开并对置的阳极。在该成膜装置中，所述托架能够以所述基板与所述阴极对置的方式保持所述基板，能够将所述基板插入到所述阴极与所述阳极之间。
根据具有上述结构的成膜装置，由于在一个阴极单元的两侧配置基板，因此能够由一个电极单元对两块基板同时进行成膜。因此，能够提高生产率。
优选地，在本发明的第一方式或第二方式的成膜装置中，所述电极单元能够从所述成膜室抽出或能够插入所述成膜室。
根据具有上述结构的成膜装置，能够使具有阴极和阳极的电极单元容易地从成膜室分离。因此，能够对电极单元单体进行维护作业，能够确保较大的作业空间。因此，能够减轻维护作业的负担。
另外，通过从成膜室分离的电极单元单体，能够进行各电极间的距离的调节、例如各电极与虚拟负载连接进行各电极的阻抗的调整等。因此，能够离线进行运转薄膜太阳能电池制造装置时所需的各种调整。
优选地，在本发明的第一方式或第二方式的成膜装置中，所述电极单元具有改变所述阴极与所述阳极的间隔的驱动装置。
根据具有上述结构的成膜装置，由于阳极沿相对于阴极单元接近的方向或远离的方向移动，因此当将基板出入于成膜室时，能够较大地设定阳极与阴极单元的间隙。另一方面，在基板的成膜面上形成膜时，能够较小地设定阳极与阴极单元的间隙，结果是能够使基板与阴极单元的间隙较小，具体而言例如能够设定为5mm的程度。因此，实现形成的膜的品质提高，并使得基板易于出入成膜室，而且能够提高生产率。
另外，能够防止基板出入时基板与阳极或阴极单元接触造成损伤。
进一步，将较难移动的阴极单元配置在两块基板之间、即配置在成膜面相对配置的两块基板之间。另外，将较易移动的阳极配置在两块基板的外侧、即配置在成膜面相对配置的两块基板的外侧。而且，由于能够通过驱动装置移动阳极，控制基板与阴极单元的距离。因此，与移动阴极单元时相比较，能够抑制薄膜太阳能电池制造装置的复杂化，能够降低制造成本。
根据本发明，在放入取出室中能够并列配置多个托架，并且能够将多个托架搬入成膜室或从成膜室搬出多个托架，能够对保持在所述多个托架上的多个基板同时进行成膜，因此能够提高生产效率。即、即使进行低成膜速度的处理时也能够实现高生产能力。
另外，通过将基板以基板的成膜面与重力方向大致平行的方式保持在托架上，能够缩小基板在装置内移动所需的面积，因此能够实现装置的小型化，从而能够在与现有相同的设置面积之中配置更多的装置。因此，能够增加可同时成膜的基板块数，从而能够提高生产率。另外，在基板的成膜面与重力方向大致平行地沿铅直方向竖立的状态下进行成膜时，能够抑制成膜时产生的颗粒堆积在基板的成膜面上。因此，能够对基板进行高品质的半导体层的成膜。
附图说明
图1是表示本发明的实施方式中的薄膜太阳能电池的概要剖视图；
图2是表示本发明的实施方式中的薄膜太阳能电池制造装置的概要结构图；
图3A是表示本发明的实施方式中的成膜室的立体图；
图3B是从其他角度观察本发明的实施方式中的成膜室的立体图；
图3C是表示本发明的实施方式中的成膜室的侧视图；
图4A是表示本发明的实施方式中的电极单元的立体图；
图4B是从其他角度观察本发明的实施方式中的电极单元的立体图；
图4C是表示本发明的实施方式中的电极单元的一部分的分解立体图；
图4D是表示本发明的实施方式中的电极单元的阴极单元和阳极单元的一部分的剖视图；
图5A是表示本发明的实施方式中的放入取出室的立体图；
图5B是从其他角度观察本发明的实施方式中的放入取出室的立体图；
图6是表示本发明的实施方式中的推挽机构的概要结构图；
图7A是表示本发明的实施方式中的基板装卸室的概要结构的立体图；
图7B是表示本发明的实施方式中的基板装卸室的概要结构的正视图；
图8是表示本发明的实施方式中的基板收容盒的立体图；
图9是表示本发明的实施方式中的托架的立体图；
图10是表示本发明的实施方式中的薄膜太阳能电池的制造方法的过程的说明图(1)；
图11是表示本发明的实施方式中的薄膜太阳能电池的制造方法的过程的说明图(2)；
图12是表示本发明的实施方式中的薄膜太阳能电池的制造方法的过程的说明图(3)；
图13是表示本发明的实施方式中的薄膜太阳能电池的制造方法的过程的说明图(4)；
图14是表示本发明的实施方式中的薄膜太阳能电池的制造方法的过程的说明图(5)；
图15A是表示本发明的实施方式中的推挽机构的动作的说明图；
图15B是表示本发明的实施方式中的推挽机构的动作的说明图；
图16是表示本发明的实施方式中的薄膜太阳能电池的制造方法的过程的说明图(6)；
图17是表示本发明的实施方式中的薄膜太阳能电池的制造方法的过程的说明图(7)；
图18是表示本发明的实施方式中的薄膜太阳能电池的制造方法的过程的说明图(8)、是表示基板插入到电极单元时的概要结构的剖视图；
图19是表示本发明的实施方式中的薄膜太阳能电池的制造方法的过程的说明图(9)；
图20是表示本发明的实施方式中的薄膜太阳能电池的制造方法的过程的说明图(10)；
图21是表示本发明的实施方式中的薄膜太阳能电池的制造方法的过程的说明图(11)、是部分表示基板被定位在电极单元中的结构的剖视图；
图22是表示本发明的实施方式中的薄膜太阳能电池的制造方法的过程的说明图(12)；
图23是表示本发明的实施方式中的薄膜太阳能电池的制造方法的过程的说明图(13)；
图24是表示本发明的实施方式中的薄膜太阳能电池的制造方法的过程的说明图(14)；
图25是表示本发明的实施方式中的薄膜太阳能电池的制造方法的过程的说明图(15)；
图26是表示本发明的实施方式中的薄膜太阳能电池制造装置的第一变形例的概要结构图；
图27是表示本发明的实施方式中的薄膜太阳能电池制造装置的第二变形例的概要结构图；
图28是表示本发明的实施方式中的薄膜太阳能电池制造装置的第三变形例的概要结构图。
具体实施方式
根据图1～图28对本发明的实施方式中的薄膜太阳能电池制造装置(成膜装置)进行说明。
(薄膜太阳能电池)
图1是由本发明的薄膜太阳能电池制造装置制造的薄膜太阳能电池100的概要剖视图。
如图1所示，薄膜太阳能电池100层积有：构成其表面并由玻璃构成的基板W、设置在该基板W上的透明导电膜构成的上部电极101、非晶硅构成的顶电池102、设置在该顶电池102与后述的底电池104之间的透明导电膜构成的中间电极103、微晶硅构成的底电池104、透明导电膜构成的缓冲层105、以及金属膜构成的背面电极106。
即，薄膜太阳能电池100是a-Si/微晶Si叠层型太阳能电池。
在具有这种叠层结构的薄膜太阳能电池100中，通过由顶电池102吸收短波长光，并由底电池104吸收长波长光，能够实现发电效率的提高。
顶电池102的p层(102p)、i层(102i)、n层(102n)三层结构由非晶硅形成。
另外，底电池104的p层(104p)、i层(104i)、n层(104n)三层结构由微晶硅构成。
在具有这种结构的薄膜太阳能电池100中，当包含在太阳光中的称作光子的能量粒子撞击到i层时，通过光伏效应产生电子和空穴(hole)，电子向着n层移动，并且空穴向着p层移动。
通过从上部电极101和背面电极106取出该通过光伏效应产生的电子/空穴，能够将光能转换为电能。
另外，通过在顶电池102与底电池104之间设置中间电极103，通过顶电池102到达底电池104的光的一部分由中间电极103反射并再次入射到顶电池102，因此电池的感光度特性提高，有助于发电效率的提高。
另外，入射到基板W的太阳光，通过各层后，由背面电极106反射。
在薄膜太阳能电池100中，采用了为了提高光能的转换效率，还为了获得拉伸入射到上部电极101的太阳光的光路的棱镜效应与光的封闭效应而形成的纹理构造。
(薄膜太阳能电池制造装置)
图2是薄膜太阳能电池制造装置的概要结构图。
如图2所示，作为本发明的成膜装置的薄膜太阳能电池制造装置10包括：成膜室11、放入取出室13、基板装卸室15、基板装卸机器人(驱动机构)17、以及基板收容盒(搬送部)19。
成膜室11对多个基板W同时使用CVD法进行由微晶硅构成的底电池104(半导体层)的成膜。
放入取出室13同时收容搬入成膜室11的处理前基板W1以及从成膜室11搬出的处理后基板W2。
在以下的说明中“处理前基板”是指实施成膜处理前的基板，“处理后基板”是指实施成膜处理后的基板。
在基板装卸室15中，处理前基板W1被安装在托架21(参考图9)上，或处理后基板W2从托架21上拆卸。
基板装卸机器人17将基板W安装到托架21上，或从托架21上拆卸。
基板收容盒19用于将基板W搬送到与薄膜太阳能电池制造装置10不同的其他处理室时，收容基板W。
此外，在本实施方式的薄膜太阳能电池制造装置10中，设置有四个由成膜室11、放入取出室13以及基板装卸室15构成的基板成膜线16。
另外，在基板装卸机器人17上设置有用于使基板装卸机器人17在铺设于地面上的轨道18上移动的移动部。通过该结构，基板装卸机器人17在轨道18上移动，通过一台基板装卸机器人17进行向所有的基板成膜线16传递基板W的工序。另外，如图2所示，轨道18沿着对于一个放入取出室13连接一个成膜室11构成的多个流程模块14排列的方向(与基板成膜线16正交的方向)延伸。基板装卸机器人17通过移动部驱动，沿着该轨道18延伸的方向移动。
进一步，基板成膜模块14由成膜室11与放入取出室13一体化而构成，具有可装载于运输用的卡车的大小。
图3A～图3C是成膜室11的概要结构图，图3A是立体图、图3B是从与3A不同的角度观察的立体图、图3C是侧视图。
如图3A～图3C所示，成膜室11形成箱型。在成膜室11的与放入取出室13连接的侧面23上形成有三处搭载有基板W的托架21可通过的托架搬出入口24。另外，在托架搬出入口24上设置有开闭托架搬出入口24的挡板(第一开闭部)25。关闭挡板25时，托架搬出入口24被关闭并确保气密性。在与侧面23对置的侧面27上安装有三台用于对基板W实施成膜的电极单元(成膜部)31。电极单元31可从成膜室11装卸。另外，在成膜室11的侧面下部28连接有用于进行减压以使成膜室11内为真空气氛的排气管29，排气管29与真空泵30连接。
图4A～图4D是电极单元31的概要结构图，图4A是立体图、图4B是与图4A不同的角度的立体图、图4C是表示电极单元31的变形例的立体图、图4D是部分表示阴极单元和阳极单元的剖视图。另外，图5是阴极的俯视图。电极单元31可在形成于成膜室11的侧面27上的三处开口部26装卸(参考图3B)。电极单元31在下部的四角各设置有一个车轮61，可在地面上移动。在安装有车轮61的底板部62上沿铅直方向竖立设置有侧板部63。该侧板部63具有能够封闭成膜室11的侧面27的开口部26的大小。如图4C的变形例所示，带车轮61的底板部62也可以是可与电极单元31分离、连接的台车62A。在此情况下，将电极单元31连接到成膜室11之后，能够从电极单元31将台车62A分离。据此，不使用多个台车，而是能够将台车62A共同使用于移动各个电极单元31。
侧板部63构成成膜室11的壁面的一部分。
在侧板部63的一个面(面向成膜室11内部的面、第一面)65上设置有实施成膜处理时位于基板W的两面的阳极单元90与阴极单元68。本实施方式的电极单元31包括将阴极单元68夹在中间，在阴极单元68的两侧隔开配置的一对阳极单元90。在该电极单元31中，能够使用一个电极单元31对两块基板W同时进行成膜。因此，成膜处理时的基板W以与重力方向(铅直方向)大致平行的方式分别对置配置在阴极单元68的两侧。两个阳极单元90在与各基板W对置的状态下，配置在各基板W的厚度方向外侧。此外，阳极单元90由板状的阳极67与内置于阳极单元90中的加热器H构成。
另外，在侧板部63的另一个面69(第二面)上安装有用于驱动阳极单元90的驱动装置71、以及实施成膜时用于对阴极单元68的阴极中间部件76供电的匹配箱72。进一步，在侧板部63上形成有对阴极单元68供给成膜气体的配管用的连接部(未图示)。
在阳极单元90中内置有加热器H作为控制基板W的温度的温度控制部。另外，两个阳极单元90、90通过设置在侧板部63上的驱动装置71，能够沿相互接近的方向或远离的方向(水平方向)移动，能够控制基板W与阴极单元68的距离。具体而言，实施基板W的成膜时，两个阳极单元90、90沿接近阴极单元68的方向移动并与基板W抵接，进一步沿接近阴极单元68的方向移动以将基板W与阴极单元68的距离按希望进行调节。然后，进行成膜，成膜结束后，阳极单元90、90沿相互远离的方向移动。如此，由于设置有驱动装置71，因此能够从电极单元31容易地取出基板W。
进一步，阳极单元90经由铰链(未图示)安装在驱动装置71上，在从成膜室11拔出电极单元31的状态下，能够转动(打开)直至阳极单元90(阳极67)的朝向阴极单元68的面67A与侧板部63的一个面65大致平行。即，阳极单元90从底板部62的铅直方向观察能够转动大致90°(参考图4A)。
阴极单元68具有簇射极板75(＝阴极)、阴极中间部件76、排气管道79、浮游电容体82、以及供电点88。在阴极单元68上，簇射极板75配置在阴极单元68的两侧，作为与单元90(阳极67)对置的面。在簇射极板75上形成有多个小孔(未图示)，向基板W喷出成膜气体。进一步，簇射极板75、75为与匹配箱72连接的阴极(高频电极)。在两块簇射极板75、75之间设置有与匹配箱72连接的阴极中间部件76。即，簇射极板75在与该阴极中间部件76电连接的状态下配置在阴极中间部件76的两侧。阴极中间部件76与簇射极板(阴极)75由导电体形成，高频经由阴极中间部件76施加在簇射极板(阴极)75上。因此，两块簇射极板75、75上施加有用于产生等离子体的同电位、同相位的电压。
阴极中间部件76与匹配箱72通过未图示的配线连接。在阴极中间部件76与簇射极板75之间形成有空间部77。空间部77由阴极中间部件76分离，对应于各个簇射极板75、75分别形成。即，在阴极单元68上形成有一对空间部77。
成膜气体由气体供给装置(未图示)供给到该空间部77时，气体从各簇射极板75、75放出。即，空间部77具有气体供给通道的作用。在本实施方式中，由于空间部77对应于各个簇射极板75、75分别形成，因此阴极单元68具有两条气体供给通道。据此，对每条气体供给通道独立控制气体的种类、气体的流量、气体的混合比等。
进一步，在阴极单元68的周缘部上在大致全周上设置有中空状的排气管道79。
在排气管道79上形成有用于吸引并去除(排气)成膜空间81的成膜气体或反应副生成物(粉末)的排气口80。
具体而言，排气口80形成为与实施成膜时形成在基板W与簇射极板75之间的成膜空间81连通。
排气口80沿着阴极单元68的周缘部形成有多个，能够在全周上大致均匀地吸引并去除成膜气体或反应副生成物(粉末)。
另外，在阴极单元68的下部的排气管道79的朝向成膜室11内的面上形成有开口部(未图示)。通过排气口80去除的成膜气体等能够经由该开口部向成膜室11内排出。
向成膜室11内排出的气体由设置在成膜室11的侧面下部28的排气管29向外部排出。
另外，在排气管道79与阴极中间部件76之间设置有具有电介质和/或层积空间的浮游电容体82。排气管道79与接地电位连接。排气管道79也执行用于防止从阴极75和阴极中间部件76异常放电的防护框的功能。
进一步，在阴极单元68的周缘部上，以覆盖从排气管道79的外周部到簇射极板75的外周部的部位的方式设置有掩膜78。
该掩膜78覆盖设置在托架21上的后述的夹持部59的夹持片59A(参考图9、图21)，并且实施成膜时与夹持片59A成为一体并形成用于将成膜空间81的成膜气体或颗粒引导至排气管道79的气体流动通道R。即，在托架21(夹持片59A)与簇射极板75之间、和与排气管道79之间形成有气体流动通道R。
由于如此构成电极单元31，因此在一个电极单元31中，形成两处插入基板W的阳极单元90与阴极单元68的间隙。因此，能够由一个电极单元31同时对两块基板W进行成膜。
另外，在阳极单元90与阴极单元68之间配置基板W，阳极单元90(阳极67)能够移动以与基板W抵接，并调整基板W与阴极单元68的距离。因此，通过等离子体CVD法在基板W上进行薄膜Si层的成膜时，需要将基板W与阴极单元68的间隙设定为5～15mm的程度，由于阳极67能够移动，因此能够在成膜前后调节阳极67与阴极单元68的距离。因此，能够使基板W易于出入。另外，能够防止基板W出入时基板W与阳极67或阴极单元68接触造成损伤。进一步，在成膜时由加热器H一边加热基板W一边进行成膜。根据上述结构，由于能够使阳极67与基板W抵接，能够有效地对基板W传递该加热器H的热。因此，能够实施高品质的成膜。
进一步，关于电极单元31的阴极单元68和阳极单元90，为了去除堆积于其上的膜等需要定期进行维护。如上所述，由于电极单元31可从成膜室11装卸，因此能够容易地进行维护。另外，准备有备用的电极单元31时，即使为了维护而从成膜室11拆卸电极单元31，也能够代替需要维护的电极单元31，将备用的电极单元31安装到成膜室11。此时，不停止制造线就能够进行维护。因此，能够提高生产效率。作为结果，即使在基板W上进行低速率的半导体层的成膜时，也能够实现高生产能力。
回到图2，在成膜室11与基板装卸室15之间铺设有移动轨道37，以使托架21能够在成膜室11与放入取出室13之间、以及放入取出室13与基板装卸室15之间移动。
此外，移动轨道37在成膜室11与放入取出室13之间分离，通过关闭挡板25，托架搬出入口24可被封闭。
图5A和图5B是放入取出室13的概要结构图，图5A是立体图、图5B是与图5A不同的角度的立体图。
如图5A和图5B所示，放入取出室13形成箱型。
侧面33与成膜室11的侧面23确保气密性地连接。
在侧面33上形成有三个托架21能够插通的开口部32。
与侧面33对置的侧面34与基板装卸室15连接。
在侧面34上形成有三处搭载基板W的托架21可通过的托架搬出入口35。
在托架搬出入口35上设置有能够确保气密性的挡板(第二开闭部)36。此外，移动轨道37在放入取出室13与基板装卸室15之间分离，通过关闭挡板36，托架搬出入口35可被封闭。
另外，在放入取出室13中设置有用于使托架21沿着移动轨道37在成膜室11与放入取出室13之间移动的推挽机构38。
如图6所示，该推挽机构38包括：卡止部48，用于卡止托架21；一对引导部件49，设置在卡止部48的两端并与移动轨道37大致平行地配置；以及移动装置50，用于使卡止部48沿着两个引导部件49移动。
进一步，在放入取出室13内，为了同时收容处理前基板W1和处理后基板W2，设置有用于使托架21在俯视中(从铅直方向观察设置放入取出室13的面)沿与移动轨道37的铺设方向大致正交的方向移动规定距离的移动机构(未图示)。
而且，在放入取出室13的侧面下部41连接有用于进行减压以使放入取出室13内为真空气氛的排气管42，排气管42与真空泵43连接。
图7A和图7B是基板装卸室的概要结构图，图7A是立体图、图7B是正视图。
如图7A和图7B所示，基板装卸室15形成框状，与放入取出室13的侧面34连接。
在基板装卸室15中，能够将处理前基板W1安装到配置在移动轨道37上的托架21上，还能够从托架21上拆卸处理后基板W2。
在基板装卸室15中能够并列配置三个托架21。
基板装卸机器人17具有驱动臂45(参考图2)，驱动臂45的前端具有吸附基板W的吸附部。
另外，驱动臂45在配置于基板装卸室15中的托架21与基板收容盒19之间驱动。具体而言，驱动臂45能够从基板收容盒19取出处理前基板W1，并将处理前基板W1安装到配置在基板装卸室15中的托架(第一托架)21上，还能够将处理后基板W2从返回基板装卸室15的托架(第二托架)21上拆卸，并向基板收容盒19搬送。
图8是基板收容盒19的立体图。
如图8所示，基板收容盒19形成箱型，具有能够收容多块基板W的大小。
在基板收容盒19内，在基板W的成膜面为水平的状态下沿上下方向层积收容多块基板W。
另外，在基板收容盒19的下部设置有脚轮47，能够向与薄膜太阳能电池制造装置10不同的其他处理装置(薄膜太阳能电池制造装置10的外部)移动。此外，在基板收容盒19中，也可以以基板W的成膜面与重力方向大致平行的方式，沿基板收容盒19的水平方向收容多块基板W。
图9是托架21的立体图。如图9所示，托架21用于搬送基板W，并具有两个能够安装基板W的方框状的框架51。即，在一个托架21中能够安装两块基板W。两个框架51、51在其上部通过连结部件52而被一体化。
另外，在连结部件52的上方设置有载置在移动轨道37上的车轮53。通过车轮53在移动轨道37上滚动，托架21能够沿着移动轨道37移动。
另外，在框架51的下部设置有用于当托架21移动时抑制基板W摇晃的框架保持器54。框架保持器54的前端与设置在各室的底面上的剖面凹状的轨道部件55(参考图18)配合。此外，轨道部件55在俯视(从铅直方向观察设置轨道部件55的面)中沿着移动轨道37的方向配置。
另外，如果框架保持器54由多个辊构成，则能够更稳定地搬送托架21。
框架51分别具有开口部56、周缘部57、以及夹持部59。在框架51上搭载基板W时，基板W的成膜面在开口部56中露出。另外，基板W的两面被开口部56的周缘部57与夹持部59夹持，基板W被固定在框架51上。而且，在夹持基板W的夹持部59上通过弹簧等作用有偏压力。
另外，夹持部59具有与基板W的表面WO(成膜面)和背面WU(里面)抵接的夹持片59A、59B(参考图21)。该夹持片59A、59B的距离可通过弹簧等可变，即根据阳极单元90(阳极67)的移动，夹持片59A能够沿着相对于夹持片59B接近的方向或远离的方向移动(后述详细内容)。
这里，在一个移动轨道37上安装有一台托架21。即，能够保持一对(两块)基板的一台托架21安装在一个移动轨道37上。也就是说，在一个成膜室11中安装有三台托架21，即保持有三对(六块)基板。
在本实施方式的薄膜太阳能电池制造装置10中，配置四个由上述的成膜室11、放入取出室13、以及基板装卸室15构成的基板成膜线16(参考图2)，一个成膜室中收容有三个托架21(参考图3A和图3B)，因此能够大致同时对二十四块基板W进行成膜。
(薄膜太阳能电池的制造方法)
下面对使用本实施方式的薄膜太阳能电池制造装置10对基板W进行成膜的方法进行说明。此外，在该说明中，使用一个基板成膜线16的附图进行说明，其他三个基板成膜线16中也通过大致相同的方法对基板进行成膜。
首先，如图10所示，将收容有多块处理前基板W1的基板收容盒19配置在规定的位置。
接着，如图11所示，开动基板装卸机器人17的驱动臂45，从基板收容盒19中取出一块处理前基板W1，并将处理前基板W1安装到设置在基板装卸室15内的托架21上。此时，将沿水平方向配置在基板收容盒19中的处理前基板W1的配置方向变为铅直方向，处理前基板W1被安装在托架21上。再次重复该动作，在一个托架21上安装两块处理前基板W1。
进一步重复该动作，设置在基板装卸室15中的剩余的两个托架21上也分别安装处理前基板W1。也就是，在该阶段安装六块处理前基板W1。
接着，如图12所示，安装有处理前基板W1的三个托架21沿着移动轨道37大致同时移动，收容在放入取出室13内。托架21被收容在放入取出室13之后，放入取出室13的托架搬出入口35的挡板36关闭。
然后，使用真空泵43将放入取出室13的内部保持在真空状态。
然后，如图13所示，在俯视(从铅直方向观察设置放入取出室13的面)中，使用移动机构使三个托架21分别沿与铺设移动轨道37的方向正交的方向移动规定距离(半间距)。此外，该规定距离是指一个托架21在相邻的移动轨道37、37之间移动的距离。
接着，如图14所示，打开成膜室11的挡板25，使用推挽机构38使安装有在成膜室11结束成膜的处理后基板W2的托架21A移动到放入取出室13内。
此时，安装有处理前基板W1的托架21与安装有处理后基板W2的托架21A在俯视中并列配置。
而且，通过以规定时间保持该状态，蓄积在处理后基板W2中的热传递到处理前基板W1。也就是，成膜前基板W1被加热。
这里，说明推挽机构38的动作。此外，这里对使位于成膜室11内的托架21A向放入取出室13移动时的动作进行说明。
如图15A所示，将安装有处理后基板W2的托架21A卡止在推挽机构38的卡止部48上。而且，使安装在卡止部48上的移动装置50的移动臂58摇动。此时，移动臂58的长度可变。这样，卡止有托架21A的卡止部48在引导部件49的引导下移动，如图15B所示，向放入取出室13内移动。也就是，托架21A从成膜室11向放入取出室13移动。
通过如此构成，不需要在成膜室11内设置用于驱动托架21A的驱动源(驱动机构)。
此外，对于如上所述的用于搬送托架的动作，通过推挽机构38以相反动作搬送托架，从而能够将放入取出室13的托架向成膜室11移动。
接着，如图16所示，通过移动机构使托架21和托架21A沿与移动轨道37正交的方向移动，使保持处理前基板W1的各托架21分别移动到各个移动轨道37的位置。
接着，如图17所示，使用推挽机构38使保持处理前基板W1的托架21移动到成膜室11内，移动完成后关闭挡板25。而且，成膜室11内保持在真空状态。
此时，安装在托架21上的处理前基板W1沿着与其面平行的方向移动，在成膜室11内，以表面WO与重力方向大致平行的方式，在沿着铅直方向的状态下插入到阳极单元90与阴极单元68之间(参考图18)。
接着，如图18、图19所示，通过驱动装置71使阳极单元90沿电极单元31的两个阳极单元90相互接近的方向移动，使阳极单元90(阳极67)与处理前基板W1的背面WU抵接。
进一步，如图20所示，驱动驱动装置71时，处理前基板W1以被阳极67推压的方式向着阴极单元68移动。
进一步，使处理前基板W1移动直到处理前基板W1与阴极单元68的簇射极板75的间隙达到规定距离(成膜距离)。
此外，该处理前基板W1与阴极单元68的簇射极板75的间隙(成膜距离)为5～15mm，例如5mm的程度。
此时，与处理前基板W1的表面WO抵接的托架21的夹持部59的夹持片59A，伴随着处理前基板W1的移动(阳极单元90的移动)，沿远离夹持片59B的方向移位。此时，成膜前基板W1被阳极67与夹持片59A夹持。此外，阳极单元90沿远离阴极单元68的方向移动时，由于在夹持片59A上作用弹簧等的复原力，因此夹持片59A向着夹持片59B移动。
处理前基板W1向着阴极单元68移动时，夹持片59A与掩膜78抵接，在该时刻阳极单元90的移动停止(参考图21)。
如图21所示，掩膜78覆盖夹持片59A的表面和基板W的外缘部，并形成为与夹持片59A或基板W的外缘部贴紧。成膜空间81由掩膜78、阴极单元68的簇射极板75、以及处理前基板W1(基板W)形成。即，掩膜78与夹持片59A或基板W的外缘部的接触面执行密封部86的功能。利用该结构，防止成膜气体从掩膜78与夹持片59A之间或掩膜78与基板W的外缘部之间泄漏到阳极67侧。据此，限制成膜气体扩散的范围，能够抑制在不需要的范围的成膜。据此，能够缩小清洁范围、以及减少清洁频率，提高装置的运转率。
另外，由于处理前基板W1的移动通过夹持片59A或基板W的外缘部与掩膜78抵接而停止，因此掩膜78与簇射极板75的间隙、以及掩膜78与排气管道79的间隙、即气体流动通道R的厚度方向(相对于簇射极板75的平面的铅直方向)的流动通道高度设定为使处理前基板W1与阴极单元68的间隙为规定的距离。
另外，作为本实施方式的变形例，也能够采用通过将掩膜经由弹性体安装在排气管道79上，通过驱动装置71的行程任意变更基板与簇射极板75(＝阴极)的距离的结构。
在上述实施方式中，描述了掩膜78与基板W抵接的情况，但是也可以空出限制成膜气体通过的微小间隔而配置掩膜78与基板W。
如上所述地配置基板W的状态下，从阴极单元68的簇射极板75喷出成膜气体，并启动匹配箱72对阴极单元68的簇射极板(＝阴极)75施加电压，从而在成膜空间81产生等离子体，对处理前基板W1的表面WO进行成膜。此时，通过内置在阳极67中的加热器H，处理前基板W1被加热到希望的温度。
这里，阳极单元90在处理前基板W1达到希望的温度时停止加热。通过对阴极单元68施加电压，从而在成膜空间81产生等离子体。由于随着时间的经过来自等离子体的热量输入，即使阳极单元90停止加热，处理前基板W1的温度也可能上升高于希望的温度。此时，也能够使阳极单元90执行用于冷却温度过度上升的处理前基板W1的放热板的功能。因此，无论成膜处理时间经过多长时间处理前基板W1均被保持为希望的温度。
此外，通过在每个规定时间切换从簇射极板75供给的成膜气体材料，能够在一次成膜处理工序中将多层成膜在基板W上。
另外，在成膜中和成膜后，通过形成在阴极单元68的周缘部的排气口80，成膜空间81内的气体或颗粒被吸引并去除(排气)。具体而言，成膜空间81内的气体或反应副生成物经由气体流动通道R和排气口80，被排出到阴极单元68的周缘部的排气管道79。然后，气体或反应副生成物(粉末)通过形成在阴极单元68的下部中的排气管道79的朝向成膜室11内的面上的开口部。进一步，气体或反应副生成物从设置在成膜室11的侧面下部28的排气管29向成膜室11的外部排出。
此外，通过使实施成膜时产生的反应副生成物附着、堆积在排气管道79的内壁面上，从而回收并处理该反应副生成物。
由于在成膜室11内的所有电极单元31中，执行与上述的处理相同的处理，因此能够对六块基板同时进行成膜。
而且，成膜结束时，通过驱动装置71使阳极单元90沿两个阳极单元90相互远离的方向移动，处理后基板W2和框架51(夹持片59A)回到原来的位置(参考图19、图21)。进一步，通过使阳极单元90沿阳极单元90相互远离的方向移动，处理后基板W2远离阳极单元90(参考图18)。
接着，如图22所示，打开成膜室11的挡板25，使用推挽机构38使各托架21向放入取出室13移动。
此时，放入取出室13内维持真空状态，并已经配置有安装了接下来将要成膜的处理前基板W1的托架21B。
而且，在放入取出室13内处理后基板W2蓄积的热量向处理前基板W1传递，处理后基板W2的温度降低。
接着，如图23所示，使各托架21B向成膜室11内移动后，通过上述移动机构使各托架21回到移动轨道37的位置。
接着，如图24所示，关闭挡板25后，处理后基板W2下降到规定温度之后，打开挡板36，使托架21向基板装卸室15移动。
接着，如图25所示，在基板装卸室15中通过基板装卸机器人17将处理后基板W2从托架21上拆卸，并向基板收容盒19搬送。所有处理后基板W2的拆卸完成后，使基板收容盒19移动到进行下一工序的场所(装置)，成膜处理结束。
根据本实施方式的薄膜太阳能电池制造装置10，能够使保持有搬入成膜室11的成膜处理前的基板W1的托架21与保持有从成膜室11搬出的成膜处理后的基板W2的托架21(21A)同时收容在放入取出室13中。因此，能够减少将放入取出室内的气氛切换为真空气氛或大气气氛的工序的数量。因此，能够提高生产率。进一步，在放入取出室13中同时收容成膜处理前的基板W1与成膜处理后的基板W2时，蓄积在成膜处理后的基板W2上的热被传递到成膜处理前的基板W1上，从而进行热交换。即，能够省略将成膜处理前的基板W1收容在成膜室11中之后通常实施的加热工序、以及将成膜处理后的基板W2从放入取出室13搬出之前通常实施的冷却工序。结果能够提高生产率，并且能够取消现有的加热工序或冷却工序所使用的设备，因此能够降低制造成本。
另外，由于在放入取出室13中能够分别同时收容多个保持成膜处理前的基板W1的托架21以及保持成膜处理后的基板W2的托架21(21A)，因此同时对多块基板W进行成膜，能够提高生产率。另外，由于在放入取出室13中能够同时收容搬入成膜室11的多个托架21和从成膜室11搬出的多个托架21(21A)，因此能够进一步减少将放入取出室内的气氛切换为真空气氛或大气气氛的工序的数量，能够进一步提高生产率。
另外，由于能够在以基板W的成膜面与重力方向大致平行的方式沿铅直方向竖立基板W的状态下，使基板W在薄膜太阳能电池制造装置10内移动并进行成膜，因此能够缩小基板W在薄膜太阳能电池制造装置10内移动所需的面积。因此，能够实现装置的小型化，并且能够在与现有相同的设置面积之中配置更多的装置。因此，能够增加可同时成膜的基板W的块数，能够提高生产率。另外，在基板W沿铅直方向竖立的状态下对基板W进行成膜时，能够抑制成膜时产生的颗粒堆积在基板W的成膜面上。因此，能够对基板W进行高品质的半导体层的成膜。
另外，由于托架21能够保持多个(两块)基板W，因此在一个托架21中能够同时对多个基板进行成膜，能够进一步提高生产率。进一步，由于能够同时将多个托架21搬送到成膜室11中，因此能够进一步提高处理速度。
另外，如图2所示，设置多个(四组)对于一个放入取出室13连接一个成膜室11构成的流程模块14，该流程模块14并列配置。因此，能够进一步增加可同时成膜的基板W的块数。因此，即使在基板W上进行低速率的膜的成膜时，也能够实现高生产能力。另外，由于装置作为流程模块14被一体化，因此能够缩短在工厂等中构筑制造线时的装置的设置时间(制造线的启动时间)。进一步，进行成膜室11的维护时，能够分别对每个流程模块14进行维护，无需停止整个制造线。因此，能够将维护时的生产效率的下降抑制到最小限度。
进一步，在基板装卸室15中，基板装卸机器人17进行将成膜处理前的基板W1安装在托架21上的作业以及将成膜处理后的基板W2从托架21上拆卸的作业，因此能够对于托架21高效地装卸基板W，能够有助于生产率的提高。
而且，由于设置有可收容基板W，并向与薄膜太阳能电池制造装置10不同的处理装置搬送的基板收容盒19，因此能够高效地对其他处理工序搬送基板W，从而能够有助于生产率的提高。
此外，本发明的技术范围并不限定于上述实施方式，在不脱离本发明的宗旨的范围内，包括对上述实施方式施加各种变更的内容。即，由实施方式列举的具体的形状和结构等仅为一个示例，可以适当变更。
在本实施方式中说明了将一个放入取出室与一个成膜室连接的情况，但是也可以采用例如变形例1～3描述的装置结构。
(变形例1)
图26是表示薄膜太阳能电池制造装置的变形例1的概要结构图。
如图26所示，薄膜太阳能电池制造装置具有对于一个较大的放入取出室连接多个成膜室而构成的流程模块114。这里，多个成膜室并列配置。另外，流程模块114也可以构成为使得托架能够在放入取出室内移动。根据该结构，安装在托架上的基板能够在放入取出室内移动。因此，在多个成膜室中分别供给不同的成膜材料的情况(在各成膜室中形成不同的膜的情况)，基板通过放入取出室在多个成膜室之间搬送，种类不同的成膜材料被依次层积在基板上。据此，能够高效地进行具有多层结构的基板的成膜。
(变形例2)
图27是表示薄膜太阳能电池制造装置的变形例2的概要结构图。
如图27所示，在薄膜太阳能电池制造装置中，由成膜室11、放入取出室13、基板装卸室15构成的模块设置为从基板装卸机器人17放射状地延伸。在这种结构中，能够消除基板装卸机器人在轨道上移动的时间。也就是说，能够缩短基板装卸机器人的动作时间，并缩短节拍时间。
(变形例3)
图28是表示薄膜太阳能电池制造装置的变形例3的概要结构图。
如图28所示，在薄膜太阳能电池制造装置中，在基板装卸机器人17的两侧、即基板装卸机器人17的移动方向(轨道的延伸方向)的两侧设置有由成膜室11、放入取出室13、基板装卸室15构成的模块。在这种结构中，能够节省空间、且缩短基板装卸机器人的动作时间。
在本实施方式中配置一台基板装卸机器人进行基板的装卸，但也可以配置两台基板装卸机器人。在此情况下，可以将一个基板装卸机器人专门使用于基板的安装，将另一个基板装卸机器人专门使用于基板的拆卸。另外，也可以采用在一台基板装卸机器人上设置两条驱动臂，同时安装、拆卸两块基板的基板装卸机器人。
工业上的利用可能性
如以上详述所示，本发明为在生产率或制造成本方面优异、且能够实现高生产能力的成膜装置。
符号说明
10...薄膜太阳能电池制造装置(成膜装置)11...成膜室
13...放入取出室14...基板成膜模块(流程模块)15...基板装卸室
17...基板装卸机器人(驱动机构)19...基板收容盒(搬送部)
21...托架(第一托架、第二托架)25...挡板(第一开闭部)
36...挡板(第二开闭部)104...底电池(希望的膜)W...基板
W1...成膜处理前的基板W2...成膜处理后的基板

Claims (15)

1.一种成膜装置，其特征在于，包括：
成膜室，在真空中将希望的膜成膜在多个基板上；
放入取出室，经由第一开闭部被固定于所述成膜室，并能将内部减压为真空气氛；
第二开闭部，设置在所述放入取出室的、与设置有所述第一开闭部的面相反的面上；
托架，以基板的成膜面与重力方向大致平行的方式保持所述基板，并具有车轮；
推挽机构，设置在所述放入取出室中，通过所述车轮在移动轨道上滚动使所述托架沿着所述移动轨道在所述成膜室与所述放入取出室之间移动；
移动机构，设置在放入取出室中，使所述托架沿与所述移动轨道的铺设方向大致正交的方向移动规定距离；以及
多个流程模块，对于一个放入取出室连接一个成膜室而构成，
所述托架或所述基板通过所述第二开闭部，并被所述推挽机构搬入、搬出所述放入取出室，
在所述放入取出室中并列配置多个所述托架，
在所述放入取出室与所述成膜室之间所述多个托架被并列地搬入、搬出，
在所述成膜室中对保持在所述多个托架上的多个所述基板同时进行成膜。
2.一种成膜装置，其特征在于，包括：
成膜室，在真空中将希望的膜成膜在多个基板上；
放入取出室，经由第一开闭部被固定于所述成膜室，并能将内部减压为真空气氛；
基板装卸室，经由第二开闭部被固定于所述放入取出室，并对能够保持基板且具有车轮的托架装卸所述基板；
推挽机构，设置在所述放入取出室中，通过所述车轮在移动轨道上滚动使所述托架沿着所述移动轨道在所述成膜室与所述放入取出室之间以及所述放入取出室与所述基板装卸之间移动；
移动机构，设置在放入取出室中，使所述托架沿与所述移动轨道的铺设方向大致正交的方向移动规定距离
多个流程模块，以所述基板装卸室、所述放入取出室、以及所述成膜室为一组；以及
驱动机构，共用于多个所述基板装卸室，搬入、搬出所述基板，
所述托架以所述基板的成膜面与重力方向大致平行的方式保持所述基板，
在所述基板装卸室内并列配置多个所述托架，
在所述基板装卸室与所述放入取出室之间所述多个托架被并列地搬入、搬出，
在所述放入取出室与所述成膜室之间所述多个托架被所述推挽机构并列地搬入、搬出，
在所述成膜室中对保持在所述多个托架上的多个所述基板同时进行成膜。
3.根据权利要求2所述的成膜装置，其特征在于，所述流程模块并列配置，所述驱动机构具有移动部。
4.根据权利要求2所述的成膜装置，其特征在于，所述流程模块被设置为从所述驱动机构放射状地延伸。
5.根据权利要求1或权利要求2所述的成膜装置，其特征在于，
包括多个由一个所述放入取出室与一个所述成膜室连接构成的流程模块，
所述流程模块并列配置。
6.根据权利要求1或权利要求2所述的成膜装置，其特征在于，包括由一个所述放入取出室与多个所述成膜室分别连接，所述多个成膜室并列配置的流程模块。
7.根据权利要求1或权利要求2所述的成膜装置，其特征在于，包括：
流程模块，由一个所述放入取出室与一个所述成膜室连接构成；以及
驱动机构，将所述基板搬入、搬出所述流程模块，
所述流程模块被设置为从所述驱动机构放射状地延伸。
8.根据权利要求1或2所述的成膜装置，其特征在于，所述托架能够保持多个所述基板。
9.根据权利要求1或2所述的成膜装置，其特征在于，一个或两个所述托架能够以两块所述基板的成膜面对置的方式保持所述基板。
10.根据权利要求1或2所述的成膜装置，其特征在于，包括搬送部，能够收容所述基板，并将所述基板搬送到所述成膜装置的外部。
11.根据权利要求1或2所述的成膜装置，其特征在于，所述成膜室具有通过CVD法将微晶硅成膜在所述基板上的成膜部。
12.根据权利要求1或2所述的成膜装置，其特征在于，所述放入取出室能够同时收容保持有搬入所述成膜室前的基板的第一托架、以及保持有从所述成膜室搬出后的基板的第二托架。
13.根据权利要求1或2所述的成膜装置，其特征在于，
所述成膜室具有多个电极单元，
所述电极单元包括：
阴极单元，具有施加有电压的阴极，所述阴极被配置在两侧；以及
一对阳极单元，具有与配置在所述阴极单元的两侧的所述阴极隔开并对置的阳极，
所述托架能够以所述基板与所述阴极对置的方式保持所述基板，能够将所述基板插入到所述阴极与所述阳极之间。
14.根据权利要求13所述的成膜装置，其特征在于，所述电极单元能够从所述成膜室抽出或能够插入所述成膜室。
15.根据权利要求13所述的成膜装置，其特征在于，所述电极单元具有改变所述阴极与所述阳极的间隔的驱动装置。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101153117B1 (ko) 2011-02-25 2012-06-04 엘에스산전 주식회사 누전 차단기
HUP1100436A2 (en) * 2011-08-15 2013-02-28 Ecosolifer Ag Gas flow system for using in reaction chamber
CN103424991B (zh) * 2012-05-15 2015-09-30 上海微电子装备有限公司 一种硅片直线交换装置及方法
TWI551725B (zh) * 2012-05-22 2016-10-01 隔板式沉積裝置
KR101643313B1 (ko) 2016-01-04 2016-07-28 (주)우진이엔지 배전선로 공사시 휴전작업 관리 방법
DE102016125273A1 (de) * 2016-12-14 2018-06-14 Schneider Gmbh & Co. Kg Anlage, Verfahren und Träger zur Beschichtung von Brillengläsern
KR102531881B1 (ko) * 2017-11-10 2023-05-16 상라오 징코 솔라 테크놀러지 디벨롭먼트 컴퍼니, 리미티드 탠덤 태양전지

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4981408A (en) * 1989-12-18 1991-01-01 Varian Associates, Inc. Dual track handling and processing system
JP3175333B2 (ja) * 1992-06-15 2001-06-11 日新電機株式会社 基板処理装置
JPH08213442A (ja) * 1995-02-06 1996-08-20 Hitachi Ltd マルチチャンバプロセス装置
US20010043989A1 (en) * 2000-05-18 2001-11-22 Masami Akimoto Film forming apparatus and film forming method
JP3957126B2 (ja) * 2000-09-07 2007-08-15 株式会社神戸製鋼所 成膜装置
JP2002203885A (ja) * 2000-12-27 2002-07-19 Anelva Corp インターバック型基板処理装置
JP4856308B2 (ja) * 2000-12-27 2012-01-18 キヤノンアネルバ株式会社 基板処理装置及び経由チャンバー
JP2002270527A (ja) * 2001-03-14 2002-09-20 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd プラズマｃｖｄ方法、プラズマｃｖｄ装置及び薄膜太陽電池
JP2003258058A (ja) * 2002-02-27 2003-09-12 Anelva Corp 基板処理装置の運転方法
TWI262165B (en) * 2002-10-16 2006-09-21 Sez Ag Device and method for transporting wafer-shaped articles
JP4435541B2 (ja) 2003-11-07 2010-03-17 株式会社カネカ Ｃｖｄ装置及びｃｖｄ方法
TW200715448A (en) * 2005-07-25 2007-04-16 Canon Anelva Corp Vacuum processing apparatus, semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing system
JP4718989B2 (ja) * 2005-12-19 2011-07-06 三菱重工業株式会社 真空処理システム及び基板予備加熱方法
JP4761056B2 (ja) 2006-04-19 2011-08-31 株式会社島津製作所 クラスター型真空成膜装置
JP2007284766A (ja) * 2006-04-19 2007-11-01 Shimadzu Corp 縦型プラズマｃｖｄ装置
JP4454618B2 (ja) 2006-12-19 2010-04-21 株式会社新来島どっく 液体貨物運搬船の倉内装置

Non-Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP特开2002-203884A 2002.07.19
JP特开2002-270527A 2002.09.20
JP特开2007-284766A 2007.11.01
JP特开2007-288036A 2007.11.01
JP特开平8-213442A 1996.08.20

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