CN101983435B

CN101983435B - 光学半导体装置用封装和使用了该封装的光学半导体装置、以及它们的制造方法

Info

Publication number: CN101983435B
Application number: CN200980111889.8A
Authority: CN
Inventors: 山田智行; 二神友洋
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2008-09-30
Filing date: 2009-09-30
Publication date: 2013-07-24
Anticipated expiration: 2029-09-30
Also published as: WO2010038451A1; JPWO2010038451A1; US20110012159A1; JP5307824B2; CN101983435A; US8981401B2

Abstract

本发明提供这样一种光学半导体装置用封装和使用了该封装的光学半导体装置，即：即使是使用硅树脂作为密封树脂的光学半导体装置，也能够防止引线框架上所设置的镀层的变色，长时间发挥高发光效率。具体而言，在半导体装置用封装中，至少在引线电极的表面上形成镀层层叠体(15)，该镀层层叠体(15)是将纯Ag镀层(4)、薄膜式反射镀层(6)和耐受性镀层(5)层叠而成的，其中所述薄膜式反射镀层(6)作为最上层，用于提高光反射率；所述耐受性镀层(5)作为中间层，对金属氯化物或金属硫化物的至少某一种具有化学耐受性。反射镀层(4)由薄膜式纯Ag构成，耐受性镀层(5)由完全固溶体式Au-Ag合金镀层构成。

Description

光学半导体装置用封装和使用了该封装的光学半导体装置、以及它们的制造方法

技术领域

本发明涉及光学半导体装置用引线框架，特别是涉及一种用于防止搭载了在短波长区域(400～500nm)内发光的发光元件的光学半导体装置的发光效率低下的技术。

背景技术

以往，使用LED元件等作为光源的光学半导体装置被广泛用作各种显示用光源、照明用光源、背光用光源。

最近的光学半导体装置的主要结构是例如在基板上配置引线框架，并在将发光元件安置于引线框架上之后，为了防止热、湿气、氧化等导致光源劣化或其周边部位发生劣化而利用密封树脂对光源及其周围进行密封而成、或者在将发光元件安装于低洼部具有金属布线的陶瓷成形体上之后，为了防止热、湿气、氧化等导致光源劣化或其周边部位发生劣化而利用密封树脂对光源及其周围进行密封而成、或者在将发光元件安装在由金属基体和引线以及密封玻璃构成的密封部件上之后，为了防止热、湿气、氧化等导致光源劣化或其周边部位发生劣化而利用密封树脂对光源及其周围进行密封而成。

密封树脂的材料要求具备优异的透明性并且能够保持光源的高亮度等特性。

在近年来的照明等用途的光学半导体装置中，有的组合光的三原色而发出白色光，有的使用蓝色或蓝紫色发光元件并以含荧光体的密封树脂进行密封而发出白色光，对于发白色光并且输出高的光学半导体装置的使用需求不断增大，要求在短波长区域内的发光和透光性具有抗劣化特性。

另外，在任何情况下都使用在耐热性、透光性的保持特性方面优于环氧树脂的硅树脂作为密封树脂(例如，参照非专利文献1)。

另一方面，为了获得优异的光源特性，既要提高光源的发光效率，有效利用光源发出的光也很重要。因此，存在一种光学半导体装置中的、针对配置在光源周围的引线框架实施反射率优异的镀层的技术。镀层材料广泛使用Ag，Ag是一种对大范围的发光波长具有高反射率的金属。

按照这种方式，目前，通过对光学半导体装置实施各种各样的研究，力图使其在发白色光并且高输出的用途方面也表现出优异的性能。

这里，就光学半导体装置而言存在着以下课题。本申请的发明人在驱动光学半导体装置并进行可靠性加速试验后发现，以硅树脂密封的发光元件的安装部周边的Ag镀层的表面变成黑褐色。对其原因进行探讨研究后结果发现，该变色的原因是，在使用含有以金属硫化物、氯化铂酸为代表的金属氯化物等树脂硬化催化剂的硅树脂的情况下，该催化剂成分会与Ag镀层发生反应，生成AgCl(氯化银)或Ag₂S(硫化银)以及其他卤化银。

另外也发现，驱动时发光元件发出的近紫外线促进了产生卤化银(硫化银、氯化银等)的反应，特别是蓝色或蓝紫色的近紫外区域的光对所述反应的促进作用尤为显著。硅树脂中所含的氯化铂酸等催化剂和与其接触的Ag镀层的反应性非常高，在硅树脂和Ag镀层的界面上，Ag镀层容易发生离子化。因此，所述催化剂也具有促进生成硫化银或氯化银等卤化银的反应的催化剂效果。进而，由于硅树脂具有非常高的透气性，因此，卤化气体或硫磺气体(SO₂等SO_x气体)容易从密封树脂的外部侵入到Ag镀层。因此，在制造完成后仍然存在着如下风险，即：来自外部的卤化气体或硫磺气体与Ag镀层表面发生接触而导致引起生成硫化银或氯化银等多余的银化合物的反应。

搭载了发光元件的焊盘(pad)附近的Ag镀层表面一旦变成为黑褐色，原本具有高反射率的Ag的特性就会受损，反射率显著下降。由此，就可能无法充分地获得作为光学半导体装置的光取出效率。

因此，为了克服Ag镀层变成黑褐色的课题，本申请的发明人发明了由纯Ag镀层和Au-Ag合金镀层层叠而成的层叠体结构(专利文献2)。在该镀层层叠体结构中，配置于最上层的Au-Ag合金镀层能够发挥对变为黑褐色进行抑制的效果，并能够提高光反射率，从而在一定程度上改善光源特性。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：特开平9-266280号公报

专利文献2：特开2008-91818号公报

非专利文献

非专利文献1：松下电工技法，Vol.53No1

但是，在上述现有技术中，与仅使用纯Ag镀层作为最上层的结构相比，一部分波长区域的光的反射率有时候会下降10％左右。具体而言，在使用了纯Ag镀层的情况下，450nm波长区域内的反射率约为90％的反射率。与此不同的是，在使用了以Au-Ag合金镀层作为最上层的镀层层叠体的情况下，同一波长区域的反射率仅达到约80％。

因此，对既能够防止Ag镀层变为黑褐色、又能够发挥现有以上的Ag镀层的反射率和高发光亮度的光学半导体装置用封装和使用了这种封装的光学半导体装置的需求在不断增大。

发明内容

本发明是鉴于上述课题而提出的，其克服了以前由本申请的发明人所发明的纯Ag镀层和Au-Ag合金镀层的层叠体结构的一部分弱点。

亦即，本发明的目的是提供这样一种光学半导体装置用封装和使用了该封装的光学半导体装置、以及它们的制造方法，即：即使是使用硅树脂作为密封树脂的光学半导体装置，该光学半导体装置用封装上所设置的镀层在发光元件搭载部位周边的光反射面的反射率也不会显著低于Ag镀层，并且在可靠性试验和实际使用过程中，对于抑制光学半导体装置的引线框架上所设置的镀层在发光元件搭载部位周边的黑褐色变色非常有效，能够长时间发挥高发光效率。

为了解决上述课题，本发明涉及一种具有外罩、引线电极和端子电极并且所述引线电极的至少一部分表面上形成了由多个镀层构成的镀层层叠体的光学半导体装置用封装，所述镀层层叠体的结构包含：纯Ag镀层；作为最上层，比所述纯Ag镀层更薄的薄膜式反射镀层；以及作为中间层，由对金属氯化物或金属硫化物的至少某一种具有化学耐受性的完全固溶体Au-Ag合金镀层构成的耐受性镀层。

这里，所述Au-Ag合金镀层含有Au作为其主要成分，并且优选是采用含Ag为27.0wt％以上50.0wt％以下的结构。

另外，所述耐受性镀层的层厚度适宜设定为0.05μm以上0.3μm以下。

另一方面，所述反射镀层适宜采用由纯Ag构成的薄膜结构。在这种情况下，所述反射镀层的厚度优选是0.003μm以上0.010μm以下。

另外，所述纯Ag镀层的层厚度适宜设定为1.6μm以上8.0μm以下。进而，所述纯Ag镀层的光泽度优选是在1.2以上。

另外，本发明还可以采用在与密封树脂相接触的外罩的至少一部分表面上配设了所述镀层层叠体的结构。

另一方面，本发明涉及一种发光元件以与引线电极电气式连接的方式配设，并以将所述发光元件和引线电极密封的方式配设密封树脂的光学半导体装置，其中所述引线电极的反射率在所述发光元件的发光波长为400nm的情况下达到50％以上，在所述发光元件的发光波长为450nm的情况下达到80％以上，在所述发光元件的500nm至700nm发光波长区域内达到85％以上。

另外，本发明涉及一种发光元件电气式连接到上述本发明的光学半导体装置用封装的引线电极，并以将所述发光元件和引线电极密封的方式配设有密封树脂而构成的光学半导体装置，其中，镀层层叠体至少配设在配设有发光元件的引线电极的表面区域，所述引线电极的反射率在所述发光元件的发光波长为400nm的情况下达到50％以上，在所述发光元件的发光波长为450nm的情况下达到80％以上，在所述发光元件的500nm至700nm发光波长区域内达到85％以上。

这里，所述密封树脂可以采用含金属氯化物催化剂的透光性树脂。在这种情况下，所述透光性树脂可以举例如硅树脂。另外，金属氯化物催化剂可以举例如氯化铂酸盐。

另外，本发明的光学半导体装置用封装的制造方法是一种历经至少在光学半导体装置用封装的引线电极表面上形成多个镀层层叠体的镀层工序的光学半导体装置用封装制造方法，其中所述镀层工序具备：第一镀层步骤，形成纯Ag镀层作为镀层层叠体的构成层；第二镀层步骤，形成Au-Ag合金镀层作为镀层层叠体的中间层；第三镀层步骤，形成纯Ag闪镀层作为所述镀层层叠体的最上层；和加热步骤，对镀层层叠体实施加热处理，形成完全固溶体。

另外，本发明的光学半导体装置的制造方法是一种在光学半导体装置用封装的引线电极上载置发光元件并在发光元件和引线电极上附着密封树脂从而将它们密封起来的光学半导体装置制造方法，其中，利用由硅树脂构成的密封树脂对通过本发明的光学半导体装置用封装的制造方法制造而成的光学半导体装置用封装之中形成有镀层层叠体的区域进行密封。

发明效果

在具有以上结构的本发明的光学半导体装置用封装和使用了该封装的光学半导体装置中，在光学半导体装置用封装表面上作为镀层层叠体而形成的纯Ag镀层通常被由Au-Ag合金镀层构成的耐受性镀层所覆盖。进而，耐受性镀层在最上层被薄膜式纯Ag闪镀层所覆盖。

这里，在本发明中，作为一个实例，镀层层叠体的中间层，即耐受性镀层构成为由Ag含有率为27.0wt％以上50.0wt％以下的Au-Ag合金镀层，由此抑制了S(硫磺)或Cl(氯)等离子从镀层层叠体表面进入纯Ag镀层而发生直接接触，防止了导致变为黑褐色的多余的银化合物(硫化银、氯化银等)的产生。

特别地，Ag与S(硫磺)发生反应的硫化反应已知会向镀层的厚度(深度)方向进行，但在本发明的镀层层叠体的情况下，通过耐受性镀层作为中间层介于其间，能够在较浅的深度阻止S(硫磺)进入纯Ag镀层。

此外，如果采用薄膜式纯Ag闪镀层构成镀层层叠体的最上层，则可以认为该镀层也容易与S(硫磺)或Cl(氯)等的离子发生反应，但在本发明中已经发现，由于耐受性镀层的存在，也有效地防止了该镀层变为黑褐色。即，通过对镀层层叠体施加例如300℃～360℃范围内的受热历程，此前一直是金原子单体、银原子单体的Au-Ag合金镀层的析出状态变成原本的金银合金性质，即完全固溶体。根据发明人的确认发现，在镀层层叠体中间层中形成这种合金结构之后的结果是，不仅是耐受性镀层，整个镀层层叠体的耐腐蚀性都得到改善，并且反射率也得到改善。

如上所述，根据本发明的光学半导体装置用封装和光学半导体装置，在最上层配设Ag闪镀层，并且对本镀层层叠体施加受热历程，就能够大幅度提高这些镀层的耐腐蚀性。其结果是，对于例如专利文献2所记载的发明，进一步抑制并降低了黑褐色变色，能够提供高反射率的镀层层叠体。

因而，即使在使用硅树脂作为密封树脂的情况下，也能够长期保持在密封树脂中的引线框架上实施的镀层的良好反射作用，能够发挥优异的光取出效率。

附图说明

图1是表示实施方式1的光学半导体装置用封装和使用了该封装的光学半导体装置的结构的图。

图2是表示实施方式2的光学半导体装置用封装和使用了该封装的光学半导体装置的结构的图。

图3是表示实施方式3的光学半导体装置用封装和使用了该封装的光学半导体装置的结构的图。

图4是表示光学半导体装置的初始反射率(发光波长为350～800nm)的图表。

图5是表示光学半导体装置的初始反射率(发光波长为450nm)的图表。

图6是表示光学半导体装置在硫化试验后的反射率(发光波长为350～800nm)的图表。

图7是表示光学半导体装置在硫化试验后的反射率(发光波长为450nm)的图表。

具体实施方式

下面，参照附图说明本发明的实施方式。

(实施方式1和2)

图1(a)和图2(a)是表示本发明的树脂成形型半导体装置用封装1、1A和使用了该封装的半导体装置10、10A的结构的剖视图。

图1(b)是图1(a)的A部放大剖视图，图2(b)是图2(a)的B部放大剖视图。

图1和图2所示的半导体装置10、10A在整体上都是在任意一个的引线电极3a表面上安装发光元件7，发光元件7通过键合线8与另一个引线电极3a键合。在这种状态下，在围绕发光元件7配设的研钵状的树脂外罩2的内部填充了密封树脂9。

具体而言，树脂外罩2是通过在半导体装置用封装1、1A中分别对引线框架(未图示)进行注塑成型等一体成型而成的。树脂外罩2的发光侧(安装有发光元件7的一侧)的主表面上形成有低洼部2a，整体呈研钵状。在低洼部2a的底面上，至少有一对引线电极3a分别露出。构成各个引线电极3a的金属构件穿过树脂外罩2后露出到外部的一侧成为端子电极3b。实施方式1和2的主要差异在于引线电极3a和端子电极3b的结构不同。

此外，至少在从树脂外罩2露出的引线电极3a和端子电极3b的表面上实施了由多个镀层层叠而成的镀层层叠体15(图1(b)、图2(b))。

优选的镀层层叠体15的结构是从引线电极3a开始按照纯Ag镀层6、耐受性镀层5、纯Ag闪镀层(反射镀层4)的顺序层叠而成。镀层层叠体15的合计厚度是由以下所示的各镀层的优选厚度层叠后进行合计得到的，约为2.657μm。

反射镀层4是由纯Ag材料构成的薄膜。厚度优选是0.003μm以上0.010μm以下，更优选是0.007μm。

纯Ag镀层4是为了利用电气连接用键合线8将发光元件7和引线电极3a连接起来而配设的。纯Ag镀层4适宜设定为1.6μm以上8.0μm以下的厚度。更优选是设定为2.5μm。光泽度适宜采用1.2以上。

耐受性镀层5是对金属氯化物或金属硫化物的至少某一种具有化学耐受性的镀层，由Au-Ag合金镀层构成。其被作为中间层包含在镀层层叠体15中。其厚度比反射镀层4更大，适宜采用0.05μm以上0.3μm以下的厚度。更优选是设定为0.15μm。

这里，耐受性镀层5采用Au-Ag合金的完全固溶体结构。在用作耐受性镀层5的Au-Ag合金镀层中，Au是主要成分，Ag含量在27.0wt％以上50.0wt％以下的范围内。

镀层层叠体的制造方法可以采用对各镀层4、5、6按顺序分别进行电镀处理的方法。亦即，首先在引线电极3a的表面上形成纯Ag镀层6(第一镀层步骤)。接着，在纯Ag镀层6的表面上形成Au-Ag合金镀层5作为镀层层叠体15的中间层(第二镀层步骤)。继而形成纯Ag闪镀层4作为所述镀层层叠体15的最上层(第三镀层步骤)。

这里，刚刚完成第三镀层步骤之后，在Au原子单体和Ag原子单体混合存在的状态下析出Au-Ag合金镀层，尚未形成完全固溶体。在这种状态下，镀层中的Ag原子容易与卤化气体发生反应，必须实施处理，使其具备优异的耐腐蚀性。因此，将刚刚完成第三镀层步骤之后的Au-Ag合金镀层在光学半导体装置的实际使用或实施可靠性试验之前，在大气中或氮气环境气体中进行300℃～360℃范围内的加热，赋予其受热历程(加热步骤)。考虑到光学半导体的组装工艺的特性，受热历程中的加热环境气体优选是氮气环境气体或绿色气体(green gas)环境气体。另外，加热时间在20秒～80秒的范围内即可。通过实施该加热处理，形成完全固溶体Au-Ag合金镀层，得到耐受性镀层5。

另一方面，树脂外罩2具有光反射性优异的研钵状截面形状，可以使用例如含有光反射性优异的氧化钛的热可塑性聚合树脂通过注塑成形而形成。

密封树脂9由耐热性及透明性优异的树脂材料构成。此外，在光学半导体装置10、10A中，发光元件7电气连接到一个引线电极3a，进而，发光元件7通过键合线8连接到另一个引线电极3a，在此状态下，对发光元件7及其周围进行密封，防止热、湿气、氧化作用等导致发光元件劣化或其周边部位发生劣化。密封树脂9的材料要适合发光元件7的发光特性，使用适宜于在较短波长区域内发光的硅树脂材料。此外，密封树脂9的主要成分是硅树脂材料，但也含有杂质程度的金属硫化物或氯化铂酸盐，作为在使用所述树脂材料的情况下不可或缺的硬化催化剂。

在具有以上结构的本实施方式1和2的光学半导体装置1、1A中，镀层层叠体15包含耐受性镀层5作为中间层，因此，即使在例如构成密封树脂9的硅树脂材料中含有金属硫化物或氯化铂酸盐等树脂硬化催化剂的情况下，也能够防止镀层层叠体15的最上层的反射镀层4发生黑褐色变色，其效果是能够保持良好的反射率。因而，与在引线电极3a的表面上纯Ag镀层6直接和上述硅树脂材料发生接触的情形相比，引线电极3a上所形成的镀层的耐腐蚀性、抗氯化特性、抗硫化特性等各特性显著提高。

由此，在光学半导体装置1、1A中，初始反射率与本发明人以前发明的专利文献2中记载的镀层层叠体相比有所改善，能够获得不逊于纯Ag镀层的初始反射率。

这里，图4、图5表示在制造完成后的初始状态下各个光学半导体装置的、对于一定的发光波长区域的反射率。实施例1表示形成有实施方式1中的镀层层叠体的引线框架。比较例1表示仅形成有纯Ag镀层的引线框架。比较例2表示形成有不含Ag闪镀层的镀层层叠体(Au-Ag合金镀层是最上层)的引线框架。

根据该图4、图5所示可知，就350～800nm范围内的任意发光波长而言，实施例1中的初始反射率比本发明人以前所发明的专利文献2中记载的镀层层叠体(比较例2)有所改善。另外，能够获得与仅由纯Ag镀层构成的比较例1相比并不逊色的初始反射率。

以下所示的表1表示在85℃的环境温度中以15mA的电流进行驱动达到1000小时的情况下对镀层有无变色进行确认的结果。

[表1]

高温通电试验比较

采用实施方式1中的光半导体装置用封装进行试验

如表1所示，比较例1的光学半导体装置用封装的Ag镀层被确认有黑褐色变色，而在实施例1的光学半导体装置用封装中则没有发现黑褐色变色。根据该结果可知，实施例1与纯Ag镀层直接接触到硅树脂的比较例1相比，镀层的耐腐蚀性、抗氯化特性、抗硫化特性、抗氧化特性的任意一项性能都有所提高，其结果是，能够保持良好的反射率。

接着，通过加速硫化试验验证本发明的效果，也就是确认反射效率和耐蚀性，并调查两者能够兼得的原因。

制备出上述实施例1、比较例1和2作为调查对象样本。

在加速硫化试验中，在350℃条件下执行1分钟时间的加热，作为对各样本的引线框架的预处理。该加热被当做是光学半导体装置的组装工艺的受热历程。

接着，制作出基于JIS标准H8621抗变色性试验方法的硫化氨溶液(0.2ml/L硫化氨水溶液)。将如上述所述对引线框架实施了受热历程的各样本在超声波作用下浸渍到硫化氨溶液中达到5分钟，然后用水将其充分清洗后使其干燥。

图6、图7表示在350～800nm的波长区域内测定此后的反射率所得的结果。

如这些附图中所示，Ag镀层(比较例1)的反射率因硫化而显著下降。与此不同的是，在本发明的镀层层叠体(实施例1)和比较例2中发现，无论有无Ag闪镀层4，图4、图5所示的初始反射率下降都很小，硫化反应受到了抑制。

另一方面，对实施例1和比较例2进行比较发现，层叠了Ag闪镀层4的实施例1与比较例2相比，其反射率保持得稍高。这表明，通过在350℃条件下执行1分钟时间的加热作为预处理，Au-Ag合金镀层成为完全固溶体，与此同时，薄膜式Ag闪镀层4在完全固溶体层引起金属扩散，因而形成了更稳定的完全固溶体。

(实施方式3)

下面针对实施方式3以实施方式3与实施方式1和2的差异为中心进行说明。

图3是表示实施方式3的光学半导体装置用封装1B和使用了该封装的光学半导体装置10B的结构的图。

该图中所示的光学半导体装置10B使用密封型半导体装置用封装1B构成。此外，在由含有杂质的氯化铂酸盐作为硬化催化剂的硅树脂构成的密封树脂9内部，在引线电极3a的表面上层叠配设有镀层层叠体15，该镀层层叠体15包含：纯Ag镀层6、作为最上层的薄膜式纯Ag闪镀层4、作为中间层的Au-Ag合金镀层5。

具体而言，半导体装置用封装1B中具有Cu或以Cu为主要成分的金属外罩2，在金属外罩2的成为发光侧的主面上形成有低洼部2a。在低洼部2a的底面上形成有沿封装的厚度方向(图面的上下方向)贯穿而成的贯穿孔11。贯穿孔11中插着引线12，并通过绝缘玻璃13密封。引线12被弯折成与低洼部2a的底面平行的状态，引线电极3a露出。引线电极3a在金属外罩2底面以平行弯折的状态露出，形成了端子电极3b。

此外，至少针对从金属外罩2露出的引线电极3a和端子电极3b的表面区域实施镀层层叠体15。镀层层叠体15的结构与实施方式1和2相同，采用纯Ag镀层6、耐受性镀层5、纯Ag闪镀层6的层叠结构。该镀层层叠体15的厚度和结构与实施方式1和2相同。

此外，图中未示出的是，金属外罩2与引线电极3a之间利用绝缘层实现绝缘。此外，如图3(b)所示，在低洼部2的表面上也形成有镀层层叠体15。亦即，在实施方式3中，与密封树脂9接触的金属外罩2的至少一部分低洼部2的表面(这里几乎是整个面上)上配设有镀层层叠体15，从而进一步提高驱动时的可见光的取出效率，实现更大程度的亮度提高。

在具有以上结构的本实施方式3的光学半导体装置用封装1B和使用了该封装的光学半导体装置10B中也能够收到与实施方式1和2基本相同的效果，使形成于引线电极3a上的镀层的反射率长期保持良好。

除此之外，低洼部2a成为金属外罩2的大范围的反射面，利用在该低洼部2a上形成的镀层层叠体15，能够保持良好的可见光反射率。其结果是，能够实现光学半导体装置用封装1B和使用了该封装的光学半导体装置10B的良好的亮度提高。

这里，图6和图7表示的是制作出本实施方式3中的光学半导体装置用封装作为实施例2，然后对实施例2执行与针对所述实施例1、比较例1、2所执行的实验相同的实验后得到的结果。

根据图6和图7所示可知，在本实施方式3中能够获得与仅使用Ag镀层的结构(比较例1)相比毫不逊色的反射效率。

进而，如表2所示，在引线电极3a中能够确认得到了以下效果，即：与纯Ag镀层6直接接触硅树脂的情形相比，引线电极3a中的镀层耐腐蚀性、抗氯化特性、抗硫化特性、抗氧化特性显著提高。

[表2]

高温通电试验比较

这样，根据本申请的发明人的创意研究所得到的研究结果，无论是哪一种实施方式，当在镀层层叠体15中设置了厚度在0.003μm以上0.010μm以下范围内的反射镀层4的情况下、以及在未设置反射镀层的情况下(亦即，仅使用纯Ag镀层或者在此基础上层叠了耐受性镀层的比较例1或2的结构)，对它们的耐腐蚀性进行比较可知，就变色程度和反射率而言，明显可以在由纯Ag闪镀层层叠而成的镀层层叠体15(实施例1和2)中确认到良好的特性改善。

具体而言，根据图4、5、6、7的结果可知，通过采用本发明中的镀层层叠体15，引线电极的反射率在发光元件的400nm发光波长的情况下提高到50％以上，在所述发光元件的450nm发光波长的情况下提高到80％以上，在所述发光元件的500nm至700nm发光波长区域内提高到85％以上。

工业实用性

本发明可以用作例如照明用或车载用光学半导体装置。在此情况下，作为能够提高光源在白色发光状态下的发光亮度的技术，其能够发挥显著效果。

附图标记说明

1、1A、1B：半导体装置用封装

2：外罩

2a：低洼部

3a：引线电极

3b：端子电极

4：反射镀层

5：耐受性镀层

6：镀层

7：发光元件

8：键合线

9：密封树脂

10、10A、10B：光学半导体装置

11：贯穿孔

12：引线

13：绝缘玻璃

15：镀层层叠体

Claims

1.一种光学半导体装置用封装，其特征在于，

具有外罩、引线电极和端子电极，并且所述引线电极的至少一部分表面上形成了由多个镀层构成的镀层层叠体，

所述镀层层叠体包含：

纯Ag镀层；

薄膜式反射镀层，比所述纯Ag镀层更薄，作为最上层；和

耐受性镀层，由对金属氯化物或金属硫化物的至少某一种具有化学耐受性的完全固溶体Au-Ag合金镀层构成，作为中间层。

2.如权利要求1所述的光学半导体装置用封装，其特征在于，

所述Au-Ag合金镀层含有Au作为其主要成分，并且Ag的含量为27.0wt％以上50.0wt％以下。

3.如权利要求1或2中任一项所述的光学半导体装置用封装，其特征在于，

所述耐受性镀层的层厚度为0.05μm以上0.3μm以下。

4.如权利要求1所述的光学半导体装置用封装，其特征在于，

所述反射镀层是由纯Ag构成的薄膜。

5.如权利要求1所述的光学半导体装置用封装，其特征在于，

所述反射镀层的厚度为0.003μm以上0.010μm以下。

6.如权利要求1所述的光学半导体装置用封装，其特征在于，

所述纯Ag镀层的层厚度为1.6μm以上8.0μm以下。

7.如权利要求1所述的光学半导体装置用封装，其特征在于，

所述纯Ag镀层的光泽度在1.2以上。

8.如权利要求1所述的光学半导体装置用封装，其特征在于，

还在与密封树脂相接触的外罩的至少一部分表面上配设有所述镀层层叠体。

9.一种光学半导体装置，其特征在于，

该光学半导体装置是发光元件以与引线电极电气式连接的方式配设，并以将所述发光元件和引线电极密封起来的方式配设有密封树脂而构成的，

在所述引线电极的至少一部分表面上形成了由多个镀层构成的镀层层叠体，

所述镀层层叠体包含：

纯Ag镀层；

薄膜式反射镀层，比所述纯Ag镀层更薄，作为最上层；和

耐受性镀层，由对金属氯化物或金属硫化物的至少某一种具有化学耐受性的完全固溶体Au-Ag合金镀层构成，作为中间层，

所述引线电极的反射率在所述发光元件的发光波长为400nm的情况下达到50％以上，在所述发光元件的发光波长为450nm的情况下达到80％以上，在所述发光元件的500nm至700nm发光波长区域内达到85％以上。

10.一种光学半导体装置，其特征在于，

该光学半导体装置是发光元件电气式连接到如权利要求1～8中的任一项所述的光学半导体装置用封装的引线电极，并以将所述发光元件和引线电极密封起来的方式配设有密封树脂而构成的，

所述镀层层叠体至少配设在配设有发光元件的引线电极的表面区域，

11.如权利要求9或权利要求10中的任一项所述的光学半导体装置，其特征在于，

所述密封树脂是含金属氯化物催化剂的透光性树脂。

12.如权利要求11所述的光学半导体装置，其特征在于，

所述透光性树脂是硅树脂。

13.如权利要求11所述的光学半导体装置，其特征在于，

所述金属氯化物催化剂是氯化铂酸盐。

14.一种光学半导体装置用封装的制造方法，其特征在于，

该制造方法历经在光学半导体装置用封装的引线电极表面上形成多个镀层层叠体的镀层工序，

该镀层工序包括以下步骤：

第一镀层步骤，形成纯Ag镀层；

第二镀层步骤，在所述纯Ag镀层上形成Au-Ag合金镀层；和

第三镀层步骤，在所述Au-Ag合金镀层上形成纯Ag闪镀层作为最上层，

在镀层工序之后历经加热步骤，在所述镀层层叠体上实施加热处理，形成完全固溶体。

15.如权利要求14所述的光学半导体装置用封装的制造方法，其特征在于，

在所述加热步骤中，在大气、氮气环境气体之中的任一种气体中进行300℃～360℃范围内的加热处理。

16.一种光学半导体装置的制造方法，其特征在于，

将发光元件电气连接到光学半导体装置用封装的引线电极上，并在所述发光元件和引线电极上附着密封树脂从而将它们密封起来，

使用由权利要求14或15中的任一项所述的制造方法制造而成的光学半导体装置用封装，

利用由硅树脂构成的密封树脂对所述半导体装置用封装之中形成有所述镀层层叠体的区域进行密封。