CN101971284B - 等离子显示装置 - Google Patents

Abstract

一种等离子显示装置，在保护层周边部配置由阴极发光的发光光谱表示所希望特性的MgO单结晶构成的结晶粒子，在初始化期间，通过具有初始化期间前半部、和初始化期间后半部的驱动方式，进行图像显示，其中，在初始化期间前半部对第2电极施加从第一电压缓慢上升到第二电压的电压，在初始化期间后半部施加从第三电压缓慢下降到第四电压的电压。

Description

等离子显示装置

技术领域

本发明涉及一种在电子计算机和电视机等的图像显示中使用的等离子显示面板、驱动方式及驱动装置。 

背景技术

近年来，在电子计算机和电视机等的图像显示中使用的等离子显示面板(以下标记为PDP)，不仅实现大型、薄型轻型化，还为了实现更高的画质而提高了对高精细化的要求。 

为了使应当发光的放电单元确实地发光，使不应当发光的放电单元确实不发光，如此进行控制来显示品质高的图像，必须在分配的时间内进行确实的写入工作。因此，在推进可高速驱动的面板的开发的同时，还推进用于引导此面板的性能、并显示品质高的图像的驱动方法及驱动电路的研讨。 

图24是对PDP的各电极施加的现有的驱动电压的波形图的例子。表示子场中的驱动电压波形的现有例。图24示出扫描电极(图24中记载为SCN1～n)的驱动波形、维持电极(图24中记载为SUS1～n)的驱动波形、和地址电极(图24中记载为D1～m)的驱动波形。在初始化期间，在进行对点亮单元进行选择的写入放电的写入期间32之前，在写入放电中通过弱放电来储备所希望的壁电荷。在1场区域内的最初的子场(以后记载为SF)中，对进行图像显示的全部单元设置进行产生初始化放电的所有单元初始化工作的所有单元初始化期间31。另一方面，在其它的SF中，仅对在所有单元初始化工作或前面的SF中经历维持放电的单元设置进行产生初始化放电的选择初始化工作的选择初始化期间34。 

在写入期间32中，进行通过写入放电而点亮的单元的选择。在维持期间33中，进行维持仅在写入期间32进行了写入放电的单元的发光的维持工作。第1SF中的所有单元初始化期间31的前半部的初始化工作中， 所有的维持电极SUS1～SUSn及地址电极D1～Dm都被保持在0V。而后，在所有的扫描电极SCN1～SCNn上，施加向在与它们成对的维持电极SUS1～SUSn及相对交叉的地址电极D1～Dm之间开始放电的阈值电压Vff以上的电压Vh缓慢上升的斜坡电压，在PDP的放电部引起气体放电。在此的放电是电离倍增在时间上缓慢发展的弱放电。由此弱放电产生的电荷作为壁电荷被储备在包围放电部的壁面上，以便减弱数据电极、扫描电极、维持电极周边的放电部的内部及表面的电场。在扫描电极附近的保护膜表面上储备负电荷作为壁电荷，在维持电极附近的保护膜表面及地址电极附近的荧光体层表面上储备正电荷作为壁电荷。并且，在所有单元初始化期间31的后半部的初始化工作中，所有的维持电极SUS1～SUSn被保持在正电压Ve。而后，在所有的扫描电极SCN1～SCNn上，施加向在与它们成对的维持电极SUS1～SUSn及相对交叉的地址电极D1～Dm之间开始放电的阈值电压Vpf以下的电压Vbt缓慢下降的斜坡电压。而后，在放电部引起气体放电。在此的放电也是电离倍增在时间上缓慢发展的弱放电。通过此弱放电来减弱储备在扫描电极附近的保护膜表面上的负电荷及储备在维持电极附近的保护膜表面上的正壁电荷。 

结束所有单元初始化工作，在全部的电极都接地的状态下，由于储备的壁电荷而在扫描电极和地址电极及维持电极间产生通过写入放电来选择点亮单元所需的所希望的电位差(称为壁电位)。再有，初始化工作是通过放电来形成用于对写入放电进行控制的所希望的壁电荷的工作。在写入期间32中，对扫描电极施加比数据电极及维持电极更低的电压。并且仅对点亮的单元的地址电极施加电压，以便在扫描电极和地址电极之间产生与壁电位同符号的电压差。通过这样来引起写入放电。由此，在荧光体表面及维持电极附近的保护层表面上储备负电荷作为壁电荷，在扫描电极附近的保护层表面上储备正电荷作为壁电荷。结束写入期间，在全部电极都接地的状态下，通过壁电荷产生在扫描电极和维持电极间引起维持放电所需的所希望的壁电位。 

在维持期间33中，首先对扫描电极施加比维持电极更高的电压而引起放电。此后，通过施加电压以便交替转换扫描电极和维持电极的极性，来间断地维持发光。在选择初始化期间34中，通过对维持电极施加与扫 描电极的相位差时间宽度较窄的矩形波形消去电压，从而发生不完全放电使壁电荷被消除掉一部分，包括在下一SF的初始化工作中。如此，在现有的PDP的驱动方法中，按照初始化期间、写入期间、维持期间这样一连串的序列进行图像显示。 

但是，面板的放电特性对保护层的特性依赖较大，特别地，为了改善对可否进行高速驱动进行支配的电子释放性能和电荷保持性能，而进行有关保护层的材料、结构、制造方法等的大量的研讨。例如，专利文献1公开了，通过气相氧化并生成镁蒸汽来设置在200nm～300nm具有阴极发光发光峰值的氧化镁层的面板。专利文献1还公开了如下电极驱动电路，在该电极驱动电路中，在写入期间按顺序对构成所有显示行的显示电极对的每一个施加扫描脉冲，并且还对数据电极提供与施加扫描脉冲的显示行对应的写入脉冲。 

在这样的现有的PDP(以下记载为现有例1)中，在用于通过弱放电来储备所希望的壁电荷的所有单元初始化期间31中，在初始时在存在于放电部中的离子和电子(成为电离倍增的基础的带电粒子)的密度低的时候、和容易吸收带电粒子的电荷的荧光体和隔壁包围放电部的时候，成为放电源的带电粒子的数量绝对地减少。因此，发生电离倍增在时间上急剧发展的强的放电(以下记载为强放电)的概率变高。一旦发生强放电，就会储备比所希望的壁电荷多余的壁电荷(几乎消除放电部的电场的壁电荷)，产生比所希望的壁电位更高的异常壁电位。由于此异常壁电位的作用，在维持期间无论是否是不点亮都会维持发光，有不能正常进行图像显示这样的问题。 

此外，在使用高精细PDP进行视频显示的情况下，具有下述这样的问题。例如，在高精细化的逐行扫描(progressive)方式42型全HD(高·清晰度：High Definition)(1920×1080像素)PDP中，即便因单元间距短而用隔壁将单元相互隔离，与相邻单元的电场干涉和带电粒子的飞散的影响也会变大。在图24所示的现有的PDP驱动方式(以下记载为现有例2)中，在选择初始化期间34中由于施加矩形波形电压，所以消去放电变强。因此，在按现有例2来驱动高精细PDP的时候，初始化期间中的相邻单元间的放电干涉的影响变得明显，在写入工作中不能储备所希望的壁电位， 具有不能正常地进行写入工作这样的问题(参照专利文献2)。 

此外，在现有的PDP中，在为高精细化而减小像素间距、提高放电部的表面积相对于容积的比率的时候，或为了高亮度化而提高氙和氪等原子序号大的放电气体的混合比率的时候，用于进行稳定的初始化工作的电子供给量不足。而后，在初始化期间发生强放电，由于通过强放电储备的异常壁电荷，所以在维持期间无论是否是不点亮都会维持发光，有不能正常进行图像显示这样的第一课题。 

此外，在现有的驱动方式中，驱动高精细PDP的时候，选择初始化期间中的相邻单元间的电场干涉和带电粒子的飞散的影响变得明显，在维持期间无论是否是点亮都不会维持发光，有不能正常进行图像显示这样的第二课题。 

下面详细地说明伴随高精细化而上述第一课题变得明显的理由。随着高精细化，每一单元的放电部的体积减少，放电部的表面积相对于体积的的比率增加，因壁面中的带电粒子的再吸收及弹性冲击引起的发热而导致的能量损失增大，需要从外部投入更多的电力。其结果，所有单元初始化工作前的放电部内部的带电粒子数减少，此外各期间的驱动电压上升。一旦施加在电极上的电压上升，在电极周边的放电部内部及表面的电场强度变得更强，电离倍增在时间上急剧进展的概率变得更高。其结果，使在现有的初始化工作中利用的弱放电的产生变得更困难。 

如此，随着高精细化，因放电部内部的带电粒子的减少及驱动电压的增大，在初始化期间容易发生强放电。其结果，正常地进行在写入期间的点亮或不点亮单元的选择比过去更加困难。 

此外，随着高精细化，通过减小1单元的尺寸来增加隔壁及金属电极的遮光率，亮度会下降，视频整体变暗。因此，作为确保高画质显示所需的亮度的方法，关注使承担可见光的发光的氙和氪的混合比、或放电气体的总压上升的方法。例如，研讨总压180Torr以上、750Torr以下，氙分压比为10％、15％、20％、30％、50％、80％、90％、95％、98％、100％等。 

下面详细说明在氙和氪等的混合比率大的情况下，上述第一课题变得明显的理由。由于氙和氪等原子序号大的元素，最外层的电子能量(第一离子化能量)小，所以与最外层的电子能量大的氦、氖、氩相比，2次电子释放系数非常小。其结果，从保护膜表面提供给放电部的电子的绝对数就减少，放电开始所需的阈值电压变高。一旦施加在电极上的电压上升，在电极周边的放电部内部及表面的电场强度变得更强，电离倍增在时间上急剧进展的概率变得更高。其结果，就会使初始化期间中利用的弱放电的发生变得更困难。

即便在为了确保高画质显示所需的高亮度而使氙和氪等的分压比增加的情况下，在所有单元初始化期间强放电也变得容易发生。在发生强放电的时候，由于1次放电的发光强度强，所以对比度比显著下降，在显示低灰度表现较多的视频的时候，画质显著劣化。并且，由于多余的壁电位的形成，就会使得正常地进行在写入期间的点亮或不点亮单元的选择比过去更困难。 

专利文献1：JP特开2006-54158号公报 

专利文献2：JP特开2000-214823号公报 

专利文献3：JP特开2007-48733号公报 

发明内容

一种等离子显示装置，包括等离子显示面板和驱动电路。等离子显示面板包括第一基板和第二基板，其中，第一基板具有：第一电极及第二电极；在第一电极及第二电极的周边部形成的电介质层；以及在电介质层表面以面向放电部的方式形成的保护层；第二基板至少具有1根第三电极，且在第三电极周边部形成电介质层，在第一基板的保护层的表面形成含MgO单结晶粒子的结晶粒子，其中，MgO单结晶粒子，在将阴极发光中的波长200nm以上、小于300nm的波长区域的光谱积分值设为Sa，且将阴极发光中的波长300nm以上、小于550nm的波长区域的光谱积分值设为Sb时，比率Sa/Sb是1以上；按照夹持上述放电部的方式来相对配置第一基板和第二基板，其中，第一基板具有至少面向放电部的部分；在对置的第一基板和第二基板之间封入放电气体。驱动电路的1个场由多个子场构成，其中，子场至少具有初始化期间和写入期间；初始化期间通过具有初始化期间前半部和初始化期间后半部的驱动方式，来驱动等离子显示面板，其中，在上述初始化期间前半部对第2电极施加从第一电压缓慢上升至第二电压的电压，在上述初始化期间后半部对第2电极施加从第三电压缓慢下降至第四电压的电压。 

附图说明

图1是表示在本发明中使用的面板主要部分的斜视图。 

图2是本发明的面板的电极布线图。 

图3是使用本发明的PDP的等离子显示装置的结构图。 

图4是本发明的PDP的驱动方式中的子场的结构图。 

图5是放大表示本发明的PDP的保护层部分的图。 

图6是用于说明在本发明的PDP的保护层中MgO单结晶的形状的放大图。 

图7是在本发明的实施方式1中，对本发明的PDP的各电极施加的驱动电压的时序图。 

图8是表示用于输出本发明的驱动波形的驱动电路结构的一例的图。 

图9是CL发光光谱解析装置的示意图。 

图10是表示MgO单结晶粒子的CL发光光谱测量结果的图。 

图11是表示CL发光光谱的峰值积分值之比和放电延迟时间的关系的图。 

图12是表示在所有单元初始化期间，弱放电时候的APD输出电压的图。 

图13是表示在所有单元初始化期间，强放电时候的APD输出电压的图。 

图14是表示在验证本发明的等离子显示装置的效果的实验中，电子释放性能和初始化倾斜电压的界限倾斜度的关系的特性图。 

图15是表示在验证本发明的等离子显示装置的效果的实验中，电子释放性能和写入工作错误发生率的倾斜度的关系的特性图。 

图16是表示在验证本发明的等离子显示装置的效果的实验中，面板温度和电子释放性能的关系的特性图。 

图17是表示在验证本发明的等离子显示装置的效果的实验中，施加涉及现有例的驱动波形1时的显示状态的图。 

图18是表示在验证本发明的等离子显示装置的效果的实验中，施加涉及本发明的驱动波形2时的显示状态的图。 

图19在本发明的实施方式2中对各电极施加的驱动电压的时序图。 

图20是用于说明初始化飞出电压图。 

图21是表示在验证本发明的等离子显示装置的效果的实验中，初始化飞出电压和黑亮度的关系的特性图。 

图22A是表示在本发明的实施方式3中，在初始化期间前半部对扫描电极施加的驱动波形的一例的图。 

图22B是表示在本发明的实施方式3中，在初始化期间前半部对扫描电极施加的驱动波形的一例的图。 

图22C是表示在本发明的实施方式3中，在初始化期间后半部对扫描电极施加的驱动波形的一例的图。 

图22D是表示在本发明的实施方式3中，在初始化期间后半部对扫描电极施加的驱动波形的一例的图。 

图23是表示在本发明的实施方式4中用于输出驱动波形的驱动电路的一例的图。 

图24是对PDP的各电极施加的现有的驱动电压的波形图的例子。 

符号说明 

1等离子显示面板 

11前面玻璃基板 

12背面玻璃基板 

13电介质层 

14数据电极 

15隔壁 

16荧光体层 

17电介质层 

17a第一电介质层 

17b第二电介质层 

18保护层 

18a基底保护层 

18b结晶粒子 

18c凝聚粒子 

19a1扫描透明电极 

19a2扫描总线电极 

19b1维持透明电极 

19b2维持总线电极 

20放电部 

21扫描电极驱动电路 

22维持电极驱动电路 

23地址电极驱动电路 

24计时产生电路 

25A/D转换器 

26扫描线数转换部 

27子场转换部 

28APL检测部 

31所有单元初始化期间 

32写入期间 

33维持期间 

34选择初始化期间 

35初始化期间 

优选实施方式 

近年来，除了大画面，还希望高精细度等离子显示装置，例如希望1920像素×1080行的高精细度等离子显示装置，更希望2160行或4320行这样的超高精细度等离子显示装置。像这样，一方面增加行数，另一方面还必须确保用于显示平滑的灰度的子场数。因此，分配给每一行的写入工作的时间趋向于越来越短。因此，为了在分配的时间内进行确实的写入工作，而要求超过现有的可高速且稳定进行写入工作的面板、其驱动方法、具备实现其的驱动电路的等离子显示装置。 

本发明同时解决现有PDP中的上述第一课题和现有驱动方式的上述第二课题。而且，本发明不仅进行高速且稳定的写入工作，飞跃地改善图 像的闪烁、闪变(ザラツキ)等，还能通过地址电极驱动电路的部件点数削减和扫描脉冲的低电压化使扫描IC的低价格化成为可能。这样，本发明能提供一种实现高精细·省电·低价格的等离子显示装置。 

下面，使用附图，说明本发明的一实施方式的等离子显示装置。 

实施方式1 

图1是表示本发明中的等离子显示装置的面板的基本结构的斜视图。等离子显示面板1相对配置作为第一基板的前面板PA1和作为第二基板的背面板PA2，用低熔点玻璃的密封材料密封其外周部。在等离子显示面板1内部的放电部20中以100Torr～600Torr的压力封入氙等放电气体。 

在前面板PA1的前面玻璃基板11上平行配置多对由作为第二电极的扫描电极19a及作为第一电极的维持电极19b构成的显示电极对19。在前面玻璃基板11上形成电介质层17，以便覆盖显示电极对19。通过丝网印刷、模压涂覆(die coat)等对主成分为氧化铅、或氧化铋、或氧化磷的低熔点玻璃等进行涂敷、焙烧来形成电介质层17。并且在其表面上形成主成分为氧化镁的保护层18。扫描电极19a由用铟锡氧化物和氧化锡等形成的扫描透明电极19a1、和形成在扫描透明电极19a1上的扫描总线电极19a2构成。维持电极19b由维持透明电极19b1和在其上形成的维持总线电极19b2构成。为了在扫描透明电极19a1的长边方向赋予导电性而设置扫描总线电极19a2。为了在维持透明电极19b1的长边方向赋予导电性而设置维持总线电极19b2。扫描总线电极19a2和维持总线电极19b2由主成分为银的导电性材料形成。 

此外，在背面板PA2的背面玻璃基板12上在与显示电极对19正交的方向上相互平行地配置多个作为第三电极的数据电极14，用电介质层13将其覆盖。并且，在电介质层13上形成隔壁15。在电介质层13上及隔壁15的侧面形成由紫外线分别发出红色、绿色、以及蓝色的光的荧光体层16。在此，在显示电极对19和数据电极14交叉的位置形成放电单元，具有红色、绿色、蓝色的荧光体层16的放电单元的一组构成用于彩色显示的像素。再有，电介质层13不是必需的，也可以是省略电介质层13的结构。 

接着，说明PDP1的电极配置及驱动电路。图2表示PDP1的电极配置。图3是表示驱动电路的结构的方框图。 

在图2中，SCN1至SCNn表示第一扫描电极19a至第n扫描电极19a。SUS1至SUSn表示第一维持电极19b至第n维持电极19b。D1至Dm表示第一数据电极14至第m数据电极14。 

如图3所示，此等离子显示装置包括：等离子显示面板1、扫描电极驱动电路21、维持电极驱动电路22、地址电极驱动电路23、计时产生电路24、A/D(Analog/Digital)转换器25、扫描线数转换部26、子场转换部27、APL(Averaged Picture Level)检测部28。 

在图3中，图像信号VD被输入给A/D转换器25。此外，水平同步信号H及垂直同步信号V被输入给计时产生电路24、A/D转换器25、扫描线数转换部26。A/D转换器25将图像信号VD转换成数字信号的图像数据，将此图像数据输出到扫描线数转换部26及APL检测部28。APL检测部28检测图像数据的平均亮度等级(level)，以基于其检测结果的信号作为计时产生电路24检测出的平均亮度等级的依据，控制构成1电视场的驱动波形。扫描线数转换部26将图像数据转换成与等离子显示面板1的像素数相应的图像数据，输出给子场转换部27。关于子场在后面进行说明。子场转换部27将在子场中分割的图像数据输出给地址电极驱动电路23。地址电极驱动电路23按每一子场对地址电极施加与地址电极D1～Dm对应的电压。 

计时产生电路24依据水平同步信号H及垂直同步信号V产生计时信号，输出给扫描电极驱动电路21及维持电极驱动电路22。扫描电极驱动电路21根据计时信号对扫描电极SCN1～SCNn施加驱动电压。维持电极驱动电路22根据计时信号对维持电极SUS1～SUSn施加驱动电压。 

接着，说明在PDP1中使用的灰度表现的方式。图4表示PDP1中使用的灰度表现的方式。在显示电视视频的情况下，例如NTSC方式的视频在1秒钟由约60场构成。本来，在PDP1中仅能对点亮或不点亮的2个灰度进行灰度表现。因此，通过将1帧(或1场)分割成多个子场(以下记载为SF)来对红、绿、蓝的各色的点亮时间进行时间分割，使用通过其组合来表现中间色的方式。将在各SF的放电维持期间施加的维持脉冲数 之比按“1”、“2”、“4”、“8”、“16”、“32”、“64”、“128”这样以2进制模式进行加权，通过8位的组合来表现256灰度。在此方式中，为了控制在放电部20中的气体放电，将各SF进一步分割成4个期间。 

其次，图5表示保护层18的详情等。按照图5所示，为了保护电介质层17避开离子冲击，同时改善对驱动的速度进行大大支配的电子释放性能和电荷保持性能，保护层18由形成在第二电介质层17b之上的基底保护层18a、和形成在基底保护层18a上的MgO结晶粒子18b构成。 

基底保护层18a是由溅射法、离子喷镀法、电子线蒸镀法等形成的厚度0.3μm～1μm的MgO结晶层。MgO的结晶粒子18b是焙烧MgO前驱体而形成的、在基底保护层18a上附着了具有平均粒径为0.3μm～4μm的比较均匀的粒径分布的MgO单结晶粒子的层。不需要覆盖基底保护层18a的整个面来形成MgO单结晶粒子，只要按覆盖率1～30％在基底保护层18a上以岛状形成即可。即，结晶粒子18b面对放电部20的面积比第一基板面对放电部20的总面积更小。此外，也可以将一部分埋没在保护层18中来设置MgO单结晶粒子，形成结晶粒子18b。 

图6是表示实施方式1中的PDP1的结晶粒子18b中所含的MgO单结晶粒子的形状的示意图。单结晶粒子18b的形状虽然基本上是正6面体形状或正8面体形状，但由于制造上的差异，也可以是切除掉正6面体形状或正8面体形状的顶点及棱线后具有切顶面及斜方面的形状。如图6所示，凝聚粒子18c是结晶粒子18b凝聚或颈缩后的状态的粒子。不是作为固体具有大的结合力进行结合，而是通过静电或范德瓦尔斯力等使多个一次粒子成为集合体的体，通过超声波等外界的刺激，其一部分或全部按成为一次粒子的状态的程度结合。 

接着，说明在实施方式1中的PDP驱动方式的初始化期间的驱动波形及驱动电路。实施方式1中的PDP驱动波形，如图7所示，在各SF的初始化期间中设置有初始化期间前半部T1和初始化期间后半部T2。在初始化期间前半部T1中，对扫描电极SCN1至扫描电极SNCn施加从第一电压Va1缓慢上升到第二电压Vb1的电压。在初始化期间后半部T2中，对扫描电极SCN1至扫描电极SCNn施加从第三电压Vc1缓慢下降到第四电压Vd1的电压(也参照图12)。 

图8表示用于实现实施方式1的PDP1的驱动波形的驱动电路的结构。此驱动电路在初始化期间前半部T1准备用于施加缓慢地上升的电压的电源Vb，通过分离电路来控制正极性的电压的输出。此外，此驱动电路在初始化期间后半部T2准备用于施加缓慢地下降的电压的电源Vd，通过分离电路来控制负极性的电压的输出。对于控制维持电压Vsus的输出的分离电路8A，在分离电路8A的输出端子上连接控制正极性的电压Vb的输出的分离电路8B。在分离电路8B的输出端子上连接控制负极性的电压Vd的输出的分离电路8C。 

此外，在分离电路8B的高侧开关的栅极·漏极间连接由恒流电路I1、电容器C1、二极管D1、电阻R1、和电源电压Vb构成的倾斜产生电路RAMP1。此外，在分离电路8C的低侧开关的栅极·漏极间也连接由恒流电路I2、电容器C2、二极管D2、电阻R2、和电源电压Vd构成的倾斜产生电路RAMP2。利用此驱动电路的结构，就能在初始化期间前半部T1中对扫描电极施加缓慢上升的电压，在初始化期间后半部T2中对扫描电极施加缓慢下降的电压。再有，图8所示的电路结构是输出倾斜电压的一个例子，不是限制。 

下面，说明本发明的效果验证实验。 

(验证实验1) 

分别使用液相法及气相法制作MgO单结晶粒子，调查单结晶粒子的阴极发光(CL)发光。在CL发光光谱分析中使用高灵敏度型的分光光度测量系统。图9示出发光光谱解析装置的示意图。在真空室91内从电子枪92以入射角45°对试料93照射入射能量3keV、射束电流3.9μA的电子线(EB)。使由此获得的光经由透镜、光纤等光学系统94入射到发光光谱解析用高灵敏度型分光光度测量系统95(在此使用大塚电子(株)IMUC7500)中，用分光器96进行分光，由此测量CL发光光谱。再有，在本测量系统中，进行用于修正相对于分光器96的各波长的灵敏度的校准。 

图10示出有关使用通过液相法制作出的单结晶的本发明涉及的PDP、和使用通过气相法制作出的单结晶的现有的PDP(以下记载为现有例3)的结晶粒子18b的CL发光光谱。在图10中，横轴代表波长，纵轴代表发 光强度。并且，实线表示实施方式1的特性，虚线表示现有例3的特性。实施方式1中的结晶粒子18b的CL发光光谱在波长200～300nm呈现出大的峰值，在300～550nm呈现出小的峰值。另一方面，通过气相氧化法制作出的现有例3的单结晶粒子的发光光谱，在波长200～300nm的峰值、300～550nm峰值都是小的峰值。 

在此，说明放电延迟时间和电子释放性能的关系。电子释放性能由每单位面积、每单位时间从含基底保护层18a、及凝聚粒子18c的保护层18的表面释放出的电子数(电流密度)决定。作为测量从保护层18的表面流到放电部的电流密度的方法，考虑如下等方法：将试验品破坏并将前面板的小片样品放入真空室内，通过外部电场捕捉释放到空间的电子，用光电子倍增管等进行检测。但是，实际中很难测量驱动PDP时的来自保护层18的电流密度。 

因此，如JP特开2007-48733号公报中所记载的，作为与到放电为止的电流密度具有相关的测量量，使用放电的统计延迟时间Ts。将从电压被施加到放电迎来峰值的时间上的放电的延迟解释为放电的形成延迟时间Tf和放电的统计延迟时间Ts之和。放电延迟时间取决于施加的电压及放电开始前的气体中的电子数密度。放电的形成延迟时间Tf与施加电压存在相关，统计延迟时间Ts与放电开始前的气体中的电子数密度存在相关。作为到放电开始为止的时间的函数，测量各时刻中的统计延迟时间Ts。统计延迟时间Ts的倒数与来自包围放电气体的保护层的电子的电流密度存在比例关系。如果将统计延迟时间Ts的倒数作为到放电开始为止的时间的函数进行时间积分的话，则能进行来自保护层18的每单位面积的电子释放量的相对比较。 

发明者们关注波长200～300nm的峰值和波长300～550nm的峰值之比，调查此峰值比和写入工作时的放电延迟时间的相关关系。试验CL发光光谱的发光峰值比不同的样品，进行放电延迟时间(相对比)的比较。图11示出其结果。在图11中横轴代表峰值比PK，纵轴代表放电延迟。峰值比PK是用波长300nm以上、小于550nm的发光光谱的积分值Sb除波长200nm以上、小于300nm的发光光谱的积分值Sa后得到的结果的值。放电延迟时间是以在波长200nm以上、小于300nm中未呈现出强 的峰值的现有例3中的放电延迟时间为基准的放电延迟时间的相对比。CL发光光谱的峰值比PK如果是“2”以上，则放电延迟时间在“0.2”以下且基本上是固定的，表明具有优良的电子释放性能，放电延迟时间被缩短。 

关于这些CL发光光谱的峰值比PK和电子释放性能的相关关系，虽然并非物理解释能明确，但能进行如下推测。 

波长200～300nm的发光光谱的峰值表示存在5eV左右的能量的缓和过程，可预测随着此大的能量的缓和，俄歇电子(Auger electron)释放的概率也大。另一方面，波长300～550nm的发光光谱的峰值表示在带隙(band gap)间大量存在由氧缺失等引起的陷阱能级(trap level)，可预测很难产生大的能量的缓和过程，俄歇电子释放的概率也小。因此，认为波长200～300nm的峰值越大、波长300～550nm峰值越小，则电子释放性能越高。通过使用具有高的电子释放性能的单结晶粒子来形成结晶粒子18b，就能获得电子释放性能高的PDP。 

通过液相法生成上述发光光谱的波长200～300nm的峰值大的、波长300～550nm的峰值小的MgO单结晶粒子。具体地，如下所述，在高温的含氧的气氛中均一地焙烧作为MgO前驱体的氢氧化镁就能生成。 

(液相法1)液相法1，在纯度99.95％以上的镁醇盐(alkoxide)或镁乙酰丙酮的水溶液中加入少量的酸，加水进行分解，制作氢氧化镁的凝胶体。然后，通过在空气中焙烧此凝胶体进行脱水，生成单结晶粒子的粉状体。 

(液相法2)液相法2，在溶有纯度99.95％以上的硝酸镁的水溶液中添加碱性溶液，使氢氧化镁沉淀。接着，从水溶液中分离出氢氧化镁的沉淀物，通过将其在空气中焙烧进行脱水，生成单结晶粒子的粉状体。 

(液相法3)液相法3，在溶有纯度99.95％以上的氯化镁的水溶液中添加氢氧化钙，使氢氧化镁沉淀。接着，从水溶液中分离出氢氧化镁的沉淀物，通过将其在空气中焙烧进行脱水，生成单结晶粒子的粉状体。 

作为焙烧温度，优选700℃以上，更优选1000℃以上。这是因为在小于700℃时，预测结晶面未充分生长、缺陷会增多。实际中，根据本发明者们的实验，可确认在700℃以上、小于2000℃的焙烧温度下，可生成如下2种单结晶粒子：波长200～300nm的区域的峰值比PK是“1”以上的单 结晶粒子；和波长200～300nm的区域的峰值比PK小于“1”且在波长680～900nm的区域中具有高的峰值的单结晶粒子。并且，可确认在1400℃以上的焙烧温度下，波长200～300nm的区域的峰值比PK小于“1”且在波长680～900nm的区域中具有高的峰值的单结晶粒子的比例增加。因此，为了提高波长200～300nm的区域的峰值比PK是“1”以上的MgO单结晶粒子的生长效率，优选将焙烧温度设定在700℃以上、小于1400℃。 

作为MgO前驱体，除上述氢氧化镁以外，还可使用镁醇盐、镁乙酰丙酮、硝酸镁、氯化镁、碳酸镁、硫酸镁、草酸镁、醋酸镁等当中的一种以上。在此，优选作为MgO前驱体的镁的化合物的纯度在99.95％以上，更优选99.98％以上。这是因为，如果大量含有碱金属、硼、硅、铁、铝等杂质元素，则在焙烧时引起粒子间的熔合和烧结，很难生长出结晶性高的粒子。 

再有，波长200～300nm的区域的峰值比PK小于“1”且在波长680nm～900nm的区域中具有高的峰值的MgO单结晶比波长200～300nm的区域的峰值比PK是“1”以上的MgO单结晶的粒径更小。因此，通过进行分级就能分离出这样2种MgO单结晶，能选别波长200～300nm的区域的峰值比PK大的单结晶粒子。 

如此，通过使波长200～300nm的发光峰值和波长300～550nm的发光峰值之比是“2”以上的单结晶粒子离散地附着在基底保护层18a整个面上成为大致均匀的分布，来构成实施方式1中的结晶粒子18b。即，MgO单结晶粒子，在设阴极发光中的波长200nm以上、小于300nm的波长区域的光谱最大值为Sc，阴极发光中的波长300nm以上、小于550nm的波长区域的光谱最大值为Sd时，比率c/d是2以上。由此，能提高具有稳定良好的电子释放性能、可高速写入的PDP。 

(验证实验2) 

试验仅形成了由掺杂Al、Si等杂质的MgO构成的基底保护层的试验品1、和使单结晶粒子通过整面分布附着在由MgO构成的基底保护层上的试验品2。在试验品1中，由于不存在单结晶粒子，所以CL发光光谱示出了与在波长200nm以上、小于300nm没有出现强的峰值的现有例3相同的光谱特性，放电延迟时间(相对比)几乎为1。 

对于这些试验品，比较在所有单元初始化期间的强放电的发生容易度，进行涉及本发明的试验品2的在所有单元初始化期间的强放电的抑制效果的验证。 

在本实验中，作为测量设备使用被作为光信号的接收部利用的近红外线用的光电二极管(以下标记为APD)。所有单元初始化期间中的放电的强弱通过APD的输出进行观测。放电的强弱可通过由氙的激励状态间的跃迁释放的近红外线的产生量进行识别。在放电强的情况下，近红外线的产生量增大。 

作为例子，图12示出在所有单元初始化期间弱放电发生时的APD输出波形示意图，图13示出在所有单元初始化期间强放电发生时的APD输出波形示意图。 

图12示出弱放电时的APD输出波形120a和在初始化期间的扫描电极电压波形120b。此外，在图12中，横轴代表时间，纵轴代表电压。在图12中，在初始化期间前半部T1中，对扫描电极施加正电压，电极周边的放电部内部或表面中的含壁电位的电位差比放电开始的电位差更高。在此，不是在时间上急剧的电离倍增，而是稳定引起缓慢地发展的弱放电。在扫描电极的施加电压从正电压切换成负电压的初始化期间后半部T2中，除去在初始化期间前半部T1储备的壁电荷中的多余的壁电荷，调整壁电荷。通过初始化期间前半部T1及初始化期间后半部T2中的弱放电，就能在扫描电极及地址电极周边的放电部储备写入放电所希望的壁电荷。 

图13示出强放电时的APD输出波形130a和在初始化期间的扫描电极电压波形130b。此外，在图13中，横轴代表时间，纵轴代表电压。在图13中，在初始化期间前半部T1中，对扫描电极施加正电压，电极周边的放电部内部或表面中的含壁电位的电位差比放电开始的电位差更高。在此，在时间上急剧的电离倍增就会发展，产生强放电。在扫描电极的施加电压从正电压切换成负电压的初始化期间后半部T2中，由于在初始化期间前半部T1储备的多余的壁电荷，即使在扫描电极的电压从峰值电压下降时也会产生强放电。 

如此，一面通过APD监视在所有单元初始化期间是否发生强放电，一面对于试验品1及试验品2使面板温度变化，测量在初始化前半部中发 生强放电的倾斜电压的界限倾斜度。在此，作为倾斜电压产生电路RAMP1的恒流电路I1，通过组合了p型半导体、MOSFET、及体积电阻的电路结构进行控制。此外，在某一单元中发生强放电的情况下，与正进行弱放电的其它单元相比发光强，即便目视也能确认到强放电的发生。因此，通过APD和目视两者进行强放电的监视。 

关于各面板温度下的电子释放性能，通过后述的事前实验是已知的，通过本实验可明确电子释放性能和界限倾斜度的关系。图14示出此结果。 

在图14中，横轴代表每单位时间的电子释放性能(a.u.)，纵轴代表初始化倾斜电压倾斜度(V/μsec)。可知在试验品1中，在面板温度低时，电子释放性能显著恶化，必须使倾斜电压的倾斜度更平缓。另一方面，在试验品2中，与面板温度无关，即使倾斜电压的倾斜度为评价装置的测量界限的20V/μsec，也不发生强放电。在图14中，作为试验品2的界限倾斜度标绘为20V/μsec。 

在没有结晶粒子18b的试验品1中，为了防止在所有单元初始化期间的强放电，必须使倾斜电压的倾斜度更平缓，会需要延长初始化期间。因此，考虑缩短维持期间和写入期间的方法。 

但是，维持时间的缩短在高精细化时会成为大的问题。在高精细PDP中，单元间距变小，像素内的金属电极和隔壁的所占比率增加，开口率下降，亮度下降。并且，如果为了上述强放电防止而延长初始化期间、缩短维持期间，则最大维持脉冲数会变少，峰值亮度会下降。综合以上情况，在高精细PDP中，亮处对比度显著恶化，画质极端劣化。 

此外，如果缩短写入时间，扫描电压的周期就会比放电延迟时间更短，不能正常地进行写入工作。图15作为例子，示出将扫描电压的周期设定为1.2μsec，每单位时间的电子释放性能和写入工作错误发生率的关系。在图15中，横轴代表每单位时间的电子释放性能(a.u.)，纵轴代表写入工作错误发生率(％)。在试验品1中，如果面板温度变低，电子释放性能就会恶化，放电延迟时间变长，不能正常地进行写入工作。另一方面，在涉及本发明的试验品2中，不发生写入工作错误，能进行稳定的写入工作。 

基于以上情况，在没有结晶粒子18b的试验品1中，不能兼容在初始化期间的强放电防止和对维持期间及写入期间的时间的制约。在此，说明 前述的事前实验。在事前实验中，调查由统计延迟时间Ts的倒数计算出的电子释放性能的相对值和面板温度的关系。图16示出其结果。在图16中，横轴代表面板温度(℃)，纵轴代表每单位时间的电子释放性能(a.u.)。在此，在电子释放性能中，设试验品1中面板温度30℃下的电子释放性能为1，计算其它的面板温度和试验品2的电子释放性能的相对值。基于图16，在试验品1中，随着面板温度的下降，每单位时间的电子释放性能急剧恶化。另一方面，在试验品2中，与面板的温度无关，稳定保持高的电子释放性能。 

接着，说明电荷保持性能。作为电荷保持性能的指标，有在写入期间施加的Vscn电压。从结束初始化工作到进行写入工作，为了不失去写入工作中所希望的壁电荷，对扫描电极施加与壁电位反极性的Vscn电压，抑制写入工作等待期间的壁电荷的损失。 

在由于保护膜表面的表面电流、和与放电气体的电荷交换，储备的壁电荷容易失去的情况下，存在Vscn电压变高的倾向。Vscn电压越低代表电荷保持性能越高。在现行产品中，在用于对扫描电极顺序施加脉冲的MOSFET等半导体开关元件中使用耐压150V左右的元件。因此，作为Vscn电压，考虑开关元件发热所引起的损伤，而优选将其抑制在120V以下。在本发明的PDP中，测量写入工作所需的最低扫描Vscn电压的时候，获得120V以下的特性。 

(验证实验3) 

在涉及本发明的试验品2中，施加涉及现有驱动方式的驱动波形1和涉及本发明的驱动波形2，进行因相邻单元间的放电干涉而引起的点亮不良的比较。在涉及现有驱动方式的驱动波形1中，在选择初始化期间，施加作为上升37V/μsec的矩形波形的消去电压。在驱动波形2中，在选择初始化期间前半部中，施加以10V/μsec缓慢地上升的倾斜电压。图17示出驱动波形1下的状态，图18示出驱动波形2下的状态。 

如图17所表明的，在选择初始化期间施加矩形波形的驱动方式1中，观察到多个引起点亮不良的单元(发生写入不良的单元)。另一方面，如图18所示，在选择初始化期间施加缓慢地上升的倾斜电压的驱动波形2中，未观察到引起点亮不良的单元。在驱动波形1中，在选择初始化期间 发生强放电，与相邻单元间的放电干涉大。在驱动波形2中，在选择初始化期间发生弱放电，与相邻单元间的放电干涉小。各驱动波形中的在选择初始化期间的放电的强弱通过APD进行确认。 

关于试验品2，由于在面板面内的上述电介质层的膜厚的偏差等，所以在放电干涉的程度上存在差异，调查视频显示失败的选择初始化期间前半部的倾斜电压的倾斜度。其结果，无论上下倾斜电压的倾斜度界限都是25V/μsec～35V/μsec。 

根据本发明，无论是所有单元初始化期间、选择初始化期间，都能抑制在初始化期间的强放电的发生。此外，能提供在Vscn电压120V以下能进行稳定的写入工作，高精细、高画质、低价格的等离子显示装置。 

实施方式2 

在涉及本发明的实施方式2的驱动方式中，使各SF的初始化期间所进行的初始化工作全都是选择初始化工作的场在涉及图像显示的场中至少有1个场以上。在此，图19示出实施的驱动波形。下面进行实施方式2的效果验证加以说明。此验证中使用的PDP是试验品1和试验品2。 

首先，使用涉及本发明的图7的驱动波形，改变在所有单元初始化期间的第二电压Vb1，进行黑显示时的亮度的测量。此时，将涉及在初始化期间前半部T1及初始化期间后半部T2的放电的电压的合计作为初始化飞出电压进行测量。具体地，在初始化期间前半部T1中，设在第一电压Va1和第二电压Vb1之间的电压中开始放电的电压为Vf1。此外，在初始化期间后半部T2中，设在第三电压Vc1和第四电压Vd1之间的电压中开始放电的电压为Vf2。于是，初始化飞出电压成为(Vb1-Vf1)+(Vf2-Vd1)。图20示出有关初始化飞出电压的测量的示意图。 

图20横轴代表时间，分别示出近红外线用的光电二极管电压波形(在图20中记载为NIR用APD电压波形)、扫描电极的驱动波形(图20中记载为SCN)、和数据电极的驱动波形(图20中记载为DATA)。电压Vf1和电压Vb1之间是上升飞出电压203，电压Vd1和电压Vf2之间是下降飞出电压204。此外，在扫描电极的驱动电压是上升飞出电压203的某个期间发生上升发光201，在扫描电极的驱动电压是下降飞出电压204的某个 期间发生下降发光202。 

接着，图21是在横轴上标绘出初始化飞出电压，在纵轴上标绘出黑显示时的亮度(以下标记为黑亮度，在图21中也标记为黑亮度)的图。在此，将初始化期间前半部T1及初始化期间后半部T2的倾斜电压的倾斜度都设定在2V/μsec，将第三电压Vc1设定在210V，将第四电压设定在132V。根据本发明者们的研讨，涉及弱放电的电压(初始化飞出电压)和弱放电的发光量的关系，在电极距离和单元间距等单元结构相同的情况下，相比保护层的组成，放电气体的依赖性更显著。在试验品1和试验品2中，是同一单元结构及同一放电气体，仅保护层的结构不同，黑亮度特性获得相同的倾向。 

在涉及本发明的PDP及图7的驱动方式中，在该场的前面的场中，进行该单元的写入工作的时候，该场内的所有单元初始化工作中的初始化飞出电压相比选择初始化工作中的初始化飞出电压，最大仅会大(Vb1-Vb2)。在该SF之前的SF中，在进行写入工作的单元中，与不进行写入工作的单元相比，是大量的壁电荷被储备的状态，能用比在所有单元初始化工作时所施加的第二电压Vb1更低的第二电压Vb2进行初始化工作(在此是选择初始化工作)。 

但是，在电荷保持性能低的情况下，在从进行写入工作到进行选择初始化工作的休止期间之间，会慢慢失去储备的壁电荷，不能正常地进行选择初始化工作。例如，在试验品1中，如果进行连续显示且面板温度上升，则电荷保持性能就会恶化，写入工作所需的最低扫描电压Vscn急剧上升，会大大超过基准值120V。 

另一方面，在试验品2中，与面板温度无关，不发生最低扫描电压Vscn的上升，比基准值120V更低。实际中，对试验品1实施图19所示的驱动方式的时候，按照单元，因壁电荷不足而不进行选择写入工作，不能正常地进行图像显示。另一方面，对涉及本发明的PDP试验品2实施涉及图19所示的本发明的驱动方式的时候，能抑制初始化工作中的强放电，进行选择写入工作。 

因此，在涉及电荷保持性能低的现有例的PDP中，如果每场不至少进行一次波高值较高的所有单元初始化工作的话，则不能通过初始化工作来储备写入工作所希望的壁电荷。在涉及本发明的PDP中，由于与面板温度无关，电荷保持性能稳定且高，所以不需要每场进行所有单元初始化工作。

在涉及本发明的PDP及图7的驱动方式中，如前所述，在进行了写入工作的单元中，在所有单元初始化工作时，最大会施加仅(Vb1-Vb2)的多余的电压。例如，在设定为Vb1-Vb2＝100V的图7的驱动方式中，对进行了写入工作的单元进行所有单元初始化工作的时候，黑亮度最大增加89％。 

因此，在涉及本发明的电荷保持性能的高的PDP中，如图19所示，减少所有初始化工作的次数，与图7的情形相比更能降低黑亮度，能提供黑表现力高的等离子显示装置。 

实施方式3 

下面，说明在涉及本发明的驱动方式中的另一实施方式。图22A至图22D示出实施方式3中的驱动方式。在图22A至图22D中，横轴代表时间，纵轴代表电压。在实施方式3中，如图22A至图22D所示，使倾斜电压的倾斜度在中途变化。 

因此，图23示出实施方式3中的驱动电路的一例。按照图23所示，在实施方式3的驱动电路中，是将缓慢地上升的倾斜电压的一个用作扫描IC的电源电压Vic的结构。此驱动电路由倾斜产生电路RAMP3、扫描IC、扫描电压选择电路23D、和扫描电位增加电路23E这四个构成。倾斜产生电路RAMP3由恒流电路I3、电容器C3、二极管D3、电阻R3、开关SW7、和电源电压Vb构成。串联连接高侧开关SW10、和低侧开关SW11构成扫描IC。在写入工作用的电源电压Vscn的两端串联连接开关SW8和开关SW9构成扫描电压选择电路23D。扫描电位增加电路23E包含电压比较器。 

倾斜产生电路RAMP3的输出端子及扫描电压选择电路23D的中点被连接到扫描IC的电源输入端子。此外，电源Vscn的负极和开关SW9的另一端被连接到扫描IC的GND，还连接到电源Vs。从扫描IC的中点向扫描电极19a输出电压。再有，扫描IC在各扫描电极上一个一个地被并列配置，扫描电压选择电路23D是用于控制写入期间中的扫描脉冲的导通断开的电路。 

下面说明初始化期间中的驱动电路的工作。最初，仅扫描IC的低侧开关SW11导通(正确地通过二极管)，对扫描电极施加电压Vs。在此的电压Vs是0V。接着，高侧输入至信号S3，用于产生倾斜电压的电源电压Vb通过开关SW7被施加给扫描IC。但是，开关SW8、开关SW9、开关SW10是断开的，不向扫描电极输出。在此期间，使电压Vs从0V急剧上升到Va，施加给扫描电极。接着，断开扫描IC的低侧开关SW11，使高侧开关SW10导通。此时，来自恒流电路I3的充电电流对开关SW9及开关SW10的寄生电容进行充电。因此，对扫描IC施加的电压直到被充电到工作开始电压之前，都不使高侧开关SW10导通，而将电压保持在Va。一旦扫描IC的电压超过工作开始电压，开关SW10就开始导通，利用充电电流使得施加在扫描IC上的电压成为倾斜电压，从电压Va上升到电压(Va+Vic)。在扫描IC上施加Vic以上的电压，在开关SW10完全导通后，根据倾斜电压产生电路RAMP3，进行输出，直到倾斜电压变为电压Vb为止。 

倾斜电压到达电源电压Vb后，断开信号S3，使开关SW8导通，通过开关SW8及开关SW10下降到电压(Va+Vscn)。接着，使开关SW9及开关SW11导通，扫描IC的电压变为0V，一直下降到电压Va。 

根据上述电路结构，就能设计出2个倾斜电压的倾斜度不同的期间，产生后面的倾斜电压相比前面的倾斜电压，倾斜度更平缓的电压波形。再有，图23所示的电路结构，是一个输出具有2个不同倾斜度的倾斜电压的电路的一例，而不是限制例。 

根据实施方式3，在初始化期间前半部T1中，倾斜电压的倾斜度被设定为慢慢地变得平缓。通过栅极信号发生器控制光闸(shutter)的开关，使用高灵敏度CCD照相机，从面板正面观察初始化工作时的放电扩展的情形。其结果，可知，在利用倾斜电压的初始化工作中，随着从第一电压Va变为第二电压Vb，以维持电极和地址电极为负极，以扫描电极为正极，从透明电极的内侧(靠近放电单元中央部的一侧)向外侧(靠近放电单元的隔壁的一侧)进行放电。 

在涉及本发明的PDP中，虽然电子释放特性优良，抑制初始化工作时的强放电是可能的，但在放电向外侧扩展的情况下，在隔壁和隔壁附近的 荧光体上产生剩余带电，给初始化工作后的写入工作带来异常，常常不能正常地进行图像显示。因此，本发明的PDP，通过使倾斜电压的倾斜度慢慢地变平缓，就能在放电向外侧扩展的时间带中进一步减弱放电，缓和向侧壁的剩余带电。并且，在初始化期间前半部T2中，通过设置地址电极的电压是正极性的期间，就能抑制放电的扩展，缓和向侧壁的剩余带电。 

此外，通过在倾斜电压的最初的时间带中增大倾斜度，就能缩短初始化工作所花费的时间，就能给涉及图像显示的稳定性的写入工作和涉及图像的明亮度的维持工作分出更多的时间。 

如上所述，在涉及本发明的PDP中，在使用涉及本发明的驱动方式的等离子显示装置中，考虑作为电子释放源的保护层18的长期可靠性、PDP和驱动电路的制造差异、因初始化工作时的强放电产生而导致的画质劣化、因向侧壁的剩余带电而导致的画质劣化，优选将倾斜电压的倾斜度设定在20V/μsec以下。 

实施方式4 

下面说明在涉及本发明的驱动方式中的再另一实施方式。实施方式4中的驱动方式特征在于，在图23所示的驱动电路的电路结构中，去除扫描电位增加电路23E，施加在扫描电极上的扫描脉冲的电位和第四电压Vd电位相同。在涉及本发明的PDP中常常由于电荷保持性能稳定，写入工作等待的休止期间中的壁电荷的消失少，所以能节省用于补偿相当于消失的电荷的电压而插入的电压Vset2。在此情况下，能提供可放弃扫描电位增加电路23E，更低成本的等离子显示装置。 

按照由以上说明所明确的，本发明的等离子显示装置具有如下效果：使在初期存在于放电部的带电粒子和激励粒子(以下标记为启动粒子(priming particle))的密度增加，在先于写入期间的初始化期间中，抑制使对比度比显著下降的强放电。 

此外，具有如下效果：可减轻选择初始化期间中的相邻单元间的电场干涉和带电粒子的飞散的影响，抑制因在写入期间的点亮或不点亮单元的选择不良而导致的画质劣化。 

此外，即使在进行高精细化增加扫描线条数的情况下，也能抑制放电 延迟引起的写入不良，高速地进行写入工作，能通过高精细化进行高画质化。 

此外，能防止在初始化工作结束后、写入工作之前的待机期间产生的电荷泄漏，降低写入期间施加的扫描电压和写入电压。而且，扫描IC及地址电极驱动电路的部件点数的削减成为可能，能提供更低成本的PDP。此外，基于抑制初始化工作中的强放电的效应、防止电荷泄漏的效应、抑制放电延迟的效应，增大氙和氪等原子序号大的气体的混合比和放电气体的总压成为可能。而且，可提供更高亮度、高效率·省电的等离子显示装置。 

工业实用性 

涉及本发明的等离子显示装置，在保护层上配置由CL发光光谱表示所希望的特性的MgO单结晶构成的结晶粒子层。而且，具备初始化期间具有初始化期间前半部、和初始化期间后半部的驱动方式，其中，在初始化期间前半部对第2电极施加从第一电压缓慢上升到第二电压的电压，在初始化期间后半部对第2电极施加从第三电压缓慢下降到第四电压的电压。因此，涉及本发明的等离子显示装置，有利于作为以良好的画质进行图像显示的图像显示装置。此外，涉及本发明的等离子显示装置，还能应用于使用通过高Xe分压比和高总压化而高效率化的等离子显示器和全规格高清晰化(full spec hivision)的等离子显示器的图像显示装置等。 

Claims (7)

1.一种等离子显示装置，包括等离子显示面板和驱动电路，其中，

上述等离子显示面板，

包括第一基板和第二基板，

上述第一基板具有：

平行的至少1组第一电极及第二电极；

在上述第一电极及上述第二电极的周边部形成的电介质层；以及

在上述电介质层表面以面向放电部的方式形成的保护层，

上述第二基板至少具有1根第三电极，且在上述第三电极周边部形成电介质层，

在上述第一基板的上述保护层的表面形成含MgO单结晶粒子的结晶粒子，其中，MgO单结晶粒子，在将阴极发光中的波长200nm以上、小于300nm的波长区域的光谱积分值设为Sa，且将阴极发光中的波长300nm以上、小于550nm的波长区域的光谱积分值设为Sb时，比率Sa/Sb为1以上，

按照夹持上述放电部的方式来相对配置上述第一基板和上述第二基板，其中，上述第一基板具有至少面向上述放电部的部分，

在对置的上述第一基板和上述第二基板之间封入放电气体；

在上述驱动电路中，

1个场由多个子场构成，

上述子场至少具有初始化期间和写入期间，

上述初始化期间通过具有初始化期间前半部和初始化期间后半部的驱动方式，来驱动上述等离子显示面板，其中，在上述初始化期间前半部对上述第2电极施加从第一电压缓慢上升至第二电压的电压，在上述初始化期间后半部对上述第2电极施加从第三电压缓慢下降至第四电压的电压。

2.根据权利要求1所述的等离子显示装置，其特征在于，

上述MgO单结晶粒子，

在设阴极发光中的波长200nm以上、小于300nm的波长区域的光谱最大值为Sc，

且上述阴极发光中的波长300nm以上、小于550nm的波长区域的光谱最大值为Sd时，

比率Sc/Sd是2以上。

3.根据权利要求1所述的等离子显示装置，其特征在于，

上述MgO单结晶粒子的平均粒径是0.3μm以上、4μm以下。

4.根据权利要求1所述的等离子显示装置，其特征在于，

上述结晶粒子面向放电部的面积比上述第一基板面向放电部的总面积更小。

5.根据权利要求1所述的等离子显示装置，其特征在于，

上述MgO单结晶粒子的一部分被埋没在上述保护层中而进行配置，从而形成上述结晶粒子。

6.根据权利要求1所述的等离子显示装置，其特征在于，

在上述初始化期间前半部中具有上升电压斜率不同的至少2个以上的期间，

在上述2个以上的期间内，后面的期间比前面的期间斜率更平缓。

7.根据权利要求1所述的等离子显示装置，其特征在于，

在上述初始化期间后半部中具有下降电压斜率不同的至少2个以上的期间，

在上述2个以上的期间内，后面的期间比前面的期间斜率更平缓。

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