KR101238565B1 - 플라즈마 디스플레이 장치 - Google Patents

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Abstract

서브필드 방식에 의해 화상의 계조 표시를 행하는 플라즈마 디스플레이 패널을 구비한 플라즈마 디스플레이 장치이다. 플라즈마 디스플레이 패널의 보호층은, 유전체층 상에 형성된 기초층 및 기초층의 전체면에 걸쳐 분산 배치한 복수의 응집 입자를 포함한다. 플라즈마 디스플레이 장치는, 우안용 화상 신호를 표시하는 우안용 필드 및 좌안용 화상 신호를 표시하는 좌안용 필드에 의해 화상을 구성한다. 우안용 필드 및 좌안용 필드는, 복수의 서브필드를 갖는다. 소정의 계조 이상에서, 상기 우안용 필드 및 상기 좌안용 필드에서의 마지막에 배치된 서브필드를 제외한, 적어도 하나 이상의 서브필드에 의해 계조가 표시된다.

Description

플라즈마 디스플레이 장치{PLASMA DISPLAY DEVICE}
여기에 개시된 기술은, 표시 디바이스 등에 이용되는 플라즈마 디스플레이 장치에 관한 것이다.
플라즈마 디스플레이 패널(이하, PDP라고 칭함)은, 전면판과 배면판으로 구성된다. 전면판은, 글래스 기판과, 글래스 기판의 한쪽의 주면 상에 형성된 표시 전극과, 표시 전극을 덮어 컨덴서로서의 기능을 하는 유전체층과, 유전체층 상에 형성된 산화 마그네슘(MgO)으로 이루어지는 보호층으로 구성되어 있다. 한편, 배면판은, 글래스 기판과, 글래스 기판의 한쪽의 주면 상에 형성된 데이터 전극과, 데이터 전극을 덮는 기초 유전체층과, 기초 유전체층 상에 형성된 격벽과, 각 격벽 사이에 형성된 적색, 녹색 및 청색 각각으로 발광하는 형광체층으로 구성되어 있다.
전면판과 배면판은 전극 형성면측을 대향시켜 기밀 봉착된다. 격벽에 의해 구획된 방전 공간에는, 네온(Ne) 및 크세논(Xe)의 방전 가스가 봉입되어 있다. 방전 가스는, 표시 전극에 선택적으로 인가된 영상 신호 전압에 의해 방전한다. 방전에 의해 발생한 자외선은, 각 색 형광체층을 여기한다. 여기한 형광체층은, 적색, 녹색, 청색으로 발광한다. PDP는, 이와 같이 컬러 화상 표시를 실현하고 있다(특허 문헌 1 참조).
일본 특개 2003-128430호 공보
제1 개시의 플라즈마 디스플레이 장치는, 서브필드 구동법에 의해 화상의 계조 표시를 행하는 PDP를 구비한다. PDP는, 전면판과, 전면판과 대향 배치된 배면판을 갖는다. 전면판은, 표시 전극과 표시 전극을 덮는 유전체층과 유전체층을 덮는 보호층을 갖는다. 보호층은, 유전체층 상에 형성된 기초층 및 기초층의 전체면에 걸쳐 분산 배치된 복수의 응집 입자를 포함한다. 응집 입자는, 복수의 응집한 금속 산화물 결정 입자로 이루어진다. 또한, 플라즈마 디스플레이 장치는, 우안용 화상 신호를 표시하는 우안용 필드 및 좌안용 화상 신호를 표시하는 좌안용 필드에 의해 화상을 구성한다. 우안용 필드 및 좌안용 필드는, 복수의 서브필드를 갖는다. 소정의 계조 이상에서, 우안용 필드 및 좌안용 필드에서의 마지막에 배치된 서브필드를 제외한 적어도 하나 이상의 서브필드에 의해 계조가 표시된다.
제2 개시의 플라즈마 디스플레이 장치는, 서브필드 구동법에 의해 화상의 계조 표시를 행하는 PDP를 구비한다. PDP는, 전면판과, 전면판과 대향 배치된 배면판을 갖는다. 전면판은, 표시 전극과 표시 전극을 덮는 유전체층과 유전체층을 덮는 보호층을 갖는다. 보호층은, 유전체층 상에 형성된 기초층과, 기초층의 전체면에 걸쳐 분산 배치된 복수개의 제1 입자와, 기초층의 전체면에 걸쳐 분산 배치된 복수개의 제2 입자를 포함한다. 제1 입자는, 금속 산화물 결정 입자가 복수개 응집한 응집 입자이다. 제2 입자는, 산화 마그네슘으로 이루어지는 입방체 형상의 결정 입자이다. 또한, 플라즈마 디스플레이 장치는, 우안용 화상 신호를 표시하는 우안용 필드 및 좌안용 화상 신호를 표시하는 좌안용 필드에 의해 화상을 구성하고, 우안용 필드 및 좌안용 필드는, 복수의 서브필드를 갖는다. 소정의 계조 이상에서, 우안용 필드 및 좌안용 필드에서의 마지막에 배치된 서브필드를 제외한 적어도 하나 이상의 서브필드에 의해 계조가 표시된다.
도 1은 PDP의 구조를 도시하는 사시도이다.
도 2는 PDP의 전극 배열도이다.
도 3은 플라즈마 디스플레이 장치의 블록 회로도이다.
도 4는 실시 형태에 따른 플라즈마 디스플레이 장치의 구동 전압 파형도이다.
도 5는 실시 형태에 따른 플라즈마 디스플레이 장치의 서브필드 구성을 도시하는 모식도이다.
도 6은 실시 형태에 따른 플라즈마 디스플레이 장치의 코딩을 도시하는 도면이다.
도 7은 실시 형태에 따른 플라즈마 디스플레이 장치의 서브필드 구성을 도시하는 모식도이다.
도 8은 실시 형태에 따른 전면판의 구성을 도시하는 개략 단면도이다.
도 9는 실시 형태에 따른 보호층 부분의 확대도이다.
도 10은 실시 형태에 따른 보호층 표면의 확대도이다.
도 11은 실시 형태에 따른 응집 입자의 확대도이다.
도 12는 실시 형태에 따른 결정 입자의 캐소드 루미네센스 스펙트럼을 도시하는 도면이다.
도 13은 전자 방출 성능과 Vscn 점등 전압의 관계를 도시하는 도면이다.
도 14는 PDP의 점등 시간과 전자 방출 성능의 관계를 도시하는 도면이다.
도 15는 피복률에 대하여 설명하기 위한 확대도이다.
도 16은 유지 방전 전압을 비교하여 도시하는 특성도이다.
도 17은 응집 입자의 평균 입경과 전자 방출 성능의 관계를 도시하는 특성도이다.
도 18은 결정 입자의 입경과 격벽의 파손의 발생율과의 관계를 도시하는 특성도이다.
도 19는 실시 형태에 따른 보호층 형성의 공정을 도시하는 공정도이다.
[1. PDP(1)의 구성]
PDP의 기본 구조는, 일반적인 교류 면방전형 PDP이다. 도 1에 도시한 바와 같이, PDP(1)는 전면 글래스 기판(3) 등으로 이루어지는 전면판(2)과, 배면 글래스 기판(11) 등으로 이루어지는 배면판(10)이 대향하여 배치되어 있다. 전면판(2)과 배면판(10)은, 외주부가 글래스 프릿 등으로 이루어지는 봉착재에 의해 기밀 봉착되어 있다. 봉착된 PDP(1) 내부의 방전 공간(16)에는, 네온(Ne) 및 크세논(Xe) 등의 방전 가스가 53㎪(400Torr)∼80㎪(600Torr)의 압력으로 봉입되어 있다.
전면 글래스 기판(3) 상에는, 주사 전극(4) 및 유지 전극(5)으로 이루어지는 한 쌍의 띠 형상의 표시 전극(6)과 블랙 스트라이프(7)가 서로 평행하게 각각 복수 열 배치되어 있다. 전면 글래스 기판(3) 상에는 표시 전극(6)과 블랙 스트라이프(7)를 덮도록 컨덴서로서의 기능을 하는 유전체층(8)이 형성된다. 또한 유전체층(8)의 표면에 산화 마그네슘(MgO) 등으로 이루어지는 보호층(9)이 형성되어 있다.
주사 전극(4) 및 유지 전극(5)은, 각각 인듐 주석 산화물(ITO), 산화 주석(SnO2), 산화 아연(ZnO) 등의 도전성 금속 산화물로 이루어지는 투명 전극 상에 Ag로 이루어지는 버스 전극이 적층되어 있다.
배면 글래스 기판(11) 상에는, 표시 전극(6)과 직교하는 방향으로, 은(Ag)을 주성분으로 하는 도전성 재료로 이루어지는 복수의 데이터 전극(12)이, 서로 평행하게 배치되어 있다. 데이터 전극(12)은, 기초 유전체층(13)으로 피복되어 있다. 또한, 데이터 전극(12) 사이의 기초 유전체층(13) 상에는 방전 공간(16)을 구획하는 소정 높이의 격벽(14)이 형성되어 있다. 격벽(14) 사이의 홈에는, 데이터 전극(12)마다, 자외선에 의해 적색으로 발광하는 형광체층(15), 녹색으로 발광하는 형광체층(15) 및 청색으로 발광하는 형광체층(15)이 순차적으로 도포되어 형성되어 있다. 표시 전극(6)과 데이터 전극(12)이 교차하는 위치에 방전 셀이 형성되어 있다. 표시 전극(6) 방향으로 배열된 적색, 녹색, 청색의 형광체층(15)을 갖는 방전 셀이 컬러 표시를 위한 화소로 된다.
또한, 본 실시 형태에서, 방전 공간(16)에 봉입하는 방전 가스는, 10체적％ 이상 30％체적 이하의 Xe를 포함한다.
도 2에 도시한 바와 같이, PDP(1)는, 긴 변 방향으로 연신하여 배열된 n개의 주사 전극 SC1∼SCn을 갖는다. 또한, PDP(1)는, 긴 변 방향으로 연신하여 배열된 n개의 유지 전극 SU1∼SUn을 갖는다. PDP(1)는, 짧은 변 방향으로 연신하여 배열된 m개의 데이터 전극 D1∼Dm을 갖는다. 주사 전극 SC1 및 유지 전극 SU1과 데이터 전극 D1이 교차한 부분에 방전 셀이 형성되어 있다. 방전 셀은 방전 공간 내에 m×n개 형성되어 있다. 방전 셀이 배치된 영역이 화상 표시 영역이다. 주사 전극 및 유지 전극은, 전면판의 화상 표시 영역 외의 주변 단부에 설치된 접속 단자에 접속되어 있다. 데이터 전극은, 배면판의 화상 표시 영역 외의 주변 단부에 설치된 접속 단자에 접속되어 있다.
[2. 플라즈마 디스플레이 장치(100)의 구성]
도 3에 도시한 바와 같이, 플라즈마 디스플레이 장치(100)는, PDP(1), 화상 신호 처리 회로(21), 데이터 전극 구동 회로(22), 주사 전극 구동 회로(23), 유지 전극 구동 회로(24), 타이밍 발생 회로(25) 및 전원 회로(도시 생략)를 구비하고 있다.
화상 신호 처리 회로(21)는, 우안용 화상 신호와 좌안용 화상 신호를 필드마다 교대로 입력한다. 또한, 화상 신호 처리 회로(21)는, 입력한 우안용 화상 신호를 서브필드마다의 발광 또는 비발광을 나타내는 우안용 화상 데이터로 변환한다. 또한, 화상 신호 처리 회로(21)는, 좌안용 화상 신호를 서브필드마다의 발광 또는 비발광을 나타내는 좌안용 화상 데이터로 변환한다. 데이터 전극 구동 회로(22)는, 우안용 화상 데이터 및 좌안용 화상 데이터를 데이터 전극 D1∼데이터 전극 Dm의 각각에 대응하는 기입 펄스로 변환한다. 또한, 데이터 전극 구동 회로(22)는, 데이터 전극 D1∼데이터 전극 Dm의 각각에 기입 펄스를 인가한다.
타이밍 발생 회로(25)는, 수평 동기 신호 H 및 수직 동기 신호 V에 기초하여 각종 타이밍 신호를 발생하고, 각 구동 회로 블록에 공급하고 있다. 또한, 셔터 안경의 셔터를 개폐하는 타이밍 신호를 타이밍 신호 출력부에 출력한다. 타이밍 신호 출력부(도시 생략)는, LED 등의 발광 소자를 이용하여 타이밍 신호를, 예를 들면 적외선의 신호로 변환하여 셔터 안경(도시 생략)에 공급한다. 주사 전극 구동 회로(23)는 타이밍 신호에 기초하여 주사 전극의 각각에 구동 전압 파형을 공급한다. 유지 전극 구동 회로(24)는 타이밍 신호에 기초하여 유지 전극에 구동 전압 파형을 공급한다. 셔터 안경(도시 생략)은, 타이밍 신호 출력부(도시 생략)로부터 출력된 타이밍 신호를 수신하는 수신부와 우안용 액정 셔터 R 및 좌안용 액정 셔터 L을 갖는다. 또한, 셔터 안경(도시 생략)은, 타이밍 신호에 기초하여 우안용 액정 셔터 R 및 좌안용 액정 셔터 L을 개폐한다.
본 실시 형태에서, 1필드는, 일례로서, 5개의 서브필드(SF1, SF2, SF3, SF4, 및 SF5)로 구성된다. 필드의 맨 처음에 배치된 서브필드인 SF1의 초기화 기간에서는, 강제 초기화 동작이 행해진다. SF1 이후에 배치된 서브필드인 SF2∼SF5의 초기화 기간에서는 선택 초기화 동작이 행해진다.
또한, SF1의 휘도 가중치는 16이다. SF2의 휘도 가중치는 8이다. SF3의 휘도 가중치는 4이고, SF4의 휘도 가중치는 2이다. SF5의 휘도 가중치는 1이다. 즉, SF1에 휘도 가중치가 가장 큰 서브필드가 배치되어 있다. SF1 이후, 휘도 가중치가 큰 서브필드부터 순서대로 배치되어 있다. 필드의 마지막에는, 휘도 가중치가 가장 작은 서브필드가 배치되어 있다.
[3. PDP(1)의 구동 방법]
도 4에 도시한 바와 같이 본 실시 형태에서의 PDP(1)는, 서브필드 구동법에 의해 구동된다. 서브필드 구동법에서는, 1필드가 복수의 서브필드에 의해 구성된다. 서브필드는, 초기화 기간과, 기입 기간, 유지 기간을 갖는다. 초기화 기간은 방전 셀에서 초기화 방전을 발생시키는 기간이다. 기입 기간은, 초기화 기간 후, 발광시키는 방전 셀을 선택하는 기입 방전을 발생시키는 기간이다. 유지 기간은, 기입 기간에서 선택된 방전 셀에 유지 방전을 발생시키는 기간이다.
[3-1-1. 초기화 기간]
제1 서브필드의 초기화 기간에서는, 데이터 전극 D1∼Dm 및 유지 전극 SU1∼SUn이 0(V)으로 유지된다. 또한, 주사 전극 SC1∼SCn에 대하여 방전 개시 전압 이하로 되는 전압 Vi1(V)로부터 방전 개시 전압을 초과하는 전압 Vi2(V)를 향하여 완만하게 상승하는 램프 전압이 인가된다. 그렇게 하면, 모든 방전 셀에서 1회째의 미약한 초기화 방전이 발생한다. 초기화 방전에 의해, 주사 전극 SC1∼SCn 상에 마이너스의 벽전압이 축적된다. 유지 전극 SU1∼SUn 상 및 데이터 전극 D1∼Dm 상에 플러스의 벽전압이 축적된다. 벽전압이란 보호층(9)이나 형광체층(15) 상 등에 축적된 벽전하에 의해 생기는 전압이다.
그 후, 유지 전극 SU1∼SUn이 플러스의 전압 Ve1(V)로 유지된다. 주사 전극 SC1∼SCn에 전압 Vi3(V)으로부터 전압 Vi4(V)를 향하여 완만하게 하강하는 램프 전압이 인가된다. 그렇게 하면, 모든 방전 셀에서 2회째의 미약한 초기화 방전이 발생한다. 주사 전극 SC1∼SCn 상과 유지 전극 SU1∼SUn 상 사이의 벽전압이 약해진다. 데이터 전극 D1∼Dm 상의 벽전압이 기입 동작에 적합한 값으로 조정된다. 이상에 의해, 모든 방전 셀에 대하여 강제적으로 초기화 방전을 행하는 강제 초기화 동작이 종료된다.
[3-1-2. 기입 기간]
계속되는 기입 기간에서는, 유지 전극 SU1∼SUn에 전압 Ve2가 인가된다. 주사 전극 SC1∼SC에는 전압 Vc가 인가된다. 다음으로, 주사 전극 SC1에 마이너스의 주사 펄스 전압 Va(V)가 인가된다. 또한, 데이터 전극 D1∼Dm 중 1행째에 표시해야 할 방전 셀의 데이터 전극 Dk(k=1∼m)에 플러스의 기입 펄스 전압 Vd(V)가 인가된다. 이때 데이터 전극 Dk와 주사 전극 SC1의 교차부의 전압은, 외부 인가 전압 (Vd-Va)(V)에 데이터 전극 Dk 상의 벽전압과 주사 전극 SC1 상의 벽전압이 가산된 것으로 된다. 즉, 데이터 전극 Dk와 주사 전극 SC1의 교차부의 전압은, 방전 개시 전압을 초과한다. 그리고, 데이터 전극 Dk와 주사 전극 SC1 사이 및 유지 전극 SU1과 주사 전극 SC1 사이에 기입 방전이 발생한다. 기입 방전이 발생한 방전 셀의 주사 전극 SC1 상에는 플러스의 벽전압이 축적된다. 기입 방전이 발생한 방전 셀의 유지 전극 SU1 상에는 마이너스의 벽전압이 축적된다. 기입 방전이 발생한 방전 셀의 데이터 전극 Dk 상에는 마이너스의 벽전압이 축적된다.
한편, 기입 펄스 전압 Vd(V)가 인가되지 않았던 데이터 전극 D1∼Dm과 주사 전극 SC1의 교차부의 전압은 방전 개시 전압을 초과하지 않는다. 따라서, 기입 방전은 발생하지 않는다. 이상의 기입 동작이 n행째의 방전 셀에 이르기까지 순차적으로 행해진다. 기입 기간의 종료는, n행째의 방전 셀의 기입 동작이 종료되었을 때이다.
[3-1-3. 유지 기간]
계속되는 유지 기간에서는, 주사 전극 SC1∼SCn에는 제1 전압으로서 플러스의 유지 펄스 전압 Vs(V)가 인가된다. 유지 전극 SU1∼SUn에는 제2 전압으로서 접지 전위, 즉 0(V)이 인가된다. 이때 기입 방전이 발생한 방전 셀에서는, 주사 전극 SCi 상과 유지 전극 SUi 상 사이의 전압은 유지 펄스 전압 Vs(V)에 주사 전극 SCi 상의 벽전압과 유지 전극 SUi 상의 벽전압이 가산된 것으로 되어, 방전 개시 전압을 초과한다. 그리고, 주사 전극 SCi와 유지 전극 SUi 사이에 유지 방전이 발생한다. 유지 방전에 의해 발생한 자외선에 의해 형광체층이 여기되어 발광한다. 그리고 주사 전극 SCi 상에 마이너스의 벽전압이 축적된다. 유지 전극 SUi 상에 플러스의 벽전압이 축적된다. 데이터 전극 Dk 상에는 플러스의 벽전압이 축적된다.
기입 기간에서 기입 방전이 발생하지 않았던 방전 셀에서는, 유지 방전은 발생하지 않는다. 따라서, 초기화 기간의 종료 시에서의 벽전압이 유지된다. 계속해서, 주사 전극 SC1∼SCn에는 제2 전압인 0(V)이 인가된다. 유지 전극 SU1∼SUn에는 제1 전압인 유지 펄스 전압 Vs(V)가 인가된다. 그렇게 하면, 유지 방전이 발생한 방전 셀에서는, 유지 전극 SUi 상과 주사 전극 SCi 상 사이의 전압이 방전 개시 전압을 초과한다. 따라서, 다시 유지 전극 SUi와 주사 전극 SCi 사이에 유지 방전이 발생한다. 즉, 유지 전극 SUi 상에 마이너스의 벽전압이 축적된다. 주사 전극 SCi 상에 플러스의 벽전압이 축적된다.
이후 마찬가지로, 주사 전극 SC1∼SCn과 유지 전극 SU1∼SUn에 교대로 휘도 가중치에 따른 수의 유지 펄스 전압 Vs(V)가 인가됨으로써, 기입 기간에서 기입 방전이 발생한 방전 셀에서 유지 방전이 계속해서 발생한다. 소정 수의 유지 펄스 전압 Vs(V)의 인가가 완료되면 유지 기간에서의 유지 동작이 종료된다. 유지 기간의 마지막에는 전압 Vr을 향하여 완만하게 상승하는 경사 파형 전압이 주사 전극 SC1∼SCn에 인가된다. 데이터 전극 Dk 상에는, 플러스의 벽전압을 유지하면서, 주사 전극 SCi 상 및 유지 전극 SUi 상의 벽전압이 약해진다. 이렇게 하여 유지 기간에서의 유지 동작이 종료된다.
[3-1-4. 제2 서브필드 이후]
선택 초기화 동작을 행하는 SF2의 초기화 기간에서는, 유지 전극 SU1∼SUn에 전압 Ve1이 인가된다. 데이터 전극 D1∼Dm에 전압 0(V)이 인가된다. 주사 전극 SC1∼SCn에는 전압 Vi4를 향하여 완만하게 하강하는 경사 파형 전압이 인가된다. 그렇게 하면 직전의 서브필드인 SF1에서 유지 방전을 일으킨 방전 셀에서는 미약한 초기화 방전이 발생하고, 주사 전극 SCi 상 및 유지 전극 SUi 상의 벽전압이 약해진다. 또한 데이터 전극 Dk에 대해서는, 직전의 유지 방전에 의해 데이터 전극 Dk 상에 충분한 플러스의 벽전압이 축적되어 있다. 벽전압의 과잉된 부분이 방전됨으로써, 기입 동작에 적합한 벽전압으로 조정된다. 한편, 전의 서브필드에서 유지 방전을 일으키지 않았던 방전 셀에 대해서는 방전하는 일은 없어, 전의 서브필드의 초기화 기간 종료시에서의 벽전압이 유지된다. 선택 초기화 동작은, 직전의 서브필드의 기입 기간에서 기입 동작을 행한 방전 셀, 따라서 유지 기간에서 유지 동작을 행하였던 방전 셀에 대하여 선택적으로 초기화 방전을 행하는 동작이다.
계속되는 기입 기간의 동작은 SF1의 기입 기간의 동작과 마찬가지이다. 따라서 상세한 설명은 생략된다. 계속되는 유지 기간의 동작도, 유지 펄스의 수를 제외하여 SF1의 유지 기간의 동작과 마찬가지이다. 계속되는 SF3∼SF5의 동작은, 유지 펄스의 수를 제외하고 SF2의 동작과 마찬가지이다.
또한, 본 실시 형태에서 각 전극에 인가하는 전압값은, 일례로서, 전압 Vi1=145(V), 전압 Vi2=335(V), 전압 Vi3=190(V), 전압 Vi4=-160(V), 전압 Va=-180(V), 전압 Vc=-35(V), 전압 Vs=190(V), 전압 Vr=190(V), 전압 Ve1=125(V), 전압 Ve2=130(V), 전압 Vd=60(V)이다. 이들 전압값은, PDP(1)의 특성이나 플라즈마 디스플레이 장치(100)의 사양 등에 맞추어, 적절하게 최적의 값으로 설정할 수 있다.
[3-1-5. 서브필드 구성]
도 5에 도시한 바와 같이, 본 실시 형태에서는 입체 화상을 표시하기 위해서, 필드 주파수는 통상의 2배의 120㎐로 설정되어 있다. 또한, 우안용 필드와 좌안용 필드가 교대로 배치된다.
셔터 안경의 우안용 액정 셔터 R 및 좌안용 액정 셔터 L은, 타이밍 신호 출력부로부터 출력되는 타이밍 신호를 수신하여, 셔터 안경을 이하와 같이 제어한다. 셔터 안경의 우안용 액정 셔터 R은, 우안용 필드의 SF1의 기입 기간의 개시에 동기하여 셔터를 열고, 좌안용 필드의 SF1의 기입 기간의 개시에 동기하여 셔터를 닫는다. 또한 좌안용 액정 셔터 L은, 좌안용 필드의 SF1의 기입 기간의 개시에 동기하여 셔터를 열고, 우안용 필드의 SF1의 기입 기간의 개시에 동기하여 셔터를 닫는다.
이와 같이 서브필드를 배치함과 함께 셔터 안경을 제어함으로써, 우안용 화상과 좌안용 화상과의 크로스토크가 억제된다. 또한, 기입 방전을 안정시켜, 품질이 높은 입체 화상을 표시할 수 있다.
형광체의 잔광의 강도는, 형광체의 발광시의 휘도에 비례한다. 또한, 형광체의 잔광의 강도는, 일정한 시상수로 감쇠한다. 유지 기간에서의 발광 휘도는 휘도 가중치가 큰 서브필드일수록 높다. 따라서, 잔광을 약하게 하기 위해서는 필드의 초기 시기에 휘도 가중치가 큰 서브필드를 배치하는 것이 바람직하다. 따라서 본 실시 형태에서는, 잔광에 의한 크로스토크의 억제를 위해서, 휘도 가중치가 가장 큰 서브필드로부터 휘도 가중치가 가벼운 서브필드로 순서대로 배치되어 있다.
[3-1-6. 계조 표시 방법]
도 6에 도시한 바와 같이, 표시해야 할 계조와 그때의 서브필드의 기입 동작의 유무와의 관계(이하, 코딩이라고 칭함)에서, 「1」은 기입 동작이 행해지는 것을 나타낸다. 「0」은 기입 동작이 행해지지 않는 것을 나타낸다.
상술한 코딩에 따라서, 예를 들면 계조 「0」, 즉 흑을 표시하는 방전 셀에서는, SF1∼SF5의 모든 서브필드에서 기입 동작이 행해지지 않는다. 그렇게 하면 그 방전 셀은 한번도 유지 방전하지 않고, 휘도는 가장 낮아진다.
또한 계조 「1」을 표시하는 방전 셀에서는, 휘도 가중치 「1」을 갖는 서브필드인 SF5에서만 기입 동작이 행해진다. 또한, SF1∼SF4에서는 기입 동작이 행해지지 않는다. 따라서, 그 방전 셀은, 휘도 가중치 「1」에 따른 횟수의 유지 방전을 발생함으로써 「1」의 밝기가 표시된다.
또한 계조 「7」을 표시하는 방전 셀에서는 휘도 가중치 「4」를 갖는 SF3과, 휘도 가중치 「2」를 갖는 SF4와, 휘도 가중치 「1」을 갖는 SF5에서 기입 동작이 행해진다. 그렇게 하면 그 방전 셀은 SF3의 유지 기간에 휘도 가중치 「4」에 따른 횟수의 유지 방전이 발생한다. SF4의 유지 기간에는, 휘도 가중치 「2」에 따른 횟수의 유지 방전이 발생한다. SF5의 유지 기간에는, 휘도 가중치 「1」에 따른 횟수의 유지 방전이 발생한다. 따라서, 합계 「7」의 밝기가 표시된다.
다른 계조의 표시도 마찬가지이다. 즉, 도 6에 도시한 코딩에 따라서, 각각의 서브필드에서의 기입 동작의 유무에 의해 유지 방전의 유무가 제어된다.
본 실시 형태에서는, 도 6에 도시한 바와 같이, 미리 정해진 임계값인 계조 「16」 이상의 계조를 표시하는 방전 셀에서는, 필드의 마지막에 배치된 서브필드인 SF5에서 기입 동작을 하지 않도록 제어되어 있다.
즉 이와 같은 코딩을 이용함으로써 우안용 화상과 좌안용 화상의 크로스토크를 더욱 억제할 수 있다.
SF5는 필드의 마지막에 배치되는 서브필드이며, 도 7에 도시한 바와 같이 유지 기간 종료부터 셔터의 절환 시각까지의 사이의 시간이 가장 짧은 서브필드이다. 상술한 바와 같이, 형광체의 잔광의 강도는 형광체의 발광시의 휘도에 비례하고, 일정한 시상수로 감쇠한다고 하는 특성을 나타낸다. 그 때문에, 휘도 가중치가 가장 작고 필드의 마지막에 배치되는 SF5는, 표시 휘도에 대한 기여가 작은 것에 비해서는 잔상에 대한 기여가 큰 서브필드이다. 그 때문에 임계값 이상의 계조로 발광시키는 방전 셀에서는, 휘도 가중치가 가장 작고 필드의 마지막에 배치되는 서브필드 SF5의 기입 동작을 하지 않음으로써, 표시 화상에 큰 영향을 주지 않고 잔상을 효과적으로 억제할 수 있다. 따라서, 보다 고품질의 입체 화상을 표시할 수 있다.
또한, 도 6에 도시한 코딩에 의하면, 예를 들면, 계조 「17」, 「19」, 「21」 등의 계조를 표시할 수 없다. 그러나, 예를 들면 오차 확산법이나 디더법을 이용하여 화상 신호 처리를 행함으로써 의사적으로 이들 계조를 표시할 수 있다.
또한 상기에서는, 임계값 이상의 계조를 표시할 때에, 휘도 가중치가 가장 작고 필드의 마지막에 배치되는 SF5만에서의 기입 동작을 하지 않는 코딩에 대하여 설명하였다. 그러나 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니다.
즉, 계조 표시에 복수의 임계값이 설정되는 경우가 있다. 그 경우, 이하와 같이 설정할 수도 있다. 일례로서, 제1 임계값 이상에서는, 필드의 마지막에 배치되는 서브필드와 마지막으로부터 2번째의 서브필드의 기입 동작을 하지 않도록 설정된다. 제2 임계값 이상에서는 필드의 마지막에 배치되는 서브필드의 기입 동작을 하지 않도록 설정된다.
[4. PDP(1)의 제조 방법]
[4-1. 전면판(2)의 제조 방법]
포토리소그래피법에 의해, 전면 글래스 기판(3) 상에, 주사 전극(4) 및 유지 전극(5)과 블랙 스트라이프(7)가 형성된다. 도 8에 도시한 바와 같이, 주사 전극(4) 및 유지 전극(5)은, 도전성을 확보하기 위한 은(Ag)을 포함하는 금속 버스 전극(4b, 5b)을 갖는다. 또한, 주사 전극(4) 및 유지 전극(5)은, 투명 전극(4a, 5a)을 갖는다. 금속 버스 전극(4b)은, 투명 전극(4a)에 적층된다. 금속 버스 전극(5b)은, 투명 전극(5a)에 적층된다.
투명 전극(4a, 5a)의 재료에는, 투명도와 전기 전도도를 확보하기 위해서 ITO 등이 이용된다. 우선, 스퍼터법 등에 의해, ITO 박막이 전면 글래스 기판(3)에 형성된다. 다음으로 리소그래피법에 의해 소정 패턴의 투명 전극(4a, 5a)이 형성된다.
금속 버스 전극(4b, 5b)의 재료에는, 은(Ag)과 은을 결착시키기 위한 글래스 프릿과 감광성 수지와 용제 등을 포함하는 금속 버스 전극 페이스트가 이용된다. 우선, 스크린 인쇄법 등에 의해, 금속 버스 전극 페이스트가, 전면 글래스 기판(3)에 도포된다. 다음으로, 건조로에 의해, 금속 버스 전극 페이스트 중의 용제가 제거된다. 다음으로, 소정 패턴의 포토마스크를 개재하여, 금속 버스 전극 페이스트가 노광된다.
다음으로, 금속 버스 전극 페이스트가 현상되어, 금속 버스 전극 패턴이 형성된다. 마지막으로, 소성로에 의해, 금속 버스 전극 패턴이 소정의 온도에서 소성된다. 즉, 금속 버스 전극 패턴 중의 감광성 수지가 제거된다. 또한, 금속 버스 전극 패턴 중의 글래스 프릿이 용융한다. 용융한 글래스 프릿은, 소성 후에 다시 글래스화한다. 이상의 공정에 의해, 금속 버스 전극(4b, 5b)이 형성된다.
블랙 스트라이프(7)는, 흑색 안료를 포함하는 재료에 의해 형성된다.
다음으로, 유전체층(8)이 형성된다. 유전체층(8)의 재료에는, 유전체 글래스 프릿과 수지와 용제 등을 포함하는 유전체 페이스트가 이용된다. 우선 다이 코트법 등에 의해, 유전체 페이스트가 소정의 두께로 주사 전극(4), 유지 전극(5) 및 블랙 스트라이프(7)를 덮도록 전면 글래스 기판(3) 상에 도포된다. 다음으로, 건조로에 의해, 유전체 페이스트 중의 용제가 제거된다. 마지막으로, 소성로에 의해, 유전체 페이스트가 소정의 온도에서 소성된다. 즉, 유전체 페이스트 중의 수지가 제거된다. 또한, 유전체 글래스 프릿이 용융한다. 용융한 글래스 프릿은, 소성 후에 다시 글래스화한다. 이상의 공정에 의해, 유전체층(8)이 형성된다. 여기서, 유전체 페이스트를 다이 코트하는 방법 이외에도, 스크린 인쇄법, 스핀 코트법 등을 이용할 수 있다. 또한, 유전체 페이스트를 이용하지 않고, CVD(Chemical Vapor Deposition)법 등에 의해, 유전체층(8)으로 되는 막을 형성할 수도 있다.
다음으로, 유전체층(8) 상에 보호층(9)이 형성된다. 보호층(9)의 상세는 후술된다.
이상의 공정에 의해 전면 글래스 기판(3) 상에 소정의 구성을 갖는 전면판(2)이 완성된다.
[4-2. 배면판(10)의 제조 방법]
포토리소그래피법에 의해, 배면 글래스 기판(11) 상에, 데이터 전극(12)이 형성된다. 데이터 전극(12)의 재료에는, 도전성을 확보하기 위한 은(Ag)과 은을 결착시키기 위한 글래스 프릿과 감광성 수지와 용제 등을 포함하는 데이터 전극 페이스트가 이용된다. 우선, 스크린 인쇄법 등에 의해, 데이터 전극 페이스트가 소정의 두께로 배면 글래스 기판(11) 상에 도포된다. 다음으로, 건조로에 의해, 데이터 전극 페이스트 중의 용제가 제거된다. 다음으로, 소정 패턴의 포토마스크를 개재하여, 데이터 전극 페이스트가 노광된다. 다음으로, 데이터 전극 페이스트가 현상되어, 데이터 전극 패턴이 형성된다. 마지막으로, 소성로에 의해, 데이터 전극 패턴이 소정의 온도에서 소성된다. 즉, 데이터 전극 패턴 중의 감광성 수지가 제거된다. 또한, 데이터 전극 패턴 중의 글래스 프릿이 용융한다. 용융한 글래스 프릿은, 소성 후에 다시 글래스화한다. 이상의 공정에 의해, 데이터 전극(12)이 형성된다. 여기서, 데이터 전극 페이스트를 스크린 인쇄하는 방법 이외에도, 스퍼터법, 증착법 등을 이용할 수 있다.
다음으로, 기초 유전체층(13)이 형성된다. 기초 유전체층(13)의 재료에는, 유전체 글래스 프릿과 수지와 용제 등을 포함하는 기초 유전체 페이스트가 이용된다. 우선, 스크린 인쇄법 등에 의해, 기초 유전체 페이스트가 소정의 두께로 데이터 전극(12)이 형성된 배면 글래스 기판(11) 상에 데이터 전극(12)을 덮도록 도포된다. 다음으로, 건조로에 의해, 기초 유전체 페이스트 중의 용제가 제거된다. 마지막으로, 소성로에 의해, 기초 유전체 페이스트가 소정의 온도에서 소성된다. 즉, 기초 유전체 페이스트 중의 수지가 제거된다. 또한, 유전체 글래스 프릿이 용융한다. 용융한 글래스 프릿은, 소성 후에 다시 글래스화한다. 이상의 공정에 의해, 기초 유전체층(13)이 형성된다. 여기서, 기초 유전체 페이스트를 스크린 인쇄하는 방법 이외에도, 다이 코트법, 스핀 코트법 등을 이용할 수 있다. 또한, 기초 유전체 페이스트를 이용하지 않고, CVD(Chemical Vapor Deposition)법 등에 의해, 기초 유전체층(13)으로 되는 막을 형성할 수도 있다.
다음으로, 포토리소그래피법에 의해, 격벽(14)이 형성된다. 격벽(14)의 재료에는, 필러와, 필러를 결착시키기 위한 글래스 프릿과, 감광성 수지와, 용제 등을 포함하는 격벽 페이스트가 이용된다. 우선, 다이 코트법 등에 의해, 격벽 페이스트가 소정의 두께로 기초 유전체층(13) 상에 도포된다. 다음으로, 건조로에 의해, 격벽 페이스트 중의 용제가 제거된다. 다음으로, 소정 패턴의 포토마스크를 개재하여, 격벽 페이스트가 노광된다. 다음으로, 격벽 페이스트가 현상되어, 격벽 패턴이 형성된다. 마지막으로, 소성로에 의해, 격벽 패턴이 소정의 온도에서 소성된다. 즉, 격벽 패턴 중의 감광성 수지가 제거된다. 또한, 격벽 패턴 중의 글래스 프릿이 용융한다. 용융한 글래스 프릿은, 소성 후에 다시 글래스화한다. 이상의 공정에 의해, 격벽(14)이 형성된다. 여기서, 포토리소그래피법 이외에도, 샌드 블러스트법 등을 이용할 수 있다.
다음으로, 형광체층(15)이 형성된다. 형광체층(15)의 재료에는, 형광체 입자와 바인더와 용제 등을 포함하는 형광체 페이스트가 이용된다. 우선, 디스펜스법 등에 의해, 형광체 페이스트가 소정의 두께로 인접하는 격벽(14) 사이의 기초 유전체층(13) 상 및 격벽(14)의 측면에 도포된다. 다음으로, 건조로에 의해, 형광체 페이스트 중의 용제가 제거된다. 마지막으로, 소성로에 의해, 형광체 페이스트가 소정의 온도에서 소성된다. 즉, 형광체 페이스트 중의 수지가 제거된다. 이상의 공정에 의해, 형광체층(15)이 형성된다. 여기서, 디스펜스법 이외에도, 스크린 인쇄법 등을 이용할 수 있다.
이상의 공정에 의해, 배면 글래스 기판(11) 상에 소정의 구성 부재를 갖는 배면판(10)이 완성된다.
[4-3. 전면판(2)과 배면판(10)의 조립 방법]
다음으로, 전면판(2)과, 배면판(10)이 조립된다. 우선, 디스펜스법에 의해, 배면판(10)의 주위에 봉착재(도시 생략)가 형성된다. 봉착재(도시 생략)의 재료에는, 글래스 프릿과 바인더와 용제 등을 포함하는 봉착 페이스트가 이용된다. 다음으로 건조로에 의해, 봉착 페이스트 중의 용제가 제거된다. 다음으로, 표시 전극(6)과 데이터 전극(12)이 직교하도록, 전면판(2)과 배면판(10)이 대향 배치된다. 다음으로, 전면판(2)과 배면판(10)의 주위가 글래스 프릿으로 봉착된다. 마지막으로, 방전 공간(16)에 Ne, Xe 등을 포함하는 방전 가스가 봉입됨으로써 PDP(1)가 완성된다.
[5. 유전체층(8)의 상세]
유전체 재료는, 이하의 성분을 포함한다. 산화 비스무트(Bi2O3)가 20중량％∼40중량％, 산화 칼슘(CaO), 산화 스트론튬(SrO), 산화 바륨(BaO)으로부터 선택되는 적어도 1종이 0.5중량％∼12중량％, 산화 몰리브덴(MoO3), 산화 텅스텐(WO3), 산화 세륨(CeO2), 이산화망간(MnO2)으로부터 선택되는 적어도 1종이 0.1중량％∼7중량％, 산화 아연(ZnO)이 0중량％∼40중량％, 산화 붕소(B2O3)가 0중량％∼35중량％, 이산화규소(SiO2)가 0중량％∼15중량％, 산화 알루미늄(Al2O3)이 0중량％∼10중량％이다. 유전체 재료는, 실질적으로 납 성분을 포함하지 않는다.
또한, 유전체층(8)의 막 두께는 40㎛ 이하이다. 유전체층(8)의 비유전율 ε은 4 이상 7 이하이다. 유전체층(8)의 비유전율 ε이 4 이상 7 이하인 효과는 후술된다.
이들 조성 성분으로 이루어지는 유전체 재료가, 습식 제트 밀이나 볼 밀로 평균 입경이 0.5㎛∼2.5㎛로 되도록 분쇄되어 유전체 재료 분말이 제작된다. 다음으로 이 유전체 재료 분말 55중량％∼70중량％와, 바인더 성분 30중량％∼45중량％가 3본 롤로 잘 혼련되어 다이 코트용, 또는 인쇄용의 제1 유전체층용 페이스트가 완성된다.
바인더 성분은 에틸 셀룰로오스, 또는 아크릴 수지 1중량％∼20중량％를 포함하는 터피네올, 또는 부틸 카르비톨 아세테이트이다. 또한, 페이스트 중에는, 필요에 따라서 가소제로서 프탈산디옥틸, 프탈산디부틸, 인산 트리페닐, 인산 트리 부틸을 첨가하고, 분산제로서 글리세롤모노올레이트, 소르비탄세스퀴올리에이트, 호모게놀(Kao 코퍼레이션사 제품명), 알킬알릴기의 인산 에스테르 등이 첨가되어도 된다. 분산제가 첨가되면, 인쇄성이 향상된다.
[6. 보호층(9)의 상세]
보호층에는, 주로 4개의 기능이 있다. 1번째는, 방전에 의한 이온 충격으로부터 유전체층을 보호하는 것이다. 2번째는, 어드레스 방전을 발생시키기 위한 초기 전자를 방출하는 것이다. 3번째는, 방전을 발생시키기 위한 전하를 유지하는 것이다. 4번째는, 유지 방전시에 2차 전자를 방출하는 것이다. 이온 충격으로부터 유전체층이 보호됨으로써, 방전 전압의 상승이 억제된다. 초기 전자 방출수가 증가함으로써, 화상의 깜박거림의 원인으로 되는 어드레스 방전 미스가 저감된다. 전하 유지 성능이 향상됨으로써, 인가 전압이 저감된다. 2차 전자 방출수가 증가함으로써, 유지 방전 전압이 저감된다. 초기 전자 방출수를 증가시키기 위해서, 예를 들면 보호층의 MgO에 규소(Si)나 알루미늄(Al)을 첨가하는 등의 시도가 행해지고 있다.
그러나, MgO에 불순물을 혼재시킴으로써, 초기 전자 방출 성능을 개선한 경우, 보호층에 축적된 전하가 시간과 함께 감소하는 감쇠율이 커지게 된다. 따라서, 감쇠한 전하를 보충하기 위해서 인가 전압을 크게 하는 등의 대책이 필요로 된다. 보호층은, 높은 초기 전자 방출 성능을 가짐과 함께, 전하의 감쇠율을 작게 하는, 즉 높은 전하 유지 성능을 갖는다고 하는, 상반되는 2개의 특성을 겸비하는 것이 요구되고 있다.
또한, 우안용 필드와 좌안용 필드를 교대로 반복하여 표시하도록 하는 기입 기간이 짧은 고속 구동시에, 방전 지연이 생기면 기입 불량, 즉 화상의 깜박거림이 발생한다.
[6-1. 보호층(9)의 구성]
도 9에 도시한 바와 같이, 보호층(9)은, 기초층인 기초막(91)과 제1 입자인 응집 입자(92)와 제2 입자인 결정 입자(93)를 포함한다. 기초막(91)은, 일례로서, 알루미늄(Al)을 불순물로서 함유하는 산화 마그네슘(MgO)막이다. 응집 입자(92)는, MgO의 결정 입자(92a)에, 결정 입자(92a)보다 입경이 작은 결정 입자(92b)가 복수개 응집한 것이다. 결정 입자(93)는, MgO로 이루어지는 입방체 형상의 결정 입자이다. 형상은 주사형 전자 현미경(SEM)에 의해 확인할 수 있다. 본 실시 형태에서는, 복수개의 응집 입자(92)가, 기초막(91)의 전체면에 걸쳐 분산 배치되어 있다. 복수개의 결정 입자(93)가, 기초막(91)의 전체면에 걸쳐 분산 배치되어 있다.
결정 입자(92a)는 평균 입경이 0.9㎛∼2㎛의 범위의 입자이다. 결정 입자(92b)는 평균 입경이 0.3㎛∼0.9㎛의 범위의 입자이다. 또한, 본 실시 형태에서, 평균 입경이란, 체적 누적 평균 직경(D50)이다. 또한, 평균 입경의 측정에는, 레이저 회절식 입도 분포 측정 장치 MT-3300(니키소 주식회사제)이 이용되었다.
도 10에 도시한 바와 같이, 보호층(9)의 표면은, 기초막(91) 상에, 다면체 형상의 결정 입자(92a)에 다면체 형상의 결정 입자(92b)가 수개 응집한 응집 입자(92)와, 입방체 형상의 결정 입자(93)가 분산 배치되어 있다. 입방체 형상의 결정 입자(93)에는, 입경이 약 200㎚의 입자와, 입경이 100㎚ 이하의 나노 입자 사이즈의 입자가 존재한다. 실제의 PDP(1)의 관찰에 의하면, 입방체 형상의 결정 입자(93)끼리가 응집하고 있는 것, 다면체 형상의 결정 입자(92a) 또는 다면체 형상의 결정 입자(92b), 혹은 다면체 형상의 결정 입자(92a, 92b)의 응집 입자(92)에, MgO의 입방체 형상의 결정 입자(93)가 부착되어 있는 것이 존재하고 있었다. 또한, 다면체 형상의 결정 입자(92a, 92b)는, 액상법에 의해 제작되었다. 입방체 형상의 결정 입자(93)는, 기상법에 의해 제작되었다.
또한 「입방체 형상」이란 기하학적인 의미에서의 엄밀한 입방체를 가리키는 것은 아니다. 전자 현미경 사진을 목시로 관찰함으로써 대략 입방체로 인식 가능한 형상을 가리킨다. 또한 「다면체 형상」이란, 전자 현미경 사진을 목시로 관찰함으로써 대략 7면 이상의 면을 갖는다고 인식 가능한 형상을 가리킨다.
[6-2. 응집 입자(92)]
응집 입자(92)란, 도 11에 도시한 바와 같이, 소정의 1차 입경의 결정 입자(92a, 92b)가 복수개 응집한 상태의 것이다. 혹은, 응집 입자(92)는, 소정의 1차 입경의 결정 입자(92a)가 복수개 응집한 상태의 것이다. 응집 입자(92)는, 고체로서 강한 결합력에 의해 결합하고 있는 것은 아니다. 응집 입자(92)는, 정전기나 반데르발스힘 등에 의해 복수의 1차 입자가 집합한 것이다. 또한, 응집 입자(92)는, 초음파 등의 외력에 의해, 그 일부 또는 전부가 1차 입자의 상태로 분해될 정도의 힘으로 결합하고 있다. 응집 입자(92)의 입경으로서는, 약 1㎛ 정도의 것이며, 결정 입자(92a, 92b)로서는, 14면체나 12면체 등의 7면 이상의 면을 갖는 다면체 형상을 갖는다. 또한, 결정 입자(92a, 92b)는, 탄산 마그네슘이나 수산화 마그네슘 등의 MgO 전구체의 용액을 소성함으로써 생성하는 액상법에 의해 제작되었다. 액상법에 의한 소성 온도나 소성 분위기를 조정함으로써, 입경의 제어를 할 수 있다. 소성 온도는 700℃ 정도 내지 1500℃ 정도의 범위에서 선택할 수 있다. 소성 온도가 1000℃ 이상에서는, 1차 입경을 0.3∼2㎛ 정도로 제어 가능하다. 결정 입자(92a, 92b)는 액상법에 의한 생성 과정에서, 복수개의 1차 입자끼리가 응집한 응집 입자(92)의 상태에서 얻어진다.
한편, 입방체 형상의 결정 입자(93)는, 마그네슘을 비점 이상으로 가열하여 마그네슘 증기를 발생시켜, 기상 산화하는 기상법에 의해 얻어지는 것이다. 입경이 200㎚ 이상(BET법에 의한 측정 결과)의 입방체 형상의 단결정 구조를 갖는 결정 입자나, 결정체가 서로 끼워 넣어진 다중 결정 구조의 것이 얻어진다. 예를 들면, 이 기상법에 의한 마그네슘 분말의 합성 방법에 대해서는, 학회지 「재료」의 제36권 제410호의 「기상법에 의한 마그네시아 분말의 합성과 그 성질」 등에서 알려져 있다.
또한, 평균 입경이 200㎚ 이상의 입방체 형상의 단결정 구조의 결정 입자를 형성하는 경우에는, 마그네슘 증기를 발생시킬 때의 가열 온도를 높게 하고, 마그네슘과 산소가 반응하는 불꽃의 길이를 길게 한다. 불꽃과 주위의 온도차가 커짐으로써, 보다 입경이 큰 기상법에 의한 MgO의 결정 입자가 얻어진다.
다면체 형상의 결정 입자(92a, 92b)와, 입방체 형상의 결정 입자(93)에 대하여, 캐소드 루미네센스(CL) 발광 특성이 측정되었다. 도 12에 도시한 바와 같이, 가는 실선이 MgO의 다면체 형상의 결정 입자(92a, 92b)의 발광 강도, 즉 응집 입자(92)의 캐소드 루미네센스(발광) 강도이다. 굵은 실선이 MgO의 입방체 형상의 결정 입자(93)의 캐소드 루미네센스(발광) 강도이다.
도 12에 도시한 바와 같이, 다면체 형상의 결정 입자(92a, 92b)가 수개 응집한 응집 입자(92)는, 파장 200㎚ 이상 300㎚ 이하, 특히 파장 230㎚ 이상 250㎚ 이하의 파장 영역에 발광 강도의 피크를 갖는다. MgO의 입방체 형상의 결정 입자(93)는, 파장 200㎚ 이상 300㎚ 이하의 파장 영역에 발광 강도의 피크를 갖지 않는다. 그러나 파장 400㎚ 이상 450㎚ 이하의 파장 영역에 발광 강도의 피크를 갖는다. 즉, 기초막(91) 상에 부착시킨, MgO의 다면체 형상의 결정 입자(92a, 92b)가 수개 응집한 응집 입자(92)와, MgO의 입방체 형상의 결정 입자(93)는, 발광 강도 피크의 파장에 대응한 에너지 준위를 갖는다.
[7. 시작품 평가 결과]
[7-1. 시작품의 구성]
우선, 구성이 상이한 보호층을 갖는 복수의 PDP가 시작되었다.
시작품 1은, MgO막만으로 이루어지는 보호층을 갖는 PDP이다.
시작품 2는, Al, Si 등의 불순물이 도프된 MgO만으로 이루어지는 보호층을 갖는 PDP이다.
시작품 3은, MgO로 이루어지는 기초막(91) 상에 금속 산화물로 이루어지는 결정 입자의 1차 입자만이 분산 배치된 PDP이다.
시작품 4는, MgO로 이루어지는 기초막(91) 상에, 동등한 입경을 갖는 MgO의 결정 입자끼리를 응집시킨 응집 입자(92)를 전체면에 걸쳐 분포하도록 부착시킨 PDP(1)이다. 즉, 시작품 4는, 복수개의 응집 입자(92)가 기초막(91) 상에, 전체면에 걸쳐 분산 배치된 PDP(1)이다.
시작품 5는, MgO로 이루어지는 기초막(91) 상에, 평균 입경이 0.9㎛∼2㎛의 범위에 있는 MgO의 결정 입자(92a)의 주위에, 결정 입자(92a)보다도 작은 입경을 갖는 MgO의 결정 입자(92b)가 응집한 다면체 형상의 응집 입자(92)와, 입방체 형상의 MgO의 결정 입자(93)를 전체면에 걸쳐 분포하도록 부착시킨 보호층(9)을 갖는 PDP이다. 즉, 시작품 5는, 복수개의 응집 입자(92)와, 복수개의 결정 입자(93)가 기초막(91) 상에, 전체면에 걸쳐 분산 배치된 PDP(1)이다. 또한, 복수개의 응집 입자(92)와, 복수개의 결정 입자(93)가 기초막(91) 상에, 전체면에 걸쳐 균일하게 분산 배치된 PDP(1)는, 보다 바람직하다. PDP(1)의 면내에서 방전 특성의 변동을 억제할 수 있기 때문이다.
[7-2. 성능 평가]
이들 5종류의 보호층의 구성을 갖는 PDP에 대하여, 전자 방출 성능과 전하 유지 성능이 측정되었다.
또한, 전자 방출 성능은, 클수록 전자 방출량이 많은 것을 나타내는 수치이다. 전자 방출 성능은, 방전의 표면 상태 및 가스종과 그 상태에 따라서 정해지는 초기 전자 방출량으로서 표현된다. 초기 전자 방출량은, 표면에 이온 혹은 전자 빔을 조사하여 표면으로부터 방출되는 전자 전류량을 측정하는 방법에 의해 측정할 수 있다. 그러나, 비파괴로 실시하는 것이 곤란하다. 따라서, 일본 특개 2007-48733호 공보에 기재되어 있는 방법이 이용되었다. 즉, 방전 시의 지연 시간 중, 통계 지연 시간으로 불리는 방전의 발생 용이성의 기준으로 되는 수치가 측정되었다. 통계 지연 시간의 역수를 적분함으로써, 초기 전자의 방출량과 선형 대응하는 수치로 된다. 방전 시의 지연 시간이란, 기입 방전 펄스의 상승으로부터 기입 방전이 지연되어 발생할 때까지의 시간이다. 방전 지연은, 기입 방전이 발생할 때의 트리거로 되는 초기 전자가 보호층 표면으로부터 방전 공간 중으로 방출되기 어려운 것이 주요한 요인으로서 생각되고 있다.
또한, 전하 유지 성능은, 그 지표로서, PDP로서 제작한 경우에 전하 방출 현상을 억제하기 위해서 필요로 하는 주사 전극에 인가하는 전압(이하 Vscn 점등 전압이라고 칭함)의 전압값이 이용되었다. 즉, Vscn 점등 전압이 낮은 쪽이, 전하 유지 능력이 높은 것을 나타낸다. Vscn 점등 전압이 낮으면, PDP를 저전압으로 구동할 수 있다. 따라서, 전원이나 각 전기 부품으로서, 내압 및 용량이 작은 부품을 사용하는 것이 가능하게 된다. 현상의 제품에서, 주사 전압을 순차적으로 패널에 인가하기 위한 MOSFET 등의 반도체 스위칭 소자에는, 내압 150V 정도의 소자가 사용되고 있다. Vscn 점등 전압으로서는, 온도에 의한 변동을 고려하여, 120V 이하로 억제하는 것이 바람직하다.
도 13으로부터 명백해지는 바와 같이, 시작품 4, 5는, 전하 유지 성능의 평가에서, Vscn 점등 전압을 120V 이하로 할 수 있었다. 시작품 4, 5는, 게다가 전자 방출 성능은 6 이상의 양호한 특성을 얻을 수 있었다.
일반적으로는 PDP의 보호층의 전자 방출 능력과 전하 유지 능력은 상반된다. 예를 들면, 보호층의 성막 조건의 변경, 혹은, 보호층 중에 Al이나 Si, Ba 등의 불순물을 도핑하여 성막함으로써, 전자 방출 성능을 향상시키는 것은 가능하다. 그러나, 부작용으로서 Vscn 점등 전압도 상승하게 된다.
본 실시 형태의 보호층을 갖는 PDP에서는, 전자 방출 능력으로서는, 6 이상의 특성이며, 전하 유지 능력으로서는 Vscn 점등 전압이 120V 이하의 것을 얻을 수 있다. 즉, 고정밀화에 의해 주사선수가 증가하고, 또한 셀 사이즈가 작아지는 경향이 있는 PDP에 대응할 수 있는 전자 방출 능력과 전하 유지 능력의 양방을 구비한 보호층을 얻을 수 있다.
여기서, 보호층(9)의 전자 방출 성능의 경시 변화에 대하여 검토한 결과에 대하여 설명한다. PDP의 장기 수명화를 위해서는, 보호층(9)의 전자 방출 성능이 경시적으로 열화되지 않는 것이 요구된다.
도 13에서 양호한 특성을 얻은 시작품 4, 5의 전자 방출 성능의 경시 열화를 조사한 결과로서, PDP의 점등 시간에 대한 전자 방출 성능의 추이를 도 14에 도시하고 있다. 도 14에 도시한 바와 같이, MgO를 포함하는 기초막(91) 상에, 평균 입경이 0.9㎛∼2㎛의 범위에 있는 MgO의 결정 입자(92a)의 주위에, 결정 입자(92a)보다도 작은 입경을 갖는 MgO의 결정 입자(92b)가 응집한 다면체 형상의 응집 입자(92)와, 입방체 형상의 MgO의 결정 입자(93)를 전체면에 걸쳐 분산 배치한 시작품 5는, 시작품 4보다도, 전자 방출 성능의 경시 열화가 적다.
시작품 4에서는, PDP 셀 내에서의 방전에 의해 발생하는 이온이 보호층에 충격을 줌으로써, 응집 입자(92)가 박리되었다고 추측된다. 한편, 시작품 5에서는, 평균 입경이 0.9㎛∼2㎛의 범위에 있는 MgO의 결정 입자(92a)의 주위에, 더 작은 평균 입경을 갖는 MgO의 결정 입자(92b)가 응집하고 있다. 즉, 작은 입경을 갖는 결정 입자(92b)는 표면적이 크기 때문에, 기초막(91)과의 접착성을 높이고 있어, 이온 충격에 의해 응집 입자(92)가 박리되는 것이 적다고 추측된다.
시작품 5의 PDP에서는, 전자 방출 능력으로서는, 6 이상의 특성이며, 전하 유지 능력으로서는 Vscn 점등 전압이 120V 이하의 것을 얻을 수 있다. 즉, 고정밀화에 의해 주사선수가 증가하고, 또한 셀 사이즈가 작아지는 경향이 있는 PDP에 대응할 수 있는 전자 방출 능력과 전하 유지 능력의 양방을 구비한 보호층을 얻을 수 있다. 또한 전자 방출 성능의 경시 열화가 작기 때문에, 장기간에 걸쳐 안정된 화질을 얻을 수 있다.
본 실시 형태에서는, 응집 입자(92)와 결정 입자(93)는, 기초막(91) 상에 부착시키는 경우, 10％ 이상 20％ 이하의 범위의 피복률로 또한 전체면에 걸쳐 분포하도록 부착되어 있다. 피복률이란, 1개의 방전 셀의 영역에서, 응집 입자(92)와 결정 입자(93)가 부착되어 있는 면적 a를 1개의 방전 셀의 면적 b의 비율로 나타낸 것이며, 피복률(％)=a/b×100의 식에 의해 구한 것이다. 실제의 측정 방법은, 예를 들면 도 15에 도시한 바와 같이, 격벽(14)에 의해 구획된 1개의 방전 셀에 상당하는 영역의 화상이 촬영된다. 다음으로, 화상이 x×y의 1셀의 크기로 트리밍된다. 다음으로, 트리밍 후의 화상이 흑백 데이터로 2치화된다. 다음으로, 2치화된 데이터에 기초하여 응집 입자(92) 및 결정 입자(93)에 의한 흑 에어리어의 면적 a를 구한다. 마지막으로, a/b×100에 의해 연산된다.
다음으로, 다면체 형상의 결정 입자(92a, 92b)와 입방체 형상의 결정 입자(93)를 부착시킨 보호층을 갖는 PDP의 효과를 확인하기 위해서, 시작품을 더 제작하고, 유지 방전 전압을 조사하였다. 도 16에 도시한 바와 같이, 시작품 A는 MgO에 의한 기초막(91) 상에 200㎚ 이상 300㎚ 이하의 파장 영역에 CL 발광의 피크를 갖는 MgO의 결정 입자(92a, 92b)로 이루어지는 응집 입자(92)만을 산포하여, 부착시킨 PDP이다. 시작품 B, C는, MgO에 의한 기초막 상에 평균 입경이 0.9㎛∼2㎛의 범위에 있는 MgO의 다면체 형상의 결정 입자(92a)의 주위에, 상기 결정 입자(92a)보다도 작은 입경을 갖는 MgO의 다면체 형상의 결정 입자(92b)가 응집한 응집 입자(92)와, 입방체 형상의 MgO의 결정 입자(93)를 전체면에 걸쳐 분산 배치한 PDP이다. 또한, 시작품 B와 시작품 C는, 유전체층(8)의 비유전율 ε이 상이하다. 즉, 시작품 B는, 유전체층(8)의 비유전율 ε이 9.7 정도이다. 시작품 C는, 유전체층(8)의 비유전율 ε이 7이다. 피복률에 대해서는, 모두 20％ 이하의 13％ 정도이다.
도 16에 도시한 바와 같이, 시작품 B, C는, 시작품 A에 대하여 유지 방전 전압을 저하시킬 수 있다. 즉, 200㎚ 이상 300㎚ 이하의 파장 영역에 피크를 갖는 CL 발광을 행하는 특성의 MgO의 다면체 형상의 결정 입자(92a, 92b)의 응집 입자(92)와, 400㎚ 이상 450㎚ 이하의 파장 영역에 피크를 갖는 CL 발광을 행하는 특성의 MgO의 입방체 형상의 결정 입자(93)를 부착시킨 보호층을 갖는 PDP는, 유지 방전 전압을 저하시킬 수 있다. 즉, PDP의 저소비 전력화를 도모할 수 있다. 또한, 시작품 B, C의 특성으로부터 명백해지는 바와 같이, 유전체층(8)의 비유전율 ε을 작게 한 쪽이, 보다 유지 방전 전압을 저하시킬 수 있다. 특히, 본 발명자들의 실험에 의하면, 유전체층(8)의 비유전율 ε을 4 이상 7 이하로 함으로써, 보다 현저하게 효과가 얻어지는 것을 알 수 있었다.
도 17은, 보호층에서, MgO의 응집 입자(92)의 평균 입경을 변화시켜 전자 방출 성능을 조사한 실험 결과를 도시하는 것이다. 도 15에서, 응집 입자(92)의 평균 입경은, 응집 입자(92)를 SEM 관찰함으로써 길이 측정되었다.
도 17에 도시한 바와 같이, 평균 입경이 0.3㎛ 정도로 작아지면, 전자 방출 성능이 낮아지고, 거의 0.9㎛ 이상이면, 높은 전자 방출 성능이 얻어진다.
방전 셀 내에서의 전자 방출수를 증가시키기 위해서는, 보호층(9) 상의 단위 면적당의 결정 입자수는 많은 쪽이 바람직하다. 본 발명자들의 실험에 의하면, 보호층(9)과 밀접하게 접촉하는 격벽(14)의 꼭대기부에 상당하는 부분에 결정 입 자(92a, 92b, 93)가 존재하면, 격벽(14)의 꼭대기부를 파손시키는 경우가 있다. 이 경우, 파손된 격벽(14)의 재료가 형광체 상에 떨어지는 것 등에 의해, 해당하는 셀이 정상적으로 점등 또는 소등하지 않게 되는 현상이 발생하는 것을 알 수 있었다. 격벽 파손의 현상은, 결정 입자(92a, 92b, 93)가 격벽 꼭대기부에 대응하는 부분에 존재하지 않으면 발생하기 어렵기 때문에, 부착시키는 결정 입자수가 많아지면, 격벽(14)의 파손 발생 확률이 높아진다.
도 18에 도시한 바와 같이, 입경이 2.5㎛ 정도로 커지면, 격벽 파손의 확률이 급격하게 높아진다. 그러나, 2.5㎛보다 작은 입경이면, 격벽 파손의 확률은 비교적 작게 억제할 수 있는 것을 알 수 있다.
이상의 결과에 기초하면, 응집 입자(92)는, 평균 입경이 0.9㎛ 이상 2.5㎛ 이하의 것이 바람직하다고 생각된다. PDP로서 실제로 양산하는 경우에는, 결정 입자의 제조상에서의 변동이나 보호층을 형성하는 경우의 제조상에서의 변동을 고려할 필요가 있다.
이와 같은 제조상에서의 변동 등의 요인을 고려하기 위해서, 입경 분포가 상이한 결정 입자를 이용하여 실험을 행한 결과, 평균 입경이 0.9㎛∼2㎛의 범위에 있는 응집 입자(92)를 사용하면, 상술한 효과를 안정적으로 얻을 수 있는 것을 알 수 있었다.
[8. 보호층(9)의 형성 방법]
도 19에 도시한 바와 같이, 유전체층(8)을 형성하는 유전체층 형성 공정 A1을 행한 후, 기초막 증착 공정 A2에서는, Al을 포함하는 MgO의 소결체를 원재료로 한 진공 증착법에 의해, 불순물로서 Al을 포함하는 MgO로 이루어지는 기초막(91)이 유전체층(8) 상에 형성된다.
그 후, 미소성의 기초막(91) 상에, 복수개의 응집 입자(92)와, 복수개의 결정 입자(93)가 이산적으로 산포되어, 부착된다. 즉 기초막(91)의 전체면에 걸쳐, 응집 입자(92)와 결정 입자(93)가 분산 배치된다.
이 공정에서는, 우선, 소정의 입경 분포를 갖는 다면체 형상의 결정 입자(92a, 92b)를 용매에 혼합한 응집 입자 페이스트가 제작된다. 또한, 입방체 형상의 결정 입자(93)를 용매에 혼합한 결정 입자 페이스트가 제작된다. 즉, 응집 입자 페이스트와 결정 입자 페이스트는 따로따로 준비된다. 그 후, 응집 입자 페이스트와 결정 입자 페이스트가 혼합됨으로써, 다면체 형상의 결정 입자(92a, 92b)와 결정 입자(93)를 용매에 혼합한 혼합 결정 입자 페이스트가 제작된다. 그 후, 결정 입자 페이스트 도포 공정 A3에서, 혼합 결정 입자 페이스트가 기초막(91) 상에 도포됨으로써, 평균 막 두께 8㎛∼20㎛의 혼합 결정 입자 페이스트막이 형성된다. 또한, 혼합 결정 입자 페이스트를 기초막(91) 상에 도포하는 방법으로서, 스크린 인쇄법, 스프레이법, 스핀 코트법, 다이 코트법, 슬릿 코트법 등도 이용할 수 있다.
여기서, 응집 입자 페이스트나 결정 입자 페이스트의 제작에 사용하는 용매로서는, MgO의 기초막(91)이나 응집 입자(92)나 결정 입자(93)와의 친화성이 높고, 또한 다음 공정의 건조 공정 A4에서의 증발 제거를 용이하게 하기 위해서 상온에서의 증기압이 수십㎩ 정도의 것이 적합하다. 예를 들면 메틸메톡시부탄올, 테르피네올, 프로필렌글리콜, 벤질알코올 등의 유기 용제 단체 혹은 그들 혼합 용매가 이용된다. 이들 용매를 포함한 페이스트의 점도는 수m㎩ㆍs∼수십m㎩ㆍs이다.
혼합 결정 입자 페이스트가 도포된 기판은, 즉시 건조 공정 A4로 이행된다. 건조 공정 A4에서는, 혼합 결정 입자 페이스트막이 감압 건조된다. 구체적으로는, 혼합 결정 입자 페이스트막은 진공 챔버 내에서, 수십초 이내에서 급속하게 건조된다. 따라서, 가열 건조에서는 현저한 막 내의 대류가 발생하지 않는다. 따라서, 응집 입자(92) 및 결정 입자(93)가 보다 균일하게 기초막(91) 상에 부착된다. 또한, 이 건조 공정 A4에서의 건조 방법으로서는, 혼합 결정 입자 페이스트를 제작할 때에 이용하는 용매 등에 따라서, 가열 건조 방법을 이용해도 된다.
다음으로, 보호층 소성 공정 A5에서는, 기초막 증착 공정 A2에서 형성된 미소성의 기초막(91)과, 건조 공정 A4를 거친 혼합 결정 입자 페이스트막이, 수백℃의 온도에서 동시에 소성된다. 소성에 의해, 혼합 결정 입자 페이스트막에 남아 있는 용제나 수지 성분이 제거된다. 그 결과, 기초막(91) 상에 복수개의 다면체 형상의 결정 입자(92a, 92b)로 이루어지는 응집 입자(92)와, 입방체 형상의 결정 입자(93)가 부착된 보호층(9)이 형성된다.
이 방법에 의하면, 기초막(91)에 응집 입자(92)와 결정 입자(93)를 전체면에 걸쳐 분산 배치하는 것이 가능하다.
또한, 이와 같은 방법 이외에도, 용매 등을 이용하지 않고, 입자군을 직접적으로 가스 등과 함께 분사하는 방법이나, 단순하게 중력을 이용하여 산포하는 방법 등을 이용해도 된다.
또한, 소정의 입경 분포를 갖는 다면체 형상의 결정 입자(92a, 92b)를 용매에 혼합한 응집 입자 페이스트만을 이용함으로써, 기초막(91)에 결정 입자(92a, 92b)가 응집한 응집 입자(92)를 전체면에 걸쳐 분산 배치하는 것이 가능하다.
또한, 결정 입자(92a)를 용매에 혼합한 응집 입자 페이스트만을 이용함으로써, 기초막(91)에 복수의 결정 입자(92a)가 응집한 응집 입자(92)를 전체면에 걸쳐 분산 배치하는 것이 가능하다.
[9. 요약]
본 실시 형태에 따른 제1 플라즈마 디스플레이 장치(100)는, 서브필드 구동법에 의해 화상의 계조 표시를 행하는 PDP(1)를 구비한다. PDP(1)는, 전면판(2)과, 전면판(2)과 대향 배치된 배면판(10)을 갖는다. 전면판(2)은, 표시 전극(6)과 표시 전극(6)을 덮는 유전체층(8)과 유전체층(8)을 덮는 보호층(9)을 갖는다. 보호층(9)은, 유전체층(8) 상에 형성된 기초층인 기초막(91) 및 기초막(91)의 전체면에 걸쳐 분산 배치된 복수의 응집 입자(92)를 포함한다. 응집 입자(92)는, 복수의 응집한 금속 산화물의 결정 입자(92a)로 이루어진다. 또한, 플라즈마 디스플레이 장치(100)는, 우안용 화상 신호를 표시하는 우안용 필드 및 좌안용 화상 신호를 표시하는 좌안용 필드에 의해 화상을 구성한다. 우안용 필드 및 좌안용 필드는, 복수의 서브필드를 갖는다. 소정의 계조 이상에서, 우안용 필드 및 좌안용 필드에서의 마지막에 배치된 서브필드를 제외한, 적어도 하나 이상의 서브필드에 의해 계조가 표시된다.
본 실시 형태에 따른 제2 플라즈마 디스플레이 장치(100)는, 서브필드 구동법에 의해 화상의 계조 표시를 행하는 PDP(1)를 구비한다. PDP(1)는, 전면판(2)과, 전면판(2)과 대향 배치된 배면판(10)을 갖는다. 전면판(2)은, 표시 전극(6)과 표시 전극(6)을 덮는 유전체층(8)과 유전체층(8)을 덮는 보호층(9)을 갖는다. 보호층(9)은, 유전체층(8) 상에 형성된 기초막(91)과, 기초막(91)의 전체면에 걸쳐 분산 배치된 복수개의 제1 입자와, 기초층의 전체면에 걸쳐 분산 배치된 복수개의 제2 입자를 포함한다. 제1 입자는, 금속 산화물의 결정 입자(92a)가 복수개 응집한 응집 입자(92)이다. 제2 입자는, 산화 마그네슘으로 이루어지는 입방체 형상의 결정 입자(93)이다. 또한, 플라즈마 디스플레이 장치(100)는, 우안용 화상 신호를 표시하는 우안용 필드 및 좌안용 화상 신호를 표시하는 좌안용 필드에 의해 화상을 구성한다. 우안용 필드 및 좌안용 필드는, 복수의 서브필드를 갖는다. 소정의 계조 이상에서, 우안용 필드 및 좌안용 필드에서의 마지막에 배치된 서브필드를 제외한, 적어도 하나 이상의 서브필드에 의해 계조가 표시된다.
본 실시 형태에 따른 플라즈마 디스플레이 장치(100)는, 높은 초기 전자 방출 성능과, 높은 전하 유지 성능을 갖는다. 또한, 우안용 필드와 좌안용 필드를 교대로 반복하여 표시하도록 하는 기입 기간이 짧은 고속 구동시에, 발생하는 방전 지연이 억제된다. 따라서 기입 불량에 의한 화상의 깜박거림의 발생이 억제된다. 또한, 우안용 화상과 좌안용 화상의 크로스토크가 억제된다.
또한, 이상의 설명에서는, 기초막(91)으로서, MgO를 예로 들었다. 그러나, 기초막(91)에 요구되는 성능은 어디까지나 이온 충격으로부터 유전체를 지키기 위한 높은 내스퍼터 성능을 갖는 것이다. 종래의 PDP에서는, 일정 이상의 전자 방출 성능과 내스퍼터 성능이라고 하는 2개를 양립시키기 위해서, MgO를 주성분으로 한 보호층을 형성하는 경우가 매우 많았다. 본 실시 형태에서는, 전자 방출 성능이 응집 입자(92)에 의해 지배적으로 제어되는 구성을 취하기 때문에, MgO일 필요는 전혀 없고, Al2O3 등의 내충격성이 우수한 다른 재료를 이용해도 전혀 상관없다.
또한, 본 실시 형태에서는, 단결정 입자로서 MgO 입자를 이용하여 설명하였지만, 이 외의 단결정 입자에서도, MgO와 마찬가지로 높은 전자 방출 성능을 갖는 Sr, Ca, Ba, Al 등의 금속의 산화물에 의한 결정 입자를 이용해도 마찬가지의 효과를 얻을 수 있다. 따라서, 입자종으로서는 MgO에 한정되는 것은 아니다.
이상과 같이 본 실시 형태에 개시된 기술은, 고정밀이며 고휘도의 표시 성능을 구비하고, 또한 저소비 전력의 PDP를 실현하는 데 있어서 유용이다.
1 : PDP
2 : 전면판
3 : 전면 글래스 기판
4 : 주사 전극
4a, 5a : 투명 전극
4b, 5b : 금속 버스 전극
5 : 유지 전극
6 : 표시 전극
7 : 블랙 스트라이프
8 : 유전체층
9 : 보호층
10 : 배면판
11 : 배면 글래스 기판
12 : 데이터 전극
13 : 기초 유전체층
14 : 격벽
15 : 형광체층
16 : 방전 공간
21 : 화상 신호 처리 회로
22 : 데이터 전극 구동 회로
23 : 주사 전극 구동 회로
24 : 유지 전극 구동 회로
25 : 타이밍 발생 회로
91 : 기초막
92 : 응집 입자
92a, 92b, 93 : 결정 입자
100 : 플라즈마 디스플레이 장치

Claims (6)

  1. 서브필드 구동법에 의해 화상의 계조 표시를 행하는 플라즈마 디스플레이 패널을 구비하고,
    상기 플라즈마 디스플레이 패널은, 전면판과, 상기 전면판과 대향 배치된 배면판을 갖고, 상기 전면판은, 표시 전극과 상기 표시 전극을 덮는 유전체층과 상기 유전체층을 덮는 보호층을 갖고, 상기 보호층은, 상기 유전체층 상에 형성된 기초층 및 상기 기초층의 전체면에 걸쳐 분산 배치된 복수의 응집 입자를 포함하고, 상기 응집 입자는, 복수의 응집된 금속 산화물 결정 입자로 이루어지고,
    또한, 우안용 화상 신호를 표시하는 우안용 필드 및 좌안용 화상 신호를 표시하는 좌안용 필드에 의해 화상을 구성하고,
    상기 우안용 필드 및 상기 좌안용 필드는, 복수의 서브필드를 갖고,
    소정의 계조 이상에서, 상기 우안용 필드 및 상기 좌안용 필드에서의 마지막에 배치된 서브필드를 제외한, 적어도 하나 이상의 서브필드에 의해 계조가 표시되는 플라즈마 디스플레이 장치.
  2. 서브필드 구동법에 의해 화상의 계조 표시를 행하는 플라즈마 디스플레이 패널을 구비하고,
    상기 플라즈마 디스플레이 패널은, 전면판과, 상기 전면판과 대향 배치된 배면판을 갖고, 상기 전면판은, 표시 전극과 상기 표시 전극을 덮는 유전체층과 상기 유전체층을 덮는 보호층을 갖고, 상기 보호층은, 상기 유전체층 상에 형성된 기초층과, 상기 기초층의 전체면에 걸쳐 분산 배치된 복수개의 제1 입자와, 상기 기초층의 전체면에 걸쳐 분산 배치된 복수개의 제2 입자를 포함하고, 상기 제1 입자는, 금속 산화물 결정 입자가 복수개 응집된 응집 입자이고,
    상기 제2 입자는, 산화 마그네슘으로 이루어지는 입방체 형상의 결정 입자이고,
    또한, 우안용 화상 신호를 표시하는 우안용 필드 및 좌안용 화상 신호를 표시하는 좌안용 필드에 의해 화상을 구성하고,
    상기 우안용 필드 및 상기 좌안용 필드는, 복수의 서브필드를 갖고,
    소정의 계조 이상에서, 상기 우안용 필드 및 상기 좌안용 필드에서의 마지막에 배치된 서브필드를 제외한, 적어도 하나 이상의 서브필드에 의해 계조가 표시되는 플라즈마 디스플레이 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 서브필드는, 발광시키는 방전 셀을 선택하는 기입 방전을 발생시키는 기입 기간, 상기 기입 방전에 의해 선택된 방전 셀에 유지 방전을 발생시키는 유지 기간을 갖고,
    상기 소정의 계조 이상을 표시하는 경우에는 상기 우안용 필드 및 상기 좌안용 필드의 마지막에 배치된 서브필드의 기입 방전을 발생시키지 않는 플라즈마 디스플레이 장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 응집 입자의 평균 입경은 0.9㎛ 이상 2.0㎛ 이하인 플라즈마 디스플레이 장치.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 금속 산화물 결정 입자는, 7면 이상의 면을 갖는 다면체 형상인 플라즈마 디스플레이 장치.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 기초층은, 산화 마그네슘을 포함하는 플라즈마 디스플레이 장치.
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