WO2011089855A1 - プラズマディスプレイパネルおよびプラズマディスプレイ装置 - Google Patents

プラズマディスプレイパネルおよびプラズマディスプレイ装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2011089855A1
WO2011089855A1 PCT/JP2011/000031 JP2011000031W WO2011089855A1 WO 2011089855 A1 WO2011089855 A1 WO 2011089855A1 JP 2011000031 W JP2011000031 W JP 2011000031W WO 2011089855 A1 WO2011089855 A1 WO 2011089855A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
particles
plasma display
discharge
display panel
electrode
Prior art date
Application number
PCT/JP2011/000031
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
大江　良尚
要 溝上
真介 吉田
Original Assignee
パナソニック株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by パナソニック株式会社 filed Critical パナソニック株式会社
Publication of WO2011089855A1 publication Critical patent/WO2011089855A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J11/10—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma
    • H01J11/12—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma with main electrodes provided on both sides of the discharge space
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J11/20—Constructional details
    • H01J11/34—Vessels, containers or parts thereof, e.g. substrates
    • H01J11/40—Layers for protecting or enhancing the electron emission, e.g. MgO layers

Definitions

  • the technology disclosed herein relates to a plasma display panel and a plasma display apparatus used for display devices and the like.
  • a plasma display panel (hereinafter referred to as PDP) is composed of a front plate and a back plate.
  • the front plate includes a glass substrate, a display electrode formed on one main surface of the glass substrate, a dielectric layer that covers the display electrode and functions as a capacitor, and magnesium oxide formed on the dielectric layer It is comprised with the protective layer which consists of (MgO).
  • the back plate includes a glass substrate, an address electrode formed on one main surface of the glass substrate, a base dielectric layer covering the address electrode, a partition formed on the base dielectric layer, and each partition It is comprised with the fluorescent substance layer which light-emits each in red, green, and blue formed in between.
  • the front plate and the back plate are hermetically sealed with the electrode forming surface facing each other.
  • Neon (Ne) and xenon (Xe) discharge gases are sealed in the discharge space partitioned by the partition walls.
  • the discharge gas is discharged by the video signal voltage selectively applied to the display electrodes.
  • the ultraviolet rays generated by the discharge excite each color phosphor layer.
  • the excited phosphor layer emits red, green, and blue light.
  • the PDP realizes color image display in this way (see Patent Document 1).
  • the protective layer has four main functions. The first is to protect the dielectric layer from ion bombardment due to discharge. The second is to release initial electrons for generating an address discharge. The third is to hold a charge for generating a discharge. Fourth, secondary electrons are emitted during the sustain discharge. By protecting the dielectric layer from ion bombardment, an increase in discharge voltage is suppressed. By increasing the number of initial electron emissions, address discharge errors that cause image flickering are reduced. The applied voltage is reduced by improving the charge retention performance. As the number of secondary electron emission increases, the sustain discharge voltage is reduced. In order to increase the initial electron emission number, for example, an attempt has been made to add silicon (Si) or aluminum (Al) to MgO of the protective layer.
  • the attenuation rate at which the charge accumulated in the protective layer decreases with time increases. Therefore, it is necessary to take measures such as increasing the applied voltage to compensate for the attenuated charge.
  • the protective layer is required to have two contradictory characteristics such as high initial electron emission performance and low charge decay rate, that is, high charge retention performance.
  • the PDP includes a front plate and a back plate disposed to face the front plate.
  • the front plate includes a display electrode, a dielectric layer that covers the display electrode, and a protective layer that covers the dielectric layer.
  • the protective layer includes a base layer formed on the dielectric layer, a plurality of first particles distributed over the entire surface of the base layer, and a plurality of second particles distributed over the entire surface of the base layer. And particles.
  • the first particles are aggregated particles in which a plurality of crystal particles made of magnesium oxide are aggregated.
  • the second particles are cubic crystal particles made of magnesium oxide.
  • the dielectric constant of the dielectric layer is 4 or more and 7 or less.
  • FIG. 1 is a perspective view showing the structure of a PDP.
  • FIG. 2 is an electrode array diagram of the PDP.
  • FIG. 3 is a block circuit diagram of the plasma display apparatus.
  • FIG. 4 is a driving voltage waveform diagram of the plasma display apparatus.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing the configuration of the front plate of the PDP according to the embodiment.
  • FIG. 6 is an explanatory diagram showing an enlargement of the protective layer portion of the PDP.
  • FIG. 7 is a schematic view showing a particle structure on the surface of the protective layer.
  • FIG. 8 is an enlarged view for explaining the aggregated particles.
  • FIG. 9 is a characteristic diagram showing the results of cathodoluminescence measurement of crystal particles.
  • FIG. 9 is a characteristic diagram showing the results of cathodoluminescence measurement of crystal particles.
  • FIG. 10 is a characteristic diagram showing the examination results of the electron emission performance and the Vscn lighting voltage in the PDP.
  • FIG. 11 is a graph showing the relationship between the Si concentration in the PDP underlayer and the Vscn lighting voltage in a 70 ° C. environment as a charge retention characteristic.
  • FIG. 12 is a characteristic diagram showing the relationship between the lighting time of the PDP and the electron emission performance.
  • FIG. 13 is an enlarged view for explaining the coverage.
  • FIG. 14 is a characteristic diagram showing comparison of sustain discharge voltages.
  • FIG. 15 is a characteristic diagram showing the relationship between the average particle size of the aggregated particles and the electron emission performance.
  • FIG. 16 is a characteristic diagram showing the relationship between the grain size of crystal grains and the incidence of breakage of partition walls.
  • FIG. 17 is a process diagram showing a protective layer forming process according to the embodiment.
  • FIG. 18 is a characteristic diagram showing the relationship between the pulse width of the pulse voltage applied to the data electrode and the address discharge failure probability.
  • the basic structure of the PDP is a general AC surface discharge type PDP.
  • the PDP 1 has a front plate 2 made of a front glass substrate 3 and a back plate 10 made of a back glass substrate 11 facing each other.
  • the front plate 2 and the back plate 10 are hermetically sealed with a sealing material whose outer peripheral portion is made of glass frit or the like.
  • the discharge space 16 inside the sealed PDP 1 is filled with discharge gas such as neon (Ne) and xenon (Xe) at a pressure of 53 kPa (400 Torr) to 80 kPa (600 Torr).
  • a pair of strip-shaped display electrodes 6 each consisting of a scanning electrode 4 and a sustain electrode 5 and a plurality of black stripes 7 are arranged in parallel to each other.
  • a dielectric layer 8 that functions as a capacitor is formed on the front glass substrate 3 so as to cover the display electrodes 6 and the black stripes 7. Further, a protective layer 9 made of magnesium oxide (MgO) or the like is formed on the surface of the dielectric layer 8.
  • Scan electrode 4 and sustain electrode 5 are each formed by laminating a bus electrode made of Ag on a transparent electrode made of a conductive metal oxide such as indium tin oxide (ITO), tin oxide (SnO 2 ), and zinc oxide (ZnO). Has been.
  • ITO indium tin oxide
  • SnO 2 tin oxide
  • ZnO zinc oxide
  • a plurality of data electrodes 12 made of a conductive material mainly composed of silver (Ag) are arranged in parallel to each other in a direction orthogonal to the display electrodes 6.
  • the data electrode 12 is covered with a base dielectric layer 13. Further, a partition wall 14 having a predetermined height is formed on the underlying dielectric layer 13 between the data electrodes 12 to divide the discharge space 16.
  • a phosphor layer 15 that emits red light by ultraviolet rays, a phosphor layer 15 that emits green light, and a phosphor layer 15 that emits blue light are sequentially applied and formed for each data electrode 12. Yes.
  • a discharge cell is formed at a position where the display electrode 6 and the data electrode 12 intersect. Discharge cells having red, green, and blue phosphor layers 15 arranged in the direction of the display electrode 6 serve as pixels for color display.
  • the discharge gas sealed in the discharge space 16 contains 10% by volume or more and 30% or less of Xe.
  • the PDP 1 has n scan electrodes SC1, SC2, SC3... SCn (4 in FIG. 1) arranged extending in the row direction.
  • the PDP 1 has n sustain electrodes SU1, SU2, SU3,... SUn (5 in FIG. 1) arranged to extend in the row direction.
  • the PDP 1 has m data electrodes D1... Dm (12 in FIG. 1) arranged to extend in the column direction.
  • a discharge cell is formed at a portion where a pair of scan electrode SC1 and sustain electrode SU1 intersects with one data electrode D1.
  • M ⁇ n discharge cells are formed in the discharge space.
  • the scan electrode and the sustain electrode are connected to a connection terminal provided at a peripheral end portion outside the image display area of the front plate.
  • the data electrode is connected to a connection terminal provided at a peripheral end portion outside the image display area of the back plate.
  • the plasma display apparatus 100 includes a PDP 1, an image signal processing circuit 21, a data electrode drive circuit 22, a scan electrode drive circuit 23, a sustain electrode drive circuit 24, a timing generation circuit 25, and a power supply circuit (not shown). ).
  • the image signal processing circuit 21 converts the image signal sig into image data for each subfield.
  • the data electrode drive circuit 22 converts the image data for each subfield into signals corresponding to the data electrodes D1 to Dm, and drives the data electrodes D1 to Dm.
  • the timing generation circuit 25 generates various timing signals based on the horizontal synchronization signal H and the vertical synchronization signal V, and supplies them to each drive circuit block.
  • Scan electrode drive circuit 23 supplies a drive voltage waveform to scan electrodes SC1 to SCn based on the timing signal.
  • Sustain electrode drive circuit 24 supplies drive voltage waveforms to sustain electrodes SU1 to SUn based on the timing signal.
  • plasma display device 100 includes one field including a plurality of subfields.
  • the subfield has an initialization period, an address period, and a sustain period.
  • the initialization period is a period in which the initialization discharge is generated in the discharge cell.
  • the address period is a period for generating an address discharge for selecting a discharge cell to emit light after the initialization period.
  • the sustain period is a period in which a sustain discharge is generated in the discharge cell selected in the address period.
  • the data electrodes D1 to Dm and the sustain electrodes SU1 to SUn are held at 0 (V).
  • a ramp voltage that gradually rises from voltage Vi1 (V) that is equal to or lower than the discharge start voltage to voltage Vi2 (V) that exceeds the discharge start voltage is applied to scan electrodes SC1 to SCn.
  • the first weak setup discharge occurs in all the discharge cells. Due to the initialization discharge, a negative wall voltage is stored on scan electrodes SC1 to SCn. Positive wall voltages are stored on sustain electrodes SU1 to SUn and data electrodes D1 to Dm.
  • the wall voltage is a voltage generated by wall charges accumulated on the protective layer 9 and the phosphor layer 15.
  • sustain electrodes SU1 to SUn are maintained at positive voltage Ve1 (V), and a ramp voltage that gradually decreases from voltage Vi3 (V) to voltage Vi4 (V) is applied to scan electrodes SC1 to SCn. Then, the second weak setup discharge is generated in all the discharge cells.
  • the wall voltage between scan electrodes SC1 to SCn and sustain electrodes SU1 to SUn is weakened.
  • the wall voltage on the data electrodes D1 to Dm is adjusted to a value suitable for the write operation.
  • scan electrodes SC1 to SCn are temporarily held at Vc (V). Sustain electrodes SU1 to SUn are held at Ve2 (V).
  • negative scan pulse voltage Va V
  • data electrode Dk (k 1) of the discharge cell to be displayed in the first row among data electrodes D1 to Dm.
  • Vd V
  • the voltage at the intersection of the data electrode Dk and the scan electrode SC1 is obtained by adding the wall voltage on the data electrode Dk and the wall voltage on the scan electrode SC1 to the externally applied voltage (Vd ⁇ Va) (V). And the discharge start voltage is exceeded.
  • Address discharge occurs between data electrode Dk and scan electrode SC1, and between sustain electrode SU1 and scan electrode SC1.
  • a positive wall voltage is accumulated on scan electrode SC1 of the discharge cell in which the address discharge has occurred.
  • a negative wall voltage is accumulated on sustain electrode SU1 of the discharge cell in which the address discharge has occurred.
  • a negative wall voltage is accumulated on the data electrode Dk of the discharge cell in which the address discharge has occurred.
  • the voltage at the intersection between the data electrodes D1 to Dm to which the address pulse voltage Vd (V) is not applied and the scan electrode SC1 does not exceed the discharge start voltage. Accordingly, no address discharge occurs.
  • the above address operation is sequentially performed until the discharge cell in the nth row.
  • the address period ends when the address operation of the discharge cell in the n-th row ends.
  • positive sustain pulse voltage Vs (V) is applied to scan electrodes SC1 to SCn as the first voltage.
  • a ground potential that is, 0 (V) is applied as a second voltage to sustain electrodes SU1 to SUn.
  • the voltage between scan electrode SCi and sustain electrode SUi is the sustain pulse voltage Vs (V), the wall voltage on scan electrode SCi and the wall voltage on sustain electrode SUi. Is added and exceeds the discharge start voltage.
  • sustain discharge occurs between scan electrode SCi and sustain electrode SUi.
  • the phosphor layer is excited by the ultraviolet rays generated by the sustain discharge and emits light.
  • a negative wall voltage is accumulated on scan electrode SCi.
  • a positive wall voltage is accumulated on sustain electrode SUi.
  • a positive wall voltage is accumulated on the data electrode Dk.
  • sustain pulse voltages Vs (V) corresponding to the luminance weight alternately to scan electrodes SC1 to SCn and sustain electrodes SU1 to SUn are applied. Sustain discharge occurs continuously.
  • the sustain operation in the sustain period ends.
  • sustain electrodes SU1 to SUn are maintained at positive voltage Ve1 (V).
  • a ramp voltage that gently decreases from voltage Vi3 (V) to voltage Vi4 (V) is applied to scan electrodes SC1 to SCn. Then, a weak initializing discharge can be generated only in the discharge cell in which the sustain discharge has occurred in the previous subfield. That is, in the first subfield, an all-cell initializing operation for generating an initializing discharge in all the discharge cells is performed.
  • a selective initializing operation is performed in which an initializing discharge is selectively generated only in the discharge cells that have generated a sustain discharge in the previous subfield.
  • the all-cell initializing operation and the selective initializing operation are selectively used between the first subfield and the other subfields.
  • the all-cell initialization operation may be performed in an initialization period in a subfield other than the first subfield. Further, the all-cell initialization operation may be performed once every several fields.
  • the operation in the writing period and the sustain period is the same as the operation in the first subfield described above.
  • the operation in the sustain period is not necessarily the same as the operation in the first subfield described above.
  • the number of sustain discharge pulses Vs (V) changes in order to generate a sustain discharge that can provide luminance corresponding to the image signal sig.
  • the sustain period is driven to control the luminance for each subfield.
  • a plurality of pairs of strip-like display electrodes 6 and black stripes 7 each consisting of a scanning electrode 4 and a sustaining electrode 5 are arranged in parallel to each other.
  • a dielectric layer 8 that functions as a capacitor is formed on the front glass substrate 3 so as to cover the display electrodes 6 and the black stripes 7.
  • a protective layer 9 made of magnesium oxide (MgO) or the like is formed on the surface of the dielectric layer 8.
  • Scan electrode 4 and sustain electrode 5 are each a bus containing silver (Ag) on a transparent electrode made of a conductive metal oxide such as indium tin oxide (ITO), tin oxide (SnO 2 ), and zinc oxide (ZnO). Electrodes are stacked.
  • a conductive metal oxide such as indium tin oxide (ITO), tin oxide (SnO 2 ), and zinc oxide (ZnO). Electrodes are stacked.
  • Scan electrode 4, sustain electrode 5, and black stripe 7 are formed on front glass substrate 3 by photolithography.
  • Scan electrode 4 and sustain electrode 5 have white electrodes 4b and 5b containing silver (Ag) for ensuring conductivity.
  • Scan electrode 4 and sustain electrode 5 have transparent electrodes 4a and 5a.
  • the white electrode 4b is laminated on the transparent electrode 4a.
  • the white electrode 5b is laminated on the transparent electrode 5a.
  • ITO or the like is used to ensure transparency and electrical conductivity.
  • an ITO thin film is formed on the front glass substrate 3 by sputtering or the like.
  • transparent electrodes 4a and 5a having a predetermined pattern are formed by lithography.
  • a white paste containing silver (Ag), a glass frit for binding silver, a photosensitive resin, a solvent, and the like is used as a material for the white electrodes 4b and 5b.
  • a white paste containing silver (Ag), a glass frit for binding silver, a photosensitive resin, a solvent, and the like is used.
  • a white paste is applied to the front glass substrate 3 by a screen printing method or the like.
  • the solvent in the white paste is removed by a drying furnace.
  • the white paste is exposed through a photomask having a predetermined pattern.
  • the white paste is developed to form a white electrode pattern.
  • the white electrode pattern is fired at a predetermined temperature in a firing furnace. That is, the photosensitive resin in the white electrode pattern is removed. Further, the glass frit in the white electrode pattern is melted and re-solidified. Through the above steps, white electrodes 4b and 5b are formed.
  • the black stripe 7 is formed of a material containing a black pigment.
  • the dielectric layer 8 is formed.
  • a dielectric paste containing a dielectric glass frit, a resin, a solvent, and the like is used as a material for the dielectric layer 8.
  • a dielectric paste is applied on the front glass substrate 3 by a die coating method or the like so as to cover the scan electrodes 4, the sustain electrodes 5 and the black stripes 7 with a predetermined thickness.
  • the solvent in the dielectric paste is removed by a drying furnace.
  • the dielectric paste is fired at a predetermined temperature in a firing furnace. That is, the resin in the dielectric paste is removed.
  • the dielectric glass frit melts and resolidifies.
  • the dielectric layer 8 is formed.
  • a screen printing method, a spin coating method, or the like can be used.
  • a film that becomes the dielectric layer 8 can be formed by CVD (Chemical Vapor Deposition) method or the like without using the dielectric paste.
  • a protective layer 9 is formed on the dielectric layer 8. Details of the protective layer 9 will be described later.
  • the scanning electrode 4, the sustaining electrode 5, the black stripe 7, the dielectric layer 8, and the protective layer 9 are formed on the front glass substrate 3, and the front plate 2 is completed.
  • a data electrode 12 is formed on the rear glass substrate 11 by photolithography.
  • a data electrode paste containing silver (Ag) for ensuring conductivity, a glass frit for binding silver, a photosensitive resin, a solvent, and the like is used as a material of the data electrode 12.
  • the data electrode paste is applied on the rear glass substrate 11 with a predetermined thickness by a screen printing method or the like.
  • the solvent in the data electrode paste is removed by a drying furnace.
  • the data electrode paste is exposed through a photomask having a predetermined pattern.
  • the data electrode paste is developed to form a data electrode pattern.
  • the data electrode pattern is fired at a predetermined temperature in a firing furnace. That is, the photosensitive resin in the data electrode pattern is removed.
  • the glass frit in the data electrode pattern is melted and re-solidified.
  • the data electrode 12 is formed by the above process.
  • a sputtering method, a vapor deposition method, or the like can be used.
  • the base dielectric layer 13 is formed.
  • a base dielectric paste containing a dielectric glass frit, a resin, a solvent, and the like is used as a material for the base dielectric layer 13.
  • a base dielectric paste is applied by a screen printing method or the like so as to cover the data electrode 12 on the rear glass substrate 11 on which the data electrode 12 is formed with a predetermined thickness.
  • the solvent in the base dielectric paste is removed by a drying furnace.
  • the base dielectric paste is fired at a predetermined temperature in a firing furnace. That is, the resin in the base dielectric paste is removed.
  • the dielectric glass frit melts and resolidifies.
  • a die coating method, a spin coating method, or the like can be used.
  • a film to be the base dielectric layer 13 can be formed by CVD (Chemical Vapor Deposition) method or the like without using the base dielectric paste.
  • the barrier ribs 14 are formed by photolithography.
  • a partition paste containing a filler, a glass frit for binding the filler, a photosensitive resin, a solvent, and the like is used as a material for the partition wall 14.
  • the barrier rib paste is applied on the underlying dielectric layer 13 with a predetermined thickness by a die coating method or the like.
  • the solvent in the partition wall paste is removed by a drying furnace.
  • the barrier rib paste is exposed through a photomask having a predetermined pattern.
  • the barrier rib paste is developed to form a barrier rib pattern.
  • the partition pattern is fired at a predetermined temperature in a firing furnace. That is, the photosensitive resin in the partition pattern is removed. Further, the glass frit in the partition wall pattern is melted and re-solidified.
  • the partition wall 14 is formed by the above process.
  • a sandblast method or the like can be used as a sandblast method or the like.
  • the phosphor layer 15 is formed.
  • a phosphor paste containing phosphor particles, a binder, a solvent, and the like is used as the material of the phosphor layer 15.
  • a phosphor paste is applied on the base dielectric layer 13 between adjacent barrier ribs 14 and on the side surfaces of the barrier ribs 14 by a dispensing method or the like.
  • the solvent in the phosphor paste is removed by a drying furnace.
  • the phosphor paste is fired at a predetermined temperature in a firing furnace. That is, the resin in the phosphor paste is removed.
  • the phosphor layer 15 is formed by the above steps.
  • a screen printing method or the like can be used.
  • the back plate 10 having predetermined constituent members on the back glass substrate 11 is completed.
  • a sealing material (not shown) is formed around the back plate 10 by the dispensing method.
  • a sealing paste containing glass frit, a binder, a solvent, and the like is used.
  • the solvent in the sealing paste is removed by a drying furnace.
  • the front plate 2 and the back plate 10 are arranged to face each other so that the display electrode 6 and the data electrode 12 are orthogonal to each other.
  • the periphery of the front plate 2 and the back plate 10 is sealed with glass frit.
  • the discharge space 16 is filled with a discharge gas containing Ne, Xe, etc., thereby completing the PDP 1.
  • the dielectric layer 8 will be described in detail.
  • the dielectric material includes the following components.
  • Bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) is 20 wt% to 40 wt%, and at least one selected from calcium oxide (CaO), strontium oxide (SrO), and barium oxide (BaO) is 0.5 wt% to 12 wt%.
  • the dielectric material is substantially free of lead components.
  • the film thickness of the dielectric layer 8 is 40 ⁇ m or less.
  • the relative dielectric constant ⁇ of the dielectric layer 8 is 4 or more and 7 or less. The effect that the dielectric constant ⁇ of the dielectric layer 8 is 4 or more and 7 or less will be described later.
  • the dielectric material powder composed of these composition components is pulverized by a wet jet mill or a ball mill so that the average particle diameter becomes 0.5 ⁇ m to 2.5 ⁇ m, thereby producing a dielectric material powder.
  • 55 wt% to 70 wt% of the dielectric material powder and 30 wt% to 45 wt% of the binder component are well kneaded with three rolls to obtain a first dielectric layer paste for die coating or printing. Complete.
  • the binder component is ethyl cellulose, terpineol containing 1% to 20% by weight of acrylic resin, or butyl carbitol acetate.
  • dioctyl phthalate, dibutyl phthalate, triphenyl phosphate, and tributyl phosphate are added as plasticizers as needed, and glycerol monooleate, sorbitan sesquioleate, and homogenol (Kao Corporation) as dispersants. Company name), phosphoric esters of alkylallyl groups, and the like may be added. When a dispersant is added, printability is improved.
  • the protective layer 9 includes a base film 91 that is a base layer, aggregated particles 92 that are first particles, and crystal particles 93 that are second particles.
  • the base film 91 is, for example, a magnesium oxide (MgO) film containing aluminum (Al) as an impurity.
  • the agglomerated particles 92 are formed by aggregating a plurality of crystal particles 92b having a particle diameter smaller than that of the crystal particles 92a on the MgO crystal particles 92a.
  • the crystal particles 93 are cubic crystal particles made of MgO.
  • the shape can be confirmed by a scanning electron microscope (SEM).
  • SEM scanning electron microscope
  • a plurality of aggregated particles 92 are distributed over the entire surface of the base film 91.
  • a plurality of crystal particles 93 are distributed over the entire surface of the base film 91.
  • the crystal particles 92a are particles having an average particle diameter in the range of 0.9 ⁇ m to 2 ⁇ m.
  • the crystal particles 92b are particles having an average particle diameter in the range of 0.3 ⁇ m to 0.9 ⁇ m.
  • the average particle diameter is a volume cumulative average diameter (D50).
  • a laser diffraction particle size distribution measuring device MT-3300 manufactured by Nikkiso Co., Ltd. was used for measuring the average particle size.
  • the surface of the protective layer 9 is formed on the base film 91 by agglomerated particles 92 in which several polyhedral crystal particles 92 b are aggregated on polyhedral crystal particles 92 a, and cubic crystal particles 93.
  • the cubic crystal particles 93 include particles having a particle size of about 200 nm and nanoparticles having a particle size of 100 nm or less.
  • the cubic crystal particles 93 are aggregated, the polyhedral crystal particles 92 a or the polyhedral crystal particles 92 b, or the aggregate particles 92 of the polyhedral crystal particles 92 a and 92 b.
  • MgO cubic crystal particles 93 were present.
  • the polyhedral crystal particles 92a and 92b were produced by a liquid phase method.
  • the cubic-shaped crystal particles 93 were produced by a vapor phase method.
  • the “cubic shape” does not indicate a strict cube in a geometric sense. It refers to a shape that can be recognized as a cube by visually observing an electron micrograph.
  • the “polyhedron shape” refers to a shape that can be recognized as having approximately seven or more surfaces by visually observing an electron micrograph.
  • the agglomerated particles 92 are those in which a plurality of crystal particles 92a and 92b having a predetermined primary particle size are aggregated as shown in FIG. Aggregated particles 92 are not bonded as a solid by a strong bonding force.
  • the agglomerated particles 92 are a collection of a plurality of primary particles due to static electricity, van der Waals force, or the like.
  • the aggregated particles 92 are bonded with a force such that part or all of the aggregated particles 92 are decomposed into primary particles by an external force such as ultrasonic waves.
  • the particle diameter of the agglomerated particles 92 is about 1 ⁇ m, and the crystal particles 92a and 92b have a polyhedral shape having seven or more faces such as a tetrahedron and a dodecahedron.
  • the crystal particles 92a and 92b were produced by a liquid phase method in which a crystal solution of MgO precursor such as magnesium carbonate or magnesium hydroxide was baked.
  • the particle size can be controlled by adjusting the firing temperature and firing atmosphere by the liquid phase method.
  • the firing temperature can be selected in the range of about 700 ° C. to 1500 ° C. When the firing temperature is 1000 ° C. or higher, the primary particle size can be controlled to about 0.3 to 2 ⁇ m.
  • the crystal particles 92a and 92b are obtained in the form of aggregated particles 92 in which a plurality of primary particles are aggregated in the production process by the liquid phase method.
  • the cubic crystal particles 93 are obtained by a gas phase method in which magnesium is heated to a boiling point or more to generate magnesium vapor and gas phase oxidation is performed. Crystal particles having a cubic single crystal structure with a particle size of 200 nm or more (measurement result by the BET method) or a multiple crystal structure in which crystals are fitted to each other are obtained.
  • a method for synthesizing magnesium powder by the vapor phase method is known in the Journal of Materials, Vol. 36, No. 410, “Synthesis and Properties of Magnesia Powder by Gas Phase Method”.
  • the heating temperature for generating magnesium vapor is increased, and the length of the flame in which magnesium and oxygen react is increased. To do.
  • MgO crystal particles can be obtained by a gas phase method having a larger particle size.
  • Cathode luminescence (CL) emission characteristics of the polyhedral crystal particles 92a and 92b and the cubic crystal particle 93 were measured.
  • the thin solid line represents the emission intensity of the polyhedral crystal particles 92a and 92b of MgO, that is, the cathodoluminescence (emission) intensity of the aggregated particles 92.
  • the thick solid line is the cathodoluminescence (light emission) intensity of the cubic crystal particles 93 of MgO.
  • the agglomerated particles 92 in which several polyhedral crystal particles 92a and 92b are aggregated have a peak of emission intensity in a wavelength region of a wavelength of 200 nm to 300 nm, particularly a wavelength of 230 nm to 250 nm.
  • the cubic crystal particles 93 of MgO have no emission intensity peak in the wavelength region of 200 nm to 300 nm. However, it has a peak of light emission intensity in a wavelength region of 400 nm to 450 nm.
  • the aggregated particles 92 that are agglomerated several MgO polyhedral crystal particles 92a and 92b and the MgO cubic crystal particles 93 attached on the base film 91 correspond to the wavelength of the emission intensity peak. Has energy levels.
  • Prototype 1 is a PDP in which only a protective layer made of MgO is formed.
  • Prototype 2 is a PDP in which a protective layer made of MgO doped with impurities such as Al and Si is formed.
  • Prototype 3 is a PDP in which only primary particles of crystal particles made of a metal oxide are dispersed and adhered onto a protective layer made of MgO.
  • Prototype 4 is a PDP in which agglomerated particles 92 obtained by aggregating MgO crystal particles having the same particle diameter are adhered to an entire surface of a base film made of MgO so as to be distributed over the entire surface.
  • the prototype 5 is a PDP in the present embodiment.
  • a polyhedral shape in which MgO crystal particles 92b having a smaller particle diameter than the crystal particles 92a are aggregated around an MgO crystal particle 92a having an average particle diameter in the range of 0.9 ⁇ m to 2 ⁇ m on the base film 91 made of MgO.
  • the PDP is formed by adhering agglomerated particles 92 and cubic MgO crystal particles 93 so as to be distributed over the entire surface. That is, the prototype 5 is a PDP in which a plurality of agglomerated particles 92 and a plurality of crystal particles 93 are distributed over the entire surface of the base film 91.
  • a PDP in which a plurality of aggregated particles 92 and a plurality of crystal particles 93 are uniformly distributed over the entire surface of the base film 91 is more preferable. This is because variations in discharge characteristics can be suppressed in the plane of the PDP.
  • Electron emission performance and charge retention performance were measured for PDPs having these five types of protective layer configurations.
  • the electron emission performance is a numerical value indicating that the larger the electron emission performance, the larger the amount of electron emission.
  • the electron emission performance is expressed as the initial electron emission amount determined by the surface state of the discharge, the gas type and the state.
  • the initial electron emission amount can be measured by a method of measuring the amount of electron current emitted from the surface by irradiating the surface with ions or an electron beam.
  • a numerical value called a statistical delay time which is a measure of the likelihood of occurrence of discharge, was measured.
  • a numerical value linearly corresponding to the initial electron emission amount is obtained.
  • the delay time at the time of discharge is the time from the rise of the address discharge pulse until the address discharge is delayed. It is considered that the discharge delay is mainly caused by the fact that initial electrons that become a trigger when the address discharge is generated are not easily released from the surface of the protective layer into the discharge space.
  • a voltage value of a voltage (hereinafter referred to as a Vscn lighting voltage) applied to the scan electrode necessary for suppressing the charge emission phenomenon when used as a PDP was used. That is, a lower Vscn lighting voltage indicates a higher charge retention capability.
  • the Vscn lighting voltage is low, the PDP can be driven at a low voltage. Therefore, it is possible to use components having a low withstand voltage and a small capacity as the power source and each electrical component.
  • an element having a withstand voltage of about 150 V is used as a semiconductor switching element such as a MOSFET for sequentially applying a scanning voltage to a panel.
  • the Vscn lighting voltage is preferably suppressed to 120 V or less in consideration of variation due to temperature.
  • the electron emission ability and the charge retention ability of the protective layer of the PDP are contradictory.
  • the Vscn lighting voltage also increases.
  • the PDP having the protective layer of the present embodiment it is possible to obtain an electron emission capability having characteristics of 6 or more and a charge retention capability of Vscn lighting voltage of 120 V or less. That is, it is possible to obtain a protective layer having both an electron emission capability and a charge retention capability that can cope with a PDP in which the number of scanning lines increases and the cell size tends to decrease due to high definition.
  • the protective layer 9 in the present embodiment forms a base film 91 containing MgO on the dielectric layer 8, and a plurality of crystal particles made of MgO that is a metal oxide aggregate on the base film 91.
  • the agglomerated particles 92 and a plurality of cubic crystal particles 93 made of metal oxide MgO are dispersed over the entire surface, and the Si concentration in the base film 91 is 10 ppm or less. .
  • the Vscn lighting voltage changes depending on the Si concentration in the base film 91.
  • the Vscn lighting voltage does not depend on the Al concentration in the base film 91.
  • the Si concentration exceeds 10 ppm, the Vscn lighting voltage tends to be almost saturated. Therefore, the Vscn lighting voltage can be set to 120 V or less. Therefore, the protective layer 9 for reducing the Vscn lighting voltage includes a plurality of aggregated particles 92 in which a plurality of crystal particles made of MgO are aggregated on a base film 91 containing MgO, and a plurality of cubic shapes made of MgO.
  • the individual crystal grains 93 may be dispersedly arranged over the entire surface, and the Si concentration in the base film 91 may be set to 10 ppm or less. Furthermore, in order to set the Vscn lighting voltage to 110 V or less, it is desirable to set the Si concentration in the base film 91 to 5 ppm or less.
  • FIG. 12 shows the transition of the electron emission performance with respect to the lighting time of the PDP as a result of examining the time-dependent deterioration of the electron emission performance of the prototypes 4 and 5 that have obtained good characteristics in FIG.
  • MgO having a particle diameter smaller than that of the crystal particles 92a around the MgO crystal particles 92a having an average particle diameter in the range of 0.9 ⁇ m to 2 ⁇ m.
  • the prototype 5 in which the polyhedral aggregated particles 92 in which the crystal particles 92b are aggregated and the cubic MgO crystal particles 93 are dispersed over the entire surface is less deteriorated with time in the electron emission performance than the prototype 4. .
  • Prototype 4 it is estimated that the ions 92 generated by the discharge in the PDP cell impact the protective layer, causing the aggregated particles 92 to peel off.
  • MgO crystal particles 92b having a smaller average particle size are aggregated around MgO crystal particles 92a having an average particle size in the range of 0.9 ⁇ m to 2 ⁇ m. That is, since the crystal particle 92b having a small particle size has a large surface area, the adhesion with the base film 91 is enhanced, and it is presumed that the agglomerated particles 92 are unlikely to peel off due to ion bombardment.
  • the prototype 5 PDP it is possible to obtain an electron emission ability having characteristics of 6 or more and a charge holding ability of Vscn lighting voltage of 120 V or less. That is, it is possible to obtain a protective layer having both an electron emission capability and a charge retention capability that can cope with a PDP in which the number of scanning lines increases and the cell size tends to decrease due to high definition. Furthermore, since the deterioration over time of the electron emission performance is small, stable image quality can be obtained over a long period of time.
  • the aggregated particles 92 and the crystal particles 93 are attached so as to be distributed over the entire surface with a coverage of 10% or more and 20% or less when attached on the base film 91. .
  • an image of an area corresponding to one discharge cell divided by the barrier ribs 14 is taken.
  • the image is trimmed to the size of one cell of x ⁇ y.
  • the trimmed image is binarized into black and white data.
  • the area a of the black area by the aggregated particles 92 and the crystal particles 93 is obtained. Finally, it is calculated by a / b ⁇ 100.
  • Prototypes B and C have MgO having a particle size smaller than that of crystal particles 92a around MgO polyhedral crystal particles 92a having an average particle size in the range of 0.9 ⁇ m to 2 ⁇ m on the base film made of MgO.
  • aggregated particles 92 obtained by agglomerating the polyhedral crystal particles 92b and cubic MgO crystal particles 93 are dispersed over the entire surface.
  • the prototype B and the prototype C differ in the dielectric constant ⁇ of the dielectric layer 8. That is, in the prototype B, the dielectric constant ⁇ of the dielectric layer 8 is about 9.7. In the prototype C, the relative dielectric constant ⁇ of the dielectric layer 8 is 7. About a coverage, all are about 13% of 20% or less.
  • the prototypes B and C can reduce the sustain discharge voltage with respect to the prototype A. That is, MgO polyhedral crystal particles 92a and 92b having a characteristic of performing CL emission having a peak in a wavelength region of 200 nm to 300 nm and CL emission having a peak in a wavelength region of 400 nm to 450 nm are performed.
  • a PDP having a protective layer on which cubic crystal particles 93 of the characteristic MgO are attached can reduce the sustain discharge voltage. That is, the power consumption of the PDP can be reduced.
  • the sustain discharge voltage can be further reduced by reducing the relative dielectric constant ⁇ of the dielectric layer 8. In particular, according to experiments by the present inventors, it has been found that the effect can be obtained more significantly by setting the relative dielectric constant ⁇ of the dielectric layer 8 to 4 or more and 7 or less.
  • FIG. 15 shows the experimental results of examining the electron emission performance by changing the average particle diameter of the MgO aggregated particles 92 in the protective layer.
  • the average particle diameter of the aggregated particles 92 was measured by observing the aggregated particles 92 with an SEM.
  • the number of crystal particles per unit area on the protective layer 9 is large. According to the experiments by the present inventors, if the crystal particles 92a, 92b, 93 are present in the portion corresponding to the top of the partition 14 that is in close contact with the protective layer 9, the top of the partition 14 may be damaged. In this case, it has been found that a phenomenon in which the corresponding cell does not normally turn on or off due to, for example, the damaged material of the partition wall 14 getting on the phosphor. The phenomenon of the partition wall breakage is unlikely to occur unless the crystal particles 92a, 92b, and 93 are present at the portion corresponding to the top of the partition wall. .
  • FIG. 16 is a diagram showing a result of an experiment on the relationship between partition wall breakage in a PDP by spraying the same number of crystal particles having different particle sizes per unit area.
  • the aggregated particles 92 preferably have an average particle size of 0.9 ⁇ m or more and 2.5 ⁇ m or less.
  • mass production is actually performed as a PDP, it is necessary to consider variations in manufacturing crystal grains and manufacturing variations when forming a protective layer.
  • impurities are formed by vacuum deposition using a sintered body of MgO containing Al as a raw material.
  • a base film 91 made of MgO containing Al is formed on the dielectric layer 8.
  • a plurality of agglomerated particles 92 and a plurality of crystal particles 93 are discretely dispersed and adhered onto the unfired base film 91. That is, the aggregated particles 92 and the crystal particles 93 are dispersed and arranged over the entire surface of the base film 91.
  • an aggregated particle paste in which polyhedral crystal particles 92a and 92b having a predetermined particle size distribution are mixed in a solvent is prepared.
  • a crystal particle paste in which cubic crystal particles 93 are mixed in a solvent is produced. That is, the agglomerated particle paste and the crystal particle paste are prepared separately. Thereafter, the agglomerated particle paste and the crystal particle paste are mixed to produce a mixed crystal particle paste in which polyhedral crystal particles 92a and 92b and crystal particles 93 are mixed in a solvent.
  • the mixed crystal particle paste is applied onto the base film 91, whereby a mixed crystal particle paste film having an average film thickness of 8 ⁇ m to 20 ⁇ m is formed.
  • a screen printing method, a spray method, a spin coating method, a die coating method, a slit coating method, or the like can also be used.
  • the affinity for the MgO base film 91, the agglomerated particles 92, and the crystal particles 93 is high, and the solvent is removed by evaporation in the subsequent drying step A4.
  • a vapor pressure of about several tens Pa at room temperature is suitable.
  • an organic solvent alone such as methylmethoxybutanol, terpineol, propylene glycol, benzyl alcohol or a mixed solvent thereof is used.
  • the viscosity of the paste containing these solvents is several mPa ⁇ s to several tens mPa ⁇ s.
  • the substrate coated with the mixed crystal particle paste is immediately transferred to the drying step A4.
  • the mixed crystal particle paste film is dried under reduced pressure. Specifically, the mixed crystal particle paste film is rapidly dried within several tens of seconds in a vacuum chamber. Therefore, convection in the film, which is remarkable in heat drying, does not occur. Therefore, the agglomerated particles 92 and the crystal particles 93 are more uniformly deposited on the base film 91.
  • the unfired base film 91 formed in the base film deposition step A2 and the mixed crystal particle paste film that has undergone the drying step A4 are simultaneously fired at a temperature of several hundred degrees Celsius. .
  • the solvent and the resin component remaining in the mixed crystal particle paste film are removed.
  • the protective layer 9 is formed on the base film 91 in which aggregated particles 92 composed of a plurality of polyhedral crystal particles 92a and 92b and cubic crystal particles 93 are attached.
  • a method of spraying a particle group directly with a gas or the like without using a solvent, or a method of simply spraying using gravity may be used.
  • MgO is taken as an example of the protective layer.
  • the performance required for the base is to have high anti-spattering performance for protecting the dielectric from ion bombardment, and has a high charge retention capability. That is, the electron emission performance may not be so high.
  • a protective layer mainly composed of MgO has been formed in many cases. Since the composition is controlled predominantly by the single crystal grains, there is no need for MgO, and other materials having excellent impact resistance such as Al 2 O 3 may be used.
  • MgO particles as single crystal particles, but other single crystal particles also oxidize metals such as Sr, Ca, Ba, and Al, which have high electron emission performance like MgO. The same effect can be obtained even when crystal grains made of a material are used. Therefore, the particle type is not limited to MgO.
  • the number of scanning lines increases with the high definition of the discharge cell structure.
  • the pulse width of the pulse voltage applied to the data electrode needs to be set to a time during which the address discharge can surely occur.
  • the address discharge has a “discharge delay” in which the discharge is performed with a considerable delay from the rise of the pulse voltage applied to the data electrode.
  • a predetermined address voltage cannot be accumulated in the discharge cells that should be originally lit, resulting in a lighting failure. End up.
  • FIG. 18 is a diagram plotting the pulse width of the pulse voltage applied to the data electrode and the failure probability of the address discharge in the address period for the PDP using the front plates of the prototype 1 and the prototype 5.
  • a pulse width of 1.7 ⁇ s or more is necessary in order to suppress the failure of the address discharge.
  • the pulse width can be set to 1 ⁇ s or less.
  • the time required for the address period can be shortened by reducing the pulse width of the pulse voltage applied to the data electrode.
  • the maintenance period can be extended. Therefore, more sustain pulses can be applied, and the brightness of the PDP can be increased.
  • the PDP disclosed in the present embodiment can achieve both improved discharge delay characteristics and low voltage during address discharge. Furthermore, the discharge voltage at the time of sustain discharge can be reduced.
  • the technology disclosed in the present embodiment is useful for realizing a PDP having high-definition and high-luminance display performance and low power consumption.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)

Abstract

プラズマディスプレイパネルは前面板と、前面板と対向配置された背面板と、を備える。前面板は、表示電極と表示電極を覆う誘電体層と誘電体層を覆う保護層とを有する。保護層は、誘電体層上に形成された下地層と、下地層の全面に亘って分散配置した複数個の第１の粒子と、下地層の全面に亘って分散配置した複数個の第２の粒子と、を含む。第１の粒子は、酸化マグネシウムからなる結晶粒子が複数個凝集した凝集粒子である。第２の粒子は、酸化マグネシウムからなる立方体形状の結晶粒子である。誘電体層の比誘電率は４以上７以下である。

Description

プラズマディスプレイパネルおよびプラズマディスプレイ装置
　ここに開示された技術は、表示デバイスなどに用いられるプラズマディスプレイパネルおよびプラズマディスプレイ装置に関する。
　プラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰと称する）は、前面板と背面板とで構成される。前面板は、ガラス基板と、ガラス基板の一方の主面上に形成された表示電極と、表示電極を覆ってコンデンサとしての働きをする誘電体層と、誘電体層上に形成された酸化マグネシウム（ＭｇＯ）からなる保護層とで構成されている。一方、背面板は、ガラス基板と、ガラス基板の一方の主面上に形成されたアドレス電極と、アドレス電極を覆う下地誘電体層と、下地誘電体層上に形成された隔壁と、各隔壁間に形成された赤色、緑色および青色それぞれに発光する蛍光体層とで構成されている。
　前面板と背面板とは電極形成面側を対向させて気密封着される。隔壁によって仕切られた放電空間には、ネオン（Ｎｅ）およびキセノン（Ｘｅ）の放電ガスが封入されている。放電ガスは、表示電極に選択的に印加された映像信号電圧によって放電する。放電によって発生した紫外線は、各色蛍光体層を励起する。励起した蛍光体層は、赤色、緑色、青色に発光する。ＰＤＰは、このようにカラー画像表示を実現している（特許文献１参照）。
　保護層には、主に４つの機能がある。１つめは、放電によるイオン衝撃から誘電体層を保護することである。２つめは、アドレス放電を発生させるための初期電子を放出することである。３つめは、放電を発生させるための電荷を保持することである。４つめは、維持放電の際に二次電子を放出することである。イオン衝撃から誘電体層が保護されることにより、放電電圧の上昇が抑制される。初期電子放出数が増加することにより、画像のちらつきの原因となるアドレス放電ミスが低減される。電荷保持性能が向上することにより、印加電圧が低減される。二次電子放出数が増加することにより、維持放電電圧が低減される。初期電子放出数を増加させるために、たとえば保護層のＭｇＯに珪素（Ｓｉ）やアルミニウム（Ａｌ）を添加するなどの試みが行われている。
　しかし、ＭｇＯに不純物を混在させることにより、初期電子放出性能を改善した場合、保護層に蓄積された電荷が時間と共に減少する減衰率が大きくなってしまう。よって、減衰した電荷を補うために印加電圧を大きくするなどの対策が必要になる。保護層は、高い初期電子放出性能を有するとともに、電荷の減衰率を小さくする、すなわち高い電荷保持性能を有するという、相反する二つの特性を併せ持つことが要求されている。
特開２００３－１２８４３０号公報
　ＰＤＰは、前面板と、前面板と対向配置された背面板と、を備える。前面板は、表示電極と表示電極を覆う誘電体層と誘電体層を覆う保護層とを有する。保護層は、誘電体層上に形成された下地層と、下地層の全面に亘って分散配置した複数個の第１の粒子と、下地層の全面に亘って分散配置した複数個の第２の粒子と、を含む。第１の粒子は、酸化マグネシウムからなる結晶粒子が複数個凝集した凝集粒子である。第２の粒子は、酸化マグネシウムからなる立方体形状の結晶粒子である。誘電体層の比誘電率は４以上７以下である。
図１はＰＤＰの構造を示す斜視図である。 図２はＰＤＰの電極配列図である。 図３はプラズマディスプレイ装置のブロック回路図である。 図４はプラズマディスプレイ装置の駆動電圧波形図である。 図５は実施の形態に係るＰＤＰの前面板の構成を示す断面図である。 図６は同ＰＤＰの保護層部分を拡大して示す説明図である。 図７は同保護層の表面の粒子構造を示す模式図である。 図８は凝集粒子を説明するための拡大図である。 図９は結晶粒子のカソードルミネッセンス測定結果を示す特性図である。 図１０はＰＤＰにおける電子放出性能とＶｓｃｎ点灯電圧の検討結果を示す特性図である。 図１１はＰＤＰの下地膜中のＳｉ濃度と電荷保持特性としての７０℃環境下におけるＶｓｃｎ点灯電圧との関係を示した図である。 図１２はＰＤＰの点灯時間と電子放出性能の関係を示す特性図である。 図１３は被覆率について説明するための拡大図である。 図１４は維持放電電圧を比較して示す特性図である。 図１５は凝集粒子の平均粒径と電子放出性能の関係を示す特性図である。 図１６は結晶粒子の粒径と隔壁の破損の発生率との関係を示す特性図である。 図１７は実施の形態に係る保護層形成の工程を示す工程図である。 図１８はデータ電極に印加するパルス電圧のパルス幅と書込み放電失敗確率との関係を示す特性図である。
　ＰＤＰの基本構造は、一般的な交流面放電型ＰＤＰである。図１に示すように、ＰＤＰ１は前面ガラス基板３などよりなる前面板２と、背面ガラス基板１１などよりなる背面板１０とが対向して配置されている。前面板２と背面板１０とは、外周部がガラスフリットなどからなる封着材によって気密封着されている。封着されたＰＤＰ１内部の放電空間１６には、ネオン（Ｎｅ）およびキセノン（Ｘｅ）などの放電ガスが５３ｋＰａ（４００Ｔｏｒｒ）～８０ｋＰａ（６００Ｔｏｒｒ）の圧力で封入されている。
　前面ガラス基板３上には、走査電極４および維持電極５よりなる一対の帯状の表示電極６とブラックストライプ７が互いに平行にそれぞれ複数列配置されている。前面ガラス基板３上には表示電極６とブラックストライプ７とを覆うようにコンデンサとしての働きをする誘電体層８が形成される。さらに誘電体層８の表面に酸化マグネシウム（ＭｇＯ）などからなる保護層９が形成されている。
　走査電極４および維持電極５は、それぞれインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化錫（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）などの導電性金属酸化物からなる透明電極上にＡｇからなるバス電極が積層されている。
　背面ガラス基板１１上には、表示電極６と直交する方向に、銀（Ａｇ）を主成分とする導電性材料からなる複数のデータ電極１２が、互いに平行に配置されている。データ電極１２は、下地誘電体層１３に被覆されている。さらに、データ電極１２間の下地誘電体層１３上には放電空間１６を区切る所定の高さの隔壁１４が形成されている。隔壁１４間の溝には、データ電極１２毎に、紫外線によって赤色に発光する蛍光体層１５、緑色に発光する蛍光体層１５および青色に発光する蛍光体層１５が順次塗布して形成されている。表示電極６とデータ電極１２とが交差する位置に放電セルが形成されている。表示電極６方向に並んだ赤色、緑色、青色の蛍光体層１５を有する放電セルがカラー表示のための画素になる。
　なお、本実施の形態において、放電空間１６に封入する放電ガスは、１０体積％以上３０％体積以下のＸｅを含む。
　図２に示すように、ＰＤＰ１は、行方向に延伸して配列されたｎ本の走査電極ＳＣ１、ＳＣ２、ＳＣ３・・・ＳＣｎ（図１における４）を有する。ＰＤＰ１は、行方向に延伸して配列されたｎ本の維持電極ＳＵ１、ＳＵ２、ＳＵ３・・・ＳＵｎ（図１における５）を有する。ＰＤＰ１は、列方向に延伸して配列されたｍ本のデータ電極Ｄ１・・・Ｄｍ（図１における１２）を有する。そして、１対の走査電極ＳＣ１および維持電極ＳＵ１と１つのデータ電極Ｄ１とが交差した部分に放電セルが形成されている。放電セルは放電空間内にｍ×ｎ個形成されている。走査電極および維持電極は、前面板の画像表示領域外の周辺端部に設けられた接続端子に接続されている。データ電極は、背面板の画像表示領域外の周辺端部に設けられた接続端子に接続されている。
　図３に示すように、プラズマディスプレイ装置１００は、ＰＤＰ１、画像信号処理回路２１、データ電極駆動回路２２、走査電極駆動回路２３、維持電極駆動回路２４、タイミング発生回路２５および電源回路（図示せず）を備えている。
　画像信号処理回路２１は、画像信号ｓｉｇをサブフィールド毎の画像データに変換する。データ電極駆動回路２２は、サブフィールド毎の画像データを各データ電極Ｄ１～Ｄｍに対応する信号に変換し、各データ電極Ｄ１～Ｄｍを駆動する。タイミング発生回路２５は、水平同期信号Ｈおよび垂直同期信号Ｖに基づいて各種のタイミング信号を発生し、各駆動回路ブロックに供給している。走査電極駆動回路２３は、タイミング信号に基づいて走査電極ＳＣ１～ＳＣｎに駆動電圧波形を供給している。維持電極駆動回路２４は、タイミング信号に基づいて維持電極ＳＵ１～ＳＵｎに駆動電圧波形を供給している。
　次に、ＰＤＰ１を駆動するための駆動電圧波形とその動作について図４を用いて説明する。
　図４に示すように本実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置１００は、１フィールドを複数のサブフィールドにより構成する。サブフィールドは、初期化期間と、書込み期間と、維持期間とを有する。初期化期間は放電セルにおいて初期化放電を発生させる期間である。書込み期間は、初期化期間のあと、発光させる放電セルを選択する書込み放電を発生させる期間である。維持期間は、書込み期間において選択された放電セルに維持放電を発生させる期間である。
　第１サブフィールドの初期化期間では、データ電極Ｄ１～Ｄｍおよび維持電極ＳＵ１～ＳＵｎが０（Ｖ）に保持される。また、走査電極ＳＣ１～ＳＣｎに対して放電開始電圧以下となる電圧Ｖｉ１（Ｖ）から放電開始電圧を超える電圧Ｖｉ２（Ｖ）に向かって緩やかに上昇するランプ電圧が印加される。すると、全ての放電セルにおいて１回目の微弱な初期化放電が発生する。初期化放電によって、走査電極ＳＣ１～ＳＣｎ上に負の壁電圧が蓄えられる。維持電極ＳＵ１～ＳＵｎ上およびデータ電極Ｄ１～Ｄｍ上に正の壁電圧が蓄えられる。壁電圧とは保護層９や蛍光体層１５上などに蓄積した壁電荷により生じる電圧である。
　その後、維持電極ＳＵ１～ＳＵｎが正の電圧Ｖｅ１（Ｖ）に保たれ、走査電極ＳＣ１～ＳＣｎに電圧Ｖｉ３（Ｖ）から電圧Ｖｉ４（Ｖ）に向かって緩やかに下降するランプ電圧が印加される。すると、すべての放電セルにおいて２回目の微弱な初期化放電が発生する。走査電極ＳＣ１～ＳＣｎ上と維持電極ＳＵ１～ＳＵｎ上との間の壁電圧が弱められる。データ電極Ｄ１～Ｄｍ上の壁電圧が書込み動作に適した値に調整される。
　続く書込み期間では、走査電極ＳＣ１～ＳＣｎは、一旦Ｖｃ（Ｖ）に保持される。維持電極ＳＵ１～ＳＵｎがＶｅ２（Ｖ）に保持される。次に、１行目の走査電極ＳＣ１に負の走査パルス電圧Ｖａ（Ｖ）が印加されるとともに、データ電極Ｄ１～Ｄｍのうち１行目に表示すべき放電セルのデータ電極Ｄｋ（ｋ＝１～ｍ）に正の書込みパルス電圧Ｖｄ（Ｖ）が印加される。このときデータ電極Ｄｋと走査電極ＳＣ１との交差部の電圧は、外部印加電圧（Ｖｄ－Ｖａ）（Ｖ）にデータ電極Ｄｋ上の壁電圧と走査電極ＳＣ１上の壁電圧とが加算されたものとなり、放電開始電圧を超える。そして、データ電極Ｄｋと走査電極ＳＣ１との間および維持電極ＳＵ１と走査電極ＳＣ１との間に書込み放電が発生する。書込み放電が発生した放電セルの走査電極ＳＣ１上には正の壁電圧が蓄積される。書込み放電が発生した放電セルの維持電極ＳＵ１上には負の壁電圧が蓄積される。書込み放電が発生した放電セルのデータ電極Ｄｋ上には負の壁電圧が蓄積される。
　一方、書込みパルス電圧Ｖｄ（Ｖ）が印加されなかったデータ電極Ｄ１～Ｄｍと走査電極ＳＣ１との交差部の電圧は放電開始電圧を超えない。よって、書込み放電は発生しない。以上の書込み動作がｎ行目の放電セルに至るまで順次行われる。書込み期間の終了は、ｎ行目の放電セルの書込み動作が終了したときである。
　続く維持期間では、走査電極ＳＣ１～ＳＣｎには第１の電圧として正の維持パルス電圧Ｖｓ（Ｖ）が印加される。維持電極ＳＵ１～ＳＵｎには第２の電圧として接地電位、すなわち０（Ｖ）が印加される。このとき書込み放電が発生した放電セルにおいては、走査電極ＳＣｉ上と維持電極ＳＵｉ上との間の電圧は維持パルス電圧Ｖｓ（Ｖ）に走査電極ＳＣｉ上の壁電圧と維持電極ＳＵｉ上の壁電圧とが加算されたものとなり、放電開始電圧を超える。そして、走査電極ＳＣｉと維持電極ＳＵｉとの間に維持放電が発生する。維持放電により発生した紫外線により蛍光体層が励起されて発光する。そして走査電極ＳＣｉ上に負の壁電圧が蓄積される。維持電極ＳＵｉ上に正の壁電圧が蓄積される。データ電極Ｄｋ上には正の壁電圧が蓄積される。
　書込み期間において書込み放電が発生しなかった放電セルでは、維持放電は発生しない。よって、初期化期間の終了時における壁電圧が保持される。続いて、走査電極ＳＣ１～ＳＣｎには第２の電圧である０（Ｖ）が印加される。維持電極ＳＵ１～ＳＵｎには第１の電圧である維持パルス電圧Ｖｓ（Ｖ）が印加される。すると、維持放電が発生した放電セルでは、維持電極ＳＵｉ上と走査電極ＳＣｉ上との間の電圧が放電開始電圧を超える。したがって、再び維持電極ＳＵｉと走査電極ＳＣｉとの間に維持放電が発生する。つまり、維持電極ＳＵｉ上に負の壁電圧が蓄積される。走査電極ＳＣｉ上に正の壁電圧が蓄積される。
　以降同様に、走査電極ＳＣ１～ＳＣｎと維持電極ＳＵ１～ＳＵｎとに交互に輝度重みに応じた数の維持パルス電圧Ｖｓ（Ｖ）が印加されることにより、書込み期間において書込み放電が発生した放電セルで維持放電が継続して発生する。所定の数の維持パルス電圧Ｖｓ（Ｖ）の印加が完了すると維持期間における維持動作が終了する。
　続く第２サブフィールド以降における初期化期間、書込み期間、維持期間の動作も、第１サブフィールドにおける動作とほぼ同様である。よって、詳細な説明は省略される。なお、第２サブフィールド以降のサブフィールドにおいては、維持電極ＳＵ１～ＳＵｎが正の電圧Ｖｅ１（Ｖ）に保たれる。走査電極ＳＣ１～ＳＣｎには、電圧Ｖｉ３（Ｖ）から電圧Ｖｉ４（Ｖ）に向かって緩やかに下降するランプ電圧が印加される。すると、前のサブフィールドにおいて維持放電が発生した放電セルにおいてのみ微弱な初期化放電を発生させることができる。すなわち、第１サブフィールドにおいては、全ての放電セルで初期化放電を発生させる全セル初期化動作が行われる。第２サブフィールド以降においては、前のサブフィールドにおいて維持放電を起こした放電セルのみで選択的に初期化放電を発生させる選択初期化動作が行われる。なお、全セル初期化動作と選択初期化動作について、本実施の形態では、第１サブフィールドとその他のサブフィールドとの間で使い分けわれる。しかし、全セル初期化動作が第１サブフィールド以外のサブフィールドにおける初期化期間で行われてもよい。さらに、全セル初期化動作が、数フィールドに１回の頻度で行われてもよい。
　また、書込み期間、維持期間における動作は、上述した第１サブフィールドにおける動作と同様である。しかし、維持期間における動作は、上述した第１サブフィールドにおける動作と必ずしも同様ではない。画像信号ｓｉｇに対応した輝度が得られるような維持放電を発生させるために、維持放電パルスＶｓ（Ｖ）の数が変化する。すなわち、維持期間は、サブフィールド毎の輝度を制御するように駆動される。
　本実施の形態の構成について、詳細に説明する。図５に示すように、前面ガラス基板３上には、走査電極４および維持電極５よりなる一対の帯状の表示電極６とブラックストライプ７が互いに平行にそれぞれ複数列配置されている。前面ガラス基板３上には表示電極６とブラックストライプ７とを覆うようにコンデンサとしての働きをする誘電体層８が形成される。さらに誘電体層８の表面に酸化マグネシウム（ＭｇＯ）などからなる保護層９が形成されている。
　走査電極４および維持電極５は、それぞれインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化錫（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）などの導電性金属酸化物からなる透明電極上に銀（Ａｇ）を含むバス電極が積層されている。
　次に、ＰＤＰの製造方法について説明する。フォトリソグラフィ法によって、前面ガラス基板３上に、走査電極４および維持電極５とブラックストライプ７とが形成される。走査電極４および維持電極５は、導電性を確保するための銀（Ａｇ）を含む白色電極４ｂ、５ｂを有する。また、走査電極４および維持電極５は、透明電極４ａ、５ａを有する。白色電極４ｂは、透明電極４ａに積層される。白色電極５ｂは、透明電極５ａに積層される。
　透明電極４ａ、５ａの材料には、透明度と電気伝導度を確保するためＩＴＯなどが用いられる。まず、スパッタ法などによって、ＩＴＯ薄膜が前面ガラス基板３に形成される。次にリソグラフィ法によって所定のパターンの透明電極４ａ、５ａが形成される。
　白色電極４ｂ、５ｂの材料には、銀（Ａｇ）と銀を結着させるためのガラスフリットと感光性樹脂と溶剤などを含む白色ペーストが用いられる。まず、スクリーン印刷法などによって、白色ペーストが、前面ガラス基板３に塗布される。次に、乾燥炉によって、白色ペースト中の溶剤が除去される。次に、所定のパターンのフォトマスクを介して、白色ペーストが露光される。
　次に、白色ペーストが現像され、白色電極パターンが形成される。最後に、焼成炉によって、白色電極パターンが所定の温度で焼成される。つまり、白色電極パターン中の感光性樹脂が除去される。また、白色電極パターン中のガラスフリットが溶融、再凝固される。以上の工程によって、白色電極４ｂ、５ｂが形成される。
　ブラックストライプ７は、黒色顔料を含む材料により、形成される。次に、誘電体層８が形成される。誘電体層８の材料には、誘電体ガラスフリットと樹脂と溶剤などを含む誘電体ペーストが用いられる。まずダイコート法などによって、誘電体ペーストが所定の厚みで走査電極４、維持電極５およびブラックストライプ７を覆うように前面ガラス基板３上に塗布される。次に、乾燥炉によって、誘電体ペースト中の溶剤が除去される。最後に、焼成炉によって、誘電体ペーストが所定の温度で焼成される。つまり、誘電体ペースト中の樹脂が除去される。また、誘電体ガラスフリットが溶融、再凝固する。以上の工程によって、誘電体層８が形成される。ここで、誘電体ペーストをダイコートする方法以外にも、スクリーン印刷法、スピンコート法などを用いることができる。また、誘電体ペーストを用いずに、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などによって、誘電体層８となる膜を形成することもできる。
　次に、誘電体層８上に保護層９が形成される。保護層９の詳細は、後述される。
　以上の工程により前面ガラス基板３上に走査電極４、維持電極５、ブラックストライプ７、誘電体層８、保護層９が形成され、前面板２が完成する。
　フォトリソグラフィ法によって、背面ガラス基板１１上に、データ電極１２が形成される。データ電極１２の材料には、導電性を確保するための銀（Ａｇ）と銀を結着させるためのガラスフリットと感光性樹脂と溶剤などを含むデータ電極ペーストが用いられる。まず、スクリーン印刷法などによって、データ電極ペーストが所定の厚みで背面ガラス基板１１上に塗布される。次に、乾燥炉によって、データ電極ペースト中の溶剤が除去される。次に、所定のパターンのフォトマスクを介して、データ電極ペーストが露光される。次に、データ電極ペーストが現像され、データ電極パターンが形成される。最後に、焼成炉によって、データ電極パターンが所定の温度で焼成される。つまり、データ電極パターン中の感光性樹脂が除去される。また、データ電極パターン中のガラスフリットが溶融、再凝固される。以上の工程によって、データ電極１２が形成される。ここで、データ電極ペーストをスクリーン印刷する方法以外にも、スパッタ法、蒸着法などを用いることができる。
　次に、下地誘電体層１３が形成される。下地誘電体層１３の材料には、誘電体ガラスフリットと樹脂と溶剤などを含む下地誘電体ペーストが用いられる。まず、スクリーン印刷法などによって、下地誘電体ペーストが所定の厚みでデータ電極１２が形成された背面ガラス基板１１上にデータ電極１２を覆うように塗布される。次に、乾燥炉によって、下地誘電体ペースト中の溶剤が除去される。最後に、焼成炉によって、下地誘電体ペーストが所定の温度で焼成される。つまり、下地誘電体ペースト中の樹脂が除去される。また、誘電体ガラスフリットが溶融、再凝固する。以上の工程によって、下地誘電体層１３が形成される。ここで、下地誘電体ペーストをスクリーン印刷する方法以外にも、ダイコート法、スピンコート法などを用いることができる。また、下地誘電体ペーストを用いずに、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などによって、下地誘電体層１３となる膜を形成することもできる。
　次に、フォトリソグラフィ法によって、隔壁１４が形成される。隔壁１４の材料には、フィラーと、フィラーを結着させるためのガラスフリットと、感光性樹脂と、溶剤などを含む隔壁ペーストが用いられる。まず、ダイコート法などによって、隔壁ペーストが所定の厚みで下地誘電体層１３上に塗布される。次に、乾燥炉によって、隔壁ペースト中の溶剤が除去される。次に、所定のパターンのフォトマスクを介して、隔壁ペーストが露光される。次に、隔壁ペーストが現像され、隔壁パターンが形成される。最後に、焼成炉によって、隔壁パターンが所定の温度で焼成される。つまり、隔壁パターン中の感光性樹脂が除去される。また、隔壁パターン中のガラスフリットが溶融、再凝固される。以上の工程によって、隔壁１４が形成される。ここで、フォトリソグラフィ法以外にも、サンドブラスト法などを用いることができる。
　次に、蛍光体層１５が形成される。蛍光体層１５の材料には、蛍光体粒子とバインダと溶剤などとを含む蛍光体ペーストが用いられる。まず、ディスペンス法などによって、蛍光体ペーストが所定の厚みで隣接する隔壁１４間の下地誘電体層１３上および隔壁１４の側面に塗布される。次に、乾燥炉によって、蛍光体ペースト中の溶剤が除去される。最後に、焼成炉によって、蛍光体ペーストが所定の温度で焼成される。つまり、蛍光体ペースト中の樹脂が除去される。以上の工程によって、蛍光体層１５が形成される。ここで、ディスペンス法以外にも、スクリーン印刷法などを用いることができる。
　以上の工程により、背面ガラス基板１１上に所定の構成部材を有する背面板１０が完成する。
　次に、前面板２と、背面板１０とが組み立てられる。まず、ディスペンス法によって、背面板１０の周囲に封着材（図示せず）が形成される。封着材（図示せず）の材料には、ガラスフリットとバインダと溶剤などを含む封着ペーストが用いられる。次に乾燥炉によって、封着ペースト中の溶剤が除去される。次に、表示電極６とデータ電極１２とが直交するように、前面板２と背面板１０とが対向配置される。次に、前面板２と背面板１０の周囲がガラスフリットで封着される。最後に、放電空間１６にＮｅ、Ｘｅなどを含む放電ガスが封入されることによりＰＤＰ１が完成する。
　誘電体層８について詳細に説明する。誘電体材料は、以下の成分を含む。酸化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３）が２０重量％～４０重量％、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、酸化バリウム（ＢａＯ）から選ばれる少なくとも１種が０．５重量％～１２重量％、酸化モリブデン（ＭｏＯ３）、酸化タングステン（ＷＯ３）、酸化セリウム（ＣｅＯ２）、二酸化マンガン（ＭｎＯ２）から選ばれる少なくとも１種が０．１重量％～７重量％、酸化亜鉛（ＺｎＯ）が０重量％～４０重量％、酸化硼素（Ｂ２Ｏ３）が０重量％～３５重量％、二酸化硅素（ＳｉＯ２）が０重量％～１５重量％、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）が０重量％～１０重量％である。誘電体材料は、実質的に鉛成分を含まない。
　また、誘電体層８の膜厚は、４０μｍ以下である。誘電体層８の比誘電率εは、４以上７以下である。誘電体層８の比誘電率εが４以上７以下である効果は、後述される。
　これらの組成成分からなる誘電体材料が、湿式ジェットミルやボールミルで平均粒径が０．５μｍ～２．５μｍとなるように粉砕されて誘電体材料粉末が作製される。次にこの誘電体材料粉末５５重量％～７０重量％と、バインダ成分３０重量％～４５重量％とが三本ロールでよく混練してダイコート用、または印刷用の第１誘電体層用ペーストが完成する。
　バインダ成分はエチルセルロース、またはアクリル樹脂１重量％～２０重量％を含むターピネオール、またはブチルカルビトールアセテートである。また、ペースト中には、必要に応じて可塑剤としてフタル酸ジオクチル、フタル酸ジブチル、リン酸トリフェニル、リン酸トリブチルを添加し、分散剤としてグリセロールモノオレート、ソルビタンセスキオレヘート、ホモゲノール（Ｋａｏコーポレーション社製品名）、アルキルアリル基のリン酸エステルなどが添加されてもよい。分散剤が添加されると、印刷性が向上される。
　次に、保護層９の構成および製造方法について説明する。図６に示すように、保護層９は、下地層である下地膜９１と第１の粒子である凝集粒子９２と第２の粒子である結晶粒子９３とを含む。下地膜９１は、一例として、アルミニウム（Ａｌ）を不純物として含有する酸化マグネシウム（ＭｇＯ）膜である。凝集粒子９２は、ＭｇＯの結晶粒子９２ａに、結晶粒子９２ａより粒径の小さい結晶粒子９２ｂが複数個凝集したものである。結晶粒子９３は、ＭｇＯからなる立方体形状の結晶粒子である。形状は走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）によって確認することができる。本実施の形態においては、複数個の凝集粒子９２が、下地膜９１の全面に亘って分散配置されている。複数個の結晶粒子９３が、下地膜９１の全面に亘って分散配置されている。
　結晶粒子９２ａは平均粒径が０．９μｍ～２μｍの範囲の粒子である。結晶粒子９２ｂは平均粒径が０．３μｍ～０．９μｍの範囲の粒子である。なお、本実施の形態において、平均粒径とは、体積累積平均径（Ｄ５０）のことである。また、平均粒径の測定には、レーザ回折式粒度分布測定装置ＭＴ－３３００（日機装株式会社製）が用いられた。
　図７に示すように、保護層９の表面は、下地膜９１上に、多面体形状の結晶粒子９２ａに多面体形状の結晶粒子９２ｂが数個凝集した凝集粒子９２と、立方体形状の結晶粒子９３とが分散配置されている。立方体形状の結晶粒子９３には、粒径が約２００ｎｍの粒子と、粒径が１００ｎｍ以下のナノ粒子サイズの粒子とが存在する。実際のＰＤＰ１の観察によると、立方体形状の結晶粒子９３どうしが凝集しているもの、多面体形状の結晶粒子９２ａまたは多面体形状の結晶粒子９２ｂ、あるいは多面体形状の結晶粒子９２ａ、９２ｂの凝集粒子９２に、ＭｇＯの立方体形状の結晶粒子９３が付着しているものが存在していた。また、多面体形状の結晶粒子９２ａ、９２ｂは、液相法により作製された。立方体形状の結晶粒子９３は、気相法により作製された。
　なお「立方体形状」とは幾何学的な意味での厳密な立方体を指すものではない。電子顕微鏡写真を目視で観察することによりおおよそ立方体と認識可能な形状を指す。なお「多面体形状」とは、電子顕微鏡写真を目視で観察することによりおおよそ７面以上の面を有すると認識可能な形状を指す。
　凝集粒子９２とは、図８に示すように、所定の一次粒径の結晶粒子９２ａ、９２ｂが複数個凝集した状態のものである。凝集粒子９２は、固体として強い結合力によって結合しているのではない。凝集粒子９２は、静電気やファンデルワールス力などによって複数の一次粒子が集合したものである。また、凝集粒子９２は、超音波などの外力により、その一部または全部が一次粒子の状態に分解する程度の力で結合している。凝集粒子９２の粒径としては、約１μｍ程度のもので、結晶粒子９２ａ、９２ｂとしては、１４面体や１２面体などの７面以上の面を持つ多面体形状を有する。また、結晶粒子９２ａ、９２ｂは、炭酸マグネシウムや水酸化マグネシウムなどのＭｇＯ前駆体の溶液を焼成することにより生成する液相法により作製された。液相法による焼成温度や焼成雰囲気を調整することにより、粒径の制御ができる。焼成温度は７００℃程度から１５００℃程度の範囲で選択できる。焼成温度が１０００℃以上では、一次粒径を０．３～２μｍ程度に制御可能である。結晶粒子９２ａ、９２ｂは液相法による生成過程において、複数個の一次粒子同士が凝集した凝集粒子９２の状態で得られる。
　一方、立方体形状の結晶粒子９３は、マグネシウムを沸点以上に加熱してマグネシウム蒸気を発生させ、気相酸化する気相法により得られるものである。粒径が２００ｎｍ以上（ＢＥＴ法による測定結果）の立方体形状の単結晶構造を有する結晶粒子や、結晶体が互いに嵌り込んだ多重結晶構造のものが得られる。例えば、この気相法によるマグネシウム粉末の合成方法については、学会誌「材料」の第３６巻　第４１０号の「気相法によるマグネシア粉末の合成とその性質」などで知られている。
　なお、平均粒径が２００ｎｍ以上の立方体形状の単結晶構造の結晶粒子を形成する場合には、マグネシウム蒸気を発生させる際の加熱温度を高くし、マグネシウムと酸素が反応する火炎の長さを長くする。火炎と周囲との温度差が大きくなることによって、より粒径の大きい気相法によるＭｇＯの結晶粒子が得られる。
　多面体形状の結晶粒子９２ａ、９２ｂと、立方体形状の結晶粒子９３について、カソードルミネッセンス（ＣＬ）発光特性が測定された。図９に示すように、細い実線がＭｇＯの多面体形状の結晶粒子９２ａ、９２ｂの発光強度、すなわち凝集粒子９２のカソードルミネッセンス（発光）強度である。太い実線がＭｇＯの立方体形状の結晶粒子９３のカソードルミネッセンス（発光）強度である。
　図９に示すように、多面体形状の結晶粒子９２ａ、９２ｂが数個凝集した凝集粒子９２は、波長２００ｎｍ以上３００ｎｍ以下、特に波長２３０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下の波長領域に発光強度のピークを有する。ＭｇＯの立方体形状の結晶粒子９３は、波長２００ｎｍ以上３００ｎｍ以下の波長領域に発光強度のピークを有さない。しかし波長４００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下の波長領域に発光強度のピークを有する。すなわち、下地膜９１上に付着させた、ＭｇＯの多面体形状の結晶粒子９２ａ、９２ｂが数個凝集した凝集粒子９２と、ＭｇＯの立方体形状の結晶粒子９３とは、発光強度ピークの波長に対応したエネルギー準位を有する。
　次に、本実施の形態における保護層を有するＰＤＰの効果を確認するために行った実験結果について説明する。
　まず、構成の異なる保護層を有するＰＤＰを試作した。試作品１は、ＭｇＯによる保護層のみを形成したＰＤＰである。試作品２は、Ａｌ，Ｓｉなどの不純物をドープしたＭｇＯによる保護層を形成したＰＤＰである。試作品３は、ＭｇＯによる保護層上に金属酸化物からなる結晶粒子の一次粒子のみを散布し、付着させたＰＤＰである。試作品４は、ＭｇＯによる下地膜上に、同等の粒径を有するＭｇＯの結晶粒子同士を凝集させた凝集粒子９２を全面に亘って分布するように付着させたＰＤＰである。試作品５は、本実施の形態におけるＰＤＰである。ＭｇＯによる下地膜９１上に、平均粒径が０．９μｍ～２μｍの範囲にあるＭｇＯの結晶粒子９２ａの周囲に、結晶粒子９２ａよりも小さい粒径を有するＭｇＯの結晶粒子９２ｂが凝集した多面体形状の凝集粒子９２と、立方体形状のＭｇＯの結晶粒子９３とを全面に亘って分布するように付着させたＰＤＰである。つまり、試作品５は、複数個の凝集粒子９２と、複数個の結晶粒子９３とを下地膜９１上に、全面に亘って分散配置したＰＤＰである。なお、複数個の凝集粒子９２と、複数個の結晶粒子９３とを下地膜９１上に、全面に亘って均一に分散配置したＰＤＰは、より好ましい。ＰＤＰの面内で放電特性のばらつきを抑制できるからである。
　これらの５種類の保護層の構成を有するＰＤＰについて、電子放出性能と電荷保持性能が測定された。
　なお、電子放出性能は、大きいほど電子放出量が多いことを示す数値である。電子放出性能は、放電の表面状態及びガス種とその状態によって定まる初期電子放出量として表現される。初期電子放出量は、表面にイオンあるいは電子ビームを照射して表面から放出される電子電流量を測定する方法で測定できる。しかし、非破壊で実施することが困難である。そこで、特開２００７－４８７３３号公報に記載されている方法が用いられた。つまり、放電時の遅れ時間のうち、統計遅れ時間と呼ばれる放電の発生しやすさの目安となる数値が測定された。統計遅れ時間の逆数を積分することにより、初期電子の放出量と線形対応する数値になる。放電時の遅れ時間とは、書込み放電パルスの立ち上がりから書込み放電が遅れて発生するまでの時間である。放電遅れは、書込み放電が発生する際のトリガーとなる初期電子が保護層表面から放電空間中に放出されにくいことが主要な要因として考えられている。
　また、電荷保持性能は、その指標として、ＰＤＰとして作製した場合に電荷放出現象を抑えるために必要とする走査電極に印加する電圧（以下Ｖｓｃｎ点灯電圧と称する）の電圧値が用いられた。すなわち、Ｖｓｃｎ点灯電圧の低い方が、電荷保持能力が高いことを示す。Ｖｓｃｎ点灯電圧が低いと、ＰＤＰが低電圧で駆動できる。よって、電源や各電気部品として、耐圧および容量の小さい部品を使用することが可能となる。現状の製品において、走査電圧を順次パネルに印加するためのＭＯＳＦＥＴなどの半導体スイッチング素子には、耐圧１５０Ｖ程度の素子が使用されている。Ｖｓｃｎ点灯電圧としては、温度による変動を考慮し、１２０Ｖ以下に抑えることが望ましい。
　電子放出性能と電荷保持性能について調べた結果を図１０に示している。図１０から明らかなように、試作品４、５は、電荷保持性能の評価において、Ｖｓｃｎ点灯電圧を１２０Ｖ以下にすることができた。試作品４、５は、しかも電子放出性能は６以上の良好な特性を得ることができた。
　一般的にはＰＤＰの保護層の電子放出能力と電荷保持能力は相反する。例えば、保護層の成膜条件の変更、あるいは、保護層中にＡｌやＳｉ、Ｂａなどの不純物をドーピングして成膜することにより、電子放出性能を向上することは可能である。しかし、副作用としてＶｓｃｎ点灯電圧も上昇してしまう。
　本実施の形態の保護層を有するＰＤＰにおいては、電子放出能力としては、６以上の特性で、電荷保持能力としてはＶｓｃｎ点灯電圧が１２０Ｖ以下のものを得ることができる。すなわち、高精細化により走査線数が増加し、かつセルサイズが小さくなる傾向にあるＰＤＰに対応できるような電子放出能力と電荷保持能力の両方を備えた保護層を得ることができる。
　また、本実施の形態における保護層９は、誘電体層８上にＭｇＯを含む下地膜９１を形成するとともに、下地膜９１に金属酸化物であるＭｇＯからなる複数個の結晶粒子が凝集した複数個の凝集粒子９２と、金属酸化物であるＭｇＯからなる立方体形状の複数個の結晶粒子９３とを全面に亘って分散配置するとともに、下地膜９１中のＳｉ濃度を１０ｐｐｍ以下としているものである。
　図１１に示すように、本実施の形態における保護層９の構成では、下地膜９１中のＳｉ濃度によって、Ｖｓｃｎ点灯電圧が変化する。また、Ｖｓｃｎ点灯電圧は下地膜９１中のＡｌ濃度に依存しない。Ｓｉ濃度が１０ｐｐｍを超えるとＶｓｃｎ点灯電圧はほぼ飽和傾向となる。よって、Ｖｓｃｎ点灯電圧を１２０Ｖ以下とすることができる。したがって、Ｖｓｃｎ点灯電圧を低減させる保護層９の構成としては、ＭｇＯを含む下地膜９１上にＭｇＯからなる複数個の結晶粒子が凝集した複数個の凝集粒子９２と、ＭｇＯからなる立方体形状の複数個の結晶粒子９３とを全面に亘って分散配置するとともに、下地膜９１中のＳｉ濃度を１０ｐｐｍ以下とすればよい。さらに、Ｖｓｃｎ点灯電圧を１１０Ｖ以下とするためには下地膜９１中のＳｉ濃度を５ｐｐｍ以下とすることが望ましい。
　ここで、保護層９の電子放出性能の経時変化について検討した結果について述べる。ＰＤＰの長寿命化のためには、保護層９の電子放出性能が経時的に劣化しないことが要求される。
　図１０において良好な特性を得た試作品４、５の電子放出性能の経時劣化を調べた結果として、ＰＤＰの点灯時間に対する電子放出性能の推移を図１２に示している。図１２に示すように、ＭｇＯを含む下地膜９１上に、平均粒径が０．９μｍ～２μｍの範囲にあるＭｇＯの結晶粒子９２ａの周囲に、結晶粒子９２ａよりも小さい粒径を有するＭｇＯの結晶粒子９２ｂが凝集した多面体形状の凝集粒子９２と、立方体形状のＭｇＯの結晶粒子９３とを全面に亘って分散配置した試作品５は、試作品４よりも、電子放出性能の経時劣化が少ない。
　試作品４では、ＰＤＰセル内での放電で発生するイオンが保護層に衝撃を与えることで、凝集粒子９２が剥離したと推測される。一方、試作品５では、平均粒径が０．９μｍ～２μｍの範囲にあるＭｇＯの結晶粒子９２ａの周囲に、さらに小さい平均粒径を有するＭｇＯの結晶粒子９２ｂが凝集している。つまり、小さい粒径を有する結晶粒子９２ｂは表面積が大きいため、下地膜９１との接着性を高めており、イオン衝撃により凝集粒子９２が剥離することが少ないと推測される。
　試作品５のＰＤＰにおいては、電子放出能力としては、６以上の特性で、電荷保持能力としてはＶｓｃｎ点灯電圧が１２０Ｖ以下のものを得ることができる。すなわち、高精細化により走査線数が増加し、かつセルサイズが小さくなる傾向にあるＰＤＰに対応できるような電子放出能力と電荷保持能力の両方を備えた保護層を得ることができる。さらに電子放出性能の経時劣化が小さいため、長期にわたって安定した画質を得ることができる。
　本実施の形態においては、凝集粒子９２と結晶粒子９３は、下地膜９１上に付着させる場合、１０％以上２０％以下の範囲の被覆率でかつ全面に亘って分布するように付着している。被覆率とは、１個の放電セルの領域において、凝集粒子９２と結晶粒子９３が付着している面積ａを１個の放電セルの面積ｂの比率で表したもので、被覆率（％）＝ａ／ｂ×１００の式により求めたものである。実際の測定方法は、例えば図１３に示すように、隔壁１４により区切られた１個の放電セルに相当する領域の画像が撮影される。次に、画像がｘ×ｙの１セルの大きさにトリミングされる。次に、トリミング後の画像が白黒データに２値化される。次に、２値化されたデータに基づき凝集粒子９２および結晶粒子９３による黒エリアの面積ａを求める。最後に、ａ／ｂ×１００により演算される。
　次に、多面体形状の結晶粒子９２ａ、９２ｂと立方体形状の結晶粒子９３とを付着させた保護層を有するＰＤＰの効果を確認するために、さらに試作品を作製し、維持放電電圧を調べた。図１４に示すように、試作品ＡはＭｇＯによる下地膜９１上に２００ｎｍ以上３００ｎｍ以下の波長領域にＣＬ発光のピークを有するＭｇＯの結晶粒子９２ａ、９２ｂからなる凝集粒子９２のみを散布し、付着させたＰＤＰである。試作品Ｂ、Ｃは、ＭｇＯによる下地膜上に平均粒径が０．９μｍ～２μｍの範囲にあるＭｇＯの多面体形状の結晶粒子９２ａの周囲に、前記結晶粒子９２ａよりも小さい粒径を有するＭｇＯの多面体形状の結晶粒子９２ｂが凝集した凝集粒子９２と、立方体形状のＭｇＯの結晶粒子９３とを全面に亘って分散配置したＰＤＰである。なお、試作品Ｂと試作品Ｃは、誘電体層８の比誘電率εが異なる。つまり、試作品Ｂは、誘電体層８の比誘電率εが９．７程度である。試作品Ｃは、誘電体層８の比誘電率εが７である。被覆率については、いずれも２０％以下の１３％程度である。
　図１４に示すように、試作品Ｂ、Ｃは、試作品Ａに対して維持放電電圧を低下させることができる。すなわち、２００ｎｍ以上３００ｎｍ以下の波長領域にピークを有するＣＬ発光を行う特性のＭｇＯの多面体形状の結晶粒子９２ａ、９２ｂの凝集粒子９２と、４００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下の波長領域にピークを有するＣＬ発光を行う特性のＭｇＯの立方体形状の結晶粒子９３とを付着させた保護層を有するＰＤＰは、維持放電電圧を低下させることができる。すなわち、ＰＤＰの低消費電力化を図ることができる。さらに、試作品Ｂ、Ｃの特性から明らかなように、誘電体層８の比誘電率εを小さくした方が、より維持放電電圧を低下させることができる。特に、本発明者らの実験によれば、誘電体層８の比誘電率εを４以上７以下とすることにより、より顕著に効果が得られることがわかった。
　図１５は、保護層において、ＭｇＯの凝集粒子９２の平均粒径を変化させて電子放出性能を調べた実験結果を示すものである。図１５において、凝集粒子９２の平均粒径は、凝集粒子９２をＳＥＭ観察することにより測長された。
　図１５に示すように、平均粒径が０．３μｍ程度に小さくなると、電子放出性能が低くなり、ほぼ０．９μｍ以上であれば、高い電子放出性能が得られる。
　放電セル内での電子放出数を増加させるためには、保護層９上の単位面積当たりの結晶粒子数は多い方が望ましい。本発明者らの実験によれば、保護層９と密接に接触する隔壁１４の頂部に相当する部分に結晶粒子９２ａ、９２ｂ、９３が存在すると、隔壁１４の頂部を破損させる場合がある。この場合、破損した隔壁１４の材料が蛍光体の上に乗るなどによって、該当するセルが正常に点灯または消灯しなくなる現象が発生することがわかった。隔壁破損の現象は、結晶粒子９２ａ、９２ｂ、９３が隔壁頂部に対応する部分に存在しなければ発生しにくいことから、付着させる結晶粒子数が多くなれば、隔壁１４の破損発生確率が高くなる。
　図１６は、ＰＤＰにおいて、単位面積当たりに粒径の異なる同じ数の結晶粒子を散布し、隔壁破損の関係を実験した結果を示す図である。
　図１６に示すように、粒径が２．５μｍ程度に大きくなると、隔壁破損の確率が急激に高くなる。しかし、２．５μｍより小さい粒径であれば、隔壁破損の確率は比較的小さく抑えることができることがわかる。
　以上の結果に基づくと、凝集粒子９２は、平均粒径が０．９μｍ以上２．５μｍ以下のものが望ましいと考えられる。ＰＤＰとして実際に量産する場合には、結晶粒子の製造上でのばらつきや保護層を形成する場合の製造上でのばらつきを考慮する必要がある。
　このような製造上でのばらつきなどの要因を考慮するために、粒径分布の異なる結晶粒子を用いて実験を行った結果、平均粒径が０．９μｍ～２μｍの範囲にある凝集粒子９２を使用すれば、上述した効果を安定して得られることがわかった。
　次に、本実施の形態のＰＤＰにおいて、保護層９を形成する製造工程について、図１７を用いて説明する。
　図１７に示すように、誘電体層８を形成する誘電体層形成工程Ａ１を行った後、下地膜蒸着工程Ａ２では、Ａｌを含むＭｇＯの焼結体を原材料とした真空蒸着法によって、不純物としてＡｌを含むＭｇＯからなる下地膜９１が誘電体層８上に形成される。
　その後、未焼成の下地膜９１上に、複数個の凝集粒子９２と、複数個の結晶粒子９３が離散的に散布され、付着する。つまり下地膜９１の全面に亘って、凝集粒子９２と結晶粒子９３とが分散配置される。
　この工程においては、まず、所定の粒径分布を持つ多面体形状の結晶粒子９２ａ、９２ｂを溶媒に混合した凝集粒子ペーストが作製される。また、立方体形状の結晶粒子９３を溶媒に混合した結晶粒子ペーストが作製される。つまり、凝集粒子ペーストと結晶粒子ペーストとは別々に準備される。その後、凝集粒子ペーストと結晶粒子ペーストとが混合されることにより、多面体形状の結晶粒子９２ａ、９２ｂと結晶粒子９３とを溶媒に混合した混合結晶粒子ペーストが作製される。その後、結晶粒子ペースト塗布工程Ａ３において、混合結晶粒子ペーストが下地膜９１上に塗布されることにより、平均膜厚８μｍ～２０μｍの混合結晶粒子ペースト膜が形成される。なお、混合結晶粒子ペーストを下地膜９１上に塗布する方法として、スクリーン印刷法、スプレー法、スピンコート法、ダイコート法、スリットコート法なども用いることができる。
　ここで、凝集粒子ペーストや結晶粒子ペーストの作製に使用する溶媒としては、ＭｇＯの下地膜９１や凝集粒子９２や結晶粒子９３との親和性が高く、かつ次工程の乾燥工程Ａ４での蒸発除去を容易にするため常温での蒸気圧が数十Ｐａ程度のものが適している。例えばメチルメトキシブタノール、テルピネオール、プロピレングリコール、ベンジルアルコールなどの有機溶剤単体もしくはそれらの混合溶媒が用いられる。これらの溶媒を含んだペーストの粘度は数ｍＰａ・ｓ～数十ｍＰａ・ｓである。
　混合結晶粒子ペーストが塗布された基板は、直ちに乾燥工程Ａ４に移される。乾燥工程Ａ４では、混合結晶粒子ペースト膜が減圧乾燥される。具体的には、混合結晶粒子ペースト膜は真空チャンバ内で、数十秒以内で急速に乾燥される。よって、加熱乾燥では顕著である膜内の対流が発生しない。したがって、凝集粒子９２および結晶粒子９３がより均一に下地膜９１上に付着する。なお、この乾燥工程Ａ４における乾燥方法としては、混合結晶粒子ペーストを作製する際に用いる溶媒などに応じて、加熱乾燥方法を用いてもよい。
　次に、保護層焼成工程Ａ５では、下地膜蒸着工程Ａ２において形成された未焼成の下地膜９１と、乾燥工程Ａ４を経た混合結晶粒子ペースト膜とが、数百℃の温度で同時に焼成される。焼成によって、混合結晶粒子ペースト膜に残っている溶剤や樹脂成分が除去される。その結果、下地膜９１上に複数個の多面体形状の結晶粒子９２ａ、９２ｂからなる凝集粒子９２と、立方体形状の結晶粒子９３とが付着した保護層９が形成される。
　この方法によれば、下地膜９１に凝集粒子９２と結晶粒子９３とを全面に亘って分散配置することが可能である。
　なお、このような方法以外にも、溶媒などを用いずに、粒子群を直接にガスなどと共に吹き付ける方法や、単純に重力を用いて散布する方法などを用いてもよい。
　なお、以上の説明では、保護層として、ＭｇＯを例に挙げたが、下地に要求される性能はあくまでイオン衝撃から誘電体を守るための高い耐スパッタ性能を有することであり、高い電荷保持能力、すなわちあまり電子放出性能が高くなくてもよい。従来のＰＤＰでは、一定以上の電子放出性能と耐スパッタ性能という二つを両立させるため、ＭｇＯを主成分とした保護層を形成する場合が非常に多かったのであるが、電子放出性能が金属酸化物単結晶粒子によって支配的に制御される構成を取るため、ＭｇＯである必要は全くなく、Ａｌ２Ｏ３等の耐衝撃性に優れる他の材料を用いても全く構わない。
　また、本実施の形態では、単結晶粒子としてＭｇＯ粒子を用いて説明したが、この他の単結晶粒子でも、ＭｇＯ同様に高い電子放出性能を持つＳｒ、Ｃａ、Ｂａ、Ａｌなどの金属の酸化物による結晶粒子を用いても同様の効果を得ることができる。よって、粒子種としてはＭｇＯに限定されるものではない。
　ところで、ＰＤＰにおいて、放電セル構造の高精細化に伴って走査線数が増加するが、テレビ映像を表示する場合には、１フィールド＝１／６０［ｓ］内で全てのシーケンスを終了させる必要がある。上述の書込み期間においては、データ電極に印加するパルス電圧のパルス幅は、その時間内に確実に書込み放電を起こすことができる時間に設定する必要がある。しかし、書込み放電では、データ電極に印加するパルス電圧の立ち上がりからかなり遅れて放電が行われるという「放電遅れ」が存在する。また、印加されたパルス幅内で書込み放電を完了させることができない場合には、本来点灯すべき放電セルに所定の書込み電圧を蓄積することができず、点灯不良が生じてしまう現象が発生してしまう。
　図１８は、試作品１と試作品５の前面板を使用したＰＤＰについて、書込み期間において、データ電極に印加するパルス電圧のパルス幅と書込み放電の失敗確率をプロットした図である。図１８に示すように、ＭｇＯによる下地膜のみの試作品１では書込み放電の失敗を抑えるためには、１．７μｓ以上のパルス幅が必要である。一方、試作品５では、パルス幅を１μｓ以下に設定することが可能である。
　このように書込み期間において、データ電極に印加するパルス電圧のパルス幅が短縮されることにより書込み期間に要する時間が短くて済む。この結果維持期間を長くすることができる。よって、より多くの維持パルスを印加することができるようになり、ＰＤＰの輝度を高めることができる。
　本実施の形態に開示されたＰＤＰは、書込み放電時における放電遅れ特性の改善と低電圧が両立できる。さらに維持放電時の放電電圧を低下できる。
　以上のように本実施の形態に開示された技術は、高精細で高輝度の表示性能を備え、かつ低消費電力のＰＤＰを実現する上で有用である。
　１　　ＰＤＰ
　２　　前面板
　３　　前面ガラス基板
　４　　走査電極
　４ａ，５ａ　　透明電極
　４ｂ，５ｂ　　白色電極
　５　　維持電極
　６　　表示電極
　７　　ブラックストライプ
　８　　誘電体層
　９　　保護層
　１０　　背面板
　１１　　背面ガラス基板
　１２　　データ電極
　１３　　下地誘電体層
　１４　　隔壁
　１５　　蛍光体層
　１６　　放電空間
　２１　　画像信号処理回路
　２２　　データ電極駆動回路
　２３　　走査電極駆動回路
　２４　　維持電極駆動回路
　２５　　タイミング発生回路
　９１　　下地膜
　９２　　凝集粒子
　９２ａ，９２ｂ，９３　　結晶粒子
　１００　　プラズマディスプレイ装置

Claims (6)

  1. 　前面板と、
    　前記前面板と対向配置された背面板と、を備え、
    　　前記前面板は、表示電極と前記表示電極を覆う誘電体層と前記誘電体層を覆う保護層とを有し、
    　　　前記保護層は、前記誘電体層上に形成された下地層と、前記下地層の全面に亘って分散配置した複数個の第１の粒子と、前記下地層の全面に亘って分散配置した複数個の第２の粒子と、を含み、
    　　　　前記第１の粒子は、酸化マグネシウムからなる結晶粒子が複数個凝集した凝集粒子であり、
    　　　　前記第２の粒子は、酸化マグネシウムからなる立方体形状の結晶粒子であり、
    　　　前記誘電体層の比誘電率は４以上７以下である、
    プラズマディスプレイパネル。
  2. 請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルであって、
    　前記凝集粒子の平均粒径は０．９μｍ以上２．０μｍ以下である、
    プラズマディスプレイパネル。
  3. 請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルであって、
    　前記凝集粒子を構成する結晶粒子は、７面以上の面を有する多面体形状である、
    プラズマディスプレイパネル。
  4. 請求項２に記載のプラズマディスプレイパネルであって、
    　前記凝集粒子を構成する結晶粒子は、７面以上の面を有する多面体形状である、
    プラズマディスプレイパネル。
  5. 請求項１から請求項４のいずれか一項に記載のプラズマディスプレイパネルであって、
    　前記下地層は、酸化マグネシウムを含む、
    プラズマディスプレイパネル。
  6. 請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルを有し、
    　前記プラズマディスプレイパネルに対して、１フィールドを複数のサブフィールドにより構成し、
    　　それぞれのサブフィールドに発光させる放電セルを選択する書込み放電を発生させる書込み期間と、前記書込み期間により選択された放電セルに維持放電を発生させる維持期間とを有する、
    プラズマディスプレイ装置。
PCT/JP2011/000031 2010-01-22 2011-01-07 プラズマディスプレイパネルおよびプラズマディスプレイ装置 WO2011089855A1 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010011614 2010-01-22
JP2010-011614 2010-01-22

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2011089855A1 true WO2011089855A1 (ja) 2011-07-28

Family

ID=44306658

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2011/000031 WO2011089855A1 (ja) 2010-01-22 2011-01-07 プラズマディスプレイパネルおよびプラズマディスプレイ装置

Country Status (1)

Country Link
WO (1) WO2011089855A1 (ja)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008091247A (ja) * 2006-10-03 2008-04-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマディスプレイパネル
JP2009129616A (ja) * 2007-11-21 2009-06-11 Panasonic Corp プラズマディスプレイパネル
JP2009134921A (ja) * 2007-11-29 2009-06-18 Panasonic Corp プラズマディスプレイパネル
JP2009259423A (ja) * 2008-04-11 2009-11-05 Hitachi Ltd プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法
JP2009259512A (ja) * 2008-04-15 2009-11-05 Panasonic Corp プラズマディスプレイ装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008091247A (ja) * 2006-10-03 2008-04-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマディスプレイパネル
JP2009129616A (ja) * 2007-11-21 2009-06-11 Panasonic Corp プラズマディスプレイパネル
JP2009134921A (ja) * 2007-11-29 2009-06-18 Panasonic Corp プラズマディスプレイパネル
JP2009259423A (ja) * 2008-04-11 2009-11-05 Hitachi Ltd プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法
JP2009259512A (ja) * 2008-04-15 2009-11-05 Panasonic Corp プラズマディスプレイ装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5158265B2 (ja) プラズマディスプレイパネル
JP2009146686A (ja) プラズマディスプレイパネル
WO2009122737A1 (ja) プラズマディスプレイパネル
JP5240401B2 (ja) プラズマディスプレイ装置
WO2011114672A1 (ja) プラズマディスプレイ装置
WO2009113256A1 (ja) プラズマディスプレイパネル
WO2011089680A1 (ja) プラズマディスプレイパネルの製造方法
JP2009218025A (ja) プラズマディスプレイパネル
JP5168422B2 (ja) プラズマディスプレイパネルおよびプラズマディスプレイ装置
WO2011089857A1 (ja) プラズマディスプレイパネルおよびプラズマディスプレイ装置
WO2011089855A1 (ja) プラズマディスプレイパネルおよびプラズマディスプレイ装置
WO2009113229A1 (ja) プラズマディスプレイパネル
WO2011089856A1 (ja) プラズマディスプレイパネルおよびプラズマディスプレイ装置
JP2011150908A (ja) プラズマディスプレイパネルおよびプラズマディスプレイ装置
WO2009110195A1 (ja) プラズマディスプレイパネル
WO2009113230A1 (ja) プラズマディスプレイパネル
WO2011114673A1 (ja) プラズマディスプレイパネル
JP2011150907A (ja) プラズマディスプレイパネルおよびプラズマディスプレイ装置
JP2011150909A (ja) プラズマディスプレイパネルおよびプラズマディスプレイ装置
WO2009113140A1 (ja) プラズマディスプレイパネル
WO2009113283A1 (ja) プラズマディスプレイパネルの製造方法
WO2009110194A1 (ja) プラズマディスプレイパネル
WO2011108260A1 (ja) プラズマディスプレイパネルの製造方法
JP2013030296A (ja) プラズマディスプレイパネルの製造方法
JP2011159612A (ja) プラズマディスプレイパネルおよびプラズマディスプレイ装置

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 11734463

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 11734463

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: JP