CN101971082B - 液晶显示装置及用于该液晶显示装置的滤色器 - Google Patents

液晶显示装置及用于该液晶显示装置的滤色器 Download PDF

Info

Publication number
CN101971082B
CN101971082B CN2008801022091A CN200880102209A CN101971082B CN 101971082 B CN101971082 B CN 101971082B CN 2008801022091 A CN2008801022091 A CN 2008801022091A CN 200880102209 A CN200880102209 A CN 200880102209A CN 101971082 B CN101971082 B CN 101971082B
Authority
CN
China
Prior art keywords
red
liquid crystal
spike
crystal indicator
backlight
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN2008801022091A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101971082A (zh
Inventor
石丸佳子
萩原英聪
村崎嘉典
高岛优
原田雅史
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nichia Chemical Industries Ltd
Original Assignee
Nichia Chemical Industries Ltd
Toppan Printing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nichia Chemical Industries Ltd, Toppan Printing Co Ltd filed Critical Nichia Chemical Industries Ltd
Publication of CN101971082A publication Critical patent/CN101971082A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101971082B publication Critical patent/CN101971082B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/20—Filters
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133602—Direct backlight
    • G02F1/133603—Direct backlight with LEDs
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133602—Direct backlight
    • G02F1/133609—Direct backlight including means for improving the color mixing, e.g. white
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/49105—Connecting at different heights
    • H01L2224/49107—Connecting at different heights on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Planar Illumination Modules (AREA)
  • Optical Filters (AREA)

Abstract

本发明提供一种液晶显示装置及用于该液晶显示装置的滤色器，所述液晶显示装置的特征在于，其是具备背光以及滤色器的液晶显示装置，所述背光具有将蓝色LED与红色发光荧光体及绿色发光荧光体组合混色而得到的白色LED装置，所述滤色器在透明基板上具有包含红色像素的多种颜色的着色像素，且所述白色LED装置的发光光谱在440nm以上且470nm以下具有第1峰波长、在510nm以上且550nm以下具有第2峰波长、以及在630nm以上且670nm以下具有第3峰波长，且所述液晶显示装置的红色显示色度位于在xy色度坐标系中将4点(0.620，0.280)、(0.620，0.300)、(0.680，0.315)及(0.680，0.280)连接而成的色度范围内。

Description

液晶显示装置及用于该液晶显示装置的滤色器
技术领域
本发明涉及一种液晶显示装置，尤其是涉及一种具备下述背光和下述滤色器的、具有优异的红色再现性的液晶显示装置以及用于该液晶显示装置的滤色器，该背光使用将蓝色LED与红、绿荧光体组合而成的白色LED装置，该滤色器具有与该背光匹配的红色再现性优异的红色像素。本发明尤其适合应用于车载用液晶显示装置。 
背景技术
现在，车载用液晶显示装置以车载导航装置、后座监视器为中心而迅速普及。不仅如此，近年来，还出现了仪表盘中也搭载液晶显示装置的动向，通过液晶化，能够提供与现有的模拟仪表不同的附加价值。 
车载导航装置、后座监视器那样目前的车载用液晶显示装置，作为背光，一直采用通常的液晶装置中使用的冷阴极荧光管(CCFL)。然而，冷阴极荧光管具有应答性差、不抗振动和冲击、因含汞而耐环境性差等问题。 
另外，针对汽车用部件，欧州联盟(EU)于2000年10月施行了ELV规定(End of Life vehicles directive)，根据该规定，关于EU市场中注册的轿车、公共汽车、卡车等，制定了如下内容：在2003年7月1日以后，将Pb、Hg、Cr6+的用量减少至1000ppm以下，将Cd的用量减少至100ppm以下。通过该规定，目的在于促进废汽车的废弃物的利用、再循环及再生。 
车载用显示器也是该规定的对象，背光正在被代替成无汞的LED(发光二极管)，而不是含汞的现有的冷阴极荧光管。 
作为LED背光单元，有使用了红、绿、蓝3色的LED光源的3波长的白色LED装置(例如参照日本特开2007-47781号公报)、使从蓝系的LED发出的光通过YAG(钇·铝·石榴石)等荧光体后混色而成的白色LED装置等，其中，白色LED装置近年来在移动设备相关的小型液晶显示装置中被广泛应用。 
现在，作为背光用的LED，从其个体差、价格方面考虑，3色LED由于价格优势小，因而白色LED装置成为主流，预测车载用途的冷阴极荧光管代替品也会白色LED装置化。 
然而，将白色LED装置用于背光时，由于白色LED装置在长波长区域不具有发光峰，因而存在液晶显示装置的红色显示的颜色再现性显著变差的问题。相对于此，车载用途显示器中在警告显示等中红色的再现性被视为非常重要。因此，虽然将无汞且具有价格优势的LED光源用于背光，但是还存在针对红色再现性优异的车载用液晶显示装置的高的要求。 
发明内容
本发明的目的在于提供一种具有优异的红色再现性的液晶显示装置。 
本发明的另一目的在于提供一种用于上述液晶显示装置的滤色器。 
本发明的第1方式提供一种液晶显示装置，其特征在于，其是具备背光以及滤色器的液晶显示装置，所述背光具有将蓝色LED与红色发光荧光体及绿色发光荧光体组合混色而得到的白色LED装置，所述滤色器在透明基板上具有包含红色像素的多种颜色的着色像素，上述白色LED装置的发光光谱在440nm以上且470nm以下具有第1峰波长、在510nm以上且550nm以下具有第2峰波长、以及在630nm以上且670nm以下具有第3峰波长，且上述液晶显示装置的红色显示色度位于在xy色度坐标系中将4点(0.620，0.280)、(0.620，0.300)、(0.680，0.315)及(0.680，0.280)连接而成的色度范围内。 
本发明的第2方式提供一种液晶显示装置，其特征在于，其是具备背光以及滤色器的液晶显示装置，所述背光具有将蓝色LED与红色发光荧光体及绿色发光荧光体组合混色而得到的白色LED装置，所述滤色器在透明基板上具有包含红色像素的多种颜色的着色像素，上述白色LED装置的发光光谱在440nm以上且470nm以下具有第1峰波长、在510nm以上且550nm以下具有第2峰波长、以及在630nm以上且670nm以下具有第3峰波长，上述第2峰波长与第3峰波长之间的最低相对发光强度值为第2峰波长的相对发光强度值及第3峰波长的相对发光强度值中任一较低值的70％以下，上述红色像素具有使得上述液晶显示装置的红色显示色度位于在xy色度坐 标系中将4点(0.620，0.280)、(0.620，0.300)、(0.680，0.315)及(0.680，0.280)连接而成的色度范围内的颜料组成及膜厚。 
本发明的第3方式提供一种滤色器，其特征在于，在透明基板上具备包含红色像素的多种颜色的着色像素，且用于以上的液晶显示装置。 
附图说明
图1是表示将蓝色LED与红色发光荧光体及绿色发光荧光体组合混色而得到的白色LED装置的发光特性的图。 
图2是表示冷阴极荧光管(CCFL)的发光特性的图。 
图3是表示现有的白色LED装置的发光特性的图。 
图4是表示LED背光的结构的图。 
图5是表示白色LED装置的结构的截面图。 
图6是表示液晶显示装置的截面图。 
图7是表示背光(1)～(4)的发光特性的图。 
图8是表示红色像素1～8的分光透射率的图。 
图9是表示红色像素9～13的分光透射率的图。 
图10是表示红色像素14～18的分光透射率的图。 
具体实施方式
本发明的一方式的液晶显示装置具备背光和滤色器，所述背光具有将蓝色LED与红色发光荧光体及绿色发光荧光体组合混色而得到的白色LED装置，所述滤色器在透明基板上具有包含红色像素的多种颜色的着色像素。白色LED装置的发光光谱在440nm以上且470nm以下具有第1峰波长、在510nm以上且550nm以下具有第2峰波长、以及在630nm以上且670nm以下具有第3峰波长。另外，液晶显示装置的红色显示色度位于在xy色度坐标系中将4点(0.620，0.280)、(0.620，0.300)、(0.680，0.315)及(0.680，0.280)连接而成的色度范围内。 
以上那样构成的本发明的一方式的液晶显示装置中，通过在背光中具备将蓝色LED与红色发光荧光体及绿色发光荧光体组合混色而得到的白色LED装置，且具备下述滤色器，该滤色器具有使用了与上述背光匹配的红 色再现性优异的色材的红色像素，从而能够得到红色再现性优异的液晶显示装置。另外，由于能够使用无汞的白色LED装置作为背光，因此特别是使用液晶显示装置作为车载用途时，能够促进废汽车的废弃物的利用、再循环、再生。 
以下，对本发明的实施方式进行说明。 
本发明的一实施方式的液晶显示装置中，作为背光，使用将蓝色LED与红色发光荧光体及绿色发光荧光体组合混色而得到的白色LED装置。该白色LED装置具有图1所示的发光光谱特性，并且与图2所示的现有的液晶显示装置中使用的冷阴极荧光管(CCFL)的发光光谱特性、和图3所示的使蓝系的LED发出的光通过YAG(钇·铝·石榴石)等荧光体后混色而得到的白色LED装置的发光光谱特性不同。 
作为环境对策，CCFL的代替正在进行。在具有图3那样的发光特性的将蓝色LED与YAG等黄色发光荧光体组合混色而得到的白色LED装置中，由于与CCFL不同，在长波长区域不具有峰，因此是2波长的光源，在作为滤色器使用跟在与现有的CCFL的组合中所使用的滤色器相同的滤色器时，特别是红色再现性显著降低，存在本来的红色显示被感觉为橙色的问题。 
相对于此，具有图1那样的发光特性的将蓝色LED与红色发光荧光体及绿色发光荧光体组合混色而得到的白色LED装置，由于混合了2种荧光体，因此发光峰变成3波长光源，与将蓝色LED和YAG等黄色发光荧光体混色而成的白色LED装置相比，红色再现性大大提高，特别是通过采用具有包含与发光特性匹配的红色的多种颜色的滤色器基板，能够获得比CCFL更深红的红色显示。 
如上所述，特别是车载用途的液晶显示装置中，由于红色的再现性作为危险色显示很重要，因此强烈希望能够将红色与橙色区别开。 
因此本发明中，液晶显示装置中的背光使用将蓝色LED与红色发光荧光体及绿色发光荧光体组合混色而得到的白色LED装置，而且具备下述滤色器，该滤色器具备包含与该背光匹配的红色的多种颜色的像素，由此，作为红色显示，能够实现在xy色度坐标系中将4点(0.620，0.280)、(0.620，0.300)、(0.680，0.315)、(0.680，0.280)连接而成的色度范围内的深红的 色度，解决了上述问题。 
上述红色的色度范围基于如下见解：改变形成红色像素的红色着色材料的颜料种和组成，并进行评价，其结果是，在颜色再现区域为NTSC50％～95％时，为了感觉为红色，上述色度范围是必须的。 
y值大于该范围时，感觉为朱红色～橙色，y值小于该范围时，感觉为红紫色。 
另外，作为本实施方式的液晶显示装置的背光的上述白色LED装置，期望其发光光谱在440nm以上且470nm以下具有第1峰波长，在510nm以上且550nm以下具有第2峰波长，以及在630nm以上且670nm以下具有第3峰波长，且上述第2峰波长与上述第3峰波长之间的最低相对发光强度值为上述第2峰波长的相对发光强度值及上述第3峰波长的相对发光强度值中任一较低值的70％以下。 
上述发光光谱的特征基于与具有同一红色像素的滤色器组合时的红色显示色度，在不满足上述条件时，即上述白色LED装置中的、第2峰波长与第3峰波长之间的最低相对发光强度值为第2峰波长的相对发光强度值及第3峰波长的相对发光强度值中任一较低值的70％以上时，y值变为大于上述红色显示色度，红色再现性变差，而被感觉为朱红色或橙色。此外为70％以下时，y值变为能够感觉红色的色度范围内。该第2峰波长与第3峰波长间的最低相对发光强度值相对于第2峰波长及第3峰波长中任一较低的值越小，则对作为背光的深红化的贡献越大。 
下面，对在制作具有上述那样的对深红化的贡献大的发光特性的白色LED装置中使用的红色发光荧光体及绿色发光荧光体进行详细说明。 
(红色发光荧光体) 
作为红色发光荧光体，是由Eu活化且包含第II族元素M1、Si、Al、B及N的下述通式(I)所示的氮化物荧光体，优选使用吸收紫外线至蓝色光而发光为红色的荧光体。 
M1 wAlxSiyBzN((2/3)w+x+(4/3)y+z):Eu2+            (I) 
上述式(I)中，M1为选自由Mg、Ca、Sr及Ba所组成的组中的至少1种，w、x、y、z优选为0.056≤w≤9、x＝1、0.056≤y≤18、0.0005≤z≤0.5，更优选为0.04≤w≤3、x＝1、0.143≤y≤8.7、0≤z≤0.5，最优选为 0.05≤w≤3、x＝1、0.167≤y≤8.7、0.0005≤z≤0.5。 
另外，z优选为0.5以下，更优选为0.3以下，期望为0.0005以上。进一步优选的是，将硼的摩尔浓度设定为0.001以上且0.2以下。 
这样的氮化物荧光体由Eu活化，但Eu的一部分也可以被选自由Sc、Tm、Yb、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Lu所组成的组中的至少一种以上的稀土类元素置换。 
作为优选的氮化物荧光体，有由通式M1 1-zAlSiBzN((2/3)(1-z)+(7/3)+z):Eu2+所表示的荧光体。式中，M1为选自由Mg、Ca、Sr及Ba所组成的组中的至少1种，x的范围为0.001≤x≤0.3，z的范围为0≤z≤0.5。 
另外，作为其它优选的氮化物荧光体，有由通式M1 wAlSiBzN((2/3)w+(7/3)+z):Eu2+所表示的荧光体。式中，M1为选自由Mg、Ca、Sr及Ba所组成的组中的至少1种，w及z的范围为0.04≤w≤3、0≤z≤0.5。 
作为M1采用Ca时，Ca优选单独使用。但是，也可以将Ca的一部分用Sr、Mg、Ba、Sr和Ba等置换。将Ca的一部分用Sr置换，能够调整氮化物荧光体的发光波长的峰。 
Si也优选单独使用，但其一部分也可以被作为第IV族元素的C或Ge置换。只使用Si时，能获得廉价且结晶性良好的氮化物荧光体。 
作为活化剂的Eu优选单独使用，但Eu的一部分也可以被Sc、Tm、Yb、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Lu置换。Eu的一部分被其它元素置换时，其它元素作为共活化剂而发挥作用。由此，能够改变色调，能够进行发光特性的调整。 
氮化物荧光体可以进一步包含1～500ppm以下的选自包含Cu、Ag、Au的第I族元素、包含Ga、In的第III族元素、包含Ti、Zr、Hf、Sn、Pb的第IV族元素、包含P、Sb、Bi的第V族元素及包含S的第VI族元素中的至少1种以上元素。通过添加这些元素，能够进行发光效率的调整。 
氮化物荧光体中，Fe、Ni、Cr、Ti、Nb、Sm及Yb的摩尔浓度相对于M1的摩尔浓度优选为0.01以下。这是由于，若含有大量的Fe、Ni、Cr、Ti、Nb、Sm及Yb，则发光亮度降低。 
(绿色发光荧光体1) 
作为绿色发光荧光体，可以列举出下述通式(II)所示的荧光体。 
Ba5-x-yEuxM2 ySimO5+2m                  (II) 
(式中，M2为Ca及Sr中的至少1种，x、y、m为0.0001≤x≤0.3、0≤y≤0.8、2.5＜m＜3.5。) 
这种硅酸盐系荧光体在大于约485nm的长波长侧的光下激发效率变低。因此，利用485nm以下的短波长侧的光能够被有效地激发。其中特别是利用460nm以下的短波长侧的光能够被高效地激发。 
若将硅酸盐系荧光体激发，则发出在495nm～584nm的区域中具有发光峰波长的光。该硅酸盐系荧光体的发光峰波长可以通过对荧光体的组成进行各种变更、变更激发波长来改变。 
硅酸盐系荧光体的组成中的x、y、m为0.0001≤x≤0.3、0≤y≤0.8、2.5＜m＜3.5的范围，在该范围内时，能够获得在495nm～584nm内具有发光峰波长、且在绿色系～黄色系发光的高亮度的荧光体。其中，x更优选为0.1≤x≤0.5的范围。通过设定为该范围，能够实现更高亮度。另外，m优选为2.5＜m≤3.2的范围。通过设定为该范围，能够实现更高亮度。另外，通过变更y，能够获得具有各种色调的荧光体。 
(绿色发光荧光体2) 
作为绿色发光荧光体，可以列举下述通式(III)所示的荧光体。 
(M3 1-yRy)aMgM4 bM5 cOa+2b+(3/2)cX2        (III) 
(式中，M3为选自由Ca、Sr、Ba、Zn及Mn所组成的组中的至少1种，M4为选自由Si、Ge及Sn所组成的组中的至少1种，M5为选自由B、Al、Ga及In所组成的组中的至少1种，X为选自由F、Cl、Br及I所组成的组中的至少1种，R具有选自稀土类元素的以Eu为必须成分的至少1种。而且y、a、b及c为0.0001≤y≤0.3、7.0≤a＜10.0、3.0≤b＜5.0、0≤c＜1.0。) 
该荧光体包含选自由Ca、Sr、Ba、Zn及Mn所组成的组中的至少1种元素、更优选包含Ca。包含Ca时，也可以使用Ca的一部分被Mn、Sr、Ba置换的荧光体。 
该荧光体包含选自由Si、Ge及Sn所组成的组中的至少1种元素、更优选包含Si。包含Si时，也可以使用Si的一部分被Ge、Sn置换的荧光体。 
该荧光体包含选自由F、Cl、Br及I所组成的组中的至少1种元素、 更优选包含Cl。包含Cl时，也可以使用Cl的一部分被F、Br、I置换的荧光体。 
该荧光体包含以Eu为必须成分的至少1种稀土类元素。稀土类是钪、钇以及镧系元素等各元素共计17种元素的总称，其中最优选为Eu。也可以使用Eu的一部分被Ce、Pr、Nd、Sm、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb置换而成的荧光体。更优选使用Eu的一部分被Ce、Pr、Nd、Sm、Tb、Dy、Ho、Tm置换而成的荧光体。 
上述通式(III)所表示的绿色荧光体在495nm以上且584nm以下的绿色区域～黄色区域的波长范围内具有发光峰波长。例如具有Ca、Eu、Mg、Si、O、Cl元素时，在500nm～520nm附近具有发光峰波长，具有Ca、Mn、Eu、Mg、Si、O、Cl元素时，在530nm～570nm附近具有发光峰波长。其中，根据所含的元素量、组成的不同，该发光峰波长会有变动。 
(绿色发光荧光体3) 
作为绿色发光荧光体，可以列举下述通式(IV)或(V)所示的荧光体。 
LXMYOZN((2/3)X+(4/3)Y-(2/3)Z):R         (IV) 
或者 
LXM6 YQTOZN((2/3)X+(4/3)Y+T-(2/3)Z):R    (V) 
(式中，L为选自由Be、Mg、Ca、Sr、Ba及Zn所组成的组中的第II族元素的至少1种，M6为选自由C、Si、Ge、Sn、Ti、Zr及Hf所组成的组中的第IV族元素的至少1种，Q为选自由B、Al、Ga及In所组成的组中的第III族元素的至少1种，R为稀土类元素，X、Y、T、Z为0.5＜X＜1.5、1.5＜Y＜2.5、0＜T＜0.5、1.5＜Z＜2.5。) 
上述通式(IV)或(V)所表示的氮氧化物荧光体，以至少一部分中包含元素根据一定的规则排列而成的晶体的方式构成，从该晶体有效地发出高亮度的光。上述通式中，通过设定为0.5＜X＜1.5、1.5＜Y＜2.5、0＜T＜0.5、1.5＜Z＜2.5，能够比较容易地形成作为发光部的结晶相，能够获得发光效率良好且亮度高的荧光体。 
另外，欲将用于调整发光亮度而含有的晶体的比例设定为所期望的值时，可以通过上述通式(IV)中的X、Y、Z的值来进行调整。其中，上述 范围是优选的范围，本发明不限于上述范围。 
另外，该绿色荧光体可以改变O和N的比率。此外也可以改变(L+M)/(O+N)所示的阳离子与阴离子的摩尔比，由此能够微妙地调整发光光谱和强度。其也可以通过例如通过真空等处理使N、O脱离来进行调整，本发明不限于该方法。 
该荧光体的组成中，可以含有Li、Na、K、Rb、Cs、Mn、Re、Cu、Ag、Au中的至少1种以上，通过添加它们，能够调整亮度、量子效率等发光效率。另外，其它元素也可以以不损害特性的程度含有。 
该荧光体中所含的第II族元素的一部分可以被活化剂R置换。相对于第II族元素和上述活化剂R的混合量，上述活化剂R的量优选为(第II族元素和活化剂R的混合量)∶(活化剂R的量)＝1∶0.001～1∶0.8的摩尔比。 
另外，L为选自由Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn所组成的组中的至少1种的第II族元素。L可以是Ca、Sr等单体，但也可以是Ca与Sr、Ca与Ba、Sr与Ba、Ca与Mg等的多种元素的组合。此外，L为多种元素的组合时，其组成比可以变化。特别地，L优选为选自由Mg、Ca、Sr、Ba及Zn所组成的组中的以Ca、Sr、Ba中的任一者为必须成分的至少1种的第II族元素。 
M为选自由C、Si、Ge、Sn、Ti、Zr、Hf所组成的组中的至少1种以上的第IV族元素。M可以是Si、Ge等单体，也可以由Si与C等多种元素的组合构成。本发明中可以采用上述第IV族元素，特别优选采用Si、Ge。通过采用Si、Ge，能够提供廉价且结晶性良好的荧光体。特别地，M优选为选自由C、Si、Ge、Sn、Ti、Hf所组成的组中的以Si为必须成分的至少1种的第IV族元素。 
Q为选自由B、Al、Ga、In所组成的组中的至少1种的第III族元素。 
上述荧光体母体材料主成分的L、M、Q可以使用金属、氧化物、酰亚胺、酰胺、氮化物以及各种盐类等。 
此外，R为稀土类元素。具体而言，R为选自由La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu所组成的组中的1种或2种以上的元素。本发明中，在这些稀土类元素中，优选采用Eu。此外可以包含Eu和1种以上稀土类元素。这种情况下，作为R，优选Eu含有50质量％ 以上、更优选70％以上。即，活化剂R优选为选自由La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu所组成的组中的、以Eu为必须成分的至少1种以上的稀土类元素。除Eu以外的元素作为共活化剂而发挥作用。 
接下来，对在将蓝色LED与红色发光荧光体及绿色发光荧光体组合混色而得到的白色LED装置中使用的红色发光荧光体及绿色发光荧光体的制造方法进行详细说明。 
(绿色发光荧光体4) 
作为绿色发光荧光体，可以列举出下述通式(VI)所示的荧光体。 
(M7 1-XEuX)2SiYO2Y+2                           (VI) 
(式中，M7为选自由Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn所组成的组中的至少1种以上的第II族元素。X及Y为0.001≤X≤0.2、0.9≤Y≤1.1。) 
该硅酸盐系荧光体在大于约490nm的长波长侧的光下激发效率变低。因此，通过490nm以下的短波长侧的光可以有效地被激发。其中特别地通过460nm以下的短波长侧的光可以高效地被激发。 
若将硅酸盐系荧光体激发，则在490nm～580nm的区域具有发光峰波长。该硅酸盐系荧光体的发光峰波长可以通过对硅酸盐系荧光体的组成进行各种变更、改变激发波长来改变。 
硅酸盐系荧光体的组成中的x、y优选为0.001≤X≤0.2、0.9≤Y≤1.1的范围。在该范围内时，在490nm～580nm具有发光峰波长，而成为在绿色系～黄色系发光的高亮度的荧光体。其中优选为0.005≤x≤0.1。通过设定为该范围，能够得到更高亮度。通过变更M7，能够提供具有各种色调的荧光体。 
另外，本发明的一实施方式的、在具有将蓝色LED与红色发光荧光体及绿色发光荧光体组合混色而得到的白色LED装置作为背光的液晶显示装置中使用的滤色器，至少在透明基板上具有包含红色像素的多种颜色的着色像素，这些多种颜色的着色像素由以有机颜料和透明树脂作为主要成分的着色层构成，多种颜色中，可以列举出红、绿、蓝(R、G、B)的组合、或黄、品红、青(Y、M、C)的组合、或在其中加入了橙的组合。 
本实施方式的滤色器特别优选应用于具有红色像素的滤色器(即RGB 系)。而且除R、G、B以外，也能够应用于将Y、M、C排列在同一基板上的滤色器等。 
另外，本实施方式的滤色器在红色显示中为了能够实现在xy色度坐标系中将以下4点(0.620，0.280)、(0.620，0.300)、(0.680，0.315)、(0.680，0.280)连接而成的范围内的色度，用于形成红色像素的红色感光性着色组合物中的颜料的特征如下所述。 
即，至少包含PR177及PR254，且红色感光性着色组合物的固形成分中的总有机颜料的25％以上且不到80％、更优选为45％以上且不到80％为PR177。 
PR177比率不到25％时，色度值y超过了红色感觉所必要的色度范围的上限，红色被感觉为橙色。另外，包含PR177及PR254时，由于x值越高则y值越大，而且PR177比率小时，y值进一步变大，因此背光中的深红效果小时，即背光光谱的第2发光峰与第3发光峰的最低相对发光强度值为第2发光峰或第3发光峰的相对发光强度中较低值的55％以上且不到70％时，x值在高区域下而超过了红色感觉所必要的色度范围的上限，红色被感觉为橙色，因此，为包含PR177及PR254的颜料组合时，PR177的颜料比率优选为45％以上。 
但是，PR177的含有比率越高，则越能够降低y值，对深红化的效果越高，越能够达到目标色度，但阻碍了固化类成分(引发剂)的吸收波长区域，无法维持锥体形状，而且，着色力减弱，膜厚增大等，难以兼顾光刻特性。因此，PR177的含有比率期望为不到80％。 
另外，本实施方式的滤色器在红色显示能够实现在xy色度坐标系中将4点(0.620，0.280)、(0.620，0.300)、(0.680，0.315)、(0.680，0.280)连接而成的范围内的色度的范围内，在用于形成红色像素的红色感光性着色组合物中也可以含有C.I.颜料号PY150、PY139、PY138、PY185、PY13等黄色颜料。 
另外，本发明中，为了使本实施方式的滤色器的红色像素通过与背光的组合而具有深红的规定色的分光透射率特性，由于根据背光光谱特性其范围是可变的，因此不特别地作规定。但是，根据最低发光强度值的位置取决于短波长等发光光谱分布，优选使红色像素的50％透射率的波长位置 位移至大于580nm的长波长侧。 
以下，对本发明的一实施方式的液晶显示装置中使用的白色LED装置背光的结构进行详细说明。 
作为本发明的一实施方式的液晶显示装置中使用的白色LED装置背光的结构的一例，可以列举出图4所示的组装图那样的结构。即，在金属框架(或树脂框)内依次层叠反射片、侧面配置有多个LED(表面安装型发光装置)的导光板、漫射片、2片棱镜片，从而构成白色LED装置背光。另外，多个LED(表面安装型发光装置)安装在基板上。 
图5示出了LED的结构的一例。这里所示的LED为表面安装型发光装置，但不限于此，也能够采用目前一直使用的插入型发光装置。上述表面安装型发光装置在具有上方开口的凹部的发光元件搭载筐体1的凹部的底面通过小片接合(die bond)贴合发光元件2，在该发光元件2上覆盖分散有荧光体3的透光性树脂4。发光元件2的上部电极通过第1导线5连接于第1外部电极6上，下部电极通过第2导线7连接于第2外部电极8上。另外，发光元件搭载筐体1的凹部的内表面包覆有光反射材料9。上述发光元件具有由氮化镓系化合物半导体形成的发光层，以本发明中使用的白色LED装置的发光光谱中的第1峰波长进行发光，并且，作为上述红色发光荧光体及绿色发光荧光体的激发光源。作为氮化物系化合物半导体(通式IniGajAlkN，其中，0≤i、0≤j、0≤k、i+j+k＝1)，有InGaN、掺有各种杂质的GaN等各种半导体。该元件可以通过利用MOCVD法等在基板上生长InGaN或GaN等半导体作为发光层而形成。 
作为半导体的结构，可以列举出具有MIS接合、PI接合、或PN接合等的同质结构、异质结构或双异质结构。该氮化物半导体层可以根据其材料或其混晶度来选择各种发光波长。另外，半导体活性层也可以设置为产生量子效果的由薄膜形成的单一量子阱结构或多量子阱结构。 
以下，对本发明的液晶显示装置中使用的滤色器进行详细说明。 
用于滤色器的透明基板优选为对可见光具有一定程度的透射率的透明基板，进一步优选使用具有80％以上透射率的透明基板。通常可以是用于液晶显示装置的透明基板，可以列举出PET等塑料基板或玻璃，通常可以采用玻璃基板。当采用遮光图案时，可以使用事先用公知的方法在透明基 板上形成了由铬等的金属薄膜或遮光性树脂形成的图案的透明基板。 
关于在透明基板上制作像素的方法，可以采用公知的喷墨法、印刷法、光刻法、蚀刻法等任一方法来制作。但若考虑到高精细、分光特性的控制性以及再现性等，优选光刻法。光刻法是如下方法：使颜料分散到透明树脂中、再与光引发剂、聚合性单体一起分散到适当的溶剂中而得到着色组合物，将得到的着色组合物在透明基板上涂布制膜，形成着色层，将该着色层进行图案曝光，显影，形成一种颜色的像素，对各颜色反复进行这些工序，由此来制作滤色器。 
通过光刻法形成构成滤色器的像素的着色层的情形下，例如可以按照下面的方法。将作为着色剂的颜料在透明树脂中分散后，同光引发剂、聚合性单体一起与适当的溶剂混合。作为将成为着色剂的颜料分散在透明树脂中的方法，有研磨基料、三辊、气流磨等各种方法，没有特殊限制。 
下面，用颜料索引号来表示能在形成滤色器的像素的着色组合物中使用的有机颜料的具体例子。作为红色颜料，可以列举出C.I.颜料红254、PR177(颜料红177)以及C.I.颜料红7、9、14、41、48:1、48:2、48:3、48:4、81:1、81:2、81:3、97、122、123、146、149、168、177、178、179、180、184、185、187、192、200、202、208、210、215、216、217、220、223、224、226、227、228、240、246、255、264、272、279等。 
作为黄色颜料，可以列举出C.I.颜料黄1、2、3、4、5、6、10、12、13、14、15、16、17、18、20、24、31、32、34、35、35:1、36、36:1、37、37:1、40、42、43、53、55、60、61、62、63、65、73、74、77、81、83、86、93、94、95、97、98、100、101、104、106、108、109、110、113、114、115、116、117、118、119、120、123、125、126、127、128、129、137、138、139、144、146、147、148、150、151、152、153、154、155、156、161、162、164、166、167、168、169、170、171、172、173、174、175、176、177、179、180、181、182、185、187、188、193、194、199、213、214等。 
作为橙色颜料，可以列举出C.I.颜料橙36、43、51、55、59、61、71、73等。 
作为绿色颜料，可以列举出C.I.颜料绿7、10、36、37等。 
作为蓝色颜料，可以列举出C.I.颜料蓝15、15:1、15:2、15:3、15:4、15:6、16、22、60、64、80等。 
作为紫色颜料，可以列举出C.I.颜料紫1、19、23、27、29、30、32、37、40、42、50等。 
上述颜料根据像素的不同，可以单独使用或2种以上组合使用。 
此外，为了与上述有机颜料组合以取得彩度与亮度的平衡并确保良好的涂布性、感度、显影性等，可以组合使用无机颜料。作为无机颜料，可以列举出铬黄、锌黄、铁丹(红色氧化铁(III))、镉红、群青、普鲁士蓝、氧化铬绿、钴绿等金属氧化物粉、金属硫化物粉、金属粉等。此外，为了调色，还可以在不降低耐热性的范围内含有染料。 
着色组合物中使用的透明树脂是在可见光区域的400～700nm的总波长范围内透射率优选为80％以上、更优选为95％以上的树脂。透明树脂包含热塑性树脂、热固性树脂以及感光性树脂。作为透明树脂，根据需要可以将作为其前体的通过放射线照射进行固化而成生透明树脂的单体或低聚物单独或使用混合2种以上使用。 
作为热塑性树脂，例如可以列举出丁醛树脂、苯乙烯-马来酸共聚物、氯化聚乙烯、氯化聚丙烯、聚氯乙烯、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚乙酸乙烯酯、聚氨酯类树脂、聚酯树脂、丙烯酸类树脂、醇酸树脂、聚苯乙烯、聚酰胺树脂、橡胶类树脂、环化橡胶类树脂、纤维素类、聚乙烯、聚丁二烯、聚酰亚胺树脂等。另外，作为热固性树脂，例如可以列举出环氧树脂、苯并胍胺树脂、松香改性马来酸树脂、松香改性富马酸树脂、三聚氰胺树脂、尿素树脂、酚醛树脂等。 
作为感光性树脂，可以采用使具有羟基、羧基、氨基等反应性取代基的线状高分子与具有异氰酸酯基、醛基、环氧基等反应性取代基的(甲基)丙烯酸化合物或肉桂酸反应从而在该线状高分子中导入(甲基)丙烯酰基、苯乙烯基等光交联性基而得到的树脂。另外，还可以使用将苯乙烯-马来酸酐共聚物或α-烯烃-马来酸酐共聚物等含有酸酐的线状高分子通过(甲基)丙烯酸羟基烷基酯等具有羟基的(甲基)丙烯酸化合物进行半酯化而得到的树脂。 
关于能用作光交联剂的聚合性单体，作为代表例，可以列举出三羟甲 基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、环氧乙烷改性三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、环氧丙烷改性三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯等各种丙烯酸酯以及甲基丙烯酸酯等。 
它们可以单独使用或2种以上混合使用，此外，为了恰当地确保光固化性，根据需要，可以混合使用其他的聚合性单体和低聚物。 
作为其他的聚合性单体和低聚物，可以列举出(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸环己酯、(甲基)丙烯酸β-羧基乙酯、二甘醇二(甲基)丙烯酸酯、1，6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、三甘醇二(甲基)丙烯酸酯、三丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、1，6-己二醇二缩水甘油醚二(甲基)丙烯酸酯、双酚A二缩水甘油醚二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二缩水甘油醚二(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、三环癸基(甲基)丙烯酸酯、丙烯酸酯(ester acrylate)、羟甲基化三聚氰胺的(甲基)丙烯酸酯、环氧基(甲基)丙烯酸酯、氨基甲酸酯丙烯酸酯等各种丙烯酸酯以及甲基丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸、苯乙烯、乙酸乙烯酯、羟乙基乙烯基醚、乙二醇二乙烯基醚、季戊四醇三乙烯基醚、(甲基)丙烯酰胺、N-羟基甲基(甲基)丙烯酰胺、N-乙烯基甲酰胺、丙烯腈等。 
它们可以单独使用或2种以上混合使用。 
在通过紫外线照射将着色组合物固化的情况下，可以在着色组合物中添加光聚合引发剂等。作为光聚合引发剂，可以列举出4-苯氧基二氯苯乙酮、4-叔丁基-二氯苯乙酮、二乙氧基苯乙酮、1-(4-异丙基苯基)-2-羟基-2-甲基丙烷-1-酮、1-羟基环己基苯基酮、2-苄基-2-二甲基氨基-1-(4-吗啉基苯基)-丁-1-酮等苯乙酮类化合物、苯偶姻、苯偶姻甲基醚、苯偶姻乙基醚、苯偶姻异丙基醚、苯偶酰二甲缩酮等苯偶姻类化合物、二苯甲酮、苯甲酰苯甲酸、苯甲酰苯甲酸甲酯、4-苯基二苯甲酮、羟基二苯甲酮、丙烯酸化二苯甲酮、4-苯甲酰-4’-甲基二苯基硫化物、3，3’，4，4’-四(叔丁基过氧化羰基)二苯甲酮等二苯甲酮类化合物、噻吨酮、2-氯噻吨酮、2-甲基噻吨酮、异丙基噻吨酮、2，4-二异丙基噻吨酮、2，4-二乙基噻吨酮等噻吨 酮类化合物、2，4，6-三氯-s-三嗪、2-苯基-4，6-二(三氯甲基)-s-三嗪、2-(对甲氧基苯基)-4，6-二(三氯甲基)-s-三嗪、2-(对甲苯基)-4，6-二(三氯甲基)-s-三嗪、2-胡椒基-4，6-二(三氯甲基)-s-三嗪、2，4-二(三氯甲基)-6-苯乙烯基-s-三嗪、2-(萘-1-基)-4，6-二(三氯甲基)-s-三嗪、2-(4-甲氧基-萘-1-基)-4，6-二(三氯甲基)-s-三嗪、2，4-三氯甲基-(胡椒基)-6-三嗪、2，4-三氯甲基(4’-甲氧基苯乙烯基)-6-三嗪等三嗪类化合物、1，2-辛烷二酮，1-[4-(苯硫基)-，2-(O-苯甲酰肟)]、O-(乙酰基)-N-(1-苯基-2-氧代-2-(4’-甲氧基-萘基)亚乙基)羟基胺等肟酯类化合物、二(2，4，6-三甲基苯甲酰基)苯基膦氧化物、2，4，6-三甲基苯甲酰基二苯基膦氧化物等膦类化合物、9，10-菲醌、樟脑醌、乙基蒽醌等醌类化合物、硼酸盐类化合物、咔唑类化合物、咪唑类化合物、二茂钛类化合物等。 
这些光聚合引发剂可以使用1种，或将2种以上混合使用。以着色组合物的总固体成分量为基准，光聚合引发剂的用量优选为0.5～50质量％，进一步优选为3～30质量％。 
另外，作为增感剂，可以并用三乙醇胺、甲基二乙醇胺、三异丙醇胺、4-二甲基氨基苯甲酸甲酯、4-二甲基氨基苯甲酸乙酯、4-二甲基氨基苯甲酸异戊酯、苯甲酸2-二甲基氨基乙酯、4-二甲基氨基苯甲酸2-乙基己酯、N，N-二甲基对甲苯胺、4，4’-二(二甲基氨基)二苯甲酮、4，4’-二(二乙基氨基)二苯甲酮、4，4’-二(乙基甲基氨基)二苯甲酮等胺类化合物。 
这些增感剂可以使用1种或将2种以上混合使用。以光聚合引发剂和增感剂的总量为基准，增感剂的用量优选为0.5～60质量％，进一步优选为3～40质量％。 
另外，根据需要，作为热交联剂，例如可以列举出三聚氰胺树脂、环氧树脂等。作为三聚氰胺树脂，有烷基化三聚氰胺树脂(甲基化三聚氰胺树脂、丁基化三聚氰胺树脂等)、混合醚化三聚氰胺树脂等，可以是高缩合型，也可以是低缩合型。作为环氧树脂，例如可以列举出甘油·多缩水甘油醚、三羟甲基丙烷·多缩水甘油醚、间苯二酚·二缩水甘油醚、新戊二醇·二缩水甘油醚、1，6-己二醇·二缩水甘油醚、乙二醇(聚乙二醇)·二缩水甘油醚等。 
它们均可以单独使用或2种以上混合使用。 
着色组合物根据需要可以含有有机溶剂。作为有机溶剂，例如可以列举出环己酮、乙基溶纤剂乙酸酯、丁基溶纤剂乙酸酯、1-甲氧基-2-丙基乙酸酯、二甘醇二甲基醚、乙基苯、乙二醇二乙基醚、二甲苯、乙基溶纤剂、甲基正戊基酮、丙二醇单甲基醚甲苯、甲乙酮、乙酸乙酯、甲醇、乙醇、异丙醇、丁醇、异丁基酮、石油类溶剂等，它们可以单独使用或混合使用。 
在透明基板上涂布上述感光性着色组合物，进行预烘烤。涂布的方法通常采用旋涂、浸渍涂布、口模涂布等，只要是能在约40～60cm见方左右的基板上以均一的膜厚进行涂布的方法即可，不限于这些。预烘烤优选在50～120℃下进行10～20分钟左右。涂布膜厚为任意的厚度，但若考虑到分光透射率等，通常以预烘烤后的膜厚计为2μm左右。 
这样涂布感光性着色组合物，对形成了着色层的基板通过图案掩模进行曝光。光源只要采用通常的高压汞灯等即可。 
然后，对曝光后的着色层进行显影。显影液采用碱性水溶液。作为碱性水溶液的例子，可以列举出碳酸钠水溶液、碳酸氢钠水溶液、或两者的混合水溶液、或在它们中添加了适当的表面活性剂等得到的水溶液。 
显影后，水洗，干燥，得到任意一种颜色的像素。 
改变感光性着色组合物和图案，将以上一系列工序反复进行所需的次数，从而能够得到具备由所需的颜色数目组合而成的着色图案即多种颜色的像素的滤色器。 
以下，对具备以上那样获得的白色LED装置以及滤色器的液晶显示装置的构成的一例进行说明。 
图6是本发明的一实施方式的液晶显示装置的概略截面图。图6所示的液晶显示装置是TFT驱动型液晶显示装置的典型例子，其具有相向分离配置的透明基板11、21，在它们之间封入了液晶(LC)。本发明的一实施方式的液晶显示装置中，可以适用TN(扭曲向列)、STN(超扭曲向列)、IPS(面内转换)、VA(垂直排列)、OCB(光学补偿弯曲排列)、强介电性液晶等液晶。 
在第1透明基板11的内表面形成TFT(薄膜晶体管)阵列12，在其上形成例如由ITO形成的透明电极层13。在透明电极层13上设置取向层14。 另外，在透明基板11的外表面形成偏振片15。 
另外，在第2透明基板21的内表面形成滤色器22。构成滤色器22的红色、绿色以及蓝色的滤波器节通过黑色矩阵(未图示)而分离。覆盖滤色器22，而根据需要形成透明保护膜(未图示)，并进一步在其上形成例如由ITO形成的透明电极层23，覆盖透明电极层23而设置取向层24。另外，透明基板21的外表面形成有偏振片25。另外，在偏振片15的下方设有背光单元30。 
实施例 
通过以下的实施例，对本发明进行具体说明，但本发明不限于此。 
[背光的制作] 
(白色LED装置背光制作例1) 
在嵌入有正及负的一对外部电极并封闭的模具内，从处于与筐体的主表面相向的下表面侧的浇口，流入熔融的聚邻苯二甲酰胺树脂，使其固化，形成筐体。筐体具有能够收纳发光元件的开口部，按照从该开口部底面露出正及负的外部电极中一者的主表面的方式成形为一体。 
从筐体侧面露出的正及负的外部电极的各外引线部在与发光面相反侧的面的两端部向内侧弯曲。对于这样形成的开口部的底面，用环氧树脂将主波长峰为455nm的LED芯片小片接合，并通过导线与各外部电极进行电连接。 
接下来，相对于3g硅树脂组合物，添加并混合约0.25g在525nm附近具有发光峰的卤硅酸盐Ca8MgSi4O16Cl2:Eu、约0.06g在660nm附近具有发光峰的氮化物荧光体CaAlSiBN3:Eu。 
将这样获得的透光性树脂填充入筐体开口部内直至与开口部的两端部上表面成同一平面线。最后，在70℃下实施3小时热处理，进而在150℃下实施1小时热处理。 
将这样获得的白色LED装置与导光板光学连接。最后，依次层叠固定反射片、上述导光板、漫射片、以及棱镜片，构成背光(1)。这里，能够适用本发明的背光的构成不限于此，也可以使用目前一直采用的所有背光的结构。 
背光(1)的发光光谱的第2峰波长至第3峰波长间的最低相对发光强 度值相对于第2峰波长的相对发光强度值或第3峰波长的相对发光强度值中较低的值为47％。 
(白色LED装置背光制作例2) 
白色LED装置的制作中，相对于3g硅树脂组合物，添加并混合约0.25g在535nm附近具有发光峰的硅酸盐系荧光体(Br，Sr)2SiO4:Eu、约0.06g在660nm附近具有发光峰的氮化物荧光体CaAlSiBN3:Eu，除此之外，与上述制作例1同样地得到作为白色LED装置的背光(2)。 
背光(2)的发光光谱的第2峰波长至第3峰波长间的最低相对发光强度值相对于第2峰波长的相对发光强度值或第3峰波长的相对发光强度值中较低的值为64％。 
(白色LED装置背光制作例3) 
白色LED装置的制作中，相对于3g硅树脂组合物，添加并混合约0.24g在530nm附近具有发光峰的硅酸盐系荧光体(Br，Sr)2SiO4:Eu、约0.04g在650nm附近具有发光峰的氮化物荧光体CaAlSiBN3:Eu，除此之外，与上述制作例1同样地得到作为白色LED装置的背光(3)。 
背光(3)的发光光谱的第2峰波长至第3峰波长间的最低相对发光强度值相对于第2峰波长的相对发光强度值或第3峰波长的相对发光强度值中较低的值为75％。 
白色LED装置的制作中，相对于3g硅树脂组合物，添加约0.4g在560nm附近具有发光峰的YAGG系荧光体Y3Al5O12:Ce，除此之外，与上述制作例1同样地得到作为白色LED装置的背光(4)。 
关于白色LED装置背光制作例1～3中得到的背光(1)～(3)以及作为伪白色LED装置的背光(4)，以最大发光强度为1时的相对发光强度光谱如图7所示。 
作为与上述4种背光组合的滤色器的红色像素制作用红色感光性着色组合物，采用PR254、PR177及PY150，得到下述表1所示的颜料比率的红色感光性着色组合物1～5。 
[表1] 
Figure GPA00001016822200201
使用上述表1所示的红色感光性着色组合物1及2，与背光(1)组合时，按照x＝0.680的方式调整膜厚，形成红色像素1、2，将背光(1)和红色像素1、2的组合作为实施例1、2。 
使用红色感光性着色组合物1，与背光(2)组合时，按照x＝0.680的方式调整膜厚，形成红色像素3，将背光(2)和红色像素3的组合作为实施例3。 
使用红色感光性着色组合物3，与背光(1)组合时，按照x＝0.680的方式调整膜厚，形成红色像素4，将背光(1)和红色像素4的组合作为实施例4。 
使用红色感光性着色组合物1以及2，与背光(1)组合时，按照x＝0.620的方式调整膜厚，形成红色像素5、6，将背光(1)和红色像素5、6的组合作为实施例5、6。 
使用红色感光性着色组合物1，与背光(2)组合时，按照x＝0.620调整膜厚，形成红色像素7，将背光(2)和红色像素7的组合作为实施例7。 
使用红色感光性着色组合物3，与背光(1)组合时，按照x＝0.680的方式调整膜厚，形成红色像素8，将背光(1)和红色像素8的组合作为实施例8。 
以上的实施例1～8中使用的红色像素1～8的分光透射率特性如图8所示。 
另外，使用红色感光性着色组合物1，与背光(3)组合时，按照x＝0.680的方式调整膜厚，形成红色像素9，将背光(3)和红色像素9的组合作为比较例1。 
使用红色感光性着色组合物4，与背光(1)、(2)、(3)组合时，按照x＝0.680的方式调整膜厚，形成红色像素10、11、12，将背光(1)、(2)、 
(3)和红色像素10、11、12的组合作为比较例2、3、4。 
使用红色感光性着色组合物5，与背光(4)组合时，按照x＝0.680的方式调整膜厚，形成红色像素13，将背光(4)和红色像素13的组合作为比较例5。 
按照x＝0.620的方式调整膜厚，形成红色像素14～18，并与各背光组合，除此之外，设成与比较例1～5同样的比较例6～10。 
比较例1～5中使用的红色像素9～13的分光透射率如图9所示，比较例6～10中使用的红色像素14～18的分光透射率如图10所示。 
通过以下方法对实施例、比较例的红色显示色度以及光刻特性进行评价。 
1.背光中的深红性 
(1)是第1峰波长为440～470nm、第2峰波长为510～550nm、第3峰波长为630～670nm的三波长的白色LED装置，是第2峰波长～第3峰波长间的最低相对发光强度相对于第2峰波长及第3峰波长的相对发光强度值中较低的值不到55％的背光。 
(2)是第1峰波长为440～470nm、第2峰波长为510～550nm、第3峰波长为630～670nm的三波长的白色LED装置，是第2峰波长～第3峰波长间的最低相对发光强度相对于第2峰波长及第3峰波长的相对发光强度值中较低的值为55％以上且70％以下的背光。 
(3)是第1峰波长为440～470nm、第2峰波长为510～550nm、第3峰波长为630～670nm的三波长的白色LED装置，是第2峰波长～第3峰波长间的最低相对发光强度相对于第2峰波长及第3峰波长的相对发光强度值中较低的值超过70％的背光。 
(4)是在蓝色LED中组合黄色荧光体而成的2波长白色LED装置背光。 
2.用于形成滤色器的红色像素的红色感光性着色组合物的颜料比率 
A：用于形成红色像素的红色感光性着色组合物的颜料比率为PR177/PR254＝80/20～100/0 
B：用于形成红色像素的红色感光性着色组合物的颜料比率为PR177/PR254＝45/55～80/20 
C：用于形成红色像素的红色感光性着色组合物的颜料比率为 PR177/PR254＝25/75～45/55 
D：用于形成红色像素的红色感光性着色组合物中的颜料除PR177/PR254以外包含黄色颜料。 
E：用于形成红色像素的红色感光性着色组合物的颜料比率为PR177/PR254＝0/100～25/75 
3.红色显示 
○：红色像素的色度值位于在xy色度坐标系中将(0.620，0.280)、(0.620，0.300)、(0.680，0.315)、(0.680，0.280)连接而成的色度范围内，感觉到红色。 
×：红色像素的色度值位于在xy色度坐标系中将(0.620，0.280)、(0.620，0.300)、(0.680，0.315)、(0.680，0.280)连接而成的色度范围外，无法感觉到红色。 
另外，y值大于上述范围时，感觉为朱红色～橙色，y值小于上述范围时，感觉为红紫色。 
3.光刻特性 
○：截面形状为正锥形。 
×：截面形状为倒锥形。 
[评价结果] 
实施例1～6的评价结果如下述表2所示。 
[表2] 
Figure GPA00001016822200231
由上述表2的结果可知，背光使用将蓝色LED与红色发光荧光体及绿色发光荧光体组合混色而得到的白色LED装置、并与包含使用了预定颜料的红色像素的滤色器组合的实施例1～8中，显示出优异的红色再现性及光刻特性。 
另外，使用深红性高的背光(背光评价：I、II)，并使用深红性高的颜料PR177比率为25％以上且不到80％的红色感光性着色组合物(颜料评价：C、D)形成滤色器的红色着色像素时，红色显示特性特别良好。 
另外，使用同一红色感光性着色组合物时，背光的光谱的第2～第3峰波长间的相对最低发光强度相对于第2或第3峰波长中较低的值为更低的强度比率时，深红性更高，红色再现性优异。 
进而，在背光的深红性较高的情况下，即使用于形成滤色器的红色像素的红色感光性着色组合物中包含黄色颜料PY150时(颜料评价：D)，红色显示特性也在规定色度范围内，良好。若这样在规定色度范围内，作为调色而包含黄色颜料时，也能够实施。但是，通过用黄色颜料的调色，与不含黄色颜料的体系相比，深红性变差，因此不期望过剩地含有黄色颜料。 
接下来，将比较例1～5的评价结果示于下述表3，将比较例6～10的评价结果示于下述表4。 
[表3] 
Figure GPA00001016822200241
[表4] 
由上述表3及表4可知如下内容。即，如比较例1及6所示，即使背光为将蓝色LED与红色发光荧光体及绿色发光荧光体组合混色而得到的白色LED装置的情况下，深红性低时，即使用于形成滤色器的红色像素的红色感光性着色组合物中深红性高的颜料PR177比率为45％以上时(颜料评价：B)，红色显示特性也不良，红色被感觉为朱红色～橙色。 
另外，如比较例2～4及7～9所示，即使背光为将蓝色LED与红色发光荧光体及绿色发光荧光体组合混色而得到的白色LED装置，用于形成滤色器的红色像素的红色感光性着色组合物中深红性高的PR177比率为25％以下、很低，且深红性差时(颜料评价：E)，红色显示特性不良。特别是在背光的深红性低时(比较例4、9)，红色的橙味显著。 
另外，如比较例5及10所示，背光为2波长的白色LED装置(背光评价：IV)时，即使用于形成滤色器的红色像素的红色感光性着色组合物中深红性高的PR177比率为100％(颜料评价：A)时，红色显示特性也很差，红被感觉成橙味。2波长的白色LED装置中，在长波长区域没有发光峰，因而利用滤色器的深红化中存在限制，难以显示深红色。另外，将红色感光性着色组合物的PR177比率设定得相当高时(颜料评价：A)，图案形成时的截面形状变为倒锥形，光刻特性不良。 
根据以上结果可知，特别是作为背光使用第1发光峰440～470nm、第2发光峰510～550nm、第3发光峰630～670nm的三波长的白色LED装置、且第2峰波长～第3峰波长间的最低相对发光强度值相对于第2峰波长及第3峰波长中相对发光强度值中较低的值为70％以下的深红性高的背光，且作为与该背光组合的滤色器，为如下滤色器：用于形成红色像素的红色感光性着色组合物中，作为颜料至少包含PR177及PR254，作为颜料由PR177及PR254构成，其颜料比率为含有25％以上的深红性优异的颜料即PR177、更优选以45％～80％含有时，可获得特别是能显示深红的红色的液晶显示装置，可获得光刻特性良好的滤色器。 

Claims (8)

1.一种液晶显示装置，其特征在于，其是具备背光以及滤色器的液晶显示装置，所述背光具有将蓝色LED与红色发光荧光体及绿色发光荧光体组合混色而得到的白色LED装置，所述滤色器在透明基板上具有包含红色像素的多种颜色的着色像素，所述白色LED装置的发光光谱在440nm以上且470nm以下具有第1峰波长、在510nm以上且550nm以下具有第2峰波长、以及在630nm以上且670nm以下具有第3峰波长，
所述第2峰波长与第3峰波长之间的最低相对发光强度值为第2峰波长的相对发光强度值及第3峰波长的相对发光强度值中的任一较低值的70％以下，
所述红色像素具有使得所述液晶显示装置的红色显示色度位于在xy色度坐标系中将4点(0.620，0.280)、(0.620，0.300)、(0.680，0.315)及(0.680，0.280)连接而成的色度范围内那样的颜料组成及膜厚。
2.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，所述红色发光荧光体为由Eu活化、且包含第II族元素M1、Si、Al、B及N的下述通式(I)所示的氮化物荧光体，对紫外线至蓝色光进行吸收而发出红光；
M1 wAlxSiyBzN((2/3)w+x+(4/3)y+z)：Eu2+            (I)
式中，M1为选自由Mg、Ca、Sr及Ba所组成的组中的至少1种，w、x、y、z为0.056≤w≤9、x＝1、0.056≤y≤18、0.0005≤z≤0.5。
3.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，所述绿色发光荧光体如下述通式(II)所示：
Ba5-x-yEuxM2 ySimO5+2m                           (II)
式中，M2为Ca及Sr中的至少1种，x、y、m为0.0001≤x≤0.3、0≤y≤0.8、2.5＜m＜3.5。
4.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，所述绿色发光荧光体如下述通式(III)所示：
(M3 1-yRy)aMgM4 bM5 cOa+2b+(3/2)cX2            (III)
式中，M3为选自由Ca、Sr、Ba、Zn及Mn所组成的组中的至少1种，M4为选自由Si、Ge及Sn所组成的组中的至少1种，M5为选自由B、Al、Ga及In所组成的组中的至少1种，X为选自由F、Cl、Br及I所组成的组中的至少1种，R具有选自稀土类元素的以Eu为必须成分的至少1种；并且，y、a、b及c为0.0001≤y≤0.3、7.0≤a＜10.0、3.0≤b＜5.0、0≤c＜1.0。
5.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，所述绿色发光荧光体如下述通式(IV)或(V)所示：
LXMYOZN((2/3)X+(4/3)Y-(2/3)Z)：R              (IV)
或
LXM6 YQTOZN((2/3)X+(4/3)Y+T-(2/3)Z)：R         (V)
式中，L为选自由Be、Mg、Ca、Sr、Ba及Zn所组成的组中的第II族元素的至少1种，M为选自由C、Si、Ge、Sn、Ti、Zr、Hf所组成的组中的至少1种以上的第IV族元素，M6为选自由C、Si、Ge、Sn、Ti、Zr及Hf所组成的组中的第IV族元素的至少1种，Q为选自由B、Al、Ga及In所组成的组中的第III族元素的至少1种，R为稀土类元素，X、Y、T、Z为0.5＜X＜1.5、1.5＜Y＜2.5、0＜T＜0.5、1.5＜Z＜2.5。
6.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，所述绿色发光荧光体如下述通式(VI)所示：
(M7 1-XEuX)2SiYO2Y+2                          (VI)
式中，M7为选自由Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn所组成的组中的至少1种以上的第II族元素；X及Y为0.001≤X≤0.2、0.9≤Y≤1.1。
7.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，用于形成所述红色像素的红色感光性着色组合物中的有机颜料至少包含C.I.颜料号PR177及C.I.颜料号PR254，且所述红色感光性着色组合物的固形成分中的总有机颜料的25％以上且不到80％为C.I.颜料号PR177。
8.一种滤色器，其特征在于，其是权利要求1所述的液晶显示装置中使用的滤色器，在透明基板上具有包含红色像素的多种颜色的着色像素，且所述红色像素具有使得所述液晶显示装置的红色显示色度位于在xy色度坐标系中将4点(0.620，0.280)、(0.620，0.300)、(0.680，0.315)及(0.680，0.280)连接而成的色度范围内那样的颜料组成及膜厚。
CN2008801022091A 2007-08-30 2008-08-20 液晶显示装置及用于该液晶显示装置的滤色器 Active CN101971082B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007-224445 2007-08-30
JP2007224445A JP5183128B2 (ja) 2007-08-30 2007-08-30 液晶表示装置
PCT/JP2008/064825 WO2009028370A1 (ja) 2007-08-30 2008-08-20 液晶表示装置およびそれに用いるカラーフィルタ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101971082A CN101971082A (zh) 2011-02-09
CN101971082B true CN101971082B (zh) 2013-03-20

Family

ID=40387093

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2008801022091A Active CN101971082B (zh) 2007-08-30 2008-08-20 液晶显示装置及用于该液晶显示装置的滤色器

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8130342B2 (zh)
JP (1) JP5183128B2 (zh)
KR (1) KR101156405B1 (zh)
CN (1) CN101971082B (zh)
TW (1) TWI451161B (zh)
WO (1) WO2009028370A1 (zh)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8164710B2 (en) * 2008-09-04 2012-04-24 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Backlight assembly and liquid crystal display apparatus having the same
KR100977513B1 (ko) * 2008-10-23 2010-08-23 (주) 아모엘이디 마젠타 색 출광이 가능한 엘이디 패키지
WO2011132394A1 (ja) * 2010-04-20 2011-10-27 パナソニック株式会社 発光ダイオード
JP5671991B2 (ja) * 2010-12-15 2015-02-18 大日本印刷株式会社 白色発光ダイオード光源用カラーフィルタ及び表示装置
JP5849392B2 (ja) * 2010-12-28 2016-01-27 大日本印刷株式会社 白色発光ダイオード光源用カラーフィルタ及び表示装置
TWI468797B (zh) * 2011-02-25 2015-01-11 Au Optronics Corp 顯示裝置及其背光模組
US8663502B2 (en) 2011-12-30 2014-03-04 Intematix Corporation Red-emitting nitride-based phosphors
JP2015506396A (ja) 2011-12-30 2015-03-02 インテマティックス・コーポレーションＩｎｔｅｍａｔｉｘ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 荷電平衡のための格子間カチオンを有する窒化物蛍光体
KR101546510B1 (ko) 2012-07-18 2015-08-21 인터매틱스 코포레이션 적색-발광 질화물계 인광체
US8597545B1 (en) 2012-07-18 2013-12-03 Intematix Corporation Red-emitting nitride-based calcium-stabilized phosphors
TWI470288B (zh) * 2012-07-27 2015-01-21 Innocom Tech Shenzhen Co Ltd 液晶顯示裝置
WO2014145644A2 (en) * 2013-03-15 2014-09-18 Spanard Jan-Marie Methods of tuning light emitting devices and tuned light emitting devices
JP6334133B2 (ja) * 2013-10-30 2018-05-30 大日本印刷株式会社 高色域液晶表示装置
JP6397789B2 (ja) * 2014-07-04 2018-09-26 株式会社ジャパンディスプレイ 面光源装置及び液晶表示装置
CN107430299A (zh) * 2015-03-19 2017-12-01 夏普株式会社 液晶显示装置
US10784416B2 (en) * 2016-03-24 2020-09-22 Sharp Kabushiki Kaisha Light source device and light emitting device
CN114258266B (zh) * 2019-08-27 2023-11-07 昕诺飞控股有限公司 一种用于照亮水族箱的照明设备
KR20220114352A (ko) * 2021-02-08 2022-08-17 엘지전자 주식회사 디스플레이 디바이스

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003185830A (ja) * 2001-10-11 2003-07-03 Toray Ind Inc カラーフィルター及び液晶表示装置
JP2004184737A (ja) * 2002-12-04 2004-07-02 Toray Ind Inc 半透過型液晶表示装置
CN1705732A (zh) * 2002-10-16 2005-12-07 日亚化学工业株式会社 氧氮化物荧光体及其制造方法以及使用该氧氮化物荧光体的发光装置
JP2006306981A (ja) * 2005-04-27 2006-11-09 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物蛍光体及びそれを用いた発光装置
CN1874019A (zh) * 2005-05-30 2006-12-06 夏普株式会社 发光器件及其制造方法
JP2007039571A (ja) * 2005-08-04 2007-02-15 Nichia Chem Ind Ltd 蛍光体及び発光装置
EP1816179A1 (en) * 2006-02-02 2007-08-08 Nichia Corporation Phosphor and light emitting device using the same

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IT1180117B (it) * 1984-11-08 1987-09-23 Cselt Centro Studi Lab Telecom Struttura per antenna dicroica
US7528908B2 (en) * 2002-06-04 2009-05-05 Toray Industries, Inc. Color filter for liquid crystal display and semitransmission liquid crystal display
MY149573A (en) 2002-10-16 2013-09-13 Nichia Corp Oxynitride phosphor and production process thereof, and light-emitting device using oxynitride phosphor
JP4415548B2 (ja) * 2002-10-16 2010-02-17 日亜化学工業株式会社 オキシ窒化物蛍光体を用いた発光装置
WO2006077740A1 (ja) * 2004-12-28 2006-07-27 Nichia Corporation 窒化物蛍光体及びその製造方法並びに窒化物蛍光体を用いた発光装置
JP2007049114A (ja) 2005-05-30 2007-02-22 Sharp Corp 発光装置とその製造方法
KR101171182B1 (ko) 2005-08-05 2012-08-06 삼성전자주식회사 백라이트 유닛 및 이를 사용한 액정 표시 장치
JP4816030B2 (ja) * 2005-11-28 2011-11-16 ソニー株式会社 光源装置、表示装置、及び光源装置の製造方法
KR100930171B1 (ko) * 2006-12-05 2009-12-07 삼성전기주식회사 백색 발광장치 및 이를 이용한 백색 광원 모듈

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003185830A (ja) * 2001-10-11 2003-07-03 Toray Ind Inc カラーフィルター及び液晶表示装置
CN1705732A (zh) * 2002-10-16 2005-12-07 日亚化学工业株式会社 氧氮化物荧光体及其制造方法以及使用该氧氮化物荧光体的发光装置
JP2004184737A (ja) * 2002-12-04 2004-07-02 Toray Ind Inc 半透過型液晶表示装置
JP2006306981A (ja) * 2005-04-27 2006-11-09 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物蛍光体及びそれを用いた発光装置
CN1874019A (zh) * 2005-05-30 2006-12-06 夏普株式会社 发光器件及其制造方法
JP2007039571A (ja) * 2005-08-04 2007-02-15 Nichia Chem Ind Ltd 蛍光体及び発光装置
EP1816179A1 (en) * 2006-02-02 2007-08-08 Nichia Corporation Phosphor and light emitting device using the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR20100040942A (ko) 2010-04-21
JP5183128B2 (ja) 2013-04-17
CN101971082A (zh) 2011-02-09
TW200919021A (en) 2009-05-01
TWI451161B (zh) 2014-09-01
KR101156405B1 (ko) 2012-06-13
US8130342B2 (en) 2012-03-06
US20100296024A1 (en) 2010-11-25
WO2009028370A1 (ja) 2009-03-05
JP2009058650A (ja) 2009-03-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101971082B (zh) 液晶显示装置及用于该液晶显示装置的滤色器
KR100893348B1 (ko) 백색 ｌｅｄ 및 그것을 사용한 백라이트 및 액정 표시 장치
JP5122268B2 (ja) 液晶表示装置およびそれに用いるカラーフィルタ
KR101010880B1 (ko) 컬러 필터용 청색 조성물, 컬러 필터 및 컬러 화상 표시장치
JP5332673B2 (ja) 半導体発光装置、バックライトおよびカラー画像表示装置
JP5079487B2 (ja) 液晶表示装置およびそれに用いるカラーフィルタ
TWI438262B (zh) A semiconductor light emitting device, a backlight, a color image display device, and a phosphor
EP2009486A1 (en) Color image display device
KR100728520B1 (ko) 컬러필터 및 컬러 액정 디스플레이 디바이스
CN101688992A (zh) 液晶显示装置以及液晶显示装置用滤色器
JP5298722B2 (ja) 白色発光ダイオード光源液晶表示装置用カラーフィルタおよび白色発光ダイオード光源液晶表示装置
CN100421009C (zh) 液晶显示器
JP2010072107A (ja) 白色発光ダイオード光源液晶表示装置用カラーフィルタおよび白色発光ダイオード光源液晶表示装置
JP2017044791A (ja) 液晶表示装置
TW200949310A (en) Color filter and liquid crystal display device using the same
CN108632550A (zh) 一种电视机及其lcd显示设备
JP2017049409A (ja) 液晶表示装置
CN108761921A (zh) 一种lcd显示设备及其背光源结构
JP2011095312A (ja) 液晶表示装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20190423

Address after: Tokushima County

Patentee after: Nichia Chemical Industries, Ltd.

Address before: Tokyo, Japan, Japan

Co-patentee before: Nichia Chemical Industries, Ltd.

Patentee before: Toppan Printing Co., Ltd.

TR01 Transfer of patent right