CN101963725B - 栅极引线和栅极引线的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种栅极引线和栅极引线的制造方法。该栅极引线包括：栅极层区域；位于所述栅极层区域之上的栅极层保护层；位于所述栅极层保护层之上的数据层区域；位于所述数据层区域之上的数据层保护层；形成于所述数据层保护层上并位于所述数据层区域之上的第一过孔；位于所述栅极层区域之上的第二过孔，所述栅极层区域与所述数据层区域通过所述第二过孔连接。本发明中的栅极引线采用数据层区域作为Gate Pad区域，数据层区域的材料采用的是难以被腐蚀的金属材料，从而有效避免了栅极引线的GatePad区域被腐蚀。

Description

栅极引线和栅极引线的制造方法

技术领域

本发明涉及液晶显示器制造领域，特别涉及一种栅极引线和栅极引线的制造方法。

背景技术

在液晶显示器中，栅极引线被腐蚀是常见的不良，特别是在客户的返修品中是最主要的不良。图1为现有技术栅极引线的结构示意图，图2为图1中A-A向剖视图，如图1和图2所示，该栅极引线包括形成于基板8上的栅极层区域1、位于栅极层区域1之上的栅极层保护层2和数据层保护层4、在栅极层保护层2和数据层保护层4上形成的第一过孔9和透明导电层7。栅极层区域1的材料通常为Mo层和AlNd层双层金属，Mo层位于AlNd层之上，图2中的栅极金属层1仅为一种示例，并未具体示出Mo层和AlNd层。

图1中的虚线区域为栅极引线的栅极焊接点（Gate Pad）区域，栅极引线的腐蚀主要是Gate Pad区域的腐蚀。当面板（Panel）切割工艺完成后，栅极引线的端面会暴露在空气中，这就导致AlNd层暴露在空气中；另外磨边（cutting）工艺产生的压力会使覆盖在栅极层1上的栅极层保护层2和数据层保护层4破损或者脱落，因Mo层很薄，在磨边工艺产生的压力下也很容易破损或者脱落，所以也会导致AlNd层暴露在空气中。由于AlNd暴露在空气中时容易被腐蚀，并且Mo会加速AlNd的腐蚀过程。因此，在液晶显示器制造过程中当面板切割工艺和磨边工艺使栅极层中的AlNd层暴露在空气中时，栅极引线的Gate Pad区域会被腐蚀。

综上所述，导致栅极引线的Gate Pad区域被腐蚀的主要原因是液晶显示器的制造工艺和设计等固有问题，而现有技术中栅极引线的结构均无法避免Gate Pad区域被腐蚀。

发明内容

本发明的目的是针对现有技术的问题，提供一种栅极引线和栅极引线的制造方法，从而有效避免栅极引线的Gate Pad区域被腐蚀。

为实现上述目的，本发明提供了一种栅极引线，包括：

栅极层区域；

位于所述栅极层区域之上的栅极层保护层；

位于所述栅极层保护层之上的数据层区域；

位于所述数据层区域之上的数据层保护层；

形成于所述数据层保护层上并位于所述数据层区域之上的第一过孔；

位于所述栅极层区域之上的第二过孔；

所述栅极层区域与所述数据层区域通过所述第二过孔直接连接，或者通过所述第一过孔和第二过孔之上的透明导电层连接。

为实现上述目的，本发明提供了一种栅极引线的制造方法，包括：

步骤1、在基板上形成栅极层区域；

步骤2、在所述基板上形成栅极层保护层，所述栅极层保护层位于所述栅极层区域之上；

步骤3、在所述基板上形成数据层区域，所述数据层区域位于所述栅极层保护层之上；

步骤4、在所述基板上形成数据层保护层，所述数据层保护层位于所述数据层区域和所述栅极层保护层之上；

步骤5、在所述栅极层保护层和所述数据层保护层上形成第二过孔，在所述数据层保护层上形成第一过孔，所述第二过孔位于所述栅极层区域之上，所述第一过孔位于所述数据层区域之上；

步骤6、在所述基板上形成透明导电层，所述透明导电层位于所述数据层保护层之上并通过所述第一过孔和所述第二过孔连接所述栅极层区域和所述数据层区域。

为实现上述目的，本发明还提供了一种栅极引线的制造方法，包括：

步骤1、在基板上形成栅极层区域；

步骤2、在所述基板上形成栅极层保护层，所述栅极层保护层位于所述栅极层区域之上；

步骤3、在所述栅极层保护层上形成第二过孔，所述第二过孔位于所述栅极层区域之上；

步骤4、在所述基板上形成数据层区域，所述数据层区域位于所述栅极层保护层之上并且通过所述第二过孔连接所述栅极层区域；

步骤5、在所述基板上形成数据层保护层，所述数据层保护层位于所述数据层区域之上；

步骤6、在所述数据层保护层上形成第一过孔，所述第一过孔位于所述数据层区域之上。

本发明中的栅极引线采用数据层区域作为Gate Pad区域，数据层区域的材料采用的是难以被腐蚀的金属材料，从而有效避免了栅极引线的Gate Pad区域被腐蚀。

下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。

附图说明

图1为现有技术栅极引线的结构示意图；

图2为图1中A-A向剖视图；

图3为本发明栅极引线实施例一的结构示意图；

图4为图3中B-B向剖视图；

图5为本发明栅极引线实施例二的结构示意图；

图6为图5中C-C向剖视图；

图7为本发明栅极引线的制造方法实施例一的流程图；

图8a为本发明栅极引线的制造方法实施例一中形成栅极层区域的示意图；

图8b为本发明栅极引线的制造方法实施例一中形成栅极层保护层的示意图；

图8c为本发明栅极引线的制造方法实施例一中形成数据层区域的示意图；

图8d为本发明栅极引线的制造方法实施例一中形成数据层保护层的示意图；

图8e为本发明栅极引线的制造方法实施例一中形成第一过孔和第二过孔的示意图；

图8f为本发明栅极引线的制造方法实施例一中形成透明导电层的示意图；

图9为本发明栅极引线的制造方法实施例二的流程图；

图10a为本发明栅极引线的制造方法实施例二中形成栅极层区域的示意图；

图10b为本发明栅极引线的制造方法实施例二中形成栅极层保护层的示意图；

图10c为本发明栅极引线的制造方法实施例二中形成第二过孔的示意图；

图10d为本发明栅极引线的制造方法实施例二中形成数据层区域的示意图；

图10e为本发明栅极引线的制造方法实施例二中形成数据层保护层的示意图；

图10f为本发明栅极引线的制造方法实施例二中形成第一过孔的示意图；

图10g为本发明栅极引线的制造方法实施例二中形成透明导电层的示意图。

具体实施方式

图3为本发明栅极引线实施例一的结构示意图，图4为图3中B-B向剖视图，如图3和图4所示，栅极引线包括栅极层区域1、栅极层保护层2、数据层区域3、数据层保护层4、第二过孔5和第一过孔9。本实施例中栅极引线形成于基板8上。栅极层保护层2位于栅极层区域1之上；数据层区域3位于栅极层保护层2之上；数据层保护层4位于数据层区域3之上；第一过孔9形成于数据层保护层4上，并且位于数据层区域3之上；第二过孔5位于栅极层区域1之上，栅极层区域1与数据层区域3通过第二过孔5连接。具体地，本实施例中，第二过孔5形成于栅极层保护层2和数据层保护层4上。进一步地，本实施例中的栅极引线还包括透明导电层7。透明导电层7位于数据层保护层4之上，并且透明导电层7通过第一过孔9和第二过孔5连接栅极层区域1和数据层区域3，具体地，透明导电层7在第二过孔5与栅极层区域1连接以及在第一过孔9与数据层区域3连接，从而透明导电层7将栅极层区域1和数据层区域3连接。

本实施例中，透明导电层7可以为ITO。

如图3所示，虚线区域为栅极引线的Gate Pad区域，也就是说Gate Pad区域采用的是数据层区域3。在液晶显示器的制造中，数据层的材料通常为难以被腐蚀的金属材料，因此，本实施例中作为Gate Pad区域的数据层区域3也难以被腐蚀。例如，数据层区域的材料可以为金属Mo。

本实施例的栅极引线采用数据层区域作为Gate Pad区域，数据层区域的材料采用的是难以被腐蚀的金属材料，从而有效避免了栅极引线的Gate Pad区域被腐蚀。

图5为本发明栅极引线实施例二的结构示意图，图6为图5中C-C向剖视图，如图5和图6所示，栅极引线包括栅极层区域1、栅极层保护层2、数据层区域3、数据层保护层4、第二过孔5和第一过孔9。本实施例中栅极引线形成于基板8上。栅极层保护层2位于栅极层区域1之上；第二过孔5形成于栅极层保护层2上，并且位于栅极层区域1之上；数据层区域3位于栅极层保护层2之上，并且可通过第二过孔5连接栅极层区域1；数据层保护层4位于数据层区域3之上；第一过孔9形成于数据层保护层4上，并且位于数据层区域3之上。

进一步地，栅极引线还可以包括透明导电层7，透明导电层7位于数据层区域4之上，例如，透明导电层7可以为ITO。。

本实施例与上述实施例一中的栅极引线的区别在于，实施例一是通过透明导电层7实现栅极层区域1和数据层区域3的连接，而本实施例是数据层区域3直接和栅极层区域1连接。

如图5所示，虚线区域为栅极引线的Gate Pad区域，也就是说Gate Pad区域采用的是数据层区域3。在液晶显示器的制造中，数据层的材料通常为难以被腐蚀的金属材料，因此，本实施例中作为Gate Pad区域的数据层区域3也难以被腐蚀。例如，数据层区域的材料可以为金属Mo。

本实施例的栅极引线采用数据层区域作为Gate Pad区域，数据层区域的材料采用的是难以被腐蚀的金属材料，从而有效避免了栅极引线的Gate Pad区域被腐蚀。

图7为本发明栅极引线的制造方法实施例一的流程图，如图7所示，该方法包括：

步骤101、在基板8上形成栅极层区域1；

具体地，在基板8上的显示区域形成栅线栅电极的同时，在外围引线区形成与该栅线连接的栅极层区域1。

图8a为本发明栅极引线的制造方法实施例一中形成栅极层区域的示意图，如图8a所示，具体可通过构图工艺在基板8上形成栅极层区域1。

步骤102、在基板8上形成栅极层保护层2，栅极层保护层2位于栅极层区域1之上；

图8b为本发明栅极引线的制造方法实施例一中形成栅极层保护层的示意图，如图8b所示，栅极层保护层2覆盖整个基板8。

步骤103、在基板8上形成数据层区域3，数据层区域3位于栅极层保护层2之上；

具体地，在基板8上的显示区域形成数据线和源、漏电极的同时，在外围引线区形成数据层区域3。

图8c为本发明栅极引线的制造方法实施例一中形成数据层区域的示意图，如图8c所示，具体可通过掩模版掩模的方法在基板8上形成数据层区域3。

步骤104、在基板8上形成数据层保护层4，数据层保护层4位于数据层区域3和栅极层保护层2之上；

图8d为本发明栅极引线的制造方法实施例一中形成数据层保护层的示意图，如图8d所示，数据层保护层4覆盖整个基板8。

步骤105、在栅极层保护层2和数据层保护层4上形成第二过孔5，在数据层保护层4上形成第一过孔9，第二过孔5位于栅极层区域1之上，第一过孔9位于数据层区域3之上；

具体地，在基板8上的显示区域上形成漏电极过孔的同时，在栅极层保护层2和数据层保护层4上形成第二过孔5。

图8e为本发明栅极引线的制造方法实施例一中形成第一过孔和第二过孔的示意图，如图8e所示，具体可通过构图工艺在栅极层保护层2和数据层保护层4上形成第二过孔5以及在数据层保护层4上形成第一过孔9。第一过孔9和第二过孔5可以在一次构图工艺中形成。

步骤106、在基板8上形成透明导电层7，透明导电层7位于数据层保护层4之上并通过第一过孔9和第二过孔5连接栅极层区域1和数据层区域3。

图8f为本发明栅极引线的制造方法实施例一中形成透明导电层的示意图，如图8f所示，具体可通过构图工艺在基板上形成透明导电层7。本实施例中透明导电层7可以为ITO。

本实施例中，栅极引线的Gate Pad区域采用的是数据层区域3。在液晶显示器的制造中，数据层的材料通常为难以被腐蚀的金属材料，因此，本实施例中作为Gate Pad区域的数据层区域3也难以被腐蚀。例如，数据层区域的材料可以为金属Mo。

本实施例制造出的栅极引线采用数据层区域作为Gate Pad区域，数据层区域的材料采用的是难以被腐蚀的金属材料，从而有效避免了栅极引线的Gate Pad区域被腐蚀。

图9为本发明栅极引线的制造方法实施例二的流程图，如图9所示，该方法包括：

步骤201、在基板8上形成栅极层区域1；

具体地，在基板8上的显示区域形成栅线栅电极的同时，在外围引线区形成与该栅线连接的栅极层区域1。

图10a为本发明栅极引线的制造方法实施例二中形成栅极层区域的示意图，如图10a所示，具体可通过构图工艺在基板8上形成栅极层区域1。

步骤202、在基板8上形成栅极层保护层2，栅极层保护层2位于栅极层区域1之上；

图10b为本发明栅极引线的制造方法实施例二中形成栅极层保护层的示意图，如图10b所示，栅极层保护层2覆盖整个基板8。

步骤203、在栅极层保护层2上形成第二过孔5，第二过孔5位于栅极层区域1之上；

图10c为本发明栅极引线的制造方法实施例二中形成第二过孔的示意图，如图10c所示，具体可通过构图工艺在栅极层保护层2上形成第二过孔5。

步骤204、在基板8上形成数据层区域3，数据层区域3位于栅极层保护层2之上并且通过第二过孔5连接栅极层区域1；

具体地，在基板8上的显示区域形成数据线和源、漏电极的同时，在外围引线区形成数据层区域3。

图10d为本发明栅极引线的制造方法实施例二中形成数据层区域的示意图，如图10d所示，具体可通过构图工艺在基板上形成数据层区域3。

步骤205、在基板8上形成数据层保护层4，数据层保护层4位于数据层区域3之上；

图10e为本发明栅极引线的制造方法实施例二中形成数据层保护层的示意图，如图10e所示，数据层保护层4覆盖整个基板8。

步骤206、在数据层保护层4上形成第一过孔9，第一过孔9位于数据层区域3之上。图10f为本发明栅极引线的制造方法实施例二中形成第一过孔的示意图，如图10f所示，具体可通过构图工艺在数据层保护层4上形成第一过孔9。

具体地，在基板8上的显示区域上形成漏电极过孔的同时，在数据层保护层4上形成第一过孔9。

进一步地，本实施例还可以包括：步骤207、在基板8上形成透明导电层7，透明导电层7位于数据层保护层4之上。图10g为本发明栅极引线的制造方法实施例二中形成透明导电层的示意图，如图10g所示，具体可通过构图工艺在基板8上形成透明导电层7。本实施例中透明导电层7可以为ITO。

本实施例中，栅极引线的Gate Pad区域采用的是数据层区域3。在液晶显示器的制造中，数据层的材料通常为难以被腐蚀的金属材料，因此，本实施例中作为Gate Pad区域的数据层区域3也难以被腐蚀。例如，数据层区域的材料可以为金属Mo。

本实施例制造出的栅极引线采用数据层区域作为Gate Pad区域，数据层区域的材料采用的是难以被腐蚀的金属材料，从而有效避免了栅极引线的Gate Pad区域被腐蚀。

最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对其进行限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而这些修改或者等同替换亦不能使修改后的技术方案脱离本发明技术方案的精神和范围。

Claims (8)

1.一种栅极引线，其特征在于，包括：

栅极层区域；

位于所述栅极层区域之上的栅极层保护层；

位于所述栅极层保护层之上的数据层区域；

位于所述数据层区域之上的数据层保护层；

形成于所述数据层保护层上并位于所述数据层区域之上的第一过孔；

位于所述栅极层区域之上的第二过孔；

所述栅极层区域与所述数据层区域通过所述第二过孔直接连接，或者通过所述第一过孔和第二过孔之上的透明导电层连接。

2.根据权利要求1所述的栅极引线，其特征在于，所述第二过孔形成于所述栅极层保护层和所述数据层保护层上；

则所述栅极引线还包括位于所述数据层保护层之上的透明导电层；

所述栅极层区域与所述数据层区域通过所述第二过孔连接具体包括：所述透明导电层通过所述第一过孔和所述第二过孔连接所述栅极层区域和所述数据层区域。

3.根据权利要求1所述的栅极引线，其特征在于，所述第二过孔形成于所述栅极层保护层上；

则所述栅极层区域与所述数据层区域通过所述第二过孔连接具体包括：所述数据层区域通过所述第二过孔直接和所述栅极层区域连接。

4.根据权利要求1至3任一所述的栅极引线，其特征在于，所述数据层区域的材料为金属Mo。

5.一种栅极引线的制造方法，其特征在于，包括：

步骤1、在基板上形成栅极层区域；

步骤2、在所述基板上形成栅极层保护层，所述栅极层保护层位于所述栅极层区域之上；

步骤3、在所述基板上形成数据层区域，所述数据层区域位于所述栅极层保护层之上；

步骤4、在所述基板上形成数据层保护层，所述数据层保护层位于所述数据层区域和所述栅极层保护层之上；

步骤5、在所述栅极层保护层和所述数据层保护层上形成第二过孔，在所述数据层保护层上形成第一过孔，所述第二过孔位于所述栅极层区域之上，所述第一过孔位于所述数据层区域之上；

步骤6、在所述基板上形成透明导电层，所述透明导电层位于所述数据层保护层之上并通过所述第一过孔和所述第二过孔连接所述栅极层区域和所述数据层区域。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述数据层区域的材料为金属Mo。

7.一种栅极引线的制造方法，其特征在于，包括：

步骤1、在基板上形成栅极层区域；

步骤2、在所述基板上形成栅极层保护层，所述栅极层保护层位于所述栅极层区域之上；

步骤3、在所述栅极层保护层上形成第二过孔，所述第二过孔位于所述栅极层区域之上；

步骤4、在所述基板上形成数据层区域，所述数据层区域位于所述栅极层保护层之上并且通过所述第二过孔连接所述栅极层区域；

步骤5、在所述基板上形成数据层保护层，所述数据层保护层位于所述数据层区域之上；

步骤6、在所述数据层保护层上形成第一过孔，所述第一过孔位于所述数据层区域之上。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述数据层区域的材料为金属Mo。

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