CN101950111A - 液晶显示器及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种液晶显示器及其制造方法，其中，该液晶显示器包括：多条栅极线，形成在基板上；存储电极线，形成为在所述栅极线之间延伸；多条数据线，形成为沿着与所述栅极线相交的方向延伸；滤色镜，形成在被限定在所述栅极线和数据线的相交区域的单位像素中；像素电极线，形成为在所述栅极线之间延伸；共用电极线，形成为在所述栅极线之间延伸，并且与所述像素电极隔开预定间隔；多个像素电极，形成为从所述单位像素上的所述像素电极线延伸；以及多个共电极，形成为从所述单位像素上的所述共用电极线延伸，其中，所述滤色镜保留在多个像素电极和共用电极下面，并且在所述存储电极线上被部分地去除。

Description

液晶显示器及其制造方法
本申请是申请日为2007年7月13日，申请号为200710130697.4，申请名称为“液晶显示器及其制造方法”的中国发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及一种液晶显示器，更具体地说，涉及一种应用有阵列结构的滤色镜的LCD以及一种制造该LCD的方法。
背景技术
液晶显示器(LCD)包括：下基板，其上形成有薄膜晶体管(TFT)、像素电极等；上基板，其上形成有共用电极等；以及液晶层，形成在下基板与上基板之间。当电压施加给这种LCD的像素电极和共用电极时，由于施加于两个电极之间的电势差，在液晶层中产生电场。液晶分子的排列根据电场强度而改变。液晶分子排列的改变使得穿过液晶层的光线的偏振发生改变，这导致透光性由于设置在基板外表面上的偏振器而发生改变。
在传统的LCD中，下基板上形成有TFT、像素电极等，而上基板上形成有滤色镜、黑色矩阵、共用电极等。但是，由于滤色镜和TFT形成在不同的基板上，因此这种LCD的制造过程复杂。已经提出使用一种被称为COA结构的结构，该结构在具有TFT阵列的相同基板上设置滤色镜。
在具有COA结构的LCD中，滤色镜可形成在有机绝缘薄膜(该有机绝缘薄膜形成在下基板上)的顶部上。可替换地，滤色镜可代替有机绝缘薄膜而单独形成。在滤色镜单独形成的情况下，滤色镜应当形成为比通常的光刻胶厚大约两倍或更多倍。由于滤色镜的介电常数与有机绝缘薄膜的介电常数类似，因此滤色镜形成为大约3.0μm的厚度，与有机绝缘薄膜的厚度相同。此外，与滤色镜形成在上基板上的传统LCD相反，当滤色镜形成在下基板上时，数据线用作黑色矩阵，并且相应的红色、绿色、以及蓝色滤色镜应当形成为与数据线相交迭，对于传统的LCD，其宽度被设计为大约10-15μm。
这种COA结构已经应用于S-PVA(超级图像垂直调整)显示装置。在S-PVA中，每个像素都被配置成具有两个副像素，并且差分电压(differential voltage)施加于各个副像素，以便提高侧面灰度环绕或反向，从而增强侧面可见性。在具有S-PVA结构的LCD中，两个晶体管和两个像素电极设置在用于显示一种颜色的像素区域中。为了缓和侧面可见性失真现象，使用将不同的峰值电压施加至各个像素电极的方法，具有S-PVA结构的LCD自然地显示灰度。
在使用COA和S-PVA结构的LCD中，滤色镜没有形成在下基板的存储电极的顶部上。因此，只有保护薄膜和栅极绝缘薄膜存在于存储电极的这种区域中，这两个薄膜在像素电极与存储电极之间形成存储电容器的电介质。
使用COA和S-PVA结构的LCD的滤色镜形成为具有3μm或更大的厚度。但是，由于用于图样化像素电极的光刻胶形成为比滤色镜薄，因此光刻胶的厚度在形成有滤色镜的区域与没有形成滤色镜的区域之间的边界处迅速改变。形成在这种阶梯部中的光刻胶在曝光过程期间不能被正常曝光，并且在光刻胶显影过程中，该光刻胶不能被完全去除。当光刻胶残留在滤色镜的阶梯部中时，用于形成像素电极的导电层残留在随后的像素电极的湿蚀刻过程中。因此，存在的问题是，由于导电层残留在形成有滤色镜的区域与没有形成滤色镜的区域之间的阶梯部中，因此两个副像素彼此短路。
发明内容
根据本发明的一个方面，提供了一种液晶显示器，该液晶显示器能够防止副像素之间的短路。相反，滤色镜保留在存储电极顶部上的两个副像素之间的边界部中，这样当形成像素电极时，用于形成像素电极的导电层没有残留，从而防止了副像素之间的短路。
根据本发明的一方面，提供了一种LCD，包括：多条栅极线(gateline)，形成在基板上；存储电极线，形成在栅极线之间；多条数据线，沿与栅极线相交的方向形成；滤色镜，形成在像素中，该像素被限定在栅极线和数据线的相交区域处；以及第一和第二像素电极，形成在滤色镜的顶部上，并且彼此隔开，该滤色镜保留在存储电极线上的第一和第二像素电极之间的边界内，并在形成有第一和第二像素电极的位置被去除。
该LCD可进一步包括至少一个切掉图样，该切掉图样用于在单位像素中形成多个区域，并将第一和第二像素电极彼此隔开。
该LCD可进一步包括：栅电极，形成为突出于栅极线；活性和欧姆接触层，形成在栅电极的顶部上；源极，形成为从数据线延伸，并部分地与栅电极相交迭；以及漏极，形成为部分地与栅电极相交迭，并连接于像素电极。
根据本发明的另一方面，提供了一种制造LCD的方法，包括以下步骤：在基板上形成多条栅极线，并同时形成在栅极线之间延伸的存储电极线；在栅极线上方形成栅极绝缘薄膜；形成延伸成与栅极线相交的多条数据线；在整个结构上形成保护薄膜和滤色镜；显影该滤色镜，使得存储电极线的顶部的一部分被曝光；以及在滤色镜的顶部上形成彼此隔开的第一和第二像素电极。
该滤色镜可保留在存储电极线上的第一和第二像素电极之间的边界部中，并且可在形成有第一和第二像素电极的位置被去除。
根据本发明的又一方面，提供了一种LCD，包括：多条栅极线，形成在基板上；存储电极线，形成为在栅极线之间延伸；多条数据线，形成为与栅极线相交；滤色镜，形成在像素中，该像素被限定在栅极线和数据线的相交处；像素电极线，形成为在栅极线之间延伸；共用电极线，形成为在栅极线之间延伸，同时与像素电极隔开；多个像素电极，形成为从像素上的像素电极线延伸；以及多个共用电极，形成为从像素上的共用电极线延伸，其中滤色镜保留在多个像素电极和共用电极之下，并且在存储电极线上被部分地去除。
像素电极线可形成在存储电极线的顶部上，并与该顶部绝缘。
多个像素电极和共用电极可形成为彼此交替，同时彼此隔开。
像素电极线、多个像素电极、共用电极线、以及多个共用电极可同时形成。
根据本发明的再一方面，提供了一种制造LCD的方法，包括以下步骤：在基板上形成多条栅极线，并且同时形成在栅极线之间延伸的存储电极线；在栅极线和存储电极线的顶部上形成栅极绝缘薄膜；形成延伸成与栅极线相交的多条数据线；在整个结构上形成保护薄膜和滤色镜；显影该滤色镜，使得存储电极线的顶部的一部分被曝光；以及在滤色镜的顶部上形成像素电极线、多个像素电极、共用电极线、以及多个共用电极。
存储电极线可形成为与栅极线之间的一条栅极线邻近。
像素电极线可形成为与存储电极线相交迭。
共用电极线可形成为与不邻近存储电极线的栅极线邻近。
多个像素电极和共用电极可沿着数据线的图样形成。
多个像素电极和共用电极可被设置成彼此交替，同时在单位像素中以预定间隔彼此隔开，其中该单位像素被限定在栅极线和数据线的相交区域处。
附图说明
从以下结合附图对优选实施例的描述中，本发明的上述和其它目的、特征和优点将变得显而易见，附图中：
图1是根据本发明实施例的液晶显示器(LCD)的下基板的平面图；
图2是沿着图1中的线I-I’截取的下基板的截面图；
图3是沿着图1中的线II-II’截取的下基板的截面图；
图4A至图4D是沿着图1中的线I-I’截取的下基板的截面图，相继地示出了根据本发明实施例的LCD的下基板的制造方法；
图5A至图5D是沿着图1中的线II-II’截取的下基板的截面图，相继地示出了根据本发明实施例的LCD的下基板的制造方法；
图6是根据本发明另一实施例的LCD的下基板的平面图；
图7是沿着图6中的线I-I’截取的下基板的截面图；
图8是沿着图6中的线II-II’截取的下基板的截面图；
图9A至图9D是沿着图6中的线I-I’截取的下基板的截面图，相继地示出了根据本发明另一实施例的LCD的下基板的制造方法；以及
图10A至图10D是沿着图6中的线II-II’截取的下基板的截面图，相继地示出了根据本发明另一实施例的LCD的下基板的制造方法。
具体实施方式
图1是根据本发明实施例的液晶显示器(LCD)的下基板的平面图，其中COA和S-PVA结构应用于该LCD，图2是沿着图1中的线I-I’截取的下基板的截面图，以及图3是沿着图1中的线II-II’截取的下基板的截面图。
参照图1至图3，下基板包括：第一和第二栅极线110a和110b；存储电极线120；第一和第二数据线130a和130b；第一和第二像素电极150和160；多个切掉图样171、172、173和174；以及多个接触孔180a、180b、190a和190b。
下基板包括：第一栅极线110a，沿着横坐标方向延伸；第二栅极线110b，形成为与第一栅极线110a平行，并与第一栅极线隔开预定间隔；存储电极线120，位于第一栅极线110a与第二栅极线110b之间，并且包括存储电极121；第一和第二数据线130a和130b，形成为沿着纵坐标方向延伸，使得它们与第一和第二栅极线110a和110b相交，并与之绝缘；以及像素，形成在第一和第二栅极线110a和110b与第一和第二数据线130a和130b的相交区域处。此外，栅极焊盘(gate pad)(未示出)形成在每条栅极线110a、110b的一端，并且数据焊盘(未示出)形成在每条数据线130a、130b的一端。
这种单位像素包括第一和第二副像素以及切掉图样171。第一副像素具有第一TFT和第一像素电极150，并且第二副像素具有第二TFT和第二像素电极160。切掉图样171用于隔开第一和第二副像素，并将该单位像素分成多个区域。
第一TFT包括：第一栅电极112a，连接于第一栅极线110a；第一源极132a，连接于第二数据线130b；以及第一漏极134a，通过第三接触孔190a连接于第一像素电极150。第一TFT还包括：栅极绝缘薄膜125和活性层126，依次形成在第一栅电极112a与第一源极以及漏极132a、134a之间；以及欧姆接触层127，形成在活性层126的至少一部分上。欧姆接触层127可形成在活性层的除了信道部(channel portion)以外的部分上。第一TFT使提供给第二数据线130b的像素信号能够响应提供给第一栅极线110a的信号而被充电至第一像素电极150。
另外，第二TFT包括：第二栅电极112b，连接于第二栅极线110b；第二源极132b，连接于第二数据线130b；以及第二漏极134b，通过第四接触孔190b连接于第二像素电极160。第二TFT还包括：栅极绝缘薄膜125和活性层126，依次形成在第二栅电极112b与第二源极以及漏极132b、134b之间；以及欧姆接触层127，形成在活性层126的至少一部分上。欧姆接触层127可形成在活性层的除了信道部以外的部分上。第二TFT使提供给第二数据线130b的像素信号能够响应提供给第二栅极线110b的信号而被充电至第二像素电极160。
这样，这两个独立的TFT(即，第一和第二TFT)分别形成在第一和第二副像素中，并且在将连续地施加给数据线的液晶电压(即，像素信号)进行时间分割(time-dividing)之后，不同的数据电压被充电到各个副像素中。因此，如果以两个伽玛曲线表示，那么由于不同的伽玛曲线的相互补充会大大增强可见性。
第一和第二像素电极150、160被切掉图样171彼此分开。第二像素电极160形成为“V”形，并从其中央部的左侧延伸到右侧。此外，第一像素电极150形成为围绕V形第二像素电极160的形状。第一像素电极150具有多个切掉图样172、173和174作为区域调节装置，用于控制液晶的方向。第一切掉图样172在存储电极线120穿过的第一像素电极150内形成为“Y”形。第二切掉图样173从第一像素电极150上部的右侧边缘向下延伸，并且第三切掉图样174从第一像素电极150下部的右侧边缘向上延伸。优选地，第二和第三切掉图样173、174在其间形成直角。同样优选地，用于使第一和第二像素电极150、160彼此分开的切掉图样171在其间形成直角，但是本实施例并不限于此。即，突起图样而不是切掉图样可形成为用于控制液晶方向的区域调节装置。
保护薄膜141形成在第一和第二栅极线110a和110b、第一和第二数据线130a和130b、以及第一和第二TFT的顶部上。保护薄膜141使用低介电有机绝缘薄膜而形成。
滤色镜145形成在单位像素的保护薄膜141上。红色、绿色、以及蓝色滤色镜反复地形成在每个像素中。滤色镜145用于为从光源射出并穿过液晶层(未示出)的光线提供颜色。滤色镜145可由感光有机材料形成。
第一和第二接触孔180a、180b通过在显影滤色镜145时使存储电极121上的滤色镜145能够被去除而形成。即，第一和第二接触孔180a、180b通过使滤色镜145保留在第一和第二像素电极150、160之间的边界部中，并且通过使滤色镜145在形成第一和第二像素电极150、160的部分中被去除而形成。这样，滤色镜145保留在第一和第二像素电极150、160之间的边界部中。因此，没有残留的像素电极保留在边界部中，从而防止两个电极之间的短路。穿过第一和第二接触孔180a、180b而形成的第一和第二像素电极150、160以及存储电极121形成存储电容器，并且栅极绝缘薄膜和保护薄膜125、141介于第一和第二像素电极150、160与存储电极121之间。
第三和第四接触孔190a、190b通过蚀刻滤色镜145和保护薄膜141的预定区域而形成，使得第一和第二漏极134a、134b被曝光。
图4A至图4D是沿着图1中的线I-I’截取的下基板的截面图，相继地示出了根据本发明实施例的LCD的下基板的制造方法，图5A至图5D是沿着图1中的线II-II’截取的下基板的截面图，相继地示出了根据本发明实施例的LCD的下基板的制造方法。
参照图4A和图5A，在基板100的顶部上形成第一导电层，并且接着使用第一掩模通过光刻和蚀刻处理对该第一导电层进行图样化。因此，形成了以预定间隔沿横坐标方向延伸的多条栅极线110a、110b以及部分突出于多条栅极线110a、110b的多个栅电极112a、112b。另外，同时，在栅极线110a与110b之间形成包括存储电极121的存储电极线120。优选地，第一导电层由Al、Nd、Ag、Cr、Ti、Ta以及Mo中的至少任意一种或其合金形成。此外，第一导电层不仅可形成为单层结构，而且可形成为包括多个金属层的多层结构。即，导电层可形成为双层结构，该双层结构包括具有优异物理化学特性的金属层(诸如Cr、Ti、Ta或Mo)以及具有较小电阻率的Al或Ag基金属层。此外，在整个结构的顶部上形成栅极绝缘薄膜125。栅极绝缘薄膜125用包含二氧化硅或氮化硅薄膜的无机绝缘薄膜形成。例如，在整个结构的顶部上相继地形成氢化非晶硅薄膜和掺杂的非晶硅薄膜。为了使栅极112a、112b交迭，使用第二掩模通过光刻和蚀刻处理，图样化氢化非晶硅薄膜和掺杂非晶硅薄膜而形成活性层126和欧姆接触层127。
参照图4B和图5B，在整个结构的顶部上形成第二导电层，接着使用第三掩模通过光刻和蚀刻处理对该第二导电层进行图样化。因此，延伸成与栅极线110a、110b相交的多条数据线130a、130b形成为彼此隔开预定间隔。同时，源极132a、132b和漏极134a、134b(分别部分地交迭栅电极112a、112b)形成为彼此隔开预定间隔。这时，源极132a、132b形成为分别突出于数据线130a、130b，并且活性层126的通过源极132a、132b和漏极134a、134b曝光的一部分成为信道部。优选地，金属单层或多层结构用于第二导电层中。第二导电层可以由与第一导电层相同的材料形成，用于形成栅极线110a、110b，并且可以形成为多层结构。
参照图4C和图5C，在整个结构上形成作为保护薄膜141的氮化硅薄膜(SiNx)。在感光有机材料应用于保护薄膜141上之后，使用第四掩模通过曝光和显影处理而形成滤色镜145，使得单位像素保留下来。当对滤色镜145进行显影时，存储电极121上的滤色镜145被部分去除，从而通过使滤色镜145的一部分能够保留在第一和第二像素电极150、160之间的边界部中，并且通过使下保护薄膜141在形成第一和第二像素电极150、160的区域中曝光而形成第一和第二接触孔180a、180b。由于第一像素电极150形成为在存储电极121上具有预定的弯曲形状，因此滤色镜145优选地在第一和第二像素电极150、160之间的边界部中沿第一像素电极150的弯曲形状保留。但是，由于可以减小处理空白区(process margin)，因此滤色镜145能够保留下来，以便与第一像素电极150部分地交迭，使得存储电容器的电容没有显著减小。
参照图4D和图5D，使用第五掩模通过光刻和蚀刻处理而去除滤色镜145和保护薄膜141的预定区域，以形成用于分别曝光漏极134a、134b的第三和第四接触孔190a、190b。在整个结构上形成第三导电层，并接着使用第六掩模通过光刻和蚀刻处理对第三导电层进行蚀刻，以形成第一和第二像素电极150、160和切掉图样171、172、173。优选地，使用包含氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)的透明导电层来形成第三导电层。
上述构造(其中，滤色镜保留在存储电极上的第一和第二像素电极之间的边界部中)也能够应用于具有S-IPS(板内切换)结构的LCD，在该结构中，共用电极和像素电极形成在同一基板上，这将在下面描述。
图6是根据本发明另一实施例的LCD的下基板的平面图，其中COA和S-IPS结构应用于该LCD，图7是沿着图6中的线I-I’截取的下基板的截面图，而图8是沿着图6中的线II-II’截取的下基板的截面图。
参照图6至图8，下基板包括：第一和第二栅极线210a、210b；存储电极线220；第一和第二数据线230a、230b；像素电极线250a；像素电极250b；共用电极线260a；共用电极260b；以及第一和第二接触孔280、290。
下基板包括：第一栅极线210a，形成为沿着横坐标方向延伸；第二栅极线210b，形成为与第一栅极线210a平行，并与之隔开预定间隔；存储电极线220，形成在第一和第二栅极线210a、210b之间，并邻近第一栅极线210a的一侧；第一和第二数据线230a、230b，形成为沿着纵坐标方向延伸，使得它们与第一和第二栅极线210a、210b相交，同时与之绝缘；以及像素，形成在第一和第二栅极线210a、210b与第一和第二数据线230a、230b相交的区域。此外，栅极焊盘(未示出)形成在每条栅极线210a、210b的一端，并且数据焊盘(未示出)形成在每条数据线230a、230b的一端。
另外，像素电极线250a形成为与存储电极线220绝缘，并与其交迭。即，像素电极线250a以与存储电极线220相同的形状形成在存储电极线220的顶部上。此外，共用电极线260形成为在第一和第二栅极线210a、210b之间邻近第二栅极线210b。多个像素电极250b形成为从像素电极线250a沿着第一和第二数据线230a、230b延伸，并且多个共用电极260b形成为从共用电极线260a沿着第一和第二数据线230a、230b延伸。像素电极250b在延伸的同时与共用电极线260a隔开预定间隔，并且共用电极260b在延伸的同时与像素电极线250a隔开预定间隔。此外，像素电极250b和共用电极260b可交替地设置，使得像素电极250b位于共用电极260b之间，并且共用电极260b位于像素电极250b之间。此外，像素电极线250a、像素电极250b、共用电极线260a、以及共用电极260b通过相同的处理形成在同一平面上。
另外，栅极绝缘薄膜225形成在包括第一和第二栅极线210a、210b的整个结构上。从第一数据线230a延伸而形成在第一栅极线210a上的源极232a以及形成为与其隔开预定间隔的漏极234a，与形成在下面的活性层226和欧姆接触层227一起构成了TFT。漏极234a可通过第二接触孔290连接于像素电极线250a，并且欧姆接触层227可形成在活性层226上的除信道部以外的部分上。TFT使提供给第一数据线230a的像素信号能够响应提供给第一栅极线210a的信号而被充电至像素电极线250a。
保护薄膜241形成在第一和第二栅极线210a和210b、第一和第二数据线230a和230b、以及TFT的顶部上。保护薄膜241使用低介电有机绝缘薄膜而形成。
滤色镜245形成在单位像素的保护薄膜241上。红色、绿色、以及蓝色滤色镜分别反复地形成在单位像素中。滤色镜245用于为从光源发射出并穿过液晶层(未示出)的光线提供颜色。滤色镜245可由感光有机物质形成。
第一接触孔280通过在显影滤色镜245时去除存储电极线220上的滤色镜245而形成。通过第一接触孔280形成的像素电极线250a与存储电极线220一起构成了存储电容器，同时像素电极线250a介于栅极绝缘薄膜225与保护薄膜241之间。
第二接触孔290通过蚀刻滤色镜245和保护薄膜241的预定区域而形成，使得漏极243a被曝光。像素电极线250a通过第二接触孔290连接于漏极234a。
图9A至图9D是沿着图6中的线I-I’截取的下基板的截面图，相继地示出了根据本发明另一实施例的LCD的下基板的制造方法，而图10A至图10D是沿着图6中的线II-II’截取的下基板的截面图，相继地示出了根据本发明另一实施例的LCD的下基板的制造方法。
参照图9A和图10A，在基板200的顶部上形成第一导电层，并且接着使用第一掩模通过光刻和蚀刻处理对第一导电层进行图样化。因此，形成了以预定间隔沿横坐标方向延伸的多条栅极线210a、210b。同时，还在栅极线210a、210b之间形成存储电极线220，其中存储电极线220形成为邻近栅极线210a。这里，优选地，第一导电层由Al、Nd、Ag、Cr、Ti、Ta以及Mo中的至少任意一种或其合金形成。此外，第一导电层不仅可形成为单层结构，而且可形成为包括多个金属层的多层结构。即，该导电层可形成为双层结构，该双层结构包括具有优异物理化学特性的金属层(诸如Cr、Ti、Ta或Mo)以及具有较小电阻率的Al或Ag基金属层。此外，在整个结构的顶部上形成栅极绝缘薄膜225。这里，栅极绝缘薄膜225用包含二氧化硅或氮化硅薄膜的无机绝缘薄膜形成。例如，在整个结构的顶部上相继地形成氢化非晶硅薄膜和掺杂的非晶硅薄膜。为了使栅极线210a、210b上的预定区域交迭，使用第二掩模通过光刻和蚀刻处理，图样化氢化非晶硅薄膜和掺杂非晶硅薄膜而形成活性层226和欧姆接触层227。
参照图9B和图10B，在整个结构的顶部上形成第二导电层，接着使用第三掩模通过光刻和蚀刻处理对第二导电层进行图样化。因此，延伸成与栅极线210a、210b相交的多条数据线230a、230b形成为彼此隔开预定间隔。同时，源极232a和漏极234a(在栅极线210a上部分地交迭)形成为彼此隔开预定间隔。源极232a形成为突出于数据线230a，并且活性层226的通过源极232a和漏极234a曝光的一部分成为信道部。优选地，金属单层或多层结构用于第二导电层中。第二导电层可以由与第一导电层相同的材料形成，用于形成栅极线210a、210b，并且可以形成为多层结构。
参照图9C和图10C，在整个结构上形成作为保护薄膜241的氮化硅薄膜(SiNx)。在感光有机材料应用于保护薄膜241上之后，使用第四掩模通过曝光和显影处理而形成滤色镜245，使得单位像素保留下来。当对滤色镜245进行显影时，通过部分地去除存储电极线220上的滤色镜245而形成第一接触孔280。第一接触孔280使稍候形成的存储电极线220和像素电极线250a能够形成存储电容器。由于存储电容器的电容能够因为第一接触孔280的面积较大而增加，因此优选地，第一接触孔280尽可能大地形成。但是，由于稍候形成的第二接触孔290也形成在与第一接触孔280相同的线上，因此优选地，第一接触孔280尽可能大地形成到当形成第二接触孔290时第二接触孔不受影响的程度。
参照图9D和图10D，使用第五掩模通过光刻和蚀刻处理而去除滤色镜245和保护薄膜241的预定区域，以形成用于曝光漏极234a的第二接触孔290。在整个结构上形成第三导电层，并接着使用第六掩模通过光刻和蚀刻处理对第三导电层进行蚀刻，以形成像素电极线250a、多个像素电极250b、共用电极线260a、以及多个共用电极260b。像素电极线250a形成为与存储电极线220相同的图样，以便与其相交迭，并且共用电极线260a形成为在第一和第二栅极线210a、210b之间邻近第二栅极线210b。此外，多个像素电极250b形成为从像素电极线250a沿着第一和第二数据线230a、230b延伸，并且多个共用电极260b形成为从公用电极线260a沿着第一和第二数据线230a、230b延伸。多个像素电极250b延伸成与共用电极线260a隔开预定间隔，并且多个共用电极260b延伸成与像素电极线250a隔开预定间隔。此外，像素电极250b和共用电极260b交替地对齐，使得像素电极250b位于共用电极260b之间，并且共用电极260b位于像素电极250b之间。优选地，使用包含氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)的透明导电层作为第三导电层。
根据上述的本发明，滤色镜不被去除，而是保留在使用COA结构的LCD中的存储电极线上的像素电极之间，或者像素电极与共用电极之间，从而能够防止由于滤色镜的阶梯部(通过去除像素电极之间或像素电极与共用电极之间的滤色镜而产生)中残留的像素电极而发生的短路。
本发明的范围并不限于上面描述和示出的实施例，而是由所附权利要求来限定。很显然，本领域的技术人员在权利要求限定的本发明的范围内能够对其进行各种修改和改变。因此，本发明真正的范围应当由所附权利要求的技术精神所限定。

Claims (10)

1.一种LCD，包括：
多条栅极线，形成在基板上；
存储电极线，形成为在所述栅极线之间延伸；
多条数据线，形成为沿着与所述栅极线相交的方向延伸；
滤色镜，形成在被限定在所述栅极线和数据线的相交区域的单位像素中；
像素电极线，形成为在所述栅极线之间延伸；
共用电极线，形成为在所述栅极线之间延伸，并且与所述像素电极隔开预定间隔；
多个像素电极，形成为从所述单位像素上的所述像素电极线延伸；以及
多个共电极，形成为从所述单位像素上的所述共用电极线延伸，
其中，所述滤色镜保留在多个像素电极和共用电极下面，并且在所述存储电极线上被部分地去除。
2.根据权利要求1所述的LCD，其中，所述像素电极线形成在所述存储电极线的顶部上，并与其绝缘。
3.根据权利要求1所述的LCD，其中，所述多个像素电极和共用电极形成为彼此交替，同时彼此隔开预定间隔。
4.根据权利要求1所述的LCD，其中，所述像素电极线、所述多个像素电极、所述共用电极线、以及所述多个共用电极同时形成。
5.一种制造LCD的方法，包括以下步骤：
在基板上沿着一个方向形成多条栅极线，同时在所述栅极线之间形成沿着一个方向延伸的存储电极线；
在形成有所述栅极线和所述存储电极线的所述基板的顶部上形成栅极绝缘薄膜；
形成延伸成与所述栅极线相交的多条数据线；
在整个结构上形成保护薄膜和滤色镜；
显影所述滤色镜，使得所述存储电极线的顶部的一部分被曝光；以及
在所述滤色镜的顶部上形成像素电极线、多个像素电极、共用电极线、以及多个共用电极。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述存储电极线在所述栅极线之间形成为邻近一条栅极线。
7.根据权利要求5所述的方法，其中，所述像素电极线形成为与所述存储电极线相交迭。
8.根据权利要求5所述的方法，其中，所述共用电极线形成为与不邻近所述存储电极线的所述栅极线邻近。
9.根据权利要求5所述的方法，其中，所述多个像素电极和共用电极沿着所述数据线的图样形成。
10.根据权利要求5所述的方法，其中，所述多个像素电极和共用电极设置成彼此交替，同时在被限定在所述栅极线和数据线的相交区域处的单位像素中彼此隔开预定距离。
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