CN101908493B - 一种混合集成电路的生产工艺 - Google Patents
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Abstract
一种混合集成电路的生产工艺,所述生产工艺是在现有的工艺流程中加进芯片保护和贴片导电元件粘接两工序,所述芯片保护工艺:在管芯粘接、键合后,将管芯及键合丝点粘;所述贴片导电元件粘接工艺:贴片导电元件在粘接时,将贴片导电元件中间采用红胶粘接,导电部分采用导电胶粘接,按照导电胶--红胶--导电胶的方式点粘,然后在140~160度的烘箱中烘2~3个小时。本发明的芯片保护工序,使产品在封盖前清洗时,不会出现倒丝的情况,且能够增强如剪切力等检查项的要求;而贴片导电元件粘接工序,使粘接牢度大,符合高等级如航天局等使用的要求,且不宜对已粘接好的管芯有污染,而对导电贴片元件的导电性几乎无任何影响。
Description
技术领域
本发明涉及一种混合集成电路的生产工艺,尤其涉及其中的对导电的贴片元件的粘接和管芯(裸芯)表面的保护问题的混合集成电路的生产工艺。
背景技术
目前,混合电路在生产中,管芯粘接完成后,有可能还需对电阻、电容等贴片元件进行调整,使得器件达到良好的工作状态,而电阻、电容等是使用再流汗工艺焊接,在调整时需要电烙铁焊接,而电烙铁在高温焊接时,会给器件内部带入如:焊灰、焊油、松香等杂物,从而污染管芯;并且在混合集成电路的生产工艺中,在封盖前一般都需要清洗,但在清洗后,压焊丝往往会出现倒丝的情况,导致短路、断路等状况;上述工艺使得现有的产品在生产过程中,极易出现管芯容易受到污染、贴片元件不容易更换、压焊丝容易倒丝的情况,从而满足不了高等级使用的要求。
发明内容
本发明提供一种既能比较快速的更换贴片导电元件,又能满足牢固性,同时,对管芯进行保护,使管芯不会受到污染,不出现倒丝状况的能满足高等级使用的一种混合集成电路的生产工艺。
本发明所采用的技术方案是:一种混合集成电路的生产工艺,所述生产工艺是在现有的工艺流程中加进芯片保护和贴片导电元件粘接两工序,即工艺流程为:元器件筛选→激光划片→基片尺寸检验→掩膜制作→掩膜检验→丝网印刷→烘培→印刷检验→烧结→基片检验→外壳检验→装架→装架检验→再流焊→再流焊检验→清洗→管芯粘接→管芯粘接检验→烘培→键合→键合检验→芯片保护→试测→动态调校→贴片导电元件粘接→初测→封盖→密封检漏→标识打印→成品中测试→成品筛选→成品终测;其中的芯片保护工艺为:
在管芯粘接、键合后,将管芯及键合丝点粘,具体为:将硅橡胶直接点在管芯及键合丝的表面,厚度为1~3mm,让硅橡胶充分渗入到键合丝底部及管芯表面,置于室温下24~30小时,环境湿度为50%~70%,完成固化后4~6小时内,在90~110度的烘箱中烘12~14个小时;
其中的贴片导电元件粘接工艺为:
贴片导电元件在粘接时,将贴片导电元件中间采用红胶粘接,导电部分采用导电胶粘接,按照导电胶--红胶--导电胶的方式点粘,然后在140~160度的烘箱中烘2~3个小时。
本发明的芯片保护工序,使产品在封盖前清洗时,不会出现倒丝的情况,且能够增强如剪切力等检查项的要求,在进行如振动、颗粒碰撞、加速度等试验时,也能提高该项目的性能指标;而贴片导电元件粘接工序,使粘接牢度大,符合高等级如航天局等使用的要求,且不宜对已粘接好的管芯有污染,而对导电贴片元件的导电性几乎无任何影响,在需要拆取时,可直接使用利器切取,拆取后,再用刀片等物刮干净,酒精擦洗即可,更换新的贴片元件后的粘接工艺仍可采取本发明的制作方法。
附图说明
图1是本发明的贴片导电元件粘接工序示意图;
图2是本发明的芯片保护工序的示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步说明。
参照图1、图2,一种混合集成电路的生产工艺,所述生产工艺是在现有的工艺流程中加进芯片保护和贴片导电元件粘接两工序,即工艺流程为:元器件筛选→激光划片→基片尺寸检验→掩膜制作→掩膜检验→丝网印刷→烘培→印刷检验→烧结→基片检验(包括印刷质量和基片电特性检验)→外壳检验(包括密封检漏抽检)→装架→装架检验→再流焊→再流焊检验→清洗→管芯粘接→管芯粘接检验→烘培→键合(压焊)→键合检验→芯片保护→试测→动态调校→贴片导电元件粘接→初测→封盖→密封检漏→标识打印→成品中测试→成品筛选→成品终测;其中的芯片保护工艺为:
在管芯粘接、键合后,将管芯5及键合丝点粘,具体为:将南大705硅橡胶6直接点在管芯5及键合丝的表面,该胶的特点是:透明、软粘、固化时间短、密封性好,易于观察、调试,可抗金属离子的侵入,厚度为1~3mm,让南大705硅橡胶充分渗入到键合丝底部及管芯表面,置于室温下24~30小时,环境湿度为50%~70%,完成固化后4~6小时内,在90~110度的烘箱中烘12~14个小时;
其中的贴片导电元件粘接工艺为:
贴片导电元件1在粘接时,将贴片导电元件1的中间部位通过红胶4和基板2粘接,红胶采用日本NE8800T,贴片导电元件1的导电部位通过导电胶3和基板2粘接,按照导电胶--红胶--导电胶的方式点粘,然后在140~160度的烘箱中烘2~3个小时。
其中所述的硅橡胶还可以采用:723、735、1080、3145等硅橡胶。
其中所述的红胶还可以采用:ET-T982红胶。
Claims (2)
1.一种混合集成电路的生产工艺,其特征在于:所述生产工艺是在现有的工艺流程中加进芯片保护和贴片导电元件粘接两工序,即工艺流程为:元器件筛选→激光划片→基片尺寸检验→掩膜制作→掩膜检验→丝网印刷→烘培→印刷检验→烧结→基片检验→外壳检验→装架→装架检验→再流焊→再流焊检验→清洗→管芯粘接→管芯粘接检验→烘培→键合→键合检验→芯片保护→试测→动态调校→贴片导电元件粘接→初测→封盖→密封检漏→标识打印→成品中测试→成品筛选→成品终测;其中的芯片保护工艺为:
在管芯粘接、键合后,将管芯及键合丝点粘,具体为:将硅橡胶直接点在管芯及键合丝的表面,厚度为1~3mm,让硅橡胶充分渗入到键合丝底部及管芯表面,置于室温下24~30小时,环境湿度为50%~70%,完成固化后4~6小时内,在90~110度的烘箱中烘12~14个小时;
其中的贴片导电元件粘接工艺为:
贴片导电元件在粘接时,将贴片导电元件的中间部位采用红胶粘接,贴片导电元件的导电部位采用导电胶粘接,按照导电胶--红胶--导电胶的方式点粘,然后在140~160度的烘箱中烘2~3个小时。
2.根据权利要求1所述的一种混合集成电路的生产工艺,其特征在于:所述的硅橡胶采用南大705硅橡胶;所述的红胶采用日本NE8800T红胶。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 201010223142 CN101908493B (zh) | 2010-07-07 | 2010-07-07 | 一种混合集成电路的生产工艺 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 201010223142 CN101908493B (zh) | 2010-07-07 | 2010-07-07 | 一种混合集成电路的生产工艺 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101908493A CN101908493A (zh) | 2010-12-08 |
CN101908493B true CN101908493B (zh) | 2011-10-26 |
Family
ID=43263911
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN 201010223142 Expired - Fee Related CN101908493B (zh) | 2010-07-07 | 2010-07-07 | 一种混合集成电路的生产工艺 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN101908493B (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104538371B (zh) * | 2015-01-13 | 2018-01-09 | 河北博威集成电路有限公司 | 一种高可靠性低成本的半导体芯片封装体 |
KR101908915B1 (ko) * | 2016-06-10 | 2018-10-18 | 크루셜머신즈 주식회사 | 릴-투-릴 레이저 리플로우 방법 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1054236C (zh) * | 1994-10-31 | 2000-07-05 | 戴超智 | 以片状材料层叠结构的半导体二极管制造方法 |
WO2003037589A1 (fr) * | 2001-10-30 | 2003-05-08 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Pastille de materiau d'obturation, son procede de fabrication et dispositif a composants electroniques |
JP4676855B2 (ja) * | 2005-10-03 | 2011-04-27 | ローム株式会社 | ハイブリッド集積回路装置とその製造方法 |
CN101261898A (zh) * | 2007-03-09 | 2008-09-10 | 台达电子工业股份有限公司 | 堆叠式电子元件的制作方法 |
CN101740331B (zh) * | 2008-11-07 | 2012-01-25 | 东莞市中镓半导体科技有限公司 | 利用固体激光器无损剥离GaN与蓝宝石衬底的方法 |
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2010
- 2010-07-07 CN CN 201010223142 patent/CN101908493B/zh not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
CN101908493A (zh) | 2010-12-08 |
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Legal Events
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C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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GR01 | Patent grant | ||
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