CN101907946A - 触控面板线路单边外扩的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种触控面板线路单边外扩的方法，属于触控面板制作技术领域。本发明中透明导电材料上直接电镀金属导电材料，在金属导电材料上贴光阻膜，曝光显影蚀刻形成金属走线；此操作方法可控性强，工序流程简单，可以降低制造成本。光阻膜的宽度相对于金属走线的宽度进行外扩，有效保护金属走线不被侵蚀利于信号传输。

Description

触控面板线路单边外扩的方法
技术领域
本发明涉及一种触控面板线路单边外扩的方法，属于触控面板制作技术领域。
背景技术
在加工触控面板过程中，很容易出现金属线路电极偏离导电区域端的现象。本发明通过采用光阻工艺可以对触控面板的不同深度层面进行光阻蚀刻得到相应的图案。比如，透明导电材料上直接电镀金属导电材料，在金属导电材料上贴光阻膜，曝光显影蚀刻形成金属走线；此操作方法可控性强，工序流程简单，可以降低制造成本。
对透明导电材料加工时，使用光阻技术对透明导电材料蚀刻形成网格图案非导电区域来降低蚀刻痕迹，减少蚀刻废液利于环保。电镀工艺与光阻工艺的有机结合，避免了用复杂的贴合工序来加工触控面板，从而有效降低触控面板的厚度和重量，提高透光度和触控敏感度。
发明内容
技术问题：本发明通过直接在透明导电材料上电镀金属导电材料，金属导电材料上贴光阻膜，曝光显影蚀刻形成金属走线，消除金属线路电极偏离导电区域端的现象。其中，光阻膜相对于金属走线单边外扩，保证金属走线的完整性利于电信号传输。本发明使用光阻技术对透明导电材料蚀刻得到网格图案非导电区域来降低蚀刻痕迹，减少蚀刻废液利于环保。
技术方案：本发明公开一种触控面板线路单边外扩的方法，包括如下步骤在无尘干燥条件下进行；
步骤一：在透明导电材料表面电镀金属导电材料；
步骤二：在金属导电材料上贴光阻膜，曝光显影蚀刻形成金属走线；在室温状态下，用硫酸双氧水混合溶液蚀刻金属导电材料得到金属走线；
步骤三：先在金属走线上贴光阻膜，其中，金属走线宽度小于光阻膜宽度；然后，曝光显影蚀刻透明导电材料；在40摄氏度温度下，用盐酸对透明导电材料蚀刻，形成感应线和网格图案非导电区域；
步骤四：用透明光学胶将铭板层贴合在金属走线和透明导电材料上。
上述步骤三中盐酸的摩尔浓度范围值在4.1MOL/L到4.5MOL/L之间；步骤二中硫酸双氧水混合液的摩尔浓度值是1MOL/L。步骤三中网格图案为方块矩阵；其中，单个方块蚀刻边长0.35毫米，蚀刻线宽60微米；步骤三中光阻膜的宽度相对于金属走线单边外扩5微米到10微米。所述光阻膜的厚度范围值在15微米到20微米之间。蚀刻反应时间为30秒钟到60秒钟。金属导电材料是铜；步骤二中金属走线线宽是50微米；透明导电材料是氧化铟锡。步骤四中透明光学胶的厚度范围值在50微米到100微米之间。最后，各线路图案成形后用光阻剂清除残余光阻膜，提高产品外观品质。
有益效果：本发明公开了一种触控面板线路单边外扩的方法，通过采用光阻工艺可以对触控面板的不同深度层面进行光阻蚀刻得到相应的图案，使用光阻蚀刻加工透明导电材料形成网格图案非导电区域来降低蚀刻痕迹，减少蚀刻废液利于环保；透明导电材料上直接电镀金属导电材料，在金属导电材料上贴光阻膜，曝光显影蚀刻形成金属走线，避免金属线路电极偏离导电区域端的现象。光阻膜的宽度相对于金属走线的单边外扩5微米到10微米，能够使金属走线完好无损，有利于电信号传输。本发明操作可控性强，工序流程简单，可以降低制造成本。
附图说明：
图1是本发明的局部结构图案示意框图。
图2是本发明的局部网格图案非导电区域示意框图。
图3是本发明的制作流程示意框图。
具体实施方式
下面是本发明的具体实施例来进一步描述：
图3所示，本发明公开一种触控面板线路单边外扩的方法，包括如下步骤在无尘干燥条件下进行；
步骤一：在透明导电材料表面电镀金属导电材料；
步骤二：在金属导电材料上贴光阻膜，曝光显影蚀刻形成金属走线；在室温状态下，用硫酸双氧水混合溶液蚀刻金属导电材料得到金属走线；
步骤三：先在金属走线上贴光阻膜，其中，金属走线宽度小于光阻膜宽度；然后，曝光显影蚀刻透明导电材料；在40摄氏度温度下，用盐酸对透明导电材料蚀刻，形成感应线和网格图案非导电区域；
步骤四：用透明光学胶将铭板层贴合在金属走线和透明导电材料上。
上述步骤三中盐酸的摩尔浓度范围值在4.1MOL/L到4.5MOL/L之间；步骤二中硫酸双氧水混合液的摩尔浓度值是1MOL/L。步骤三中网格图案为方块矩阵；其中，单个方块蚀刻边长0.35毫米，蚀刻线宽60微米；步骤三中光阻膜的宽度比金属走线的单边外扩5微米到10微米。所述光阻膜的厚度范围值在15微米到20微米之间。蚀刻反应时间为30秒钟到60秒钟。金属导电材料是铜；透明导电材料是氧化铟锡。步骤四中透明光学胶的厚度范围值在50微米到100微米之间。
实施例1：
铭板层的厚度是0.7毫米；金属导电材料的厚度是0.05微米；透明导电材料的厚度是0.045微米；基板层的厚度是50微米，基板层是聚碳酸树脂。
触控面板线路单边外扩的方法，包括如下步骤在无尘干燥条件下进行；
步骤一：在透明导电材料表面电镀金属导电材料；
步骤二：在金属导电材料上贴光阻膜，曝光显影蚀刻形成金属走线；在室温状态下，用硫酸双氧水混合溶液蚀刻金属导电材料得到金属走线；
步骤三：先在金属走线上贴光阻膜，其中，单条金属走线上的光阻膜宽度是65微米；然后，曝光显影蚀刻透明导电材料；在40摄氏度温度下，用盐酸对透明导电材料蚀刻，形成感应线和网格图案非导电区域；
步骤四：用透明光学胶将铭板层贴合在金属走线和透明导电材料上。
上述步骤三中盐酸的摩尔浓度是4.1MOL/L；步骤二中硫酸双氧水混合液的摩尔浓度是1.0MOL/L。步骤三中网格图案为方块矩阵；其中，单个方块蚀刻边长0.35毫米，蚀刻线宽60微米。光阻膜的厚度是15微米。蚀刻反应时间为30秒钟。步骤四中透明光学胶的厚度是50微米。步骤二中单条金属走线线宽是50微米。
实施例2：
铭板层的厚度是1.8毫米；金属导电材料的厚度是0.1微米；透明导电材料的厚度是0.1微米；基板层的厚度是180微米，基板层是硬化玻璃。
触控面板线路单边外扩的方法，包括如下步骤在无尘干燥条件下进行；
步骤一：在透明导电材料表面电镀金属导电材料；
步骤二：在金属导电材料上贴光阻膜，曝光显影蚀刻形成金属走线；在室温状态下，用硫酸双氧水混合溶液蚀刻金属导电材料得到金属走线；
步骤三：先在金属走线上贴光阻膜，其中，单条金属走线上的光阻膜宽度是75微米；然后，曝光显影蚀刻透明导电材料；在40摄氏度温度下，用盐酸对透明导电材料蚀刻，形成感应线和网格图案非导电区域；
步骤四：用透明光学胶将铭板层贴合在金属走线和透明导电材料上。
上述步骤三中盐酸的摩尔浓度是4.5MOL/L；步骤二中硫酸双氧水混合液的摩尔浓度是1.0MOL/L。步骤三中网格图案为方块矩阵；其中，单个方块蚀刻边长0.35毫米，蚀刻线宽60微米；光阻膜的厚度是20微米。蚀刻反应时间为60秒钟。步骤四中透明光学胶的厚度是100微米。步骤二中单条金属走线线宽是50微米。
实施例3：
铭板层的厚度是1.1毫米；金属导电材料的厚度是0.09微米；透明导电材料的厚度是0.08微米；基板层的厚度是125微米，基板层是聚碳酸树脂。
触控面板线路单边外扩的方法，包括如下步骤在无尘干燥条件下进行；
步骤一：在透明导电材料表面电镀金属导电材料；
步骤二：在金属导电材料上贴光阻膜，曝光显影蚀刻形成金属走线；在室温状态下，用硫酸双氧水混合溶液蚀刻金属导电材料得到金属走线；
步骤三：先在金属走线上贴光阻膜，其中，单条金属走线上的光阻膜宽度是70微米；然后，曝光显影蚀刻透明导电材料；在40摄氏度温度下，用盐酸对透明导电材料蚀刻，形成感应线和网格图案非导电区域；
步骤四：用透明光学胶将铭板层贴合在金属走线和透明导电材料上。
上述步骤三中盐酸的摩尔浓度是4.3MOL/L；步骤二中硫酸双氧水混合液的摩尔浓度是1.0MOL/L。步骤三中网格图案为方块矩阵；其中，单个方块蚀刻边长0.35毫米，蚀刻线宽60微米；光阻膜的厚度是18微米。蚀刻反应时间为45秒钟。步骤四中透明光学胶的厚度是75微米。步骤二中单条金属走线线宽是50微米。

Claims (6)

1.一种触控面板线路单边外扩的方法，包括如下步骤，其特征在于：所述步骤在无尘干燥条件下进行；
步骤一：在透明导电材料表面电镀金属导电材料；
步骤二：在金属导电材料上贴光阻膜，曝光显影蚀刻形成金属走线；在室温状态下，用硫酸双氧水混合溶液蚀刻金属导电材料得到金属走线；
步骤三：先在金属走线上贴光阻膜，其中，金属走线宽度小于光阻膜宽度；然后，曝光显影蚀刻透明导电材料；在40摄氏度温度下，用盐酸对透明导电材料蚀刻，形成感应线和网格图案非导电区域；
步骤四：用透明光学胶将铭板层贴合在金属走线和透明导电材料上。
2.如权利要求1所述触控面板线路单边外扩的方法，其特征在于：所述步骤三中盐酸的摩尔浓度范围值在4.1MOL/L到4.5MOL/L之间；步骤二中硫酸双氧水混合液的摩尔浓度值是1MOL/L。
3.如权利要求1所述触控面板线路单边外扩的方法，其特征在于：所述光阻膜的厚度范围值在15微米到20微米之间；步骤三中网格图案为方块矩阵；其中，单个方块蚀刻边长0.35毫米，蚀刻线宽60微米；步骤三中光阻膜相对于金属走线单边外扩5微米到10微米。
4.如权利要求1所述触控面板线路单边外扩的方法，其特征在于：所述蚀刻反应时间为30秒钟到60秒钟。
5.如权利要求1所述触控面板线路单边外扩的方法，其特征在于：所述金属导电材料是铜；透明导电材料是氧化铟锡。
6.如权利要求1所述触控面板线路单边外扩的方法，其特征在于：所述步骤四中透明光学胶的厚度范围值在50微米到100微米之间。
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