CN101870453A - 半导体纳米柱阵列结构的制作方法 - Google Patents
半导体纳米柱阵列结构的制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101870453A CN101870453A CN 201010183395 CN201010183395A CN101870453A CN 101870453 A CN101870453 A CN 101870453A CN 201010183395 CN201010183395 CN 201010183395 CN 201010183395 A CN201010183395 A CN 201010183395A CN 101870453 A CN101870453 A CN 101870453A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- metal
- semiconductor substrate
- array structure
- pillar array
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
Abstract
一种半导体纳米柱阵列结构的制作方法,包括如下步骤:步骤1:在一半导体衬底上生长铝层;步骤2:对铝层进行阳极氧化,形成孔洞由表面直达半导体衬底,形成多孔氧化铝膜;步骤3:在多孔氧化铝膜的表面淀积金属,在多孔氧化铝膜的孔洞内形成金属点;步骤4:将多孔氧化铝膜湿法腐蚀掉,从而在半导体衬底上形成金属点阵列;步骤5:以金属点阵列为掩膜对半导体衬底进行刻蚀,去掉金属点阵列,在半导体衬底上形成半导体纳米柱阵列。
Description
技术领域
本发明涉及半导体纳米结构的制备技术,更具体地说,本发明涉及到以多孔阳极氧化铝膜为模板,在孔中淀积金属点实现图形反转移,获得半导体纳米柱阵列结构的方法。
背景技术
随着纳米尺寸器件在微电子学、光学和生物化学等方面的应用价值日益突出,高度有序的纳米点、纳米柱(纳米线)等低维阵列结构体系由于其量子尺寸所带来的光、电、磁等特性越来越受到广泛的重视。常用的制备纳米阵列结构的方法有聚焦离子束和电子束曝光法、自组织生长法、模板法以及其他方法。聚焦离子束和电子束曝光法成本高、周期长且不能制备大面积纳米阵列;自组织生长法产率低,且无法调控纳米结构的几何特征;而模板法具有成本低,适应面广,易于调控纳米阵列结构等特点。以多孔阳极氧化铝(Porous anodic alumina,PAA)为模板进行图形转移是制备纳米阵列结构的常用方法。PAA模板由电化学方法制备,能够自组织生长成六度对称的多孔结构,具有孔道竖直、孔尺寸可调、大面积有序等优点,是制备低维纳米阵列结构的理想模板。
由于PAA模板的孔直径已经达到几十纳米量级,在利用其制备纳米结构时对图形转移工艺提出了较高的要求。目前常见的是在PAA模板底部预先淀积一层金属作为导电层,通过电镀工艺制备金属纳米点或纳米线阵列,然而利用PAA制备半导体纳米结构还比较困难。本发明提供了一种获得半导体衬底上纳米柱阵列结构的方法。利用两步图形转移方法,先在PAA孔中沉积金属点,快速热退火使金属点与衬底结合紧密,去除PAA模板后以金属点阵列为掩膜刻蚀衬底,即可得到半导体纳米柱阵列。此方法便于调控纳米结构的几何参数,实现简单,效率高。
发明内容
本发明的目的是提供一种半导体纳米柱阵列结构的制作方法,。
本发明提供一种半导体纳米柱阵列结构的制作方法,包括如下步骤:
步骤1:在一半导体衬底上生长铝层;
步骤2:对铝层进行阳极氧化,形成孔洞由表面直达半导体衬底,形成多孔氧化铝膜;
步骤3:在多孔氧化铝膜的表面淀积金属,在多孔氧化铝膜的孔洞内形成金属点;
步骤4:将多孔氧化铝膜湿法腐蚀掉,从而在半导体衬底上形成金属点阵列;
步骤5:以金属点阵列为掩膜对半导体衬底进行刻蚀,去掉金属点阵列,在半导体衬底上形成半导体纳米柱阵列。
其中铝层的生长方法是采用电子束蒸发、热蒸发或磁控溅射的方法。
其中在多孔氧化铝膜孔中淀积金属的方法是采用蒸发、溅射、化学气相沉积、原子层沉积或化学镀的方法。
其中在多孔氧化铝膜的表面淀积的是金属单质、合金或金属化合物。
其中半导体衬底的材料是体材料,或是量子阱或超晶格多层结构材料。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明的结构和特征作进一步的详细描述,其中:
图1(A)-(F)是本发明的一个制备硅基纳米柱阵列结构的工艺流程示意图。
具体实施方式
请参阅图1所示,本发明提供一种半导体纳米柱阵列结构的制作方法,包括如下步骤:
步骤1:在一半导体衬底1上生长铝层2,如图1(A),铝层2的厚度为2μm,该铝层2的生长是采用电子束蒸发、热蒸发或磁控溅射的方法,半导体衬底是Ⅳ族、Ⅲ-Ⅴ族化合物或Ⅱ-Ⅵ族化合物的体材料或多层结构材料;
步骤2:对铝层2进行阳极氧化,形成孔洞由表面直达半导体衬底1,形成多孔氧化铝膜3;
阳极氧化的过程采用二次氧化法,具体方法为以铝层2为阳极,铂片为阴极,在电解液中进行第一次氧化,电解液为草酸水溶液,氧化过程在水浴10℃下进行,接通直流恒压40V电源。第一次氧化时间为15’。阳极氧化后铝层表面形成孔呈六方排列的多孔氧化铝膜3,孔道与半导体衬底1表面垂直,底部阻挡层呈U型。多孔氧化铝膜3底部仍保留一层没有被氧化的铝层2,厚度由第一次氧化时间控制。
将第一次阳极氧化生成的多孔氧化铝层全部腐蚀掉。腐蚀后铝层表面形成排列有序的凹坑。对剩下的铝层进行第二次氧化,条件与第一次氧化相同。氧化过程进行到半导体衬底-铝界面时立即停止,时间为9’5”,在衬底1上获得多孔氧化铝膜3(其底部阻挡层为反型),多孔氧化铝膜3的厚度为700nm。将氧化铝底部的阻挡层湿法腐蚀掉,获得孔底穿通的多孔氧化铝膜3(如图1(B))。二次氧化法的作用有二,一是提高多孔氧化铝膜3孔排列的有序度,二是通过控制一次氧化的时间减薄膜厚度。
步骤3:在多孔氧化铝膜3的表面淀积金属,使金属沉积在多孔氧化铝膜3的孔洞内形成金属点4(如图1(C))。其中在多孔氧化铝膜3的表面淀积的是金属单质、合金或金属化合物,淀积的方法是采用蒸发、溅射、化学气相沉积、原子层沉积或化学镀的方法。淀积金属时使金属沉积在孔底,与半导体衬底接触,同时控制金属的厚度,使金属在孔中部分填充而不能覆盖到孔表面。
步骤4:将多孔氧化铝膜3湿法腐蚀掉,选择只腐蚀多孔氧化铝而不腐蚀该金属的腐蚀液,从而在半导体衬底1上形成金属点阵列(如图1(D))。金属点呈圆柱状,彼此分立,平均高度为50nm,平均直径为80nm,平均间距为100nm。
步骤5:以金属点阵列为掩膜对半导体衬底1进行干法刻蚀或湿法腐蚀(如图1(E)),然后腐蚀去掉金属点阵列,在半导体衬底1上形成半导体纳米柱阵列5(如图1(F))。
以上只是举出一个实施的例子,在制备过程中衬底1可以选择不同的半导体材料和结构,如硅、锗、Ⅲ-Ⅴ族半导体材料以及p-n结、量子阱等结构。阳极氧化过程可以通过不同的电解液,如草酸、磷酸、硫酸、乳酸溶液等,不同的温度和电压条件来生长结构参数不同的氧化铝膜。在孔中淀积金属点的方法可以选择蒸发、溅射、化学气相沉积、原子层沉积、化学镀等多种方法,金属可以根据需要选择金属(包括合金),金属化合物,如氧化锌、硫化镉等物质。对衬底的刻蚀也可以选择干法刻蚀或湿法腐蚀技术。
本发明的核心思想是用两步图形转移法实现半导体纳米柱阵列结构,几何参数(直径、高度、间距)达到几十纳米以下,便于调控,纳米结构阵列有序度高,且能够大面积制备,实现简单,效率高。
以上所述,仅为本发明中的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉该技术的人在本发明所揭露的技术范围内,可轻易想到的变换或替换,都应涵盖在本发明的包含范围之内。因此,本发明的保护范围应该以权利要求书的保护范围为准。
Claims (5)
1.一种半导体纳米柱阵列结构的制作方法,包括如下步骤:
步骤1:在一半导体衬底上生长铝层;
步骤2:对铝层进行阳极氧化,形成孔洞由表面直达半导体衬底,形成多孔氧化铝膜;
步骤3:在多孔氧化铝膜的表面淀积金属,在多孔氧化铝膜的孔洞内形成金属点;
步骤4:将多孔氧化铝膜湿法腐蚀掉,从而在半导体衬底上形成金属点阵列;
步骤5:以金属点阵列为掩膜对半导体衬底进行刻蚀,去掉金属点阵列,在半导体衬底上形成半导体纳米柱阵列。
2.根据权利要求1所述的半导体纳米柱阵列结构的制作方法,其中铝层的生长方法是采用电子束蒸发、热蒸发或磁控溅射的方法。
3.根据权利要求1所述的半导体纳米柱阵列结构的制作方法,其中在多孔氧化铝膜孔中淀积金属的方法是采用蒸发、溅射、化学气相沉积、原子层沉积或化学镀的方法。
4.根据权利要求1所述的半导体纳米柱阵列结构的制作方法,其中在多孔氧化铝膜的表面淀积的是金属单质、合金或金属化合物。
5.根据权利要求1所述的半导体纳米柱阵列结构的制作方法,其中半导体衬底的材料是体材料,或是量子阱或超晶格多层结构材料。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 201010183395 CN101870453A (zh) | 2010-05-19 | 2010-05-19 | 半导体纳米柱阵列结构的制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 201010183395 CN101870453A (zh) | 2010-05-19 | 2010-05-19 | 半导体纳米柱阵列结构的制作方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101870453A true CN101870453A (zh) | 2010-10-27 |
Family
ID=42995570
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN 201010183395 Pending CN101870453A (zh) | 2010-05-19 | 2010-05-19 | 半导体纳米柱阵列结构的制作方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN101870453A (zh) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102517558A (zh) * | 2011-11-08 | 2012-06-27 | 复旦大学 | 一种多孔金属/介质微米管及其制备方法和应用 |
CN102593261A (zh) * | 2012-03-14 | 2012-07-18 | 中国科学院微电子研究所 | 一种用于太阳电池的硅基纳米结构及其制备方法 |
CN102903608A (zh) * | 2011-07-29 | 2013-01-30 | 北京大学 | 一种纳米级图形化蓝宝石衬底的制备方法 |
CN104370269A (zh) * | 2014-11-14 | 2015-02-25 | 浙江大学 | 一种纳米柱阵列的制备方法 |
CN104409600A (zh) * | 2014-11-14 | 2015-03-11 | 浙江大学 | 一种近红外发光器件及其制备方法 |
CN105047819A (zh) * | 2015-06-23 | 2015-11-11 | 福州大学 | 一种有机半导体纳米线阵列导电沟道薄膜晶体管制备方法 |
CN110703365A (zh) * | 2019-10-18 | 2020-01-17 | 浙江水晶光电科技股份有限公司 | 光学镜片及其制备方法 |
CN111403922A (zh) * | 2020-03-31 | 2020-07-10 | 苏州科技大学 | 一种宽带可调谐完美吸收器的制备方法及完美吸收器 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101065831A (zh) * | 2004-08-31 | 2007-10-31 | 新加坡科技研究局 | 纳米结构及其制造方法 |
CN101499417A (zh) * | 2008-01-30 | 2009-08-05 | 中国科学院半导体研究所 | 用阳极氧化铝模板实现半导体材料上图形转移的方法 |
-
2010
- 2010-05-19 CN CN 201010183395 patent/CN101870453A/zh active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101065831A (zh) * | 2004-08-31 | 2007-10-31 | 新加坡科技研究局 | 纳米结构及其制造方法 |
CN101499417A (zh) * | 2008-01-30 | 2009-08-05 | 中国科学院半导体研究所 | 用阳极氧化铝模板实现半导体材料上图形转移的方法 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
《Advanced functional materials》 20030531 Melissa S. Sander et al. Nanoparticle arrays on surfaces fabricated using anodic alumina films as templates 第393-397页 第13卷, 第5期 * |
《Applied physics letters》 20070802 Bo yan et al. Fabrication of in situ ultrathin anodic aluminum oxide layers for nanostructuring on silicon substrate 第1-3页 第91卷, * |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102903608A (zh) * | 2011-07-29 | 2013-01-30 | 北京大学 | 一种纳米级图形化蓝宝石衬底的制备方法 |
CN102517558A (zh) * | 2011-11-08 | 2012-06-27 | 复旦大学 | 一种多孔金属/介质微米管及其制备方法和应用 |
CN102517558B (zh) * | 2011-11-08 | 2013-07-10 | 复旦大学 | 一种多孔金属/介质微米管及其制备方法和应用 |
CN102593261A (zh) * | 2012-03-14 | 2012-07-18 | 中国科学院微电子研究所 | 一种用于太阳电池的硅基纳米结构及其制备方法 |
CN104370269A (zh) * | 2014-11-14 | 2015-02-25 | 浙江大学 | 一种纳米柱阵列的制备方法 |
CN104409600A (zh) * | 2014-11-14 | 2015-03-11 | 浙江大学 | 一种近红外发光器件及其制备方法 |
CN105047819A (zh) * | 2015-06-23 | 2015-11-11 | 福州大学 | 一种有机半导体纳米线阵列导电沟道薄膜晶体管制备方法 |
CN105047819B (zh) * | 2015-06-23 | 2017-09-22 | 福州大学 | 一种有机半导体纳米线阵列导电沟道薄膜晶体管制备方法 |
CN110703365A (zh) * | 2019-10-18 | 2020-01-17 | 浙江水晶光电科技股份有限公司 | 光学镜片及其制备方法 |
CN111403922A (zh) * | 2020-03-31 | 2020-07-10 | 苏州科技大学 | 一种宽带可调谐完美吸收器的制备方法及完美吸收器 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101870453A (zh) | 半导体纳米柱阵列结构的制作方法 | |
CN110997988B (zh) | 阀金属层转变为包括多个间隔(纳米)通道并在其中形成间隔结构的模板 | |
Wu et al. | Electrochemical synthesis and applications of oriented and hierarchically quasi-1D semiconducting nanostructures | |
Phok et al. | Copper indium diselenide nanowire arrays by electrodeposition in porous alumina templates | |
US20130270118A1 (en) | Polycrystalline cuprous oxide nanowire array production method using low-temperature electrochemical growth | |
CN105603469B (zh) | 一种CuO/Ni核壳纳米线及其制备方法 | |
CN102903608A (zh) | 一种纳米级图形化蓝宝石衬底的制备方法 | |
CN101499417B (zh) | 用阳极氧化铝模板实现半导体材料上图形转移的方法 | |
CN101386985A (zh) | 在透明电极上制作aao模板的方法及相应器件 | |
Hou et al. | Insights on advanced substrates for controllable fabrication of photoanodes toward efficient and stable photoelectrochemical water splitting | |
CN106011969B (zh) | 镍基上金纳米颗粒阵列及其制备方法 | |
KR100803053B1 (ko) | 주기적인 패턴을 갖는 산화아연 나노막대 어레이의제조방법 | |
Taghavi et al. | Synthesizing tubular and trapezoidal shaped ZnO nanowires by an aqueous solution method | |
Kanchibotla et al. | Self assembly of nanostructures using nanoporous alumina templates | |
KR101710421B1 (ko) | 산화구리 나노막대/산화아연 나노가지로 구성된 광전극과 그 형성방법 | |
CN102181890B (zh) | 一种直流电沉积法制备Zn/ZnO纳米管的方法 | |
Vidyasagar et al. | Influence of anodizing time on porosity of nanopore structures grown on flexible TLC aluminium films and analysis of images using MATLAB software | |
Cossuet et al. | Template-assisted growth of open-ended TiO2 nanotubes with hexagonal shape using atomic layer deposition | |
Cheng et al. | Fabrication of nickel nanopillar-array electrodes for water electrolysis | |
TWI433810B (zh) | 製造奈米結構材料的方法 | |
CN109811313A (zh) | 一种高电阻率基底上多孔氧化铝模板的制备方法 | |
CN102181928A (zh) | 一种直流电沉积法制备ZnNi/Ni-ZnO纳米管的方法 | |
Jam | Advanced patterning and processing for III-V nanowire device fabrication | |
Musselman et al. | Oxide nanowire arrays for hybrid solar cells | |
Dittrich et al. | DESIGN OF SEMICONDUCTOR NANOSTRUCTURES FOR SOLAR CELL APPLICATION |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20101027 |