CN101847972B - 放大器电路以及收发机 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种放大器电路以及收发机，该放大器电路包括：包括有第一栅极、第一源极和第一漏极的场效应晶体管，第一栅极接收两个差动信号中的一个差动信号，并且第一源极被连接到参考电位节点；包括有第二栅极、第二源极和第二漏极的场效应晶体管，第二栅极接收两个差动信号中的另一个差动信号，并且第二源极被连接到参考电位节点；包括相互磁耦合的第一初级电感线圈和第一次级电感线圈的第一变压器，第一初级电感线圈被连接到第一场效应晶体管的第一漏极与第二场效应晶体管的第二漏极之间，并且第一次级电感线圈被连接到输出端与参考电位节点之间；以及第一开关电路，将电源电位节点或参考电位节点连接到第一初级电感线圈的中间点。

Description

放大器电路以及收发机
技术领域
这里讨论的实施例涉及一种放大器电路以及一种收发机。
背景技术
通常情况下，为了减少无线电收发机的功率消耗，会根据通信距离来改变信号输出功率。已经存在这样的技术，即根据信号输出功率来改变设置在收发机的最后一级中的起作用的(active)高输出放大器的个数，从而允许无线电收发机一直以最佳功率效率运行。
在“Fully Integrated CMOS Power Amplifier With Efficiency Enhancementat Power Back-Off”(G，Liu，P.Haldi，T.-J.K.Liu，and A.M.Niknejad，IEEEJournal of Solid-State Circuits，Vol.43，No.3，pp.600-609，March 2008)中公开了一种使用变压器的放大器电路。日本特开专利公开No.9-307367公开了一种使用多桥式单端推挽功率放大器(其对输入的RF输入信号进行放大并且将被放大的RF输入信号输出到共用的组合变压器)的功率组合方法，其中没有为组成桥式单端推挽电路(对其未输入RF信号)的晶体管提供偏压。
发明内容
本发明的目的在于提供一种能够防止不必要的功率损失和/或高频特性下降的放大器电路以及收发机。
根据本发明的一个方案，提供了一种放大器电路，该放大器电路包括第一场效应晶体管，该第一场效应晶体管包括第一栅极、第一源极和第一漏极，所述第一栅极接收两个差动信号中的一个差动信号(one of differentialsignals)，所述第一源极被连接到参考电位节点。该放大器电路还包括第二场效应晶体管，该第二场效应晶体管包括第二栅极、第二源极和第二漏极，所述第二栅极接收所述两个差动信号中的另一个差动信号(the other of thedifferential signals)，并且所述第二源极被连接到参考电位节点。该放大器电路进一步包括第一变压器，该第一变压器包括相互磁耦合(magneticallycoupled together)的第一初级电感线圈和第一次级电感线圈。该第一初级电感线圈被连接到所述第一场效应晶体管的第一漏极与所述第二场效应晶体管的第二漏极之间。所述第一次级电感线圈被连接到输出端与参考电位节点之间。该放大器电路还包括第一开关电路，其将电源电位节点或参考电位节点连接到所述第一初级电感线圈的中间点。
根据本发明的另一方案，还提供一种收发机，包括：第一场效应晶体管，包括第一栅极、第一源极和第一漏极，所述第一栅极接收两个差动信号中的一个差动信号，并且所述第一源极被连接到参考电位节点；第二场效应晶体管，包括第二栅极、第二源极和第二漏极，所述第二栅极接收所述两个差动信号中的另一个差动信号，并且所述第二源极被连接到参考电位节点；第一变压器，包括相互磁耦合的第一初级电感线圈和第一次级电感线圈，所述第一初级电感线圈被连接到所述第一场效应晶体管的第一漏极与所述第二场效应晶体管的第二漏极之间，并且所述第一次级电感线圈被连接到输出端与参考电位节点之间；以及第一开关电路，将电源电位节点或参考电位节点连接到所述第一初级电感线圈的中间点。
附图说明
图1是示出放大器的示例性配置的电路图；
图2是示出另一示例性放大器配置的电路图；
图3是示出根据本发明第一实施例的包括放大器电路的收发机的示例性配置的电路图；
图4是示出图3所示的放大器的示例性操作的时序图；
图5是示出根据本发明第二实施例的包括放大器电路的收发机的示例性配置的电路图；
图6是示出根据本发明第三实施例的包括放大器电路的收发机的示例性配置的电路图；以及
图7是示出根据本发明第三实施例的包括放大器电路的收发机的示例性操作的示意图。
具体实施方式
(相关技术)
图1是示出放大器电路的示例性配置的电路图。放大器电路包括第一、第二和第三放大器111、112和113。放大器111、112和113中的每一个放大器均包括第一场效应晶体管101、第二场效应晶体管102、初级电感线圈(inductor)103和次级电感线圈104。初级电感线圈103和次级电感线圈104相互磁耦合以形成变压器。
在第一放大器111中，将差动信号分别输入到第一场效应晶体管101的栅极与第二场效应晶体管102的栅极的节点IN1+与IN1-。在第二放大器112中，将差动信号分别输入到第一场效应晶体管101的栅极和第二场效应晶体管102的栅极的节点IN2+、IN2-。在第三放大器113中，将差动信号分别输入到第一场效应晶体管101的栅极和第二场效应晶体管102的栅极的节点IN3+、IN3-。输入到节点IN1+、IN2+和IN3+的差动信号相同；输入到节点IN1-、IN2-和IN3-的差动信号相同。
图1中的信号121是由第三放大器113放大的信号。信号122是由第二放大器112放大的信号和由第三放大器113放大的信号的组合信号。信号123是由第一放大器111放大的信号、由第二放大器112放大的信号和由第三放大器113放大的信号的组合信号。通过输出端Pout输出由三个放大器111-113放大的信号的组合信号123。
可以启动(activate)三个放大器111-113中的任何一个放大器以执行放大功能。当三个放大器111-113中的任何一个放大器被关闭(deactivate)时，就会出现如下问题：由于变压器的初级电感线圈103和次级电感线圈104相互磁耦合，所以高频功率从被启动的放大器进入关闭的放大器，并且通过被禁能的(disabled)放大器的场效应晶体管101、102中的每一个场效应晶体管的源极和漏极之间的电容被消耗。将参照图2描述解决该问题的放大器电路。
图2是示出另一示例性放大器配置的电路图。除了图1中的放大器的组件之外，图2中的放大器还包括第一电感线圈201、第二电感线圈202、场效应晶体管203。栅极偏压节点Vg1被连接到电感线圈201和202。电源电位节点Vd1被连接到初级电感线圈103的中间点。当放大器被关闭时，场效应晶体管203导通以防止高频功率进入到关闭的放大器中。
另一方面，当放大器被启动时，场效应晶体管203截止。在这种情况下，与图1中的电路相比，由于增加了场效应晶体管203的源极和漏极之间的电容，所以会出现高频特性的下降和场效应晶体管203中不必要的功率损失。
下面将描述根据实施例的放大器电路，该放大器电路能够防止不必要的功率损失和/或高频特性的下降。
(第一实施例)
图3是示出根据本发明第一实施例的包括放大器电路的收发机的示例性配置的电路图。图3示出与图6所示的第一放大器611等效的放大器。该放大器是在诸如无线电收发机等应用设备中使用的高输出放大器。
第一场效应晶体管101(n沟道场效应晶体管)包括第一栅极、第一源极和第一漏极。将其中一个差动信号输入到第一栅极的节点IN1+，并且将第一源极连接到参考电位节点。节点D-是第一场效应晶体管101的第一漏极的节点。
第二场效应晶体管102(n沟道场效应晶体管)包括第二栅极、第二源极和第二漏极。将其中另一个差动信号输入到第二栅极的节点IN1-，并且将第二源极连接到该参考电位节点。节点D+是第二场效应晶体管102的第二漏极的节点。输入到节点IN1+与IN1-的差动信号具有相反的相位。
第一变压器包括相互磁耦合的第一初级电感线圈103和第一次级电感线圈104。第一初级电感线圈103被连接到第一场效应晶体管101的第一漏极与第二场效应晶体管102的第二漏极之间。第一次级电感线圈104被连接到输出端Pout与参考电位节点之间，如图6所示。节点A是第一初级电感线圈103的中间点。节点T是第一次级电感线圈104的节点。
第一开关电路是包括p沟道场效应晶体管301和n沟道场效应晶体管302的反相器。第一开关将电源电位节点Vd1或参考电位节点连接到位于第一初级电感线圈103中间点的节点A。p沟道场效应晶体管301在其栅极接收信号SW1。p沟道场效应晶体管301的源极被连接到电源电位节点Vd1，而漏极被连接到位于第一初级电感线圈103中间点的节点A。n沟道场效应晶体管302在其栅极接收信号SW1。n沟道场效应晶体管302的源极被连接到参考电位节点，而漏极被连接到位于第一初级电感线圈103中间点的节点A。
第一电感线圈201被连接到第一场效应晶体管101的第一栅极与栅极偏压节点Vg1之间。第二电感线圈202被连接到第二场效应晶体管102的第二栅极与栅极偏压节点Vg1之间。
图4是示出图3所示的放大器的示例性操作的时序图。例如，电源电位节点Vd1处于3.3V。图4左半边表示放大器起作用时的状态，而图4右半边表示放大器待用(inactive)时的状态。
首先，将描述图4左半边所示的放大器起作用的状态。在放大器起作用的状态中，信号SW1处于低电平(level)，栅极偏压节点Vg1处于第二偏压节点Vg2的电位，并且将差动信号输入到节点IN+与IN-。第二偏压节点Vg2的电位高于参考电位节点(例如地电位节点)GND的电位而低于电源电位(3.3V)。节点IN1+与IN1-中的每一个节点的电位为栅极偏压节点Vg1的电位和每个差动信号的电位的组合电位。
当信号SW1为低时，p沟道场效应晶体管301导通，n沟道场效应晶体管302截止。然后，位于第一初级电感线圈103中间点的节点A的电位变成与电源电位节点Vd1的电位相等。结果，为第一与第二场效应晶体管101、102提供漏极偏压，并且使第一与第二场效应晶体管101、102能够执行放大功能。
第一场效应晶体管101使处于第一栅极的节点IN1+的信号反相并放大该信号，并且将被反相放大的信号输出到第一漏极的节点D-。第二场效应晶体管102使处于第二栅极的节点IN1-的信号反相并放大该信号，并且将被反相放大的信号输出到第二漏极的节点D+。由于节点IN1+与IN1-处的信号是差动信号，因此节点D+与D-处的信号也是差动信号。由于第一初级电感线圈103和第一次级电感线圈104是相互磁耦合的，因此节点D+与D-处的信号之间的差值信号被感应(induce)到第一次级电感线圈104的节点T。因而，放大器可以将被放大的信号输出到节点T。
在放大器起作用的状态中，当由晶体管301与302形成的第一开关电路将电源电位节点Vd1连接到位于第一初级电感线圈103中间点的节点A时，差动信号被输入到第一场效应晶体管101的第一栅极和第二场效应晶体管102的第二栅极。
下面将描述描述图4右半边所示的放大器的待用状态。在放大器的待用状态中，信号SW1处于高电平，栅极偏压节点Vg1处的电位等于电源电位(3.3V)，并且没有将差动信号输入到节点IN1+与IN1-。节点IN1+与IN1-中的每一个节点的电位均等于栅极偏压节点Vg1处的电位。
当信号SW1为高时，p沟道场效应晶体管301截止，n沟道场效应晶体管302导通。然后，位于第一初级电感线圈103中间点的节点A的电位变成与参考电位节点GND处的电位相等。从而，没有为第一与第二场效应晶体管101、102提供漏极偏压，并且该第一与第二场效应晶体管101、102不执行放大功能。由于栅极偏压节点Vg1处于高电平，因此第一与第二场效应晶体管101、102被导通。然后，节点D-与D+处的电位变成与参考电位节点GND处的电位相等。从而，第一次级电感线圈104的节点T处的电位也变成与参考电位节点GND处的电位相等。因而，处于放大器的待用状态中的放大器没有将被放大的信号输出到第一次级电感线圈104的节点T。
在放大器的待用状态中，当由晶体管301与302形成的第一开关电路将参考电位节点GND连接到位于第一初级电感线圈103中间点的节点A时，没有将差动信号输入到第一场效应晶体管101的第一栅极和第二场效应晶体管102的第二栅极。
如上所述，在本实施例的放大器中，将由晶体管301与302形成的第一开关电路连接到位于第一初级电感线圈103中间点的节点A。当将要启动放大器时，强制信号SW1为低，使得与电源电位节点VD1处的电位相等的电位被施加到节点A。在这种情况下，差动放大器的晶体管101、102将输入的RF差动信号放大，并且通过由电感线圈103、104形成的变压器将被放大的信号输出到输出端Pout。另一方面，当将要使放大器关闭时，强制信号SW1为高，使得与参考电位节点GND处的电位相等的电位被施加到节点A。与电源电位节点Vd1处的电位相等的电位被施加到差动放大器的晶体管101、102的栅极偏压节点Vg1。这里，组成差动放大器的晶体管101、102自身作为(act as)开关并且导通，以在节点A与参考电位节点GND之间造成DC短路。在差动放大器的晶体管101、102的源极和漏极短路的同时，将节点A连接到参考电位节点GND。因此，没有将电源电流提供给差动放大器的晶体管101、102，并且在放大器中没有消耗功率。
具体而言，在放大器待用的状态中，强制信号SW1为高以将参考电位节点GND连接到节点A。然后，将电源电位(3.3V)提供给栅极偏压节点Vg1，并且差动放大器的晶体管101、102导通。这使晶体管101、102的源极和漏极电连通，并且节点A对参考电位节点GND短路。即，变压器的第一初级电感线圈103两端的节点D-与D+对参考电位节点GND短路。这会防止高频功率通过变压器进入到放大器，从而避免放大器中的功率消耗。
因而，可以防止不必要的功率损耗。在将由晶体管301与302形成的第一开关电路连接到节点A的同时，因为节点A与相关于Vd1的波形节点相对应，所以连接由晶体管301与302形成的第一开关电路对放大器没有不利作用。因而，可以避免因连接由晶体管301与302形成的第一开关电路而引起高频特性的下降。
(第二实施例)
图5是示出根据本发明第二实施例的包括放大器电路的收发机的示例性配置的电路图。图5示出与图6所示的放大器611等效的放大器。除了第一实施例(图3)的配置中的组件之外，第二实施例还包括电阻501和晶体管502。图中示出的是用于将栅极偏压施加到栅极偏压节点Vg1的示例性电路。下面将描述第二实施例与第一实施例的不同之处。
将电阻501连接到电源电位节点Vd1与栅极偏压节点Vg1之间。n沟道场效应晶体管502在其栅极接收信号/SW1。n沟道场效应晶体管502的漏极被连接到栅极偏压节点Vg1，源极被连接到偏压节点Vg2。信号/SW1是信号SW1的反相信号。
电阻501和晶体管502形成偏压开关电路，其将电源电位节点(第一偏压节点)Vd1或偏压节点(第二偏压节点)Vg2连接到栅极偏压节点Vg1。
电源电位节点(第一偏压节点)Vd1处的电位高于偏压节点(第二偏压节点)Vg2处的电位。如图5所示，当由晶体管301与302形成的开关电路将电源电位节点Vd1连接到位于第一初级电感线圈103的中间点的节点A时，由电阻501和晶体管502形成的偏压开关电路将偏压节点(第二偏压节点)Vg2连接到栅极偏压节点Vg1。另一方面，当由晶体管301与302形成的第一开关电路将参考电位节点GND连接到位于第一初级电感线圈103的中间点的节点A时，由电阻501和晶体管502形成的偏压开关电路将电源电位节点(第一偏压节点)Vd1连接到栅极偏压节点Vg1。
如图4左半边所示，当将要启动放大器时，强制信号SW1为低以将电源电位节点Vd1连接到节点A。此时，信号/SW1为高，因此晶体管502导通。结果，偏压节点Vg2被连接到栅极偏压节点Vg1。由晶体管101、102形成的差动放大器将输入的RF差动信号放大并且通过变压器将被放大的信号输出到输出端Pout。
另一方面，如图4右半边所示，当将要使放大器关闭时，强制信号SW1为高以将参考电位节点GND连接到节点A。此时，信号/SW1变低，因此晶体管502截止。将栅极偏压节点Vg1与偏压节点Vg2断开，取而代之的是，将栅极偏压节点Vg1连接到电源电位节点Vd1。形成差动放大器的晶体管101、102的漏极和源极DC短路。因而，可以防止不必要的功率损失。
(第三实施例)
图6是示出根据本发明第三实施例的包括放大器电路的收发机的示例性配置的电路图。除了第二实施例(图5)中的组件之外，该实施例还包括放大器612、613。下面将描述本实施例与第二实施例的不同之处。
该放大器电路包括第一、第二和第三放大器611、612和613。第一放大器611与图5中的放大器具有相同的配置，因此省略对放大器611的描述。放大器612、613具有与放大器611类似的配置。将同一信号选择性地输入到节点IN1+、IN2+以及IN3+。将同一信号选择性地输入到节点IN1-、IN2-以及IN3-。在输出端Pout与参考电位节点之间串联连接第一、第二和第三次级电感线圈104、104a和104b。
首先，将描述第二放大器612的配置。第三场效应晶体管101a(n沟道场效应晶体管)包括第三栅极、第三源极和第三漏极。将其中一个差动信号输入到第三栅极的节点IN2+。将第三源极连接到参考电位节点。节点Da-是第三场效应晶体管101a的第三漏极的节点。第四场效应晶体管102a(n沟道场效应晶体管)包括第四栅极、第四源极和第四漏极。将其中另一个差动信号输入到第四栅极的节点IN2-。将第四源极连接到参考电位节点。节点Da+是第四场效应晶体管102的第四漏极的节点。输入到节点IN2+、IN2-的差动信号具有相反的相位。第二变压器包括相互磁耦合的第二初级电感线圈103a和第二次级电感线圈104a。第二初级电感线圈103a被连接到第三场效应晶体管101a的第三漏极与第四场效应晶体管102a的第四漏极之间。第二次级电感线圈104a与第一次级电感线圈104、第三次级电感线圈104b在输出端Pout与参考电位节点之间串联连接。节点Aa是位于第二初级电感线圈103a中间点的节点。第二开关电路是包括p沟道场效应晶体管301a和n沟道场效应晶体管302a的反相器。第二开关电路将电源电位节点Vd1或参考电位节点连接到位于第二初级电感线圈103a中间点的节点Aa。p沟道场效应晶体管301a在其栅极接收信号SW1a。p沟道场效应晶体管301a的源极被连接到电源电位节点Vd1，漏极被连接到位于第二初级电感线圈103a中间点的节点Aa。n沟道场效应晶体管302a在其栅极接收信号SW1a。n沟道场效应晶体管302a的源极被连接到参考电位节点，漏极被连接到位于第二初级电感线圈103a中间点的节点Aa。第三电感线圈201a被连接到第三场效应晶体管101a的第三栅极与栅极偏压节点Vg1a之间。第四电感线圈202a被连接到第四场效应晶体管102a的第四栅极与栅极偏压节点Vg1a之间。电阻501a被连接到电源电位节点Vd1与栅极偏压节点Vg1a之间。n沟道场效应晶体管502a在其栅极接收信号/SW1a。n沟道场效应晶体管502a的漏极被连接到栅极偏压节点Vg1a，源极被连接到偏压节点Vg2。信号/SW1a是信号SW1a的反相信号。
下面，将描述第三放大器613的配置。第五场效应晶体管101b(n沟道场效应晶体管)包括第五栅极、第五源极和第五漏极。将其中一个差动信号输入到第五栅极的节点IN3+。将第五源极连接到参考电位节点。节点Db-是第五场效应晶体管101b的第五漏极的节点。第六场效应晶体管102b(n沟道场效应晶体管)包括第六栅极、第六源极和第六漏极。将其中另一个差动信号输入到第六栅极的节点IN3-，并且将第六源极连接到参考电位节点。节点Db+是第六场效应晶体管102b的第六漏极的节点。输入到节点IN3+、IN3-的差动信号具有相反的相位。第三变压器包括相互磁耦合的第三初级电感线圈103b和第三次级电感线圈104b。第三初级电感线圈103b被连接到第五场效应晶体管101b的第五漏极与第六场效应晶体管102b的第六漏极之间。第三次级电感线圈104b与第一次级电感线圈104、第二次级电感线圈104a在输出端Pout与参考电位节点之间串联连接。节点Ab是位于第三初级电感线圈103b中间点的节点。第三开关电路是包括p沟道场效应晶体管301b和n沟道场效应晶体管302b的反相器。第三开关电路将电源电位节点Vd1或参考电位节点连接到位于第三初级电感线圈103b中间点的节点Ab。p沟道场效应晶体管301b在其栅极接收信号SW1b。p沟道场效应晶体管301b的源极被连接到电源电位节点Vd1，漏极被连接到位于第三初级电感线圈103b中间点的节点Ab。n沟道场效应晶体管302b在其栅极接收信号SW1b。n沟道场效应晶体管302b的源极被连接到参考电位节点，漏极被连接到位于第三初级电感线圈103b中间点的节点Ab。第五电感线圈201b被连接到第五场效应晶体管101b的第五栅极与栅极偏压节点Vg1b之间。第六电感线圈202b被连接到第六场效应晶体管102b的第六栅极与栅极偏压节点Vg1b之间。电阻501b被连接到电源电位节点Vd1与栅极偏压节点Vg1b之间。n沟道场效应晶体管502b在其栅极接收信号/SW1b。n沟道场效应晶体管502b的漏极被连接到栅极偏压节点Vg1b，而源极被连接到偏压节点Vg2。信号/SW1b是信号SW1b的反相信号。
通过强制信号SW1为低而信号/SW1为高来启动第一放大器611，以将差动信号输入到节点IN1+与IN1-。通过强制信号SW1为高而信号/SW1为低使第一放大器611关闭，以防止将差动信号输入到节点IN1+与IN1-。
类似地，通过强制信号SW1a为低而信号/SW1a为高来启动第二放大器612，以将差动信号输入到节点IN2+与IN2-。通过强制信号SW1a为高而信号/SW1a为低使第二放大器612关闭，以防止将差动信号输入到节点IN2+与IN2-。
同样，通过强制信号SW1b为低而信号/SW1b为高来启动第三放大器613，以将差动信号输入到节点IN3+与IN3-。通过强制信号SW1b为高而信号/SW1b为低使第三放大器613关闭，以防止将差动信号输入到节点IN3+与IN3-。
图6所示的第一至第三放大器611-613全部处于起作用的状态。信号621是由第三放大器613放大的信号。信号622是由第二放大器612放大的信号和由第三放大器613放大的信号的组合信号。信号623是由第一放大器611放大的信号、由第二放大器612放大的信号和由第三放大器613放大的信号的组合信号。通过输出端Pout输出由三个放大器611-613放大的信号的组合信号623。
图7示出了根据本发明第三实施例的包括放大器电路的收发机的示例性操作。可以启动三个放大器611-613中的任何一个放大器。例如，可以启动第一放大器611而使第二与第三放大器612、613关闭。信号701是由第一放大器611放大的信号。将仅由单级放大器611放大的信号701从输出端Pout输出。
在无线电收发机中，为了减少功率消耗，根据通信距离改变信号输出功率。可以在无线电通信发射机的最后一级中使用实施例的放大器电路，从而根据所需的信号输出功率，通过改变起作用的放大器611-613的个数而允许发射机一直以最佳功率效率运行。
如上所述，根据第一至第三实施例的任何一个实施例，通过将电源电位节点Vd1连接到位于第一初级电感线圈103的中间点处的节点A，可以启动第一与第二场效应晶体管101、102以执行放大功能。另一方面，通过将参考电位节点GND连接到第一初级电感线圈103的中间点处的节点A，可以使第一与第二场效应晶体管101、102关闭，以防止不必要的功率损失。另外，由于由晶体管301与302形成的第一开关电路不会对放大功能产生不利影响，因此可以避免高频特性的下降。
上述实施例只是实现本发明的示例性方式，而不应该被解释为限制本发明的技术范围。在不脱离本发明的技术精神或主要特征的范围之内，可以以各种形式实现本发明。

Claims (8)

1.一种放大器电路，包括：
第一场效应晶体管，包括第一栅极、第一源极和第一漏极，所述第一栅极接收两个差动信号中的一个差动信号，并且所述第一源极被连接到参考电位节点；
第二场效应晶体管，包括第二栅极、第二源极和第二漏极，所述第二栅极接收所述两个差动信号中的另一个差动信号，并且所述第二源极被连接到参考电位节点；
第一变压器，包括相互磁耦合的第一初级电感线圈和第一次级电感线圈，所述第一初级电感线圈被连接到所述第一场效应晶体管的第一漏极与所述第二场效应晶体管的第二漏极之间，并且所述第一次级电感线圈被连接到输出端与参考电位节点之间；
第一开关电路，当该放大器电路起作用时，将电源电位节点连接到所述第一初级电感线圈的中间点，而当该放大器电路不起作用时，将参考电位节点连接到所述第一初级电感线圈的中间点，使得所述第一初级电感线圈两端的两个节点对所述第一初级电感线圈的中间点短路，以防止高频功率通过所述第一初级电感线圈进入到不起作用的放大器电路，从而避免所述放大器电路中的功率消耗；以及
偏压开关电路，将第一偏压节点或第二偏压节点连接到栅极偏压节点，其中所述栅极偏压节点是所述第一场效应晶体管和所述第二场效应晶体管的栅极偏压节点；
其中：所述第一偏压节点的电位为电源电位，所述第二偏压节点的电位高于参考电位且低于电源电位；
当所述第一开关电路将所述电源电位节点连接到所述第一初级电感线圈的中间点时，所述偏压开关电路将所述第二偏压节点连接到所述栅极偏压节点；以及
当所述第一开关电路将所述参考电位节点连接到所述第一初级电感线圈的中间点时，所述偏压开关电路将所述第一偏压节点连接到所述栅极偏压节点；
其中：当所述第一开关电路将所述电源电位节点连接到所述第一初级电感线圈的中间点时，将所述两个差动信号输入到所述第一场效应晶体管的第一栅极和所述第二场效应晶体管的第二栅极；以及
当所述第一开关电路将所述参考电位节点连接到所述第一初级电感线圈的中间点时，防止将所述两个差动信号输入到所述第一场效应晶体管的第一栅极和所述第二场效应晶体管的第二栅极。
2.根据权利要求1所述的放大器电路，进一步包括：
第一电感线圈，被连接到所述第一场效应晶体管的第一栅极与所述栅极偏压节点之间；以及
第二电感线圈，被连接到所述第二场效应晶体管的第二栅极与所述栅极偏压节点之间。
3.根据权利要1所述的放大器电路，其中：
所述第一开关电路是反相器。
4.根据权利要1所述的放大器电路，进一步包括：
第三场效应晶体管，包括第三栅极、第三源极和第三漏极，所述第三栅极接收所述两个差动信号中的一个差动信号，并且所述第三源极被连接到参考电位节点；
第四场效应晶体管，包括第四栅极、第四源极和第四漏极，所述第四栅极接收所述两个差动信号中的另一个差动信号，并且所述第四源极被连接到参考电位节点；
第二变压器，包括相互磁耦合的第二初级电感线圈和第二次级电感线圈，所述第二初级电感线圈被连接到所述第三场效应晶体管的第三漏极与所述第四场效应晶体管的第四漏极之间，并且所述第二次级电感线圈与所述第一次级电感线圈串联连接在所述输出端与参考电位节点之间；以及
第二开关电路，将电源电位节点或参考电位节点连接到所述第二初级电感线圈的中间点。
5.一种收发机，包括第一放大器电路，该第一放大器电路包括：
第一场效应晶体管，包括第一栅极、第一源极和第一漏极，所述第一栅极接收两个差动信号中的一个差动信号，并且所述第一源极被连接到参考电位节点；
第二场效应晶体管，包括第二栅极、第二源极和第二漏极，所述第二栅极接收所述两个差动信号中的另一个差动信号，并且所述第二源极被连接到参考电位节点；
第一变压器，包括相互磁耦合的第一初级电感线圈和第一次级电感线圈，所述第一初级电感线圈被连接到所述第一场效应晶体管的第一漏极与所述第二场效应晶体管的第二漏极之间，并且所述第一次级电感线圈被连接到输出端与参考电位节点之间；以及
第一开关电路，当该第一放大器电路起作用时，将电源电位节点连接到所述第一初级电感线圈的中间点，而当该第一放大器电路不起作用时，将参考电位节点连接到所述第一初级电感线圈的中间点，使得所述第一初级电感线圈两端的两个节点对所述第一初级电感线圈的中间点短路，以防止高频功率通过所述第一初级电感线圈进入到不起作用的放大器电路，从而避免所述放大器电路中的功率消耗；
偏压开关电路，将第一偏压节点或第二偏压节点连接到栅极偏压节点，其中所述栅极偏压节点是所述第一场效应晶体管和所述第二场效应晶体管的栅极偏压节点；
其中：所述第一偏压节点的电位为电源电位，所述第二偏压节点的电位高于参考电位且低于电源电位；
当所述第一开关电路将所述电源电位节点连接到所述第一初级电感线圈的中间点时，所述偏压开关电路将所述第二偏压节点连接到所述栅极偏压节点；以及
当所述第一开关电路将所述参考电位节点连接到所述第一初级电感线圈的中间点时，所述偏压开关电路将所述第一偏压节点连接到所述栅极偏压节点；
其中：当所述第一开关电路将所述电源电位节点连接到所述第一初级电感线圈的中间点时，将所述两个差动信号输入到所述第一场效应晶体管的第一栅极和所述第二场效应晶体管的第二栅极；以及
当所述第一开关电路将所述参考电位节点连接到所述第一初级电感线圈的中间点时，防止将所述两个差动信号输入到所述第一场效应晶体管的第一栅极和所述第二场效应晶体管的第二栅极。
6.根据权利要求5所述的收发机，进一步包括：
第一电感线圈，被连接到所述第一场效应晶体管的第一栅极与栅极偏压节点之间；以及
第二电感线圈，被连接到所述第二场效应晶体管的第二栅极与所述栅极偏压节点之间。
7.根据权利要5所述的收发机，其中：
所述第一开关电路是反相器。
8.根据权利要5所述的收发机，进一步包括第二放大器电路，该第二放大器电路包括：
第三场效应晶体管，包括第三栅极、第三源极和第三漏极，所述第三栅极接收所述两个差动信号中的一个差动信号，并且所述第三源极被连接到参考电位节点；
第四场效应晶体管，包括第四栅极、第四源极和第四漏极，所述第四栅极接收所述两个差动信号中的另一个差动信号，并且所述第四源极被连接到参考电位节点；
第二变压器，包括相互磁耦合的第二初级电感线圈和第二次级电感线圈，所述第二初级电感线圈被连接到所述第三场效应晶体管的第三漏极与所述第四场效应晶体管的第四漏极之间，并且所述第二次级电感线圈与所述第一次级电感线圈串联连接在所述输出端与参考电位节点之间；以及
第二开关电路，当该第二放大器电路起作用时，将电源电位节点连接到所述第二初级电感线圈的中间点，而当该第二放大器电路不起作用时，将参考电位节点连接到所述第二初级电感线圈的中间点。
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