CN101834165B - 一种集成电路芯片封装体 - Google Patents

一种集成电路芯片封装体 Download PDF

Info

Publication number
CN101834165B
CN101834165B CN201010169102.8A CN201010169102A CN101834165B CN 101834165 B CN101834165 B CN 101834165B CN 201010169102 A CN201010169102 A CN 201010169102A CN 101834165 B CN101834165 B CN 101834165B
Authority
CN
China
Prior art keywords
lead
integrated circuit
wire
chip package
circuit chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201010169102.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101834165A (zh
Inventor
商松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jiangsu Hengnuo Technology Co.,Ltd.
Original Assignee
Beijing Zhongqing Micro Digital Equipment Development Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beijing Zhongqing Micro Digital Equipment Development Co Ltd filed Critical Beijing Zhongqing Micro Digital Equipment Development Co Ltd
Priority to CN201010169102.8A priority Critical patent/CN101834165B/zh
Publication of CN101834165A publication Critical patent/CN101834165A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101834165B publication Critical patent/CN101834165B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

本发明公开了一种集成电路芯片封装体，包括IC芯片、引线和引线框架内引脚，其中，所述引线材质为IIIB族元素金属合金；所述引线用于固定连接所述IC芯片和引线框架内引脚。本发明的引线具有良好电学性能、热学性能和机械性能，并且，成本较低。

Description

一种集成电路芯片封装体
技术领域
本发明涉及集成电路领域，特别是涉及一种集成电路芯片封装体。
背景技术
现有技术中，金丝具有电导率大、耐腐蚀、韧性好等优点，广泛应用于集成电路，但是由于金丝价格昂贵，导致集成电路产品成本较高。
较常用的铜丝、铝丝在空气中容易被氧化，并且，铜丝的硬度较强，而铝丝由于存在形球非常困难等问题，只能采用楔键合，主要应用在功率器件、微波器件和光电器件。
随着高密度封装的发展，金丝球焊的缺点将日益突出，同时微电子行业为降低成本、提高可靠性，必将寻求工艺性能好、价格低廉的金属材料来代替价格昂贵的金。
因此，现有技术存在缺陷，需要改进。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是，提供一种采用具有良好电学性能、热学性能和机械性能，并且，成本较低的IIIB组元素金属合金作为引线的集成电路芯片封装体。
本发明的技术方案如下：一种集成电路芯片封装体，包括IC芯片、引线和引线框架内引脚，其中，所述引线材质为IIIB族元素金属合金；所述引线用于固定连接所述IC芯片和引线框架内引脚。
所述的集成电路芯片封装体，其中，所述引线材质为稀土合金或者锕系元素合金。
所述的集成电路芯片封装体，其中，所述引线材质为稀土铜合金或者锕系元素合金。
所述的集成电路芯片封装体，其中，所述引线材质为稀土铝合金或者锕系元素合金。
所述的集成电路芯片封装体，其中，所述引线材质为稀土铜铝合金或者锕系元素合金。
所述的集成电路芯片封装体，其中，所述稀土，至少包括镧系稀土金属元素其中之一。
所述的集成电路芯片封装体，其中，所述稀土为镧和/或铈。
所述的集成电路芯片封装体，其中，所述引线材质，包括镧系稀土金属元素其中之一、以及锕系稀土金属元素其中之一。
所述的集成电路芯片封装体，其中，所述引线的直径为0.01-0.35mm。
所述的集成电路芯片封装体，其中，所述引线的直径为0.05-0.1mm。
采用上述方案，本发明通过将所述引线材质为IIIB族元素金属合金，IIIB族元素金属合金引线具有良好电学性能、热学性能和机械性能，可以代替传统的金引线，提高引线性能，从而可以降低成本。
附图说明
图1是本发明的一种示意图。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例，对本发明进行详细说明。
实施例1
如图1所示本实施例提供了一种集成电路芯片封装体，所述集成电路芯片封装体包括IC芯片101、引线103和引线框架内引脚104；并且，各元件通过密封材料102封装。其中，IC芯片101可以为各集成电路芯片，如为驱动芯片、控制芯片等，所述IC芯片一般应用于LED领域，用于驱动或控制各LED单元；并且，所述引线103用于固定连接所述IC芯片101和引线框架内引脚104，从而使IC芯片101内部电路与外部电路接通。
其中，所述引线材质为IIIB族元素金属合金，所述IIIB族元素金属合金，是IIIB族元素与一种或多种金属元素所形成的合金，IIIB族元素是化学元素周期表中，原子序数为21、39、57～71、89～103的32种化学元素的统称。IIIB族元素常见价态为+3，具有活泼的金属特性。
例如，所述引线材质为稀土合金；即为稀土元素与一种或多种金属元素所形成的合金。稀土元素是化学元素周期表中IIIB族中，原子序数为21、39和57～71的17种化学元素的统称。其中原子序数为57～71的15种化学元素又统称为镧系元素。稀土元素包括钪、钇、镧、铈、镨、钕、钷、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱、镥。通常把镧、铈、镨、钕、钷、钐、铕称为轻稀土元素；而钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱、镥、钇称为重稀土元素。
又如，所述引线材质为锕系元素合金，锕系元素为锕、钍镤、铀、镎、钚、镅、锔、锫、锎、锿、镄、钔、锘、铹15种元素的总称，锕系元素都是金属，与镧系元素一样，化学性质比较活泼。
一般，IC芯片的引线要求具有良好导电、导热性，较高的强度，弹性优良，屈服强度高，耐热性和耐氧化性好，具有一定的耐蚀性，表面质量好，可焊性高等特点。
IIIB族元素，尤其稀土元素，具有活泼的金属性能，大多数稀土金属呈现顺磁性。钆在0℃时比铁具更强的铁磁性。铽、镝、钬、铒等在低温下也呈现铁磁性，镧、铈的低熔点和钐、铕、镱的高蒸气压表现出稀土金属的物理性质有极大差异。钐、铕、钇的热中子吸收截面比广泛用于核反应堆控制材料的镉、硼还大。稀土金属具有可塑性，以钐和镱为最好。除镱外，钇组稀土较铈组稀土具有更高的硬度。而在合金中加入稀土元素可以大大改善该合金的性质，从而可以提高合金的导电、导热、强度、弹性、耐腐蚀、耐热性和耐氧化性等等性质。并且，我国拥有丰富的稀土矿产资源，成矿条件优越，稀土合金成本较低。
例如，钢铁中加入少量稀土元素，可大大改善钢的机械性能，因此稀土元素可称为钢铁的“维生素”。例如在生铁里加进铈，可得到球墨铸铁，使生铁具有韧性且耐磨，可以铁代钢，以铸代锻。
本实施例不限制各合金的比例，以实际可用的各种IIIB族元素合金即可，即，可以选用已知的各种IIIB族元素合金，下同。
实施例2
在上述各例基础上，本实施例所提供的一种集成电路芯片封装体，其中，所述引线材质为稀土铜合金或锕系元素铜合金，即稀土元素或锕系元素与铜元素形成的合金。
铜具有良好的电学性能和热学性能，其中，铜的电导率为0.62(μΩ/cm)-1，比金的电导率[0.42(μΩ/cm)-1]大，同时铜的热导率也高于金，因此在直径相同的条件下铜丝可以承载更大电流，使得铜引线不仅用于功率器件中，也应用于更小直径引线以适应高密度集成电路封装；并且，铜的机械性能也非常好，在铜中加入稀土元素或锕系元素，制成的稀土铜合金或锕系元素铜合金，能够集合铜和稀土元素或锕系元素的优良性能，具有良好的电学性能和热学性能，以及还有好的机械性能，并且，成本较低。
或者，所述引线材质为稀土铝合金或锕系元素铝合金，即稀土元素或锕系元素与铝元素形成的合金，铝是银白色的轻金属，面心立方结构，有较好的导电性和导热性，稳定性高，并具有高度的柔韧性，且易于折叠，并且，价格较低，与稀土元素或锕系元素形成合金，可以用于制作引线，成本较低，并且，性能好。
或者，所述引线材质为稀土铜铝合金或锕系元素铜铝合金，即稀土元素或锕系元素，与铜元素和铝元素形成的合金，从而可以通过调整合金的重量比、以及合金中稀土元素或锕系元素的组成，使引线的性能更好。
本实施例不限制各合金的比例，以实际可用的各种IIIB族元素合金即可。
实施例3
在上述各例基础上，本实施例所提供的一种集成电路芯片封装体，其中，所述稀土，至少包括镧系稀土金属元素其中之一。
镧系元素通常是银白色有光泽的金属，比较软，有延展性并具有顺磁性。镧系元素的化学性质比较活泼。
优选地，所述稀土金属选用镧或铈、或者，镧和铈；其中，镧为银白色的软金属，有延展性。化学性质活泼；铈为灰色活泼的金属，是镧系金属中自然丰度最高的一种，性质活泼。
或者，应用于上述各例，所述引线的材质还包括锕系金属元素其中之一，锕系金属元素包括锕、钍镤、铀、镎、钚、镅、锔、锫、锎、锿、镄、钔、锘、铹15种元素。通过选用锕系金属合金，即锕系元素与一种或多种金属元素所形成的合金，可以使锕系金属合金同样具有良好的电学性能、热学性能和机械性能。
实施例4
在上述各例基础上，本实施例所提供的一种集成电路芯片封装体，其中，所述引线的直径为0.01-0.35mm，引线的直径与其传输性能有关，相同材质的引线，直径越大，电阻越大，抗冲击性能好，直径越小，电阻越小，抗冲击性能差，因此要选择合适尺寸的引线直径，将所述引线直径设置在0.01-0.35mm，可以使所述引线达到较好的性能比。
例如，所述引线的直径为0.01mm、或0.02mm、或0.03mm、或0.04mm、或0.05mm、或0.06mm、或0.07mm、或0.08mm、或0.09mm、或0.1mm、或0.12mm、或0.14mm、或0.16mm、或0.18mm、或0.2mm、或0.22mm、或0.24mm、或0.26mm、或0.28mm、或0.3mm、或0.31mm、或0.33mm、或0.35mm等等。
优选地，所述引线的直径为0.05-0.1mm，例如，为0.05mm、或0.06mm、或0.07mm、或0.08mm、或0.09mm、或0.1mm等。
实施例5
应用于上述各例，本实施例所提供的一种集成电路芯片封装体中，所述内引脚仅设置一信号输入引脚和一信号输出引脚，即所述IC芯片与其他IC芯片之间通过采用一根信号传输线路级联，线路简单，连接方便。
并且，所述内引脚还包括一错误信号数据输出引脚，当IC芯片检测到与其连接的各LED发生故障时，则可以通过所述错误信号数据输出引脚输出故障数据，如，所述错误信号数据输出引脚与外部的指示单元或显示单元连接，通过指示单元指示故障，或者通过显示单元显示故障，如所述指示单元为LED灯，所述显示单元可以为LED显示屏。
并且，所述IC芯片还可以设置在线检测功能模块、逐点调整功能模块等，通过所述在线检测功能模块，可以检测与所述IC芯片相连接的各元件是否故障，并且，通过所述逐点调整功能，可以调整与所述IC芯片相连接各LED的亮度。
需要说明的是，本发明上述各实施例不限制各合金的比例，以实际可用的各种IIIB族元素合金均可作为所述引线的材质。
应当理解的是，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，而所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。

Claims (8)

1.一种集成电路芯片封装体，包括IC芯片、引线和引线框架内引脚，其特征在于，所述引线材质为采用IIIB族元素金属合金；
所述引线用于固定连接所述IC芯片和引线框架内引脚；
所述引线的直径为0.05—0.1mm；
所述内引脚仅设置一信号输入引脚和一信号输出引脚；
所述IC芯片还设置在线检测功能模块、逐点调整功能模块，通过所述在线检测功能模块，可以检测与所述IC芯片相连接的各元件是否故障，通过所述逐点调整功能，可以调整与所述IC芯片相连接各LED的亮度；
所述内引脚还包括一错误信号数据输出引脚，当所述IC芯片检测到与其连接的各LED发生故障时，通过所述错误信号数据输出引脚输出故障数据，所述错误信号数据输出引脚与外部的指示单元或显示单元连接，通过指示单元指示故障。
2.根据权利要求1所述的集成电路芯片封装体，其特征在于，所述引线材质为稀土合金或者锕系元素合金。
3.根据权利要求1所述的集成电路芯片封装体，其特征在于，所述引线材质为稀土铜合金或者锕系元素铜合金。
4.根据权利要求1所述的集成电路芯片封装体，其特征在于，所述引线材质为稀土铝合金或者锕系元素铝合金。
5.根据权利要求1所述的集成电路芯片封装体，其特征在于，所述引线材质为稀土铜铝合金或者锕系元素铜铝合金。
6.根据权利要求2至5任一所述的集成电路芯片封装体，其特征在于，所述稀土，至少包括镧系稀土金属元素其中之一。
7.根据权利要求6所述的集成电路芯片封装体，其特征在于，所述稀土为镧和/或铈。
8.根据权利要求1至5任一所述的集成电路芯片封装体，其特征在于，所述引线材质，包括镧系稀土金属元素其中之一、以及锕系稀土金属元素其中之一。
CN201010169102.8A 2010-05-07 2010-05-07 一种集成电路芯片封装体 Active CN101834165B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201010169102.8A CN101834165B (zh) 2010-05-07 2010-05-07 一种集成电路芯片封装体

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201010169102.8A CN101834165B (zh) 2010-05-07 2010-05-07 一种集成电路芯片封装体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101834165A CN101834165A (zh) 2010-09-15
CN101834165B true CN101834165B (zh) 2016-03-02

Family

ID=42718191

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201010169102.8A Active CN101834165B (zh) 2010-05-07 2010-05-07 一种集成电路芯片封装体

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN101834165B (zh)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101008056A (zh) * 2007-01-19 2007-08-01 华东理工大学 用于集成电路引线框架的合金材料及其制备方法
CN101165890A (zh) * 2006-10-19 2008-04-23 卓恩民 半导体封装结构及其制造方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3811600B2 (ja) * 1999-09-29 2006-08-23 タツタ電線株式会社 半導体素子金合金線
JP4722576B2 (ja) * 2004-06-16 2011-07-13 新日鉄マテリアルズ株式会社 半導体実装用ボンディングワイヤの製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101165890A (zh) * 2006-10-19 2008-04-23 卓恩民 半导体封装结构及其制造方法
CN101008056A (zh) * 2007-01-19 2007-08-01 华东理工大学 用于集成电路引线框架的合金材料及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN101834165A (zh) 2010-09-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Kang et al. Low melting temperature Sn-Bi solder: effect of alloying and nanoparticle addition on the microstructural, thermal, interfacial bonding, and mechanical characteristics
Subbarao Science and technology of rare earth materials
CN105706177B (zh) 一种热导率增强型核燃料芯块及其制备方法
CN103418786B (zh) 一种低W-W连接度W-Cu-Ni合金材料
JP2008300342A (ja) カーボンナノチューブ入り金属はんだ材、導電材及び半導電材
WO2007038490A2 (en) Low melting temperature compliant solders
CN102019517B (zh) 一种提高热处理后抗拉强度的不锈钢埋弧焊焊丝
TW201247904A (en) Ag-based alloy wire and method for manufacturing the same
CN101834165B (zh) 一种集成电路芯片封装体
CN1330455C (zh) 氧化锆纳米颗粒增强型锡银复合焊料及其制备方法
CN107815574A (zh) 一种耐腐蚀的镁合金材料
CN103199072A (zh) 镀金铜钯合金单晶键合丝及其制造方法
CN108701622A (zh) 接合线
CN105944827B (zh) 一种从选钼尾矿再选稀土预选抛尾的方法
Troxell GlidCop dispersion strengthened copper, potential application in fusion power generators
CN101847615B (zh) 集成电路芯片封装体
CN107739961A (zh) 一种高硬度钛镁合金材料
CN102251149A (zh) 一种核反应堆包壳材料用锆-锡-铌系锆合金
CN103397242A (zh) 超塑性型阻尼减振合金
McGill Some ternary and higher order platinum group metal alloys
WO2023112444A1 (ja) ボンディングワイヤ及び半導体装置
Zhang et al. Research Progress of Palladium-Plated Copper Bonding Wire in Microelectronic Packaging
CN102212719A (zh) 一种核反应堆用低锡锆合金材料
Wu et al. Effect of space environment on the reliability of sintered silver nanoparticles reinforced by SiC particles
JPS6082884A (ja) 核燃料要素

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20191021

Address after: 233000 Yanshan investment building 220, No. 818, Chaoyang South Road, bengshan District, Bengbu City, Anhui Province

Patentee after: Bengbu Yuanyou Electronic Information Technology Co., Ltd.

Address before: 100085 Beijing city Haidian District East Road No. 1, a power surplus building room E402

Patentee before: Beijing Zhongqing Micro Digital Equipment Development Co., Ltd.

TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20201216

Address after: 224000 7th floor, D2 building, Xinlong Plaza, No.38, Renmin South Road, Xindu street, Yannan high tech Zone, Yancheng City, Jiangsu Province

Patentee after: Yancheng Yannan high tech Zone Urban Industry Development Co.,Ltd.

Address before: 233000 Yanshan investment building 220, No.818 Chaoyang South Road, bengshan District, Bengbu City, Anhui Province

Patentee before: Bengbu Yuanyou Electronic Information Technology Co.,Ltd.

TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20210903

Address after: 224000 room 1806-1807, 18 / F, innovation building, big data Industrial Park, Yannan high tech Zone, Yancheng City, Jiangsu Province (CNK)

Patentee after: Jiangsu Hengnuo Technology Co.,Ltd.

Address before: 224000 7th floor, D2 building, Xinlong Plaza, No.38, Renmin South Road, Xindu street, Yannan high tech Zone, Yancheng City, Jiangsu Province

Patentee before: Yancheng Yannan high tech Zone Urban Industry Development Co.,Ltd.