CN101828272A - 半导体发光装置、排列有该半导体发光装置的复合发光装置、以及使用该复合发光装置的平面状光源 - Google Patents
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Abstract
在半导体发光装置中，由相向的一对第一侧壁部，和比第一侧壁部短并且在第一侧壁部之间相向设置的一对第二侧壁部形成凹部。在凹部的底面，设置有排列于第一侧壁部方向的多个发光元件。多个发光元件包括：发出第一色光的第一发光元件和，设置于多个发光元件中最接近第二侧壁部侧的第二发光元件。在所述凹部填充有包含荧光体的树脂部，该荧光体使第二色光的一部分进行波长变换而变换为第二色光的补色。
Description
技术领域
本发明涉及作为液晶显示装置的背光灯和照明用光源所使用的半导体发光装置、排列有该装置的复合发光装置、以及使用该装置的平面状光源。
背景技术
现有的表面实装型半导体发光装置，由发出蓝色光的半导体发光元件和发出红色光的半导体发光元件进行组合射出白色系的光。在下述的专利文献1的图4等公开了这样的半导体发光装置。专利文献1的图4等所公开的半导体发光装置，从上方观察，发出红色光的发光二极管芯片配置于长方形基板的中心，在长方形基板的各顶点侧分别使发出蓝色光的发光二极管芯片配置为包围发出红色光的发光二极管芯片。而且，将发出红色光的发光二极管芯片的周围用加入了扩散材料的半透明树脂进行一次密封，由含有YAG荧光体的树脂进行密封以使其覆盖在半透明树脂之上以及发出蓝色光的发光二极管芯片之上。由此，从发出红色光的发光二极管芯片射出的光在半透明树脂内向各个方向扩散，从发出蓝色光的发光二极管芯片射出的光的一部分，由含有YAG荧光体的树脂激励为黄色的光。其结果，红色光、蓝色光、黄色光适当混合，白色的演色性好，并且可以防止在发出红色光的发光二极管芯片的正上方形成略带红色的点状色调。
专利文献1：日本特开2005-123484号公报(图4)
发明内容
在上述专利文献1的半导体发光装置以及使用该装置的平面光源装置中出现了如下问题。
在专利文献1的半导体发光装置中，仅在发出红色光的发光二极管芯片的周围，用加入了扩散材料的半透明树脂进行一次密封之后，由于密封YAG荧光体，因此使得制造工艺复杂化。
此外，在专利文献1的半导体发光装置中，俯视观察可以看到在半导体发光装置的宽度方向上配置有2芯片或3芯片的发光二极管芯片。将这样的半导体发光装置作为导光板式光源使用的话，半导体发光装置的宽度方向(导光板的厚度方向)变长，平面状光源变厚，平面状光源的成本增加。
因此，本发明的目的在于：提供能够解决所述技术课题的半导体发光装置、排列有该装置的复合发光装置、以及使用该装置的平面状光源。
本发明的第一方面的技术方案提供了一种半导体发光装置，其具备：形成有凹部的基体部，该凹部由相向的一对第一侧壁部、从上方观察为设置于所述第一侧壁部之间并且比第一侧壁部短的相向设置的一对第二侧壁部、和底面构成；多个发光元件，所述多个发光元件设置在所述凹部的底面上，从上方观察为排列于所述第一侧壁部的方向，所述多个发光元件包含：发出第一色光的第一发光元件、在该多个发光元件中设置于最接近第二侧壁部侧并且发出与所述第一色不同的第二色光的第二发光元件；以及树脂部，该树脂部填充于凹部以使其覆盖第一和第二发光元件，并且包含荧光体，该荧光体将第二色光的一部分进行波长变换而变换为第二色光的补色，并且向外部射出。
本发明的第二方面的技术方案提供了一种复合发光装置，在第一侧壁部的方向排列有多个半导体发光装置，其中，所述半导体发光装置具备：形成有凹部的基体部，该凹部由相向的一对第一侧壁部、从上方观察设置于所述第一侧壁部之间并且比第一侧壁部短的相向设置的一对第二侧壁部、和底面构成；多个发光元件，所述多个发光元件设置在所述凹部的底面上，从上方观察为排列于所述第一侧壁部的方向，所述多个发光元件包含：发出第一色光的第一发光元件、在该多个发光元件中设置于最接近第二侧壁部侧并且发出与所述第一色不同的第二色光的第二发光元件；以及树脂部，该树脂部填充于凹部以使其覆盖第一和第二发光元件，并且包含荧光体，该荧光体将第二色光的一部分进行波长变换而变换为第二色光的补色，并且向外部射出。
本发明的第三方面的技术方案提供了一种平面状光源，其将在第一侧壁部的方向排列有多个半导体发光装置的复合发光装置中的长度方向作为导光板的光导入面的长度方向，导光板的光导入面与凹部的底面相向配置，所述半导体发光装置具备：形成有凹部的基体部，该凹部由相向的一对第一侧壁部、相向设置的一对第二侧壁部和底面所构成，所述一对第二侧壁部，从上方观察为设置在第一侧壁部之间，且采用不同于第一侧壁部表面材料的表面材料，并且比第一侧壁部短；多个发光元件，所述多个发光元件设置在凹部的底面上，从上方观察为排列于所述第一侧壁部的方向，所述多个发光元件包含：发出第一色光的第一发光元件、在该多个发光元件中设置于最接近第二侧壁部侧并且发出与所述第一色不同的第二色光的第二发光元件；以及树脂部，该树脂部填充于凹部以覆盖第一和第二发光元件，并且包含荧光体，其中，该荧光体将第二色光的一部分进行波长变换而变换为第二色光的补色，并且向外部射出。
依据上述本发明的第一方面的技术方案的半导体发光装置，可以提供在第一侧壁部的方向的白色系的演色性好，并且容易制造的半导体发光装置。若作为在第一侧壁部的方向排列有多个上述第一方面的技术方案的半导体发光装置的复合发光装置来使用，则可以提供在导光板式平面状光源中，较好地抑制导光板的光导入面的长度方向(半导体发光装置的第二侧壁部侧)的色斑，并且厚度减小，可以降低制造所花费的成本的平面状光源。
附图说明
图1是表示本发明实施方式的半导体发光装置的立体图；
图2是表示本发明实施方式的平面状光源的截面图；
图3是表示本发明实施方式的平面状光源的截面图。
符号说明
1半导体发光装置
2支撑板
3发光二极管芯片
4引线端子
5电缆
6外围体
7基体部
8凹部
9第一侧壁部
10第二侧壁部
11树脂部
具体实施方式
以下，对依据本发明的实施方式的半导体发光装置1、复合发光装置100、以及平面状光源进行说明。
如图1所示，本实施方式的半导体发光装置1具备：以金属材料为主成分的支撑板2、粘着在支撑板2的上面作为发光元件的发光二极管芯片3、与支撑板2的侧面相邻接地配置并且从支撑板侧向外侧延伸的引线端子4、将发光二极管芯片3的上表面电极与引线端子电连接的电缆5、覆盖支撑板2的侧面与引线端子一部分的外围体6以及树脂部11。
在本实施方式的半导体发光装置中，两个射出红色(波长为约620nm至约780nm)光的第一发光二极管芯片3A，和每三个排为一列且设置为从第一发光二极管芯片3A的外侧(第二侧壁部10侧)夹住第一发光二极管芯片3A，并且射出蓝色(波长为约450nm至约490nm)光的第二发光二极管芯片3B粘着在支撑板2的上表面。进一步地，具有电连接于各发光二极管芯片3的正电极与负电极的16根引线端子4。并且，支撑板2和外围体6构成基于本实施方式的基体部7。
支撑板2和引线端子4优选由热传导率高的金属，例如铜、铝、铜合金或者铝合金等形成。如图1所示，支撑板2为大致长方体的形状并且具有：相向的一对第一侧面、形成于该对第一侧面之间的第二侧面、连接于一对第一侧面与一对第二侧面的上表面、连接于一对第一侧面与一对第二侧面并且与上表面相向的下表面。在沿着上表面与下表面的方向上，第二侧面的长度比第一侧面的长度短。即，上表面是以与第一侧面交界的边为长边，以与第二侧面交界的边为短边的大致的长方形。本实施方式中，上表面的长边方向为第一方向，上表面的短边方向为第二方向，与第一方向以及第二方向垂直的方向称为高度方向。此外，高度方向中，以从下表面朝向上表面的方向为上方，以从上表面朝向下表面的方向为下方。
支撑板2在其上表面具有深度大于发光二极管芯片3的高度(发光二极管芯片3与其基座的高度的总和)的槽状凹部8。凹部8在支撑板2的上表面的第二方向上，通过大致中央位置，并且与支撑板2的长度方向(第一方向)大致平行地形成为到达支撑板2的相向的第二侧面。支撑板2的一对第一侧面突出于凹部底面的上方，由将与第一侧面上端相连接的支撑板2的上表面(即，没有形成凹部8的上表面的部分)和凹部8的底面连接起来的部分构成第一侧壁部9。第一侧壁部9朝向离开凹部的底面的方向(上方)倾斜，以使得一对第一侧壁部9之间的第二方向上的距离扩大。该倾斜角度优选设定为，能够高效率地将从发光二极管芯片3射出的光通过第一侧壁部9反射的光提取到外部的角度。进一步地，该倾斜角度优选设定为，使得半导体发光装置1的在第二方向上的长度为期望的长度。如图1所示，凹部8的底面与第一侧壁部9的夹角θ1，优选为30度以上60度以下，52度左右更佳。此外，支撑板2的下表面从外围体6的下表面露出到外部，由此，可以将第一和第二发光二极管芯片3所发出的热量较好地向外部散发。引线端子4的一端与第一和第二发光二极管芯片3的正电极或负电极通过电缆5等电连接，另外一端从外围体6向外部导出。此外，在半导体发光装置的内部，也可以事先将多个发光二极管芯片3配线使其串联连接，这种情况下，引线端子4与各发光二极管芯片3的正电极以及负电极不对应设置也可以。
在支撑板2的凹部8的底面，在第一侧壁部9的方向(支撑板2的长度方向，第一方向)上粘着有多个第一和第二发光二极管芯片3。第一发光二极管芯片3A为发出红色光的InAlGaP的发光二极管芯片，第二发光二极管芯片3B为发出蓝色光的氮化物系半导体的发光二极管芯片。本发明的实施方式的半导体发光装置1中，从上面观察，包括第一发光二极管芯片3A在内的大致平行于第一侧壁部9的方向(第一方向)排列设置的发光二极管芯片3之中，第二发光二极管芯片3B配置在最外侧(最靠近第二侧壁部10的一侧)。例如，图1的情况，8个发光二极管芯片3排成一列，图中从右侧开始第4个和第5个为第一发光二极管芯片3A，其余的发光二极管芯片为第二发光二极管芯片3B。但是，不局限于图1，也可以将图中从右侧开始第2个和第7个设为第一发光二极管芯片3A，其余的发光二极管芯片设为第二发光二极管芯片3B，也可以仅将中央第5个设为第一发光二极管芯片3A，其余的发光二极管芯片设为第二发光二极管芯片3B。此外，第二发光二极管芯片3B是发出从树脂部11射出的光为白色系的波长的光的芯片，不局限于射出蓝色光的发光二极管芯片。并且，第一发光二极管芯片3A是发出用于提高白色系的光的演色性的光的芯片，不局限于射出红色光的发光二极管芯片。上述发光二极管芯片列中，也可以含有发出与第一和第二发光二极管芯片3A、3B不同颜色的光的发光二极管芯片。例如，可以含有发出绿色光的发光二极管芯片。通过使用发出绿色光的发光二极管芯片，蓝色-绿色间的光谱的下跌被增补，可以提高白色的演色性。但是，这种情况下也优选将射出蓝色光的发光二极管芯片3A设置于端部。
外围体6，例如，其由包含光反射性填充物的二氧化硅等复合物(填充材料)的含有率相对较大的树脂构成，例如，构成为具有白色系的树脂。外围体6，其4个外侧面从支撑板2的上表面向上方延伸。并且，设置于支撑板2的第二侧面侧的外围体6的内侧面，从支撑板2的第二侧面的上端向上方突出，构成第二侧壁部10。第二侧壁部10也相对于凹部8的底面倾斜，以使得一对第二侧壁部10之间的在第二方向上的距离从凹部8的底面向上方扩大。凹部8的底面与第二侧壁部10的夹角θ2，优选设定为如下程度的角度：使得满足外围体6的高度为期望的高度的同时，确保构成第二侧壁部10的外围体6的侧壁为期望的厚度，例如，θ2大约为45度。因此，通过俯视观察，第一侧壁部9比第二侧壁部10长，以第一侧壁部9和第二侧壁部10包围第一和第二发光二极管芯片3(沿第一方向大致排列设置为一列的发光二极管芯片3)，在由第一侧壁部9和第二侧壁部10形成的支撑板2的凹部8的底面(支撑板2的上表面)配置有第一和第二发光二极管芯片3。此外，为了使从发光二极管芯片3发出并由第一侧壁部9反射而可以提取到外部的光更多，形成表面反射率更高的第一侧壁部9。另一方面，在第二侧壁部10中，考虑到将多个半导体发光装置1在第一侧壁部9的方向(第一方向)排成一列来使用的情况，也可以从第二侧壁部10将光提取到外侧，同时，在从第一发光二极管芯片3A射出的光之中，需要减少由第二侧壁部10反射的比例并且有必要抑制在半导体发光装置1的第二侧壁部10的周边出现略带红色的色调(色斑)。因此，也可形成为第二侧壁部10的反射率小于第一侧壁部9的反射率，第一侧壁部9的表面为银(或银合金)，第二侧壁部10的表面为比第一侧壁部9的反射率小的白色树脂，形成为使第一侧壁部9与第二侧壁部10的表面材料(特别是表面的材料)相异，从而可以抑制在第二侧壁部10的周边出现略带红色的色调(色斑)。
在由第一侧壁部9与第二侧壁部10所形成的凹部8内，填充有具有光透过性的树脂部11。此外，树脂部11覆盖支撑板2的上表面、第一和第二发光二极管芯片3、电缆5以及引线端子4的上表面。树脂部11以具有高的折射率和光透过性的树脂(例如二氧化硅树脂)为主成分，覆盖发光二极管芯片3和电缆5。在本实施方式的半导体发光装置1中，树脂部11具有第一树脂部11a和第二树脂部11b。第一树脂部11a包含将从第二发光二极管芯片3B射出的蓝色光的一部分进行波长变换以射出补色系的黄色(约从580nm至约600nm的波长)光的荧光体。并且，第一树脂部11a填充于凹部8，第一树脂部11a的上表面与凹部8的上表面(为支撑板2的上表面，没有形成凹部8的面)大致位于同一平面上。此外，第二树脂部11b包含对从第一发光二极管芯片3A射出的红色的光进行散射并且透过的散射材料。第二树脂部11b填充于由外围体6所包围的区域，以覆盖支撑板2的上表面以及第一树脂部11a的上表面。在此，荧光体可以使用如YAG系、TAG系或硅酸盐系的荧光体。此外，作为散射材料可以列举二氧化硅、氧化钛。因此，从树脂部11，可以使将从第一和第二发光二极管芯片3射出的光与通过树脂部11进行了波长变换的光进行混合而生成的光(例如白色光)从半导体发光装置1射出。此外，本说明书中，所谓补色系的光，是能够与单数或复数的色光混合形成白色系色的色光。此外，第一树脂部11a，除了荧光体以外也可以含有散射材料。并且，第二树脂部11b中也可以含有荧光体。
在本实施方式的半导体发光装置1，在配置于长度方向(第一方向)的第一和第二发光二极管芯片3中，第二发光二极管芯片3B设置在比第一发光二极管芯片3A更靠近第二侧壁部10侧，将从第一发光二极管芯片3A射出的红色的光到达第二侧壁部10侧的路径加长，配置为由第一发光二极管芯片3A射出的红色的光到达第二侧壁部10侧之前更容易在树脂部11被散射。
此外，例如，在第一发光二极管芯片3A配置在比第二发光二极管芯片3B更接近第二侧壁部10侧的情况下，由于在第二侧壁部10侧与第一发光二极管芯片3A相干扰的第二发光二极管芯片3B更不在长度方向(第一方向)的外侧，在第二侧壁部10的周边形成略带红色的色调，但是根据本发明的实施方式，第二发光二极管芯片3B在半导体发光装置的长度方向上位于第一发光二极管芯片3A的外侧(第二侧壁部10侧)，第一发光二极管芯片3A与第二发光二极管芯片3B在第二侧壁部10的周边也互相干扰，可以抑制在第二侧壁部10的周边形成略带红色的色调。
进一步地，一般情况下，第二发光二极管芯片3B使用蓝宝石或SiC等透明基板，而第一发光二极管芯片3A形成于砷化镓或硅等的黑色不透明的基座(基板)上。因此，第一发光二极管芯片3A配置为比第二发光二极管芯片3B更靠近第二侧壁部10侧的情况下，到达第二侧壁部10之前，不仅由于树脂部11多少使强度衰减，而且由于从第二发光二极管芯片3B射出的光被第一发光二极管芯片3A的基座遮挡，因此蓝色光很难到达第二侧壁部10侧。但是，根据本发明的实施方式，第二发光二极管芯片3B在半导体发光装置的长度方向上位于第一发光二极管芯片3A的外侧(第二侧壁部10侧)，因此不会发生这样的问题。
此外，因为从第二发光二极管芯片3B射出的蓝色光的一部分被激励变换为黄色的光，形成白色系的光，因此即使第二发光二极管芯片3B形成于比第一发光二极管芯片3A更靠近第二侧壁部10侧，对色调的影响也很小。
再者，发光二极管芯片3A朝向正上方以及第一侧壁部9侧发出的光，与相邻的第二发光二极管芯片3B互相干扰、对色调的影响很小。
此外，通过将第一侧壁部9的表面反射率设置为大于第二侧壁部10的表面反射率，不仅抑制了长度方向上的色调，还可以使由第一侧壁部9反射的光更多地从半导体发光装置1的正上方(凹部8的开口部)方向提取、能够提高作为平面发光源的光提取效率。
如上述情况，根据本发明的实施方式，能够防止在半导体发光装置的第二侧壁部10的周边形成白色的演色性好的、发出红色光的发光二极管芯片所产生的略带红色的色调。特别是，在长度方向上排列有多个半导体发光装置的情况下，可以抑制在半导体发光装置的第二侧壁部10的周边形成略带红色的色调。特别是，可以提供在半导体发光装置的长度方向消除了色斑的半导体发光装置。
图2和图3是表示本实施方式的复合发光装置100的图，作为其中的一个例子，示出了用于导光板方式的发光装置的平面状光源。复合发光装置100具有多个半导体发光装置1，这些半导体发光装置1沿其长度方向(第一方向)排列。如图2和图3所示，即使是与配置于光反射板52上的导光板51的光导入面51a的长度方向相向配置的平面状光源中，也可以改善射入导光板51的光导入面51a长度方向的光的色调、改善从导光板51射出的光的色调。
例如，导光板长度方向以上的平面状光源的制造非常困难，如图2所示，通过排列多个半导体发光装置1构成了平面状光源100。一方面，由于半导体发光装置1的树脂部11具有柔软性，所以需要以基体部7包围树脂部11。因此，在平面状光源的长度方向上，在平面状光源的树脂部11和与其相邻的平面状光源的树脂部之间具有第二侧壁部10。
此外，从制造成本和薄型化的方面考虑，迫切期望导光体51薄型化。随之，期望平面状光源的宽度变窄，能够排列于平面状光源宽度(图2中的纵)方向的发光二极管芯片3的数量受到限制，例如，如图1所示，只能配置1列的发光二极管芯片3。另外，在平面状光源中，若产生长度方向的光的色斑，则从导光板51发出的长度方向的色斑(即显示平面的色斑)就成为问题。
根据将本实施方式的半导体发光装置1如图2和图3所示的那样进行排列的平面状光源，由于将多个消除了半导体发光装置1的长度方向的色斑的半导体发光装置1配置于半导体发光装置1的长度方向，所以平面状光源的制造简单，能够提供可以抑制从导光板51发出的长度方向的色斑的平面状光源。而且，由于即使是仅配置一列发光二极管芯片3的情况，也可以抑制长度方向的色斑，因此能够提供抑制了长度方向的色斑并且宽度窄的平面状光源。特别是，图1中，通过将凹部8的底面与第一侧壁部9的夹角θ1，设置为大于凹部8的底面与第二侧壁部10的夹角θ2，在第二方向上，可以不扩散光，在第一方向上(长度方向)抑制色斑。因此，如图2所示，作为平面光源装置来使用的情况下，可以较好地将光提取到导光板51，并且能够较好地抑制导光板51的色斑。
Claims (12)
1.一种半导体发光装置，其具备：
形成有凹部的基体部，该凹部由相向的一对第一侧壁部、相向设置的一对第二侧壁部和底面构成，所述一对第二侧壁部，从上方观察为设置于所述第一侧壁部之间并且比第一侧壁部短；
多个发光元件，该多个发光元件被设置在所述凹部的底面上，且从上方观察为设置于所述第一侧壁部的方向，其中，所述多个发光元件包含：发出第一色光的第一发光元件、在所述多个发光元件中设置为最接近所述第二侧壁部侧并且发出与所述第一色不同的第二色光的第二发光元件；
树脂部，该树脂部填充于所述凹部以覆盖所述第一和第二发光元件，并且包含荧光体，该荧光体将所述第二色光的一部分进行波长变换从而变换为所述第二色光的补色系，并且向外部射出。
2.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于，所述树脂部除了所述荧光体外，还包含使所述第一色光散射的散射材料。
3.根据权利要求1或2所述的半导体发光装置，其特征在于，所述第一侧壁部的表面对所述第一色光的反射率，比所述第二侧壁部的表面对所述第一色光的反射率小。
4.根据权利要求1或2所述的半导体发光装置，其特征在于，所述第一侧壁部的表面材料与所述第二侧壁部的表面材料不同。
5.根据权利要求4所述的半导体发光装置，其特征在于，所述第一侧壁部的表面材料为银，所述第二侧壁部的表面材料为白色的树脂。
6.根据权利要求1或2所述的半导体发光装置，其特征在于，在所述第一发光元件与所述基体部之间，具备含有砷化镓或硅的所述第一发光元件的基座。
7.根据权利要求1或2所述的半导体发光装置，其特征在于，
所述基体部具备：在上表面形成有槽部的支撑板、包围所述支撑板的侧面并且从所述支撑板的上表面向上方伸出的外围体，
所述第一侧壁部由所述槽部的侧面构成，所述第二侧壁部由所述外围体构成，
所述第一和第二发光元件配置于所述槽部的底面上。
8.根据权利要求7所述的半导体发光装置，其特征在于，
所述树脂部具有包含所述荧光体的第一树脂部和包含所述散射材料的第二树脂部，并且填充于由所述外围体所包围的区域，
所述第一树脂部覆盖所述第一和第二发光元件，
所述第二树脂部覆盖所述第一树脂部。
9.根据权利要求8所述的半导体发光装置，其特征在于，
所述槽部的深度大于所述第一和第二发光元件的高度，
所述第一树脂部填充于所述槽部，并且所述第一树脂部的上表面与所述支撑板的上表面大致位于同一平面上。
10.一种复合发光装置，其特征在于，在第一侧壁部的方向上排列有多个半导体发光装置，所述半导体发光装置具备：
形成有凹部的基体部，该凹部由相向的一对第一侧壁部、相向设置的一对第二侧壁部和底面构成，所述一对第二侧壁部，从上方观察为设置于所述第一侧壁部之间并且比所述第一侧壁部短；
多个发光元件，所述多个发光元件设置在所述凹部的底面上，从上方观察为设置于所述第一侧壁部的方向，所述多个发光元件包含：发出第一色光的第一发光元件、在所述多个发光元件中设置于最接近所述第二侧壁部侧并且发出与所述第一色不同的第二色光的第二发光元件；
树脂部，该树脂部填充于所述凹部以覆盖所述第一和第二发光元件，并且包含荧光体，该荧光体将所述第二色光的一部分进行波长变换而变换为所述第二色光的补色系，并且向外部射出。
11.根据权利要求10所述的复合发光装置，其特征在于，
所述第一侧壁部的表面材料与所述第二侧壁部的表面材料不同。
12.一种导光板式的平面状光源，其中，将在第一侧壁部的方向上排列有多个半导体发光装置的复合发光装置中的长度方向作为导光板的光导入面的长度方向，所述导光板的所述光导入面与所述凹部的底面相向配置，所述半导体发光装置具备：
形成有凹部的基体部，该凹部由相向的一对第一侧壁部、相向设置的一对第二侧壁部和底面构成，所述一对第二侧壁部，从上方观察为设置在所述第一侧壁部之间，且采用不同于所述第一侧壁部表面材料的表面材料，并且比所述第一侧壁部短；
多个发光元件，所述多个发光元件设置在所述凹部的底面上，从上方观察为设置于所述第一侧壁部的方向，所述多个发光元件包含：发出第一色光的第一发光元件、在所述多个发光元件中设置于最接近所述第二侧壁部侧并且发出与所述第一色不同的第二色光的第二发光元件；
树脂部，其填充于所述凹部以覆盖所述第一和第二发光元件，并且包含荧光体，该荧光体将所述第二色光的一部分进行波长变换而变换为所述第二色光的补色系，并且向外部射出。
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