CN101824600A - 磁控溅射阴极、磁控溅射设备及制造磁性器件的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了即使当靶材是磁性体并且厚和/或强磁性体被用作靶材时也能够产生足以在靶材面上形成放电所需的磁性隧道的泄漏磁场的磁控溅射阴极、磁控溅射设备及制造磁性器件的方法。本发明的磁控溅射阴极包括靶材,该靶材具有:第二环状槽,其被设置于靶材的溅射面;第三环状突起,其被设置于靶材的非溅射面;第四环状槽,其在非溅射面上被设置于第三环状突起的外侧;第四环状突起,其在非溅射面上被设置于第四环状槽的外侧。此外,磁控溅射阴极包括非溅射面侧的第一磁体和具有与第一磁体的极性不同的极性的第二磁体(6)。
Description
技术领域
本发明涉及一种磁控溅射阴极、磁控溅射设备及制造磁性器件的方法。
背景技术
使用强磁性材料的溅射处理通常被用于制造诸如GMR头和TMR头等磁头、MRAM装置和感应器。
在诸如溅射处理等真空制造过程中,传统地,认为通过尽可能地减少更换靶材所需的维护时间来提高操作率和降低制造成本是重要的。为此,已经摸索了通过增加溅射靶材自身的厚度和增加操作率来延长靶材寿命的方法。
在磁控溅射中,阴极磁体被设置在溅射靶材的后方,使得在溅射靶材的放电面上形成闭合电路状的磁场“隧道”。
在上述溅射处理中,特别地,在制造磁头的过程中,使用由诸如铁钴合金、镍铁合金等强磁性材料制成的溅射靶材。因为这些强磁性材料具有很高的磁导率和饱和磁通密度,因此,即使阴极磁体被安装在由强磁性材料制成的溅射靶材的后方,几乎所有的磁力线都通过强磁性靶材的内部,因此,在靶材放电面不形成磁性隧道,不能获得足够的磁场强度。
为了解决上述问题,传统的溅射阴极已经采用了如下方法:使靶材的形状最优化,使得能够有效地产生从置于靶材后方的阴极磁体到靶材的前方的磁力线。
日本特表2005-509091号公报已经提出了如下方法:限制主靶材和通过将靶材分成多个辅助靶材区域而形成的多个辅助靶材之间的磁场并且使辅助靶材的高度比主靶材的高度大。
然而,作为通过将根据日本特表2005-509091号公报的方法应用到由具有高的饱和磁通密度的材料、例如铁钴合金(饱和磁通密度为2.4特斯拉)制成的靶材进行模拟来评估靶材面的磁场的结果,几乎所有的磁力线都通过主靶材的内部,并且与主靶材的表面平行的磁场分量变得很小。
传统地,为了通过延长靶材寿命而提高工具使用率(操作率),需要增加靶材的厚度,然而,如上所述,随着磁体的厚度的增加,靶材放电面(溅射面)上的磁场变得越来越小,并且泄漏磁场将很快消失。也就是,如果靶材的厚度增加,则靶材寿命被延长,因此,靶材的更换周期也被延长,结果,提高了操作率,然而,如果靶材的厚度增加,则从靶材泄漏的磁场将减少或消失。因此,传统地,在实现在靶材放电面上形成足够的磁场和延长靶材寿命这两方面上存在限制。
此外,传统地,当具有高的磁导率和高的饱和磁通密度的强磁性体被用作磁体时,即使使用日本特表2005-509091号公报所说明的方法,也难以使足够大的磁场泄漏到靶材放电面。
发明内容
因此,本发明的目的是提供即使当靶材材料是磁性体并且厚和/或强磁性体被用作靶材时也能够产生足以在靶材面上形成放电所需的磁性隧道的磁场的磁控溅射阴极、磁控溅射设备及制造磁性器件的方法。
为了实现上述目的,本发明的第一方面是磁控溅射阴极,所述磁控溅射阴极包括:靶材,所述靶材具有:第一环状槽,其被设置于所述靶材的第一面;第一环状突起,其被设置于所述靶材的与所述第一面相反侧的第二面上的至少与所述第一环状槽相对的位置;第二环状槽,其被设置于所述第二面上的所述第一环状突起的外侧和内侧中的至少一侧;以及第二环状突起,其被设置于所述第二面上的所述第二环状槽的外侧和内侧中的至少一侧;第一磁体,其在所述靶材的所述第二面侧位于所述靶材的所述第一环状槽的内侧;第二磁体,其具有与所述第一磁体的极性不同的极性,并且所述第二磁体在所述靶材的所述第二面侧位于所述靶材的所述第一环状槽的外侧,其中,所述第一环状槽、所述第二环状槽、所述第一环状突起和所述第二环状突起位于所述第一磁体和所述第二磁体之间。
本发明的第二方面是靶材,其被构造成被设置于阴极,所述阴极包括:第一磁体;以及第二磁体,其被布置成包围所述第一磁体,并且所述第二磁体具有与所述第一磁体的极性不同的极性,所述靶材包括:第一区域,其与所述第一磁体相对;第二区域,其与所述第二磁体相对;第一环状槽,其被设置于所述靶材的第一面;第一环状突起,其被设置于所述靶材的与所述第一面侧相反的第二面上的至少与所述第一环状槽相对的位置;第二环状槽,其被设置于所述第二面上的所述第一环状突起的外侧和内侧中的至少一侧;以及第二环状突起,其被设置于所述第二面上的所述第二环状槽的外侧和内侧中的至少一侧;其中,所述第一环状槽、所述第二环状槽、所述第一环状突起和所述第二环状突起位于所述第一区域和所述第二区域之间。
本发明的第三方面是磁控溅射设备,该设备包括:上述第一方面的磁控溅射阴极;排气部件;以及气体导入部件,其用于导入处理气体。
本发明的第四方面是一种制造磁性器件的方法,其利用上述第三方面的磁控溅射设备来制造磁性器件。
通过如上所述地操作,可以在设置于等离子体空间侧的靶材的环状槽中径向地产生隧道状的磁力线。借助于磁力线和环状槽的底面处的电场,产生等离子体并且可以进行溅射处理。
根据本发明,可以提供能够产生与靶材面大致平行的磁场的磁控溅射阴极。
附图说明
图1是示出根据本发明的实施方式的溅射阴极的结构的剖视立体图。
图2是根据本发明的实施方式的靶材的俯视图。
图3是示出根据本发明的实施方式的溅射阴极的结构的剖视图。
图4是示出根据本发明的实施方式的靶材的侵蚀的图。
图5是示出通过积分元素(integral element)法来模拟图1所示的靶材和阴极的结果的图。
图6是示出根据本发明的实施方式的溅射阴极的图。
图7是示出通过积分元素法来模拟图6所示的靶材和阴极的结果的图。
图8是示出根据本发明的实施方式的溅射阴极的图。
图9是示出通过积分元素法来模拟图8所示的靶材和阴极的结果的图。
图10是示出通过积分元素法来模拟根据本发明的实施方式的靶材和阴极的结果的图。
图11是示出通过积分元素法来模拟根据本发明的实施方式的靶材和阴极的结果的图。
图12是示出通过积分元素法来模拟根据本发明的实施方式的靶材和阴极的结果的图。
图13是示出包括根据本发明的实施方式的磁控溅射阴极的溅射设备的图。
具体实施方式
将参考图1、图2和图3说明可适用于本发明的磁控溅射阴极的结构。图1是示出磁控溅射阴极的结构的剖视立体图。图2是靶材的俯视图。图3是示出磁控溅射阴极的结构的剖视图。
如图1所示,作为主要部件,磁控溅射阴极40包括:盘状的靶材10;用于安装靶材10的垫板(backing plate)3;被设置成位于靶材的背侧的中央部的筒状的第一磁体(例如S极)5;以及被设置成位于靶材的背侧的外周部并且具有与第一磁体5的极性不同的极性的第二环状磁体(例如N极)6。也就是,靶材10具有在其中央部与第一磁体5相对的区域10c以及与上述中央部径向间隔预定距离并且与第二磁体相对的区域10d。因此,当靶材10被布置在阴极上时,区域10c位于第一磁体5的上方,并且区域10d位于第二磁体6的上方。
第一磁体5为筒状,第二磁体以包围第一磁体5且在第一磁体5和第二磁体之间存在空间30的方式环状地布置。第一磁体5和第二磁体6只需要具有不同的极性,并且第一磁体5和第二磁体6被设定成:当第一磁体5和第二磁体6中的一个被设定成N极时,另一个被设定成S极。例如,当第一磁体5被设定成S极并且第二磁体6被设定成N极时,以与靶材面大致平行的方式形成从第二磁体6开始朝向第一磁体5贯穿靶材的待溅射面的磁场。然而,当强磁性材料被用作靶材时,磁场通过靶材的内部,因此,不形成与靶材面大致平行的磁场分量。因此,在本发明中,稍后将说明作为特征的靶材形状。
垫板3由不锈钢或铜制成并且利用铟被接合到靶材10。此外,垫板3在靶材10的相反侧固定第一磁体5和第二磁体6。第一磁体5和第二磁体6在垫板3的相对侧被固定到磁轭7。
在由强磁性材料制成的靶材10的溅射面(第一面)10a上形成有:第一环状槽12;第二环状槽14,其被设置在第一环状槽12的外侧;以及第一环状突起13,其被设置在第一环状槽12和第二环状槽14之间。此外,在靶材10的溅射面(第一面)10a上,圆形突起11形成在第一环状槽12的内侧(中心侧),并且环状突起15形成在第二环状槽14的外侧(外周侧)。上述区域10c被包括在圆形突起11中,并且上述区域10d被包括在环状突起15中。
另一方面,在靶材10的非溅射面(第二面)10b上形成有:第二环状突起21,其被设置在第二面10b的至少与第一环状槽12相对的位置;第三环状槽22,其被设置在第二面10b的与第一环状突起13相对且位于第二环状突起21的外侧的位置;第三环状突起23,其被设置在第二面10b的至少与第二环状槽14相对且位于第三环状槽22的外侧的位置;以及第四环状槽24,其被设置在第三环状突起23的外侧。此外,在靶材10的非溅射面(第二面)10b上设置有:圆形凹部20,其被设置在第二面的与圆形突起11相对的位置;以及第四环状突起25,其被设置在第四环状槽24的外侧。
如上所述,在溅射面10a上在区域10c和区域10d之间形成有第一环状槽12、第二环状槽14和第一环状突起13,并且在非溅射面10b上形成有第三环状槽22、第四环状槽24、第二环状突起21、第三环状突起23和第四环状突起25。
如图2所示,形成于靶材10的第一环状槽12和第二环状槽14被形成为以O为中心共轴。中心O与第一环状槽12的槽宽的中心之间的距离(MR1)与图2中没有清楚示出的中心O与第二环状突起21的突出宽度的中心之间的距离(TR1)被设定成相等。类似地,中心O与第二环状槽14的槽宽的中心之间的距离(MR2)与图2中没有清楚示出的中心O与第三环状突起23的突出宽度的中心之间的距离(TR2)被设定成相等。
此外,如图3所示,第一环状槽12和第二环状槽14的槽深D被形成为比第一环状槽12和第二环状槽14的槽宽W小。最优选地,第一环状槽12的槽深D和第二环状槽14的槽深D均为10mm以下。由于上述原因,在槽深方向上产生磁场,并且可以防止槽的侧壁被过度溅射。
如图3所示,第二环状槽14和第四环状槽24之间的距离L(在从中心O的预定径向上,第二环状槽14的底面的最外部和第四环状槽24的底面的最内部之间的距离L)被设定为4mm以下。这是因为,如果距离L被设定成比4mm大,则磁场难以从第二磁体6泄漏到靶材面,并且难以获得与靶材面平行的磁场分量。
此外,第一环状突起13的突出宽度被设定成比第三环状槽22的槽宽大。由此,可以形成如图4所示的侵蚀图案并且可以提高靶材的利用效率。如果第一环状突起13的突出宽度比第三环状槽22的槽宽小,则侵蚀容易延伸到第三环状槽22,并且侧面的垫板被露出,因此,增加了靶材的更换频率。
第一实施方式
上述的图1、图2和图3所示的靶材10和阴极40被制造成如下尺寸。
靶材材料 铁钴合金
靶材10的直径 164mm
第一环状槽12的宽度×深度 16mm×4mm
第二环状槽14的宽度×深度 16mm×4mm
第二环状突起21的宽度×高度 10mm×10mm
第三环状突起23的宽度×高度 10mm×10mm
MR1=TR1 36mm
MR2=TR2 54mm
第二环状槽14和第四环状槽24之间的距离L 2mm
靶材10的厚度T 16mm
磁体5、6的高度MT 30mm
磁体材料 钕铁硼合金(48MGOe)
为了从视觉上说明通过应用本发明而在靶材上产生水平磁场,在图5中示出了通过对如上制造的靶材和阴极建模并且使用积分元素法进行模拟的结果。在图5中,为了简单起见,仅示出了沿X-X轴截取的剖视图的轴的半侧。如果使用图1至图3所示的靶材和阴极,则磁力线的形状如图5所示,并且可以确定在本实施方式的槽(第一环状槽12和第二环状槽14)中形成与底面平行的磁场分量。此外,可以确定能够在两个环状槽中获得放电所需的500高斯以上的磁通密度。
如上所述,在本实施方式中,在靶材10的与第一磁体5相对的区域10c和与第二磁体6相对的区域10d之间,第四环状突起25以及位于第四环状突起25的与第二磁体6所在的一侧相反的一侧(第一磁体5侧)的第四环状槽24被形成为靠近一个磁体(在图5中是第二磁体)。因此,由第二磁体6所产生的磁力线集中于靶材10的第四环状突起25,靶材10是磁性体。然而,第四环状槽24被形成在第四环状突起25的内侧(第一磁体5侧),因此,构成靶材10的磁性体在上述第四环状槽24部分处不连续。因此,从第四环状突起25进入的磁力线的大部分集中于靶材10的区域50。磁性体的单位体积(单位面积)中通过的最大磁力线数(被称为饱和磁力线数)是固定的,因此,如果进入上述区域50的磁力线数比上述饱和磁力线数大,则磁力线将从靶材10泄漏。因为磁力线已经泄漏到已经泄漏的磁力线的溅射面10a侧,所以形成与溅射面10a平行的磁场。
也就是,当不形成第四环状槽24时,因为构成靶材的磁性体是连续的,所以从第四环状突起25进入靶材10的磁力线不是局部地集中于磁性体而是形成在磁性体中。因此,当靶材厚时,难以使磁力线从溅射面10a泄漏。然而,在本实施方式中,第四环状槽24被形成在具有吸入磁力线的结构的第四环状突起25的内侧(第一磁体5侧),并且在构成靶材10的磁性体中形成不连续的结构,因此,使磁力线局部地集中在靶材内。通过使磁力线局部地集中,即使作为与溅射相关的区域的第三环状突起23厚时,也可以使磁力线泄漏到溅射面10a侧。如图4所示,因为在第二环状突起21和第三环状突起23中形成侵蚀,因此,可以通过使第二环状突起21和第三环状突起23变厚来延长靶材寿命。也就是,通过使得第二环状突起21和第三环状突起23变厚,在考虑到靶材10的寿命的情况下使靶材10的有效厚度增加。因此,在本实施方式中,即使靶材10的厚度有效地增加,也可以产生足以在溅射面10a上形成放电所需的磁性隧道的磁场。
在本实施方式中,第二环状槽14被形成于溅射面10a的与第三环状突起23相对的表面,因此,可以使区域50进一步变窄,由此进一步增加区域50上的磁力线的局部集中效应。
此外,如上所述,在本实施方式中,采用如下构造:通过形成第四环状突起25和第四环状槽24,将已经从大区域(第四环状突起25)进入的磁力线引导到窄区域(区域50)。因此,不管靶材的磁性材料如何,都可以将超过靶材10的区域50的饱和磁力线数的磁力线引导到区域50中,因此,即使靶材10由强磁性体构成,也可以使磁力线从上述区域50泄漏。因此,即使具有大的磁导率和饱和磁通密度的强磁性体被用作靶材,通过调整第四环状突起25的尺寸和第四环状槽24的深度等,也可以将超过上述强磁性体的饱和磁力线数的磁力线集中在区域50。结果,即使当使用强磁性体作为靶材时,也可以产生足以在溅射面10a上形成放电所需的磁性隧道的泄漏磁场。
典型地,形成平行的磁力线的距离(长度)受到限制。结果,例如,当靶材10的位于第四环状槽24和第一磁体5之间的部分长时,可能存在不与溅射面10a平行的区域被形成在由第四环状槽24和第四环状突起25形成的磁场中的情况。因此,优选地,如本实施方式一样,第三环状槽22被形成在第四环状槽24的内侧(第一磁体5侧),并且第三环状槽22与第四环状槽24间隔预定距离以形成第三环状突起23。这样,通过形成第三环状槽22以再次局部地集中磁力线,可以以与上述方式类似的方式形成泄漏磁场并且形成与溅射面10a平行的磁场。
如上所述,本发明的重点是在靶材的与磁体相对的表面上设置局部地集中靶材中的磁力线的结构。因此,在本实施方式中,形成被构造成使磁力线通过宽区域的靶材区域和被构造成使磁力线通过窄区域的靶材区域,为了形成该构造,设置第四环状突起25和第四环状槽24。也就是,通过在靶材10的非溅射面10b上设置第四环状槽24,形成磁力线通过窄区域的区域50和磁力线通过宽区域的第四环状突起25,因此,实现了如上所述的磁力线的局部集中。
此外,在本实施方式中,仅通过使用通常的槽形成方法在厚靶材的一个面上形成第四环状槽24,就可以形成厚的第三环状突起23和能够使磁力线通过宽区域的第四环状突起25。因此,通过简单的方法,在考虑到靶材的寿命的情况下可以增加靶材的有效厚度并且可以实现磁力线的局部集中。
本实施方式的本质是在靶材的与磁体相对的表面上设置局部地集中靶材中的磁力线的结构,因此,不需要设置再次局部地集中磁力线的结构(例如,第三环状槽22)(参照第二实施方式)。此外,当设置局部地集中磁力线的附加结构时,该结构的数量不限于一个,而是可以设置两个以上的结构。
这里,将说明制造根据本实施方式的靶材10的方法。
在本实施方式中,由刀具等对平板状的靶材10的溅射面10a进行机械加工,由此,以形成筒状突起11的方式形成第一环状槽12,然后,与第一环状槽12间隔开地形成第二环状槽14。由于这些槽的形成,留在第一环状槽12和第二环状槽14之间的部分是第一环状突起13,留在第二环状槽14的外周的部分是环状突起15。
接着,在靶材10的非溅射面10b上,通过机械加工在与筒状突起11相对的位置形成柱状凹部,形成区域10c。接着,在非溅射面10b上,通过机械加工在与第一环状突起13相对的位置形成第三环状槽22。由此,剩余的部分是第二环状突起21。接着,在非溅射面10b上,通过机械加工在与第三环状槽22间隔开并且与环状突起15相对的区域形成第四环状槽24。由此,剩下的部分是第三环状突起23。优选地,以第三环状突起23的外壁面和第二环状槽14的外壁面彼此一致的方式形成第四环状槽24。这样,可以使区域50尽可能地窄。接着,在非溅射面10b上,通过机械加工形成与第四环状槽24间隔开的槽,形成区域10d。由此,剩下的部分是第四环状突起25。
第二实施方式
图6是示出磁控溅射阴极的第二实施方式的图。图7是示出通过积分元素法模拟图6所示的靶材和阴极的结果的图。在图7中,为了简单起见,仅示出了沿轴X-X截取的剖视图的轴的半侧。
与图1所示的靶材不同,本实施方式中的靶材具有形成于靶材的溅射面的一个环状槽和形成于靶材的非溅射面(与靶材的溅射面相反的表面)的一个环状突起。也就是,在本实施方式中,靶材10包括:第一环状槽12,其形成于靶材10的溅射面10a;第四环状槽24,其在靶材10的非溅射面10b上形成于第一环状槽12的外侧;以及第四环状突起25,其在非溅射面10b上形成于第四环状槽24的外侧。
当靶材的直径是140mm以下时,即使仅形成一个槽,如图7所示,也可以确定在槽部中形成与底面大致平行的磁力线。
第三实施方式
图8是示出溅射阴极的第三实施方式的图。图9是示出通过积分元素法模拟图8所示的靶材和阴极的结果的图。在图9中,为了简单起见,仅示出了沿轴X-X截取的剖视图的轴的半侧。在本实施方式中,与图1所示的靶材不同,在位于靶材的内侧的第一磁体5侧,在非溅射面10b上形成内侧环状槽26和内侧环状突起27。
即使环状突起形成在靶材的内侧,如图9所示,也可以确定在槽中形成与底面大致平行的磁力线。
第四实施方式
图10是示出通过积分元素法模拟本实施方式中的靶材和阴极的结果的图。在图10中,为了简单起见,仅示出了沿轴X-X截取的剖视图的轴的半侧。与图1所示的靶材不同,在本实施方式中,在靶材中没有形成第四环状突起25。当如本实施方式一样在靶材中没有形成第四环状突起25时,如图10所示,存在在槽部中不能形成与底面大致平行的磁力线的区域,然而,由于第三环状槽22,磁力线能够局部地集中到靶材10,因此,可以形成在槽部中形成与底面大致平行的磁力线的区域。
也就是,通过增大发生侵蚀和进行溅射的第二环状突起21的厚度,即使增大靶材10的有效厚度或强磁性体被用作靶材材料,也可以在环状突起21上形成与溅射面10a平行的磁场。
第五实施方式
图11是示出通过积分元素法模拟本实施方式中的靶材和阴极的结果的图。在图11中,为了简单起见,仅示出了沿轴X-X截取的剖视图的轴的半侧。与图1所示的靶材不同,在本实施方式中,在靶材中没有形成第三环状槽22。当如本实施方式一样在靶材中没有形成第三环状槽22时,如图11所示,存在在槽部中不能形成与底面大致平行的磁力线的区域,然而,也可以形成在槽部中形成与底面大致平行的磁力线的区域。
第六实施方式
图12示出通过积分元素法模拟本实施方式中的靶材和阴极的结果的图。在图12中,为了简单起见,仅示出了沿轴X-X截取的剖视图的轴的半侧。本实施方式的基本构造与图6和图7所示的第二实施方式的基本构造相同,然而,本实施方式与第二实施方式的不同之处在于靶材的直径被设定为140mm以上。如本实施方式一样,靶材的直径被设定为140mm以上,并且在靶材的溅射面上仅形成一个环状槽,在靶材的非溅射面上仅形成一个环状突起,如图12所示,存在在槽部中不能形成与底面大致平行的磁力线的区域,然而,也可以形成在槽部中形成与底面大致平行的磁力线的区域。
将参考图13说明包括根据本发明的磁控溅射阴极的溅射设备。
溅射设备55包括:处理室300,其与排气系统303连接;阴极40,其用于载置由强磁性材料制成并且被设置于处理室300的靶材10;气体导入部件307,其用于将诸如惰性气体(例如,氩气)等处理气体导入到处理室300中;以及基板保持件301,其被设置在处理室300中。经由D C电源321和匹配电路317将高频电源320连接到阴极40。根据本发明的磁控溅射阴极在如下条件下使用:将具有蚀刻面的靶材布置成与由非转动支撑部件支撑的晶圆相对。溅射设备55主要用于制造诸如具有TMR元件的MRMA、具有GMR元件或TMR元件的磁头或磁传感器等磁性器件。
作为可适用于本发明的靶材材料,提及了靶材由铁钴合金、镍铁合金等制成。
Claims (8)
1.一种磁控溅射阴极,其包括:
靶材,所述靶材具有:
第一环状槽,其被设置于所述靶材的第一面;
第一环状突起,其被设置于所述靶材的与所述第一面相反侧的第二面上的至少与所述第一环状槽相对的位置;
第二环状槽,其被设置于所述第二面上的所述第一环状突起的外侧和内侧中的至少一侧;以及
第二环状突起,其被设置于所述第二面上的所述第二环状槽的外侧和内侧中的至少一侧;
第一磁体,其在所述靶材的所述第二面侧位于所述靶材的所述第一环状槽的内侧;
第二磁体,其具有与所述第一磁体的极性不同的极性,并且所述第二磁体在所述靶材的所述第二面侧位于所述靶材的所述第一环状槽的外侧,
其中,所述第一环状槽、所述第二环状槽、所述第一环状突起和所述第二环状突起位于所述第一磁体和所述第二磁体之间。
2.根据权利要求1所述的磁控溅射阴极,其特征在于,在所述靶材与所述第一和第二磁体之间设置垫板。
3.根据权利要求1所述的磁控溅射阴极,其特征在于,所述第一环状槽和所述第二环状槽之间的距离是4mm以下。
4.根据权利要求1所述的磁控溅射阴极,其特征在于,所述第一环状槽的深度比所述第一环状槽的槽宽小。
5.一种靶材,其被构造成被设置于阴极,所述阴极包括:第一磁体;以及第二磁体,其被布置成包围所述第一磁体,并且所述第二磁体具有与所述第一磁体的极性不同的极性,所述靶材包括:
第一区域,其与所述第一磁体相对;
第二区域,其与所述第二磁体相对;
第一环状槽,其被设置于所述靶材的第一面;
第一环状突起,其被设置于所述靶材的与所述第一面侧相反的第二面上的至少与所述第一环状槽相对的位置;
第二环状槽,其被设置于所述第二面上的所述第一环状突起的外侧和内侧中的至少一侧;以及
第二环状突起,其被设置于所述第二面上的所述第二环状槽的外侧和内侧中的至少一侧;
其中,所述第一环状槽、所述第二环状槽、所述第一环状突起和所述第二环状突起位于所述第一区域和所述第二区域之间。
6.一种磁控溅射设备,其包括:
根据权利要求1所述的磁控溅射阴极;
排气部件;以及
气体导入部件,其用于导入处理气体。
7.根据权利要求6所述的磁控溅射设备,其特征在于,在所述靶材与所述第一和第二磁体之间设置垫板。
8.一种制造磁性器件的方法,其利用根据权利要求6所述的磁控溅射设备来制造磁性器件。
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