JPH07197256A - スパッタ装置 - Google Patents
スパッタ装置Info
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- JPH07197256A JPH07197256A JP5351553A JP35155393A JPH07197256A JP H07197256 A JPH07197256 A JP H07197256A JP 5351553 A JP5351553 A JP 5351553A JP 35155393 A JP35155393 A JP 35155393A JP H07197256 A JPH07197256 A JP H07197256A
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- Japan
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- magnetic
- target
- magnet
- sputtering apparatus
- shield plate
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ターゲット上に付着した磁性膜片を容易に除
去することができ、スパッタ時の不良率を低くすること
ができるスパッタ装置を提供する。 【構成】 マグネトロンスパッタ装置の基板１、成膜停
止用シャッタ２、ターゲット３、マグネット４、アース
シールド５、ヨーク６からなる基板・カソード部分にお
いて、高透磁率材料からなる磁気シールド板９をターゲ
ット３・マグネット４間に、直線導入機１０により挿入
可能な構造とする。磁気シールド板９をターゲット３・
マグネット４間に挿入し、マグネット４からの磁力線を
シールドしてターゲット３上の漏洩磁界を減少させるこ
とにより、磁性膜片８を重力によってターゲット３面か
ら落下させて除去する。
去することができ、スパッタ時の不良率を低くすること
ができるスパッタ装置を提供する。 【構成】 マグネトロンスパッタ装置の基板１、成膜停
止用シャッタ２、ターゲット３、マグネット４、アース
シールド５、ヨーク６からなる基板・カソード部分にお
いて、高透磁率材料からなる磁気シールド板９をターゲ
ット３・マグネット４間に、直線導入機１０により挿入
可能な構造とする。磁気シールド板９をターゲット３・
マグネット４間に挿入し、マグネット４からの磁力線を
シールドしてターゲット３上の漏洩磁界を減少させるこ
とにより、磁性膜片８を重力によってターゲット３面か
ら落下させて除去する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ディスク基板上に磁性
膜を形成するためのスパッタ装置に関し、詳しくは、タ
ーゲット上に付着した磁性膜片を容易に除去できるスパ
ッタ装置に関する。
膜を形成するためのスパッタ装置に関し、詳しくは、タ
ーゲット上に付着した磁性膜片を容易に除去できるスパ
ッタ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の磁性膜作製用のマグネトロンスパ
ッタ装置における基板、カソードの配設部分の代表的な
例を図８〜図１０に示す。これらの図において１は基
板、２は成膜停止用シャッタ、３はターゲット、４はマ
グネット、５はアースシールド、６はヨーク、７はスパ
ッタ用電源、８は磁性膜片である。
ッタ装置における基板、カソードの配設部分の代表的な
例を図８〜図１０に示す。これらの図において１は基
板、２は成膜停止用シャッタ、３はターゲット、４はマ
グネット、５はアースシールド、６はヨーク、７はスパ
ッタ用電源、８は磁性膜片である。
【０００３】一方、スパッタ室内に発生した磁性膜片を
除去する技術については、特開平５−３３１３３号公報
に記載の発明のように、スパッタ室内で磁石板を配備し
た移動台を除去するものが知られている。
除去する技術については、特開平５−３３１３３号公報
に記載の発明のように、スパッタ室内で磁石板を配備し
た移動台を除去するものが知られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで図８〜図１０
に示すスパッタ装置においては、繰返し使用している間
に、ターゲット３上に磁性膜片８が発生したり、スパッ
タ室の壁面から剥がれた磁性膜片８がターゲット３上に
付着する。
に示すスパッタ装置においては、繰返し使用している間
に、ターゲット３上に磁性膜片８が発生したり、スパッ
タ室の壁面から剥がれた磁性膜片８がターゲット３上に
付着する。
【０００５】この磁性膜片８は、マグネット４の磁力に
より吸引されているため、ターゲット３上に留まり続け
る。この場合、磁性膜片８に電界が集中して異常放電を
引き起こしたり、ターゲット３と、これを覆っているア
ースシールド５の間を短絡し、放電不能の状態にしてし
まうという問題があった。
より吸引されているため、ターゲット３上に留まり続け
る。この場合、磁性膜片８に電界が集中して異常放電を
引き起こしたり、ターゲット３と、これを覆っているア
ースシールド５の間を短絡し、放電不能の状態にしてし
まうという問題があった。
【０００６】スパッタ室内の磁性膜片については、上記
公報に記載のように、スパッタ室内で磁石板を配備した
移動台を通過させて除去する方法があったが、スパッタ
室壁面に付着したりスパッタ空間に滞留している磁性膜
片を除去することはできても、マグネットからの磁力に
より吸引され、ターゲット上に留まり続けている磁性膜
片については、除去が困難であった。
公報に記載のように、スパッタ室内で磁石板を配備した
移動台を通過させて除去する方法があったが、スパッタ
室壁面に付着したりスパッタ空間に滞留している磁性膜
片を除去することはできても、マグネットからの磁力に
より吸引され、ターゲット上に留まり続けている磁性膜
片については、除去が困難であった。
【０００７】本発明は、前記問題点を解決するためにな
されたものであって、ターゲット上に発生した磁性膜片
を容易にする除去することができ、スパッタ時の不良率
を低くさせることができるスパッタ装置を提供すること
を目的とする。
されたものであって、ターゲット上に発生した磁性膜片
を容易にする除去することができ、スパッタ時の不良率
を低くさせることができるスパッタ装置を提供すること
を目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、請求項１記載の発明は、基板面およびターゲット面
を重力方向に平行にして保持した磁性膜作製用のマグネ
トロンスパッタ装置において、高透磁率材料からなる磁
気シールド板をターゲット・マグネット間に挿入可能に
設けたことを特徴とするものである。
め、請求項１記載の発明は、基板面およびターゲット面
を重力方向に平行にして保持した磁性膜作製用のマグネ
トロンスパッタ装置において、高透磁率材料からなる磁
気シールド板をターゲット・マグネット間に挿入可能に
設けたことを特徴とするものである。
【０００９】また、請求項２記載の発明は、ターゲット
面を鉛直下方に向けて保持した磁性膜作製用のマグネト
ロンスパッタ装置において、高透磁率材料からなる磁気
シールド板をターゲット・マグネット間に挿入可能に設
けたことを特徴とするものである。
面を鉛直下方に向けて保持した磁性膜作製用のマグネト
ロンスパッタ装置において、高透磁率材料からなる磁気
シールド板をターゲット・マグネット間に挿入可能に設
けたことを特徴とするものである。
【００１０】また、請求項３記載の発明は、磁性膜作製
用のマグネトロンスパッタ装置において、高透磁率材料
からなる磁性シールド板をターゲット・マグネット間に
挿入可能に設け、かつ永久磁石または電磁石をターゲッ
ト面上を通過可能に設けたことを特徴とするものであ
る。
用のマグネトロンスパッタ装置において、高透磁率材料
からなる磁性シールド板をターゲット・マグネット間に
挿入可能に設け、かつ永久磁石または電磁石をターゲッ
ト面上を通過可能に設けたことを特徴とするものであ
る。
【００１１】また、請求項４記載の発明は、磁性膜作製
用のマグネトロンスパッタ装置において、高透磁率材料
からなる磁気シールド板をターゲット・マグネット間に
挿入可能に設け、かつ成膜停止用シャッタの、ターゲッ
トよりも外周側に位置する部分に永久磁石を接続したこ
とを特徴とするものである。
用のマグネトロンスパッタ装置において、高透磁率材料
からなる磁気シールド板をターゲット・マグネット間に
挿入可能に設け、かつ成膜停止用シャッタの、ターゲッ
トよりも外周側に位置する部分に永久磁石を接続したこ
とを特徴とするものである。
【００１２】また、請求項５記載の発明は、請求項４記
載のマグネトロンスパッタ装置において、成膜中は前記
シャッタを高透磁率材料からなる磁気シールドケース内
に収納可能としたことを特徴とするものである。
載のマグネトロンスパッタ装置において、成膜中は前記
シャッタを高透磁率材料からなる磁気シールドケース内
に収納可能としたことを特徴とするものである。
【００１３】また、請求項６記載の発明は、磁性膜作製
用のマグネトロンスパッタ装置において、高透磁率材料
からなる磁気シールド板をターゲット・マグネット間に
挿入可能に設け、かつ成膜停止用シャッタに電磁石を接
続したことを特徴とするものである。
用のマグネトロンスパッタ装置において、高透磁率材料
からなる磁気シールド板をターゲット・マグネット間に
挿入可能に設け、かつ成膜停止用シャッタに電磁石を接
続したことを特徴とするものである。
【００１４】また、請求項７記載の発明は、請求項１〜
６のいずれか１項記載のマグネトロンスパッタ装置にお
いて、高透磁率材料からなる磁気シールド板をターゲッ
ト・マグネット間に挿入可能に設けるのに代えて、マグ
ネット部の中心磁極の周りにソレノイドコイルを巻き、
かつターゲット・中心磁極間に磁気検知手段を配備した
ことを特徴とするものである。
６のいずれか１項記載のマグネトロンスパッタ装置にお
いて、高透磁率材料からなる磁気シールド板をターゲッ
ト・マグネット間に挿入可能に設けるのに代えて、マグ
ネット部の中心磁極の周りにソレノイドコイルを巻き、
かつターゲット・中心磁極間に磁気検知手段を配備した
ことを特徴とするものである。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図８〜図１０で示す要素と同一または均等の要素
は同一符号を用いて示す。
する。図８〜図１０で示す要素と同一または均等の要素
は同一符号を用いて示す。
【００１６】図１は、請求項１記載の発明に係るスパッ
タ装置の第１実施例の要部を示す図である。図１におい
て、マグネトロンスパッタ装置の基板１とカソードの配
設部分においては、基板１面およびターゲット３面を重
力方向（鉛直方向）に沿わせてあり、高透磁率材料から
なる磁気シールド板９を、ターゲット３・マグネット４
間に、直線導入機１０により挿入可能な構造となってい
る。なお、図１において２ａは揺動軸である。
タ装置の第１実施例の要部を示す図である。図１におい
て、マグネトロンスパッタ装置の基板１とカソードの配
設部分においては、基板１面およびターゲット３面を重
力方向（鉛直方向）に沿わせてあり、高透磁率材料から
なる磁気シールド板９を、ターゲット３・マグネット４
間に、直線導入機１０により挿入可能な構造となってい
る。なお、図１において２ａは揺動軸である。
【００１７】磁気シールド板９をターゲット３・マグネ
ット４間に挿入するとマグネット４からの磁力線がシー
ルドされ、ターゲット３上の漏洩磁界は減少する。この
とき磁性膜片８は重力によりターゲット面から落下し、
除去される。
ット４間に挿入するとマグネット４からの磁力線がシー
ルドされ、ターゲット３上の漏洩磁界は減少する。この
とき磁性膜片８は重力によりターゲット面から落下し、
除去される。
【００１８】上記磁気シールド板９の材料としては、パ
ーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ系の磁性合金）、センダスト（Ｓ
ｉ−Ａｌ−Ｆｅ系の磁性合金）、Ｃｏ−Ｃｒ系の磁性合
金等の高透磁率材料が例示される。
ーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ系の磁性合金）、センダスト（Ｓ
ｉ−Ａｌ−Ｆｅ系の磁性合金）、Ｃｏ−Ｃｒ系の磁性合
金等の高透磁率材料が例示される。
【００１９】なお、ターゲット３上の漏洩磁界を減少さ
せる手段として、マグネット４を移動可能とし、ターゲ
ット３・マグネット４間の距離を大きくすることも考え
られるが、この場合、ターゲット３・マグネット４間の
距離が頻繁に変えられ、それによりスパッタ条件の再現
性が失われる畏れがある。
せる手段として、マグネット４を移動可能とし、ターゲ
ット３・マグネット４間の距離を大きくすることも考え
られるが、この場合、ターゲット３・マグネット４間の
距離が頻繁に変えられ、それによりスパッタ条件の再現
性が失われる畏れがある。
【００２０】これに対し、本発明ではターゲット３・マ
グネット４間の距離を変えることなくターゲット３上の
漏洩磁界を減少させているため、スパッタ条件の再現性
が失われることはない。
グネット４間の距離を変えることなくターゲット３上の
漏洩磁界を減少させているため、スパッタ条件の再現性
が失われることはない。
【００２１】図２は、請求項２記載の発明に係るスパッ
タ装置の第２実施例の要部概略図を示しており、基板１
面およびターゲット３面を鉛直方向下向きにするととも
に、ターゲット３・マグネット４間に高透磁率材料から
なる磁気シールド板９を、直線導入機１０により挿入可
能な構造としたものである。
タ装置の第２実施例の要部概略図を示しており、基板１
面およびターゲット３面を鉛直方向下向きにするととも
に、ターゲット３・マグネット４間に高透磁率材料から
なる磁気シールド板９を、直線導入機１０により挿入可
能な構造としたものである。
【００２２】磁気シールド板９をターゲット３・マグネ
ット４間に挿入するとマグネット４からの磁力線がシー
ルドされ、ターゲット３上の漏洩磁界は減少する。この
とき磁性膜片８は重力によりターゲット面から落下し、
除去される。
ット４間に挿入するとマグネット４からの磁力線がシー
ルドされ、ターゲット３上の漏洩磁界は減少する。この
とき磁性膜片８は重力によりターゲット面から落下し、
除去される。
【００２３】図３は、請求項３記載の発明に係るスパッ
タ装置の第３実施例の要部概略図を示しており、ターゲ
ット３・マグネット４間に高透磁率材料からなる磁気シ
ールド板９を直線導入機１０により挿入可能な構造とな
っている。また、同時に磁石１１がターゲット３面上
を、直線導入機１２によって通過可能となっている。
タ装置の第３実施例の要部概略図を示しており、ターゲ
ット３・マグネット４間に高透磁率材料からなる磁気シ
ールド板９を直線導入機１０により挿入可能な構造とな
っている。また、同時に磁石１１がターゲット３面上
を、直線導入機１２によって通過可能となっている。
【００２４】これにより磁性膜片８は、ターゲット３面
が鉛直方向上方を向いている場合にも、磁石１１により
吸着除去することができる。また、磁性膜片８が磁化さ
れ磁性膜片８自身の磁力により吸着している場合にも、
容易に除去が可能である。なお、磁石１１は永久磁石、
電磁石のどちらでもよい。
が鉛直方向上方を向いている場合にも、磁石１１により
吸着除去することができる。また、磁性膜片８が磁化さ
れ磁性膜片８自身の磁力により吸着している場合にも、
容易に除去が可能である。なお、磁石１１は永久磁石、
電磁石のどちらでもよい。
【００２５】図４（ａ），（ｂ）は、請求項４記載の発
明に係るスパッタ装置の第４実施例の要部概略図を示し
ており、高透磁率材料からなる磁気シールド板９を、タ
ーゲット３・マグネット４間に直線導入機１０により挿
入可能な構造となっている。
明に係るスパッタ装置の第４実施例の要部概略図を示し
ており、高透磁率材料からなる磁気シールド板９を、タ
ーゲット３・マグネット４間に直線導入機１０により挿
入可能な構造となっている。
【００２６】また、同時に成膜停止用シャッタ２の、タ
ーゲット３よりも外周側の部分に永久磁石１３を接続し
ている。永久磁石１３の位置がターゲット３よりも外周
側にあるのは、シャッタ２上の永久磁石１３が成膜前の
プリスパッタ時の放電に与える影響を小さく抑えるため
である。
ーゲット３よりも外周側の部分に永久磁石１３を接続し
ている。永久磁石１３の位置がターゲット３よりも外周
側にあるのは、シャッタ２上の永久磁石１３が成膜前の
プリスパッタ時の放電に与える影響を小さく抑えるため
である。
【００２７】磁気シールド板９をターゲット３・マグネ
ット４間に挿入するとマグネット４からの磁力線がシー
ルドされ、ターゲット３上の漏洩磁界は減少する。この
ときシャッタ２が図４（ａ），（ｂ）に示すように揺動
軸２ａの作動によりターゲット３上で移動すると、磁性
膜片（図示せず）は永久磁石１３により吸着除去され
る。また、磁性膜片が磁化され磁性膜片自身の磁力によ
り吸着している場合にも、容易に除去が可能である。
ット４間に挿入するとマグネット４からの磁力線がシー
ルドされ、ターゲット３上の漏洩磁界は減少する。この
ときシャッタ２が図４（ａ），（ｂ）に示すように揺動
軸２ａの作動によりターゲット３上で移動すると、磁性
膜片（図示せず）は永久磁石１３により吸着除去され
る。また、磁性膜片が磁化され磁性膜片自身の磁力によ
り吸着している場合にも、容易に除去が可能である。
【００２８】図５（ａ），（ｂ）および（ｃ）は、請求
項５記載の発明に係るスパッタ装置の第５実施例の要部
概略図を示しており、請求項４記載のスパッタ装置に加
えて、図５（ｂ），（ｃ）に示すようにシャッタ２を、
高透磁率材料からなる磁気シールドケース１４内に収納
する構造となっている。これにより成膜中の放電への、
シャッタ２上の永久磁石１３が与える影響を小さく抑え
ることができる。
項５記載の発明に係るスパッタ装置の第５実施例の要部
概略図を示しており、請求項４記載のスパッタ装置に加
えて、図５（ｂ），（ｃ）に示すようにシャッタ２を、
高透磁率材料からなる磁気シールドケース１４内に収納
する構造となっている。これにより成膜中の放電への、
シャッタ２上の永久磁石１３が与える影響を小さく抑え
ることができる。
【００２９】前記磁気シールドケース１４の材料として
は、パーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ系の磁性合金）、センダス
ト（Ｓｉ−Ａｌ−Ｆｅ系の磁性合金）、Ｃｏ−Ｃｒの磁
性合金等の高透磁率材料が例示される。
は、パーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ系の磁性合金）、センダス
ト（Ｓｉ−Ａｌ−Ｆｅ系の磁性合金）、Ｃｏ−Ｃｒの磁
性合金等の高透磁率材料が例示される。
【００３０】図６は、請求項６記載の発明に係るスパッ
タ装置の第６実施例の要部概略図を示しており、高透磁
率材料からなる磁気シールド板９をターゲット３・マグ
ネット４間に、直線導入機１０により挿入可能な構造と
なっている。
タ装置の第６実施例の要部概略図を示しており、高透磁
率材料からなる磁気シールド板９をターゲット３・マグ
ネット４間に、直線導入機１０により挿入可能な構造と
なっている。
【００３１】また、同時に成膜停止用のシャッタ２に電
磁石１５を接続している。電磁石１５の配置は、シャッ
タ２がターゲット３上を通過するとき、ターゲット３面
全体の上を電磁石１５が通過する配置であればよい。１
８は電磁石用電源である。
磁石１５を接続している。電磁石１５の配置は、シャッ
タ２がターゲット３上を通過するとき、ターゲット３面
全体の上を電磁石１５が通過する配置であればよい。１
８は電磁石用電源である。
【００３２】磁気シールド板９をターゲット３・マグネ
ット４間に挿入するとマグネット４からの磁力線がシー
ルドされ、ターゲット３上の漏洩磁界は減少する。この
ときシャッタ２がターゲット３上で移動すると、磁性膜
片（図示せず）は電磁石１５により吸着除去される。ま
た、磁性膜片が磁化され磁性膜片自身の磁力により吸着
している場合にも、容易に除去が可能である。
ット４間に挿入するとマグネット４からの磁力線がシー
ルドされ、ターゲット３上の漏洩磁界は減少する。この
ときシャッタ２がターゲット３上で移動すると、磁性膜
片（図示せず）は電磁石１５により吸着除去される。ま
た、磁性膜片が磁化され磁性膜片自身の磁力により吸着
している場合にも、容易に除去が可能である。
【００３３】なお、スパッタ放電を行なっているときは
電磁石１５に通電しないようにすれば、放電に影響を与
えない。
電磁石１５に通電しないようにすれば、放電に影響を与
えない。
【００３４】図７は、請求項７記載の発明に係るスパッ
タ装置の第７実施例の要部概略図を示しており、請求項
１〜６のいずれか１項記載のマグネトロンスパッタ装置
において、高透磁率材料からなる磁気シールド板をター
ゲット３・マグネット４間に挿入する構造に代えて、マ
グネット４の中心磁極４ａの周りにソレノイドコイル１
６を巻き、かつターゲット３・中心磁極４ａ間に磁気検
知手段１７を配備している。
タ装置の第７実施例の要部概略図を示しており、請求項
１〜６のいずれか１項記載のマグネトロンスパッタ装置
において、高透磁率材料からなる磁気シールド板をター
ゲット３・マグネット４間に挿入する構造に代えて、マ
グネット４の中心磁極４ａの周りにソレノイドコイル１
６を巻き、かつターゲット３・中心磁極４ａ間に磁気検
知手段１７を配備している。
【００３５】前記磁気検知手段１７としてはホール素
子、磁気抵抗効果素子などを用いることができる。この
実施例ではソレノイドコイル１６により、マグネット４
の中心磁極４ａからの磁力線と逆向きの磁力線を発生さ
せて、ターゲット３上の漏洩磁界を減少させることがで
きる。中心磁極４ａ上の磁界の大きさは磁気検知手段１
７により検知し、中心磁極４ａ上の磁界をゼロに近付け
るように、ソレノイドコイル１６に流す電流量を調節す
る。
子、磁気抵抗効果素子などを用いることができる。この
実施例ではソレノイドコイル１６により、マグネット４
の中心磁極４ａからの磁力線と逆向きの磁力線を発生さ
せて、ターゲット３上の漏洩磁界を減少させることがで
きる。中心磁極４ａ上の磁界の大きさは磁気検知手段１
７により検知し、中心磁極４ａ上の磁界をゼロに近付け
るように、ソレノイドコイル１６に流す電流量を調節す
る。
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、タ
ーゲット上に付着している磁性膜片を容易に除去できる
ので、異常放電およびターゲットとアースシールドの間
の短絡を抑制し、磁性膜を形成する際の不良率を低くす
ることができる。
ーゲット上に付着している磁性膜片を容易に除去できる
ので、異常放電およびターゲットとアースシールドの間
の短絡を抑制し、磁性膜を形成する際の不良率を低くす
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】請求項１記載の発明に係るスパッタ装置の第１
実施例の内部構成を示す要部断面図。
実施例の内部構成を示す要部断面図。
【図２】請求項２記載の発明に係るスパッタ装置の第２
実施例を示す要部断面図である。
実施例を示す要部断面図である。
【図３】請求項３記載の発明に係るスパッタ装置の第３
実施例を示す要部断面図である。
実施例を示す要部断面図である。
【図４】請求項４記載の発明に係るスパッタ装置の第４
実施例の要部を示すもので、（ａ）はシャッタをターゲ
ットの前面に位置させた状態の平面図であり、（ｂ）は
シャッタをターゲット前面から外した状態の平面図であ
る。
実施例の要部を示すもので、（ａ）はシャッタをターゲ
ットの前面に位置させた状態の平面図であり、（ｂ）は
シャッタをターゲット前面から外した状態の平面図であ
る。
【図５】請求項５記載の発明に係るスパッタ装置の第５
実施例の要部を示すもので、（ａ）はシャッタをターゲ
ットの前面に位置させた状態の平面図であり、（ｂ）は
シャッタをターゲット前面から外し、磁気シールドケー
スに収納した状態の平面図であり、（ｃ）は（ｂ）にお
ける磁気シールドケース部分の断面図である。
実施例の要部を示すもので、（ａ）はシャッタをターゲ
ットの前面に位置させた状態の平面図であり、（ｂ）は
シャッタをターゲット前面から外し、磁気シールドケー
スに収納した状態の平面図であり、（ｃ）は（ｂ）にお
ける磁気シールドケース部分の断面図である。
【図６】請求項６記載の発明に係るスパッタ装置の第６
実施例を示す要部平面図である。
実施例を示す要部平面図である。
【図７】請求項７記載の発明に係るスパッタ装置の第７
実施例を示す要部断面図である。
実施例を示す要部断面図である。
【図８】従来のマグネトロンスパッタ装置の一例を示す
要部断面図である。
要部断面図である。
【図９】従来のスパッタ装置の別の例を示す要部断面図
である。
である。
【図１０】従来のスパッタ装置の更に別の例を示す要部
断面図である。
断面図である。
１ 基板 ２ 成膜停止用のシャッタ ２ａ 揺動軸 ３ ターゲット ４ マグネット ４ａ 中心磁極 ５ アースシールド ６ ヨーク ７ スパッタ用電源 ８ 磁性膜片 ９ 磁気シールド板 １０，１２ 直線導入機 １１ 磁石 １３ 永久磁石 １４ 磁気シールドケース １５ 電磁石 １６ ソレノイドコイル １７ 磁気検知手段 １８ 電磁石用電源
Claims (7)
- 【請求項１】 基板面およびターゲット面を重力方向に
平行にして保持した磁性膜作製用のマグネトロンスパッ
タ装置において、高透磁率材料からなる磁気シールド板
をターゲット・マグネット間に挿入可能に設けたことを
特徴とするスパッタ装置。 - 【請求項２】 ターゲット面を鉛直下方に向けて保持し
た磁性膜作製用のマグネトロンスパッタ装置において、
高透磁率材料からなる磁気シールド板をターゲット・マ
グネット間に挿入可能に設けたことを特徴とするスパッ
タ装置。 - 【請求項３】 磁性膜作製用のマグネトロンスパッタ装
置において、高透磁率材料からなる磁性シールド板をタ
ーゲット・マグネット間に挿入可能に設け、かつ永久磁
石または電磁石をターゲット面上を通過可能に設けたこ
とを特徴とするスパッタ装置。 - 【請求項４】 磁性膜作製用のマグネトロンスパッタ装
置において、高透磁率材料からなる磁気シールド板をタ
ーゲット・マグネット間に挿入可能に設け、かつ成膜停
止用シャッタの、ターゲットよりも外周側に位置する部
分に永久磁石を接続したことを特徴とするスパッタ装
置。 - 【請求項５】 請求項４記載のマグネトロンスパッタ装
置において、成膜中は前記シャッタを高透磁率材料から
なる磁気シールドケース内に収納可能としたことを特徴
とするスパッタ装置。 - 【請求項６】 磁性膜作製用のマグネトロンスパッタ装
置において、高透磁率材料からなる磁気シールド板をタ
ーゲット・マグネット間に挿入可能に設け、かつ成膜停
止用シャッタに電磁石を接続したことを特徴とするスパ
ッタ装置。 - 【請求項７】 請求項１〜６のいずれか１項記載のマグ
ネトロンスパッタ装置において、高透磁率材料からなる
磁気シールド板をターゲット・マグネット間に挿入可能
に設けるのに代えて、マグネット部の中心磁極の周りに
ソレノイドコイルを巻き、かつターゲット・中心磁極間
に磁気検知手段を配備したことを特徴とするスパッタ装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5351553A JPH07197256A (ja) | 1993-12-29 | 1993-12-29 | スパッタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5351553A JPH07197256A (ja) | 1993-12-29 | 1993-12-29 | スパッタ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07197256A true JPH07197256A (ja) | 1995-08-01 |
Family
ID=18418066
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5351553A Pending JPH07197256A (ja) | 1993-12-29 | 1993-12-29 | スパッタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07197256A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102266820A (zh) * | 2011-07-25 | 2011-12-07 | 江苏旌凯中科超导高技术有限公司 | 具有磁场屏蔽罩的超导磁选连续分离装置 |
| CN104775098A (zh) * | 2014-01-11 | 2015-07-15 | 烟台力凯电子科技有限公司 | 一种靶式溅射镀膜机 |
-
1993
- 1993-12-29 JP JP5351553A patent/JPH07197256A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102266820A (zh) * | 2011-07-25 | 2011-12-07 | 江苏旌凯中科超导高技术有限公司 | 具有磁场屏蔽罩的超导磁选连续分离装置 |
| CN104775098A (zh) * | 2014-01-11 | 2015-07-15 | 烟台力凯电子科技有限公司 | 一种靶式溅射镀膜机 |
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