CN101819990B - 电激发光显示面板的像素结构及其制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明是关于一种电激发光显示面板的像素结构及其制作方法，所述的像素结构包括一基板、一第一图案化导电层、一绝缘层、一第二图案化导电层、一主动层、一第一保护层与一电激发光元件。第一图案化导电层包括一栅极。绝缘层设置于基板及第一图案化导电层上，其中绝缘层包括至少一第一接触洞，部分暴露出栅极。第二图案化导电层设置于绝缘层上，其中第二图案化导电层包括一第一源极与一第一漏极，以及一第二漏极与绝缘层的第一接触洞暴露出的栅极电性连接。

Description

电激发光显示面板的像素结构及其制作方法

技术领域

本发明关于一种电激发光显示面板的像素结构及其制作方法，尤指一种直接使一第二开关元件的第二漏极与一第一开关元件的栅极电性连接而不需透过第三导电层作为桥接线的电激发光显示面板的像素结构及其制作方法。

背景技术

主动矩阵有机发光二极管(active matrix organic light emitting diode，AMOLED)显示面板具有多项特性与优势，例如可利用低温制造工艺加以制作、可实现大尺寸显示、反应时间快、低电压、高效率、自发光与广视角等，使得它被普遍预期将成为下一世代的显示面板的主流。

请参考图1。图1绘示了现有有机发光二极管显示面板的像素结构的剖面示意图。如图1所示，有机发光二极管显示面板的像素结构1包括一薄膜晶体管2，以及一有机发光二极管OLED。薄膜晶体管2为一下栅极型薄膜晶体管，其包括一栅极3、一源极4与一漏极5，其中薄膜晶体管2的源极4通过一透明导电层6与有机发光二极管OLED电性连接。另外，像素结构1另包括另一薄膜晶体管(图未示)，且薄膜晶体管2的栅极3通过透明导电层6与另一薄膜晶体管的漏极7电性连接。

由于现有有机发光二极管显示面板的像素结构利用透明导电层桥接一薄膜晶体管的栅极与另一薄膜晶体管的漏极，因此当像素结构应用在上发光式有机发光二极管显示面板时，有机发光二极管必须避开作为桥接线的透明导电层，而造成开口率的损失。此外，在现有有机发光二极管显示面板的像素结构中，薄膜晶体管做用多晶硅作为半导体通道层的材料。多晶硅虽然具有高载子移动率，但其需利用高温制造工艺加以制作且具有均匀度不佳的缺点，因此亦造成了现有有机发光二极管显示面板制作成本的提升以及应用上的限制。

发明内容

本发明的目的之一在于提供一种电激发光显示面板的像素结构及其制作方法，以增加开口率。

本发明的一较佳实施例提供一种电激发光显示面板的像素结构，包括一基板、一第一图案化导电层、一绝缘层、一第二图案化导电层、一主动层、一第一保护层与一电激发光元件。第一图案化导电层设置于基板上，其中第一图案化导电层包括一栅极。绝缘层设置于基板及第一图案化导电层上，其中绝缘层包括至少一第一接触洞，部分暴露出栅极。第二图案化导电层设置于绝缘层上，其中第二图案化导电层包括一第一源极与一第一漏极，以及一第二漏极与绝缘层的第一接触洞暴露出的栅极电性连接。主动层设置于绝缘层上并分别与第一源极及第一漏极部分重叠。第一保护层设置于第二图案化导电层与主动层上，其中第一保护层包括至少一第二接触洞，使第一源极与第一漏极的其中的一者中的部分暴露。电激发光元件设置于第一保护层上，其中电激发光元件与第一保护层的第二接触洞暴露出的第一源极与第一漏极的其中的一者电性连接。

本发明的另一较佳实施例提供一种制作电激发光显示面板的像素结构的方法，包括下列步骤。提供一基板，并于基板上形成一第一图案化导电层，其中第一图案化导电层包括一栅极。于基板及第一图案化导电层上形成一绝缘层，并于绝缘层内形成至少一第一接触洞，部分暴露出栅极。于绝缘层上形成一第二图案化导电层，其中第二图案化导电层包括一第一源极与一第一漏极，以及一第二漏极与绝缘层的第一接触洞暴露出的栅极电性连接。于绝缘层上形成一主动层，其中主动层分别与第一源极与第一漏极部分重叠。于第二图案化导电层与主动层上形成一第一保护层，并于第一保护层内形成至少一第二接触洞，使第一源极与第一漏极的其中的一者中的部分暴露。于第一保护层上形成一电激发光元件，并使电激发光元件与该第一保护层的第二接触洞暴露出的第一源极与第一漏极的其中的一者电性连接。

本发明的电激发光显示面板的像素结构利用第二薄膜晶体管的第二漏极直接与第一薄膜晶体管的栅极电性连接，而不需第三导电层作为桥接线，因此可大幅增加电激发光显示面板的像素结构的发光面积，进而提升开口率。

附图说明

图1绘示了现有有机发光二极管显示面板的像素结构的剖面示意图。

图2绘示了本发明的电激发光显示面板的像素结构的驱动电路示意图。

图3至图8绘示了本发明的第一较佳实施例的制作电激发光显示面板的像素结构的示意图。

图9与图10绘示了本发明的第二较佳实施例的制作电激发光显示面板的像素结构的示意图。

图11与图12绘示了本发明的第三较佳实施例的制作电激发光显示面板的像素结构的示意图。

图13与图14绘示了本发明的第四较佳实施例的制作电激发光显示面板的像素结构的示意图。

图15与图16绘示了本发明的第五较佳实施例的制作电激发光显示面板的像素结构的示意图。

附图标号：

1像素结构               2    薄膜晶体管

3栅极                   4    源极

5漏极                   6    透明导电层

7漏极                   OLED 有机发光二极管

10基板                  12   第一图案化导电层

14绝缘层                14H  第一接触洞

16主动层                17   蚀刻停止层

18第二图案化导电层            19盖层

20第一保护层                   20H 第二接触洞

22第三导电层                   24  第二保护层

26电激发光层                   28  阴极

30像素结构                     40  像素结构

50像素结构                     60  像素结构

70像素结构                     EL  电激发光元件

C储存电容                      SL  扫描线

DL数据线                       T1  第一薄膜晶体管

T2第二薄膜晶体管               G1  栅极

G2栅极                         S1  第一源极

D1第一漏极                     S2  第二源极

D2第二漏极                     Vdd Vdd电压源

Vss Vss电压源                  I   驱动电流

具体实施方式

为使熟习本发明所属技术领域的一般技艺者能更进一步了解本发明，下文特列举本发明的较佳实施例，并配合所附图式，详细说明本发明的构成内容及所欲达成的功效。另外，在本文的实施方式中，”第一”与”第二”等用语用以区别不同的元件或制造工艺，并非用以限定元件或制造工艺的顺序。

请参考图2。图2绘示了本发明的电激发光显示面板的像素结构的驱动电路示意图。如图2所示，本发明的电激发光显示面板的像素结构包括一第一开关元件、一第二开关元件、一储存电容C与一电激发光元件EL。在本实施例中，第一开关元件与第二开关元件分别以第一薄膜晶体管T1与第二薄膜晶体管T2加以实现，且电激发光元件EL可为例如一有机发光二极管，但不以此为限。第二薄膜晶体管T2的栅极G2与一扫描线SL电性连接，而其第二源极S2与第二漏极D2分别与一数据线DL与第一薄膜晶体管T1的栅极G1以及储存电容C的一电极电性连接。第一薄膜晶体管T1的第一漏极D1分别与一Vdd电压源以及储存电容C的另一电极电性连接。电激发光元件EL的阳极与阴极分别与第一薄膜晶体管T1的第一源极S1以及一Vss电压源电性连接。于进行发光时，扫描线SL所提供的一扫描讯号会短暂地开启第二薄膜晶体管T2的栅极G2，此时数据线DL提供的数据讯号会通过薄膜晶体管T2进而开启第一薄膜晶体管T1的栅极G1。当第二薄膜晶体管T2的栅极G2关闭后，储存电容C会发挥储存电容的作用维持数据讯号的位准，而使得第一薄膜晶体管T1的栅极G1持续开启，在此期间内Vdd电压源提供的驱动电流I会持续通过电激发光元件EL，以驱动电激发光元件EL持续发光。在本实施例中，电激发光元件EL设置于第一薄膜晶体管T1的第一源极S1以及Vss电压源之间，但本发明并不以此配置为限，例如电激发光元件EL亦可设置于第一薄膜晶体管T1的第一漏极D1以及Vdd电压源之间。

请参考图3至图8，并一并参考图2。图3至图8绘示了本发明的第一较佳实施例的制作电激发光显示面板的像素结构的示意图。如图3所示，首先，提供一基板10。基板10可为一透明基板，但不以此为限。接着于基板10上形成一第一导电层，例如一金属层，但不以此为限。随后，进行一第一图案化制造工艺，例如一第一微影蚀刻制造工艺(photolithography-and-etchingprocess，PEP)，对第一导电层进行图案化以形成一第一图案化导电层12。第一图案化导电层12包括栅极G1与栅极G2(图3未示)，其中栅极G1作为第一薄膜晶体管T1的栅极，而栅极G2作为第二薄膜晶体管T2的栅极。

如图4所示，随后于基板10及第一图案化导电层12上形成一绝缘层14，并进行一第二图案化制造工艺，例如一第二微影蚀刻制造工艺，对绝缘层14进行图案化以于绝缘层14内形成至少一第一接触洞14H，其中第一接触洞14H部分暴露出栅极G1。绝缘层14可为各式绝缘材料，例如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅等，但不以此为限。如图5所示，接着于绝缘层14上形成一半导体层，并进行一第三图案化制造工艺，例如一第三微影蚀刻制造工艺，对半导体层进行图案化以形成一主动层16，其中主动层16作为第一薄膜晶体管T1的通道，且在本实施例中，主动层16的材质可选用金属氧化物，例如铟镓锡氧化物(In-Ga-Zn-O，IGZO)、铟锌氧化物(In-Zn-O，IZO)、氧化锌(ZnO)或上述材料的混合物，其具有可利用低温制造工艺加以制作、载子移动率高、均匀性佳与透光等优点，但并不以此为限。举例而言，主动层16的材料亦可为非晶半导体(例如非晶硅)、多晶半导体(例如多晶硅)、微晶半导体(例如微晶硅)等。

如图6所示，接着于绝缘层14与主动层16上形成一第二导电层，例如一金属层，但不以此为限。随后，进行一第四图案化制造工艺，例如一第四微影蚀刻制造工艺，对第二导电层进行图案化以形成一第二图案化导电层18。第二图案化导电层18包括一第一源极S1、一第一漏极D1、一第二源极S2(图6未示)与一第二漏极D2。第一源极S1与第一漏极D1作为第一薄膜晶体管T1的源极与漏极，第二源极S2与第二漏极D2作为第二薄膜晶体管T2的源极与漏极，且第一源极S1与第一漏极D1分别覆盖于主动层16的上表面，并分别与主动层16部分重叠。在本实施例中，第二薄膜晶体管T2的第二漏极D2经由绝缘层14的第一接触洞14H与暴露出的第一薄膜晶体管T1的栅极G1电性连接，藉此可形成如图2所示的第一薄膜晶体管T1与第二薄膜晶体管T2的电性连接关系。在本实施例中，第二漏极D2填入绝缘层14的第一接触洞14H而直接与栅极G1电性连接，但不以此为限。举例而言，于形成第二漏极D2之前，可先于绝缘层14的第一接触洞14H内填入另一导电层作为连接插塞(图未示)，并使后续形成的第二漏极D2通过连接插塞与栅极G1电性连接。

如图7所示，接着于第二图案化导电层18与主动层16上形成一第一保护层20，并进行一第五图案化制造工艺，例如一第五微影蚀刻制造工艺，对第一保护层20进行图案化以于第一保护层20内形成至少一第二接触洞20H，其中第二接触洞20H部分暴露出第一源极S1与第一漏极D1的其中的一者。本实施例以第二接触洞20H部分暴露出第一源极S1为例，但并不以此为限，例如若电激发光元件EL设置于第一薄膜晶体管T1的第一漏极D1以及Vdd电压源之间，则第二接触洞20H部分暴露出第一漏极D1。第一保护层20可为单层或多层结构，且其材料可为无机材料、有机材料或无机/有机混合材料。值得说明的是若第一保护层20选用感旋光性有机材料，则第五图案化制造工艺可利用曝光显影制造工艺加以实现，而不需使用蚀刻制造工艺加以实现。

如图8所示，于第一保护层20上形成一第三导电层22，并进行一第六图案化制造工艺，例如一第六微影蚀刻制造工艺，对第三导电层22进行图案化。第三导电层22可为各式透明导电材料，例如氧化铟锡，或是非透明导电材料，例如金属材料。第三导电层22作为电激发光元件的阳极，且第三导电层22填入第二接触洞20H内并与第一薄膜晶体管T1的第一源极S1或第一漏极D1的其中一者电性连接。在本实施例中，第三导电层22与第二接触洞20H暴露出第一源极S1电性连接，但并不以此为限。随后，于第一保护层20与第三导电层22上形成一第二保护层24，并进行一第七图案化制造工艺，例如一第七微影蚀刻制造工艺，对第二保护层24进行图案化以至少暴露出部分第三导电层22。第二保护层24可为单层或多层结构，且其材料可为无机材料、有机材料或无机/有机混合材料。值得说明的是若第二保护层24选用感旋光性有机材料，则第五图案化制造工艺可利用曝光显影制造工艺加以实现，而不需使用蚀刻制造工艺加以实现。接着，再于暴露出的第三导电层22上依序形成一电激发光层26(例如一有机发光层)与一阴极28，其中第三导电层22为阳极，其与电激发光层26以及阴极28构成电激发光元件EL。为了提升发光效率，在形成电激发光层26之前，可先于第三导电层22上形成例如电洞注入层与电洞传输层等膜层，且在形成阴极28之前，可先于电激发光层26上形成电子传输层与电子注入层等膜层。通过上述步骤，即可制作出本实施例的电激发光显示面板的像素结构30，如图8所示。

本实施例的电激发光显示面板为一上发光型电激发光显示面板，且由于第二薄膜晶体管T2的第二漏极D2经由绝缘层14的第一接触洞14H与暴露出的第一薄膜晶体管T1的栅极G1电性连接，而非利用第三导电层22来桥接第二漏极D2与栅极G1，因此电激发光元件EL的范围可延伸至第一薄膜晶体管T1的上方。在此状况下，电激发光元件EL可至少部份重叠于第一源极S1与第一漏极D1，或完全覆盖于第一源极S1与第一漏极D1的上方，且电激发光元件EL亦可至少部分重叠于绝缘层14的第一接触洞14H，或完全覆盖于绝缘层14的第一接触洞14H的上方，藉此可大幅地增加电激发光显示面板的像素结构30的发光面积，进而提升开口率。

本发明的电激发光显示面板的像素结构并不以上述实施例为限。下文将依序介绍本发明的其它较佳实施例的电激发光显示面板的像素结构及其制作方法，且为了便于比较各实施例的相异处并简化说明，在下文的各实施例中使用相同的符号标注相同的元件，且主要针对各实施例的相异处进行说明，而不再对重复部分进行赘述。

请参考图9与图10，并一并参考图2至图5。图9与图10绘示了本发明的第二较佳实施例的制作电激发光显示面板的像素结构的示意图，其中图9与图10接续图3至图5所示的步骤之后进行。如图9所示，于绝缘层14上形成主动层16之后，接着于绝缘层14与主动层16上形成一蚀刻停止层17，并进行一第八图案化制造工艺，例如一第八微影蚀刻制造工艺，对蚀刻停止层17进行图案化，以去除部分蚀刻停止层17，藉此使得蚀刻停止层17仅部分覆盖主动层16的上表面。蚀刻停止层17的材料可为各式介电材料，例如氮化硅，但不以此为限。蚀刻停止层17的作用在于保护主动层16，藉此避免主动层16于后续图案化第二导电层的过程中受损。如图10所示，接着形成第二图案化导电层18，其中第二图案化导电层18的第一源极S1与第一漏极D1分别部分覆盖蚀刻停止层17的上表面。随着，依序形成第一保护层20、第三导电层22、第二保护层24与电激发光元件EL，即制作出本实施例的电激发光显示面板的像素结构40。

请参考图11与图12，并一并参考图2至图5。图11与图12绘示了本发明的第三较佳实施例的制作电激发光显示面板的像素结构的示意图，其中图11与图12接续图3至图5所示的步骤之后进行。如图11所示，与前述第二较佳实施例不同之处在于，在本实施例中，蚀刻停止层17不仅覆盖主动层16的上表面，并一并覆盖主动层16的两侧表面与部分绝缘层14，且暴露出绝缘层14的第一接触洞14H。如图12所示，接着形成第二图案化导电层18，其中第二图案化导电层18的第一源极S1与第一漏极D1分别部分覆盖蚀刻停止层17的上表面。随着，依序形成第一保护层20、第三导电层22、第二保护层24与电激发光元件EL，即制作出本实施例的电激发光显示面板的像素结构50。

请参考图13与图14，并一并参考图2至图4。图13与图14绘示了本发明的第四较佳实施例的制作电激发光显示面板的像素结构的示意图，其中图13与图14接续图3至图4所示的步骤之后进行。如图13所示，于形成绝缘层14之后，接着于绝缘层14上形成一第二导电层，例如一金属层，但不以此为限。随后，进行一第三图案化制造工艺，例如一第三微影蚀刻制造工艺，对第二导电层进行图案化以形成一第二图案化导电层18。第二图案化导电层18包括一第一源极S1、一第一漏极D1、一第二源极S2(图13未示)与一第二漏极D2。第一源极S1与第一漏极D1作为第一薄膜晶体管T1的源极与漏极，第二源极S2与第二漏极D2作为第二薄膜晶体管T2的源极与漏极。在本实施例中，第二薄膜晶体管T2的第二漏极D2经由绝缘层14的第一接触洞14H与暴露出的第一薄膜晶体管T1的栅极G1电性连接，藉此可形成如图2所示的第一薄膜晶体管T1与第二薄膜晶体管T2的电性连接关系。随后，于绝缘层14与第二图案化导电层18上形成一半导体层，并进行一第四图案化制造工艺，例如一第四微影蚀刻制造工艺，对半导体层进行图案化以形成一主动层16，其中主动层16分别至少与第一源极S1与第一漏极D1部分重叠。如图14所示，随后依序于绝缘层14、主动层16与第二图案化导电层18上形成第一保护层20、第三导电层22、第二保护层24与电激发光元件EL，即制作出本实施例的电激发光显示面板的像素结构60。

请参考图15与图16，并一并参考图2至图4。图15与图16绘示了本发明的第五较佳实施例的制作电激发光显示面板的像素结构的示意图，其中图15与图16接续图3至图4所示的步骤之后进行。如图15所示，于形成绝缘层14之后，接着于绝缘层14上形成一第二导电层，例如一金属层，但不以此为限。随后，进行一第三图案化制造工艺，例如一第三微影蚀刻制造工艺，对第二导电层进行图案化以形成一第二图案化导电层18。第二图案化导电层18包括一第一源极S1、一第一漏极D1、一第二源极S2(图15未示)与一第二漏极D2。第一源极S1与第一漏极D1作为第一薄膜晶体管T1的源极与漏极，第二源极S2与第二漏极D2作为第二薄膜晶体管T2的源极与漏极。在本实施例中，第二薄膜晶体管T2的第二漏极D2经由绝缘层14的第一接触洞14H与暴露出的第一薄膜晶体管T1的栅极G1电性连接，藉此可形成如图1所示的第一薄膜晶体管T1与第二薄膜晶体管T2的电性连接关系。随后，依序于绝缘层14与第二图案化导电层18上形成一半导体层，以及于半导体层的上表面形成一盖层(cap layer)19，并进行一第四图案化制造工艺，例如一第四微影蚀刻制造工艺，对半导体层与盖层19进行图案化以形成一主动层16，以及使盖层19对应主动层16，其中主动层16分别至少与第一源极S1与第一漏极D1部分重叠。盖层19的材料可为各式介电材料，例如氮化硅，但不以此为限。盖层19的作用在隔绝水气以及控制薄膜晶体管T1的电性特性，例如电流与电压的关系。在本实施例中，盖层19与主动层16利用同一图案化制造工艺制作，因此盖层19与主动层16具有相同的图案，但本发明的应用并不以此为限。举例而言，盖层19与主动层16亦可分别利用不同的图案化制造工艺制作，藉此盖层19与主动层16可具有不同的图案，例如盖层19可进一步包覆主动层16的两侧表面。如图16所示，随后依序于绝缘层14、盖层19与第二图案化导电层18上形成第一保护层20、第三导电层22、第二保护层24与电激发光元件EL，即制作出本实施例的电激发光显示面板的像素结构70。

综上所述，本发明的电激发光显示面板的像素结构利用第二薄膜晶体管的第二漏极直接与第一薄膜晶体管的栅极电性连接，而不需第三导电层作为桥接线，因此可大幅增加电激发光显示面板的像素结构30的发光面积，进而提升开口率。此外，本发明的电激发光显示面板的像素结构可使用金属氧化物作为薄膜晶体管的主动层的材料，因此具有可利用低温制造工艺加以制作、载子移动率高、均匀性佳与透光等优点。

以上所述仅为本发明的较佳实施例，凡依本发明权利要求范围所做的均等变化与修饰，皆应属本发明的涵盖范围。

Claims (22)

1.一种电激发光显示面板的像素结构，其特征在于，所述的像素结构包括：

一基板；

一第一图案化导电层，设置于所述的基板上，其中所述的第一图案化导电层包括一栅极；

一绝缘层，设置于所述的基板及所述的第一图案化导电层上，其中所述的绝缘层包括至少一第一接触洞，部分暴露出所述的栅极；

一第二图案化导电层，设置于所述的绝缘层上，其中所述的第二图案化导电层包括一第一源极与一第一漏极，以及一第二漏极与所述的绝缘层的所述的第一接触洞暴露出的所述的栅极电性连接；

一主动层，设置于所述的绝缘层上并分别与所述的第一源极及所述的第一漏极部分重叠；

一第一保护层，设置于所述的第二图案化导电层与所述的主动层上，其中所述的第一保护层包括至少一第二接触洞，使所述的第一源极与所述的第一漏极的其中的一者中的部分暴露；以及

一电激发光元件，设置于所述的第一保护层上，其中所述的电激发光元件与所述的第一保护层的所述的第二接触洞暴露出的所述的第一源极与所述的第一漏极的其中的一者电性连接。

2.如权利要求1所述的电激发光显示面板的像素结构，其特征在于，其中所述的第一源极与所述的第一漏极分别部分覆盖于主动层的一上表面。

3.如权利要求2所述的电激发光显示面板的像素结构，其特征在于，所述的像素结构另包括一蚀刻停止层，部分覆盖所述的主动层的所述的上表面，且所述的第一源极与所述的第一漏极分别部分覆盖所述的蚀刻停止层的一上表面。

4.如权利要求3所述的电激发光显示面板的像素结构，其特征在于，其中所述的蚀刻停止层另覆盖所述的主动层的两侧表面以及所述的绝缘层的一上表面。

5.如权利要求1所述的电激发光显示面板的像素结构，其特征在于，其中所述的主动层分别部分覆盖所述的第一源极与所述的第一漏极的一上表面。

6.如权利要求5所述的电激发光显示面板的像素结构，其特征在于，所述的像素结构另包括一盖层，覆盖所述的主动层的一上表面。

7.如权利要求6所述的电激发光显示面板的像素结构，其特征在于，其中所述的盖层另包覆所述的主动层的两侧表面。

8.如权利要求6所述的电激发光显示面板的像素结构，其特征在于，其中所述的盖层包括一氧化硅层、一氮化硅层或一氮氧化硅层。

9.如权利要求1所述的电激发光显示面板的像素结构，其特征在于，其中所述的主动层包括一金属氧化物。

10.如权利要求9所述的电激发光显示面板的像素结构，其特征在于，其中所述的金属氧化物包括铟镓锡氧化物、铟锌氧化物、氧化锌或上述材料的混合物。

11.如权利要求9所述的电激发光显示面板的像素结构，其特征在于，其中所述的金属氧化物包括一非晶金属氧化物。

12.如权利要求1所述的电激发光显示面板的像素结构，其特征在于，其中部分所述的电激发光元件至少部分重叠于所述的绝缘层的所述的第一接触洞。

13.如权利要求1所述的电激发光显示面板的像素结构，其特征在于，其中部分所述的电激发光元件与所述的第一源极及所述的第一漏极至少部分重叠。

14.一种制作电激发光显示面板的像素结构的方法，其特征在于，所述的方法包括：

提供一基板；

于所述的基板上形成一第一图案化导电层，其中所述的第一图案化导电层包括一栅极；

于所述的基板及所述的第一图案化导电层上形成一绝缘层，并于所述的绝缘层内形成至少一第一接触洞，部分暴露出所述的栅极；

于所述的绝缘层上形成一第二图案化导电层，其中所述的第二图案化导电层包括一第一源极与一第一漏极，以及一第二漏极与所述的绝缘层的所述的第一接触洞暴露出的所述的栅极电性连接；

于所述的绝缘层上形成一主动层，其中所述的主动层分别与所述的第一源极与所述的第一漏极部分重叠；

于所述的第二图案化导电层与所述的主动层上形成一第一保护层，并于所述的第一保护层内形成至少一第二接触洞，使所述的第一源极与所述的第一漏极的其中的一者中的部分暴露；以及

于所述的第一保护层上形成一电激发光元件，并使所述的电激发光元件与所述的第一保护层的所述的第二接触洞暴露出的所述的第一源极与所述的第一漏极的其中的一者电性连接。

15.如权利要求14所述的制作电激发光显示面板的像素结构的方法，其特征在于，其中形成所述的第二图案化导电层的步骤于形成所述的主动层的步骤之后进行，且所述的第一源极与所述的第一漏极分别部分覆盖于主动层的一上表面。

16.如权利要求15所述的制作电激发光显示面板的像素结构的方法，其特征在于，所述的方法另包括于形成所述的第二图案化导电层之前，先形成一蚀刻停止层部分覆盖所述的主动层的所述的上表面，其中所述的第一源极与所述的第一漏极分别部分覆盖所述的蚀刻停止层的一上表面。

17.如权利要求16所述的制作电激发光显示面板的像素结构的方法，其特征在于，其中所述的蚀刻停止层另覆盖所述的主动层的两侧表面以及所述的绝缘层的一上表面。

18.如权利要求14所述的制作电激发光显示面板的像素结构的方法，其特征在于，其中形成所述的主动层的步骤于形成所述的第二图案化导电层的步骤之后进行，且所述的主动层分别部分覆盖所述的第一源极与所述的第一漏极的一上表面。

19.如权利要求18所述的制作电激发光显示面板的像素结构的方法，其特征在于，所述的方法另包括于形成所述的第一保护层之前，先形成一盖层覆盖所述的主动层的一上表面。

20.如权利要求19所述的制作电激发光显示面板的像素结构的方法，其特征在于，其中所述的盖层另包覆所述的主动层的两侧表面。

21.如权利要求14所述的制作电激发光显示面板的像素结构的方法，其特征在于，其中部分所述的电激发光元件至少部分重叠于所述的绝缘层的所述的第一接触洞。

22.如权利要求14所述的制作电激发光显示面板的像素结构的方法，其特征在于，其中部分所述的电激发光元件与所述的第一源极及所述的第一漏极至少部分重叠。

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