CN101817527A - 一种多晶硅生产过程中的电子级硅烷精制提纯的方法 - Google Patents

一种多晶硅生产过程中的电子级硅烷精制提纯的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101817527A
CN101817527A CN 201010148476 CN201010148476A CN101817527A CN 101817527 A CN101817527 A CN 101817527A CN 201010148476 CN201010148476 CN 201010148476 CN 201010148476 A CN201010148476 A CN 201010148476A CN 101817527 A CN101817527 A CN 101817527A
Authority
CN
China
Prior art keywords
silane
removing column
weight
lightness
pressure reduction
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN 201010148476
Other languages
English (en)
Other versions
CN101817527B (zh
Inventor
杨建松
陈德伟
栗广奉
耿金春
吴希湖
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ZHEJIANG ZHONGNING SILICON CO Ltd
Original Assignee
ZHEJIANG ZHONGNING SILICON CO Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ZHEJIANG ZHONGNING SILICON CO Ltd filed Critical ZHEJIANG ZHONGNING SILICON CO Ltd
Priority to CN2010101484761A priority Critical patent/CN101817527B/zh
Publication of CN101817527A publication Critical patent/CN101817527A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101817527B publication Critical patent/CN101817527B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Silicon Compounds (AREA)

Abstract

本发明公开一种多晶硅生产过程中的电子级硅烷精制提纯的方法，包括如下步骤：1)将粗硅烷通入脱轻塔，塔的操作压力1.8～2.5MPa，顶部温度-120～-80℃，在塔顶除去氮气、甲烷、氢气；2)粗硅烷从塔底流出进入第一脱重塔，塔的操作压力1.8～2.5MPa，顶部温度-70～-40℃，在塔底除去乙烷、硼、磷等；3)从塔顶排出的硅烷进入串联的吸附塔，塔的操作压力均为1.6～2.3MPa，除去乙烯；4)硅烷进入第二脱重塔，塔的操作压力1.6～2.3MPa，顶部温度-70～40℃，除去乙基甲硅烷。本发明使精制提纯后硅烷中氮气、甲烷、氢气的含量降到1.5×10-9以下；乙烷、乙基硅烷、二乙基硅烷、乙烯、乙基甲硅烷、硼、磷的含量降到3.5×10-9以下，最终可将粗硅烷的纯度提纯至99.9999999％以上，满足电子和半导体行业的使用要求。

Description

一种多晶硅生产过程中的电子级硅烷精制提纯的方法
技术领域
本发明涉及化合物的制备方法，尤其涉及一种多晶硅生产过程中的电子级硅烷精制提纯的方法。
背景技术
多晶硅材料是电子信息产业和太阳能光伏发电产业中最基础、最主要的功能材料，随着电子信息产业和太阳能光伏新能源产业的发展，多晶硅产品的需求量将继续加大。
目前，我国大多数企业的多晶硅生产工艺为改良西门子法，其实是以三氯氢硅为原料还原为多晶硅。该方法的优点是工艺成熟，但也有其不足之处，如能耗高，耗电量为350-500度/kg；还原转换率低，仅为15％左右；纯度难以达到较高标准，最大的纯度为99.999％-99.9999％(术称五个9到六个9)；同时污染较大、尾气中含有大量的四氯化硅无法循环，且越积越多，形成了难以解决的环保问题。而以硅烷为原料还原生产多晶硅的方法，则占有明显的优势，如能耗较低，耗电量为150度/kg；纯度高，可以达到99.9999999％到99.999999999％(术称九个9到十一个9)；污染小，无环保问题。本发明就是将生产合成的粗硅烷精制提纯成为合格的电子级高纯硅烷气体为后序还原多晶硅作准备。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术的不足，提供一种多晶硅生产过程中的电子级硅烷精制提纯方法。
多晶硅生产过程中的电子级硅烷精制提纯的方法包括如下步骤：
1)将多晶硅生产过程中合成的粗硅烷通过硅烷压缩机进入电子级硅烷精制系统脱轻塔，脱轻塔顶底的操作压力为1.8～2.5MPa，顶部温度为-120～-80℃，操作压差为0.5～5kPa，在塔顶除去轻组分氮气、甲烷和氢气；
2)粗硅烷经脱轻塔顶冷凝到塔底流出进入第一脱重塔，第一脱重塔顶底操作压力为1.8～2.5MPa，顶部温度为-70～-40℃，操作压差为5～15kPa.，在塔底除去重组分乙烷、乙基硅烷、二乙基硅烷、硼、磷，硅烷从第一脱重塔塔顶排出；
3)从第一脱重塔塔顶排出的硅烷进入三个串联的吸附塔，除去乙烯，每个吸附塔顶底的操作压力均为1.6～2.3MPa，每个吸附塔操作压差为1～25kPa；
4)硅烷从吸附塔出来后进入第二脱重塔，第二脱重塔顶底操作压力为1.6～2.3MPa，顶部温度为-70～40℃，操作压差为1～5kPa.，在第二脱重塔塔底除去乙基甲硅烷，纯硅烷气体从第二脱重塔塔顶排出通过专用管道进入储罐备用。
所述的脱轻塔的顶部温度优选为-120～-100℃，脱轻塔的压力优选为2.2～2.5MPa，脱轻塔的操作压差优选为2.0～3.0kPa。
所述的第一脱重塔的顶部温度优选为-60～-50℃，第一脱重塔的压力优选为2.0～2.2MPa，第一脱重塔的操作压差优选为8.0～12.0kPa。
所述的每个吸附塔顶底的操作压力优选为1.8～2.0MPa，每个吸附塔的操作压差优选为8.0～12.0kPa。
所述的第二脱重塔的顶部温度优选为-60℃～-50℃，第二脱重塔的压力优选为1.6～1.8MPa，第二脱重塔的操作压差优选为8.0～12.0kPa。
发明的方法可使精制提纯后硅烷中氮气、甲烷、氢气的含量降到1.5X10-9以下；乙烷、乙基硅烷、二乙基硅烷、乙烯、乙基甲硅烷、硼、磷的含量降到3.5X10-9以下，最终可将粗硅烷的纯度提纯至99.9999999％以上，完全满足电子和半导体行业的使用要求。
附图说明
图1是以氟化物和硅源粉末为原料制备的四氟化硅提纯方法流程图；
图2是实施例1硅烷样品经气相色谱仪纯度检测的图谱；
图3是实施例2硅烷样品经气相色谱仪纯度检测的图谱；
图4是实施例3硅烷样品经气相色谱仪纯度检测的图谱；
图5是实施例4硅烷样品经气相色谱仪纯度检测的图谱；
图6是实施例5硅烷样品经气相色谱仪纯度检测的图谱；
图7是实施例6硅烷样品经气相色谱仪纯度检测的图谱；
图8是实施例7硅烷样品经气相色谱仪纯度检测的图谱；
图9是实施例8硅烷样品经气相色谱仪纯度检测的图谱。
具体实施方式
为能进一步理解本发明，下面结合实施例对上述的技术方案做进一步的阐述和说明。
实施例1
将粗硅烷通过硅烷压缩机进入脱轻塔，在脱轻塔顶部温度为-120℃，压力为1.85MPa，操作压差为0.5kPa的条件下除去氮气、甲烷、氢气；将脱轻塔底部的液态硅烷通入第一脱重塔，在塔顶部温度为-70℃，压力为1.8MPa，操作压差为5kPa的条件下在塔底除去乙烷、乙基硅烷、二乙基硅烷、硼、磷；将塔顶排出的硅烷气体通过三级吸附塔，吸附塔内装有4A分子筛，吸附塔的操作压力为1.6MP，除去乙烯；提纯后的硅烷气体从吸附塔出来进到第二脱重塔，在塔顶部温度为-70℃，压力为1.6MPa，操作压差为1kPa的条件下除去乙基甲硅烷，纯净的硅烷气体从第二脱重塔塔顶离开通过专用管道进入储罐备用。
用取样瓶对储罐中的硅烷气体进行取样化验分析，经气相色谱测试仪检测纯度的图谱见图2；根据计算结果，提纯后硅烷的杂质含量如下：
实施例2
将粗硅烷通过硅烷压缩机进入脱轻塔，在脱轻塔顶部温度为-80℃，压力为2.5MPa，操作压差为5kPa的条件下除去氮气、甲烷、氢气；将脱轻塔底部的液态硅烷通入第一脱重塔，在塔顶部温度为-40℃，压力为2.49MPa，操作压差为15kPa的条件下在塔底除去乙烷、乙基硅烷、二乙基硅烷、硼、磷；将塔顶排出的硅烷气体通过三级吸附塔，吸附塔内装有4A分子筛，吸附塔的操作压力为2.3MP，除去乙烯；提纯后的硅烷气体从吸附塔出来进到第二脱重塔，在塔顶部温度为-40℃，压力为2.3MPa，操作压差为5kPa的条件下除去乙基甲硅烷，纯净的硅烷气体从第二脱重塔塔顶离开通过专用管道进入储罐备用。
用取样瓶对储罐中的硅烷气体进行取样化验分析，经气相色谱测试仪检测纯度的图谱见图3；根据计算结果，提纯后硅烷的杂质含量如下：
Figure GSA00000090287800032
实施例3
将粗硅烷通过硅烷压缩机进入脱轻塔，在脱轻塔顶部温度为-120℃，压力为2.2MPa，操作压差为2.0kPa的条件下除去氮气、甲烷、氢气；将脱轻塔底部的液态硅烷通入第一脱重塔，在塔顶部温度为-60℃，压力为2.0MPa，操作压差为8kPa的条件下在塔底除去乙烷、乙基硅烷、二乙基硅烷、硼、磷；将塔顶排出的硅烷气体通过三级吸附塔，吸附塔内装有4A分子筛，吸附塔的操作压力为1.8MP，除去乙烯；提纯后的硅烷气体从吸附塔出来进到第二脱重塔，在塔顶部温度为-60℃，压力为1.6MPa，操作压差为8kPa的条件下除去乙基甲硅烷，纯净的硅烷气体从第二脱重塔塔顶离开通过专用管道进入储罐备用。
用取样瓶对储罐中的硅烷气体进行取样化验分析，经气相色谱测试仪检测纯度的图谱见图4；根据计算结果，提纯后硅烷的杂质含量如下：
Figure GSA00000090287800041
实施例4
将粗硅烷通过硅烷压缩机进入脱轻塔，在脱轻塔顶部温度为-100℃，压力为2.5MPa，操作压差为3.0kPa的条件下除去氮气、甲烷、氢气；将脱轻塔底部的液态硅烷通入第一脱重塔，在塔顶部温度为-50℃，压力为2.2MPa，操作压差为12kPa的条件下在塔底除去乙烷、乙基硅烷、二乙基硅烷、硼、磷；将塔顶排出的硅烷气体通过三级吸附塔，吸附塔内装有4A分子筛，吸附塔的操作压力为2.0MP，除去乙烯；提纯后的硅烷气体从吸附塔出来进到第二脱重塔，在塔顶部温度为-50℃，压力为1.8MPa，操作压差为12kPa的条件下除去乙基甲硅烷，纯净的硅烷气体从第二脱重塔塔顶离开通过专用管道进入储罐备用。
用取样瓶对储罐中的硅烷气体进行取样化验分析，经气相色谱测试仪检测纯度的图谱见图5；根据计算结果，提纯后硅烷的杂质含量如下：
实施例5
将粗硅烷通过硅烷压缩机进入脱轻塔，在脱轻塔顶部温度为-120℃，压力为1.85MPa，操作压差为0.5kPa的条件下除去氮气、甲烷、氢气；将脱轻塔底部的液态硅烷通入第一脱重塔，在塔顶部温度为-40℃，压力为1.8MPa，操作压差为5kPa的条件下在塔底除去乙烷、乙基硅烷、二乙基硅烷、硼、磷；将塔顶排出的硅烷气体通过三级吸附塔，吸附塔内装有4A分子筛，吸附塔的操作压力为1.6MP除去乙烯；提纯后的硅烷气体从吸附塔出来进到第二脱重塔，在塔顶部温度为-40℃，压力为1.6MPa，操作压差为5kPa的条件下除去乙基甲硅烷，纯净的硅烷气体从第二脱重塔塔顶离开通过专用管道进入储罐备用。
用取样瓶对储罐中的硅烷气体进行取样化验分析，经气相色谱测试仪检测纯度的图谱见图6；根据计算结果，提纯后硅烷的杂质含量如下：
实施例6
将粗硅烷通过硅烷压缩机进入脱轻塔，在脱轻塔顶部温度为-80℃，压力为2.5MPa，操作压差为0.5kPa的条件下除去氮气、甲烷、氢气；将脱轻塔底部的液态硅烷通入第一脱重塔，在塔顶部温度为-70℃，压力为2.49MPa，操作压差为5kPa的条件下在塔底除去乙烷、乙基硅烷、二乙基硅烷、硼、磷；将塔顶排出的硅烷气体通过三级吸附塔，吸附塔内装有4A分子筛，吸附塔的操作压力为2.3MP除去乙烯；提纯后的硅烷气体从吸附塔出来进到第二脱重塔，在塔顶部温度为-70℃，压力为2.3MPa，操作压差为5kPa的条件下除去乙基甲硅烷，纯净的硅烷气体从第二脱重塔塔顶离开通过专用管道进入储罐备用。
用取样瓶对储罐中的硅烷气体进行取样化验分析，经气相色谱测试仪检测纯度的图谱见图7；根据计算结果，提纯后硅烷的杂质含量如下：
Figure GSA00000090287800052
实施例7
将粗硅烷通过硅烷压缩机进入脱轻塔，在脱轻塔顶部温度为-120℃，压力为2.2MPa，操作压差为0.5kPa的条件下除去氮气、甲烷、氢气；将脱轻塔底部的液态硅烷通入第一脱重塔，在塔顶部温度为-50℃，压力为2.0MPa，操作压差为5kPa的条件下在塔底除去乙烷、乙基硅烷、二乙基硅烷、硼、磷；将塔顶排出的硅烷气体通过三级吸附塔，吸附塔内装有4A分子筛，吸附塔的操作压力为1.8MP除去乙烯；提纯后的硅烷气体从吸附塔出来进到第二脱重塔，在塔顶部温度为-70℃，压力为1.8MPa，操作压差为5kPa的条件下除去乙基甲硅烷，纯净的硅烷气体从第二脱重塔塔顶离开通过专用管道进入储罐备用。
用取样瓶对储罐中的硅烷气体进行取样化验分析，经气相色谱测试仪检测纯度的图谱见图8；根据计算结果，提纯后硅烷的杂质含量如下：
Figure GSA00000090287800061
实施例8
将粗硅烷通过硅烷压缩机进入脱轻塔，在脱轻塔顶部温度为-100℃，压力为2.5MPa，操作压差为0.5kPa的条件下除去氮气、甲烷、氢气；将脱轻塔底部的液态硅烷通入第一脱重塔，在塔顶部温度为-70℃，压力为2.2MPa，操作压差为5kPa的条件下在塔底除去乙烷、乙基硅烷、二乙基硅烷、硼、磷；将塔顶排出的硅烷气体通过三级吸附塔，吸附塔内装有4A分子筛，吸附塔的操作压力为2.0MP，除去乙烯；提纯后的硅烷气体从吸附塔出来进到第二脱重塔，在塔顶部温度为-50℃，压力为1.8MPa，操作压差为5kPa的条件下除去乙基甲硅烷，纯净的硅烷气体从第二脱重塔塔顶离开通过专用管道进入储罐备用。
用取样瓶对储罐中的硅烷气体进行取样化验分析，经气相色谱测试仪检测纯度的图谱见图9；根据计算结果，提纯后硅烷的杂质含量如下：
Figure GSA00000090287800062
以上对本发明提供的一种多晶硅生产过程中的电子级硅烷精制提纯的方法进行了详细介绍，并应用了具体实施个例对本发明的原理及实施方式进行了验证和阐述，以帮助理解本发明的方法和核心思想。必须指出的是，在不脱离本发明原理的前提下，允许工程技术人员对本发明进行修正和补充，但这些修正和补充也落入本发明权利要求的保护范围。

Claims (5)

1.一种多晶硅生产过程中的电子级硅烷精制提纯的方法，其特征在于包括如下步骤：
1)将多晶硅生产过程中合成的粗硅烷通过硅烷压缩机进入电子级硅烷精制系统脱轻塔，脱轻塔顶底的操作压力为1.8～2.5MPa，顶部温度为-120～-80℃，操作压差为0.5～5kPa，在塔顶除去轻组分氮气、甲烷和氢气；
2)粗硅烷经脱轻塔顶冷凝到塔底流出进入第一脱重塔，第一脱重塔顶底操作压力为1.8～2.5MPa，顶部温度为-70～-40℃，操作压差为5～15kPa.，在塔底除去重组分乙烷、乙基硅烷、二乙基硅烷、硼、磷，硅烷从第一脱重塔塔顶排出；
3)从第一脱重塔塔顶排出的硅烷进入三个串联的吸附塔，除去乙烯，每个吸附塔顶底的操作压力均为1.6～2.3MPa，每个吸附塔操作压差为1～25kPa；
4)硅烷从吸附塔出来后进入第二脱重塔，第二脱重塔顶底操作压力为1.6～2.3MPa，顶部温度为-70～40℃，操作压差为1～5kPa.，在第二脱重塔塔底除去乙基甲硅烷，纯硅烷气体从第二脱重塔塔顶排出通过专用管道进入储罐备用。
2.如权利要求1所述的一种多晶硅生产过程中的电子级硅烷精制提纯方法，其特征在于所述的脱轻塔的顶部温度为-120～-100℃，脱轻塔的压力为2.2～2.5MPa，脱轻塔的操作压差为2.0～3.0kPa。
3.如权利要求1所述的一种多晶硅生产过程中的电子级硅烷精制提纯方法，其特征在于所述的第一脱重塔的顶部温度为-60～-50℃，第一脱重塔的压力为2.0～2.2MPa，第一脱重塔的操作压差为8.0～12.0kPa。
4.如权利要求1所述的一种多晶硅生产过程中的电子级硅烷精制提纯方法，其特征在于所述的每个吸附塔顶底的操作压力为1.8～2.0MPa，每个吸附塔的操作压差为8.0～12.0kPa。
5.如权利要求1所述的一种多晶硅生产过程中的电子级硅烷精制提纯方法，其特征在于所述的第二脱重塔的顶部温度为-60℃～-50℃，第二脱重塔的压力为1.6～1.8MPa，第二脱重塔的操作压差为8.0～12.0kPa。
CN2010101484761A 2010-04-16 2010-04-16 一种多晶硅生产过程中的电子级硅烷精制提纯的方法 Active CN101817527B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2010101484761A CN101817527B (zh) 2010-04-16 2010-04-16 一种多晶硅生产过程中的电子级硅烷精制提纯的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2010101484761A CN101817527B (zh) 2010-04-16 2010-04-16 一种多晶硅生产过程中的电子级硅烷精制提纯的方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101817527A true CN101817527A (zh) 2010-09-01
CN101817527B CN101817527B (zh) 2012-01-25

Family

ID=42652831

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2010101484761A Active CN101817527B (zh) 2010-04-16 2010-04-16 一种多晶硅生产过程中的电子级硅烷精制提纯的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN101817527B (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104159848A (zh) * 2011-12-30 2014-11-19 Memc电子材料有限公司 用于提纯硅烷的方法和系统
TWI466826B (zh) * 2010-10-05 2015-01-01 Memc Electronic Materials 用於純化矽烷之方法及系統
CN106241813A (zh) * 2016-08-16 2016-12-21 上海交通大学 一种由三氯氢硅生产高纯硅烷的系统及方法
CN113772676A (zh) * 2021-09-28 2021-12-10 南通友拓新能源科技有限公司 一种低污染高纯度电子级多晶硅提纯方法
CN114699833A (zh) * 2022-03-28 2022-07-05 重庆同辉气体有限公司 一种电子级三溴化硼纯化系统及方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101391774A (zh) * 2008-10-24 2009-03-25 王少志 硅烷气体的生产方法
CN101486727A (zh) * 2009-02-13 2009-07-22 李明成 高纯硅烷气体连续制备方法及其装置
WO2009089951A2 (de) * 2008-01-14 2009-07-23 Evonik Degussa Gmbh Anlage und verfahren zur verminderung des gehaltes von elementen, wie bor, in halogensilanen

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009089951A2 (de) * 2008-01-14 2009-07-23 Evonik Degussa Gmbh Anlage und verfahren zur verminderung des gehaltes von elementen, wie bor, in halogensilanen
CN101391774A (zh) * 2008-10-24 2009-03-25 王少志 硅烷气体的生产方法
CN101486727A (zh) * 2009-02-13 2009-07-22 李明成 高纯硅烷气体连续制备方法及其装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
《特气制备》 19881231 张俊福 高纯硅烷的制取 17-23 1-5 , 2 *

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI466826B (zh) * 2010-10-05 2015-01-01 Memc Electronic Materials 用於純化矽烷之方法及系統
CN104159848A (zh) * 2011-12-30 2014-11-19 Memc电子材料有限公司 用于提纯硅烷的方法和系统
TWI570129B (zh) * 2011-12-30 2017-02-11 Ｍｅｍｃ電子材料公司 用於純化矽烷的流程及系統
CN104159848B (zh) * 2011-12-30 2017-03-15 Memc电子材料有限公司 用于提纯硅烷的方法和系统
CN106241813A (zh) * 2016-08-16 2016-12-21 上海交通大学 一种由三氯氢硅生产高纯硅烷的系统及方法
CN106241813B (zh) * 2016-08-16 2021-01-01 上海交通大学 一种由三氯氢硅生产高纯硅烷的系统及方法
CN113772676A (zh) * 2021-09-28 2021-12-10 南通友拓新能源科技有限公司 一种低污染高纯度电子级多晶硅提纯方法
CN114699833A (zh) * 2022-03-28 2022-07-05 重庆同辉气体有限公司 一种电子级三溴化硼纯化系统及方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN101817527B (zh) 2012-01-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101444681B (zh) 三氯氢硅生产尾气回收的方法及其专用设备
CN101817527B (zh) 一种多晶硅生产过程中的电子级硅烷精制提纯的方法
CN101538044B (zh) 多晶硅生产过程中的三氯氢硅分离提纯系统及操作方法
CN103553058B (zh) 一种高纯精制三氯氢硅的生产工艺
CN103387211B (zh) 以工业合成氯化氢为原料制备电子级高纯氯化氢的方法
CN105503492A (zh) 一种mtp装置及其新型分离工艺
CN103992202A (zh) 一种甲基叔丁基醚裂解制备高纯异丁烯的系统及方法
CN104418751A (zh) 碳酸二甲酯单塔常压连续提纯工艺及装置
CN103086822B (zh) 一种间戊二烯的分离方法
CN103421565B (zh) 气体膜分离同步回收液态co2的沼气脱碳工艺和装置
CN105174213A (zh) 粗煤气制乙二醇的净化工艺
CN101913641A (zh) 一种低品位萤石的提纯工艺
CN101774588A (zh) 以氟化物和硅源粉末为原料制备的四氟化硅提纯方法
CN204017409U (zh) 一种精馏提纯3-异氰酸酯基丙基三乙氧基硅烷的装置
CN213202874U (zh) 一种制取高纯三氟甲烷的装置
CN219730550U (zh) 一种多晶硅生产中氯硅烷精馏除杂系统
CN103626129B (zh) 以工业液氯为原料制备电子级高纯氯气的方法
CN113121346A (zh) 一种电子级碳酸二甲酯的提纯方法
CN101634514B (zh) 全精馏制备纯氪和纯氙的方法
CN103466550B (zh) 阿莫西林生产工艺中d-酸酯化尾气的回收系统
CN211078974U (zh) 高纯甲烷的提纯装置
CN102675021A (zh) 一种高纯甲烷提纯方法
CN102516112A (zh) 一种色谱级n,n二甲基甲酰胺的制备方法
CN110105217B (zh) 一种电池级碳酸二甲酯精制装置及方法
CN210663575U (zh) 食品级二氧化碳制备系统

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant