CN101807665B - 一种结晶温度可调的Ga30Sb70/Sb80Te20纳米复合多层相变薄膜材料 - Google Patents

一种结晶温度可调的Ga30Sb70/Sb80Te20纳米复合多层相变薄膜材料 Download PDF

Info

Publication number
CN101807665B
CN101807665B CN2010101178944A CN201010117894A CN101807665B CN 101807665 B CN101807665 B CN 101807665B CN 2010101178944 A CN2010101178944 A CN 2010101178944A CN 201010117894 A CN201010117894 A CN 201010117894A CN 101807665 B CN101807665 B CN 101807665B
Authority
CN
China
Prior art keywords
film
phase transition
crystallization temperature
film material
multilayer nanocomposite
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN2010101178944A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101807665A (zh
Inventor
翟继卫
汪昌州
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tongji University
Original Assignee
Tongji University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tongji University filed Critical Tongji University
Priority to CN2010101178944A priority Critical patent/CN101807665B/zh
Publication of CN101807665A publication Critical patent/CN101807665A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101807665B publication Critical patent/CN101807665B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种结晶温度可调的Ga30Sb70/Sb80Te20纳米复合多层相变薄膜材料。本发明的Ga30Sb70/Sb80Te20纳米复合多层相变薄膜材料，由Ga30Sb70薄膜和Sb80Te20薄膜交替排列、在纳米量级复合而成，且单层Ga30Sb70薄膜的厚度范围为3～10nm，单层Sb80Te20薄膜的厚度范围为4～15nm。本发明的Ga30Sb70/Sb80Te20纳米复合多层相变薄膜材料能够应用于相变存储器，与传统的相变薄膜材料相比，本发明的Ga30Sb70/Sb80Te20纳米复合多层相变薄膜结晶温度可调，且同时具有良好的热稳定性和较快的结晶速度；同时，所述该薄膜材料的晶态电阻随着周期中Ga30Sb70薄膜厚度的增加而增大，有助于降低存储器件的编程功耗。

Description

一种结晶温度可调的Ga30Sb70/Sb80Te20纳米复合多层相变薄膜材料
技术领域
本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种结晶温度可调的Ga30Sb70/Sb80Te20纳米复合多层相变薄膜材料。
背景技术
相变存储器是一种新型的非挥发性半导体存储器，具有高速、高密度、低功耗、工艺简单、与COMS工艺兼容等优点，因此被业界视为未来最有可能替代闪存的关键技术。相变存储器的存储介质是以硫系化合物为基础的相变薄膜材料，其基本原理是利用能够可逆转变的非晶态和多晶态的高、低电阻差异来实现信息的存储。
目前相变存储器的主流存储介质是Ge2Sb2Te5以及掺杂型GeSbTe相变材料，但这并不意味着其是相变存储器的最佳选择。Ge2Sb2Te5相变材料的确具有较快的结晶速度和较大的高低电阻比，然而其较高的熔点(约620℃)使得编程电流较大，同时其较低的结晶温度(约160℃)会引起热稳定性问题。因此寻求一种具有较低熔点、较高结晶温度的相变材料成为近年来研究的热点。
富含Sb的Sb80Te20相变材料具有生长支配的晶化行为，其结晶速度很快，可以满足相变存储器高速存储的要求，同时这种材料的熔点较低，有利于降低器件的功耗，但其较低的结晶温度不利于存储器件的热稳定性；Ga30Sb70相变材料具有较高的结晶温度，可以满足器件对热稳定性的要求，但其结晶速度较慢，影响相变存储器的编程速度。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的缺陷，提供一种结晶温度可调的Ga30Sb70/Sb80Te20纳米复合多层相变薄膜材料。
本发明采用如下技术方案解决上述技术问题：
一种结晶温度可调的Ga30Sb70/Sb80Te20纳米复合多层相变薄膜材料，该纳米复合多层相变薄膜材料由Ga30Sb70薄膜和Sb80Te20薄膜交替排列、在纳米量级复合而成，且单层Ga30Sb70薄膜的厚度范围为3～10nm，单层Sb80Te20薄膜的厚度范围为4～15nm。
较佳的，所述Ga30Sb70/Sb80Te20纳米复合多层相变薄膜材料的结构符合下式：
[Ga30Sb70(a)/Sb80Te20(b)]x；
式中a、b分别表示所述单层Ga30Sb70薄膜及单层Sb80Te20薄膜的厚度；其中，3≤a≤10nm，b＝5nm；x表示所述Ga30Sb70/Sb80Te20纳米复合多层相变薄膜材料中所述单层Ga30Sb70薄膜和所述单层Sb80Te20薄膜的周期数，x为正整数，且可以通过薄膜总厚度与所述单层Ga30Sb70薄膜及所述单层Sb80Te20薄膜的厚度计算得出。
较佳的，所述Ga30Sb70/Sb80Te20纳米复合多层相变薄膜材料的结构符合下式：
[Ga30Sb70(a)/Sb80Te20(b)]x；
式中a、b分别表示所述单层Ga30Sb70薄膜及单层Sb80Te20薄膜的厚度；其中，a＝5nm，4≤b≤15nm；x表示所述Ga30Sb70/Sb80Te20纳米复合多层相变薄膜材料中所述单层Ga30Sb70薄膜和所述单层Sb80Te20薄膜的周期数，x为正整数，且可以通过薄膜总厚度与所述单层Ga30Sb70薄膜及所述单层Sb80Te20薄膜的厚度计算得出。
优选的，所述Ga30Sb70/Sb80Te20纳米复合多层相变薄膜材料的总厚度为100nm。
所述Ga30Sb70/Sb80Te20纳米复合多层相变薄膜材料的结晶温度随着周期中Ga30Sb70薄膜厚度的增加而升高，随周期中Sb80Te20薄膜厚度的增加而降低，且所述Ga30Sb70/Sb80Te20纳米复合多层相变薄膜材料的结晶温度在Ga30Sb70薄膜结晶温度和Sb80Te20薄膜结晶温度之间。
本发明所述的Ga30Sb70/Sb80Te20纳米复合多层相变薄膜材料采用磁控交替溅射方法制备，衬底采用SiO2/Si(100)基片，溅射靶材为Ga30Sb70和Sb80Te20合金靶材，溅射气体为Ar气。
较佳的，所述Ga30Sb70和Sb80Te20合金靶材的纯度在质量百分比99.999％以上，本底真空度不大于1×10-4Pa。
较佳的，所述Ga30Sb70和Sb80Te20合金靶材都采用射频电源，且溅射射频功率为15～25W，优选为20W。
较佳的，所述Ar气的纯度为体积百分比99.999％以上，气体流量为25～35SCCM，优选为30SCCM，溅射气压为0.15～0.25Pa，优选为0.2Pa。
优选的，所述Ga30Sb70/Sb80Te20纳米复合多层相变薄膜材料的制备过程具体包括以下步骤：
1)清洗SiO2/Si(100)基片；
2)制备好合金靶材：设定射频功率，设定溅射气体流量及溅射气压；
3)采用室温磁控交替溅射方法制备Ga30Sb70/Sb80Te20纳米复合多层相变薄膜材料：a)将基片旋转到Sb80Te20靶位，打开Sb80Te20靶上的射频电源，依照设定的溅射时间，开始溅射Sb80Te20薄膜；b)Sb80Te20薄膜溅射完成后，关闭Sb80Te20靶上所施加的射频电源，将基片旋转到Ga30Sb70靶位，开启Ga30Sb70靶上的射频电源，依照设定的溅射时间，开始溅射Ga30Sb70薄膜；c)重复a)和b)两步，即在SiO2/Si(100)基片上制备Ga30Sb70/Sb80Te20...Ga30Sb70/Sb80Te20/SiO2/Si多层薄膜材料；在薄膜总厚度固定的前提下，通过调制Ga30Sb70、Sb80Te20靶材的溅射时间来控制多层薄膜周期中Ga30Sb70和Sb80Te20薄膜的厚度和周期数，从而形成所需结构的Ga30Sb70/Sb80Te20纳米复合多层相变薄膜材料。
本发明的Ga30Sb70/Sb80Te20纳米复合多层相变薄膜材料的结晶温度可以通过多层薄膜周期中单层Ga30Sb70薄膜的厚度或者单层Sb80Te20薄膜的厚度来调制，且其中多层薄膜周期中单层Ga30Sb70薄膜和单层Sb80Te20薄膜的厚度可以通过溅射时间来调控。
本发明的Ga30Sb70/Sb80Te20纳米复合多层相变薄膜材料能够应用于相变存储器，与传统的相变薄膜材料相比，本发明的Ga30Sb70/Sb80Te20纳米复合多层相变薄膜具有如下特点：首先，Ga30Sb70/Sb80Te20纳米复合多层相变薄膜材料的结晶温度可以通过周期中单层Ga30Sb70薄膜和单层Sb80Te20薄膜的厚度来调制，且随着Ga30Sb70薄膜厚度的增加而升高，随着Sb80Te20薄膜的厚度的增加而降低；其次，Ga30Sb70/Sb80Te20纳米复合多层相变薄膜材料能够同时具有良好的热稳定性和较快的结晶速度；再次，Ga30Sb70/Sb80Te20纳米复合多层相变薄膜材料的晶态电阻随着周期中Ga30Sb70薄膜厚度的增加而增大，有助于降低存储器件的编程功耗。同时，与GeTe/Sb2Te3纳米复合多层相变薄膜相比，本发明的Ga30Sb70/Sb80Te20纳米复合多层相变薄膜材料具有更大的结晶温度调控范围。
附图说明
图1为本发明的[Ga30Sb70(a)/Sb80Te20(5nm)]x纳米复合多层相变薄膜材料、Sb80Te20以及Ga30Sb70薄膜的原位方块电阻与温度的关系曲线。
图2为本发明的[Ga30Sb70(5nm)/Sb80Te20(b)]x纳米复合多层相变薄膜材料的原位方块电阻与温度的关系曲线。
图3为本发明的[Ga30Sb70(5nm)/Sb80Te20(5nm)]10纳米复合多层相变薄膜的高分辨透射电镜(HR-TEM)截面图。
具体实施方式
下面通过具体实施例进一步描述本发明的技术方案。应理解，这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。
实施例1
本实施例中制备的Ga30Sb70/Sb80Te20纳米复合多层相变薄膜材料结构具体为[Ga30Sb70(3nm)/Sb80Te20(5nm)]13、[Ga30Sb70(4nm)/Sb80Te20(5nm)]11、[Ga30Sb70(5nm)/Sb80Te20(5nm)]10和[Ga30Sb70(10nm)/Sb80Te20(5nm)]7，且所述Ga30Sb70/Sb80Te20纳米复合多层相变薄膜材料的总厚度为100nm。
制备步骤为：
1)清洗SiO2/Si(100)基片：清洗表面、背面，去除灰尘颗粒、有机和无机杂质；在丙酮溶液中强超声清洗3-5分钟，去离子水冲洗；然后在乙醇溶液中强超声清洗3-5分钟，去离子水冲洗，高纯N2吹干表面和背面；在120℃烘箱内烘干水汽，约20分钟；
2)制备好合金靶材：设定射频功率，设定溅射气体流量及溅射气压；
3)采用室温磁控交替溅射方法制备Ga30Sb70/Sb80Te20纳米复合多层相变薄膜材料：a)将基片旋转到Sb80Te20靶位，打开Sb80Te20靶上的射频电源，开始溅射Sb80Te20薄膜，溅射时间固定为16s；b)Sb80Te20薄膜溅射完成后，关闭Sb80Te20靶上所施加的射频电源，将基片旋转到Ga30Sb70靶位，开启Ga30Sb70靶上的射频电源，依照设定的溅射时间，开始溅射Ga30Sb70薄膜；c)重复a)和b)两步，即在SiO2/Si(100)基片上制备Ga30Sb70/Sb80Te20...Ga30Sb70/Sb80Te20/SiO2/Si多层薄膜材料；在薄膜总厚度固定的前提下，通过调制Ga30Sb70靶材的溅射时间来控制多层薄膜周期中Ga30Sb70薄膜的厚度和周期数，从而形成所需结构的Ga30Sb70/Sb80Te20纳米复合多层相变薄膜材料；溅射过程中，衬底采用SiO2/Si(100)基片，溅射靶材为纯度在质量百分比99.999％以上的Ga30Sb70和Sb80Te20合金靶材，本底真空度不大于1×10-4Pa，溅射气体为体积百分比99.999％以上的Ar气；气体流量为30SCCM，溅射气压为0.2Pa，溅射射频功率为20W。
实施例2
本实施例中制备的Ga30Sb70/Sb80Te20纳米复合多层相变薄膜材料结构具体为[Ga30Sb70(5nm)/Sb80Te20(15nm)]5、[Ga30Sb70(5nm)/Sb80Te20(10nm)]7、[Ga30Sb70(5nm)/Sb80Te20(7nm)]8、[Ga30Sb70(5nm)/Sb80Te20(5nm)]10和[Ga30Sb70(5nm)/Sb80Te20(4nm)]11，且所述Ga30Sb70/Sb80Te20纳米复合多层相变薄膜材料的总厚度为100nm。
制备步骤为：
1)清洗SiO2/Si(100)基片：清洗表面、背面，去除灰尘颗粒、有机和无机杂质；在丙酮溶液中强超声清洗3-5分钟，去离子水冲洗；然后在乙醇溶液中强超声清洗3-5分钟，去离子水冲洗，高纯N2吹干表面和背面；在120℃烘箱内烘干水汽，约20分钟；
2)制备好合金靶材：设定射频功率，设定溅射气体流量及溅射气压；
3)采用室温磁控交替溅射方法制备Ga30Sb70/Sb80Te20纳米复合多层相变薄膜材料：a)将基片旋转到Sb80Te20靶位，打开Sb80Te20靶上的射频电源，依照设定的溅射时间，开始溅射Sb80Te20薄膜；b)Sb80Te20薄膜溅射完成后，关闭Sb80Te20靶上所施加的射频电源，将基片旋转到Ga30Sb70靶位，开启Ga30Sb70靶上的射频电源，开始溅射Ga30Sb70薄膜，溅射时间固定为20s；c)重复a)和b)两步，即在SiO2/Si(100)基片上制备Ga30Sb70/Sb80Te20...Ga30Sb70/Sb80Te20/SiO2/Si多层薄膜材料；在薄膜总厚度固定的前提下，通过调制Sb80Te20靶材的溅射时间来控制多层薄膜周期中Sb80Te20薄膜的厚度和周期数，从而形成所需结构的Ga30Sb70/Sb80Te20纳米复合多层相变薄膜材料；溅射过程中，衬底采用SiO2/Si(100)基片，溅射靶材为纯度在质量百分比99.999％以上的Ga30Sb70和Sb80Te20合金靶材，本底真空度不大于1×10-4Pa，溅射气体为体积百分比99.999％以上的Ar气；气体流量为30SCCM，溅射气压为0.2Pa，溅射射频功率为20W。
图1为本发明的[Ga30Sb70(a)/Sb80Te20(5nm)]x纳米复合多层相变薄膜材料、Sb80Te20以及Ga30Sb70薄膜的原位方块电阻与温度的关系曲线，测试过程中的升温速率为10℃/min。当纳米复合多层相变薄膜材料处于非晶态时，薄膜电阻为高电阻态，随着温度的升高，薄膜电阻逐渐降低，达到结晶温度时，薄膜结晶发生相的转变，相应的电阻开始快速下降，当薄膜结晶后，薄膜电阻处于低电阻态。这个过程在相变存储器应用中是通过施加电脉冲的方式来实现的，相应的非晶态(高阻)和多晶态(低阻)可以通过施加电脉冲实现可逆转变。从图1可以看出，Sb80Te20薄膜的结晶温度约为110℃，该结晶温度太低，不利于存储器的热稳定性，通过将Ga30Sb70薄膜与Sb80Te20薄膜进行纳米复合形成多层薄膜结构，结晶温度可以得到明显提高，相应的[Ga30Sb70(3nm)/Sb80Te20(5nm)]13、[Ga30Sb70(4nm)/Sb80Te20(5nm)]11、[Ga30Sb70(5nm)/Sb80Te20(5nm)]10和[Ga30Sb70(10nm)/Sb80Te20(5nm)]7薄膜材料的结晶温度分别为190℃、205℃、215℃和230℃，表明该纳米复合多层相变薄膜材料的结晶温度随着周期中Ga30Sb70薄膜厚度的增加而升高，所有多层薄膜材料的结晶温度都高于传统的Ge2Sb2Te5，因此多层薄膜的非晶态稳定性优于传统的Ge2Sb2Te5，即采用Ga30Sb70/Sb80Te20纳米复合多层相变薄膜材料作为存储介质有助于提高存储器的数据保持特性。
Ga30Sb70薄膜的厚度主要依赖于Ga30Sb70靶材的溅射时间，因此可以通过调节Ga30Sb70靶材的溅射时间来控制Ga30Sb70薄膜的厚度，最终可以调制纳米复合多层相变薄膜材料的结晶温度。从图1还可以看出，Ga30Sb70/Sb80Te20纳米复合多层相变薄膜材料在结晶温度处有一个快速的电阻下降过程，表明这种材料的结晶速度很快，有助于提高存储器的存取速度。同时，纳米复合多层相变薄膜材料的晶态电阻随着多层周期中Ga30Sb70薄膜厚度的增加而增大，较大的晶态电阻使得器件在编程过程中能量传输更加有效，有助于降低编程功耗。
图2为本发明的[Ga30Sb70(5nm)/Sb80Te20(b)]x纳米复合多层相变薄膜材料的原位方块电阻与温度的关系曲线，测试中的升温速率为10℃/min。相应的[Ga30Sb70(5nm)/Sb80Te20(4nm)]11、[Ga30Sb70(5nm)/Sb80Te20(5nm)]10、[Ga30Sb70(5nm)/Sb80Te20(7nm)]8、[Ga30Sb70(5nm)/Sb80Te20(10nm)]7和[Ga30Sb70(5nm)/Sb80Te20(15nm)]5薄膜材料的结晶温度分别为250℃、215℃、185℃、140℃和120℃，表明该纳米复合多层相变薄膜的结晶温度随着周期中Sb80Te20薄膜厚度的增加而降低。Sb80Te20薄膜的厚度主要依赖于Sb80Te20靶材的溅射时间，因此可以通过调节Sb80Te20靶材的溅射时间来控制Ga30Sb70薄膜的厚度，最终可以调制纳米复合多层相变薄膜材料的结晶温度。
图3为本发明制备的Ga30Sb70(5nm)/Sb80Te20(5nm)]10纳米复合多层相变薄膜材料的高分辨透射电镜(HR-TEM)截面图，从图中可以观察到Ga30Sb70薄膜和Sb80Te20薄膜交替排列，形成了纳米复合多层薄膜结构。

Claims (8)

1.一种结晶温度可调的Ga30Sb70/Sb80Te20纳米复合多层相变薄膜材料，该纳米复合多层相变薄膜材料由Ga30Sb70薄膜和Sb80Te20薄膜交替排列、在纳米量级复合而成，其特征在于，所述Ga30Sb70/Sb80Te20纳米复合多层相变薄膜材料的结构符合下式：
[Ga30Sb70(a)/Sb80Te20(b)]x；
式中a、b分别表示所述单层Ga30Sb70薄膜及单层Sb80Te20薄膜的厚度；其中，3≤a≤10nm，b＝5nm；或a＝5nm，4≤b≤15nm；x表示所述Ga30Sb70/Sb80Te20纳米复合多层相变薄膜材料中所述单层Ga30Sb70薄膜和所述单层Sb80Te20薄膜的周期数，x为正整数，且通过薄膜总厚度与所述单层Ga30Sb70薄膜及所述单层Sb80Te20薄膜的厚度计算得出。
2.如权利要求1中所述的结晶温度可调的Ga30Sb70/Sb80Te20纳米复合多层相变薄膜材料，其特征在于，所述Ga30Sb70/Sb80Te20纳米复合多层相变薄膜材料的结晶温度在Ga30Sb70薄膜结晶温度和Sb80Te20薄膜结晶温度之间。
3.如权利要求1中所述的结晶温度可调的Ga30Sb70/Sb80Te20纳米复合多层相变薄膜材料，其特征在于，所述Ga30Sb70/Sb80Te20纳米复合多层相变薄膜材料的总厚度为100nm。
4.权利要求1-3中任一所述的结晶温度可调的Ga30Sb70/Sb80Te20纳米复合多层相变薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述纳米复合多层相变薄膜材料采用磁控交替溅射方法制备，衬底采用SiO2/Si(100)基片，溅射靶材为Ga30Sb70和Sb80Te20合金靶材，溅射气体为Ar气。
5.如权利要求4中所述的结晶温度可调的Ga30Sb70/Sb80Te20纳米复合多层相变薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述Ga30Sb70和Sb80Te20合金靶材的纯度在质量百分比99.999％以上，本底真空度不大于1×10-4Pa。
6.如权利要求4中所述的结晶温度可调的Ga30Sb70/Sb80Te20纳米复合多层相变薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述Ga30Sb70和Sb80Te20合金靶材都采用射频电源，且溅射射频功率为15～25W；且所述Ar气的纯度为体积百分比99.999％以上，气体流量为25～35SCCM，溅射气压为0.15～0.25Pa。
7.如权利要求4中所述的结晶温度可调的Ga30Sb70/Sb80Te20纳米复合多层相变薄膜材料的制备方法，其特征在于，单层Ga30Sb70薄膜和单层Sb80Te20薄膜的厚度通过溅射时间来调控。
8.权利要求1-3中任一所述的结晶温度可调的Ga30Sb70/Sb80Te20纳米复合多层相变薄膜材料用于相变存储器。
CN2010101178944A 2010-03-04 2010-03-04 一种结晶温度可调的Ga30Sb70/Sb80Te20纳米复合多层相变薄膜材料 Expired - Fee Related CN101807665B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2010101178944A CN101807665B (zh) 2010-03-04 2010-03-04 一种结晶温度可调的Ga30Sb70/Sb80Te20纳米复合多层相变薄膜材料

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2010101178944A CN101807665B (zh) 2010-03-04 2010-03-04 一种结晶温度可调的Ga30Sb70/Sb80Te20纳米复合多层相变薄膜材料

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101807665A CN101807665A (zh) 2010-08-18
CN101807665B true CN101807665B (zh) 2012-07-25

Family

ID=42609351

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2010101178944A Expired - Fee Related CN101807665B (zh) 2010-03-04 2010-03-04 一种结晶温度可调的Ga30Sb70/Sb80Te20纳米复合多层相变薄膜材料

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN101807665B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105514269A (zh) * 2015-12-18 2016-04-20 同济大学 纳米复合堆叠相变薄膜及其制备方法和应用

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102142517B (zh) * 2010-12-17 2017-02-08 华中科技大学 一种低热导率的多层相变材料
CN102354729A (zh) * 2011-10-11 2012-02-15 同济大学 一种用于多级存储相变存储器的纳米多层复合相变薄膜材料及其制备和应用
CN102903846A (zh) * 2012-09-27 2013-01-30 同济大学 一种Sb80Te20/SbSe纳米复合多层相变薄膜及其制备和应用
CN103855301B (zh) * 2012-12-05 2016-09-14 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 多级电阻转换存储单元及存储器
CN103378289B (zh) * 2012-12-20 2015-10-28 同济大学 一种用于高速高密度相变存储器的多层纳米复合薄膜材料及其制备方法
CN103762308B (zh) * 2014-01-09 2016-08-24 同济大学 多态镓锑-硒化锡多层纳米复合相变材料及其制备和应用
CN104900807B (zh) * 2015-06-10 2017-09-29 江苏理工学院 用于高速低功耗相变存储器的Ga40Sb60/Sb类超晶格相变薄膜材料及其制备方法
CN105070828B (zh) * 2015-07-21 2017-08-25 同济大学 一种纳米复合堆叠相变薄膜及其制备方法和应用
CN105304815B (zh) * 2015-10-28 2018-07-20 宁波大学 一种用于低功耗相变存储器的多层纳米复合薄膜材料及其制备方法
CN105355783B (zh) * 2015-10-28 2018-06-26 宁波大学 一种用于高密度相变存储器的多层纳米复合薄膜材料及其制备方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1729583A (zh) * 2002-12-19 2006-02-01 皇家飞利浦电子股份有限公司 包含相变材料的电器件
CN101194310A (zh) * 2005-06-07 2008-06-04 松下电器产业株式会社 信息记录介质及其制造方法
US7459717B2 (en) * 2005-11-28 2008-12-02 Macronix International Co., Ltd. Phase change memory cell and manufacturing method

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003034081A (ja) * 2000-09-14 2003-02-04 Ricoh Co Ltd 相変化型光情報記録媒体

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1729583A (zh) * 2002-12-19 2006-02-01 皇家飞利浦电子股份有限公司 包含相变材料的电器件
CN101194310A (zh) * 2005-06-07 2008-06-04 松下电器产业株式会社 信息记录介质及其制造方法
US7459717B2 (en) * 2005-11-28 2008-12-02 Macronix International Co., Ltd. Phase change memory cell and manufacturing method

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105514269A (zh) * 2015-12-18 2016-04-20 同济大学 纳米复合堆叠相变薄膜及其制备方法和应用
CN105514269B (zh) * 2015-12-18 2018-08-24 同济大学 纳米复合堆叠相变薄膜及其制备方法和应用

Also Published As

Publication number Publication date
CN101807665A (zh) 2010-08-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101807665B (zh) 一种结晶温度可调的Ga30Sb70/Sb80Te20纳米复合多层相变薄膜材料
CN101540370B (zh) 一种GeTe/Sb2Te3纳米复合多层相变薄膜及其制备方法
CN108598256B (zh) 一种用于相变存储器的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料的制备方法
CN101714610B (zh) 一种Si/Sb80Te20纳米复合多层相变薄膜及其制备方法
CN105762277B (zh) 一种类超晶格锡硒/锑纳米相变薄膜及其制备与应用
CN102683587B (zh) 一种用于相变存储器的硅-硒化锡纳米多层复合相变薄膜材料
CN101976725A (zh) 一种结晶温度可调的SiO2/Sb80Te20纳米复合多层相变薄膜材料及其制备方法
CN102117885A (zh) 用于相变存储器的纳米复合多层相变薄膜材料
CN105679934A (zh) 一种多层纳米复合相变薄膜材料及其制备方法和应用
CN102354729A (zh) 一种用于多级存储相变存储器的纳米多层复合相变薄膜材料及其制备和应用
CN102134698B (zh) 用于相变存储器的Al-Sb-Te系列相变材料及其制备方法
CN105006519B (zh) 高速低功耗的锡锑-锡硒纳米复合多层薄膜及制备和应用
CN106374045A (zh) 一种基于GeSbTe相变材料的薄膜器件
CN106601908A (zh) 一种锑锗多层纳米复合相变材料及其制备和应用
CN107195779A (zh) 一种GeSb/SiO2多层相变薄膜材料、制备方法及应用
CN103762308A (zh) 多态镓锑-硒化锡多层纳米复合相变材料及其制备和应用
CN106816528B (zh) 一种纳米复合多层相变薄膜及其制备方法和应用
CN105870323A (zh) 一种复合相变薄膜材料及其制备方法
CN103378289A (zh) 一种用于高速高密度相变存储器的多层纳米复合薄膜材料及其制备方法
CN109055906B (zh) 一种复合相变薄膜材料（Si/Ge2Sb2Te5/Si）n
CN102487119B (zh) 用于相变存储器的Sb2Tex-SiO2纳米复合相变材料及制备方法
CN109686840A (zh) 一种柔性多层复合GeTe/ZnSb相变薄膜材料及其制备方法
CN106935701B (zh) Si/GeTe纳米复合多层相变薄膜、相变存储器及其制备方法
CN112614936B (zh) 一种Ti/Sb多层纳米复合相变存储薄膜材料及其制备方法和应用
CN111276607A (zh) 纳米复合多层氮化钛-锑信息功能薄膜及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20120725

Termination date: 20150304

EXPY Termination of patent right or utility model