CN101774552B - 一种GaN纳米晶体的制备方法 - Google Patents
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Abstract
一种GaN纳米晶体的制备方法,首先将Ga2O3加入到浓硝酸中,然后再加入蒸馏水稀释,在微波水热仪中反应使Ga2O3完全溶解,然后用浓氨水调节溶液的pH值后移入微波水热仪反应后过滤,洗涤,干燥后得到GaO2H纳米棒;取GaO2H纳米棒粉体预先放入刚玉坩埚,使粉料在坩埚里均匀分散;将刚玉坩埚放入管式炉中,在氨气保护下升温至800~900℃后保温1~1.5小时,降温速率降温至700~500℃后,换成氮气进行保护,冷却至室温后得到淡黄色GaN纳米晶体。本发明采用微波水热和低温氨化两步法制备结晶程度良好、高纯度氮化镓纳米晶体。其优点是原料相对廉价,工艺操作简单,采用无污染洁净低耗能的微波水热法快速制备结晶良好的GaO2H前驱体纳米棒,低温氨化GaO2H制备GaN纳米晶。
Description
技术领域
本发明属于材料制备领域,具体涉及一种GaN纳米晶体的制备方法。
背景技术
GaN晶体具有宽带隙、强原子键、高热导等性质,而且GaN及GaN基材料的带隙涵盖了从红光到紫外的光谱范围,可以广泛应用于高亮度蓝-绿发光二极管,蓝光激光器以及紫外探测器等领域。另外GaN还具有热辐射能力、抗腐蚀能力强、高击穿电压和高电子饱和度等优良性能,因此在制备高温、大功率、高速及恶劣工作环境下的半导体电子器件方面GaN有巨大潜力和优越性。为III-V族氮化物半导体中最引人注目的材料。然而,研究开发GaN晶体及GaN基器件的前提条件是以高质量和单相的GaN粉末源作为前体材料,所以直接合成GaN粉末是推动第三代半导体材料发展的一个重要研究课题。
到目前为止,有关GaN的制备方法主要有:化学气相沉积(MOCVD)、分子束外延(MBE)、氢化物气相外延(HVPE)、反应溅射法、溶胶凝胶法和水热合成等。化学气相沉积法虽然已在生产中应用,但有生长工艺复杂和生长温度高等缺点,使生产成本提高、增加了能耗,且工艺过程中存在气相外延与气流有关的材料不均匀性的问题,直接影响GaN的质量;分子束外延制备GaN也具有工艺复杂的缺点,而最大缺点就是生长速率慢,也不利于商业化生产;HVPE和反应溅射法都需要昂贵的生产设备,对操作人员要求高,工艺流程复杂,影响因素多;溶胶凝胶法必须用活性较高的镓或镓的化合物做为原料,提高了生产成本;而水热合成GaN利用价格廉价的镓的化合物Ga2O3作为原料,具有工艺简单,生产效率高,产品形貌均匀、粒度分布窄等特点,具有产业化的潜力。
对于传统水热法制备GaN的研究报道,国外Sungryong Cho等人率先用水热合成法制得GaO2H后在800℃氨化制得了GaN,但在1000℃的高温下制备的GaN中仍含有Ga2O3杂质。国内亦一些有关于传统水热法制备GaN的报道,但是,其产物粒度分布宽(从几十个微米到几百个微米分布不等),且反应过程缓慢。
而微波水热合成法是在1992年美国宾州大学R.Roy提出利用微波对水的介电作用进行加热的新型合成方法,与传统的水热法相比,微波水热合成法具有加热速度快、反应灵敏、体系受热均匀等特点,可以快速制备形貌均一的超细粉体。
发明内容
本发明的目的在于提供一种采用微波水热和低温氨化两步法制备GaN纳米晶体的方法,本发明制备的GaN纳米晶体粒度分布窄、结晶性能良好。
为达到上述目的,本发明采用的技术方案是:1)选用纯度为99.99%,粒度为200目的Ga2O3、纯度为99.99%的浓氨水和浓硝酸为原料;首先将0.002~0.007mol的Ga2O3加入到30ml的浓硝酸中,然后再加入90ml蒸馏水稀释,搅拌均匀后移入反应釜中,并将反应釜置于微波水热仪,微波功率400W,微波温度150℃下反应20~40min后Ga2O3完全溶解,然后用浓氨水调节溶液的pH值至5.5~9,再用磁力搅拌器搅拌1~2h后,移入微波水热仪,在微波功率500-700W,微波温度120~200℃下反应0.5~2h,过滤,洗涤,干燥后得到GaO2H纳米棒;2)取GaO2H纳米棒粉体预先放入刚玉坩埚,使粉料在坩埚里均匀分散;3)将刚玉坩埚放入管式炉中,抽真空后使真空度不超过-0.05MPa,通氮气至常压后再抽真空,此过程重复三次,通入氨气,同时将炉温从室温以3~5℃/min的升温速率升温至800~900℃后保温1~1.5小时,再以3~5℃/min的降温速率降温至600~500℃后,换成氮气进行保护,冷却至150~200℃后关氮气和电源自然冷却至室温后得到淡黄色GaN纳米晶体。
本发明采用微波水热和低温氨化两步法制备结晶程度良好、高纯度氮化镓纳米晶体。其优点是原料相对廉价,工艺操作简单,采用无污染洁净低耗能的微波水热法快速制备结晶良好的GaO2H前驱体纳米棒,低温氨化GaO2H制备GaN纳米晶。相对于传统水热法,微波水热法具有环保节能高效的优点。
附图说明
图1是pH=6~7时GaO2H的XRD图,其中横坐标为衍射角2θ,纵坐标为前驱体晶相衍射峰的相对强度。
图2是GaN的XRD图,其中横坐标为衍射角2θ,纵坐标为GaN晶相衍射峰的相对强度。
图3(a)为pH>7时,5000倍下的GaO2H电镜形貌,(b)为pH>7时,10000倍下的GaO2H电镜形貌;图4(a)为5000倍下按本发明制备得到的GaN的电镜扫描图片,(b)为10000倍下按本发明制备得到的GaN的电镜扫描图片。
具体实施方式
实施例1:1)选用纯度为99.99%,粒度为200目的Ga2O3、纯度为99.99%的浓氨水和浓硝酸为原料;首先将0.002mol的Ga2O3加入到30ml的浓硝酸中,然后再加入90ml蒸馏水稀释,搅拌均匀后移入反应釜中,并将反应釜置于微波水热仪,微波功率400W,微波温度150℃下反应20~40min后Ga2O3完全溶解,然后用浓氨水调节溶液的pH值至6~7,再用磁力搅拌器搅拌1~2h后,移入微波水热仪,在微波功率500W,微波温度180℃下反应1h,过滤,洗涤,干燥后得到GaO2H纳米棒;参见图1,从图中可以看出以GaO2H为主晶相,含有少量的GaOOH晶相;制备的GaO2H纯度高,结晶性能良好;2)取GaO2H纳米棒粉体预先放入刚玉坩埚,使粉料在坩埚里均匀分散;3)将刚玉坩埚放入管式炉中,抽真空后使真空度不超过-0.05MPa,通氮气至常压后再抽真空,此过程重复三次,通入氨气,同时将炉温从室温以4℃/min的升温速率升温至800℃后保温1~1.5小时,再以4℃/min的降温速率降温至500℃后,换成氮气进行保护,冷却至150℃后关氮气和电源自然冷却至室温后得到淡黄色GaN纳米晶体。参见图2,从图分析得出GaN的结晶性良好,为高纯GaN晶相,在(002)晶面取向一致;参见图4,经分析GaN纳米晶体是由结晶取向一致、直径约为60nm的GaN纳米颗粒组成的。
实施例2:1)选用纯度为99.99%,粒度为200目的Ga2O3、纯度为99.99%的浓氨水和浓硝酸为原料;首先将0.005mol的Ga2O3加入到30ml的浓硝酸中,然后再加入90ml蒸馏水稀释,搅拌均匀后移入反应釜中,并将反应釜置于微波水热仪,微波功率400W,微波温度150℃下反应20~40min后Ga2O3完全溶解,然后用浓氨水调节溶液的pH值至7,再用磁力搅拌器搅拌1~2h后,移入微波水热仪,在微波功率600W,微波温度150℃下反应1.5h,过滤,洗涤,干燥后得到GaO2H纳米棒;2)取GaO2H纳米棒粉体预先放入刚玉坩埚,使粉料在坩埚里均匀分散;3)将刚玉坩埚放入管式炉中,抽真空后使真空度不超过-0.05MPa,通氮气至常压后再抽真空,此过程重复三次,通入氨气,同时将炉温从室温以5℃/min的升温速率升温至820℃后保温1~1.5小时,再以5℃/min的降温速率降温至550℃后,换成氮气进行保护,冷却至200℃后关氮气和电源自然冷却至室温后得到淡黄色GaN纳米晶体。
实施例3:1)选用纯度为99.99%,粒度为200目的Ga2O3、纯度为99.99%的浓氨水和浓硝酸为原料;首先将0.003mol的Ga2O3加入到30ml的浓硝酸中,然后再加入90ml蒸馏水稀释,搅拌均匀后移入反应釜中,并将反应釜置于微波水热仪,微波功率400W,微波温度150℃下反应20~40min后Ga2O3完全溶解,然后用浓氨水调节溶液的pH值至5.5,再用磁力搅拌器搅拌1~2h后,移入微波水热仪,在微波功率700W,微波温度200℃下反应0.5h,过滤,洗涤,干燥后得到GaO2H纳米棒;2)取GaO2H纳米棒粉体预先放入刚玉坩埚,使粉料在坩埚里均匀分散;3)将刚玉坩埚放入管式炉中,抽真空后使真空度不超过-0.05MPa,通氮气至常压后再抽真空,此过程重复三次,通入氨气,同时将炉温从室温以3℃/min的升温速率升温至850℃后保温1~1.5小时,再以3℃/min的降温速率降温至600℃后,换成氮气进行保护,冷却至180℃后关氮气和电源自然冷却至室温后得到淡黄色GaN纳米晶体。
实施例4:1)选用纯度为99.99%,粒度为200目的Ga2O3、纯度为99.99%的浓氨水和浓硝酸为原料;首先将0.004mol的Ga2O3加入到30ml的浓硝酸中,然后再加入90ml蒸馏水稀释,搅拌均匀后移入反应釜中,并将反应釜置于微波水热仪,微波功率400W,微波温度150℃下反应20~40min后Ga2O3完全溶解,然后用浓氨水调节溶液的pH值至9,再用磁力搅拌器搅拌1~2h后,移入微波水热仪,在微波功率500W,微波温度140℃下反应1.5h,过滤,洗涤,干燥后得到GaO2H纳米棒;参见图3,从中可以看出用微波水热合成了粒度分布窄、颗粒大小均匀的GaO2H纳米棒;2)取GaO2H纳米棒粉体预先放入刚玉坩埚,使粉料在坩埚里均匀分散;3)将刚玉坩埚放入管式炉中,抽真空后使真空度不超过-0.05MPa,通氮气至常压后再抽真空,此过程重复三次,通入氨气,同时将炉温从室温以5℃/min的升温速率升温至870℃后保温1~1.5小时,再以5℃/min的降温速率降温至550℃后,换成氮气进行保护,冷却至160℃后关氮气和电源自然冷却至室温后得到淡黄色GaN纳米晶体。
实施例5:1)选用纯度为99.99%,粒度为200目的Ga2O3、纯度为99.99%的浓氨水和浓硝酸为原料;首先将0.007mol的Ga2O3加入到30ml的浓硝酸中,然后再加入90ml蒸馏水稀释,搅拌均匀后移入反应釜中,并将反应釜置于微波水热仪,微波功率400W,微波温度150℃下反应20~40min后Ga2O3完全溶解,然后用浓氨水调节溶液的pH值至8,再用磁力搅拌器搅拌1~2h后,移入微波水热仪,在微波功率700W,微波温度120℃下反应2h,过滤,洗涤,干燥后得到GaO2H纳米棒;2)取GaO2H纳米棒粉体预先放入刚玉坩埚,使粉料在坩埚里均匀分散;3)将刚玉坩埚放入管式炉中,抽真空后使真空度不超过-0.05MPa,通氮气至常压后再抽真空,此过程重复三次,通入氨气,同时将炉温从室温以4℃/min的升温速率升温至900℃后保温1~1.5小时,再以4℃/min的降温速率降温至600℃后,换成氮气进行保护,冷却至190℃后关氮气和电源自然冷却至室温后得到淡黄色GaN纳米晶体。
Claims (1)
1.一种GaN纳米晶体的制备方法,其特征在于:
1)选用纯度为99.99%,粒度为200目的Ga2O3、纯度为99.99%的浓氨水和浓硝酸为原料;首先将0.002~0.007mol的Ga2O3加入到30ml的浓硝酸中,然后再加入90ml蒸馏水稀释,搅拌均匀后移入反应釜中,并将反应釜置于微波水热仪中,在微波功率400W,微波温度150℃下反应20~40min后Ga2O3完全溶解,然后用浓氨水调节溶液的pH值至5.5~9,再用磁力搅拌器搅拌1~2h后,移入微波水热仪中,在微波功率500-700W,微波温度120~200℃下反应0.5~2h,过滤,洗涤,干燥后得到GaO2H纳米棒;
2)取GaO2H纳米棒粉体预先放入刚玉坩埚,使粉料在坩埚里均匀分散;
3)将刚玉坩埚放入管式炉中,抽真空后使真空度不超过-0.05MPa,通氮气至常压后再抽真空,此过程重复三次,通入氨气,同时将炉温从室温以3~5℃/min的升温速率升温至800~900℃后保温1~1.5小时,再以3~5℃/min的降温速率降温至600~500℃后,换成氮气进行保护,冷却至150~200℃后关氮气和电源自然冷却至室温后得到淡黄色GaN纳米晶体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2010101172897A CN101774552B (zh) | 2010-03-04 | 2010-03-04 | 一种GaN纳米晶体的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2010101172897A CN101774552B (zh) | 2010-03-04 | 2010-03-04 | 一种GaN纳米晶体的制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101774552A CN101774552A (zh) | 2010-07-14 |
CN101774552B true CN101774552B (zh) | 2011-06-29 |
Family
ID=42511178
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2010101172897A Expired - Fee Related CN101774552B (zh) | 2010-03-04 | 2010-03-04 | 一种GaN纳米晶体的制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN101774552B (zh) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8242523B2 (en) * | 2010-07-29 | 2012-08-14 | National Tsing Hua University | III-Nitride light-emitting diode and method of producing the same |
CN102485933A (zh) * | 2010-12-02 | 2012-06-06 | 大连新氏传动科技有限公司 | 一种氮化方法 |
CN102583275B (zh) * | 2012-03-15 | 2013-09-04 | 福州大学 | 一种醇热法制备的GaN纳米晶及其制备方法 |
CN105543968B (zh) * | 2015-12-21 | 2018-06-05 | 江苏锡沂高新区科技发展有限公司 | 一种低成本制备氮化镓晶体的方法 |
CN106517109A (zh) * | 2016-10-21 | 2017-03-22 | 南开大学 | 一种氮化镓纳米棒的制备方法 |
CN106586978B (zh) * | 2016-11-21 | 2018-08-17 | 中国兵器科学研究院宁波分院 | 纳米氮化镓球形粉体的制备方法 |
CN107611004B (zh) * | 2017-08-14 | 2020-01-31 | 南京大学 | 一种制备自支撑GaN衬底材料的方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101624172A (zh) * | 2009-08-07 | 2010-01-13 | 陕西科技大学 | 一种掺杂Mg、Mn或Cu的GaN纳米粉体的制备方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20030067162A (ko) * | 2002-02-07 | 2003-08-14 | 대한민국 (한밭대학총장) | 나노미터 크기의 질화갈륨 분말과 질화갈륨-산화갈륨혼합체 분말의 제조 방법과 이를 이용한 전기발광소자 |
KR20060096523A (ko) * | 2005-03-02 | 2006-09-13 | 엘지전자 주식회사 | 질화 갈륨 분말 제조방법 |
-
2010
- 2010-03-04 CN CN2010101172897A patent/CN101774552B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101624172A (zh) * | 2009-08-07 | 2010-01-13 | 陕西科技大学 | 一种掺杂Mg、Mn或Cu的GaN纳米粉体的制备方法 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Sha Ding et al..Textured tubular nanoparticle structures: Precursor-templated synthesis of GaN sub-micrometer sized tubes.《Advanced Functional Materials》.2007,第17卷1879-1886. * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101774552A (zh) | 2010-07-14 |
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C10 | Entry into substantive examination | ||
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