CN101771071A

CN101771071A - 有机发光装置

Info

Publication number: CN101771071A
Application number: CN200910262169A
Authority: CN
Inventors: 高三一; 郑栋爕; 赵宰莹; 赵晟佑; 徐旼彻
Original assignee: Samsung Mobile Display Co Ltd
Current assignee: Samsung Display Co Ltd
Priority date: 2008-12-26
Filing date: 2009-12-25
Publication date: 2010-07-07
Anticipated expiration: 2029-12-25
Also published as: EP2204862A3; EP2204862A2; KR20100076813A; EP2204862B1; US20100163854A1; CN101771071B; JP4977196B2; JP2010157722A; US8120020B2; KR101074787B1

Abstract

本发明提供一种有机发光装置。有机发光装置(OLED)包括：基板；第一电极；第二电极，面对第一电极；第一蓝色发光层、绿色发光层、红色发光层以及第二蓝色发光层，都插设在第一电极与第二电极之间；以及滤色器，设置在从发光层发射的光的路径中，其中第一蓝色发光层包括深蓝色掺杂剂，第二蓝色发光层包括天蓝色掺杂剂。

Description

有机发光装置

技术领域

本发明的一个或多个实施例涉及一种有机发光装置。

背景技术

有机发光装置(OLED)(其是自发射装置)具有宽的视角、高的对比度和快速的响应时间，因此已经得到公众的大量关注。此外，OLED具有低工作电压并可以实现多色的图像。因此，已经对有机发光装置开展了大量研究。

当电流提供到分别形成在发射层两侧的阳极和阴极时，电子和空穴在发射层中复合从而发光。通常，OLED可以包括具有多层结构的有机层，该多层结构包括形成在发射层的任一端上的空穴注入层(HIL)、空穴输运层(HTL)、电子输运层(ETL)和/或电子注入层(EIL)，从而获得优良的发光性能。

单色OLED具有阳极/发射层/阴极结构。OLED可以根据形成发射层的材料的类型发射各种颜色。堆叠发射红、绿和蓝光(其是三种基本光颜色)的材料的方法可以用于制备发白光的OLED。

然而，这种发白光的OLED的蓝光发射效率太低。

蓝光发射与OLED的色坐标、色彩重现率和寿命(或预期使用期限)密切相关。

然而，现有的OLED的色坐标、色彩重现率和寿命不令人满意，因此需要改善这些性能。

发明内容

本发明的一个或多个实施例的方面指向通过有效地控制OLED的多个发射层中的蓝色发光层的组成而具有优良的色坐标、色彩重现率和寿命的有机发光装置(OLED)。

其他的方面将在接下来的描述中部分地阐述，并从该描述中变得部分地明显，或者可以通过实践给出的实施例而习知。

根据本发明的实施例，有机发光装置(OLED)包括：基板；第一电极，在基板上；第二电极，面对第一电极；第一蓝色发光层、绿色发光层、红色发光层以及第二蓝色发光层，都插设在第一电极与第二电极之间；以及滤色器，设置在从发光层发射的光的路径中，其中第一蓝色发光层包括深蓝色掺杂剂，第二蓝色发光层包括天蓝色掺杂剂。

第一蓝色发光层还可以包括蓝色主体(blue host)，其中深蓝色掺杂剂的量基于100重量份的蓝色主体在约2重量份到约10重量份之间。

第二蓝色发光层可以包括蓝色主体，其中天蓝色掺杂剂的量基于100重量份的蓝色主体在约2重量份到约10重量份之间。

第一蓝色发光层、绿色发光层、红色发光层和第二蓝色发光层可以依次堆叠在第一电极与第二电极之间。

OLED可以是通过用封装膜(encapsulation film)涂覆OLED并将滤色器设置在封装膜上而制造的顶发射型OLED。

OLED可以是通过在第二电极上还包括封装基板而制造的顶发射型OLED，其中滤色器设置在第二电极与封装基板之间或者设置在封装基板的不与第二电极接触的表面上。

OLED可以是通过将滤色器插设在基板与第一电极之间而制造的底发射型OLED。

附图说明

附图与说明书一起示出了本发明的示范性实施例，并与描述一起用于解释本发明的原理。

图1A示出了根据本发明实施例的无源矩阵OLED装置的示意性截面图；

图1B示出了根据本发明实施例的OLED的有机层的示意性结构；

图1C示出了根据本发明另一实施例的无源矩阵OLED装置的示意性截面图；

图2A和图2B示出了根据本发明实施例的顶发射型有源矩阵OLED装置的示意性截面图；

图3A和图3B分别示出了根据本发明实施例的无源和有源矩阵OLED装置的示意性截面图；

图4A和图4B示出了根据本发明实施例的底发射型无源矩阵OLED装置的示意性截面图；

图5A到图5C示出了根据本发明实施例的底发射型有源矩阵OLED装置的示意性截面图；以及

图6是示出根据示例1和比较例1制备的OLED的电致发光(EL)强度的曲线图。

具体实施方式

在下面的详细描述中，仅通过图解示出和描述了本发明的特定的示范性实施例。本领域技术人员应当认识到，本发明可以以许多不同的方式实施，而不应被解释为限于此处所述的实施例。此外，在本申请的上下文中，当元件被称为在另一元件“上”时，它可以直接在另一元件上或者间接在另一元件上，而二者之间插设有一个或多个中间元件。在整个说明书中，相同的附图标记指代相同的元件。

根据本发明实施例的有机发光装置(OLED)是白色OLED，其包括：第一蓝色发光层、绿色发光层、红色发光层和第二蓝色发光层，在第一电极与面对该第一电极的第二电极之间；以及滤色器，设置在从发光层发射的光的路径中。这里，第一蓝色发光层包括深蓝色(deep blue)掺杂剂，第二蓝色发光层包括天蓝色(sky blue)掺杂剂。

在有机发光装置中，绿色发光层可以不与第二蓝色发光层接触从而减小蓝色和绿色之间的相互影响以增大蓝色重现率和效率。也就是，第一蓝色发光层、绿色发光层、红色发光层和第二蓝色发光层可以依次堆叠。

第一蓝色发光层包括蓝色主体和深蓝色掺杂剂。这里，深蓝色掺杂剂的量可以基于100重量份的蓝色主体在2到10重量份之间。在一个实施例中，如果深蓝色掺杂剂的量在上述范围内，则可以调整电荷平衡而不损害蓝色发光。

深蓝色掺杂剂是在等于或小于460nm的波长处呈现一峰的材料，其可以是4’-N，N-二苯基氨基苯乙烯基-三苯基(4’-N，N-diphenylaminostyryl-triphenyl，DPA-TP)、2，5，2’，5’-四苯乙烯基-联苯(2，5，2’，5’-tetrastyryl-biphenyl，TSB)、蒽衍生物和/或二苯基-4-[2-(1，1’-；4’，1”-三联苯-4”-基)-乙烯基苯基]胺(diphenyl-4-[2-(1，1’-；4’，1”-terphenyl-4”-yl)-vinylphenyl]amine)。

第二蓝色发光层可以包括蓝色主体和天蓝色掺杂剂。这里，天蓝色掺杂剂的量可以基于100重量份的蓝色主体在2到10重量份之间。在一个实施例中，如果天蓝色掺杂剂的量在上述范围内，则可以获得优良的色坐标特性而不损害发光。

天蓝色掺杂剂是在等于或大于470nm的波长处呈现一峰的材料，其可以是二(苯乙烯基)-胺-基(di(styryl)-amine-based)蓝色掺杂剂，例如对-双(对-N，N’-二苯基-氨基苯乙烯基)苯(p-bis(p-N，N’-diphenyl-aminostyryl)benzene，DSA-Ph)和/或苯基环戊二烯(phenyl cyclopentadiene)。

蓝色主体是4，4’-N，N’-二咔唑-联苯(4，4’-N，N’-dicarbazole-biphenyl，CBP)或二苯乙烯基胺(di-styryl amine)。

通过共同(或同时)使用第一蓝色发光层和第二蓝色发光层，蓝色发射的寿命(或预期使用期限)和效率可以显著增大。此外，通过减小蓝色和绿色之间的相互影响可以增大色彩重现率。此外，通过在发光层的两端形成具有大的能隙的两个蓝色发光层可以积累电荷。因此，在具有多个发光层的白色OLED中，可以改善色彩重现率、寿命和效率。

第一蓝色发光层的厚度可以在约5nm到约10nm之间，第二蓝色发光层的厚度可以在约5nm到约7nm之间。

在一个实施例中，如果第一蓝色发光层和第二蓝色发光层的厚度在上述范围内，则可以获得优良的色坐标特性而不损害发光。

在根据本发明实施例的OLED中，红色发光层的厚度可以在约10nm到约25nm之间，绿色发光层的厚度可以在约4nm到约9nm之间。

空穴注入层(HIL)和/或空穴输运层(HTL)还可以形成在第一电极与第一蓝色发光层之间。

电子输运层(ETL)可以形成在第二蓝色发光层与第二电极之间，EIL可以形成在ETL与第二电极之间。如果需要，空穴阻挡层(HBL)还可以形成在第二蓝色发光层与ETL之间。

而且，如果OLED是底发射型OLED，基板可以是例如玻璃基板。

根据本发明实施例的OLED可以使用在各种平板显示装置例如无源矩阵(PM)有机发光显示装置和有源矩阵(AM)有机发光显示装置中。具体地，如果OLED用于AM有机发光显示装置，则设置在基板上的构成像素电极的第一电极可以电连接到薄膜晶体管的源极电极或漏极电极。此外，OLED还可以使用在双发射型平板显示装置中。

图1A是根据本发明实施例的无源矩阵OLED装置的示意性截面图。参照图1A，根据本实施例的OLED装置包括基板110。基板110可以由各种合适的材料(例如玻璃、金属和/或塑料)形成。基板110包括显示区域，用于再现图像的显示器件布置在该显示区域中。显示区域包括OLED 200，OLED 200包括：像素电极210(或第一电极)；相对电极230(或第二电极)，面对像素电极210；以及有机层220，插设在像素电极210与相对电极230之间。有机层220具有包括依次堆叠的第一蓝色发光层、绿色发光层、红色发光层和第二蓝色发光层的结构。

有机层220还可以包括插设在像素电极210与第一蓝色发光层EML1之间的HIL和/或HTL，或者如果需要，ETL和/或EIL可以插设在第二蓝色发光层EML4与相对电极230之间。

图1B示出了根据本发明实施例的有机层220的示意性结构。参照图1B，有机层220具有如下结构，其中HIL和HTL依次形成在像素电极210上，第一蓝色发光层EML1、绿色发光层EML2、红色发光层EML3、第二蓝色发光层EML4和ETL依次堆叠在HTL上。

HIL可以由以下形成：酞菁化合物，例如美国专利No.4,356,429(其整个内容在此引入以作参考)中公开的铜酞菁(copperphthalocyanine)；星爆(star-burst)型胺衍生物，例如在Advanced Material，6，p.677(1994)(其整个内容在此引入以作参考)中公开的TCTA、m-MTDATA和m-MTDAPB；或类似物。

HTL可以由N，N’-双(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-[1，1-联苯]-4，4’-二胺(N，N’-bis(3-methylphenyl)-N，N’-diphenyl-[1，1-biphenyl]-4，4’-diamine，TPD)、N，N’-二(萘-1-基)-N，N’-二苯基联苯胺(N，N’-di(naphthalene-1-yl)-N，N’-diphenyl benzidine，α-NPD)等形成。

ETL可以由双(10-羟基苯并[h]喹啉)铍(bis(10-hydroxybenzo[h]quinolinato)beryllium，Bebq2)及其衍生物、Alq₃等形成。

在一个实施例中，密封剂施加到基板110的边缘使得密封构件600覆盖显示区域。OLED的结构可以以各种合适的方式修改。例如，可以不使用密封剂和密封构件600，或者钝化层可以施加到基板110的顶表面。如果OLED是顶发射型OLED，密封构件600可以由玻璃形成。在这点上，密封构件600可以用滤色器300覆盖。也就是，滤色器300可以设置为接触密封构件600的表面之一。

图1A和图1C示出了顶发射型无源矩阵OLED装置的示意性截面图，其中滤色器300分别形成在密封构件600的底表面和顶表面上。

图2A和图2B示出了顶发射型有源矩阵OLED装置的示意性截面图，其中滤色器300分别形成在密封构件600的顶表面和底表面上。

此外，滤色器300可以形成在密封构件600的顶表面上，封装膜(encapsulation film)700(见图3A和图3B)可以代替密封构件600来覆盖OLED 200。由于OLED 200易于被湿气或氧劣化，所以封装膜700设置为如上所述地覆盖OLED 200。封装膜700可以由有机或无机材料形成。图3A示出了根据本发明实施例的无源矩阵OLED装置的截面图，图3B示出了根据本发明实施例的有源矩阵OLED装置的截面图，其中封装膜700覆盖OLED 200并且滤色器300形成在封装膜700上。

滤色器300可以由合适的材料并采用合适的方法形成。

参照图2A，将更详细地描述显示区域和OLED 200。

薄膜晶体管(TFT)设置在基板110的显示区域中。首先，由SiO₂等形成的缓冲层120形成在基板110上。半导体层130(其可以是非晶硅层或多晶硅层)形成在缓冲层120上。

尽管在图2A中未示出，半导体层130可以包括用掺杂剂掺杂的源极区域、漏极区域和沟道区域。

栅极电极150形成在半导体层130上。根据施加到栅极电极150的信号，源极电极和漏极电极170彼此电相通。考虑到与相邻层的粘附性、层的表面平坦性和/或可加工性，栅极电极150可以由例如MoW、Ag、Cu或A1形成。在一个实施例中，为了确保半导体层130与栅极电极150之间的绝缘性质，由SiO₂和/或类似物形成的栅极绝缘层140可以插设在半导体层130与栅极电极150之间。

层间绝缘层160(其由氧化硅或氮化硅形成为单层或多层结构)形成在栅极电极150上。源极电极和漏极电极170形成在层间绝缘层160上。源极电极和漏极电极170经由分别形成在层间绝缘层160和栅极绝缘层140中的接触孔连接到半导体层130。考虑到导电性，源极电极和漏极电极170可以由Ti、MoW、Ag、Co、Al或类似物形成。源极电极和漏极电极170可以具有单层或多层结构。例如，源极电极和漏极电极170可以具有多层结构，例如Ti-Al-Ti结构。

构成钝化层的第一绝缘层181形成在TFT上以保护TFT。钝化层181可以由各种合适的材料形成，例如由提供优良保护的无机材料，诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅形成。尽管源极电极和漏极电极170在图2A中示出为具有单层结构，它们还可以具有多层结构，其结构可以以各种合适的方式修改。

构成平坦化层的第二绝缘层182形成在第一绝缘层181上。也就是，尽管第二绝缘层182形成在TFT上，其仍具有平的顶表面。为了平坦化的目的，第二绝缘层182可以由有机材料，例如，丙烯醛基(acryl)、苯并环丁烯(benzocyclobutene，BCB)和/或光敏丙烯酸(photoacryl)形成。根据图2A，第二绝缘层182具有单层结构。然而，第二绝缘层182还可以具有多层结构，并且该结构可以以各种合适的方式修改。

图5A到图5C示出了根据本发明实施例的底发射型有源矩阵OLED装置的示意性截面图。参照图5A和图5B，底发射型有源矩阵OLED装置包括设置在第二绝缘层182上的滤色器300。参照图5C，滤色器300还可以形成在基板110上。

滤色器300可以形成在基板110、缓冲层120、栅极绝缘层140、层间绝缘层160、第一绝缘层181和第二绝缘层182上。如果滤色器300设置在光路中，则还可以改变滤色器300的位置。

图4A和图4B示出了根据本发明实施例的底发射型无源矩阵OLED装置的示意性截面图。参照图4A和图4B，滤色器300可以形成在第一电极与基板110的底表面之间的任何位置处，只要它设置在光路中。参照图4A和图4B，OLED 200包括像素电极210、相对电极230以及插设在像素电极210与相对电极230之间的有机层220，且OLED 200可以形成在第三绝缘层183上。这将更详细地描述。在有机层220中，HIL和HTL依次形成，第一蓝色发光层EML1、绿色发光层EML2、红色发光层EML3、第二蓝色发光层EML4和ETL依次堆叠在HTL上。

暴露TFT的源极电极和漏极电极170至少之一的开口可以形成在显示区域的第一绝缘层181和第二绝缘层182中。像素电极210形成在基板110的显示区域中，具体地在第二绝缘层182上，像素电极210接触源极电极和漏极电极170之一以通过开口与TFT电连接。像素电极210可以是透明电极或反射电极。如果像素电极210是透明电极，则可以使用ITO、IZO、ZnO和/或In₂O₃来形成像素电极210。如果像素电极210是反射电极，则它可以包括由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr及其化合物形成的反射层以及由ITO、IZO、ZnO和/或In₂O₃形成的另一层。

参照图2A、图2B和图2C，第三绝缘层183形成在第二绝缘层182上。也就是，第三绝缘层183形成为覆盖第二绝缘层182。第三绝缘层183是像素定义层，其通过形成对应于子像素的开口来定义像素，也就是，形成开口以暴露像素电极210的至少一部分(例如，中心)或者整个像素电极210。参照图2A，通过采用第三绝缘层183来增大像素电极210的端子与相对电极230之间的距离，可以阻止在像素电极210的端部处产生弧形。

OLED 200的有机层220具有如上所述的结构。

相对电极230设置在有机层220上，也就是在显示区域中。参照图2A，相对电极230可以形成为覆盖显示区域。相对电极230构造为延伸到显示区域之外，以接触形成在显示区域外部上的电极电源线并且接收来自电极电源线的电信号。也就是，在一个实施例中，相对电极230延伸到基板110的显示区域之外并形成在通过第三绝缘层183暴露的电极电源线和第三绝缘层183上。

相对电极230可以是透明电极或反射电极。如果相对电极230是透明电极，它可以具有由低功函数的金属(例如Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg及其化合物)形成的层以及由ITO、IZO、ZnO和/或In₂O₃形成的透明导电层。如果相对电极230是反射电极，可以使用Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg及其化合物来形成相对电极230。相对电极230还可以由其它合适的材料形成并具有单层或多层结构。

在下文，将参照下面的示例更详细地描述本发明的一个或多个实施例。然而，这些示例并不旨在限制本发明的用途和范围。

示例1

康宁(Corning)15Ω/cm²(

)ITO玻璃基板被切割成大小为50mmx 50mm x 0.7mm的片。然后，每片在异丙醇和去离子水中超声清洗五分钟，然后该片被暴露到紫外线和UV臭氧清洗10分钟。玻璃基板的片被安装在真空沉积设备中。

NPD被真空沉积在基板上以形成HIL。TPD沉积在HIL上以形成HTL。构成主体的4，4’-N，N’-二咔唑-联苯(4，4’-N，N’-dicarbazole-biphenyl)以及构成深蓝色掺杂剂的二苯基-4-[2-(1，1’-；4’，1”-三联苯-4”-基)-乙烯基苯基]胺(diphenyl-4-[2-(1，1’-；4’，1”-terphenyl-4”-yl)-vinylphenyl]amine)(其化学式如下)沉积在HTL上以形成具有8nm的厚度的第一蓝色发光层。

构成主体的4，4’-N，N’-二咔唑-联苯(4，4’-N，N’-dicarbazole-biphenyl，CBP)以及构成掺杂剂的面-三-(2-苯基吡啶-N，C2)铱(III)(fac-tris-(2-phenylpyridinato-N，C2)iridium-III，Ir(ppy)₃)沉积在第一蓝色发光层上以形成具有7nm的厚度的绿色发光层。

构成主体的4，4’-N，N’-二咔唑-联苯(4，4’-N，N’-dicarbazole-biphenyl，CBP)以及4-(二氰基亚甲基)-2-t-叔丁基-6-(1，1，7，7-四甲基久洛里定基-9-烯基)-4H-吡喃)(4-(dicyanomethylene)-2-t-butyl-6-(1，1，7，7-tetramethyljulolidyl-9-enyl)-4H-pyran，DCJTB)沉积在绿色发光层上以形成具有20nm的厚度的红色发光层。

构成主体的二-苯乙烯基-胺(Di-styryl-amine)以及作为天蓝色掺杂剂的对-双-对-N，N-二苯基氨基苯乙烯基-苯(p-bis-p-N，N-diphenylaminostyryl-benzene，DPAVBi)沉积在红色发光层上以形成具有5nm的厚度的第二蓝色发光层。

DPAVBi

Alq₃被真空沉积在第二蓝色发光层上以形成ETL，Al被真空沉积在ETL上到120nm的厚度以形成阴极，从而完成OLED的制造。

比较例1

OLED以与示例1相同(或基本相同)的方式制备，除了ETL形成在红色发光层上而不将第二蓝色发光层堆叠在红色发光层上之外。

测试了根据示例1和比较例1制备OLED的蓝光发射效率、功率效率(power efficiency)、工作电压和色坐标，结果在以下的表1中示出。此外，示例1和比较例1的OLED的EL发射谱在图6中示出。

表1

	示例1	比较例1
	示例1	比较例1	工作电压(V)	5.79	6.06
电流密度(mA/cm²)	6.853	9.532	工作电压(V)	5.79	6.06
电流密度(mA/cm²)	6.853	9.532	亮度(cd/m²)	1000	1000
发射效率(Cd/A)	14.77	10.50	亮度(cd/m²)	1000	1000
发射效率(Cd/A)	14.77	10.50	功率效率(lm/W)	8.05	5.45
色坐标(x)	0.32	0.30	功率效率(lm/W)	8.05	5.45

参照图6和表1，与比较例1的OLED相比，根据示例1制备的OLED的蓝光发射效率、工作电压、功率效率和色坐标更好。

如上所述，根据本发明的一个或多个以上实施例，通过增大蓝光发射效率，可以获得具有优良的色彩重现率、色坐标和寿命的多个发光层的白色OLED。

尽管已经结合特定示范性实施例对本发明进行了描述，但是应当理解，本发明不限于公开的实施例，而是相反地，旨在覆盖包括在权利要求书及其等同物的精神和范围内的各种修改和等同布置。

本申请要求于2008年12月26日提交到韩国知识产权局的韩国专利申请No.10-2008-0134984的权益，其全部内容在此引用以作参考。

Claims

1.一种有机发光装置，包括：

基板；

第一电极，在所述基板上；

第二电极，面对所述第一电极；

第一蓝色发光层、绿色发光层、红色发光层以及第二蓝色发光层，都插设在所述第一电极与所述第二电极之间；以及

滤色器，设置在从发光层发射的光的路径中，

其中所述第一蓝色发光层包括深蓝色掺杂剂，并且

所述第二蓝色发光层包括天蓝色掺杂剂。

2.如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述第一蓝色发光层还包括蓝色主体，其中所述深蓝色掺杂剂的量基于100重量份的所述蓝色主体在约2重量份到约10重量份之间。

3.如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述第二蓝色发光层还包括蓝色主体，其中所述天蓝色掺杂剂的量基于100重量份的所述蓝色主体在约2重量份到约10重量份之间。

4.如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述第一蓝色发光层、所述绿色发光层、所述红色发光层和第二蓝色发光层依次堆叠在所述第一电极与所述第二电极之间。

5.如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述深蓝色掺杂剂包括：4’-N，N-二苯基氨基苯乙烯基-三苯基(4’-N，N-diphenylaminostyryl-triphenyl，DPA-TP)；2，5，2’，5’-四苯乙烯基-联苯(2，5，2’，5’-tetrastyryl-biphenyl，TSB)；蒽衍生物；和/或二苯基-4-[2-(1，1’-；4’，1”-三联苯-4”-基)-乙烯基苯基]胺(diphenyl-4-[2-(1，1’-；4’，1”-terphenyl-4”-yl)-vinylphenyl]amine)。

6.如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述天蓝色掺杂剂包括对-双(对-N，N’-二苯基-氨基苯乙烯基)苯(p-bis(p-N，N’-diphenyl-aminostyryl)benzene)和/或苯基环戊二烯。

7.如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述第一蓝色发光层具有在约5nm到约10nm之间的厚度。

8.如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述第二蓝色发光层具有在约5nm到约7nm之间的厚度。

9.如权利要求1所述的有机发光装置，还包括在所述第一电极与所述第一蓝色发光层之间的空穴注入层或空穴输运层至少之一。

10.如权利要求1所述的有机发光装置，还包括在所述第二蓝色发光层与所述第二电极之间的电子输运层和电子注入层。

11.如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述有机发光装置是顶发射型有机发光装置，所述有机发光装置用封装膜涂覆，并且所述滤色器在所述封装膜上。

12.如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述有机发光装置是顶发射型有机发光装置，该有机发光装置包括在所述第二电极上的封装基板，其中所述滤色器在所述第二电极与所述封装基板之间。

13.如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述有机发光装置是顶发射型有机发光装置，该有机发光装置包括在所述第二电极上的封装基板，其中所述滤色器在所述封装基板的不与所述第二电极接触的表面上。

14.如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述有机发光装置是底发射型有机发光装置，并且其中所述滤色器在所述基板与所述第一电极之间。

15.一种有机发光装置，包括：

第一电极；

第一蓝色发光层，在所述第一电极上；

非蓝色发光层，在所述第一蓝色发光层上；

第二蓝色发光层，在所述非蓝色发光层上；

第二电极，在所述第二蓝色发光层上；以及

滤色器，设置在从发光层发射的光的路径中，

其中所述第一蓝色发光层包括深蓝色掺杂剂，并且

所述第二蓝色发光层包括天蓝色掺杂剂。

16.如权利要求15所述的有机发光装置，其中所述非蓝色发光层包括绿色发光层和红色发光层。

17.一种有机发光装置，包括：

第一电极；

深蓝色发光层，在所述第一电极上；

绿色发光层，在所述深蓝色发光层上；

红色发光层，在所述绿色发光层上；

天蓝色发光层，在所述红色发光层上；

第二电极，在所述天蓝色发光层上；以及

滤色器，设置在从发光层发射的光的路径中。