CN101728242A - 衬底处理设备 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 98
- 238000012545 processing Methods 0.000 title abstract description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 30
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 28
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 23
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 19
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 14
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 14
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 14
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 30
- 239000010408 film Substances 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 11
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 6
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 4
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 2
- 230000007306 turnover Effects 0.000 description 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009530 blood pressure measurement Methods 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68792—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the construction of the shaft
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
本发明提供一种衬底处理设备,其经设计以防止旋转的旋转轴的摆动。所述衬底包含旋转轴及连接部件。单元安置于所述旋转轴与所述连接部件之间以使所述旋转轴与所述连接部件彼此密切接触或单元安置于所述旋转轴下方以防止所述旋转轴的所述摆动。
Description
技术领域
本发明涉及一种衬底处理设备,且更明确地说涉及一种经配置以防止支撑衬底坐落部分的旋转轴在所述旋转轴旋转时的摆动。
背景技术
一般来说,为制造半导体装置、显示装置及薄膜太阳能电池,执行用于在衬底上沉积特定材料的薄膜的薄膜沉积工艺、用于使用光致抗蚀剂材料来暴露或掩蔽薄膜的选定区域的光刻工艺、用于通过移除选定或未选区域来图案化薄膜的蚀刻工艺。在通过抽真空优化的衬底处理设备中执行薄膜沉积工艺及蚀刻工艺。
然而,最近随着衬底大小的增加,在所述衬底的表面上均匀地喷射工艺气体变得较困难。因此,存在形成于半导体装置上的膜的均匀性劣化的问题。根据相关技术,为解决此问题,已在使半导体衬底旋转的同时在所述半导体衬底上沉积薄膜,借此改进所述薄膜厚度的均匀性。
在这一点上,通过将所述衬底安置在衬底坐落部分上并将所述衬底坐落部分连接到旋转轴来执行所述衬底的旋转。另外,所述旋转轴靠从外部驱动电动机施加的旋转力而旋转。
O形环用于所述旋转轴与所述驱动电动机之间的连接部分。然而,所述O形环在其使用达较长时间时快速地被磨损,且当其暴露于高温时快速地劣化。因此,存在当由所述衬底坐落部分产生的热通过所述旋转轴传送到所述O形环时可损坏所述O形环的问题。当损坏所述O形环时,所述衬底坐落部分不是水平旋转而是以摆动状态旋转。此致使沉积在所述衬底上的薄膜的厚度的均匀性劣化。
发明内容
本发明提供一种衬底处理设备,其通过在旋转轴与轴之间插入辅助部件来增强当将支撑衬底坐落部分并使所述支撑衬底坐落部分旋转及上下移动的旋转轴插入到所述轴中且连接到中心轴时所述旋转轴与所述轴之间的耦合力。
本发明还提供一种衬底处理设备,其通过在旋转轴的下部部分上形成凹陷部分及在辅助部件上形成插入于所述凹陷部分中的耦合部分来增强所述旋转轴与轴之间的耦合力。
本发明还提供一种衬底处理设备,其通过采用在结构上不同于已在相关技术中使用的O形环的耦合单元以防止旋转轴的摆动(即,旋进运动)来改进沉积于衬底上的薄膜的均匀性。
本发明还提供一种衬底处理设备,其通过安装用于维持旋转轴上的中心的对准帽以防止所述旋转轴的摆动(即,旋进运动)来改进沉积于衬底上的薄膜的均匀性。
根据实例性实施例,一种衬底处理设备包含:室,其具有反应空间;衬底坐落部分,其位于所述反应空间中;及旋转轴部分,其包含连接到所述衬底坐落部分的下部中心区域的旋转轴、所述旋转轴的一端以固定方式插入于其中的连接部件及使所述旋转轴与连接轴彼此紧密耦合的接触部件。
所述接触部件可包含管形接触本体及提供于所述接触本体的上部区域及下部区域中的至少一者中的弹性部分。所述旋转轴可由石英形成,所述连接部件可由SUS材料形成且所述接触部件可由与所述连接部件相同的材料形成。
所述弹性部分可以是通过将所述接触本体的所述上部区域及所述下部区域中的至少一者沿长度方向切割成多个切割区段并将所述接触本体的所述切割区段弯曲至少一次而形成的。
所述接触部件可位于所述连接部件的上部区域处且所述旋转轴部分可包含使所述连接部件与所述旋转轴在所述连接部件的下部区域处彼此紧密耦合的辅助部件。
所述接触部件可包含:接触本体;第一弹性部分,其形成于所述接触本体的上部区域上且使所述旋转轴与所述连接部件在所述连接部件的上部区域处彼此紧密耦合;及第二弹性部分,其形成于所述接触本体的下部区域上且使所述旋转轴与所述连接部件在所述连接部件的下部区域处彼此紧密耦合。
所述接触部件可包含:第一接触部件,其使所述旋转轴与所述连接部件在所述连接部件的上部区域处彼此紧密耦合;及第二接触部件,其使所述旋转轴与所述连接部件在所述连接部件的下部区域处彼此紧密耦合。
所述旋转轴部分可包含:中心本体,其以环形状形成;及定心本体,其具有向下倾斜且位于所述中心本体上的帽倾斜表面,其中与所述旋转轴紧密接触的定心帽可提供于所述帽倾斜表面上。
所述定心本体可包含:至少一个第一定心本体,其具有从外侧向内侧倾斜的第一帽倾斜表面;及至少一个第二定心本体,其具有从内侧向外侧倾斜的第二帽倾斜表面,其中对应于所述帽倾斜表面的轴倾斜表面可提供于所述旋转轴的一端处。
所述旋转轴可包含上部支撑部分、在所述上部支撑部分下方的下部支撑部分及在所述上部支撑部分与所述下部支撑部分之间的倾斜支撑部分,其中所述旋转轴在所述倾斜支撑部分的区域中可包含从上部部分向下部部分逐渐减小的外径。
所述衬底处理设备可进一步包含安置于所述旋转轴与所述连接部件之间的辅助部件,其中所述辅助部件可包含与所述上部支撑部分接触的上部辅助部分、与所述下部支撑部分接触的下部辅助部分、与所述倾斜支撑部分接触的倾斜辅助部分及接触所述旋转轴的下部部分的最终辅助部分。
所述旋转轴可包含提供于所述旋转轴的下部部分上的凹陷部分且所述辅助部件可包含插入且耦合到所述凹陷部分中的耦合部分。
至少一个O形环可用作所述接触部件或所述接触部件可包含以管形状形成的接触本体及提供于所述接触本体的上部部分及下部部分中的至少一者上的弹性部分,其中当所述O形环可用作所述接触部件时,所述O形环可包含安置于所述连接部件与所述旋转轴之间的第一O形环及安置于所述辅助部件与所述旋转轴之间的第二O形环。
根据另一实例性实施例,一种衬底处理设备包含:室,其具有反应空间;衬底坐落部分,其位于所述反应空间中;及旋转轴部分,其包含连接到所述衬底坐落部分的下部中心区域的旋转轴、所述旋转轴的一端以固定方式插入于其中的连接部件以及包含环形中心本体及定心本体的定心帽,所述定心本体位于所述中心本体上且具有向下倾斜的帽倾斜表面,其中所述旋转轴密切接触所述帽倾斜表面。
所述定心本体可包含从所述中心本体的外表面延伸的侧壁表面及从所述侧壁表面的一端朝向所述中心本体的上部表面向下倾斜的帽倾斜表面;对应于所述帽倾斜表面的轴倾斜表面可提供于所述旋转轴的一端处;所述旋转轴可由石英形成;且所述连接部件可由SUS材料形成。
所述衬底处理设备可进一步包含使所述连接部件紧密耦合到所述旋转轴的接触部件,其中O形环可用作所述接触部件或所述接触部件可包含管形接触本体及提供于所述接触本体的上部部分及下部部分中的至少一者上的弹性部分。
所述弹性部分可以是通过将所述接触本体的所述上部部分及所述下部部分中的至少一者沿长度方向切割成多个切割区段并将所述接触本体的所述切割区段弯曲至少一次而形成的。
根据又一实例性实施例,一种衬底处理设包含:衬底坐落部分,其位于反应空间中;及旋转轴部分,其包含连接到所述衬底坐落部分的下部中心区域的旋转轴、所述旋转轴的一端以固定方式插入于其中的连接部件、使所述旋转轴与连接轴彼此紧密耦合的接触部件及安置于所述旋转轴与所述连接部件之间的辅助部件,其中所述旋转轴包含邻近于所述连接部件的上部侧的上部支撑部分、在所述上部支撑部分下方的下部支撑部分及在所述上部支撑部分与所述下部支撑部分之间的倾斜支撑部分,其中所述旋转轴在所述倾斜支撑部分的区域中具有向下逐渐减小的直径。
所述辅助部件可包含与所述上部支撑部分接触的上部辅助部分、与所述下部支撑部分接触的下部辅助部分、与所述倾斜支撑部分接触的倾斜辅助部分及与所述旋转轴的下部部分接触的最终辅助部分。
所述旋转轴可包含提供于所述旋转轴的下部部分上的凹陷部分且所述辅助部件可包含插入且耦合到所述凹陷部分中的耦合部分。
根据再一实例性实施例,一种衬底处理设备包含:衬底坐落部分,其位于反应空间中;及旋转轴部分,其包含连接到所述衬底坐落部分的下部中心区域的旋转轴、所述旋转轴的一端以固定方式插入于其中的连接部件、使所述旋转轴与连接轴彼此紧密耦合的接触部件,所述接触部件包含管形接触本体及提供于所述接触本体的上部部分及下部部分中的至少一者上的弹性部分。
所述旋转轴可由石英形成,所述连接部件可由SUS材料形成,且所述接触部件可由与所述连接部件相同的材料形成,其中所述弹性部分可以是通过将所述接触本体的上部区域及下部区域中的至少一者沿长度方向切割成多个切割区段并将所述接触本体的所述切割区段弯曲至少十次而形成的。
根据尚一实例性实施例,一种衬底处理设备包含:衬底坐落部分,其位于反应空间中;及旋转轴部分,其包含连接到所述衬底坐落部分的下部中心区域的旋转轴、所述旋转轴的一端以固定方式插入于其中的连接部件以及包含环形中心本体及定心本体的定心帽,所述定心本体位于所述中心本体上且具有向下倾斜的帽倾斜表面,其中所述旋转轴密切接触所述帽倾斜表面。
所述衬底处理设备可进一步包含向所述旋转轴部分施加旋转力的驱动单元,其中所述旋转轴可由石英形成,所述连接部件可由SUS材料形成,且对应于所述帽倾斜表面的轴倾斜表面可提供于所述旋转轴的一端处。
附图说明
依据以下结合附图进行的说明可更详细地理解实例性实施例,附图中:
图1是根据实例性实施例的衬底处理设备的示意图;
图2是图1的衬底处理设备的波纹管部分的横截面图;
图3及4是图1的衬底处理设备的旋转轴的局部透视图;
图5是图1的衬底处理设备的辅助部件的部分剖面透视图;
图6是图1的衬底处理设备的轴的部分剖面透视图;
图7是图1的衬底处理设备的最终部件的透视图;
图8及9是图2的波纹管部分的经修改实例的局部横截面图;
图10是根据另一实例性实施例的衬底处理设备的横截面图;
图11是图10的衬底处理设备的旋转轴部分的分解横截面图;
图12是图10的衬底处理设备的旋转轴部分的示意性分解图;
图13是图12的旋转轴部分的透视图;
图14及15是图11及12的旋转轴部分的经修改实例的横截面图;
图16是根据又一实施例的衬底处理设备的横截面图;
图17是图16的衬底处理设备的旋转轴部分的示意性分解图;
图18是图17的旋转轴部分的对准帽的分解透视图;
图19是图17的旋转轴部分的横截面图;且
图20及21分别是图17及19的旋转轴部分的经修改实例的分解图及横截面图。
具体实施方式
下文将参照附图详细地描述具体实施例。然而,本发明可以不同形式体现且不应将本发明视为局限于本文中所阐述实施例。而是,提供这些实施例旨在使本发明透彻及完整,且将本发明的范围全面地传达给所属领域的技术人员。通篇中相同的编号指代相同的元件。
图1是根据实例性实施例的衬底处理设备的示意图,图2是图1的衬底处理设备的波纹管部分的横截面图,图3及4是图1的衬底处理设备的旋转轴的局部透视图,图5是图1的衬底处理设备的辅助部件的部分剖面透视图,图6是图1的衬底处理设备的轴的部分剖面透视图,且图7是图1的衬底处理设备的最终部件的透视图。
参照图1,根据实例性实施例的衬底处理设备包含:室112;门阀116,其安装于室112的侧表面上且衬底114通过其进出;出口118,气体通过其从室112中排放出;衬底坐落部分120,衬底114安装于其上;边缘环130,其安装于衬底坐落部分120的外周上;以及上部加热单元及下部加热单元122及128,其分别安装于室112的上部部分及下部部分处以加热衬底114。
在下部穹顶126中,倾斜平面158经形成以从室112的外围延伸到接近旋转轴132的一部分且下部加热单元128经安装以将室112的下部部分划分成内部区域140及外部区域142。下部加热单元128包含安装于内部区域140中的第一下部加热单元152及安装于外部区域142中的第二下部加热单元154。第一下部加热单元152包含:多个第一灯144,其围绕旋转轴132沿径向安置于内部区域140中;及多个第一相应板146,其安装于第一灯144下方及第一灯144的侧表面上。第二下部加热单元154包含:多个第二灯148,其围绕旋转轴132沿径向安置于外部区域142中;及多个第二相应板150,其安装于第二灯146下方及第二灯146的侧表面上。
在所述衬底处理设备中,除旋转轴132以外,还形成驱动单元134及磁性密封件156。旋转轴132支撑衬底114并使衬底114上下移动。驱动单元134连接到旋转轴132以驱动旋转轴132,且当旋转轴132旋转并上下移动时磁性密封件156以气密方式密封室112。旋转轴132包含支撑衬底坐落部分120的中心的中心支撑轴及支撑衬底坐落部分120的外围部分的多个外围支撑轴。
室112划分成上部区域及耦合到所述上部区域的下部区域。所述上部区域及所述下部区域分别由上部穹顶及下部穹顶124及126界定。上部穹顶及下部穹顶124及126中的每一者具曲线平面。上部加热单元及下部加热单元122及128分别安装于室112的上部部分及下部部分处以使室112的内部温度保持较高。具有RF电极(未显示)的钟罩加热器用作上部加热单元122且灯加热器用作下部加热单元128。
下部穹顶126具备:倾斜平面158,其界定室112的底表面;及通孔160,旋转轴132穿过其。穿过通孔160的旋转轴132连接到位于磁性密封件156上的中心轴(未显示)。所述中心轴连接到驱动单元134以驱动旋转轴132。波纹管162安装于通孔160的下部部分与磁性密封件156之间以在旋转轴132上下移动时保持室112的气密性。
用于测量衬底坐落部分120的温度的热电偶164构建于旋转轴132的中心孔180中。热电偶164连接到位于磁性密封件156的下部部分上的端子164以测量位于室112中的衬底坐落部分120的温度。由于旋转轴132由石英形成,因此其不可直接连接到由例如不锈钢的金属形成的中心轴。因此,旋转轴132通过连接部件固定于由例如不锈钢的金属形成的圆柱形轴166上且轴166连接到所述中心轴。
图2是详细地图解说明插入且耦合到波纹管62中的轴166中的旋转轴132的横截面图。图3是图解说明旋转轴132的透视图。图4是详细地图解说明旋转轴132的下部部分的透视图。图5是详细地图解说明辅助部件174的内部结构的剖面透视图且图6是详细地图解说明轴166的内部结构的剖面透视图。图7是最终部件915的透视图。下文将参照图2到7详细地描述耦合到轴166的旋转轴132。
参照图2,热电偶164构建于形成于旋转轴132的中心部分中的第一中心孔180中且上部凹槽及下部凹槽168及170分别沿对应于轴166的旋转轴132的上部部分及下部部分的外周形成。为在旋转轴132耦合到轴166中时维持室1112的气密,将上部O形环及下部O形环171及172插入到上部凹槽及下部凹槽168及170中。
如图2到4中所图解说明,对应于轴166的支撑部件166具有在其从上部部分去往下部部分时逐渐减小的直径。耦合到轴166且以圆柱形形状形成的旋转轴132具有:上部支撑部分175,其具有第一外径;下部支撑部分176,其具有小于所述第一外径的第二外径;及倾斜支撑部分178,其位于上部支撑部分与下部支撑部分175与176之间且具有倾斜平面及向下逐渐减小的外径。与倾斜支撑部分178一样,下部支撑部分176可经设计使得其直径向下逐渐减小。
如图2及6中所图解说明,轴166包含:圆柱形主体194;突出部分196,其位于主体194的下部部分上且耦合到所述中心轴;及圆柱形内部空间198,其形成于所述主体中且旋转轴132插入于其中。
旋转轴132、上部O形环及下部O形环171及172以及辅助部件174插入于轴166的内部空间198中。在轴166中,内部空间198从上部部分延伸到突出部分196位于其中的下部部分。内部空间198的直径是均匀的。为增加内部空间198的面积,内部空间198可经形成使得其内径向下逐渐增加以形成倾斜。
如图2中所图解说明,旋转轴132的上部部分耦合到轴166而上部O形环171间置于其之间。旋转轴132的从上部O形环171降低1cm到3cm的一部分耦合到轴166而辅助部件174及下部O形环172间置于其之间。插入于轴166与旋转轴132之间所界定的空间中的辅助部件174包含对应于上部支撑部分175的上部辅助部分184、对应于倾斜支撑部分178的倾斜辅助部分186、对应于下部支撑部分176的下部辅助部分188及最终辅助部分190,所述最终辅助部分接触旋转轴132的底表面且具备热电偶164穿过其的第二中心孔192。辅助部件174由特氟龙(Teflon)形成。
下部O形环172间置于辅助部件174的下部辅助部分188与旋转轴132的下部支撑部分176之间。另外,轴166的下部部分耦合到盘形最终部件185,使得其耦合到突出部分196并遮蔽辅助部件174。第三中心孔200穿过最终部件185的中心部分形成。热电偶164穿过第三中心孔200。最终部件195由不锈钢形成。
根据以下过程给轴166组装旋转轴132。在第一步骤中,将上部O形环及下部O形环171及172分别安装于沿上部支撑部分及下部支撑部分175及176的外周形成的上部凹槽及下部凹槽168及170中。在第二步骤中,将旋转轴132插入到辅助部件174中。在旋转轴132及辅助部件174中,虽然上部支撑部分175密切接触辅助部件174的上部辅助部分184,但下部支撑部分176及下部辅助部分188并不密切接触下部O形环172。最终辅助部分190密切接触旋转轴132的下部部分。
在第三步骤中,将辅助部件174以及上部O形环及下部O形环171及172安装于其上的旋转轴132插入到轴166的内部空间198中。穿过内部空间198的辅助部件174与轴166的底表面共面。上部支撑部分175及轴166彼此耦合而上部O形环171间置于其之间。在内部空间198中,上部O形环171与上部辅助部分184间隔开1cm到3cm。当在室112中执行工艺时,将高温内部气体传送到波纹管162中且因此由特氟龙形成的辅助部件174未暴露于所述内部气体。
参照图2,辅助部件174位于轴166与旋转轴132之间且不直接暴露于内部气体。然而,不直接暴露于所述内部气体的上部O形环171的温度增加。因此,为使上部辅助部分184不受高温内部气体的影响,可使上部辅助部分184与上部O形环171间隔开1cm到3cm。在第四步骤中,使用螺栓将轴166的突出部分196耦合到最终部件195。在第五步骤中,将轴166的突出部分196耦合到下中心轴(未显示)。
如上文所描述,由于轴166及旋转轴132接触上部O形环及下部O形环171及172而辅助部件174间置于其之间且轴166与辅助部件174之间的接触表面以及旋转轴132与辅助部件174之间的接触表面扩大,因此当旋转轴132旋转时抵抗旋转力的摩擦力增加。因此,轴166及旋转轴132可较紧固地彼此耦合。另外,在旋转轴132的下部支撑部分176处,轴166密切接触辅助部件174的下部辅助部分188但下部辅助部分188因下部O形环172而并不密切接触下部支撑部分176。因此,为改进旋转轴132与辅助部件174之间的接触性质,减小下部支撑部分176及下部辅助部分188中的一者的宽度。或者,旋转轴132可经设计而具有其直径向下逐渐减小的多个阶梯且辅助部件174经设计以对应于此旋转轴132。
如图3到5中所图解说明,为改进旋转轴132与辅助部件174之间的接触性质,在旋转轴132的下部部分上形成凹陷部分182且在辅助部件174的最终辅助部分190上形成可插入且耦合到凹陷部分182中的耦合部分197。如图4中所图解说明,凹陷部分182按照直线形状形成,穿过旋转轴132的中心部分。然而,凹陷部分182可以十字形状或类似形状形成。插入到凹陷部分182中的耦合部分197经设计而具有搭扣配合结构,使得凹陷部分182与耦合部分197之间不存在间隙。
如图2及6中所图解说明,轴166的内部空间184具有贯穿其长度为均匀的内径。然而,为增加辅助部件174与界定内部空间184的表面之间的接触面积,内部空间184的内径可向下逐渐增加或具备其内径向下逐步增加的多个阶梯。辅助部件174还具有对应于内部空间184的形状的外部形状,使得外径向下逐步增加以与内部空间184密切接触。
根据实例性实施例的经修改实例,如图8中所图解说明,上部O形环171插入到上部凹槽168中且旋转轴132的上部部分耦合到轴166的内部分。另外,具有沿下部辅助部分188的内周突出的突出部210的辅助部件174插入到下部凹槽170中且轴166耦合到旋转轴132的下部部分。如图8中所图解说明,当轴166与旋转轴132彼此耦合时,旋转轴132与辅助部件174之间由于下部O形环172而不存在间隔。因此,可进一步增强旋转轴132与辅助部件174之间及辅助部件174与轴166之间的接触性质。
此外,如图9中所图解说明,轴166与旋转轴132彼此耦合而辅助部件174间置于其之间,但未在旋转轴132上形成下部凹槽且未在辅助部件188上形成突出部210。即使当如图9中所图解说明旋转轴132耦合到轴166时,辅助部件174与旋转轴132之间也不会因如图8中的下部O形环172而形成间隙。因此,可进一步增强旋转轴132与辅助部件174之间及辅助部件174与轴166之间的接触性质。
本发明不限于上述实例性实施例。可不同地修改所述衬底处理设备。也就是说,可提供改良所述轴与所述旋转轴之间的接触性质且耐高温的接触部件。下文将描述包含下部结构的衬底处理设备,所述下部结构具有包含所述接触部件的旋转轴部分。在下文描述中,将不再描述与前述实施例相同的构件。另外,下文实例性实施例的特征可应用于前述实例性实施例。不用说,前述实例性实施例的特征也可应用于下文实例性实施例。
图10是根据另一实例性实施例的衬底处理设备的横截面图,图11是图10的衬底处理设备的旋转轴部分的分解横截面图,图12是图10的衬底处理设备的旋转轴部分的示意性分解图,图13是图12的旋转轴部分的透视图,且图14及15是图11及12的旋转轴部分的经修改实例的横截面图。
参照图10到13,此实例性实施例的衬底处理设备包含:室1100,其具有内部反应空间;衬底坐落部分1200,衬底110在室1100中安置于其上;下部加热单元1300,其位于室1100下方以加热所述反应空间;旋转轴部分1400,其耦合到衬底坐落部分1200且延伸;及驱动单元1500,其向旋转轴部分1400施加旋转力。
如图10中所图解说明,所述衬底处理设备可进一步包含上部加热单元1600,所述上部加热单元位于室1100上方以加热所述反应空间。虽然未在图式中显示,但可在所述反应空间中提供产生等离子的等离子产生单元。
室1100包含界定内部空间的室本体1110以及上部穹顶1120及下部穹顶1130。
室本体1110以圆柱形形状形成,具有敞开的顶部及底部。然而,本发明并不限于此。也就是说,室本体1110可以多边形箱形状形成。室本体1110可至少部分地由金属形成。在此实例性实施例中,室本体1110由铝或不锈钢形成。在这一点上,室本体1110用作界定室1100的内部空间的侧壁。虽然未在图式中显示,但室本体1110可具备:衬底入口/出口部分,所述衬底可通过其进出室1100;及气体供应孔,用于向所述室供应反应气体的气体供应单元连接到其。此处,所述衬底入口/出口部分可以是前述实例性实施例中所描述的门阀。
上部穹顶1120用作室本体1110的上部盖(即,室1100的顶壁)。下部区域(即,所述穹顶的外围区域)附接到室本体1110的顶壁以密封所述反应空间的上部区域。在这一点上,上部穹顶1120可以可拆卸方式附接到室本体1110是有效的。
上部穹顶1120由高热传导材料形成以将由上部加热单元1600产生的热有效地传送到所述反应空间。也就是说,上部穹顶1120可由可将辐射热有效地传送到所述反应空间的高光透射板(例如,石英)形成。因此,在室1100的反应空间中朝向上部穹顶1120传导的辐射热可穿过上部穹顶1120。穿过上部穹顶1120的辐射热由上部加热单元1600反射并通过上部穹顶1120传送到所述反应空间。然而,本发明并不限于此。也就是说,上部穹顶1120可由陶瓷材料形成。
上部穹顶1130用作室本体1110的下部盖(即,室1100的底壁)。下部穹顶1130附接于室本体1110的底壁上以密封所述反应空间的下部区域。
下部穹顶1130由光透射板形成。因此,将由位于室1100的外侧处的下部加热单元1300产生的辐射热传送到室1100的反应空间是有效的。在此实例性实施例中,下部穹顶1130由石英形成是有效的。因此,下部穹顶1130用作窗口。不用说,下部穹顶1130的一部分由光透射板形成且其余部分由在热传导性上并不优越的非透射板形成也是可能的。
如图10中所图解说明,下部穹顶1130包含向下倾斜的倾斜底板1131及从底板1131的中心部分向下延伸的延伸管道1132。底板1131以倒锥形状形成,具有敞开的顶部及底部。
如上文所描述,通过组装室本体1110、上部穹顶1120及下部穹顶1130来制造其中具有反应空间的室1100。可进一步安装压力调节单元、压力测量单元及用于检查所述室的内侧的各种装备。另外,可提供视口,用户可通过所述视口观察所述室的内侧。可进一步提供用于将杂质及未反应材料从所述室中排放出的排放单元。
如图10中所图解说明,下部加热单元1300包含至少一个灯加热器1310、用于向灯加热器1310供应电力的电源单元1320及用于将灯加热器1310固定于室1100的下部区域上的支撑单元1330。
灯加热器1310可以灯泡或圆形带的形式提供。在此实例性实施例中,多个灯加热器1310安置于中心区域及外围区域处。在这一点上,如图10中所图解说明,安置于所述中心区域处的灯加热器1310可布置在比安置于所述外围区域处的灯加热器1310低的区域处。为此目的,支撑单元1330可形成有阶梯。通过支撑单元1330将电源单元1320的电力供应到灯加热器1310。因此,在支撑单元1330的侧处提供灯加热器1310耦合到的插座是有效的。另外,支撑单元1330可用作上述反射板。为此目的,反射材料可涂覆在支撑单元1330上或支撑单元1330由在反射率上优越的材料形成是有效的。
如上文所描述,在此实例性实施例中,灯加热器1310安置于由石英形成的下部穹顶1130下方。因此,通过下部穹顶1130将灯加热器1310的辐射热传送到室1100的反应空间。在这一点上,仅下部穹顶1130的邻近于灯加热器1310的一部分可由石英形成。
在此实例性实施例中,上部加热单元1600安置于所述室的上部区域处。因此,室110的内部空间可由上部加热单元1600均匀地加热。另外,可防止通过室1100的上部部分的热损失。另外,上部加热单元1600可安置于衬底110上以向衬底110直接供应热能。因此,通过使用具有电热源的上部加热单元1600,可向衬底110供应其温度不会突然改变的热且因此可防止可由突然温度改变引起的对衬底110的损坏。
上部加热单元1600以杯形状形成,覆盖室1100的上部穹顶1120。可在上部加热单元1600的内表面上形成反射涂层,使得可减少通过下部加热单元1300的辐射能量损失。
另外,虽然未在图式中显示,但可通过对多个板进行堆栈来形成上部加热单元1600。在这一点上,可在所述板之间安置热绝缘材料或可在所述板之间形成冷却通路。可进一步提供用于保护室1100免遭外部冲击的分离保护板。
如上文所描述,室1100的内部空间可通过在室110下方的下部加热单元1300及在室1100上方的上部加热单元1600来维持工艺温度。
另外,在室1100的内部空间中提供用于支撑衬底110的衬底坐落部分1200。
衬底坐落部分1200包含基座。在这一点上,所述基座以与衬底110几乎相同的板形状形成是有效的。衬底坐落部分1200由在热传导性上优越的材料形成也是有效的。衬底坐落部分1200具有至少一个衬底坐落区域,使得至少一个衬底110可安置于衬底坐落部分1200上。
在此实例性实施例中,提供支撑室1100的反应空间中的衬底坐落部分120并使其旋转的旋转轴部分1400。
如图11及12中所图解说明,旋转轴部分1400包含:旋转轴1410,其耦合到衬底坐落部分1200的下部中心区域;多个支撑轴1410,其延伸到旋转轴1410的上部部分处的衬底坐落部分120的外围区域以支撑衬底坐落部分1200的所述外围部分;轴1430,旋转轴1410的一端以固定方式插入于其中;接触部件1440,其使旋转轴1410与轴1430彼此密切接触;及辅助部件1450,其提供于所述轴的下部部分处以支撑旋转轴1410。
在此实例性实施例中,旋转轴1410以中空管的形式提供且由石英形成。
为使用此实例性实施例的衬底处理设备在所述衬底上沉积薄膜,所述室的内侧环境必须为清洁的。也就是说,当所述衬底的表面上存在杂质时,会在所述衬底上沉积有缺陷的薄膜。明确地说,甚至粒子也可在外延工艺中引起薄膜的缺陷。因此,旋转轴1410由石英形成以最小化室1100中粒子的产生。另外,将连接到用于测量所述室的工艺条件的传感器的导线穿过旋转轴1410的内侧。因此,所述旋转轴以所述中空管的形式提供。
旋转轴1410的一端固定于衬底坐落部分1200的下部中心区域处。支撑轴1420从旋转轴1410的上部区域延伸到衬底坐落部分1200的外围区域且耦合到衬底坐落部分1200的外围区域,使得衬底坐落部分1200可通过旋转轴1410及支撑轴1420而位于反应空间中。
此处,为最小化热的影响,旋转轴1410沿长度方向延伸到室1100的下部区域。也就是说,如图10中所图解说明,旋转轴1410沿长度方向延伸到下部穹顶1130的延伸管1132中。因此,旋转轴1410的至少一部分可由室1100的下部穹顶支撑。如果旋转轴1410以固定方式支撑于延伸管1132中,那么可能存在旋转轴1410以其中其为单侧或倾斜的状态旋转的问题。
另外,为向由石英形成的旋转轴1410施加旋转力,旋转轴1410必须以固定方式耦合到驱动单元1500。然而,存在难以将由石英形成的旋转轴1410以固定方式耦合到驱动单元1500的问题。
也就是说,由于石英具有其因外部冲击而容易破裂的性质,因此难以将由石英形成的旋转轴1410固定于室1100的下部端上。
因此,在此实例性实施例中,轴1430间置于旋转轴1410与下部穹顶1130的延伸管1132之间以固定旋转轴1410且轴1430固定到驱动单元1500以将所述驱动单元的旋转力传送到旋转轴1410。另外,由于轴1430由延伸管1132的下部部分支撑,因此可首先防止旋转轴1410的倾斜的旋转。
在这一点上,为最小化粒子的产生、抑制热的影响并改进耦合性质,轴1430可由SUS材料形成。
轴1430包含以管形状形成、具有敞开的顶部及底部的轴本体1431及用于将轴本体1431固定到驱动单元1500的至少一个固定突出部1432。旋转轴1410以固定方式插入到轴本体1431中。此外,固定突出部1431从轴本体1431的下部端外表面向外延伸。不用说,本发明并不限于此。固定突出部1432可以带形式提供。另外,固定突出部1432通过例如螺栓、螺母、螺丝等固定单元固定到驱动单元1500是有效的。为此目的,固定突出部1432可具备凹槽。
在此实例性实施例中,替代在相关技术中使用的O形环,接触部件1440用于轴1430与旋转轴1410之间的紧密耦合。接触部件1440由与轴1430相同的材料形成。也就是说,接触部件1440可由所述SUS材料形成。
此处,如图10及12中所图解说明,接触部件1440位于轴1430的上部区域处。也就是说,旋转轴1410在轴1430的上部部分处密切接触轴1430。在这一点上,在轴1430的下部区域处提供辅助部件1450。在这一点上,辅助部件1450可由特氟龙形成。另外,辅助部件1450的一端延伸到轴1430与旋转轴1410之间的区域以使轴1430密切接触旋转轴1410,使得可通过辅助部件1450进一步防止旋转轴1410的摆动及倾斜。
如图11到13中所图解说明,接触部件1440包含以管形状形成、具有敞开的顶部及底部的接触本体以及通过将接触本体1441的上部部分及下部部分中的至少一者切割成多个区段并将接触本体1441的所述区段弯曲19次而形成的弹性部分1442。
旋转轴1410穿透以所述管形状形成的接触本体1441。在此实例性实施例中,接触本体1441由所述SUS材料形成以改进组装性质、防止污染并减小制造成本。
如图13中所图解说明,弹性部分1442形成于接触本体1441的上部区域及下部区域中的每一者上。不用说,本发明并不限于此。弹性部分1442可由上部区域及下部区域中的一者形成。
弹性部分1442是通过将接触本体1441的上部区域及下部区域中的每一者沿长度方向切割成多个区段并将所切割区域弯曲而形成的。在这一点上,邻近切割区域的弯曲方向彼此不同是有效的。也就是说,如果一个切割区域朝向接触本体1441的中心部分(即,朝向旋转轴1410)弯曲,那么邻近切割区域远离接触本体1441(即,朝向轴1430)弯曲。然而,本发明并不限于此。所述切割区域的弯曲方向可彼此相同。另外,所述切割区域的弯曲的数目可多于10次。
在这一点上,切割区域的垂直长度小于接触本体1441的垂直长度的1/4是有效的。切割区域的垂直长度可在接触本体1441的垂直方向的1/10到1/4的范围内更为有效。在这一点上,当切割区域的垂直长度小于接触本体1441的1/10时,弯曲面积减小且因此接触本体1441无法有效地支撑旋转轴1410及轴1430。另外,当切割区域的垂直长度大于接触本体1441的1/3时,由于接触本体1441的面积减小,因此无法向弹性部分1442施加充足的力。
如上文所描述,弹性部分1442通过使接触本体1441的切割区域弯曲而具有弹力。因此,弹性部分1442的弹力可将旋转轴1410固定到轴1430。另外,由于安置于旋转轴1410与轴1430之间的弹性部分1442用相等力推动旋转轴1410及轴1430,因此可防止旋转轴1410的倾斜。因此,可防止由旋转轴1410的倾斜引起的衬底坐落部分1200的摆动。
此外,如先前所描述,在此实例性实施例中,具有弹性部分1442及接触本体1441的接触部件1440由与轴1430相同的材料形成。因此,可防止接触部件1440因热而容易劣化且因此与相关技术中使用的O形环相比接触部件1440的使用寿命变得较长。因此,可改进设备的可靠性。
在相关技术中使用的O形环的情况下,当其使用达长时间时,其可粘合到轴1430或旋转轴1310。因此,难以移除所述O形环以进行维护。由于此,完全地替换所述轴且因此维护成本及时间增加。然而,当如此实例性实施例中使用由SUS材料形成且具有弹性部分1442的接触部件1440时,可容易地附接及拆卸接触部件1440且因此可减少维护成本及时间。
在这一点上,接触部件1440的结构不限于此实例性实施例而是可不同地修改接触部件1440的结构。
如图14的经修改实例中所图解说明,接触部件1440可安置于轴1430与旋转轴1410之间的整个空间中。
在这一点上,弹性部分1442形成于接触部件1440的上部区域及下部区域两者上。因此,轴1430的上部区域通过形成于接触部件1440的上部区域上的弹性部分1442密切接触旋转轴1410且轴1430的下部区域通过形成于接触部件1440的下部区域上的弹性部分1442密切接触旋转轴1410。在这一点上,如图14中所图解说明,弹性部分1442可具有多个弯曲区域。如上文所描述,轴1430的上部区域及下部区域(即,至少11个区域)通过一个弹性部件1440密切接触旋转轴1410且因此可防止旋转轴1410的摆动。此处,接触部件1440的长度等于轴1430的长度或比其略小少于10%是有效的。另外,当如上文所描述接触部件1440安置于轴1430与旋转轴1410之间的整个空间中时,可省略已位于轴1430的下部部分处的辅助部件1450。
另外,如图15的经修改实例中所图解说明,第一及第二接触部件1440a及1440b可分别位于轴1430的上部区域及下部区域处。在此情况下,轴1430的上部区域及下部区域可分别通过第一及第二接触部件1440a及1440b密切接触旋转轴1410。在此情况下,还可省略辅助部件1450。第一及第二接触部件1440a及1440b中的每一者包含接触本体1441及形成于接触本体1441的上部区域及下部区域中的每一者上的弹性部分1420。在这一点上,形成于接触本体1441的上部区域及下部区域上的弹性部分1420的推动力可彼此相反。也就是说,如图15中所图解说明,形成于接触本体1441的上部部分上的弹性部分1442具有接触轴1430的弯曲区域且形成于下部部分上的弹性部分1442具有接触旋转轴1410的弯曲区域。
经修改实例可至少部分地应用于先前所描述的实例性实施例且应用于彼此。
在此实例性实施例中,驱动单元1500向如上文所描述耦合的旋转轴1410施加旋转力。虽然未在图式中显示,但驱动单元1500包含产生所述旋转力的电动机及从所述电动机延伸且连接到旋转轴1410的中心轴。在这一点上,先前描述的轴1430连接到所述中心轴。因此,将所述中心轴的旋转力传送到轴1430且旋转轴1410因轴1430的旋转而旋转。因此,连接到旋转轴1410的衬底坐落部分1200旋转。另外,虽然未在图式中显示,但所述驱动单元进一步包含包封所述中心轴的外壳及用于密封所述中心轴与所述外壳之间的间隙的磁性密封件。通过此结构,所述室的内部空间的真空未被提供于所述室的外侧处的驱动单元1500释放。不用说,可在室1100的下部穹顶1130与所述外壳之间提供例如波纹管的密封单元。
下文将描述根据另一实例性实施例的具有用于防止旋转轴的摆动的单元的衬底处理设备。将不再描述与前述实施例相同的构件。另外,下文实例性实施例的特征可应用于前述实例性实施例。不用说,前述实例性实施例的特征也可应用于下文实例性实施例。
图16是根据又一实施例的衬底处理设备的横截面图,图17是图16的衬底处理设备的旋转轴部分的示意性分解图,图18是图17的旋转轴部分的对准帽的分解透视图,图19是图17的旋转轴部分的横截面图,且图20及21分别是图17及19的旋转轴部分的经修改实例的分解透视图及横截面图。
如图16到19中所图解说明,此实例性实施例的衬底处理设备包含:室2100,其具内部反应空间;衬底坐落部分2200,衬底210在室2100中安置于其上;下部加热单元2300,其安置于所述室下方以加热所述内部反应空间;旋转轴部分2400,其延伸且连接到衬底坐落部分2200;及驱动单元2500,其向旋转轴部分2400施加旋转力。
此实例性实施例的旋转轴部分2400包含:旋转轴,其连接到衬底坐落部分220的下部中心区域;多个支撑轴2420,其从旋转轴2410的上部部分延伸到衬底坐落部分2200的外围区域以支撑衬底坐落部分2200的外围区域;轴2430,旋转轴2410的一端以固定方式插入于其中;接触部件2440,其用于旋转轴2410与轴2430之间的密切接触;及定心帽2450,其安置于轴2430的下部部分处以对准旋转轴2410的定心。另外,如图16及17中所图解说明,所述衬底处理设备进一步包含安置于定心帽2450与旋转轴2410之间的密封部件,例如O形环2460。
在此实例性实施例中,轴2430插入于旋转轴2410与下部穹顶2130的延伸管2132之间以固定旋转轴2410。轴2430固定到驱动单元2500,使得可将驱动单元2500的旋转力传送到旋转轴2410。另外,轴2430由延伸管2132的下部部分支撑且因此可首先防止旋转轴2410以其中其为倾斜的状态旋转。
此处,为最小化粒子的产生、抑制热的影响并改进耦合性质,轴2430可由SUS材料形成。
定心帽2450安置于轴2430的下部端上以维持旋转的旋转轴2410的定心。如图17到19中所图解说明,定心帽2450包含以环形状形成的中心本体2451及安置于中心本体2451上且向内及向下倾斜的定心本体2452。此处,中心本体2451及定心本体2452由相同材料形成是有效的。
中心本体2451以圆环形状形成且具有可在误差容限内大致等于轴2430的内径的直径。在这一点上,如图16中所图解说明,可将中心本体2451固定到轴2430的下部端开口区域。在这一点上,可通过例如螺栓的固定单元将中心本体2451固定到轴2430。不用说,可通过搭扣配合方式将中心本体2451固定到轴2430。在这一点上,中心本体2451可由与轴2430相同的材料形成。
定心本体2452具有形状大致像三角形的区段。也就是说,定心本体2452具有从中心本体2451的外表面延伸的侧壁表面2452a及从侧壁表面2452a的一端朝向中心本体2451的上部表面向下倾斜的帽倾斜表面2452b。定心本体2452可进一步包含密切接触中心本体2451的上部表面并将侧壁表面2452a与帽倾斜表面2452b互连的接触表面(未显示)。
此处,旋转轴2410的一端连接到定心本体2452的帽倾斜表面2452。在这一点上,旋转轴2410的所述端沿帽倾斜表面2452b滑动且然后固定到定心帽2450的中心部分。因此,可防止由外部因素引起的旋转轴2410中心的改变。也就是说,可防止旋转轴2410从定心帽245的中心(即,从轴2430的中心区域)偏离。
如图式中所图解说明,旋转轴2410在其端部分处具备对应于帽倾斜表面2452b的轴倾斜表面2411。轴倾斜表面2411从以管形状形成的旋转轴2410的外表面到旋转轴2410的内表面向下倾斜。因此,旋转轴2410的端部分的轴倾斜表面2411密切接触帽倾斜表面2452b。因此,通过帽倾斜表面2452b改进了旋转轴2410的支撑力且因此可防止旋转轴2410的摆动。因此,衬底坐落部分2200可在无旋进运动的情况下水平旋转。
此处,如图16及17中所图解说明,在轴倾斜表面2411与帽倾斜表面2452b之间安置O形环2460是有效的,以改进表面2411与2452b之间的接触力、向表面2411及2452b施加弹力并防止表面2411及2452b被磨损。
可不同地结构化此实例性实施例的定心本体2452以对准旋转轴2410的中心。
图20显示定心本体的经修改实例。参照图20,定心本体2452可包含:至少一个第一定心本体2452-1,其具有从外侧向内侧倾斜的第一帽倾斜表面2452b-1;及至少一个第二定心本体2452-2,其具有从外侧向内侧倾斜的第二帽倾斜表面2452b-2。旋转轴2310在其端处具备:至少一个第一倾斜部分2411-1,其具有对应于第一定心本体2452-1的第一帽倾斜表面2452b-1的第一轴倾斜表面2411a;及至少一个第二倾斜部分2411-2,其具有对应于第二定心本体2452-2的第二帽倾斜表面2452b-2的第二轴倾斜表面2411b。
第一及第二定心本体2452-1及2452-2与第一及第二倾斜部分2411-1及2411-2彼此咬合。因此,定心本体2452可紧固地支撑旋转轴2410的下部端且可防止旋转轴2410的摆动。
在此实例性实施例中,提供接触部件2440以使轴2430与旋转轴2410彼此密切接触。在这一点上,图17中所示的O形环用作接触部件2440。各种其它部件可用作接触部件2440。
此处,接触部件2440在轴2430的上部区域处支撑旋转轴2410且定心帽2450在轴2430的下部端处支撑旋转轴2410。因此,所述旋转轴可以固定方式支撑于轴2430的上部区域及下部区域处。在此实例性实施例中,可通过定心帽2450防止旋转轴2410的定心对准的改变。
如图21的经修改实例中所图解说明,接触部件2440可以圆柱形形状形成以替代所述O形环来使用。接触部件2440由与所述轴相同的材料形成以耐磨损且耐热。圆柱形接触部件2440可由SUS材料形成。
在这一点上,如图21中所图解说明,接触部件2440可包含以管形状形成、具有敞开的顶部及底部的接触本体2441以及通过将接触本体2441的上部部分及下部部分中的至少一者切割成多个区段并使接触本体2441的所述区段弯曲多于16次而形成的弹性部分2442。
根据所述实例性实施例,由于在互连的旋转轴与轴之间插入辅助部件,因此增强了所述旋转轴与所述轴之间的耦合力且因此可最小化旋转的旋转轴的摆动。另外,由于所述旋转轴具有其直径向下逐渐减小的多个阶梯且提供对应于所述阶梯的辅助部件,因此可增强所述旋转轴与所述轴之间的耦合力。此外,由于所述辅助部件的耦合部分耦合到的凹陷部分形成于所述旋转轴的下部部分上,因此可进一步增强所述旋转轴与所述轴之间的耦合力。
此外,由于所述旋转轴以固定方式插入到所述轴中且由与所述轴相同的材料形成且具有弹性的接触部件安置于所述旋转轴与所述轴之间,因此设备的使用寿命增加且可减小用于维护/维修的成本及时间。此外,由于可防止所述旋转轴的摆动(即,旋进运动),因此可沉积具有均匀厚度的薄膜。
另外,由于耦合到所述轴的定心帽安装于所述旋转轴的下部端上,因此可防止所述旋转轴的摆动且因此可抑制衬底坐落部分的旋进运动。
虽然已参照具体实施例描述了衬底处理设备,但其并不限于所述具体实施例。所属领域的技术人员将易于了解,可对本发明作出各种修改及改变,此并不背离所附权利要求书所界定的本发明的精神及范围。
Claims (20)
1.一种衬底处理设备,其包括:
室,其具有反应空间;
衬底坐落部分,其位于所述反应空间中;及
旋转轴部分,其包括连接到所述衬底坐落部分的下部中心区域的旋转轴、所述旋转轴的一端以固定方式插入于其中的连接部件及使所述旋转轴与连接轴彼此紧密耦合的接触部件。
2.根据权利要求1所述的衬底处理设备,其中所述接触部件包括管形接触本体及提供于所述接触本体的上部区域及下部区域中的至少一者中的弹性部分,所述旋转轴由石英形成,所述连接部件由SUS材料形成且所述接触部件由与所述连接部件相同的材料形成。
3.根据权利要求2所述的衬底处理设备,其中所述弹性部分是通过将所述接触本体的所述上部区域及下部区域中的至少一者沿长度方向切割成多个切割区段并将所述接触本体的所述切割区段弯曲至少一次而形成的。
4.根据权利要求1所述的衬底处理设备,其中所述接触部件位于所述连接部件的上部区域处且所述旋转轴部分包括使所述连接部件与所述旋转轴在所述连接部件的下部区域处彼此紧密耦合的辅助部件。
5.根据权利要求1所述的衬底处理设备,其中所述接触部件包括:
第一弹性部分,其形成于接触本体的上部区域上且使所述旋转轴与所述连接部件在所述连接部件的上部区域处彼此紧密耦合;及
第二弹性部分,其形成于所述接触本体的下部区域上且使所述旋转轴与所述连接部件在所述连接部件的下部区域处彼此紧密耦合。
6.根据权利要求1所述的衬底处理设备,其中所述接触部件包括:
第一接触部件,其使所述旋转轴与所述连接部件在所述连接部件的上部区域处彼此紧密耦合;及
第二接触部件,其使所述旋转轴与所述连接部件在所述连接部件的下部区域处彼此紧密耦合。
7.根据权利要求1所述的衬底处理设备,其中所述旋转轴部分包括:
中心本体,其以环形状形成;及
定心本体,其具有向下倾斜且位于所述中心本体上的帽倾斜表面,
其中与所述旋转轴紧密接触的定心帽提供于所述帽倾斜表面上。
8.根据权利要求7所述的衬底处理设备,其中所述定心本体包括:
至少一个第一定心本体,其具有从外侧向内侧倾斜的第一帽倾斜表面;及
至少一个第二定心本体,其具有从内侧向外侧倾斜的第二帽倾斜表面,
其中对应于所述帽倾斜表面的轴倾斜表面提供于所述旋转轴的一端处。
9.根据权利要求1所述的衬底处理设备,其中所述旋转轴包括上部支撑部分、在所述上部支撑部分下方的下部支撑部分及在所述上部支撑部分与下部支撑部分之间的倾斜支撑部分,
其中所述旋转轴在所述倾斜支撑部分的区域中具有从上部部分向下部部分逐渐减小的外径。
10.根据权利要求9所述的衬底处理设备,其进一步包括安置于所述旋转轴与所述连接部件之间的辅助部件,
其中所述辅助部件包括与所述上部支撑部分接触的上部辅助部分、与所述下部支撑部分接触的下部辅助部分、与所述倾斜支撑部分接触的倾斜辅助部分及与所述旋转轴的下部部分接触的最终辅助部分,且
所述旋转轴包括提供于所述旋转轴的下部部分上的凹陷部分且所述辅助部件包括插入且耦合到所述凹陷部分中的耦合部分。
11.根据权利要求9所述的衬底处理设备,其中至少一个O形环用作所述接触部件或所述接触部件包括以管形状形成的接触本体及提供于所述接触本体的上部部分及下部部分中的至少一者上的弹性部分,且其中当所述O形环用作所述接触部件时,所述O形环包括安置于所述连接部件与所述旋转轴之间的第一O形环及安置于所述辅助部件与所述旋转轴之间的第二O形环。
12.一种衬底处理设备,其包括:
室,其具有反应空间;
衬底坐落部分,其位于所述反应空间中;及
旋转轴部分,其包括:连接到所述衬底坐落部分的下部中心区域的旋转轴;所述旋转轴的一端以固定方式插入于其中的连接部件;以及包括环形中心本体及定心本体的定心帽,所述定心本体位于所述中心本体上且具有向下倾斜的帽倾斜表面,其中所述旋转轴与所述帽倾斜表面紧密接触。
13.根据权利要求12所述的衬底处理设备,其中所述定心本体包括从所述中心本体的外表面延伸的侧壁表面及从所述侧壁表面的一端朝向所述中心本体的上部表面向下倾斜的帽倾斜表面;对应于所述帽倾斜表面的轴倾斜表面提供于所述旋转轴的一端处;所述旋转轴由石英形成;且所述连接部件由SUS材料形成。
14.根据权利要求12所述的衬底处理设备,其进一步包括使所述连接部件紧密耦合到所述旋转轴的接触部件,
其中至少一个O形环用作所述接触部件或所述接触部件包括以管形状形成的接触本体及提供于所述接触本体的上部部分及下部部分中的至少一者上的弹性部分,且
其中所述弹性部分是通过将所述接触本体的所述上部部分及下部部分中的至少一者沿长度方向切割成多个切割区段并将所述接触本体的所述切割区段弯曲至少一次而形成的。
15.一种衬底支撑设备,其包括:
衬底坐落部分,其位于反应空间中;及
旋转轴部分,其包括连接到所述衬底坐落部分的下部中心区域的旋转轴、所述旋转轴的一端以固定方式插入于其中的连接部件、使所述旋转轴与连接轴彼此紧密耦合的接触部件及安置于所述旋转轴与所述连接部件之间的辅助部件,
其中所述旋转轴包括邻近于所述连接部件的上部侧的上部支撑部分、在所述上部支撑部分下方的下部支撑部分及在所述上部支撑部分与下部支撑部分之间的倾斜支撑部分,其中所述旋转轴在所述倾斜支撑部分的区域中具有向下逐渐减小的直径。
16.根据权利要求15所述的衬底支撑设备,其中所述辅助部件包括与所述上部支撑部分接触的上部辅助部分、与所述下部支撑部分接触的下部辅助部分、与所述倾斜支撑部分接触的倾斜辅助部分及与所述旋转轴的下部部分接触的最终辅助部分,且
所述旋转轴包括提供于所述旋转轴的下部部分上的凹陷部分且所述辅助部件包括插入且耦合到所述凹陷部分中的耦合部分。
17.一种衬底支撑设备,其包括:
衬底坐落部分,其位于反应空间中;及
旋转轴部分,其包括:连接到所述衬底坐落部分的下部中心区域的旋转轴;所述旋转轴的一端以固定方式插入于其中的连接部件;使所述旋转轴与连接轴彼此紧密耦合的接触部件,所述接触部件包括管形接触本体及提供于所述接触本体的上部部分及下部部分中的至少一者上的弹性部分。
18.根据权利要求17所述的衬底支撑设备,其中所述旋转轴由石英形成,所述连接部件由SUS材料形成,且所述接触部件由与所述连接部件相同的材料形成,
其中所述弹性部分是通过将所述接触本体的上部区域及下部区域中的至少一者沿长度方向切割成多个切割区段并将所述接触本体的所述切割区段弯曲至少十次而形成的。
19.一种衬底支撑设备,其包括:
衬底坐落部分,其位于反应空间中;及
旋转轴部分,其包括:连接到所述衬底坐落部分的下部中心区域的旋转轴;所述旋转轴的一端以固定方式插入于其中的连接部件;以及包括环形中心本体及定心本体的定心帽,所述定心本体位于所述中心本体上且具有向下倾斜的帽倾斜表面,其中所述旋转轴与所述帽倾斜表面紧密接触。
20.根据权利要求19所述的衬底支撑设备,其进一步包括向所述旋转轴部分施加旋转力的驱动单元,
其中所述旋转轴由石英形成,所述连接部件由SUS材料形成,且对应于所述帽倾斜表面的轴倾斜表面提供于所述旋转轴的一端处。
Applications Claiming Priority (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20080106527A KR101490441B1 (ko) | 2008-10-29 | 2008-10-29 | 기판처리장치 |
KR10-2008-0106527 | 2008-10-29 | ||
KR1020090095791A KR101125507B1 (ko) | 2009-10-08 | 2009-10-08 | 기판 처리 장치 |
KR10-2009-0095792 | 2009-10-08 | ||
KR1020090095792A KR101136733B1 (ko) | 2009-10-08 | 2009-10-08 | 기판 처리 장치 |
KR10-2009-0095791 | 2009-10-08 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101728242A true CN101728242A (zh) | 2010-06-09 |
CN101728242B CN101728242B (zh) | 2012-11-28 |
Family
ID=42116347
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2009102066924A Active CN101728242B (zh) | 2008-10-29 | 2009-10-29 | 衬底处理设备 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20100101730A1 (zh) |
CN (1) | CN101728242B (zh) |
TW (1) | TW201029092A (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20150037019A1 (en) * | 2013-08-02 | 2015-02-05 | Applied Materials, Inc. | Susceptor support shaft and kinematic mount |
CN109148336B (zh) * | 2018-08-23 | 2021-08-27 | 重庆市嘉凌新科技有限公司 | 芯片清洗装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6416647B1 (en) * | 1998-04-21 | 2002-07-09 | Applied Materials, Inc. | Electro-chemical deposition cell for face-up processing of single semiconductor substrates |
US6213478B1 (en) * | 1999-03-11 | 2001-04-10 | Moore Epitaxial, Inc. | Holding mechanism for a susceptor in a substrate processing reactor |
JP4294791B2 (ja) * | 1999-05-17 | 2009-07-15 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 半導体製造装置 |
JP2002050809A (ja) * | 2000-08-01 | 2002-02-15 | Anelva Corp | 基板処理装置及び方法 |
EP1467451A1 (de) * | 2003-04-09 | 2004-10-13 | Hirschmann Electronics GmbH & Co. KG | Kuppler einer koaxialen Steckverbindung |
US20060281310A1 (en) * | 2005-06-08 | 2006-12-14 | Applied Materials, Inc. | Rotating substrate support and methods of use |
-
2009
- 2009-10-21 US US12/603,582 patent/US20100101730A1/en not_active Abandoned
- 2009-10-28 TW TW098136566A patent/TW201029092A/zh unknown
- 2009-10-29 CN CN2009102066924A patent/CN101728242B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20100101730A1 (en) | 2010-04-29 |
CN101728242B (zh) | 2012-11-28 |
TW201029092A (en) | 2010-08-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |