TW201029092A - Substrate processing apparatus - Google Patents

Substrate processing apparatus Download PDF

Info

Publication number
TW201029092A
TW201029092A TW098136566A TW98136566A TW201029092A TW 201029092 A TW201029092 A TW 201029092A TW 098136566 A TW098136566 A TW 098136566A TW 98136566 A TW98136566 A TW 98136566A TW 201029092 A TW201029092 A TW 201029092A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
rotating shaft
contact
shaft
connecting member
substrate
Prior art date
Application number
TW098136566A
Other languages
English (en)
Inventor
Kyu-Jin Choi
Sung-Min Na
Euy-Kyu Lee
Yong-Han Jeon
Cheol-Hoon Yang
Tae-Wan Lee
Uk Hwang
Sun-Kee Kim
Original Assignee
Jusung Eng Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR20080106527A external-priority patent/KR101490441B1/ko
Priority claimed from KR1020090095791A external-priority patent/KR101125507B1/ko
Priority claimed from KR1020090095792A external-priority patent/KR101136733B1/ko
Application filed by Jusung Eng Co Ltd filed Critical Jusung Eng Co Ltd
Publication of TW201029092A publication Critical patent/TW201029092A/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68792Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the construction of the shaft

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Description

201029092 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種基板處理裝置’且更特定而言係關於 一種經組態以防止支承基板支座部分之旋轉軸在該旋轉轴 旋轉時之擺動。 【先前技術】 -般而言,為製造半導體器件、顯示器件及薄膜太陽能 電池’執行用於在基板上沈積特定材料之薄膜之薄膜沈積 處理、用於使用光致抗蝕劑材料來曝露或遮罩薄膜之選定 區之光微影處理、用於藉由移除選定或非選定區來圖案化 薄膜之㈣處理。在藉由抽真空優化之基板處理裝置中執 行薄膜沈積處理及蝕刻處理。 然而,最近隨著基板大小增大,在該基板之表面上均句 地喷射處理氣體變得困難。因此’存在形成於半導體器件 上之膜之均勻度劣化之問題。根據相關技術,為解決此問 題’已在旋轉半導體基板之同時在該半導體基板上沈積薄 膜,藉此改善該薄膜之厚度之均勻度。 在這點上藉由將該基板安置在基板支座部分上並將 § 土板支座口 p刀連接至旋轉軸來執行該基板之旋轉。另 外,該旋轉軸藉由自外部驅動馬達施加之旋轉力而旋轉。 形衰用於β亥旋轉軸與該驅動馬達之間的連接部分。然 而’該Ο形環隨著其長時間使用而快速磨彳員,且在其曝露 於高溫時快速劣化。以,存在當由該基板支座部分產生 之熱、^由該旋轉軸傳送至該◦形環時可損壞㈣形環之問 143931.doc 201029092 題。當損壞該0形環時,該基板支座部分並非水平旋轉而 是呈一擺動狀態旋轉。此致使沈積在該基板上之薄膜之厚 度之均勻度劣化。 【發明内容】 本發明提供—種基板處理裝置,其藉由下述方式來增強 -旋轉轴與-軸之間的輕合力:當支承、旋轉並上下移動 -基板座落部分之該旋轉軸插入至該軸中且連接至一中心 抽時在該旋轉軸與軸之間插入一辅助構件。 本發明亦提供-種基板處理裝置,其藉由下述方式來增 強-旋轉轴與一軸之間的辆合力:在該旋轉軸之一下部部 分上形成1陷部分並在—輔助構件上形成—插入於該凹 陷部分中之耦合部分。 本發明亦提供-種基板處理裝置,其藉由下述方式來改 善-沈積於-基板上之薄膜之均句度:藉由採用一在結構 上不同於已在相關技術中使用之。形環之耦合單元來防止 該旋轉軸之擺動(即,旋進運動)。 本發明亦提供一種基板處理裝置,其藉由下述方式來改 善沈積於基板上之薄膜之均句度:藉由安裝—用於維持一 旋轉抽上之中心之對準帽來防止該旋轉轴之擺動(即 進運動)。 根據一實例性實施例,一種基板處理裝置包括:一室, 其具有-反應空間;-基板支座部分,其位於該反應^ 中·’及-旋轉軸部分包括—連接至該基板支座部:二 -下部中心區之旋轉轴、-其中固定插人有該旋轉轴之一 143931.doc 201029092 端之連接構件及—使該旋轉轴及該連接軸彼此緊密轉合之 接觸構件。 該接觸構件可包括-管形接觸本體及-被設置於該接觸 本體之上部區及下部區中之至少—者中之彈性部分。該旋 轉軸可由石英形成’該連接構件可由sus材料形成且該接 觸構件可由與該連接構件相同之材料形成。
該彈性部分可藉由下述方式來形成:將該接觸本體之該 上部區及該下部區中之至少—者沿長度方向切割成複數個 切割區段並將該接觸本體之該等切龍段料至少一次。 立接觸構件可位於該連接構件之該上部區處且該旋轉轴 p刀可〇括使该連接構件與該旋轉轴在該連接構件之該 下°卩區處彼此緊密耗合之輔助構件。
該接觸構件可包括:—接觸本體;—第—彈性部分,其 形成於該接觸本體之—上部區上且使㈣轉減該連接構 件在該連接構件之—上部區處彼此緊η合;及-第二彈 ρ刀其形成於該接觸本體之一下部區上且使該旋轉轴 與該連接構件找連接構件之—下部區處彼此緊密輛合。 該接觸構件可# # . 咕 第一接觸構件,其使該旋轉軸與 料接構件在該連接構件之-上部區處彼此緊密耦合;及 第接觸構件’其使該旋轉軸與該連接構件在該連接構 件之一下部區處彼此緊密耦合。 該旋轉軸部分可#乜. i . 匕估.—中心本體,其形成呈一環形 狀;及一定心本體,复a 一具有一向下傾斜且位於該中心本體 上之帽傾斜表面,# φ — 、 與該旋轉轴緊密接觸之定心帽可 143931.doc -6 - 201029092 被設置於該帽傾斜表面上。 該定心本體可包括:至少一個第一定心本體,其具有一 由一外側向一内側傾斜之第一帽傾斜表面;及至少一個第 一定〜本體,其具有一由一内側向一外側傾斜之第二帽傾 斜表面,其中一對應於該帽傾斜表面之軸傾斜表面可被設 置於該旋轉軸之一端處。 該旋轉軸可包括一上部支承部分、一位於該上部支承部
刀下方之下部丨承部分及一位於該上部支承部分與該下部 支^部分之間的傾斜支承部分,其中該婦轴在該傾斜支 ㈣分n中可包括_由—上部部分向—下部部分逐漸 減小之外徑。 該基板處理裝置可進一步包括一安置於該旋轉轴與該連 接構件之間的輔助構件,其中該辅助構件可包括之一與該 =部支承部分接觸之上部辅助部分、—與該下部支承部^ ^之下捕助部分、—與該傾斜支承部分接觸之傾 w分及—接觸該旋轉軸之—下部部分之最終辅助部分 i旋轉轴可包括—被設置於該旋轉轴之—下部 ::::::輔助構件可包括-—陷部: 主少 -形成呈:Γ用作該接觸構件或該接觸構件可包括 成呈—管形狀之接觸本體及-被設置於該接觸本微 :::二7部部…至少-者…性部分其:: 二可用作該接觸構件時,該。形環可包括—安晋田 “連接構件與該旋轉軸之間的第一〇形環及一安置於:: 14393 丨.doc -7- 201029092 助構件與該旋轉轴之間的第二〇形環。 根據另一實例性實施例,一種基板處理裝置包括:一 室,其具有一反應空間;一基板支座部分,其位於該反應 空間中;及一旋轉軸部分,其包括:一連接至該基板支座 部分之一下部中心區之旋轉軸、一其中固定插入有該旋轉 軸之鈿之連接構件及一包括一環形中心本體及一定心本 體之疋〜帽,该定心本體位於該中心本體上且具有一向下 傾斜之帽傾斜表面,其中該旋轉軸緊密接觸該帽傾斜表 面。 該定心本體可包括一自該中心本體之外表面延伸之側壁 表面及一自該側壁表面之一端向下朝該中心本體之該上部 表面傾斜之帽傾斜表面;一對應於該帽傾斜表面之軸傾斜 表面可被設置於該旋轉軸之一端處;該旋轉轴可由石英形 成;且該連接構件可由SUS材料形成。 該基板處理裝置可進一步包括一使該連接構件緊密耦合 至該旋轉轴之接觸構件,其中形環可用作該接觸構件 或該接觸構件可包括-管形接觸本體及—被設置於該接觸 本體之上部部分及下部部分中之至少—者上之彈性部分。 該彈性部分可藉由下述方式形成:將該接觸本體之該上 部部分及該下部部分中之至少—去 丨刀甲之主V者沿長度方向切割成複數 個切割區段並將該接觸本體的該等切割區段彎折至少一 次。 y 根據再-實例性實施例,—種基板處理設包括:一基板 支座部分,其位於一反應空間中;及一旋轉軸部分,:包 143931.doc 201029092 括一連接至該基板支座 其中固定标入士 n 一下部中心區之旋轉轴、一 軸與連接轴彼此ΐ = 端之連接構件、-使該旋轉 與該連接構件之間的辅:構件觸-=該旋轉軸 於該連接構件之—上部側=旋轉軸包括, 支承部& (上π支承部分、一位於該上部 該下部二==分及—位於該上部支承部分與
傾斜支承部分之-區中1有1部分,其中該旋轉轴在該 _ ^ 匕τ具有—向下逐漸減小之直徑。 :助構件可包括一與該上部支承部分接觸之上部輔助 …-與該下部支承部分接觸之下部輔助部分、一與該 傾斜支承部分接觸之傾斜辅助部分及—與該旋轉軸之一下 部部分接觸之最終輔助部分。 該旋轉轴可包括-被設置於該旋轉轴之—下部部分上之 凹陷部分且該輔助構件可包括—插人且麵合至該凹陷部分 中之耦合部分。 根據再一實例性實施例,一種基板處理裝置包括:一基 板支座部分’其位於一反應空間中;及一旋轉軸部分,其 括連接至該基板支座部分之一下部中心區之旋轉軸、 一其中固定插入有該旋轉軸之一端之連接構件、一使該旋 轉軸與連接軸彼此緊密耦合之接觸構件,該接觸構件包括 一管形接觸本體及一被設置於該接觸本體之上部部分及下 部部分中之至少一者上之彈性部分。 該旋轉軸可由石英形成,該連接構件可由SXJS材料形 成,且該接觸構件可由與該連接構件相同之材料形成,其 143931.doc -9- 201029092 中該彈性部分可藉由下述方式形成:將該接觸本體之上部 區及下部區中之至少—者沿長度方向切割成複數個切割區 段並將該接觸本體之該等切割區段彎折至少十次。 根據再一實例性實施例,一種基板處理裝置包括:一基 板支座部分,其位於一反應空間中;及一旋轉軸部分,其 包含一連接至該基板支座部分之一下部中心區之旋轉軸、 一其中固定插入有該旋轉軸之一端之連接構件及一包括一 環形中心本體及一定心本體之定心帽,該定心本體位於該 中心本體上且具有向下傾斜之帽傾斜表面,其中該旋轉軸 緊密接觸該帽傾斜表面。 該基板處理裝置可進一步包括一施加旋轉力至該旋轉軸 部分之驅動單元,其中該旋轉轴可由石英形成,該連接構 件可由SUS材料形成,且一對應於該帽傾斜表面之轴傾斜 表面可被設置於該旋轉軸之一端處。 【實施方式】 下文將參照附圖詳細地描述具體實施例。然而,本發明 可以不同形式體現且不應將本發明視為侷限於本文中所闡 述實施例。而是,提供此等實施例旨在使本發明透徹及完 整,且將本發明之範疇全面地傳達給熟習此項技術者。通 篇中相同之參考編號指代相同之元件。 圖1係一根據一實例性實施例之基板處理裝置之一示意 圖’圖2係圖1之基板處理裝置之一波紋管部分之一立視 圖,圖3及4係圖1之基板處理裝置之一旋轉軸之局部透視 圖’圖5係圖1之基板處理裝置之一輔助構件之一 14393l.doc -10- 201029092 透視圖,圖6係圖1之基板處理裝置之一軸之— Θ那剖面透 視圖,且圖7係圖1之基板處理裝置之一最終構件之一透視 圖。 參照圖1,一根據一實例性實施例之基板處理裝置包 括:一室112 ; —閘閥116,其安裝於室112之_側表面上 且基板114經由其進出;一出口 118,氣體經由其排放出室 Π2 ; —基板支座部分120,基板114安裝於其上;—邊緣 ❿ 環130,其安裝於基板支座部分120之一外部周邊上;及上 部加熱單元及下部加熱單元122及128,其分別安裝於室 112之上部部分及下部部分處以對基板u 4加熱。 於一下部穹頂126中,一傾斜平面158經形成以自室112 之一外圍延伸至一接近一旋轉軸132之一部分,且下部加 熱單元128經安裝以將室丨12之一下部部分劃分成一内部區 140及一外部區142。下部加熱單元128包括一安裝於内部 區140中之第一下部加熱單元152及一安裝於外部區中 ❿ 之第二下部加熱單元154。第一下部加熱單元152包括:複 數個第一燈144,其圍繞旋轉軸132沿徑向安置於内部區 140中;及複數個第一反射板146,其安裝於第一燈144下 方及第一燈144之側表面上。第二下部加熱單元154包括: 複數個第二燈148,其圍繞旋轉轴132沿徑向安置於外部區 142中,及複數個第二反射板15〇,其安裝於第二燈1粍下 方及第一燈146之側表面上。 於該基板處理裝置中,除旋轉軸132以外,還形成一驅 動單元134及一磁性密封件156❶旋轉軸132支承基板114並 143931.doc 201029092 上下移動基板114。動單元134連接至旋轉轴132以驅動 旋轉軸132,且當旋轉軸丨32旋轉並上下移動時磁性密封件 156以氣密方式密封室112。旋轉軸132包括一支承基板支 座部分120之-中心之中心支承轴及支承基板支座部分12〇 之一外圍部分之複數個外圍支承轴。 至112劃分成一上部區及—耦合至該上部區之下部區。 該上部區及該下部區分別由上部弯頂及下部弯頂124及126 界定。上部穹頂及下部穹頂124及126中之每一者具曲線平 面。上部加熱單元及下部加熱單元122及128分別安裝於室 112之上部部分及下部部分處以使室丨12之内部溫度保持 咼。一具有一RF電極(未顯示)之鐘罩加熱器用作上部加熱 單元122且一燈加熱器用作下部加熱單元128。 下部穹頂126具備一界定室112之一底表面之傾斜平面 158及旋轉軸132穿過其之一通孔16〇。穿過通孔16〇之旋轉 轴132連接至位於磁性密封件156上之一中心軸(未顯示)。 該中心軸連接至驅動單元134以驅動旋轉軸132。一波紋管 162安裝於通孔160之一下部部分與磁性密封件1 5 6之間以 在旋轉轴132上下移動時保持室U2之氣密性。 一用於量測基板支座部分120之溫度之熱電偶164構建於 旋轉轴132之中心孔18〇中。熱電偶164連接至一位於磁性 密封件156之一下部部分上之端子164以量測位於室112中 之基板支座部分120之溫度。由於旋轉轴132係由石英形 成,因此其無法直接連接至由例如不錢鋼之金屬形成之中 心轴。因此’旋轉軸132藉由一連接構件固定於由例如不 143931.doc •12- 201029092 銹鋼之金屬形成之圓柱形軸166上且轴166連接至該中心 轴。 圖2係一詳細圖解闡釋插入且耦合至波紋管62中之軸ι66 中之旋轉轴132之剖視圖。圖3係一圖解闡釋旋轉轴U2之 透視圖。圖4係一詳細圖解闡釋旋轉軸132的下部部分之透 視圖。圖5係一詳細圖解闡釋一輔助構件j 74之一内部結構 之剖面透視圖且圖6係一詳細圖解闡釋轴i66之一内部結構 參 之刮面透視圖。圖7係最終構件91 5之一透視圖。下文將參 照圖2至7詳細描述麵合至轴166之旋轉轴132。 參照圖2,熱電偶164構建於一形成於旋轉轴132之一中 心部分中之第一中心孔180中且上部凹槽及下部凹槽168及 1 70分別沿對應於軸1 66之旋轉轴132之上部部分及下部部 分之外部周邊形成。為在旋轉軸Π2耦合至軸166中時維持 室1112之氣密,將上部〇形環及下部〇形環171及172插入 至上部凹槽及下部凹槽168及170中。 〇 如圖2至4中所圖解闡釋,對應於轴166之支承構件166具 有一隨著其從上部部分到下部部分而逐漸減小之直徑。轉 合至軸166且形成呈一圓柱形形狀之旋轉軸132具有:_上 部支承部分175 ’其具有第一外徑;一下部支承部分176, 其具有小於第一外徑之第二外徑;及一傾斜支承部分 178 ’其位於上部支承部分與下部支承部分175與I%之間 且具有一傾斜平面及一向下逐漸減小之外徑。與傾斜支承 部分178—樣’下部支承部分ι76可經設計以使其直徑向下 逐漸減小。 143931.doc •13- 201029092 如圖2及6中所圖解閣釋1166包括:一圓柱形主體 194; 一突出部分196,其位於主體194之一 丁部部分上且 搞合至該中心軸…圓柱形内部空間198,其形成於該 主體中且旋轉轴132插入於其中β 旋轉軸〗32、上部〇形環及下部〇形環l7i及ΐ72以及輔助 構件174插入於軸166之内部空間198中。於轴166中内部 空間198自一上部部分延伸至突出部分196位於其中之一下 部部分。内部空間198之直徑係均句的。為增大内部空間
198之面積’内部空間198可經形成以使其内徑向下逐漸增 大以形成傾斜。 如圖2中所圖解闡釋,旋轉軸132之上部部分耦合至軸 166而上部〇形環171間置於其之間。旋轉軸132之一自上部 〇形環171降低1 cm至3 cm<部分耦合至軸166而辅助構件 174及下部〇形環172間置於其之間。插入於一界定於轴166 與旋轉軸132之間的空間中之輔助構件174包括一對應於上 部支承部分175之上部輔助部分184、一對應於傾斜支承部 分178之傾斜辅助部分〗86、一對應於下部支承部分〖%之 下部輔助部分188及一最終辅助部分19〇,該最終輔助部分 接觸旋轉軸132之底表面且具備熱電偶164穿過其之第二中 心孔192。辅助構件174係由特氟龍形成。 下部〇形環1 72間置於輔助構件丨74之下部輔助部分〗88舆 旋轉轴132之下部支承部分176之間。另外,軸166之下部 部分麵合至圓盤狀最終構件185,以使其耦合至突出部分 1 96並遮蔽輔助構件丨74。一第三中心孔2〇〇穿過最終構件 I43931.doc •14· 201029092 185之t心部分形成。熱電偶164穿過第三中心孔細。 最終構件195係由不銹鋼形成。 根據以下過程來裝配旋轉轴132與軸166。於第一步驟 中,將上部0形環及下部〇形環m及m分別安裝於沿上 β支承部分及下部支承部分175及176之外部周邊形成之上 部凹槽及下部凹槽168及m中。於第二步驟中將旋轉轴 132插入至辅助構件174中。於旋轉軸m及輔助構件174 ❹ 中’雖然上部支承部分175緊密接觸辅助構件174之上部輔 助刀184 ’但下部支承部分176及下部輔助部分188並不 緊密接觸下部0形環172。最終輔助部分190緊密接觸旋轉 軸132之下部部分。 於第三步驟中,將上面安裝有輔助構件174以及上部〇形 環及下部Ο形環171及172之旋轉轴132插入至軸166之内部 二間I98中。穿過内部空間198之輔助構件174與轴ι66之一 底面共面。上部支承部分175及軸166彼此耦合而上部〇形 ❹ 環171間置於其之間。於内部空間198中,上部〇形環171與 上。P輔助。p分184間隔開1 cm至3 cm。當在室112中執行處 理時’將向溫内部氣體傳送至波紋管丨62中且因此由特氟 龍形成之輔助構件174未曝露於該内部氣體。 參"、、圖2 ’輔助構件174位於軸166與旋轉軸132之間且不 直接曝露於内部氣體。然而’不直接曝露於該内部氣體之 上部〇形環171之溫度升高。因此,為使上部辅助部分184 不受南溫内部氣體影響’可將上部辅助部分184與上部〇形 核171間隔開1 cm至3 cm。於第四步驟中’使用螺栓將軸 143931.doc 15 201029092 166之突出部分196耦合至最終構件195。於第五步驟中, 將軸166之突出部分196耦合至一下部中心軸(未顯示)。 如上文所描述,由於軸166及旋轉軸132接觸上部〇形環 及下部〇形環171及172而辅助構件174間置於其之間且軸 166與輔助構件174之間的接觸表面以及旋轉軸132與辅助 構件174之間的接觸表面擴大,因此當旋轉軸132旋轉時抵 抗旋轉力之摩擦力增大。由此,轴166及旋轉轴132可彼此 更牢固地耦合。另外,於旋轉軸132之下部支承部分176 處,軸166緊密接觸輔助構件174之下部輔助部分188但下 部輔助部分188因下部〇形環172而不緊密接觸下部支承部 分176。因此,為改善旋轉軸132與輔助構件174之間的接 觸性質,減小下部支承部分176及下部輔助部分188中之一 者之寬度。另一選擇係,旋轉軸132可經設計以具有其直 徑向下逐漸減小之複數個階梯且輔助構件丨7 4經設計以對 應於此旋轉軸132。 如圖3至5中所圖解闡釋,為改善旋轉軸132與輔助構件 i74之間的接觸性質,在旋轉軸132之下部部分上形成一凹 陷部分182且在輔助構件174之最終輔助部分19〇上形成可 插入且耦合至凹陷部分182中之耦合部分丨97。如圖4中 所圖解闡釋’凹陷部分182形成呈—經過旋轉軸132之中心 部分之直線形狀。然而,凹陷部分182可形成呈一十字形 狀或類似形狀。插人至凹陷部分182中之麵合部分197經設 計而具有一搭扣配合結構,以使凹陷部分182與耦合部分 197之間不存在間隙。 143931.doc • 16 · 201029092 如圖2及6中所圖解闡釋’軸166之内部空間i84具有一貫 穿其長度係均勻之内徑。然而,為增大輔助構件Μ與一 界定内部空間184之表面之間的接觸面積,内部空間184之 •㈣可向下逐漸增大或具備其内徑向下逐步增大之複數個 階梯。輔助構件i74亦具有一對應於内部空間184之一形狀 之外部形狀,以使外徑向下逐步增大以便與内部空間184 緊密接觸。 φ 根據該實例性實施例之一經修改實例,如圖8中所圖解 闡釋,上部〇形環171插入至上部凹槽168中且旋轉軸132之 上部部分耦合至軸166之内部部分。另外,具有一沿下部 輔助邛分188之一内部周邊突出之突出部21〇之辅助構件 174插入至下部凹槽17〇中且軸166耦合至旋轉軸132之下部 部分。如圖8中所圖解闡釋,當軸166與旋轉軸132彼此耦 «時,旋轉軸132與輔助構件174之間由於下部〇形環172而 不存在間隔。因此,可進一步增強旋轉軸132與輔助構件 ❹ I74之間及輔助構件174與轴166之間的接觸性質。 此外’如圖9中所圖解闡釋,軸丨66與旋轉轴132彼此耦 合而輔助構件174間置於其之間,但未在旋轉轴丨32上形成 下部凹槽且未在辅助構件188上形成突出部21〇。即使當如 圖9中所圖解闡釋旋轉轴132耦合至軸166時,輔助構件174 與旋轉轴132之間亦不會因如圖8中之下部〇形環172而形成 間隙。因此’可進一步增強旋轉軸丨32與輔助構件174之間 及輔助構件174與轴166之間的接觸性質。 本發明不限於上述實例性實施例。可以不同之方式修改 143931.doc -17- 201029092 該基板處理裝置。亦即,可提供一改善該軸與該旋轉軸之 間的接觸性質且耐高溫之接觸構件。下文將描述包括一下 部結構之基板處理裝置,該下部結構具有一包括該接觸構 件之旋轉軸部分。於下文說明中,將不再描述與前述實施 例相同之部分。另外,下文實例性實施例之特徵可應用於 前述實例性實施例。不用說,前述實例性實施例之特徵亦 可應用於下文實例性實施例。 圖1 〇係一根據另一實例性實施例之基板處理裝置之一剖 視圖,圖11係圖10之基板處理裝置之一旋轉轴部分之一分 @ 解剖視圖’圖12係圖10之基板處理裝置之一旋轉軸部分之 一示意性分解圖,圖13係圖12之旋轉轴部分之一透視圖, 且圖14及15係圖11及12之旋轉軸部分之經修改實例之剖視 圖。 參照圖10至13,此實例性實施例之一基板處理裝置包 括:一室1100,其具有一内部反應空間;一位於室1100中 之基板支座部分1200,其上安置有基板110; 一下部加熱 單元13 00,其位於室1100下方以對該反應空間加熱;一旋 ® 轉轴部分1400 ’其耦合至基板支座部分1200且延伸;及一 驅動單元1500,其對旋轉軸部分1400施加旋轉力。 如圖10中所圖解闡釋’該基板處理裝置可進一步包括一 上部加熱單元1600 ’該上部加熱單元位於室11 〇〇上方以對 該反應空間加熱。雖然圖式中未顯示,但可在該反應空間 中提供一產生電漿之電漿產生單元。 室11〇〇包括一界定内部空間之室本體m〇以及上部弯頂 143931.doc •18· 201029092 及下部穹頂1120及1130。 室本體1110形成呈__具有敞開之頂部及底部之圓柱形形 狀i然而,本發明並不限於此。亦即,室本體1110可形成 多邊形益形狀。室本體1110可至少部分地由金屬形 成。在此實例性實施例中’室本體1110係由铭或不銹鋼形 成。在這一點上,室本體1110用作一界定室1100之内部空 門之侧壁。雖然圖式_未顯示’但室本體n i 〇可具備基板 經由其進出室1100之一入口/出口部分及一用於向該室供 應反應氣體之氣體供應單元連接至其之一氣體供應孔。此 處,該基板入口/出口部分可係前述實例性實施例中所描 述之閘閥。 上部弯頂1120用作室本體111〇之一上蓋(即,室11〇〇之 一頂壁)。一下部區(即,該穹頂之一外圍區)附接到室本體 1110之一頂壁以密封該反應空間之上部區。在這一點上, 有效地,上部穹頂1120可以可拆卸方式附接至室本體 1110。 上部穹頂1120係由一高導熱材料形成以將由上部加熱單 元1600產生之熱量有效地傳送至該反應空間。亦即,上部 穹頂1120可由一可將輻射熱有效地傳送至該反應空間之高 透光板(例如’石英)形成。因此,在室i丨〇〇的反應空間中 朝上部穹頂Π20傳導之輕射熱可穿過上部穹頂112〇。穿過 上部穹頂1120之輻射熱由上部加熱單元16〇〇反射並經由上 部穹頂1120傳送至該反應空間。然而,本發明並不限於 此。亦即’上部穹頂1120可由一陶瓷材料形成。 143931.doc -19- 201029092 上部穹頂1130用作室本體之一下蓋(即,室η 〇〇之 一底壁)。下部弯頂1130附接於室本體111〇之底壁上以密 封該反應空間之一下部區。 下部穹頂1130係由一透光板形成。因此,有效地,由位 於室1100之一外側處之下部加熱單元1300產生之輻射熱傳 送至室1100之反應空間。於此實例性實施例中,有效地, 下部穹頂1130由石英形成。因此,下部穹頂113〇用作一窗 口。不用說’亦有可能下部穹頂丨13〇之一部分由光透射板 形成而其餘部分由在熱傳導性方面並不出色之非透射板形 成。 如圖10中所圖解闡釋,下部穹頂1130包括一向下傾斜之 傾斜底板1131及一自底板1131之一中心部分向下延伸之延 伸管道1132。底板1131形成呈一具有敞開之頂部及底部之 倒錐形狀。 如上文所描述’藉由裝配室本體1110、上部穹頂η 2〇及 下部穹頂1130來製造其中具有一反應空間之室11〇〇。可進 一步安裝一壓力調節單元、一壓力量測單元及一用於檢查 該室之内側之各種設備。另外,可提供一透過其使用者可 觀察該室之内側之視口。可進一步提供一用於將雜質及未 反應材料排放出該室之排放單元。 如圖10中所圖解闡釋,下部加熱單元1300包括至少一個 燈加熱器1310、一用於向燈加熱器1310供應電力之供電單 元1320及一用於將燈加熱器1310固定於室u 00之下部區上 之支承單元1330。 143931.doc -20- 201029092 燈加熱器1310可以燈泡或圓形帶之形式提供。於此實例 性實施例中,複數個燈加熱器1310安置於中心區及外圍區 處。在這一點上,如圖1〇中所圖解闡釋,安置於該中心區 處之燈加熱器1310可配置於一低於安置於該外圍區處之燈 加熱器1310之區處。為此目的,支承單元133〇可形成有一 1¾梯。供電單元1320之電力經由支承單元133〇供應至燈加 熱器1310。因此,有效地,在支承單元133〇之一側處提供 φ 一上面耦合有燈加熱器1310之插座《另外,支承單元133〇 可用作上述反射板。為此目的,有效地,一反射材料可塗 佈於支承單元1330上或支承單元1330由一在反射比方面並 不出色之材料形成。 如上文所描述’於此實例性實施例中,燈加熱器丨3丨〇安 置於由石英形成之下部穹頂113〇下方。因此,燈加熱器 1310之輻射熱經由下部穹頂113〇傳送至室11〇〇之反應空 間。在這一點上,僅下部穹頂丨13〇之一毗鄰於燈加熱器 φ 131〇之部分可由石英形成。 於此實例性實施例中’上部加熱單元i600安置於該室之 上部區處。因此’室110之内部空間可由上部加熱單元 1600均勻地加熱。另外’可防止經由室1100之上部部分之 熱損失。另外’上部加熱單元16〇〇可安置於基板11〇上以 向基板110直接供應熱能。因此,藉由使用具有電熱源之 上部加熱單元1600 ’可向基板11〇供應其溫度不會突然改 變之熱量且因此可防止可能因突然溫度改變而引起之對基 板110之損壞。 143931.doc -21 - 201029092 上部加熱單元議形成呈―覆蓋室之上部弯頂1120 之杯形狀。可在上部加熱單元16〇〇之内表面上形成—反射 塗層,以便可減少因下部加熱單元则起之輻射能損 失。 另外’雖然圖式中未顯示’但可藉由堆疊複數塊來形成 上部加熱單元觸。在這—點上,可在該板之間安置熱絕 緣材料或可在該板之間形成冷料路。可進―步提供用於 保護室1100免遭外部衝擊之分離保護板。 如上文所描述,室1100之内部空間可藉由室11〇下方之 下部加熱單元1300及室1100上方之上部加熱單元16〇〇來維 持處理溫度。 另外,用於支承基板110之基板支座部分12〇〇被設置於 室1100之内部空間中。 基板支座部分1200包括一晶座。在這一點上,該晶座形 成呈一與基板110幾乎相同之板形狀。亦有效地,基板支 座部分1200由在熱傳導性上出色之材料形成。基板支座部 分1200具有至少一個基板支座區,以便可在基板支座部分 1200上安置至少一個基板丨1 〇。 於此實例性實施例中,提供一支承並旋轉室丨丨〇〇之反應 二間中之基板支座部分120之旋轉軸部分14〇〇。 如圖11及12中所圖解闡釋’旋轉軸部分14〇〇包括:一旋 轉軸1410,其耦合至基板支座部分12〇〇之下部中心區;複 數個支承軸1410,其延伸至旋轉軸141〇之上部部分處之基 板支座部分120之外圍區以支承基板支座部分12〇〇之外圍 143931.doc -22· 201029092 部分;一轴1430,其中固定插入有旋轉轴141〇之一端;一 接觸構件1440,其使旋轉軸141〇與軸143〇彼此緊密接觸; 及一輔助構件1450,其被設置於該軸之下部部分處以支承 旋轉軸1410。 於此實例性實施例中,旋轉軸141〇以空心管之形式提供 且由石英形成。 為使用此實例性實施例之基板處理裝置在該基板上沈積 藝薄膜,該室之内部環境必須清潔。亦即,當該基板之表面 上存在雜質時,會在該基板上沈積有缺陷之薄膜。特定而 言,甚至粒子亦可在磊晶處理中引起薄膜之瑕疵。因此, 旋轉軸1410由石英形成以以使室丨1〇〇中之粒子之產生最小 化。另外,一將連接至一用於量測該室之處理條件之感測 器之導線穿過旋轉軸1410之内部。因此,該旋轉軸以空心 管之形式提供。 旋轉轴1410之一端固定於基板支座部分12〇〇之下部中心 • 區處。支承軸1420自旋轉軸1410之上部區延伸至基板支座 部分1200之外圍區且柄合至基板支座部分uoo之外圍區, 以使基板支座部分1200可藉由旋轉軸141〇及支承軸142〇設 置於反應空間中。 此處’為使熱量之影響最小化,旋轉軸丨41 〇沿長度方向 延伸至室1100之下部區。亦即,如圖1〇中所圖解闡釋,旋 轉軸1410沿長度方向延伸至下部穹頂113〇之延伸管1132 中。因此,旋轉轴1410之至少一部分可由室之下部穹 頂支承。若旋轉轴1410固定支承於延伸管1132中,則可能 143931.doc •23- 201029092 存在旋轉轴1410呈其中其為單側或傾斜之狀態旋轉之問 題。 另外,為對由石英形成之旋轉轴1410施加旋轉力,旋轉 軸1410必須固定耦合至驅動單元15〇〇。然而,存在難以將 由石英形成之旋轉軸1410固定耦合至驅動單元15〇〇之問 題。 亦即’由於石英具有其容易因外部衝擊而破裂之性質, 因此難以將由石英形成之旋轉軸丨41〇固定於室11 〇〇之下端 上0 因此,於此實例性實施例中,軸143〇間置於旋轉軸141〇 與下部穹頂1130之延伸管1132之間以固定旋轉轴141〇且軸 1430固定至驅動單元15〇〇以將該驅動單元之旋轉力傳送至 旋轉軸1410。另外,由於軸143〇由延伸管1132之下部部分 支承,因此可根本上防止傾斜之旋轉轴141〇之旋轉。 在這一點上,為使粒子之產生最小化、抑制熱量之影響 並改善耦合性質,軸1430可由SUS材料形成。 軸1430包括一形成呈一具有敞開之頂部及底部之管形狀 之軸本體1431及用於將軸本體1431固定至驅動單元^⑻之 至少-個岐突出部1432。旋轉轴141〇固定插人至轴本體 1431中。此外,固定突出部1431自軸本體^^之下端外表 面向外延伸。不用說,本發明並不限於此。固定突出部 1432可以帶形式提供。另外,有效地,固定突出部1432經 由例如螺栓、螺母、螺釘等固定單元ϋ定至驅動單元 1500。為此目的,固定突出部1432可具備凹槽。 143931.doc •24· 201029092 於此實例性實施例中,不是在相關技術中使用之〇形 環’而是使用接觸構件1440來達成軸1430與旋轉軸1410之 間的緊密耦合。接觸構件1440由與轴1430相同之材料形 成。亦即,接觸構件1440可由SUS材料形成。 此處,如圖10及12中所圖解闡釋,接觸構件144〇位於軸 1430之上部區處。亦即,旋轉軸141〇在軸143〇之上部部分 處緊密接觸軸1430。在這一點上,辅助構件〗45〇被設置於 φ 軸1430之下部區處。在這一點上,輔助構件1450可由特氟 龍形成。另外’輔助構件1450之一端延伸至一位於轴1430 與旋轉軸1410之間的區以使軸1430緊密接觸旋轉軸141〇, 從而可藉由輔助構件1450進一步防止旋轉轴141〇之擺動及 傾斜。 如圖11至13中所圖解闡釋,接觸構件144〇包括一形成呈 一具有敞開之頂部及底部之管形狀之接觸本體及一藉由將 接觸本體1441之上部部分及下部部分中之至少一者切割成 ❹ 複數個區段並將接觸本體1441之區段彎折丨9次而形成之彈 性部分1442。 旋轉轴1410穿透形成呈管形狀之接觸本體1441。於此實 例性實施例中,接觸本體1441由SUS材料形成以改善裝配 性質、防止污染並降低製造成本。 如圖13中所圖解闡釋,彈性部分1442形成於接觸本體 1441之上部區及下部區中之每一者上。不用說本發明並 不限於此。彈性部分1442可由上部區及下部區中之一者形 成0 143931.doc -25· 201029092 彈性部分1442係藉由將接觸本體1441之上部區及下部區 中之每一者沿長度方向切割成複數個區段並將所切割區彎 折而形成。在這一點上,有效地,毗鄰切割區之彎折方向 彼此不同°亦即,若一個切割區朝接觸本體1441之+心部 分(即’朝旋轉軸1410)彎折,則毗鄰切割區向離開接觸本 體1441的方向(即’朝軸143〇)彎折。然而,本發明並不限 於此。該等切割區之彎曲方向可彼此相同。另外,該等切 割區之彎曲次數可多於1 0次。 在這一點上’有效地’切割區之垂直長度小於接觸本體 Θ 1441之垂直長度之1/4。更有效地,切割區之垂直長度可 處於接觸本體1441之垂直方向之1/1〇至1/4之範圍内。在這 一點上’當切割區的垂直長度小於接觸本體1441之1/1〇 時’彎折面積減小且因此接觸本體1441無法有效地支承旋 轉軸1410及軸1430。另外’當切割區之垂直長度大於接觸 本體1441之1/3時,由於接觸本體1441之面積減小,因此 無法對彈性部分1442施加足夠的力。 ❹ 如上文所描述,彈性部分1442藉由彎折接觸本體1441之 切割區而具有彈力。因此,彈性部分丨442之彈力可將旋轉 轴1410固定至軸1430。另外,由於安置於旋轉轴1410與轴 1430之間的彈性部分1442用相等力推動旋轉轴141〇及轴 1430,因此可防止旋轉軸141〇之傾斜。因此,可防止由旋 轉軸1410之傾斜引起之基板支座部分12〇〇之擺動。 此外,如先前所描述,於此實例性實施例中,具有彈性 部分1442及接觸本體1441之接觸構件1440由與轴1430相同 143931.doc •26- 201029092 之材料形成。因此,可防止接觸構件144〇容易因熱量而劣 化且因此與相關技術中使用之〇形環相比接觸構件144〇之 使用壽命變長。由此,可改善裝置之可靠性。 在相關技術中使用之0形環之情況下,當其長時間使用 時,其可黏著至軸1430或旋轉軸131〇 ^因此,難以移除〇 形%以進行維護。由於此,完全地替換該轴且因此維護成 本及時間增加。然而,當如此實例性實施例中使用由sus φ 材料形成且具有彈性部分1442之接觸構件1440時,可容易 地附接及拆卸接觸構件i 44〇且因此可減少維護成本及時 間。 在這一點上,接觸構件1440之結構不限於此實例性實施 例而是可以不同之方式修改接觸構件144〇之結構。 如圖14之經修改實例中所圖解闞釋,接觸構件144〇可安 置於軸143 0與旋轉軸1410之間的整個空間中。 在這一點上’彈性部分1442形成於接觸構件1440之上部 φ 區及下部區兩者上。因此,軸1430之上部區藉由形成於接 觸構件1440之上部區上之彈性部分1442緊密接觸旋轉轴 1410且軸1430之下部區藉由形成於接觸構件1440之下部區 上之彈性部分1442緊密接觸旋轉軸1410。在這一點上,如 圖14中所圖解闡釋,彈性部分1442可具有複數個彎折區。 如上文所描述,軸1430之上部區及下部區(即,至少11個 區)藉由一個彈性構件1440緊密接觸旋轉軸1410且因此可 防止旋轉軸1410之擺動。此處,有效地,接觸構件1440之 長度等於軸1430之長度或比其略小不到1〇°/。。另外,當如 143931.doc -27- 201029092 上文所描述接觸構件1440安置於轴1430與旋轉轴1410之間 的整個空間中時,可省略已設置於轴1430之下部部分處之 輔助構件1450。 另外’如圖15之經修改實例中所圖解闡釋,第一及第二 接觸構件1440a及1440b可分別設置於軸1430之上部區及下 部區處。在此種情況下,軸1430之上部區及下部區可分別 藉由第一及第二接觸構件1440a及1440b緊密接觸旋轉軸 1410。在此種情況下,亦可省略辅助構件145〇。第一及第 二接觸構件1440a及1440b中之每一者皆包括一接觸本體 1441及一形成於接觸本體1441之上部區及下部區中之每一 者上之彈性部分1420。在這一點上,形成於接觸本體1441 之上部區及下部區上之彈性部分1420之推進力可彼此相 反。亦即’如圖15中所圖解闡釋,形成於接觸本體1441之 上部部分上之彈性部分1442具有一接觸軸1430之彎折區且 形成於下部部分上之彈性部分1442具有一接觸旋轉軸1410 之彎折區。 經修改實例可至少部分地應用於先前所描述之實例性實 施例且應用於彼此。 於此實例性實施例中,驅動單元WOO對如上文所描述耦 合之旋轉軸1410施加旋轉力。雖然圖式中未顯示,但驅動 單元1500包括一產生旋轉力之馬達及自該馬達延伸且連接 至旋轉軸1410之中心軸。在這一點上,先前描述之轴143〇 連接至該中心軸。因此’該中心抽之旋轉力傳送至轴143〇 且旋轉軸1410因轴1430之旋轉而旋轉。因此,連接至旋轉 143931.doc 201029092 軸14 10之基板支座部分12〇〇旋轉。另外,雖然圖式中未顯 示,但該驅動單元進一步包括一包封該中心轴之外殼及— 用於密封該中心軸與該外殼之間的間隙之磁性密封件。藉 由此結構’該室之内部空間之真空未因被設置於該室之外 側處之驅動單元1500而被釋放。不用說,可在室丨1〇〇之下 部穹頂1130與該外殼之間提供例如波紋管之密封單元。 下文將描述一根據另一實例性實施例具有用於防止旋轉 φ 軸之擺動之單元之基板處理裝置。將不描述與前述實施例 相同之構件。另外,下文實例性實施例之特徵可應用於前 述實例性實施例。不用說,前述實例性實施例之特徵亦可 應用於下文實例性實施例。 圖1 6係一根據再一實施例之基板處理裝置之一剖視圖, 圖17係圖16之基板處理裝置之一旋轉轴部分之一示意性分 解圖,圖18係圖17之旋轉軸部分之一對準帽之一分解透視 圖’圖19係圖17之旋轉軸部分之一剖視圖,且圖2〇及21分 φ 別係圖17及19之旋轉轴部分之一經修改實例之分解透視圖 及剖視圖。 如圖1 6至19中所圖解闡釋,此實例性實施例之基板處理 裝置包括:一室2100’其具有一内部反應空間;一位於室 2100中之基板支座部分22〇〇,其上安置有基板21〇; 一下 部加熱單元2300,其安置於該室下方以對該内部反應空間 加熱;一旋轉軸部分2400,其延伸且連接至基板支座部分 2200 ;及一驅動單元25〇〇,其對旋轉轴部分24〇〇施加旋轉 力。 143931.doc -29- 201029092 此實例性實施例之旋轉軸部分鳩包括:一旋轉軸盆 連接至基板支座部分22G之下部中心區;複數個支承轴 2420,纟自旋轉轴241〇之上部冑分延伸至基板支座部分 2200之外圍區以支承基板支座部分22〇〇之外圍區;一軸 2430,其中固定插入有旋轉轴241〇之一端;一接觸構件 2440,其達成旋轉軸2410與軸243〇之間的緊密接觸;及一 定心帽2450,其安置於軸243〇之下部部分處以對準旋轉轴 2410之定心。另外,如圖16及17中所圖解闡釋,該基板處 理裝置進一步包括一安置於定心帽245〇與旋轉軸241〇之間 的密封構件,例如Ο形環2460 » 於此貫例性實施例中,軸2430插入於旋轉軸241 〇與下部 穹頂2130之延伸管2132之間以固定旋轉軸241〇。軸243〇固 疋至驅動單元2500,以便可將驅動單元2500之旋轉力傳送 至旋轉轴2410。另外,轴2430由延伸管2132之下部部分支 承且因此可根本上防止旋轉軸2410呈其中其為傾斜之狀態 旋轉。 此處,為使粒子之產生最小化、抑制熱量之影響並改善 耦合性質,軸2430可由SUS材料形成。 定心帽2450安置於軸2430之下端上以維持旋轉之旋轉轴 2410之定心。如圖17至19中所圖解闡釋,定心帽245〇包括 一形成呈一環形狀之中心本體2451及一安置於中心本體 2451上且向内及向下傾斜之定心本體2452。此處,有效 地,中心本體2451及定心本體2452由同一材料形成。 中心本體2451形成呈一圓私形狀且具有一可大致等於處 143931.doc -30· 201029092 於誤差容限内之軸2430之一内徑之直徑。在這一點上,如 圖16中所圖解闡釋,可將中心本體2451固定至轴243〇之下 端開口區。在這一點上,中心本體245丨可藉由一例如螺栓 之固定單元固定至軸243〇。不用說,中心本體2451可以搭 扣配合方式固定至軸2430。在這一點上,中心本體2451可 由與軸2430相同之材料形成。 定心本體2452具有一形狀大致類似於一三角形之區段。 φ 亦即,定心本體2452具有一自中心本體245丨之一外表面延 伸之側壁表面2452a及一自側壁表面2452a之一端向下朝中 心本體245 1之上部表面傾斜之帽傾斜表面2452b。定心本 體2452可進一步包括一緊密接觸中心本體2451之上部表面 並互連側壁表面2452a與帽傾斜表面2452b之接觸表面(未 顯示)。 此處,旋轉轴2410之一端連接至定心本體2452之帽傾斜 表面2452。在這一點上,旋轉轴24丨〇之該端沿帽傾斜表面 φ 2452b滑動且隨後固定至定心帽2450之中心部分。因此, 可防止因外部因素而引起之旋轉轴241 〇中心之變化。亦 即,可防止旋轉軸2410與定心帽245之中心(即,與轴243〇 之中心區)偏離。 如圖式中所圖解闡釋,旋轉轴2410在其端部分處具備— 對應於帽傾斜表面2452b之轴傾斜表面2411。軸傾斜表面 2411自形成呈管形狀之旋轉轴2410之一外表面向下朝旋轉 軸2410之一内表面傾斜。因此,旋轉轴241〇之端部分之軸 傾斜表面2411緊密接觸帽傾斜表面2452b。因此,旋轉轴 143931.doc -31- 201029092 2410的支承力因帽傾斜表面2452b而得到改善且因此可防 止旋轉軸2410之擺動。因此,基板支座部分2200可在無旋 進運動之情況下水平旋轉。 此處,如圖16及17中所圖解闡釋,有效地,Ο形環2460 安置於軸傾斜表面2411與帽傾斜表面2452b之間,以改善 表面2411與2452b之間的接觸力、對表面2411及2452b施加 彈力並防止表面2411及2452b被磨損。 可以不同之方式來構造此實例性實施例之定心本體2452 以對準旋轉軸2410之中心。 ®
圖20顯示定心本體之一經修改實例。參照圖20,定心本 體2452可包括:至少一個第一定心本體2452-1,其具有自 外側向内侧傾斜之第一帽傾斜表面2452b-l ;及至少一個 第二定心本體2452-2,其具有自外側向内侧傾斜之第二帽 傾斜表面2452b-2。旋轉軸2310於其一端處具備:至少一 個第一傾斜部分2411-1,其具有對應於第一定心本體2452_ 1之第一帽傾斜表面2452b-l之第一轴傾斜表面2411a ;及 至少一個第二傾斜部分2411-2,其具有對應於第二定心本 體2452-2之第二帽傾斜表面2452b-2之第二轴傾斜表面 2411b。 第一及第二定心本體2452-1及2452-2與第一及第二傾斜 部分2411-1及2411-2彼此咬合。因此,定心本體2452可緊 固地支承旋轉軸2410之下端且可防止旋轉轴2410之擺動。 於此實例性實施例中,提供接觸構件2440以使轴2430與 旋轉轴2410彼此緊密接觸。在這一點上,圖17中所示之〇 143931.doc -32- 201029092 形環用作接觸構件2440。各種其它構件可用作接觸構件 2440 ° 此處,接觸構件2440將旋轉軸2410支承於軸2430之上部 區處且定心帽2450將旋轉轴2410支承於轴2430之下端處。 因此,該旋轉軸可固定支承於軸2430之上部區及下部區 處。於此實例性實施例中,可藉由定心帽2450來防止旋轉 軸2410之定心對準之變化。 如圖21之一經修改實例中所圖解闡釋,接觸構件244〇可 形成呈一用於代替〇形環之圓柱形形狀。接觸構件244〇由 與該轴相同之材料形成以对磨損且耐熱。圓柱形接觸構件 2440可由SUS材料形成。 在這一點上,如圖21中所圖解闡釋,接觸構件244〇可包 括一形成呈一具有敞開之頂部及底部之管形狀之接觸本體 2441及一藉由將接觸本體244丨之上部部分及下部部分中之 至少一者切割成複數個區段並將接觸本體2441之該等區段 • 彎折超過16次而形成之彈性部分2442。 又 ,由於在互連之旋轉軸與軸之間插
143931.doc 根據該實例性實施例 入輔助構件’因此增強 •33· 201029092 此外’由於該旋轉軸固定插入至該軸中且由與該軸相同 的材料形成且具有彈性之接觸構件安置於該旋轉轴與該軸 之間’因此裝置之使用壽命增加且可減小用於維護/維修 之成本及時間。此外,由於可防止該旋轉轴之擺動(即, 旋進運動),因此可沈積具有均勻厚度之薄膜。 另外,由於耦合至該軸之定心帽安裝於該旋轉軸之下端 上’因此可防止該旋轉軸之擺動且因此可抑制基板支座部 分之旋進運動。 雖然已參照具體實施例描述了基板處理裝置,但其並不 限於該等具體實施例。熟習此項技術者易於瞭解,可對本 發明作出各種修改及改變’此並不背離隨附申請專利範圍 所界定之本發明之精神及範疇。 【圖式簡單說明】 根據上文說明結合附圖可更詳細地理解實例性實施例, 附圖中: 圖1係一根據一實例性實施例之基板處理裝置之一示意 圖; 圖2係圖1之基板處理裝置之一波紋管部分之一剖視圖; 圖3及4係圖1之基板處理裝置之一旋轉軸之局部透視 圖; 圖5係圖1之基板處理裝置之一輔助構件之一局部剖面透 視圖; 圖6係圖1之基板處理裝置之一轴之一局部剖面透視圖; 圖7係圖1之基板處理裝置之一最終構件之一透視圖; 143931.doc -34- 201029092 部剖视 圖8及9係圖2之波紋管部分之一經 / P又耳例之局 —剖 圖10係一根據另一實例性實施例之基板處理裝置 視圖, 視圖; 圖11係圖10之基板處理裝置之一旋轉軸部分之一分解刊 意性 圖12係圖10之基板處理裝置之一旋轉軸部分之—示 分解圖; 圖13係圖12之旋轉軸部分之一透視圖; 圖14及15係圖11及12之旋轉轴部分之經修改實例之剖視 圖; 圖16係一根據再一實施例之基板處理裝置之一剖視圖; 圖17係圖1 6之基板處理裝置之一旋轉軸部分之一示意性 分解圖; 圖18係圖17之旋轉軸部分之一對準帽之一分解透視圖; 圖19係圖17之旋轉軸部分之一剖視圖;及 圖20及21分別係圖17及19之旋轉軸部分之一經修改實例 之分解透視圖及剖視圖。 【主要元件符號說明】 112 室 114 基板 116 閘閥 118 出口 120 基板支座部分 I43931.doc .35· 201029092 122 上部加熱單元 124 上部穹頂 126 下部穹頂 128 下部加熱單元 130 邊緣環 132 旋轉軸 134 驅動單元 140 内部區 142 外部區 144 第一燈 146 第一反射板 148 第二燈 150 第二反射板 152 第一下部加熱單元 154 第二下部加熱單元 156 磁性密封件 160 通孔 162 波紋管 164 熱電偶 166 圓柱形軸 168 上部凹槽 170 下部凹槽 171 上部0形環 172 下部〇形環 143931.doc -36- 201029092
174 輔助構件 175 上部支承部分 176 下部支承部分 178 傾斜支承部分 180 第一中心孔 182 凹陷部分 184 上部輔助部分 186 傾斜輔助部分 188 下部輔助部分 190 最終輔助部分 192 第二中心孔 194 圓柱形主體 195 最終構件 196 突出部分 197 耦合部分 198 圓柱形内部空間 200 第三中心孔 210 基板 1100 室 1110 室本體 1120 上部穹頂 1130 下部穹頂 1131 傾斜底板 1132 延伸管道 143931.doc •37- 201029092 1200 基板支座部分 1300 下部加熱單元 1310 燈加熱器 1320 供電單元 1330 支承單元 1400 旋轉軸部分 1410 旋轉軸 1420 支承軸 1430 軸 1431 轴本體 1432 固定突出部 1440 接觸構件 1440a 第一接觸構件 1440b 第二接觸構件 1441 接觸本體 1442 彈性部分 1450 輔助構件 1500 驅動單元 1600 上部加熱單元 2100 室 2130 下部穹頂 2132 延伸管 2200 基板支座部分 2300 下部加熱單元 143931.doc -38 201029092
23 10 旋轉軸 2400 旋轉軸部分 2410 旋轉軸 2411 表面 2420 支承轴 2430 轴 2440 接觸構件 2450 定心帽 2451 中心本體 2452 定心本體 2452b 帽傾斜表面 2452a 側壁表面 2460 〇形環 2500 驅動單元 2442 彈性部分 2441 接觸本體 2411-1 第一傾斜部分 2411-2 第二傾斜部分 2411a 第一轴傾斜表面 2411b 第二軸傾斜表面 2452-1 第一定心本體 2452-2 第二定心本體 2452b-l 第一帽傾斜表面 2452b-2 第二帽傾斜表面 143931.doc -39-

Claims (1)

  1. 201029092 七、申請專利範圍: 1· 一種基板處理裝置,其包含: 一室,其具有—反應空間; 一基板支座部分’其位於該反應空間中;及 旋轉轴部分,其包含—連接至該基板支座部分之一 下部中心區之旋轉轴、—其中固定插入有該旋轉柏之一 端之連接構件及-使該旋轉轴與連接轴彼此緊密柄合3 接觸構件。 2.如請求们之基板處理裝置,其中該接觸構件包含一, 形接觸本體及-被設置於該接觸本體之上部區及下部屆 中之至少一者中之彈性部分,該旋轉袖係由石英形成 該連接構件係由SUS材料形成且該接觸構件係由與該道 接構件相同之材料形成。 3·如請求項2之基板處理裝置,其中該彈性部分係藉由將 该接觸本體之該上部區及該下部區中之至少一者沿長度 方向切割成複數個切割區段並將該接觸本體之該等切割 區段彎折至少一次而形成。 4·如请求項1之基板處理裝置’其中該接觸構件位於該連 接構件之上部區處且該旋轉軸部分包含一使該 與該旋轉軸在該連接構件之下部區處彼此緊密&合之輔 助構件。 5.如請求項丨之基板處理裝置,其中該接觸構件包含·· 一第一彈性部分,其形成於一接觸本體之一上部區上 且使該旋轉轴與該連接構件在該連接構件之一上部區處 143931.doc 201029092 彼此緊密耦合;及 下部區上 下部區處 一第二彈性部分,其形成於該接觸本體之一 且使該旋轉轴與該連接構件在該連接構件之一 彼此緊密耦合^ 6.如凊求項1之基板處理裝置,其中該接觸構件包含: -第-接觸構件,其使該旋轉軸與該連接構件在該連 接構件之一上部區處彼此緊密耦合;及
    一第二接觸構件,其使該旋轉軸與該連接構件在該連 接構件之一下部區處彼此緊密耦合。 7·如請求項1之基板處理裝置,其中該旋轉軸部分包含: 一中心本體,其經形成呈一環形狀;及 一定心本體,其具有一向下傾斜且位於該中心本體上 之帽傾斜表面, 其中一與該旋轉軸緊密接觸之定心帽被設置於該帽傾 斜表面上。
    8.如請求項7之基板處理裝置,其中該定心本體包含: 至少一個第一定心本體,其具有一自外側向内侧傾斜 之第一帽傾斜表面;及 至少一個第二定心本體’其具有一自内側向外側傾斜 之第二帽傾斜表面, 其中一對應於該帽傾斜表面之軸傾斜表面被設置於該 旋轉軸之一端處。 9·如請求項1之基板處理裝置,其中該旋轉轴包含一上部 支承部分、一位於該上部支承部分下方之下部支承部分 143931.doc 201029092 及一位於該上部支承部分與該 支承部分, 下部支承部分 之間的傾斜 其中該旋轉軸於該傾斜支承部分之_區_ — 一 上部部分至-下部部分逐漸減小之外徑。、自一 10·如請求項9之基板處理裝置,其進一步包 — 旋轉轴與該連接構件之間的輔助構件, 女置於該 其中該辅助構件包含一與該上部 輔助部分、-與該下部支承部分接觸之下=部 一與該傾斜支承部分接觸之傾斜辅助部分及—與 軸之一下部部分接觸之最終輔助部分,且 該旋轉轴包含-被設置於該旋轉轴之一下部部八上之 凹陷部分且該輔助構件包含一插入且叙合至該凹:部分 中之耦合部分。 11. 如請求項9之基板處理裝置,其中至少一個〇形環用作該 接觸構件或該接觸構件包含一經形成呈一管形狀之接觸 本體及-被設置於該接觸本體之上部部分及下部部分中 之至少-者上之彈性部分,且其中當如形環用作該接 觸構件時’該等⑽環包含—安置於該連接構件與該旋 轉軸之間的第-〇形環及—安置於該輔助構件與該旋轉 轴之間的第二〇形環。 12. —種基板處理裝置,其包含: 一室,其具有一反應空間; 一基板支座部分,其位於該反應空間中;及 -旋轉軸部分’其包含:一連接至該基板支座部分之 I43931.doc 201029092 一下部中心區之旋轅舳.— 轉軸,一其中固定插入有該旋轉轴之 一端之連接構件;及—包含—搂 ^ 3 環形中心本體及一位於該 中心本體上且具有_向下傾斜之帽傾斜表面之定心本體 之疋巾目其中該旋轉轴與該帽傾斜表面緊密接觸。 !3.如請求項12之基板處理裝置,其中該定心本體包含一自 «亥中。本體之-外表面延伸之側壁表面及—自該側壁表 面之一端向下_中心本體之上部表面傾斜之帽傾斜表 面;-對應於該帽傾斜表面之輛傾斜表面被設置於該旋 轉軸之-端處;該旋轉㈣由石英形成;且該連接構件 係由SUS材料形成。 Μ•如請求項12之基板處理裝置,其進—步包含—使該連接 構件緊雄辆合至該旋轉軸之接觸構件, 其中至少一個〇形環用作該接觸構件或該接觸構件包 含-經形成呈-管形狀之接觸本體及—被設置於該接觸 本體之上部部分及下部部分中之至少一者上之彈性部 分,且 其中該彈性部分係藉由將該接觸本體之該上部部分及 該下部部分中之至少—者沿長度方向切割成複數個切割 區段並將該接觸本體之該等切割區段彎折至少一次而形 成。 15. —種基板支承裝置,其包含: 一基板支座部分,其位該於反應空間中;及 一旋轉軸部分’其包含一連接至該基板支座部分之一 下部中心區之旋轉轴、一其中固定插入有該旋轉軸之— 143931.doc -4- 201029092 端之連接構件、一使該旋轉軸與連接轴彼此緊密耦合之 接觸構件及一安置於該旋轉轴與該連接構件之間的辅助 構件, 其中該旋轉軸包含一赴鄰於該連接構件之一上部側之 上部支承部分、一位於該上部支承部分下方之下部支承 部分及一位於該上部支承部分與該下部支承部分之間的 傾斜支承部分’其中該旋轉轴於該傾斜支承部分之—區 中具有一向下逐漸減小之直徑。 16.如請求項15之基板支承裝置,其中該輔助構件包含—與 該上部支承部分接觸之上部輔助部分、一與該下部支承 部分接觸之下部辅助部分、一與該傾斜支承部分接觸之 傾斜辅助部分及一與該旋轉轴之一下部部分接觸之最終 輔助部分,且 "亥旋轉轴包含一被設置於該旋轉轴之一下部部分上之
    中之耦合部分。 17. —種基板支承裝置,其包含: 一基板支座部分,其位該於反應空間中
    置於該接觸本體之上 之彈性部分。 143931.doc 201029092 18·如請求項17之基板支承裝置,其中該旋轉轴係由石英形 成,該連接構件係由SUS材料形成,且該接觸構件係由 與该連接構件相同之材料形成, 其中該彈性部分係藉由將該接觸本體之該上部區及該 下β卩區中之至少一者沿長度方向切割成複數個切割區段 並將該接觸本體之該等切割區段彎折至少十次而形成。 19. 一種基板支承裝置,其包含: 一基板支座部分,其位該於反應空間中;及 一旋轉軸部分,其包含:一連接至該基板支座部分之 一下部中心區之旋轉軸;一其中固定插入有該旋轉軸之 一端之連接構件;及一包含一環形中心本體及一位於該 中心本體上且具有一向下傾斜之帽傾斜表面之定心本體 之定心帽,其中該旋轉軸與該帽傾斜表面緊密接觸。 20. 如請求項19之基板支承裝置’其進一步包含一施加旋轉 力至該旋轉軸部分之驅動單元, 其中該旋轉軸係由石英形成,該連接構件係由sus材 料形成,且一對應於該帽傾斜表面之軸傾斜表面被設置 於該旋轉軸之一端處。 143931.doc 6·
TW098136566A 2008-10-29 2009-10-28 Substrate processing apparatus TW201029092A (en)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20080106527A KR101490441B1 (ko) 2008-10-29 2008-10-29 기판처리장치
KR1020090095791A KR101125507B1 (ko) 2009-10-08 2009-10-08 기판 처리 장치
KR1020090095792A KR101136733B1 (ko) 2009-10-08 2009-10-08 기판 처리 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201029092A true TW201029092A (en) 2010-08-01

Family

ID=42116347

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW098136566A TW201029092A (en) 2008-10-29 2009-10-28 Substrate processing apparatus

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20100101730A1 (zh)
CN (1) CN101728242B (zh)
TW (1) TW201029092A (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150037019A1 (en) * 2013-08-02 2015-02-05 Applied Materials, Inc. Susceptor support shaft and kinematic mount
CN109148336B (zh) * 2018-08-23 2021-08-27 重庆市嘉凌新科技有限公司 芯片清洗装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6416647B1 (en) * 1998-04-21 2002-07-09 Applied Materials, Inc. Electro-chemical deposition cell for face-up processing of single semiconductor substrates
US6213478B1 (en) * 1999-03-11 2001-04-10 Moore Epitaxial, Inc. Holding mechanism for a susceptor in a substrate processing reactor
JP4294791B2 (ja) * 1999-05-17 2009-07-15 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 半導体製造装置
JP2002050809A (ja) * 2000-08-01 2002-02-15 Anelva Corp 基板処理装置及び方法
EP1467451A1 (de) * 2003-04-09 2004-10-13 Hirschmann Electronics GmbH & Co. KG Kuppler einer koaxialen Steckverbindung
US20060281310A1 (en) * 2005-06-08 2006-12-14 Applied Materials, Inc. Rotating substrate support and methods of use

Also Published As

Publication number Publication date
CN101728242B (zh) 2012-11-28
US20100101730A1 (en) 2010-04-29
CN101728242A (zh) 2010-06-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8367983B2 (en) Apparatus including heating source reflective filter for pyrometry
KR101249654B1 (ko) 탑재대 구조 및 열처리 장치
US8283607B2 (en) Apparatus including heating source reflective filter for pyrometry
US7964858B2 (en) Ultraviolet reflector with coolant gas holes and method
JP4540796B2 (ja) 石英ウインドウ、リフレクタ及び熱処理装置
CN107731718A (zh) 用于热处理腔室的支撑圆柱
CN103177990A (zh) 冷却改进的快速热处理灯头
TW201138016A (en) Mounting table structure and processing apparatus
WO2006006526A1 (ja) 基材外周処理方法及び装置
JP2001308023A (ja) 熱処理装置及び方法
TW201029092A (en) Substrate processing apparatus
JP2786571B2 (ja) 半導体ウエハー加熱装置
KR101714940B1 (ko) 기판을 조사하기 위한 장치
JP4828031B2 (ja) ランプ、ランプを用いた熱処理装置
JP2009099579A (ja) エキシマランプ光照射装置
JP2003059788A (ja) 基板加熱装置および半導体製造装置
JP2001304971A (ja) 温度測定方法、熱処理装置及び方法、並びに、コンピュータ可読媒体
KR101136733B1 (ko) 기판 처리 장치
KR20180124267A (ko) 웨이퍼 가열장치
JP4969732B2 (ja) 加熱装置、熱処理装置及びランプ冷却方法
KR101125507B1 (ko) 기판 처리 장치
JP4942880B2 (ja) 熱処理装置
KR101149333B1 (ko) 기판 처리 장치
JP2844915B2 (ja) 薄膜形成用基板加熱装置
JP2002270532A (ja) 加熱装置及び熱処理装置