CN101720363B - 用于等离子处理设备的喷头电极总成 - Google Patents
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- 238000012545 processing Methods 0.000 title abstract description 17
- 230000000712 assembly Effects 0.000 title abstract description 5
- 238000000429 assembly Methods 0.000 title abstract description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 47
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 42
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 37
- 238000012856 packing Methods 0.000 claims description 29
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 10
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 6
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 claims description 5
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 13
- 235000010210 aluminium Nutrition 0.000 description 44
- 239000000463 material Substances 0.000 description 40
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 17
- 230000008569 process Effects 0.000 description 15
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 12
- 150000001398 aluminium Chemical class 0.000 description 10
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 9
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000737 Duralumin Inorganic materials 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 235000012489 doughnuts Nutrition 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 2
- -1 6061 aluminium Chemical compound 0.000 description 1
- 229910001094 6061 aluminium alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002449 FKM Polymers 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 206010037660 Pyrexia Diseases 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000005030 aluminium foil Substances 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229960001866 silicon dioxide Drugs 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
- 238000005382 thermal cycling Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45565—Shower nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
- H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32091—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32541—Shape
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/3255—Material
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32715—Workpiece holder
- H01J37/32724—Temperature
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
Abstract
公开多种喷头电极总成，包括适于安装在真空室内部的喷头电极、可选的连接到喷头电极的垫板、在该垫板的多个接触点连接到该垫板或连接到该喷头电极的热控制板和至少一个导热且导电垫圈，该垫圈在这些接触点处将该垫板和该热控制板或将该垫板和喷头电极分开。还公开使用这些喷头电极总成处理半导体基片的方法。
Description
背景技术
在半导体材料处理领域，例如，包括真空处理室的半导体材料处理设备中，包括真空处理室的半导体材料处理设备用来执行各种工艺，如在基片上的各种材料的蚀刻和沉积，以及抗蚀剂剥除。随着半导体技术发展，减小晶体管尺寸要求晶片工艺和工艺设备具有比以往更高等级的精度、可重复性和清洁度。存在多种类型的用于半导体处理的设备，包括使用等离子的应用，如等离子蚀刻、等离子增强化学气相沉积(PECVD)和抗蚀剂剥除。这些工艺所需要类型的设备包括多个设在等离子室内的部件并且必须在那种环境中起作用。等离子室内部的环境包括暴露于等离子、暴露于蚀刻剂气体以及热循环。用于这样的部件的材料必须适于经受该室内的环境条件，并且对于许多晶片的处理也一样，其中对于每个晶片可能包括多个工艺步骤。为了实现较高效费比，这种部件往往必须经受成百上千的晶片循环同时保持其功能性和清洁度。通常，对于产生颗粒的部件的容忍度极低，即便只有极少并且不大于几个纳米的颗粒。对于选取用于等离子处理室内部的部件也需要以最佳效费比方式满足这样要求。
发明内容
喷头电极总成的示例性实施例包括适于安装在真空室内部并由射频(RF)能量通电的喷头电极；连接到喷头电极的垫板；通过多个紧固件在该垫板的多个接触点连接到该垫板的热控制板；和至少一个导热且导电的垫圈，在该接触点将该垫板和该热控制板 分开。
一种控制等离子蚀刻的方法的示例性实施例包括通过该喷头电极总成将工艺气体提供至该等离子蚀刻室，该工艺气体流进该喷头电极和其上支撑半导体基片的底部电极之间的间隙；以及通过向该喷头电极施加RF功率并将该工艺气体激励成等离子态来蚀刻该等离子蚀刻室中的半导体基片，其中该喷头电极的温度由该热控制板凭借通过该至少一个导热且导电垫圈增强的热传递来控制。在该方法中，可使用上述的喷头电极总成的示例性实施例。
喷头电极总成的另一示例性实施例包括适于安装在真空室内部的喷头电极；在该喷头电极的多个接触点连接到该喷头电极的热控制板；和至少一个导热且导电垫圈在这些接触点将该喷头电极和该热控制板分开以及将形成在该热控制板中的邻近的集气室分开。
附图说明
图1说明半导体材料等离子处理设备的喷头电极总成的示例性实施例。
图2是图1所示的该喷头电极总成一部分的放大视图。
图3说明图2所示的该喷头电极总成包括分界垫圈的部分。
图4是图1所示的该喷头电极总成另一包括分界垫圈的部分的放大视图。
图5示出铝垫板的顶部表面，以及图6示出热控制板的环形突出部的底部表面当在这些表面之间具有垫圈材料的情况下在真空处理室中使用这些部件之后的情况。
图7和8示出对于该热控制板和垫板之间没有垫圈以及使用垫圈材料，垫板温度和处理时间的关系。
图9A至9D以及10A到10D示出使用铝垫板、在该热控制板和垫板(图9A至9D)之间具有有垫圈材料以及没有垫圈材料(图10A至10D)的情况的蚀刻速率曲线。
图11是按照另一实施例喷头电极总成的一部分的放大视图。
图12说明图11所示的该喷头电极总成包括分界垫圈的部分。
具体实施方式
用于半导体基片(如硅晶片)的等离子处理设备包括等离子蚀刻室，其用在半导体器件制造工艺中以蚀刻如半导体、金属和电介质材料。例如，电介质蚀刻室可用来蚀刻如二氧化硅或氮化硅材料。在蚀刻工艺期间，该蚀刻室的部件受热以及冷却，并因此经受热应力。对于加热的喷头电极总成的主动加热的部件，这个温度循环会导致颗粒生成增加。
具有加热器以防止喷头电极低于最低温度的喷头电极总成在共有美国专利公布No.2005/0133160A1中描述，并特此通过引用结合所公开的全部内容。该加热器与热控制板配合，与形成等离子蚀刻室顶壁的温度受控顶板热传递。
图1描述平行板电容耦合等离子室(真空室)喷头电极总成100的一半，包括顶部电极103和可选的固定于该顶部电极103的垫板102、热控制板101和顶板111。热力壅塞(Thermal choke)112可提供在该热控制板101的上表面。该顶部电极103设在支撑了半导体基片162(例如，半导体晶片)的基片支撑件160的上方。
该顶板111可形成该等离子处理设备(如等离子蚀刻室)的可移除顶壁。如所示，该顶部电极103可包括内部电极构件105和可选的外部电极构件107。该内部电极构件105通常由单晶硅制成。如果需要，该内部和外部电极105、107可由单片材料制成，如CVD碳化硅、单晶硅或其他合适的材料。
该内部电极构件105的直径可小于、等于或大于待处理的晶片，例如，高达200mm。为了处理更大的半导体基片，如300mm晶片，该外部电极构件107适于将该顶部电极103的直径从大约12英寸扩展到大约19英寸，如大约15英寸到大约17英寸。该外部电极构件107可以是连续的构件(例如，多晶硅或碳化硅构件，如环)，或分段的构件(例如，以环形构造布置的2-6个独立的分段，如单晶硅制成的分段)。在该顶部电极103包括多段外部电极构件107的实施例中，这些分段优选具有彼此重叠的边缘以保护下面的粘合材料不会暴露于等离子。该内部电极构件105优选地包括多个气体通道104，用以将工艺气体喷射进等离子反应室中该顶部电极103下方的空间。该外部电极107优选地在该电极103的边缘形成抬高的台阶。台阶状电极的更多细节可在共有美国专利No.6,824,627中找到，并特此通过引用结合其公开内容。
单晶硅是优选的用于该内部电极构件105和该外部电极构件107的等离子暴露表面的材料。高纯度单晶硅使得等离子处理 期间基片的污染最小，因为其仅将极少量的不期望的元素引入该反应室，并且在等离子处理期间平滑磨损，由此使得颗粒最少。
该喷头电极总成100的大小可设为处理较大的基片，如直接300mm的半导体晶片。对于300mm晶片，该顶部电极103直径至少是300mm。然而，该喷头电极总成的大小可设为处理其他尺寸的晶片或具有非圆形构造的基片。
该垫板102包括垫板106以及可选地包括垫环108。在这样的构造中，该内部电极构件105与该垫板106一起延伸，该外部电极构件107与所围绕的垫环108一起延伸。然而，该垫板106可延伸超出该内部电极构件从而单个垫板可用来支撑该内部电极构件和该分段的外部电极构件，或该内部电极和外部电极可包括整块材料。该内部电极构件105和该外部电极构件107优选地由粘合材料连接到该垫板102，如弹性体粘合材料。该垫板106包括与该内部电极构件105内该气体通道104对准的气体通道113，以提供进入该等离子处理室的气流。该气体通道113通常可具有大约0.04英寸的直径，该气体通道104通常可具有大约0.025英寸的直径。
在该实施例中，该垫板106和垫环108铝材料制成，通常是铝合金材料。该垫板106和垫环108可由裸铝(bare aluminum)制成，即具有表面天然氧化物(并且没有阳极氧化处理)的铝。
该顶部电极103可利用导热且导电弹性体粘合材料连接到该垫板106和垫环108，该材料可适应热应力并在该顶部电极103和该垫板106和垫环108传递热量和电能。或者，该弹性体可以是导热但不导电的。使用弹性体将电极总成的多个表面粘合在一起在例如共有美国专利No.6,073,577中描述，其全部内容通过引用结合在这里。
该垫板106和该垫环108优选地利用合适的紧固件连接到该热控制板101，可以是螺栓、螺钉等。例如，螺栓(未示)可插进该热控制板101中的孔内并旋入该垫板102中的螺纹开口。该热控制板101与主动受控加热器是热传递关系。例如，见图1和2以及共有美国公布No.2005/0133160A1的说明书(特此通过结合其公开内容)，该热控制板101包括挠曲部分109，并优选地由机械加工的金属材料制成，如铝、铝合金(如铝合金6061)等。该热控制板101可由裸铝制成，即，具有表面天然氧化物(并且没有阳极氧化处理)的铝。该顶板111优选地由铝或铝合金(如铝合金6061)制成。等离子限制总成110示为在该喷头电极总成100外侧。包括垂直可调节、等离子限制环组件的合适的等离子限制总成在共有美国专利No.5,534,751中描述，其全部内容通过引用结合在这里。
该热控制板优选地包括至少一个加热器，其在运行中与该温度受控顶板配合以控制该顶部电极的温度。例如，在一个优选实施例中，该加热器提供在该热控制板的上表面上并，包括由第一突出部围绕的第一加热器区域、该第一突出部和该第二突出部之间的第二加热器区域和该第二突出部和该挠曲部分之间的第三加热器区域。加热器区域的数量可以变化；例如，在别的实施例中，该加热器可包括单个加热器区域、两个加热器区域或超过三个加热器区域。或者，该加热器可以设在该热控制板的底部表面上。
该加热器优选地包括层压板，层压板包括聚合材料(其可经受该加热器所达到的工作温度)制成的相对的层之间的电阻加热材料。可以使用的示例性聚合材料是注册商标为 的聚酰亚胺，其可以商业方式从E.I.du Pont de Nemours and Company获得。或者，该加热器可以是嵌入该热控制板中的电阻加热器(例如，铸造热控制板中的加热元件或位于该热控制板中形成的通道中的加 热元件)。该加热器的另一实施例包括安装在该热控制板的上和/或下表面上的电阻加热元件。该热控制板的加热可通过传导和/或辐射实现。
该加热器材料可具有为该第一加热器区域、第二加热器区域和第三加热器区域提供热量均匀加热的任何合适的图案。例如，该层压板加热器可具有规则或不规则图案的电阻加热线路，如锯齿形、蛇形或同心图案。通过利用该加热器协同该温度受控顶板加热该热控制板，可在该喷头电极总成运行期间沿该顶部电极提供所需的温度分布。
位于该第一加热器区域、第二加热器区域和第三加热器区域中的该加热器区段可通过任何合适的技术固定于该热控制板，例如，应用热压、粘结剂、紧固件等。
该顶部电极可电接地，或(优选地由射频(RF)电源170)通电。在一个优选实施例中，该顶部电极接地，并且将处于一个或多个频率的功率提供到该底部电极以在该等离子处理室内生成等离子。例如，该底部电极可以由两个独立受控的射频电源在2MHz和27MHz的频率通电。在处理完基片之后(例如，已经蚀刻好半导体基片)，切断对该底部电极的供电以终止等离子发生。将处理好的基片从该等离子处理室移除，将另一基片设在该基片支撑件上进行等离子处理。在一个优选实施例中，当关闭对该底部电极的供电时，启动该加热器以加热该热控制板，并转而加热该顶部电极。结果，优选地防止该顶部电极温度降低到所需的最低温度以下。对于蚀刻电介质材料，在连续的基片处理运转之间，该顶部电极温度优选地保持在近似恒定的温度，如150至250℃，从而可更一致地处理基片，由此提高工艺成品率。该电源优选地是可控制的，以便基于 该顶部电极的实际温度和所需温度以所需的水平和速率向该加热器提供功率。
在示例性的实施例中，可将该顶部电极加热到至少大约80℃的温度，如将该喷头电极的至少一部分加热并保持在至少100℃、至少大约150℃或至少180℃的温度。半导体基片蚀刻之前加热该顶部电极。该蚀刻可包括在该半导体基片上的氧化物层中蚀刻开口，开口的位置由图案化的光刻胶限定。
该等离子室还可包括，例如如图1所示，温度控制器191；适于提供功率至加热器192的电源193，该加热器热响应该温度控制器191加热该热控制板101；流体控制器194，适于响应该温度控制器191提供流体至该室的温度受控顶壁111；以及温度传感器装置195适于测量该喷头电极一个或多个部分的温度并将信息提供到该温度控制器191。
该喷头电极总成的所述实施例还包括铝挡环装置120，用于将工艺气体分配进等离子室。图1中的该铝挡环装置120包括六个由铝或铝合金制成的环，如6061铝，其包括重量份从大约96到大约98％的Al、大约0.8到大约1.2％的Mg、大约0.4到大约0.8％的Si、大约0.15到0.4％的Cu、大约0.04到0.35％的Cr和可选的Fe、Mn、Zn和/或Ti。该挡环120可具有阳极氧化处理的外部表面。这六个同心L形环设在该垫板102上方以及该热控制板101下方的集气室内。例如，中心集气室可包括单个环，毗连的集气室可包括分开1/2至1英寸间隙的两个环，接下来毗连的集气室可包括分开1/2至1英寸间隙的两个环，以及外部集气室可包括单个环。这些环利用螺钉安装于该热控制板101。例如，每个环可包括圆周间隔的支座或凸台，具有容纳螺钉的通孔，例如，可使用三个间隔布置的凸台。每个环可具有大约0.040英寸厚的水平部分和长度大约1/4英寸的垂直凸缘。
图2说明该喷头电极总成100一部分。如所示，在该铝垫板102的顶部表面134和该热控制板101的环形突出部136之间有接触点132。在该热控制板101中，这些接触点132覆盖该垫板102表面积的大约1％至大约30％。密封138(如O形环)置于该铝挡环120和该顶部表面134之间的旁支(offset)139中以形成气密密封。如所示，该挡环120的垂直壁的上端通过垫片140与该热控制板101的底部表面142分开。该垫片140通常由电介质材料制成，如 
发明人确定在该喷头电极总成100的运行期间，该热控制板101和该包括该垫板106和垫环108的铝垫板102之间沿位于它们之间的接触点会发生磨损。这个磨损会发生在该热控制板101和铝垫板102上，并且是由温度循环引起的该热控制板101和铝垫板102相对表面之间发生的相对移动和摩擦导致的。出于许多原因，这个磨损是不期望的。首先，磨损会导致热传递的降低，并因此导致包括所述内部电极构件105的该顶部电极103的温度漂移。这个温度漂移会导致该等离子处理室中处理多个半导体基片期间的工艺漂移。
该热控制板101和铝垫板102的磨损还会导致颗粒生成，或导致该热控制板101和铝垫板102熔化，从而需要过多的力来分开这些部件，这会导致这些部件损坏。
该热控制板101和铝垫板102的磨损还会增加清理该顶部电极103的难度。
另外，该热控制板101和铝垫板102的磨损退化这些部件的外观并降低它们的寿命。
图3和4说明该喷头电极总成包含改进的示例性实施例，其减少该热控制板101与铝垫板106和垫环108的磨损的发生，并因 此还减少上述与这种磨损有关的问题。尤其是，如图3所示，垫圈144位于该热控制板的该环形突出部136的底部表面和该铝垫板102的顶部表面134之间。该垫圈144由导电(提供至该电极的RF路径)和导热材料制成以在该热控制板101和该铝垫板106之间提供导热和导电。该垫圈144提供导电热分界面。该垫圈144还增强包括该内部电极构件105的该顶部电极103与该热控制板101之间的热传递。还如图3所示，具有与该垫圈144大约相同厚度的垫片146位于该铝挡环120和该热控制板101的底部表面142之间。该垫片146可由电介质材料制成。
该热控制板101包括多个环形突出部136，在该垫板106的背侧建立集气室，例如，2到10个，优选4到8个突出部。环形垫圈144布置在每个环形突出部的突出表面上方。多个紧固件(如3到15个螺栓)穿过各该环形垫圈中的开口以将该热控制板固定于该垫板。
图4描述该垫板106和垫环108的一部分。如所示，环150(例如，石英环)设在该垫板106和垫环108之间的分界面152中。密封件154(O形环)提供在该环150中形成的凹槽156内以形成在该分界面152的密封。由导电且导热材料制成的垫片140提供在该热控制板101和该铝垫环108之间。该垫片140可保持该内部电极构件105和该外部电极构件107之间的密封，并防止由该环150生成颗粒。
通过增强经过这些接触点的热传递，就可以降低包括该内部电极构件105的顶部电极103和该热控制板101之间的温度差，从而还可以减小连续处理一系列晶片过程中的“第一晶片效应”。优选地，可将第一晶片效应降低至小于大约0.5℃。例如，对于蚀刻半导体基片中高纵横比接触过孔，优选地可实现大约 
(大约0.1nm)可重复性，具有大约2nm/10℃的关键尺寸(CD)敏感度。
另外，这些垫圈144优选地还可使新的和旧的铝垫板之间的温度漂移最小化到小于大约5℃。
优选地，这些垫圈144还可降低或防止该热控制板101和铝垫板102的熔化或磨损，这样就允许利用最小的力分开这些部件。
优选地，这些垫圈144如下材料制成，优选地为：在高真空环境(例如，大约10至大约200mTorr)下不会漏气；具有低颗粒生成性能；适应承受接触点处的剪切；不包含是半导体基片中寿命杀手的金属成分，如Ag、Ni、Cu等；以及可在该铝垫板102清洁期间最小化颗粒的生成。
这些垫圈144可以是例如导电硅酮-铝箔复合垫圈结构，或弹性体-不锈钢复合垫圈结构。在一个优选实施例中，这些垫圈144是Bergquist Q-Pad II复合材料，其从位于Chanhassen，Minnesota的Bergquist Company得到。这些材料包括在两侧涂有导热/电橡胶的铝。这些材料与真空环境相容。该热控制板和铝垫板(例如，垫板)的接触表面，每个具有一定程度的由处理(例如，机械加工)导致的粗糙度。该垫圈材料优选地还充分兼容(compliant)，从而其补偿该接触表面的表面粗糙度并且有效填充该接触表面的区域(微孔)以增强该接触表面之间的热接触。
为了最小化来自的该垫圈材料的石墨生成，这些垫圈可使用去离子水清洁，如通过擦拭。该垫圈材料还可涂有合适的涂覆材料，如氟橡胶材料。
图5示出铝垫板106的顶部表面而图6示出热控制板101的环形突出部的底部表面，当在真空处理室中在这些表面之间(在接触点)具有Q-Pad II垫圈材料的情况下使用后的情况。如所示，该 铝垫板106的顶部表面和该环形突出部的底部表面没有磨损痕迹。这些测试在用于蚀刻高纵横比接触开口的170℃温度、5KW RF功率下进行。图5和6示出的这些照片是在室运行12RF小时之后拍摄的。
图7和8示出测试结果，其证明该Q-Pad II复合材料当设在铝垫板的顶部表面和热控制板的环形突出部的底部表面之间时可提高热性能并最小化第一晶片效应。图7中，示出对于没有垫圈以及在铝垫板的顶部表面和热控制板的环形突出部的底部表面之间设置不同的垫圈材料的垫板温度和时间的关系。曲线A是垫板由石墨制成并且没有垫圈，曲线B是垫板由铝制成并且没有垫圈，曲线C是垫板由铝制成以及具有Q-Pad II复合垫圈。图8中，曲线A、B和C是铝垫板并且不使用垫圈，曲线D和E是铝垫板并且具有Q-Pad II复合垫圈。图8中，对于A、B、C，该第一晶片效应是3℃，而在曲线D和E中，该第一晶片效应小于0.5℃。
图9A至9D以及10A至10D示出使用铝垫板以及该热控制板和垫板之间具有Q-Pad II复合垫圈材料(图9A至9D)和没有垫圈材料(图10A至10D)的工艺漂移测试的蚀刻速率曲线。
该Q-Pad II复合垫圈材料的兼容特性意想不到地由于增加该热控制板和垫板之间的接触表面(热和RF路径)的热接触而提高性能，如图7和8以及图9A至9D和10A至10D示出的测试结果所证明。
图11说明喷头电极总成另一实施例的一部分。参考图2和3，图11所示的实施例不包括垫板，以及该热控制板101直接固定于该内部电极构件105。图11所示该喷头电极总成还包括可选的外部电极构件，如图1所示的该外部电极构件107。该外部电极构件可具有由多个分段组成的环形构造。该热控制板101可以任何合适的 方式直接固定于该内部电极构件105和可选的外部电极构件，如通过紧固件和/或粘结剂粘合，如弹性体粘合。如图11所示，该内部电极构件105的顶部表面160和该热控制板101的环形突出部136之间有接触点158。在该实施例中，该热控制板101的外表面可以阳极氧化处理，除了该接触点158处的表面(这里是裸铝)。接触点132提供从该内部电极构件105去除热量的热路径和RF功率通过该内部电极构件105的RF路径。密封件138(如O形环)设在该铝挡环120和该顶部表面160之间的旁支139中以形成气密密封。该挡环120的垂直壁的上端通过垫片140与该热控制板101的底部表面142分开。该垫片140通常由电介质材料制成，如 
图12示出对图11所示的该喷头电极总成的修改以降低该热控制板101和该内部电极构件105(还有该可选的外部电极构件)之间的沿位于它们之间接触点的磨损的发生，并因此还减少与这种磨损相关的问题，如颗粒生成。例如，对于硅电极构件，磨损会导致硅颗粒生成以及铝颗粒生成。具体地，如图12所示，垫圈144位于该热控制板101的环形突出部136的底部表面和该内部电极构件105的顶部表面160之间。该垫圈144将形成在该热控制板101中的一些相邻集气室彼此分开。
该垫圈144可由与上面关于图3和4所示的该喷头电极总成的实施例描述的垫圈144相同的材料制成。该垫圈144材料导电且导热以提供该热控制板101和该内部电极构件105(以及可选的外部电极构件)之间的电和热传导，即，该垫圈144提供该接触点之间的导电热分界面。
还如图12所示，具有与该垫圈144大约同样厚度的垫片146位于该铝挡环120和该热控制板101的底部表面142之间。该垫片146可由电介质材料制成。
尽管已经参照其具体实施例对本发明进行描述，但是对于本领域技术人员来说，显然可进行各种各样的变化和修改，以及应用等同方式，而不背离所附权利要求的范围。
Claims (11)
1.一种喷头电极总成，包括：
喷头电极，适于安装在真空室内部并由射频(RF)能量供电；
连接到喷头电极的垫板；
通过多个紧固件在该垫板的多个接触点连接到该垫板的热控制板，这些接触点包括在该热控制板的下表面上的间隔分开的多个环形突出部；
该环形突出部之间的多个集气室中的由阳极氧化处理的铝制成的挡环，每个挡环包括水平部分和邻近这些环形突出部之一的垂直壁；和
至少一个导热且导电垫圈，其在这些接触点将该垫板和该热控制板分开。
2.根据权利要求1所述的喷头电极总成，其中该至少一个导热且导电垫圈包括大小适于覆盖这些环形突出部的多个环形垫圈。
3.根据权利要求1所述的喷头电极总成，其中该热控制板和该垫板由裸铝制成，该垫圈是金属和聚合物材料制成的层压板。
4.根据权利要求1所述的喷头电极总成，其中该喷头电极包括内部电极和外部电极，该内部电极是由单晶硅制成的圆板，该外部电极是由多个单晶硅分段组成的环形电极。
5.根据权利要求2所述的喷头电极总成，其中该档环的垂直壁在其下端包括邻近该接触点的旁支，该喷头电极总成进一步包括位于该旁支中以便在这些接触点的相对侧形成密封的O形环。
6.根据权利要求1所述的喷头电极总成，其中这些紧固件包括螺纹旋进该垫板的螺栓，这些垫圈包括位于其中的通孔，该螺栓通过这些通孔进入该垫板。
7.根据权利要求1所述的喷头电极总成，进一步包括在该热控制板的上表面上的热力壅塞。
8.根据权利要求1所述的喷头电极总成，其中该导热且导电垫圈不含银、镍和铜，这些接触点覆盖该垫板表面积的1％到30％。
9.根据权利要求1所述的喷头电极总成，其中该喷头电极包括硅电极板，在其一侧具有气体出口，在与之相对的侧面弹性体粘合到由裸铝制成的该垫板。
10.一种喷头电极总成，包括：
喷头电极，适于安装在真空室内部并由射频(RF)能量供电；
连接到该喷头电极的垫板；
通过多个紧固件在该垫板的多个接触点连接到该垫板的热控制板，这些接触点包括在该热控制板的下表面上的间隔分开的多个环形突出部；
至少一个导热且导电垫圈，其在这些接触点将该垫板和该热控制板分开，该至少一个导热且导电垫圈包括大小适于覆盖这些环形突出部的多个环形垫圈；
该环形突出部之间的多个集气室中的由阳极氧化处理的铝制成的挡环，每个挡环包括邻近这些环形突出部之一的垂直壁，该垂直壁在其下端包括邻近该接触点的旁支；以及
位于该旁支中以便在这些接触点的相对侧形成密封的O形环；
其中该挡环的垂直壁的上端通过垫片与该热控制板的下表面分开，该垫片具有与该导热且导电垫圈相同的厚度。
11.一种包括根据权利要求1所述的喷头电极总成的真空室，进一步包括：
温度控制器；
电源，适于提供功率至加热器，该加热器热响应该温度控制器而加热该热控制板；
流体控制器，适于响应该温度控制器提供流体至该室的温度受控顶壁；和
温度传感器装置，适于测量该喷头电极一个或多个部分的温度，并提供信息至该温度控制器，
其中该真空室的顶壁电接地。
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US92910707P | 2007-06-13 | 2007-06-13 | |
| US60/929,107 | 2007-06-13 | ||
| US11/896,375 US7862682B2 (en) | 2007-06-13 | 2007-08-31 | Showerhead electrode assemblies for plasma processing apparatuses |
| US11/896,375 | 2007-08-31 | ||
| PCT/US2008/007089 WO2008156562A2 (en) | 2007-06-13 | 2008-06-05 | Showerhead electrode assemblies for plasma processing apparatuses |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101720363A CN101720363A (zh) | 2010-06-02 |
| CN101720363B true CN101720363B (zh) | 2012-06-20 |
Family
ID=40131234
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2008800223337A Active CN101720363B (zh) | 2007-06-13 | 2008-06-05 | 用于等离子处理设备的喷头电极总成 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US7862682B2 (zh) |
| JP (1) | JP5346018B2 (zh) |
| KR (1) | KR101541202B1 (zh) |
| CN (1) | CN101720363B (zh) |
| SG (1) | SG182197A1 (zh) |
| TW (1) | TWI446403B (zh) |
| WO (1) | WO2008156562A2 (zh) |
Families Citing this family (41)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7645341B2 (en) * | 2003-12-23 | 2010-01-12 | Lam Research Corporation | Showerhead electrode assembly for plasma processing apparatuses |
| US8702866B2 (en) * | 2006-12-18 | 2014-04-22 | Lam Research Corporation | Showerhead electrode assembly with gas flow modification for extended electrode life |
| US8069817B2 (en) * | 2007-03-30 | 2011-12-06 | Lam Research Corporation | Showerhead electrodes and showerhead electrode assemblies having low-particle performance for semiconductor material processing apparatuses |
| US7862682B2 (en) * | 2007-06-13 | 2011-01-04 | Lam Research Corporation | Showerhead electrode assemblies for plasma processing apparatuses |
| US8673080B2 (en) | 2007-10-16 | 2014-03-18 | Novellus Systems, Inc. | Temperature controlled showerhead |
| KR101553422B1 (ko) * | 2007-12-19 | 2015-09-15 | 램 리써치 코포레이션 | 플라즈마 처리 장치를 위한 복합 샤워헤드 전극 어셈블리 |
| KR101553423B1 (ko) | 2007-12-19 | 2015-09-15 | 램 리써치 코포레이션 | 반도체 진공 프로세싱 장치용 필름 점착제 |
| US8679288B2 (en) * | 2008-06-09 | 2014-03-25 | Lam Research Corporation | Showerhead electrode assemblies for plasma processing apparatuses |
| US8161906B2 (en) * | 2008-07-07 | 2012-04-24 | Lam Research Corporation | Clamped showerhead electrode assembly |
| US8221582B2 (en) | 2008-07-07 | 2012-07-17 | Lam Research Corporation | Clamped monolithic showerhead electrode |
| US8206506B2 (en) | 2008-07-07 | 2012-06-26 | Lam Research Corporation | Showerhead electrode |
| US8809800B2 (en) * | 2008-08-04 | 2014-08-19 | Varian Semicoductor Equipment Associates, Inc. | Ion source and a method for in-situ cleaning thereof |
| US8147648B2 (en) * | 2008-08-15 | 2012-04-03 | Lam Research Corporation | Composite showerhead electrode assembly for a plasma processing apparatus |
| US8869741B2 (en) * | 2008-12-19 | 2014-10-28 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for dual confinement and ultra-high pressure in an adjustable gap plasma chamber |
| US8402918B2 (en) | 2009-04-07 | 2013-03-26 | Lam Research Corporation | Showerhead electrode with centering feature |
| US8272346B2 (en) * | 2009-04-10 | 2012-09-25 | Lam Research Corporation | Gasket with positioning feature for clamped monolithic showerhead electrode |
| SG169960A1 (en) | 2009-09-18 | 2011-04-29 | Lam Res Corp | Clamped monolithic showerhead electrode |
| KR200464037Y1 (ko) | 2009-10-13 | 2012-12-07 | 램 리써치 코포레이션 | 샤워헤드 전극 어셈블리의 에지-클램핑되고 기계적으로 패스닝된 내부 전극 |
| DE202010014805U1 (de) * | 2009-11-02 | 2011-02-17 | Lam Research Corporation (Delaware Corporation) | Heissrandring mit geneigter oberer Oberfläche |
| US8529729B2 (en) | 2010-06-07 | 2013-09-10 | Lam Research Corporation | Plasma processing chamber component having adaptive thermal conductor |
| US8573152B2 (en) * | 2010-09-03 | 2013-11-05 | Lam Research Corporation | Showerhead electrode |
| US8470127B2 (en) | 2011-01-06 | 2013-06-25 | Lam Research Corporation | Cam-locked showerhead electrode and assembly |
| JP5933602B2 (ja) | 2011-03-04 | 2016-06-15 | ノベラス・システムズ・インコーポレーテッドＮｏｖｅｌｌｕｓ Ｓｙｓｔｅｍｓ Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | ガス分配を行なう装置および基板処理装置 |
| JP5712741B2 (ja) * | 2011-03-31 | 2015-05-07 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び記憶媒体 |
| CN103198993B (zh) * | 2012-01-09 | 2015-08-12 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 一种用于等离子体处理装置的气体喷淋头 |
| US9058960B2 (en) | 2012-05-09 | 2015-06-16 | Lam Research Corporation | Compression member for use in showerhead electrode assembly |
| US9267205B1 (en) * | 2012-05-30 | 2016-02-23 | Alta Devices, Inc. | Fastener system for supporting a liner plate in a gas showerhead reactor |
| US9610591B2 (en) | 2013-01-25 | 2017-04-04 | Applied Materials, Inc. | Showerhead having a detachable gas distribution plate |
| US9449797B2 (en) | 2013-05-07 | 2016-09-20 | Lam Research Corporation | Component of a plasma processing apparatus having a protective in situ formed layer on a plasma exposed surface |
| US10804081B2 (en) | 2013-12-20 | 2020-10-13 | Lam Research Corporation | Edge ring dimensioned to extend lifetime of elastomer seal in a plasma processing chamber |
| US10741365B2 (en) * | 2014-05-05 | 2020-08-11 | Lam Research Corporation | Low volume showerhead with porous baffle |
| US9911579B2 (en) | 2014-07-03 | 2018-03-06 | Applied Materials, Inc. | Showerhead having a detachable high resistivity gas distribution plate |
| US9859088B2 (en) * | 2015-04-30 | 2018-01-02 | Lam Research Corporation | Inter-electrode gap variation methods for compensating deposition non-uniformity |
| US10378107B2 (en) | 2015-05-22 | 2019-08-13 | Lam Research Corporation | Low volume showerhead with faceplate holes for improved flow uniformity |
| US10023959B2 (en) | 2015-05-26 | 2018-07-17 | Lam Research Corporation | Anti-transient showerhead |
| US11380557B2 (en) * | 2017-06-05 | 2022-07-05 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for gas delivery in semiconductor process chambers |
| US20190032211A1 (en) * | 2017-07-28 | 2019-01-31 | Lam Research Corporation | Monolithic ceramic gas distribution plate |
| CN111383892B (zh) * | 2018-12-29 | 2023-03-07 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 等离子体处理装置中气体喷淋头的接地连接结构 |
| CN111524775B (zh) * | 2019-02-01 | 2023-03-10 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 一种等离子处理器以及用于等离子处理器的上电极组件 |
| KR102198929B1 (ko) | 2019-02-28 | 2021-01-06 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치의 가스 공급 유닛 |
| CN112885691A (zh) * | 2019-11-29 | 2021-06-01 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 等离子体处理装置及其稳定性优化的方法 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4598249A (en) * | 1984-02-29 | 1986-07-01 | Rca Corporation | Method using surface photovoltage (SPV) measurements for revealing heavy metal contamination of semiconductor material |
| JP3113796B2 (ja) * | 1995-07-10 | 2000-12-04 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| US6092811A (en) * | 1996-04-30 | 2000-07-25 | Jamco Products, Llc | Hybrid gasket |
| US6120608A (en) * | 1997-03-12 | 2000-09-19 | Applied Materials, Inc. | Workpiece support platen for semiconductor process chamber |
| US6412437B1 (en) | 2000-08-18 | 2002-07-02 | Micron Technology, Inc. | Plasma enhanced chemical vapor deposition reactor and plasma enhanced chemical vapor deposition process |
| US20030185729A1 (en) * | 2002-03-29 | 2003-10-02 | Ho Ko | Electrode assembly for processing a semiconductor substrate and processing apparatus having the same |
| US7270713B2 (en) * | 2003-01-07 | 2007-09-18 | Applied Materials, Inc. | Tunable gas distribution plate assembly |
| US7645341B2 (en) | 2003-12-23 | 2010-01-12 | Lam Research Corporation | Showerhead electrode assembly for plasma processing apparatuses |
| US8317968B2 (en) * | 2004-04-30 | 2012-11-27 | Lam Research Corporation | Apparatus including gas distribution member supplying process gas and radio frequency (RF) power for plasma processing |
| US7381291B2 (en) * | 2004-07-29 | 2008-06-03 | Asm Japan K.K. | Dual-chamber plasma processing apparatus |
| US7430986B2 (en) | 2005-03-18 | 2008-10-07 | Lam Research Corporation | Plasma confinement ring assemblies having reduced polymer deposition characteristics |
| US8679252B2 (en) | 2005-09-23 | 2014-03-25 | Lam Research Corporation | Actively heated aluminum baffle component having improved particle performance and methods of use and manufacture thereof |
| US8216418B2 (en) | 2007-06-13 | 2012-07-10 | Lam Research Corporation | Electrode assembly and plasma processing chamber utilizing thermally conductive gasket and o-rings |
| US7862682B2 (en) * | 2007-06-13 | 2011-01-04 | Lam Research Corporation | Showerhead electrode assemblies for plasma processing apparatuses |
| US8679288B2 (en) * | 2008-06-09 | 2014-03-25 | Lam Research Corporation | Showerhead electrode assemblies for plasma processing apparatuses |
-
2007
- 2007-08-31 US US11/896,375 patent/US7862682B2/en active Active
-
2008
- 2008-06-05 JP JP2010512154A patent/JP5346018B2/ja active Active
- 2008-06-05 KR KR1020107000561A patent/KR101541202B1/ko active IP Right Grant
- 2008-06-05 WO PCT/US2008/007089 patent/WO2008156562A2/en active Application Filing
- 2008-06-05 CN CN2008800223337A patent/CN101720363B/zh active Active
- 2008-06-05 SG SG2012043410A patent/SG182197A1/en unknown
- 2008-06-11 TW TW097121773A patent/TWI446403B/zh active
-
2010
- 2010-11-24 US US12/954,017 patent/US8313665B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US8313665B2 (en) | 2012-11-20 |
| CN101720363A (zh) | 2010-06-02 |
| KR101541202B1 (ko) | 2015-07-31 |
| KR20100029830A (ko) | 2010-03-17 |
| WO2008156562A2 (en) | 2008-12-24 |
| US20080308228A1 (en) | 2008-12-18 |
| TWI446403B (zh) | 2014-07-21 |
| US7862682B2 (en) | 2011-01-04 |
| JP2010529691A (ja) | 2010-08-26 |
| WO2008156562A3 (en) | 2009-02-05 |
| SG182197A1 (en) | 2012-07-30 |
| TW200903576A (en) | 2009-01-16 |
| US20110081783A1 (en) | 2011-04-07 |
| JP5346018B2 (ja) | 2013-11-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |