CN103198993B - 一种用于等离子体处理装置的气体喷淋头 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种应用于等离子体处理装置的气体喷淋头，其中，所述气体喷淋头至少包括：支撑板，其具有从其顶面至底面之间延伸的第一气体通道；上电极，所述上电极位于所述支撑板下表面，所述上电极包括：一圆形板，其中设置有一个或多个真空空洞，该圆形板于其底面上具有一曝露于等离子体的气体分布板，所述上电极具有从其顶面至底面之间延伸并与所述第一气体通道相配合的第二气体通道。本发明还提供了包含上述气体喷淋头的等离子体处理装置。本发明能够有效改善基片制程均一性。

Description

一种用于等离子体处理装置的气体喷淋头

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种用于等离子体处理装置的气体喷淋头。

背景技术

半导体工艺件的边缘效应是困扰半导体产业的一个问题。所谓半导体工艺件的边缘效应是指在等离子体处理过程中，由于等离子体受电场控制，而上下两极边缘处的场强会受边缘条件的影响，总有一部分电场线弯曲，而导致电场边缘部分场强不均，进而导致该部分的等离子体浓度不均匀。在该种情况下，生产出的半导体工艺件周围也存在一圈处理不均匀的区域。这一不均匀现象在射频电场频率越高时越明显，在射频频率大于60MHZ甚至大于100Mhz时这一等离子浓度的不均匀性程度已经很难再用其它装置如位于静电夹盘边缘的聚集环来调控。

由于半导体工艺件是圆形的，因此愈外圈面积愈大，边缘部分的各个工艺环节的均一性不佳将导致成品率显著下降。在普遍采用300mm制程的今天，半导体工艺件边缘效应带来的损失更为巨大。

因此，业内需要能够简单有效地改善边缘效应，提高制程均一性。

发明内容

针对背景技术中的上述问题，本发明提出了能够改善均一性的用于等离子体处理装置的气体喷淋头。

本发明第一方面提供了一种应用于等离子体处理装置的气体喷淋头，其中，所述气体喷淋头至少包括：

支撑板，其具有从其顶面至底面之间延伸的第一气体通道；

上电极，所述上电极位于所述支撑板下表面，所述上电极包括：一圆形板，其中设置有一个或多个真空空洞，该圆形板于其底面上具有一曝露于等离子体的气体分布板，所述上电极具有从其顶面至底面之间延伸并与所述第一气体通道相配合的第二气体通道。

进一步地，所述一个或多个真空空洞设置于对应于所述基片中央区域下方的所述上电极中。

进一步地，所述一个或多个真空空洞分别设置于对应于所述基片中央区域和边缘区域，以及位于所述中央区域和所述边缘区域之间的中间区域的所述上电极中。

进一步地，所述对应于所述基片中央区域的一个或多个真空空洞和所述对应于所述基片中间区域的一个或多个真空空洞的体积相同。

进一步地，所述对应于基片中央区域的一个或多个空洞与所述对应于基片中间区域的一个或多个空洞相连，成为一体。

进一步地，所述对应于所述基片中央区域的一个或多个真空空洞的体积大于所述对应于所述基片中间区域的一个或多个真空空洞的体积。

进一步地，所述对应于基片中央区域的一个或多个空洞与所述对应于基片中间区域的一个或多个空洞相连，成为一体。

进一步地，所述上电极至少包括对应于基片中央区域的第一区域，对应于基片边缘区域的第三区域，以及位于所述第一区域和所述第三区域之间的第二区域，

其中，所述等离子体处理装置还包括：

驱动装置，其用于可选地驱动所述第一区域、第二区域和第三区域的其中之一进行垂直方向上的伸缩。

进一步地，所述驱动装置可选地驱动所述第一区域和第二区域进行垂直方向上的伸缩。

进一步地，所述第一区域进行垂直方向上的伸缩产生的位于所述第一区域的真空空洞的体积大于所述第二区域进行垂直方向上的伸缩产生的位于所述第二区域的真空空洞的体积。

进一步地，所述第一区域进行垂直方向上的伸缩产生的位于所述第一区域的真空空洞的体积等于所述第二区域进行垂直方向上的伸缩产生的位于所述第二区域的真空空洞的体积。

进一步地，所述驱动装置包括电机装置、液压装置、气压装置。

进一步地，所述等离子体处理装置还包括一个位于所述上电极下方并与其平行的下电极，其连接有一个具有频率大于13M赫兹以上的射频功率源。

本发明第二方面还提供了一种等离子体处理装置，其中，包括本发明第一方面提供的气体喷淋头。

进一步地，所述等离子体处理装置还包括一个位于所述上电极下方并与其平行的下电极，其连接有一个具有频率大于13M赫兹以上的射频功率源。

本发明第三方面还提供了一种应用于等离子体处理装置的气体喷淋头，其中，所述气体喷淋头至少包括：

支撑板；

上电极，所述上电极位于所述支撑板下表面，所述上电极包括：一圆形板，其中设置有一个或多个真空空洞，该圆形板于其底面上具有一曝露于等离子体的气体分布板，其中，所述气体分布板中设置有若干气体通道，反应气体通过所述气体分布板中的所述若干气体通道向下进入制程区域。

本发明提供的气体喷淋头及包括该气体喷淋头的等离子体处理装置能够简单有效地改善边缘效应，提高制程均一性。

附图说明

图1是包括气体喷淋头的真空处理装置的结构示意图；

图2是本发明的第一具体实施例的真空处理装置的气体喷淋头细节放大示意图；

图3是本发明对基片进行区域划分的示意图；

图4是本发明的第二具体实施例的真空处理装置的气体喷淋头细节放大示意图；

图5是本发明的第三具体实施例的真空处理装置的气体喷淋头细节放大示意图；

图6是本发明的第四具体实施例的真空处理装置的气体喷淋头细节放大示意图；

图7是本发明的第五具体实施例的真空处理装置的气体喷淋头细节放大示意图；

图8是本发明的第六具体实施例的真空处理装置的气体喷淋头细节放大示意图；

图9是本发明发明效果示意图。

具体实施方式

以下结合附图，对本发明的具体实施方式进行说明。

本发明通过将在真空处理装置的上电极划分为多个区域，并在对应于基片的不同位置产生一个或多个空洞，来改变所述上电极下表面和下电极上表面之间等效电容的介电常数，从而进一步改变所述等效电容的大小，以实现对基片的制程均一性进行优化。

图1是等离子体处理装置的结构示意图。等离子体处理装置1包括一腔室10，其中，设置了一制程区。处理气体和其他辅助气体12从腔室顶部进入，射频能量通过射频功率源14连接于下电极13，并提供能量在制程区激发并产生等离子，使得等离子体与其中的基片W进行各种物理或化学反应，从而完成预定的制程。其中，还设置了一个真空泵15，用于将制程冗余的杂质气体等抽出腔室以外。其中，所述等离子体处理装置还包括一位于所述顶部的气体喷淋头1(showerhead)。

其中，所述气体喷淋头是具有一定厚度的圆盘形组件，其中设置有若干个气体通道，用于向反应室内输入和喷射反应气体。所述气体通道由已经制备成的导电基体经超声波钻孔形成，其可以为直线性的孔径均匀的气体通道，其也可以为非均匀孔径的气体通道，比如，气体通道具有孔径较大的上端部以及孔径较小的下端部。应当理解，所述气体通道也可以被制造成其它各种非均匀孔径形状：例如上大下小的锥形气体通道，或者是上小下大的倒锥形气体通道，也可以是上下孔径一样而中间有一段较小孔径的气体通道，还可以是上下孔径一样或不一样的非直线性(弯曲)的气体通道等等。气体喷淋头周围还设置有一上部接地环(上部)，其用于对气体喷淋头起支撑作用或用于加大气体喷淋头横向面积以改善等离子体蚀刻的均匀性。气体喷淋头除了向反应腔体通入气体外，还被用作为电极以及射频通道。

图2是本发明的第一具体实施例的真空处理装置的气体喷淋头1细节放大示意图，其中，气体喷淋头1至少包括：

支撑板11a，其具有从其顶面至底面之间延伸的第一气体通道11d；

上电极11b，所述上电极11b位于所述支撑板11a下表面，所述上电极11b包括一圆形板，该圆形板于其底面上具有一曝露于等离子体的气体分布板11c，所述上电极11b具有从其顶面至底面之间延伸并与所述第一气体通道11d相配合的第二气体通道11e。其中，在所述上电极11b中还设置有一个或多个真空空洞，下文将会对所述真空空洞的结构和配置进行详细描述。

需要说明的是，在图2中为了简明起见只分别示出了一个第一气体通道11d和第二气体通道11e。本领域技术人员应当理解，在实际应用中，在气体喷淋头中应当包括了若干个和图示的第一气体通道11d和第二气体通道11e大致平行设置的气体通道。

可选地，还可以在气体分布板11c中设置气体通道，具体地，气体从腔室侧面进入所述气体分布板11c，通过所述气体分布板11c中设置的气体通道并穿过所述气体分布板11c曝露于等离子体的表面进入制成空间。

其中，所述上电极11b由电导体材料制成，特别地，可由金属铝制成。

图3是本发明对基片进行区域划分的示意图。如图3所示，其示出了一个水平放置的基片的俯视图，所述基片为圆盘形的，以圆盘形的基片的圆心为起点，将位于中央区域的圆形部分设定为基片的中央区域C’，位于所述中央区域C’外围的圆环形区域设定为基片的中间区域M’，位于所述中间区域M’外围的圆环区域设定为基片的边缘区域E’。结合附图2，在气体喷淋头1中的上电极11b，对应于所述基片W的中央区域C’的区域即为中央区域C1，对应于所述基片W的中间区域M’的区域即为中间区域M1，对应于基片W的边缘区域E’的区域即为边缘区域E1。

在本实施例中，为了更加简明方便地说明本发明的发明机制，需要对上电极进行区域划分。需要说明的是，在本实施例中对上电极进行的区域划分并不是实际存在的，而是为了方便说明本发明而对基片进行的虚拟划分，并不能用以限定本发明。

应当理解，由于在本实施例中上述区域的划分不是实际存在的，所以，根据工艺需要，可对上述区域的划分进行任意调整，例如，可将刻蚀率降低到某一程度的基片区域所对应的区域划分为边缘区域，而并非一定要按照数字范围进行划分。

本发明的原始思路是通过改变上下电极之间寄生电容来改变半导体工艺件边缘电场密度，半导体工艺件边缘效应得到改善。也就是说通过调节上下电极之间的寄生电容可以使半导体工艺件边缘的电场重新分布。一般来说，影响这个寄生电容值的因素有三个，即上电极与下电极的相对面积、上电极与下电极之间的距离，以及腔体内上电极至下电极间形成空间的等效介电常数。等离子处理腔室一旦制成，很明显，其上下电极之间的相对面积和它们之间的距离是固定的，而寄生电容与电场分布的关系比较复杂，不同的射频能量输入也会影响这一关系，以及考虑到工艺上的可行性，预先计算并制造出具有适当大小寄生电容的真空反应室是很困难的。

因此，唯一有可能改变的就是上下电极之间的等效介电常数。本发明基于这样的考虑，对该空间的等效介电常数进行调节来取得一个合适的寄生电容，使得电场重新分布，进而使半导体工艺件等离子体处理效果均一。

参照图2，根据本发明的一个优选实施例，所述一个或多个真空空洞设置于对应于所述基片中央区域下方的所述上电极中。将上电极11和下电极13按照中央区域C1、中间区域M1和边缘区域E1分别看做三个等效电容Cc、Cm、Ce，其中上电极11b及其空洞和上表面11c以及位于基片W上方的制程空间即充当了该等效电容其中的介质。

电容公式为：

C＝εS/4πkd，其中，ε为介电常数，d为距离。

由此，由于在本实施例中，由于将空洞H11设置于容易产生刻蚀速率较高的中央区域下方的上电极11的中央区域C1中，使得中央区域C1中的电介质较其外围的中间区域M1和边缘区域E1的电介质少，即，中央区域C1的等效电容Cc的介电常数降低，进而使得所述等效电容Cc降低，从而进一步地使得连接于上电极13上的耦合的射频能量能够到达基片中央区域C1的减少，由此使得基片中央区域单位时间产生的等离子数量减少，从而使得产生的等离子和基片之间的相互作用活跃度降低，最终降低所述基片中央区域的刻蚀速率，以实现对基片的制程均一性进行优化。

其中，应当理解，所述一个或多个真空空洞也可以分别设置于对应于所述基片中央区域和边缘区域，以及位于所述中央区域和所述边缘区域之间的中间区域的所述上电极中。

可选地，所述设置于对应于所述基片中央区域的一个或多个真空空洞和所述设置于对应于所述基片中间区域的一个或多个真空空洞的体积相同。参照图4，在本实施例中，H21的体积等于H22的体积，则由此可以降低基片W中央区域C’和中间区域M’的刻蚀速率，使得基片W边缘区域E的刻蚀速率变相得到补偿，改善了基片W的边缘效应。

其中，所述对应于基片中央区域的一个或多个空洞H21与所述对应于基片中间区域的一个或多个空洞H22相连，成为一体。

可选地，所述设置于对应于所述基片中央区域的一个或多个真空空洞的体积大于所述设置于对应于所述基片中间区域的一个或多个真空空洞的体积。如图5所示，在本实施例中，H31的体积大于H32的体积，则由此可以对硅片W的刻蚀速率分别按照中央区域C’、中间M’和边缘区域E’进行逐步调整。具体地，由于位于中央区域C中的真空空洞H31的体积最大，则对应于硅片W的中央区域C’的刻蚀速率被降低得最多。其次，由于位于中间区域M1的真空空洞H32的体积小于所述真空空洞H31，则对应于硅片W的中间区域M’的刻蚀速率也得到了降低，但其必降低幅度低于对应于硅片W的中央区域C’的刻蚀速率。再次，由于在本实施例中对应于硅片W的边缘区域E’的边缘区域E并没有设置任何真空空洞，其刻蚀速率没有进行任何调整。因此，上述控制使得对应于硅片W中央区域C’的刻蚀速率最低，对应于硅片W的中间区域M’的刻蚀速率稍高于所述对应于硅片W中央区域C’的刻蚀速率，而对应于硅片W的边缘区域E’的刻蚀速率最高。由此对边缘效应进行了补偿，进一步优化了制程均一性。

所述对应于基片中央区域的一个或多个空洞H31与所述对应于基片中间区域的一个或多个空洞H32相连，成为一体。

需要说明的是，本领域技术人员可以理解，本发明对上述实施例还包括若干变化例，例如，可在基片中央区域、中间区域、边缘区域相对应的区域都设置一个或多个空洞，只要实现中央区域的刻蚀速率最低，中间区域其次，边缘区域最高就可以对刻蚀边缘效应进行补偿，从而实现发明目的。

需要说明的是，在附图4和5中为简明起见，省略了气体喷淋头的支撑板、曝露于等离子体的气体分布板以及位于支撑板中的第一通道和位于上电极中的第二通道，虽在上述附图中未图示，并且在上述实施例中未描述，但本领域技术人员应当理解，上述组件应当包含于上述实施例提供的用于等离子体处理装置的气体喷淋头。

参见附图6～图8，根据上述实施例的一个变化例，所述上电极至少划分为对应于基片中央区域的第一区域C1，对应于基片边缘区域的第三区域C3，以及位于所述第一区域C1和所述第三区域C3之间的第二区域C2。其中，所述等离子体处理装置还包括：驱动装置20，其用于可选地驱动所述第一区域C2、第二区域M2和第三区域E2的其中之一进行垂直方向上的伸缩，从而在所述上电极11b中的上述区域中产生一个或多个空洞。本发明对上述一个或多个真空空洞根据不同的工艺需要有不同的配置方式，在下文中将进行具体讲述。

进一步地，在本发明一个具体实施例中，所述驱动装置20可选地驱动所述第一区域C和第二区域M进行垂直方向上的伸缩。

如图6所示，所述驱动装置20可以通过选择装置18选择驱动第一区域C’进行垂直方向上的伸缩，从而在对应于硅片W中央区域下方的所述上电极11b中产生第一空洞H41。由于在本实施例中，空洞H41位于容易产生刻蚀速率较高的中央区域下方的上电极11b的第一区域C2中，使得第一区域C2较其外围的第二区域M2和第三区域E2的等效电容所对应的电介质小，即，第一区域C的等效电容Cc的介电常数降低，进而使得所述等效电容Cc降低，从而使得连接于上电极11b上能够到达基片第一区域C2的射频能量减少，由此使得基片中央区域单位时间产生的等离子数量减少，最终降低所述基片中央区域的刻蚀速率，以改善硅片W的边缘效应，从而使得产生的等离子和基片之间的相互作用活跃度降低，实现对硅片的制程均一性进行优化。

可选地，所述第一区域C1进行垂直方向上的伸缩产生的位于所述第一区域C2的真空空洞的体积等于所述第二区域M2进行垂直方向上的伸缩产生的位于所述第二区域M2的真空空洞的体积。参照图7，在本实施例中，H51的体积等于H52的体积，则由此可以降低硅片W中央区域C’和中间区域M’的刻蚀速率，使得硅片W边缘区域E2的刻蚀速率变相得到补偿，改善了硅片W的边缘效应。

所述对应于硅片中央区域C’的一个或多个空洞H51与所述对应于硅片中间区域M’的一个或多个空洞H52相连，成为一体。

可选地，所述第一区域C2进行垂直方向上的伸缩产生的位于所述第一区域C2的真空空洞的体积大于所述第二区域M2进行垂直方向上的伸缩产生的位于所述第二区域M2的真空空洞的体积。如图8所示，在本实施例中，H61的体积大于H62的体积，则由此可以对硅片W的刻蚀速率分别按照中央区域、中间和边缘区域进行逐步调整。具体地，由于位于第一区域C2中的真空空洞H61的体积最大，则对应于硅片W的中央区域C’的刻蚀速率被降低得最多。其次，由于位于第二区域M2的真空空洞H32的体积小于所述真空空洞H61，则对应于硅片W的中间区域M’的刻蚀速率也得到了降低，但其必降低幅度低于对应于硅片W的中央区域C’的刻蚀速率。再次，由于在本实施例中对应于硅片W的边缘区域E’的第三区域E2并没有设置任何真空空洞，其刻蚀速率没有进行任何调整。因此，上述控制使得对应于硅片W中央区域C’的刻蚀速率最低，对应于硅片W的中间区域M’的刻蚀速率稍高于所述对应于硅片W中央区域C’的刻蚀速率，而对应于硅片W的边缘区域E’的刻蚀速率最高。由此对边缘效应进行了补偿，进一步优化了制程均一性。

其中，所述对应于硅片中央区域C’的一个或多个空洞H61与所述对应于硅片中间区域M’的一个或多个空洞H62相连，成为一体。

其中，所述驱动装置包括电机装置、液压装置、气压装置。示例性地，如图6～图8所示，所述驱动装置还包括了升举装置19a和19b，其中，所述升举装置19a用于所述第一区域进行垂直方向上的伸缩并产生的位于所述第一区域的真空空洞，所述升举装置19a用于所述第二区域进行垂直方向上的伸缩并产生的位于所述第二区域的真空空洞。用于驱动所述升举装置19a和19b的驱动装置包括电机装置、液压装置、气压装置。

进一步地，所述等离子体处理装置还包括一个位于所述上电极下方并与其平行的下电极，其连接有一个具有频率大于13M赫兹以上的射频功率源，优选的为60Mhz以上，甚至100Mhz。

本发明还提供了一种等离子体处理装置，其特征在于，包括前述的气体喷淋头。

进一步地，所述等离子体处理装置还包括一个位于所述上电极下方并与其平行的下电极，其连接有一个具有频率大于13M赫兹以上的射频功率源，优选的为60Mhz以上，甚至100Mhz。

本发明还提供了一种应用于等离子体处理装置的气体喷淋头，其中，所述气体喷淋头至少包括：

支撑板；

上电极，所述上电极位于所述支撑板下表面，所述上电极包括：一圆形板，其中设置有一个或多个真空空洞，该圆形板于其底面上具有一曝露于等离子体的气体分布板，其中，所述气体分布板中设置有若干气体通道，反应气体通过所述气体分布板中的所述若干气体通道向下进入制程区域。

具体地，气体从腔室侧面进入所述气体分布板而非必须通过前述的支撑板和上电极以及气体分布板，而只需要通过所述气体分布板中设置的气体通道并穿过所述气体分布板曝露于等离子体的表面进入制成空间。

可选地，所述气体通道可以包括横向放置的若干个横向气体通道，以及与所述若干个横向气体通道相连的若干个竖直向下穿过所述气体分布板的气体通道，以使得所述反应气体能够直接从腔室侧面依次进入所述横向气体通道和所述竖直气体通道，最后穿过所述气体分布板的曝露于等离子体的下表面进入制程空间。

参照图9，其以硅片的圆心为原点，以硅片的直径为横轴，以刻蚀速率为Y轴确定了一个坐标轴。其中，S1是应用现有技术的气体喷淋头得到的硅片的刻蚀速率曲线，可见，其在圆心周围的中央区域刻蚀速率较高，而在其中间区域刻蚀速率有所降低，在其边缘区域的刻蚀速率最低。S2和S3对应于应用了本发明提供的气体喷淋头得到的硅片的刻蚀速率曲线。其中，S2仅对应于硅片中央区域实施本发明，可见其中央区域的刻蚀速率得到显著降低。S3则是对硅片中央区域和中间区域都实施本发明，其中央区域和中间区域的刻蚀速率都得到了降低。由此说明了本发明的优越性，本发明能够快速有效低功耗地改善边缘效应，实现制程均一化。

尽管本发明的内容已经通过上述优选实施例作了详细介绍，但应当认识到上述的描述不应被认为是对本发明的限制。在本领域技术人员阅读了上述内容后，对于本发明的多种修改和替代都将是显而易见的。因此，本发明的保护范围应由所附的权利要求来限定。

Claims (15)

1.一种应用于等离子体处理装置的气体喷淋头，其中，所述气体喷淋头至少包括：

支撑板，其具有从其顶面至底面之间延伸的第一气体通道；

上电极，所述上电极位于所述支撑板下表面，所述上电极包括：一圆形板，其中设置有一个或多个真空空洞，该圆形板于其底面上具有一曝露于等离子体的气体分布板，所述上电极具有从其顶面至底面之间延伸并与所述第一气体通道相配合的第二气体通道；

所述上电极至少包括对应于基片中央区域的第一区域，对应于基片边缘区域的第三区域，以及位于所述第一区域和所述第三区域之间的第二区域，

其中，所述等离子体处理装置还包括：

驱动装置，其用于可选地驱动所述第一区域、第二区域和第三区域的其中之一进行垂直方向上的伸缩。

2.根据权利要求1所述的气体喷淋头，其特征在于，所述一个或多个真空空洞设置于对应于基片中央区域下方的所述上电极中。

3.根据权利要求1所述的气体喷淋头，其特征在于，所述一个或多个真空空洞分别设置于对应于基片中央区域和边缘区域，以及位于中央区域和边缘区域之间的中间区域的所述上电极中。

4.根据权利要求3所述的气体喷淋头，其特征在于，所述对应于所述基片中央区域的一个或多个真空空洞和所述对应于所述基片中间区域的一个或多个真空空洞的体积相同。

5.根据权利要求4所述的气体喷淋头，其特征在于，所述对应于基片中央区域的一个或多个空洞与所述对应于基片中间区域的一个或多个空洞相连，成为一体。

6.根据权利要求3所述的气体喷淋头，其特征在于，所述对应于所述基片中央区域的一个或多个真空空洞的体积大于所述对应于所述基片中间区域的一个或多个真空空洞的体积。

7.根据权利要求6所述的气体喷淋头，其特征在于，所述对应于基片中央区域的一个或多个空洞与所述对应于基片中间区域的一个或多个空洞相连，成为一体。

8.根据权利要求1所述的气体喷淋头，其特征在于，所述驱动装置可选地驱动所述第一区域和第二区域进行垂直方向上的伸缩。

9.根据权利要求8所述的气体喷淋头，其特征在于，所述第一区域进行垂直方向上的伸缩产生的位于所述第一区域的真空空洞的体积大于所述第二区域进行垂直方向上的伸缩产生的位于所述第二区域的真空空洞的体积。

10.根据权利要求8所述的气体喷淋头，其特征在于，所述第一区域进行垂直方向上的伸缩产生的位于所述第一区域的真空空洞的体积等于所述第二区域进行垂直方向上的伸缩产生的位于所述第二区域的真空空洞的体积。

11.根据权利要求1所述的气体喷淋头，其特征在于，所述驱动装置包括电机装置、液压装置、气压装置。

12.根据权利要求1至11任一项所述的气体喷淋头，其特征在于，所述等离子体处理装置还包括一个位于所述上电极下方并与其平行的下电极，所述下电极连接有一个具有频率大于13M赫兹的射频功率源。

13.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括权利要求1至11任一项所述的气体喷淋头。

14.根据权利要求13所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述等离子体处理装置还包括一个位于所述上电极下方并与其平行的下电极，所述下电极连接有一个具有频率大于13M赫兹的射频功率源。

15.一种应用于等离子体处理装置的气体喷淋头，其中，所述气体喷淋头至少包括：

支撑板；

上电极，所述上电极位于所述支撑板下表面，所述上电极包括：一圆形板，其中设置有一个或多个真空空洞，该圆形板于其底面上具有一曝露于等离子体的气体分布板，其中，所述气体分布板中设置有若干气体通道，反应气体通过所述气体分布板中的所述若干气体通道向下进入制程区域；

所述上电极至少包括对应于基片中央区域的第一区域，对应于基片边缘区域的第三区域，以及位于所述第一区域和所述第三区域之间的第二区域；

其中，所述等离子体处理装置还包括：

驱动装置，其用于可选地驱动所述第一区域、第二区域和第三区域的其中之一进行垂直方向上的伸缩。