CN101754564A - 等离子体加工设备 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种等离子体加工设备，包括：相对设置的第一电极板和第二电极板，匹配装置，功率分配装置和电源装置；所述第一电极板包括至少两个相互绝缘的子电极板，所述电源装置通过所述匹配装置与所述功率分配装置连接，所述功率分配装置与所述第一电极板连接，用于将电源装置的功率分配输入到所述各个子电极，所述功率分配装置至少包括电容和/或电感。所述等离子体加工设备，通过功率分配装置电源的功率被分配成与第一电极板的子电极数量对应的若干个部分，每一部分的功率都单独输入到对应的子电极，在每个子电极板和第二电极板之间获得独立的电场分布，从而实现对大面积衬底上方的不同区域电场强度的控制，使等离子体在整个衬底上方的分布可调，能够提高大面积等离子体加工的均匀性。

Description

等离子体加工设备
技术领域
本发明涉及等离子体加工技术领域，特别涉及一种等离子体加工设备。
背景技术
随着等离子体技术的不断发展，等离子体加工设备广泛地被应用于集成电路或光伏电池的制造工艺中。适用于刻蚀、沉积或其他工艺的等离子体加工设备的研发对于集成电路或光伏电池制造工艺的发展来说是至关重要的。
目前在集成电路或光伏电池产业中，通常采用平行板电容耦合等离子体(Capacitively Coupled Plasma，CCP)加工设备。这种设备的产生等离子体的原理非常简单，通常情况是在其中一个电极板上加载射频功率，另一电极板接地，CCP的产生和维持主要依靠位于两个电极板间的射频电场。
例如实际生产中一种平行板电容耦合型等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备，如图1所示，该PECVD设备包括：反应室80，反应室80外的电源10和匹配耦合装置15，反应室80内的与电源10连接的上电极20，和反应室80内的接地电极30。所述上电极板20中具有密布的进气孔40，反应室80的下方具有排气口50，待处理的衬底置于接地电极30上。
PECVD设备工作时，在适当的真空度下，工作气体从进气孔40导入反应室80内，工作气体在上电极20与接地电极30之间受电源激励产生等离子体60，等离子体与衬底发生反应，反应生成物沉积在衬底上生成薄膜，而反应产生的废气由排气口50排出。
但是，随着集成电路或光伏电池产业对产率的要求不断提高，也即，在保证刻蚀或沉积工艺质量的前提下，相同的时间内需要生产出更多的产品。为适应这一要求，设备生产厂商不断增大等离子体设备的尺寸，从而在一次工艺中能够加工更大面积的晶片，提高设备的产率。
尽管平行板型CCP设备相对其他等离子体设备，如电子回旋共振等离子体、感应耦合等离子体设备产生的等离子体相对比较均匀，但是随着反应室尺寸、电极板面积的增加，尤其是电源的频率较高时，会出现比较明显的驻波效应和边缘效应，此驻波效应和边缘效应对产生的等离子体的均匀性影响较大，通常会出现电极板中心等离子体密度高，边缘等离子体密度低的现象，进而会影响等离子体加工工艺结果的均匀性。
发明内容
本发明解决的问题是提供一种等离子体加工设备，能够获得均匀的等离子体分布，改善等离子体加工工艺的均匀性。
为解决上述问题，本发明提供一种等离子体加工设备，包括：相对设置的第一电极板和第二电极板，匹配装置，功率分配装置和电源装置；
所述第一电极板包括至少两个相互绝缘的子电极板，
所述电源装置通过所述匹配装置与所述功率分配装置连接，
所述功率分配装置与所述第一电极板连接，用于将电源装置的功率分配输入到所述各个子电极，所述功率分配装置至少包括电容和/或电感。
所述功率分配装置包括与所述子电极板数量相同、分别单独连接各个子电极板的至少两个分配单元。
所述各个分配单元可以相同或不同，所述分配单元包括电容和/或电感。
所述电感为可调电感。
所述电容为可调电容。
所述至少两个子电极板为第一子电极板、第二子电极板，所述功率分配装置包括第一电容、第二电容，所述匹配装置与所述第一子电极板直接连接，所述第二电容与所述第二子电极板并联后再与所述第一电容串联连接到所述匹配装置。
所述至少两个子电极板还包括第N子电极板，所述功率分配装置还包括第N电容、第M电容，所述第M电容与所述第N子电极板并联后再与所述第N电容连接组成串联电路，所述串联电路再与所述第Z电极板并联，其中，N、M、Z均为自然数，N≥3，M＝N+1，Z＝N-1。
所述电容为可调电容。
所述至少两个子电极板在平行于所述第二电极板的平面内并列分布、中心对称分布、轴对称分布或同心嵌套式分布。
所述至少两个子电极板的形状可以相同也可以不同，所述子电极板为矩形、正方形、圆形或椭圆形。
上述技术方案具有以下优点：
所述等离子体加工设备中的功率分配装置包括至少两个分配单元、所述第一电极板包括至少两个子电极板，各个分配单元与对应的子电极板连接后并联在一起，各个子电极间彼此绝缘。此时，电源装置通过匹配装置连接到功率分配装置，通过功率分配装置电源的功率被分配成与第一电极板的子电极数量对应的若干个部分，每一部分的功率都单独输入到对应的子电极，在每个子电极板和第二电极板之间获得独立的电场分布，进而控制每一个子电极下方产生的等离子体密度和强度，从而能获得对工艺结果的调节以获取均匀的工艺结果。另外功率分配装置是由一些电容和/或电感组合而成，当射频电流流过时，电容和电感不会像电阻一样消耗能量，可以保证射频功率耦合到电极的效率。
附图说明
通过附图所示，本发明的上述及其它目的、特征和优势将更加清晰。在全部附图中相同的附图标记指示相同的部分。并未刻意按实际尺寸等比例缩放绘制附图，重点在于示出本发明的主旨。
图1一种平行板电容耦合型PECVD设备的示意图；
图2为实施例一中等离子体加工设备的示意图；
图3为图2中第一电极板的仰视图；
图4为图2中等离子体加工设备的电路原理图；
图5为实施例一中另一等离子体加工设备的电路原理示意图；
图6为实施例二中等离子体加工设备的电路原理图；
图7为实施例二中另一等离子体加工设备的电路原理示意图；
图8为图7中第一电极板的仰视图；
图9为实施例二中另一第一电极板的示意图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
其次，本发明结合示意图进行详细描述，在详述本发明实施例时，为便于说明，表示装置结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本发明保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。
为突出本发明的特点，附图中没有给出与本发明的发明点必然直接相关的部分，例如，真空获得装置、气体输入装置等。
随着衬底加工和处理面积的增大，目前的等离子体加工设备面临着如大面积刻蚀或沉积的工艺均匀性的问题，随着反应室室尺寸、电极板面积的增加，尤其是电源的频率较高时，会出现比较明显的驻波效应和边缘效应，此驻波效应和边缘效应对产生的等离子体的均匀性影响较大，通常会出现电极板中心等离子体密度高，边缘等离子体密度低的现象，进而会影响等离子体加工工艺结果的均匀性。
基于此，本发明提供一种等离子体加工设备。所述设备具有包括至少两个子电极板的第一电极板，通过与所述第一电极板连接的功率分配装置将电源装置的功率分配输入到所述各个子电极，能够抑制驻波效应和边缘效应，获得均匀的等离子体分布，提高等离子体加工工艺的均匀性。
以下以PECVD设备为例并结合附图介绍本发明所述等离子体加工设备的具体实施方式。
实施例一
图2为本实施例中等离子体加工设备的结构示意图，图3为图2中第一电极板的仰视图，图4为图2中等离子体加工设备的电路原理图。
如图2所示，本实施例中的等离子体加工设备为PECVD设备，包括：反应室7，位于所述反应室7中相对设置的第一电极板3和第二电极板4，与所述第一电极板3连接的匹配装置8，功率分配装置9和电源装置1，以及真空获得装置、气体输入装置等(图中未示出)。
其中，所述第一电极板3包括两个相互绝缘的子电极板31、32(见图3)；
所述电源装置1通过所述匹配装置8与所述功率分配装置9连接；
所述功率分配装置9与所述第一电极板3连接，用于将电源装置1的功率分配输入到所述两个子电极31、32。
所述第一电极板3位于反应室7的上部，也称为上电极；而第二电极板4通过反应室7的外壳与大地接通，也称为接地电极。匹配装置8，功率分配装置9和电源装置1通常位于反应室7的外部，真空获得装置使反应室7内部在等离子体加工过程中获得并保持适当的真空度，气体输入装置用于将工艺气体输入进反应室7中。
反应室7还具有排气口6，反应室7的进气孔5分布在第一电极板3上。待加工的衬底(图中未示出)位于所述第二电极板4上，朝向第一电极板3。等离子体加工过程中，工作气体从进气孔5导入反应室7内，工作气体在第一电极板3与第二电极板4之间受电源激励产生等离子体，等离子体与衬底发生反应，反应生成物沉积在衬底上生成薄膜，而反应产生的废气由排气口6排出。
本实施例中电源装置1可以为射频电源、低频电源和高频电源中的一种。
所述功率分配装置包括与所述子电极板数量相同、分别单独连接各个子电极板的至少两个分配单元。所述各个分配单元可以相同。
如图3所示，所述第一电极板3包括两个子电极板，即第一子电极板31和第二子电极板32。如图3所示，本实施例中，第一子电极板31为矩形框，第二子电极板32为与第一子电极板31形状相同的矩形，两个子电极板的排布方式为同心嵌套式，第二子电极板32位于第一子电极板31的空心区域内，内外两个子电极板之间具有一定的间隙，并且相互绝缘。
如图4所示，本实施例中，所述分配单元为电容，所述功率分配装置9包括电容C1、电容C2；每一个电容分别与第一电极板3的一个子电极相连，也即，所述电容C1与第一子电极板31连接、电容C2与第二子电极板32连接；各电容与对应的子电极组成一个分配支路，每一个分配支路之间是并联的形式。
可见，电源装置1输出的功率，经由匹配装置8进行电路阻抗匹配后输入到功率分配装置9，通过功率分配装置9中的电容C1和电容C2对输入功率进行分配，而后分别输入到第一子电极板31和第二子电极板32。
通过将电源装置1的功率分配输入到第一电极板3的两个子电极板31、32，可以使第一电极板3的外围和中央具有不同的电场强度分布，避免大面积电极板的电场分布的边缘效应和驻波效应，能够获得均匀的等离子体分布，改善等离子体加工的均匀性。
此外，不仅限于以上实施例中两个子电极板和两个分配单元的情况，也可以包括两个以上的分配单元和子电极板，也即，所述功率分配装置包括至少两个分配单元、所述第一电极板包括至少两个子电极板，各个分配单元与对应的子电极板连接后并联在一起，各个子电极间彼此绝缘。
此时，电源装置通过匹配装置连接到功率分配装置，通过功率分配装置电源的功率被分配成与第一电极板的子电极数量对应的若干个部分，每一部分的功率都单独输入到对应的子电极，在每个子电极板和第二电极板之间获得独立的电场分布，进而控制每一个子电极下方产生的等离子体密度和强度，从而能获得对工艺结果的调节以获取均匀的工艺结果。对于本实施例中的PECVD设备而言，能够获得均匀的等离子体分布，提高沉积所得薄膜的均匀性。
优选的，以上所述的电容C1、C2为可调电容，这样可以通过调节连接在每一个子电极板上的电容值，来调节加载到每个子电极的功率，从而调节每个子电极板产生的等离子体的强度和密度，提高整个第一电极板容性耦合放电获得的等离子体的均匀性，进而改善等离子体加工工艺的均匀性。
此外，如图3所示，所述两个子极板31、32上也具有通孔5，每个子电极板上的通孔的大小、形状或分布密度相同或不同。
以上实施例中，所述功率分配装置中的分配单元均为电容，实际上，所述分配单元也可以为电感。如图5所示，本实施例另一等离子体加工设备的电路原理示意图，与图4所示的等离子体加工设备的区别在于，所述分配单元为电感，所述功率分配装置91包括电感L1、电感L2；每一个电感分别与第一电极板的一个子电极相连，也即，所述电感L1与第一子电极板31连接、电感L2与第二子电极板32连接；各电感与对应的子电极组成一个分配支路，每一个分配支路之间是并联的形式。优选的，所述电感L1、电感L2为可调电感。
这样可以通过调节连接在每一个子电极板上的电感值，也可以调节加载到每个子电极的功率，从而调节每个子电极板产生的等离子体的强度和密度，提高整个第一电极板容性耦合放电获得的等离子体的均匀性，进而改善等离子体加工工艺的均匀性。
并不仅限于此，所述分配单元也可以既包括电容又包括电感，而且各个分配单元可以相同或也可以不同，本领域内技术人员根据本发明的基本思想可以获得的其他分配单元的电路组成也能够实现本发明的目的，也在本发明的保护范围之内。
以上实施例中给出的第一电极板包括两个子电极板，实际并不限于此，也可以具有两个以上子电极板，相应的，所述功率分配装置中的分配单元也为两个以上。
下面结合附图详细介绍所述等离子体加工设备的另一实施例。
实施例二
图6为本实施例中等离子体加工设备的电路原理图。
如图6所示，该等离子体加工设备与实施例一基本相似，所述第一电极板包括第一子电极板31、第二子电极板32，区别在于，所述功率分配装置92包括第一电容C1、第二电容C2，所述匹配装置8与所述第一子电极板31直接连接，所述第二电容C2与所述第二子电极板32并联后再与所述第一电容C1串联连接到所述匹配装置8。
相当于第一电容C1与第二子电极板32和第二电容C2的并联支路连接组成串联电路A，该串联电路A再与所述第一子电极板31并联。
此外，本实施例中另一等离子体加工设备的电路原理图如图7所示，所述第一电极板包括三个子电极板，即第一子电极板31’、第二子电极板32’和第三子电极板33’，所述功率分配装置9’包括第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3和第四电容C4，与图6所示的设备相比，第一电极板增加一个子电极板，相应的，功率分配装置9’增加所述第三电容C3和第四电容C4，所述第四电容C4与所述第三子电极板并联后再与所述第三电容C3连接组成串联电路B，所述串联电路B再与所述第二电极板32’并联。
以此类推，所述至少两个子电极板还包括第N子电极板，所述功率分配装置还包括第N电容、第M电容，所述第M电容与所述第N子电极板并联后再与所述第N电容连接组成串联电路，所述串联电路再与所述第Z电极板并联，其中，N、M、Z均为自然数，N≥3，M＝N+1，Z＝N-1。可见，每个子电极板都对应一个该子电极板和两个电容组成的混联电路。
优选的，以上实施例中的所述电容为可调电容，可以通过调节电容(例如C1、C2、C3、C4等)的电容值，来调节加载到每个子电极的功率，从而进一步改善容性耦合放电产生等离子体的均匀性，提高等离子体加工工艺的均匀性。以上所述的电容也可以用电感替代，也可以用电感和电容的组合替代。
关于本实施例中所述的第一子电极板31’、第二子电极板32’和第三子电极板33’，可以为圆形嵌套式，例如，参照图8所示，三个同心的圆形子电极板相互嵌套设置，按照半径的大小放射状排列，半径最小的圆形子电极板位于中央位置，通孔的分布密度由内到外逐渐增大。
另外，所述至少两个子电极板不仅限于以上几个实施例中的形状，可以为矩形、正方形、圆形、椭圆形或其组合，或者其他基于本发明的思想所作的等同替代和明显变型。
所述至少两个子电极板的排布也不仅限于以上几个实施例中的方式，可以为并列分布、中心对称分布、轴对称分布或同心嵌套式分布，或者其他基于本发明的思想所作的等同替代和明显变型。例如，图9所示，四个矩形的子电极板并列分布，各个子电极板之间具有间隙并且彼此绝缘，当然功率配置装置中具有与四个子电极板分别对应的分配单元。
各个子电极板上的通孔在三个子电极板上的分布密度可以相同，也可以不同，优选的，中间的子电极板上的通孔分布相对较疏，外围的子电极板的通孔分布较密。各个电极板上通孔的孔径和形状可以相同，也可以不同。总之，通孔的形状、孔径大小及分布密度与各个子电源的输入功率的选择有关，可以通过有限次的试验获得。
此外，所述各个子电极板还可以分别连接不同的气体输入通路，分别控制各个子电极板流出的气体流量，调整工作气体在衬底上方的气场分布，进而调整等离子体的分布，进一步提高等离子体加工的均匀性。
上面仅给出PECVD设备的示例，实际上，所述功率分配装置连接至少两个子电极板的结构，也可以适用于其他等离子体加工设备，例如刻蚀设备等。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制。
虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而并非用以限定本发明。任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。

Claims (10)

1.一种等离子体加工设备，其特征在于，包括：相对设置的第一电极板和第二电极板，匹配装置，功率分配装置和电源装置；
所述第一电极板包括至少两个相互绝缘的子电极板，
所述电源装置通过所述匹配装置与所述功率分配装置连接，
所述功率分配装置与所述第一电极板连接，用于将电源装置的功率分配输入到所述各个子电极，所述功率分配装置至少包括电容和/或电感。
2.根据权利要求1所述的等离子体加工设备，其特征在于，所述功率分配装置包括与所述子电极板数量相同、分别单独连接各个子电极板的至少两个分配单元。
3.根据权利要求2所述的等离子体加工设备，其特征在于，所述各个分配单元可以相同或不同，所述分配单元包括电容和/或电感。
4.根据权利要求1或3所述的等离子体加工设备，其特征在于，所述电感为可调电感。
5.根据权利要求1或3所述的等离子体加工设备，其特征在于，所述电容为可调电容。
6.根据权利要求1所述的等离子体加工设备，其特征在于，所述至少两个子电极板为第一子电极板、第二子电极板，所述功率分配装置包括第一电容、第二电容，所述匹配装置与所述第一子电极板直接连接，所述第二电容与所述第二子电极板并联后再与所述第一电容串联连接到所述匹配装置。
7.根据权利要求6所述的等离子体加工设备，其特征在于，所述至少两个子电极板还包括第N子电极板，所述功率分配装置还包括第N电容、第M电容，所述第M电容与所述第N子电极板并联后再与所述第N电容连接组成串联电路，所述串联电路再与所述第Z电极板并联，其中，N、M、Z均为自然数，N≥3，M＝N+1，Z＝N-1。
8.根据权利要求6或7所述的等离子体加工设备，其特征在于，所述电容为可调电容。
9.根据权利要求1所述的等离子体加工设备，其特征在于，所述至少两个子电极板在平行于所述第二电极板的平面内并列分布、中心对称分布、轴对称分布或同心嵌套式分布。
10.根据权利要求1或9所述的等离子体加工设备，其特征在于，所述至少两个子电极板的形状可以相同也可以不同，所述子电极板为矩形、正方形、圆形或椭圆形。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103681199A (zh) * 2013-12-11 2014-03-26 苏州市奥普斯等离子体科技有限公司 一种真空远区等离子体处理装置
CN105931940A (zh) * 2016-06-01 2016-09-07 京东方科技集团股份有限公司 一种电感耦合等离子体装置
CN108271307A (zh) * 2016-12-30 2018-07-10 中微半导体设备(上海)有限公司 电感耦合等离子体处理装置与等离子体产生装置
CN109659217A (zh) * 2018-12-18 2019-04-19 沈阳拓荆科技有限公司 用于多等离子处理腔的射频系统

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101151419B1 (ko) 2010-07-30 2012-06-01 주식회사 플라즈마트 Ｒｆ 전력 분배 장치 및 ｒｆ 전력 분배 방법
CN101974739B (zh) * 2010-11-19 2012-07-04 理想能源设备有限公司 等离子体增强化学气相沉积装置
US9530618B2 (en) 2012-07-06 2016-12-27 Infineon Technologies Ag Plasma system, chuck and method of making a semiconductor device
WO2014168876A2 (en) 2013-04-08 2014-10-16 Perkinelmer Health Sciences, Inc. Capacitively coupled devices and oscillators
JP2018028109A (ja) * 2014-12-22 2018-02-22 旭硝子株式会社 プラズマｃｖｄ装置
CN107301941B (zh) * 2016-04-14 2019-04-23 北京北方华创微电子装备有限公司 等离子体处理设备及其操作方法
US10410844B2 (en) * 2016-12-09 2019-09-10 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. RF clean system for electrostatic elements
KR102531814B1 (ko) * 2018-05-02 2023-05-11 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 상부 전극 및 플라즈마 처리 장치
CN117751422A (zh) * 2021-08-20 2024-03-22 东京毅力科创株式会社 用于等离子体加工的设备

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6488807B1 (en) * 1991-06-27 2002-12-03 Applied Materials, Inc. Magnetic confinement in a plasma reactor having an RF bias electrode
US5653811A (en) * 1995-07-19 1997-08-05 Chan; Chung System for the plasma treatment of large area substrates
JP4528418B2 (ja) 1999-09-03 2010-08-18 株式会社アルバック プラズマ処理装置
US20030079983A1 (en) * 2000-02-25 2003-05-01 Maolin Long Multi-zone RF electrode for field/plasma uniformity control in capacitive plasma sources
JP3846881B2 (ja) * 2003-04-04 2006-11-15 日本エー・エス・エム株式会社 プラズマ処理装置及びシリコン酸化膜を形成する方法
KR101007822B1 (ko) * 2003-07-14 2011-01-13 주성엔지니어링(주) 혼합형 플라즈마 발생 장치
JP3759519B2 (ja) * 2003-08-05 2006-03-29 株式会社京三製作所 高周波電力分配装置
US20050031796A1 (en) 2003-08-07 2005-02-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and apparatus for controlling spatial distribution of RF power and plasma density
US7276135B2 (en) 2004-05-28 2007-10-02 Lam Research Corporation Vacuum plasma processor including control in response to DC bias voltage
KR20080053167A (ko) * 2006-12-08 2008-06-12 주식회사 테스 플라즈마 처리 장치
KR101297711B1 (ko) * 2007-02-09 2013-08-20 한국과학기술원 플라즈마 처리장치 및 플라즈마 처리방법
TW200834671A (en) * 2007-02-12 2008-08-16 Innolux Display Corp Plasma enhanced chemical vapor deposition device
US8317969B2 (en) * 2008-03-25 2012-11-27 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103681199A (zh) * 2013-12-11 2014-03-26 苏州市奥普斯等离子体科技有限公司 一种真空远区等离子体处理装置
CN105931940A (zh) * 2016-06-01 2016-09-07 京东方科技集团股份有限公司 一种电感耦合等离子体装置
US10079134B2 (en) 2016-06-01 2018-09-18 Boe Technology Group Co. Ltd. Inductively coupled plasma device
CN108271307A (zh) * 2016-12-30 2018-07-10 中微半导体设备(上海)有限公司 电感耦合等离子体处理装置与等离子体产生装置
CN109659217A (zh) * 2018-12-18 2019-04-19 沈阳拓荆科技有限公司 用于多等离子处理腔的射频系统

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