CN103681199A - 一种真空远区等离子体处理装置 - Google Patents

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沈文凯
王红卫
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Abstract

本发明涉及一种真空远区等离子体处理装置,包括反应腔、电极组件、等离子发生器和负压设备,反应腔包括放电腔和用于材料表面活化反应的处理腔,放电腔设置于处理腔上方并与处理腔连通,放电腔顶部设置有气体入口,处理腔底部设置有气体出口,电极组件设置于放电腔外表面,等离子发生器与电极组件电连接,负压设备与气体出口连接。本发明中负压设备将放电腔和处理腔中抽真空,等离子发生器驱动电极组件生成电场,反应气体从气体入口进入经过放电腔电离后进入处理腔中对材料表面进行活化反应,本实施例中材料远离电场环境,适用于绝缘材料和非绝缘材料,满足各种材料的处理需求,处理腔不受放电腔空间的限制,可满足不同面积的材料处理,更加方便。

Description

一种真空远区等离子体处理装置
技术领域
本发明属于等离子体处理装置领域,具体的说是涉及一种真空远区等离子体处理装置。
背景技术
等离子体是由部分电子被剥夺后的原子及原子被电离后产生的正负电子组成的离子化气体状物质,它广泛存在于宇宙中,常被视为是除去固、液、气外,物质存在的第四态。
目前,等离子体装置一般的是在密封容器中设置两个电极形成电场,用真空泵实现一定的真空度,随着气体愈来愈稀薄,分子间距及分子或离子的自由运动距离也愈来愈长,受电场作用,他们发生碰撞而形成离子体,这些离子的活性很高,其能量足以破坏几乎所有的化学键,在任何暴露的材料表面引起化学反应,从而使材料表面的结构、成分和基团发生变化,得到满足实际要求的表面。等离子体反应速度快、处理效率高,而且改性仅发生在材料表面,对材料内部本体材料的性能没有影响,是理想的表面改性手段。
现有技术中,材料都是放置在电场中进行活化处理,但是对于非绝缘性的材料在电场中容易受到电场的影响使其导通破坏材料内部本体材料的性能,另一方面,受电场空间区域的限制对材料的面积也有一定的限制。
因此,亟需一种适用于非绝缘性能材料的真空等离子体处理装置。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术存在的缺陷,提供一种真空远区等离子体处理装置。
实现本发明目的的技术方案是:一种真空远区等离子体处理装置,包括反应腔、电极组件、等离子发生器和负压设备,所述反应腔包括放电腔和用于材料表面活化反应的处理腔,所述放电腔设置于所述处理腔上方并与所述处理腔连通,所述放电腔顶部设置有气体入口,所述处理腔底部设置有气体出口,所述电极组件设置于所述放电腔外表面,所述等离子发生器与所述电极组件电连接,所述负压设备与所述气体出口连接。
进一步的,所述电极组件为立体螺旋状电极。
进一步的,所述电极组件为一对对称设置的环状电极。
进一步的,所述等离子发生器包括用于调节所述电极组件功率的电源和与所述电源连接的匹配器,所述匹配器还与所述电极组件电连接。
进一步的,所述负压设备为真空泵。
进一步的,所述真空泵与所述气体出口之间还设置有过滤器。
本发明具有积极的效果:本发明中负压设备将放电腔和处理腔中抽真空,等离子发生器驱动电极组件生成电场,反应气体从气体入口进入经过放电腔电离后进入处理腔中对材料表面进行活化反应,本实施例中材料远离电场环境,适用于绝缘材料和非绝缘材料,满足各种材料的处理需求,另一方面,处理腔不受放电腔空间的限制,可满足不同面积的材料处理,更加方便。
附图说明
为了使本发明的内容更容易被清楚地理解,下面根据具体实施例并结合附图,对本发明作进一步详细的说明,其中:
图1为本发明第一实施例的结构示意图;
图2为本发明第二实施例的结构示意图。
其中:1、气体出口,2、处理腔,3、电极组件,4、放电腔,5、气体入口,6、匹配器,7、电源,8、过滤器,9、真空泵。
具体实施方式
实施例1
如图1所示,作为第一优选实施例,本实施例提供一种真空远区等离子体处理装置,包括反应腔、电极组件3、等离子发生器(图中未示出)和负压设备,反应腔包括放电腔4和用于材料表面活化反应的处理腔2,放电腔4设置于处理腔2上方并与处理腔2连通,放电腔4顶部设置有气体入口5,处理腔2底部设置有气体出口1,电极组件3为一对对称设置的环状电极,电极组件3设置于放电腔4外表面,等离子发生器与电极组件3电连接,负压设备与气体出口1连接。
本实施例中材料放置在处理腔2中,负压设备将放电腔4和处理腔2中抽真空,等离子发生器驱动电极组件3生成电场,反应气体从气体入口5进入经过放电腔4电离后进入处理腔2中对材料表面进行活化反应,本实施例中材料远离电场环境,适用于绝缘材料和非绝缘材料,满足各种材料的处理需求,另一方面,处理腔2不受放电腔4空间的限制,可满足不同面积的材料处理,更加方便。
实施例2
如图2所示,作为第二优选实施例,其余与实施例1相同,不同之处在于,本实施例提供的电极组件3为立体螺旋状电极,等离子发生器包括用于调节电极组件3功率的电源7和与电源7连接的匹配器6,匹配器6还与电极组件3电连接,负压设备为真空泵9,真空泵9与气体出口1之间还设置有过滤器8。
本实施例中,电极组件3为立体螺旋状电极生成电场空间大,电源7可根据需要调节电场强度,从而实现不同的处理效果。
以上所述的具体实施例,对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明,所应理解的是,以上所述仅为本发明的具体实施例而已,并不用于限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (6)

1.一种真空远区等离子体处理装置,其特征在于,包括反应腔、电极组件、等离子发生器和负压设备,所述反应腔包括放电腔和用于材料表面活化反应的处理腔,所述放电腔设置于所述处理腔上方并与所述处理腔连通,所述放电腔顶部设置有气体入口,所述处理腔底部设置有气体出口,所述电极组件设置于所述放电腔外表面,所述等离子发生器与所述电极组件电连接,所述负压设备与所述气体出口连接。
2.根据权利要求1所述的真空远区等离子体处理装置,其特征在于,所述电极组件为立体螺旋状电极。
3.根据权利要求1所述的真空远区等离子体处理装置,其特征在于,所述电极组件为一对对称设置的环状电极。
4.根据权利要求2或3所述的真空远区等离子体处理装置,其特征在于,所述等离子发生器包括用于调节所述电极组件功率的电源和与所述电源连接的匹配器,所述匹配器还与所述电极组件电连接。
5.根据权利要求4所述的真空远区等离子体处理装置,其特征在于,所述负压设备为真空泵。
6.根据权利要求1所述的真空远区等离子体处理装置,其特征在于,所述真空泵与所述气体出口之间还设置有过滤器。
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