CN101717935B - 基板的金属层的蚀刻方法 - Google Patents

Abstract

一种基板的金属层的蚀刻方法，适于使用蚀刻设备来进行。蚀刻设备包括至少一蚀刻反应室、配置于蚀刻反应室上方的多个液体输送管以及配置于每一液体输送管上的多个喷嘴。首先，提供具有金属层的基板于蚀刻反应室，其中基板的金属层具有至少一区域。接着，读取基板以获得第一规格数据。第一规格数据包括金属层的区域的尺寸与厚度。最后，进行第一次蚀刻工艺。这些液体输送管将蚀刻液传送至这些喷嘴。每一喷嘴依据第一规格数据来调整控制对金属层的区域喷射蚀刻液的喷压与喷射时间。

Description

基板的金属层的蚀刻方法

技术领域

本发明涉及一种基板的金属层的蚀刻方法，更特别，本发明涉及一种利用蚀刻工艺来薄化基板的金属层以及图案化基板的金属层的方法。

背景技术

目前已披露了多种通过蚀刻工艺(etching process)来薄化基板的金属层的方法，这些方法包括有浸渍法(dipping method)与喷洒法(spray method)，其中浸渍法是将多个基板垂直浸入蚀刻槽中，通过蚀刻液来蚀刻这些基板，而喷洒法是在蚀刻槽的上方提供喷嘴，并以固定的喷压朝着放置于蚀刻槽中的基板喷射蚀刻液来蚀刻基板。

然而，浸渍法是将整个基板浸渍在蚀刻液中，利用蚀刻液全面性地蚀刻基板，所以蚀刻的厚度较无法掌控，也就是说，这种蚀刻工艺较不精确。因此，若是预定蚀刻的厚度较薄时，浸渍法蚀刻工艺是无法精确地蚀刻基板到所需的厚度，所以浸渍法蚀刻工艺适用于预定蚀刻的厚度较大且精确度要求较低的基板。

对于喷洒法，因为蚀刻液是透过喷嘴而喷射到基板上，而每一喷嘴的喷压与喷射时间是由处理器统一来控制，所以每一喷嘴喷射于基板上的喷压与喷射时间都是一样地，因此相较于浸渍法而言，喷洒法可以较为精确的控制蚀刻的厚度。目前，当基板因工艺公差而呈现厚度不均匀时，虽然喷洒法可以通过改变喷嘴的方向与喷嘴的种类，来调整喷嘴喷射蚀刻液于基板上的喷量，但是由于每一喷嘴的喷压与喷射时间都是相同地，因此利用喷洒法蚀刻工艺后的基板还是会呈现厚度不均匀的现象，进而导致后续工艺良率不佳的问题。

发明内容

本发明提供一种基板的金属层的蚀刻方法，每一喷嘴依据规格数据来改变对基板喷射蚀刻液的喷压与喷射时间，以获得较均匀化且较薄厚度的基板。

本发明提供一种基板的金属层的蚀刻方法，每一喷嘴依据第一规格数据来改变对基板喷射蚀刻液的喷压与喷射时间，以获得图案化的基板。

本发明提出一种基板的金属层的蚀刻的方法，其适于使用蚀刻设备来进行。蚀刻设备包括至少一蚀刻反应室、配置于蚀刻反应室上方的多个液体输送管以及配置于每一液体输送管上的多个喷嘴。基板的金属层的蚀刻方法，首先，提供具有金属层的基板于蚀刻反应室，其中基板的金属层具有至少一区域。接着，读取基板以获得第一规格数据，其中第一规格数据包括金属层的区域的尺寸与厚度，其中金属层的区域依据第一规格数据可区分为多个厚度区，所述喷嘴可区分为多组，各组喷嘴实质上对应于各厚度区。最后，进行第一次蚀刻工艺。这些液体输送管将蚀刻液传送至这些喷嘴，且各组喷嘴依据第一规格数据来调整控制对各厚度区喷射蚀刻液的喷压与喷射时间。

在本发明的实施例中，上述的金属层的区域依据第一规格数据可区分为多个厚度区，这些喷嘴可区分为多组，每一组喷嘴实质上对应于每一厚度区。

在本发明的实施例中，上述的金属层的材料包括铜、镍、铝。

在本发明的实施例中，上述的读取基板以获得第一规格数据的步骤，首先，通过影像传感器来撷取基板的金属层以产生尺寸影像数据。接着，通过位移传感器来撷取基板的金属层以产生厚度影像数据。之后，通过处理器分析尺寸影像数据与厚度影像数据以产生第一规格数据。

在本发明的实施例中，上述的进行第一次蚀刻工艺之后，还包括侦测步骤，用以侦测已蚀刻的基板。

在本发明的实施例中，上述的侦测步骤侦测已蚀刻的基板蚀刻不足时，还包括读取已蚀刻的基板以获得第二规格数据。比对第一规格数据与第二规格数据，以取得比对数据。进行第二次蚀刻工艺。每一喷嘴依据比对数据来调整控制对已蚀刻的基板喷射蚀刻液的喷压与喷射时间。

在本发明的实施例中，上述的第一次蚀刻工艺的蚀刻速率实质上大于第二次蚀刻工艺的蚀刻速率。

本发明还提出一种图案化基板的方法，其适于使用蚀刻设备来进行。蚀刻设备包括至少一蚀刻反应室、配置于蚀刻反应室上方的多个液体输送管以及配置于每一液体输送管上的多个喷嘴。基板的金属层的方法，首先，提供具有金属层的基板于蚀刻反应室，其中基板的金属层上已形成有图案化光致抗蚀剂层。接着，读取基板以获得第一规格数据，其中第一规格数据包括金属层的至少一区域的尺寸与厚度，其中金属层的区域依据第一规格数据可区分为多个暴露于图案化光致抗蚀剂层之外的图案区，所述喷嘴可区分为多组，各组喷嘴实质上对应于各图案区。之后，进行第一次蚀刻工艺。这些液体输送管将蚀刻液传送至这些喷嘴，各组喷嘴依据第一规格数据来调整控制对各图案区喷射蚀刻液的喷压与喷射时间。

在本发明的实施例中，上述的进行第一次蚀刻工艺之后，还包括移除图案化光致抗蚀剂层，以形成图案化基板。

在本发明的实施例中，上述的金属层的区域依据第一规格数据可区分为多个图案区，这些喷嘴可区分为多组，每一组喷嘴实质上对应于每一图案区。

在本发明的实施例中，上述的金属层的材料包括铜、镍、铝。

在本发明的实施例中，上述的读取基板以获得第一规格数据的步骤，包括：首先，通过影像传感器来撷取基板的金属层以产生尺寸影像数据。接着，通过位移传感器来撷取基板的金属层以产生厚度影像数据。之后，通过处理器分析尺寸影像数据与厚度影像数据以产生第一规格数据。

在本发明的实施例中，上述的进行第一次蚀刻工艺之后，还包括侦测步骤，用以侦测已蚀刻的基板。

在本发明的实施例中，上述的侦测步骤侦测已蚀刻的基板蚀刻不足时，还包括读取已蚀刻的基板以获得第二规格数据。比对第一规格数据与第二规格数据，以取得比对数据。进行第二次蚀刻工艺。每一喷嘴依据比对数据来调整控制对已蚀刻的基板喷射蚀刻液的喷压与喷射时间。

在本发明的实施例中，上述的第一次蚀刻工艺的蚀刻速率实质上大于第二次蚀刻工艺的蚀刻速率。

基于上述，本发明的基板的金属层的蚀刻方法是采用读取基板以获得第一规格数据，蚀刻设备的每一喷嘴依据第一规格数据来调整控制对金属层的每一区域喷射蚀刻液的喷压与喷射时间，相较于已知利用浸渍法或喷洒法来蚀刻基板的金属层的方式而言，本发明的可以避免蚀刻过度与金属层厚薄度不均匀等问题，以获得较均匀化且较薄厚度的基板。

为让本发明的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图作详细说明如下。

附图说明

图1为本发明的实施例的基板的金属层的蚀刻方法的流程图。

图2A是本发明的基板的金属层的蚀刻方法中所使用的蚀刻设备与基板的示意图。

图2B是图2A中的基板的放大示意图。

图2C是图2A的蚀刻设备与基板的局部放大俯视示意图。

图2D是图2A蚀刻设备的喷嘴喷射蚀刻液于金属层的区域的示意图。

图3为本发明的另一实施例的基板的金属层的蚀刻方法的流程图。

图4A是本发明的基板的金属层的蚀刻方法中所使用的蚀刻设备与基板的示意图。

图4B是图4A中的局部剖面示意图。

图4C至图4E绘示图4B的基板进行蚀刻工艺而形成图案化基板的流程示意图。

附图标记说明

100、100’：蚀刻设备          110、110’：蚀刻反应室

120、120’：液体输送管        130、130’：喷嘴

132、132’：第一组喷嘴        134、134’：第二组喷嘴

136、136’：第三组喷嘴        138：第四组喷嘴

139：第五组喷嘴               200、300：基板

200a、300a：金属层            210：区域

212：第一厚度区               214：第二厚度区

216：第三厚度区               218：第四厚度区

219：第五厚度区               300’：图案化基板

310：图案化光致抗蚀剂层       322：第一图案区

324：第二图案区               326：第三图案区

S201～S203：基板的金属层的蚀刻方法的各步骤

S301～S304：基板的金属层的蚀刻方法的各步骤

具体实施方式

图1为本发明的实施例的基板的金属层的蚀刻方法的流程图，图2A是本发明的基板的金属层的蚀刻方法中所使用的蚀刻设备与基板的示意图。在此必须说明的是，图2A中省略绘示部份构件。请同时参考图1与图2A，在本实施例中，基板的金属层的蚀刻方法适于使用蚀刻设备100来进行。蚀刻设备100包括至少一蚀刻反应室110以及多个液体输送管120(图2A中仅示意地绘示七个)，其中这些液体输送管120配置于蚀刻反应室110上方，且每一液体输送管120上配置有多个喷嘴130(图2A中仅示意地绘示九个)。依照本实施例的基板的金属层的蚀刻方法，首先，步骤S201是提供具有金属层200a的基板200于蚀刻反应室110，其中基板200的金属层200a具有至少一区域210(图2A中仅示意地绘示四个区域210)。在本实施例中，金属层200a的材料包括铜、镍、铝。

接着，步骤S202是读取基板200以获得第一规格数据。详细而言，读取基板200的方式是先通过影像传感器(例如CCD影像传感器)(未绘示)来撷取基板200的金属层200a以产生尺寸影像数据。接着，通过位移传感器(未绘示)来撷取基板200的金属层200a以产生厚度影像数据。之后，通过处理器(未绘示)分析尺寸影像数据与厚度影像数据以产生第一规格数据，其中第一规格数据包括基板200的金属层200a的这些区域210的尺寸与厚度。

图2B是图2A中的基板的放大示意图，图2C是图2A的蚀刻设备与基板的局部放大俯视示意图，图2D是图2A蚀刻设备的喷嘴喷射蚀刻液于金属层的区域的示意图。举例而言，请先同时参考图2A与图2B，在本实施例中，基板200的金属层200a的这些区域210依据第一规格数据可分别区分为多个厚度区，这些厚度区包括第一厚度区212、第二厚度区214、第三厚度区216、第四厚度区218以及第五厚度区219，其中第五厚度区219包围第一厚度区212、第二厚度区214、第三厚度区216以及第四厚度区218。也就是说，本实施例的基板200的金属层200a的厚度不均匀。

接着，请同时参考图2A与图2C，每一液体输送管120上配置的这些喷嘴130依据第一规格数据可区分为多组，这些喷嘴130可区分为第一组喷嘴132、第二组喷嘴134、第三组喷嘴136、第四组喷嘴138以及第五组喷嘴139，其中第一组喷嘴132实质上对应于第一厚度区212，第二组喷嘴134实质上对应于第二厚度区214，第三组喷嘴136实质上对应于第三厚度区216，第四组喷嘴138实质上对应于第四厚度区218，第五组喷嘴139实质上对应于第五厚度区219。

之后，步骤S203是进行第一次蚀刻工艺。请参考图2D，这些液体输送管120将蚀刻液传送至这些喷嘴130，且每一喷嘴130依据第一规格数据来调整控制对基板200的金属层200a的这些区域210喷射蚀刻液的喷压与喷射时间，换言之，每一喷嘴130喷射蚀刻液至基板200的金属层200a上的喷压与喷射时间是可独立控制地。详细而言，在本实施例中，由于基板200的金属层200a的厚度不均匀，因此每一厚度区所需喷射的蚀刻液的喷压与喷射时间也不相同。也就是说，第一组喷嘴132依据第一规格数据中第一厚度区212的尺寸与厚度来调整控制对基板200的金属层200a的第一厚度区212喷射蚀刻液的喷压与喷射时间。

同理，第二组喷嘴134依据第一规格数据中第二厚度区214的尺寸与厚度来调整控制对基板200的金属层200a的第二厚度区214喷射蚀刻液的喷压与喷射时间。第三组喷嘴136依据第一规格数据中第三厚度区216的尺寸与厚度来调整控制对基板200的金属层200a的第三厚度区216喷射蚀刻液的喷压与喷射时间。第四组喷嘴138依据第一规格数据中第四厚度区218的尺寸与厚度来调整控制对基板200的金属层200a的第四厚度区218喷射蚀刻液的喷压与喷射时间。第五组喷嘴139依据第一规格数据中第五厚度区219的尺寸与厚度来调整控制对基板200的金属层200a的第五厚度区219喷射蚀刻液的喷压与喷射时间，请参考图2C。

由于这些喷嘴130是依据第一规格数据中基板200的金属层200a的各区域210的尺寸与厚度来分别独立调整喷射压力与喷射时间，因此这些喷嘴130对基板200的金属层200a上不同厚度区所喷射蚀刻液的喷压与喷射时间都不同，如此一来，在进行完第一次蚀刻工艺后，基板200的金属层200a的厚度可较为均匀化且可薄化到预定的厚度。此外，在此必须说明的是，在本实施例中，图2A至图2D中所呈现的蚀刻设备中的液体输送管120、喷嘴130以及基板200的金属层200a的厚度区的个数及排列方式，仅为举例说明，并非限定本发明。

另外，在进行第一次蚀刻工艺之后，会通过侦测步骤来得知预定蚀刻的区域210(请参考图2A)是否如期地蚀刻至一定厚度。当侦测步骤得知已蚀刻的基板200(请参考图2A)蚀刻不足时，则会继续进行第二次蚀刻工艺。进行第二次蚀刻工艺的步骤，首先，读取已蚀刻的基板200以获得第二规格数据。接着，比对第一规格数据与第二规格数据，以取得比对数据。之后，进行第二次蚀刻工艺，每一喷嘴130(请参考图2A)会依据比对数据来调整控制对已蚀刻的基板200喷射蚀刻液的喷压与喷射时间。也就是说，这些喷嘴130会依据比对数据中蚀刻不足的区域再进行蚀刻液的喷射，以获得较均匀化的基板。由于大部分的预定蚀刻金属层200a的区域210(请参考图2A)已经蚀刻完成，因此第二次蚀刻工艺的蚀刻速率实质上会小于第一次蚀刻工艺的蚀刻速率。换言之，第一次蚀刻工艺的蚀刻速率实质上大于第二次蚀刻工艺的蚀刻速率。此外，在本实施例中，第二规格数据的获得方式与第一规格数据的获得方式实质上相同，故在此不再赘述。

简言之，本实施例的基板的金属层的蚀刻方法是采用先读取基板200以获得第一规格数据，之后，蚀刻设备100的每一喷嘴130依据第一规格数据来调整控制对基板200的金属层200a的每一区域210喷射蚀刻液的喷压与喷射时间，也就是说，每一喷嘴130喷射蚀刻液至基板200的金属层200a上的喷压与喷射时间是可独立控制地，相较于已知利用浸渍法或喷洒法来蚀刻基板的金属层的方式而言，本实施例的基板的金属层的蚀刻方法可精确地控制基板200的金属层200a上每一区域210的蚀刻厚度，以得到较均匀化且较薄厚度的基板200。

图3为本发明的另一实施例的基板的金属层的蚀刻方法的流程图，图4A是本发明的基板的金属层的蚀刻方法中所使用的蚀刻设备与基板的示意图，图4B是图4A中的基板的局部剖面示意图。在此必须说明的是，为了方便说明起见，图4A省略绘示图案化光致抗蚀剂层。请先同时参考图3与图4A，在本实施例中，基板的金属层的蚀刻方法适于使用蚀刻设备100’来进行，蚀刻设备100’包括至少一蚀刻反应室110’以及多个液体输送管120’(图4A中仅示意地绘示七个)，其中这些液体输送管120’配置于蚀刻反应室110’上方，且每一液体输送管120’上配置有多个喷嘴130’(图4A中仅示意地绘示九个)。依照本实施例的基板的金属层的蚀刻方法，首先，步骤S301是提供具有金属层300a的基板300于蚀刻反应室110’，其中基板300的金属层300a上已形成有图案化光致抗蚀剂层310，请参考图4B。在本实施例中，金属层300a的材料包括铜、镍、铝。

接着，步骤S302是读取基板300以获得第一规格数据。详细而言，读取基板300的方式是先通过影像传感器(例如CCD影像传感器)(未绘示)来撷取基板300的金属层300a以产生尺寸影像数据。接着，通过位移传感器(未绘示)来撷取基板300的金属层300a以产生厚度影像数据。之后，在通过处理器(未绘示)分析尺寸影像数据与厚度影像数据以产生第一规格数据，其中第一规格数据包括基板300上的金属层300a的至少一区域的尺寸与厚度，换言之，即是金属层300a预定蚀刻的位置、尺寸与厚度。

图4C至图4E绘示图4B的基板进行蚀刻工艺而形成图案化基板的流程示意图。请先同时参考图4B与图4C，在本实施例中，基板300的金属层300a依据第一规格数据可区分为多个图案区，这些图案区包括第一图案区322、第二图案区324以及第三图案区326，其中图案化光致抗蚀剂层310覆盖第一图案区322、第二图案区324以及第三图案区326之外的区域。

接着，请同时参考图4A与图4C，每一液体输送管120’上配置的这些喷嘴130’依据第一规格数据可区分为多组，这些喷嘴130’可区分为第一组喷嘴132’、第二组喷嘴134’以及第三组喷嘴136’，其中第一组喷嘴132’实质上对应于第一图案区322与部份图案化光致抗蚀剂层310，第二组喷嘴134’实质上对应于第二图案区324与部份图案化光致抗蚀剂层310，第三组喷嘴136’实质上对应于第三图案区326与部份图案化光致抗蚀剂层310。

之后，步骤S303是进行第一次蚀刻工艺。请同时参考图4A与图4C，在本实施例中，这些液体输送管120’将蚀刻液传送至这些喷嘴130’，且每一喷嘴130’依据第一规格数据来调整控制对暴露于图案化光致抗蚀剂层310之外的金属层300a的区域喷射蚀刻液的喷压与喷射时间，换言之，每一喷嘴130’喷射蚀刻液至基板300金属层300a与图案化光致抗蚀剂层310上的喷压与喷射时间是可独立控制地。详细而言，在本实施例中，由于基板300的金属层300a具有三个不同的图案区，因此每一图案区所需喷射的蚀刻液的喷压与喷射时间也不相同。也就是说，第一组喷嘴132’依据第一规格数据中第一图案区322的尺寸与厚度来调整控制对基板300的金属层300a的第一图案区322喷射蚀刻液的喷压与喷射时间。

同理，第二组喷嘴134’依据第一规格数据中第二图案区324的尺寸与厚度来调整控制对基板300的金属层300a的第二图案区324喷射蚀刻液的喷压与喷射时间。第三组喷嘴136’依据第一规格数据中第三图案区326的尺寸与厚度来调整控制对基板300的金属层300a的第三图案区326喷射蚀刻液的喷压与喷射时间。进行完蚀刻工艺后，暴露于图案化光致抗蚀剂层310之外的金属层300a已经由蚀刻液移除，请参考图4D。

之后，请参考图4E，步骤S304是移除图案化光致抗蚀剂层310，以形成图案化基板300’。由于这些喷嘴130’是依据第一规格数据中基板300的金属层300a的各图案区的尺寸与厚度来分别独立调整喷压与喷射时间，因此这些喷嘴130’对基板300的金属层300a上不同图案区所喷射蚀刻液的喷压与喷射时间都不同，如此一来，在进行完第一次蚀刻工艺且移除图案化光致抗蚀剂层310后，即可获得图案化基板300’。此外，在此必须说明的是，在本实施例中，图4A至图4D中所呈现的蚀刻设备中的液体输送管120’、喷嘴130’、基板300的金属层300a的图案区以及图案化光致抗蚀剂层310的个数及排列方式，仅为举例说明，并非限定本发明。

另外，在进行第一次蚀刻工艺之后，会通过侦测步骤来得知预定蚀刻的区域是否如期地蚀刻至一定厚度。当侦测步骤得知已蚀刻的基板300(请参考图4A)蚀刻不足时，则会继续进行第二次蚀刻工艺。进行第二次蚀刻工艺的步骤，首先，读取已蚀刻的基板300以获得第二规格数据。接着，比对第一规格数据与第二规格数据，以取得比对数据。之后，进行第二次蚀刻工艺，每一喷嘴130’(请参考图4A)会依据比对数据来调整控制对已蚀刻的基板300的表面喷射蚀刻液的喷压与喷射时间。也就是说，这些每组喷嘴130’会依据比对数据中蚀刻不足的图案区再进行蚀刻液的喷射，由于大部分的预定蚀刻的图案区已经蚀刻完成，因此第二次蚀刻工艺的蚀刻速率实质上会小于第一次蚀刻工艺的蚀刻速率。换言之，第一次蚀刻工艺的蚀刻速率实质上大于第二次蚀刻工艺的蚀刻速率。此外，在本实施例中，第二规格数据的获得方式与第一规格数据的获得方式实质上相同，故在此不再赘述。

简言之，本实施例的基板的金属层的蚀刻方法是采用先读取基板300以获得第一规格数据，其中基板300的金属层300a已形成有图案化光致抗蚀剂层310。之后，蚀刻设备100’的每一喷嘴130’依据第一规格数据来调整控制对暴露于图案化光致抗蚀剂层310之外的金属层300a的不同图案区喷射蚀刻液的喷压与喷射时间，也就是说，每一喷嘴130’喷射蚀刻液至基板300的金属层300a上喷压与喷射时间是可独立控制地，相较于已知利用浸渍法或喷洒法来蚀刻基板的金属层的方式而言，本实施例的基板的金属层的蚀刻方法可精确地控制基板300每一图案区的蚀刻厚度，以获得图案化基板300’。

综上所述，由于本发明的基板的金属层的蚀刻方法是读取基板以获得第一规格数据，这些喷嘴分别依据第一规格数据来调整控制对基板的金属层的每一区域喷射蚀刻液的喷压与喷射时间，因此本发明的基板的金属层的蚀刻方法可以将基板均匀地薄化至预定厚度。此外，由于本发明的另一基板的金属层的蚀刻方法是读取基板以获得第一规格数据，而这些喷嘴分别依据第一规格数据来调整控制对暴露于图案化光致抗蚀剂层之外的金属层的区域喷射蚀刻液的喷压与喷射时间，因此本发明的基板的金属层的蚀刻方法可获图案化基板。

虽然本发明已以实施例披露如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围当视后附的权利要求所界定的为准。

Claims (13)

1.一种基板的金属层的蚀刻方法，适于使用蚀刻设备来进行，该蚀刻设备包括至少一蚀刻反应室、配置于该蚀刻反应室上方的多个液体输送管以及配置于各该液体输送管上的多个喷嘴，该基板的金属层的蚀刻方法包括：

提供具有金属层的基板于该蚀刻反应室，其中该基板的该金属层具有至少一区域；

读取该基板以获得第一规格数据，该第一规格数据包括该金属层的该区域的尺寸与厚度，其中该金属层的该区域依据该第一规格数据可区分为多个厚度区，所述喷嘴可区分为多组，各组喷嘴实质上对应于各厚度区；以及

进行第一次蚀刻工艺，所述液体输送管将蚀刻液传送至所述喷嘴，各组喷嘴依据该第一规格数据来调整控制对各厚度区喷射该蚀刻液的喷压与喷射时间。

2.如权利要求1所述的基板的金属层的蚀刻方法，其中该金属层的材料包括铜、镍、铝。

3.如权利要求1所述的基板的金属层的蚀刻方法，其中读取该基板以获得该第一规格数据的步骤，包括：

通过影像传感器来撷取该基板的金属层以产生尺寸影像数据；

通过位移传感器来撷取该基板的该金属层以产生厚度影像数据；以及

通过处理器分析该尺寸影像数据与该厚度影像数据以产生该第一规格数据。

4.如权利要求1所述的基板的金属层的蚀刻方法，其中进行该第一次蚀刻工艺之后，还包括侦测步骤，以侦测已蚀刻的该基板。

5.如权利要求4所述的基板的金属层的蚀刻方法，其中该侦测步骤侦测已蚀刻的该基板蚀刻不足时，还包括：

读取已蚀刻的基板以获得第二规格数据；

比对该第一规格数据与该第二规格数据，以取得比对数据；以及

进行第二次蚀刻工艺，各该喷嘴依据该比对数据来调整控制对已蚀刻的该基板喷射该蚀刻液的喷压与喷射时间。

6.如权利要求5所述的基板的金属层的蚀刻方法，其中该第一次蚀刻工艺的蚀刻速率实质上大于该第二次蚀刻工艺的蚀刻速率。

7.一种基板的金属层的蚀刻方法，适于使用蚀刻设备来进行，该蚀刻设备包括至少一蚀刻反应室、配置于该蚀刻反应室上方的多个液体输送管以及配置于各该液体输送管上的多个喷嘴，该基板的金属层的蚀刻方法包括：

提供具有金属层的基板于该蚀刻反应室，其中该基板的该金属层上已形成有图案化光致抗蚀剂层；

读取该基板以获得第一规格数据，该第一规格数据包括该金属层的至少一区域的尺寸与厚度，其中该金属层的该区域依据该第一规格数据可区分为多个暴露于该图案化光致抗蚀剂层之外的图案区，所述喷嘴可区分为多组，各组喷嘴实质上对应于各图案区；以及

进行第一次蚀刻工艺，所述液体输送管将蚀刻液传送至所述喷嘴，各组喷嘴依据该第一规格数据来调整控制对各图案区喷射该蚀刻液的喷压与喷射时间。

8.如权利要求7所述的基板的金属层的蚀刻方法，其中进行该第一次蚀刻工艺之后，还包括：

移除该图案化光致抗蚀剂层，以形成图案化基板。

9.如权利要求7所述的基板的金属层的蚀刻方法，其中该金属层的材料包括铜、镍、铝。

10.如权利要求7所述的基板的金属层的蚀刻方法，其中读取该基板以获得该第一规格数据的步骤，包括：

通过影像传感器来撷取该基板的金属层以产生尺寸影像数据；

通过位移传感器来撷取该基板的该金属层以产生厚度影像数据；以及

通过处理器分析该尺寸影像数据与该厚度影像数据以产生该第一规格数据。

11.如权利要求7所述的基板的金属层的蚀刻方法，其中进行该第一次蚀刻工艺之后，还包括侦测步骤，以侦测已蚀刻的该基板。

12.如权利要求11所述的基板的金属层的蚀刻方法，其中该侦测步骤侦测已蚀刻的该基板蚀刻不足时，还包括：

读取已蚀刻的基板以获得第二规格数据；

比对该第一规格数据与该第二规格数据，以取得比对数据；以及

进行第二次蚀刻工艺，各该喷嘴依据该比对数据来调整控制对已蚀刻的该基板喷射该蚀刻液的喷压与喷射时间。

13.如权利要求12所述的基板的金属层的蚀刻方法，其中该第一次蚀刻工艺的蚀刻速率实质上大于该第二次蚀刻工艺的蚀刻速率。

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