CN101709858A - Led照明高效散热铝基板、led光源及二者的制造方法 - Google Patents

Led照明高效散热铝基板、led光源及二者的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种成本低、工艺简单、散热效果好的LED照明高效散热铝基板、LED光源及二者的制造方法。LED光源包括LED芯片(5)、LED照明高效散热铝基板，LED照明高效散热铝基板包括铝底板(1)，铝底板(1)的上、下表面附着氧化铝导热绝缘层(2)，铝底板(1)的上表面附着的氧化铝导热绝缘层(2)上沉积铝层形成导电金属层(3)，导电金属层(3)蚀刻形成LED芯片的底座(31)及构成电路连线(32)，导电金属层(3)上除焊点、芯片及打线预留位置外的部分覆有防焊层(4)，LED芯片(5)粘结固定在LED芯片的底座(31)上并通过电路连线(32)构成串并联关系的LED照明电路，在LED芯片(5)上及其周围覆盖硅胶或树脂，形成保护层(6)。

Description

LED照明高效散热铝基板、LED光源及二者的制造方法
技术领域
本发明涉及一种LED照明高效散热铝基板以及包括该LED照明高效散热铝基板的LED光源；另外，本发明还涉及该LED照明高效散热铝基板及该LED光源的制造方法。
背景技术
将多个LED芯片集成在一个线路板上称为集成芯片，LED集成芯片正越来越广泛地应用到LED照明光源中。LED集成芯片中常用到铝基板，现有的LED照明铝基板一般以铝底板作为衬底，在衬底上面涂覆树脂类材料作为绝缘层，再在绝缘层上覆盖铜箔作为导电层。由于其绝缘层能耐高压(＞1500V/min)及衬底散热性较佳，所以被广泛应用在LED光源领域。其应用方式为在铝底板上按照传统单层印刷线路板的制造方式将铜箔用丝网印刷及蚀刻方式形成电路，再将防焊层覆盖在铝底板上，仅裸露出需要焊接部位的铜箔即成。这种采用传统方式制造的铝基板，由于其使用工艺精度较差，难以精确控制导热绝缘层的厚度，为了保证其耐压性能，必须对绝缘层的厚度留有较大余量，一般绝缘层的厚度在80～100μm，因此绝缘层的厚度较大，而树脂的导热系数较小，因此其导热及散热效果大大降低。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是克服现有技术的不足，提供一种成本低、工艺简单、散热效果好的LED照明高效散热铝基板及其制造方法。
另外，本发明还提供一种包括所述LED照明高效散热铝基板的LED光源及其制造方法。
本发明的LED照明高效散热铝基板所采用的技术方案是：本发明的LED照明高效散热铝基板包括铝底板，所述铝底板的上、下表面均附着有一层氧化铝导热绝缘层，所述铝底板的上表面附着的所述氧化铝导热绝缘层上沉积有铝层形成导电金属层，所述导电金属层蚀刻后形成LED芯片的底座及构成电路连线，所述导电金属层上除焊点、芯片及打线预留位置外的其余部分覆有防焊层。
在所述氧化铝导热绝缘层与所述导电金属层之间设有高阻值多晶硅阻挡层。
所述氧化铝导热绝缘层的厚度为0.1～50μm，所述氧化铝导热绝缘层上沉积的铝层厚度为2～5μm。
本发明的LED照明高效散热铝基板的制造方法所采用的技术方案是：本发明的LED照明高效散热铝基板的制造方法包括以下步骤：
(a)铝底板预处理：将所述铝底板在浓硫酸中清洗，去除所述铝底板的表面的油污及杂质，然后用含有磷酸、醋酸、硝酸的腐蚀液进行表面化学抛光，再用去离子水清洗干净；
(b)形成氧化铝导热绝缘层：将清洗干净的所述铝底板进行电化学阳极处理，使所述铝底板的上、下表面均附着有一层厚度为0.1～50μm的氧化铝导热绝缘层；
(c)形成导电金属层：在经过阳极处理的所述铝底板的上表面附着的所述氧化铝导热绝缘层上以溅射方式沉积厚度为2～5μm铝层，形成所述导电金属层；然后在带所述导电金属层的所述铝底板上涂上光刻胶，再在光刻机上利用金属光刻掩模版进行光刻，再经显影形成导电金属层的图形，或者，采用丝网印刷的方法直接形成导电金属层的图形；经烘烤固化后，再用湿法蚀刻工艺对所述铝层进行蚀刻，蚀刻后剩余的所述铝层形成所述LED芯片的底座及构成所述电路连线；
(d)合金化：在300～450℃温度下，将上述形成所述LED芯片的底座及构成所述电路连线的所述导电金属层在氮气或含氢气的环境下加以合金化；
(e)形成防焊层：在形成所述LED芯片的底座及构成所述电路连线的所述铝底板上采用丝网印刷的方法涂覆防焊材料，形成防焊层的图形；再在高温下烘烤固化所述防焊材料，形成所述防焊层。
进一步，在所述步骤(b)与所述步骤(c)之间还包括如下步骤：
(b1)形成阻挡层：在经过阳极处理的所述铝底板的上表面附着的所述氧化铝导热绝缘层上以溅射方式沉积厚度为0.1～5μm的高阻值多晶硅，所述高阻值多晶硅形成阻挡层。
本发明的LED光源所采用的技术方案是：本发明的LED光源包括若干个LED芯片、LED照明高效散热铝基板，所述LED照明高效散热铝基板包括铝底板，所述铝底板的上、下表面均附着有一层氧化铝导热绝缘层，所述铝底板的上表面附着的所述氧化铝导热绝缘层上沉积有铝层或覆有铜箔形成导电金属层，所述导电金属层蚀刻后形成LED芯片的底座及构成电路连线，所述导电金属层上除焊点、芯片及打线预留位置外的其余部分覆有防焊层，若干个所述LED芯片粘结固定在所述LED芯片的底座上并通过所述电路连线构成串并联关系的LED照明电路，在所述LED芯片上及其周围的相应位置覆盖含有或不含有荧光粉的硅胶或树脂，形成保护层。
在所述氧化铝导热绝缘层与所述导电金属层之间设有高阻值多晶硅阻挡层。
所述LED芯片分为若干组，各组内部的所述LED芯片之间及若干组所述LED芯片之间均通过所述电路连线相连接，各组内部的所述LED芯片之间互相串联或并联或串并联组合连接，若干组所述LED芯片之间互相串联或并联或串并联组合连接。
本发明的LED光源的制造方法所采用的技术方案是：本发明的LED光源的制造方法包括以下步骤：
(a)铝底板预处理：将所述铝底板在浓硫酸中清洗，去除所述铝底板的表面的油污及杂质，然后用含有磷酸、醋酸、硝酸的腐蚀液进行表面化学抛光，再用去离子水清洗干净；
(b)形成氧化铝导热绝缘层：将清洗干净的所述铝底板进行电化学阳极处理，使所述铝底板的上、下表面均附着有一层厚度为0.1～50μm的氧化铝导热绝缘层；
(c)形成导电金属层：在经过阳极处理的所述铝底板的上表面附着的所述氧化铝导热绝缘层上以溅射方式沉积厚度为2～5μm铝层，形成所述导电金属层；然后在带所述导电金属层的所述铝底板上涂上光刻胶，再在光刻机上利用金属光刻掩模版进行光刻，再经显影形成导电金属层的图形，或者，采用丝网印刷的方法直接形成导电金属层的图形；经烘烤固化后，再用湿法蚀刻工艺对所述铝层进行蚀刻，蚀刻后剩余的所述铝层形成所述LED芯片的底座及构成所述电路连线；
(d)合金化：在300～450℃温度下，将上述形成所述LED芯片的底座及构成所述电路连线的所述导电金属层在氮气或含氢气的环境下加以合金化；
(e)形成防焊层：在形成所述LED芯片的底座及构成所述电路连线的所述铝底板上采用丝网印刷的方法涂覆防焊材料，形成防焊层的图形；再在高温下烘烤固化所述防焊材料，形成所述防焊层；
(f)LED芯片封装：将若干个所述LED芯片用超声键合或用银浆或锡粘合固定在所述LED芯片的底座上，所述LED芯片的电极接点通过金属线打线焊接在所述电路连线上进行封装；
(g)形成保护层：在所述LED芯片上及其周围的相应位置覆盖含有或不含有荧光粉的硅胶或树脂，经过高温固化，形成保护层，所述保护层将所述LED芯片及用于打线的金属线覆盖。
进一步，在所述步骤(b)与所述步骤(c)之间还包括如下步骤：
(b1)形成阻挡层：在经过阳极处理的所述铝底板的上表面附着的所述氧化铝导热绝缘层上以溅射方式沉积厚度为0.1～5μm的高阻值多晶硅，所述高阻值多晶硅形成阻挡层。
本发明的有益效果是：由于本发明的LED光源包括若干个LED芯片、LED照明高效散热铝基板，所述LED照明高效散热铝基板包括铝底板，所述铝底板的上、下表面均附着有一层氧化铝导热绝缘层，所述铝底板的上表面附着的所述氧化铝导热绝缘层上沉积有铝层或覆有铜箔形成导电金属层，所述导电金属层蚀刻后形成LED芯片的底座及构成电路连线，所述导电金属层上除焊点、芯片及打线预留位置外的其余部分覆有防焊层，若干个所述LED芯片粘结固定在所述LED芯片的底座上并通过所述电路连线构成串并联关系的LED照明电路，在所述LED芯片上及其周围的相应位置覆盖含有或不含有荧光粉的硅胶或树脂，形成保护层，本发明通过电化学及集成电路的制造工艺在所述铝底板的上、下表面附着氧化铝导热绝缘层及导电金属层，使得氧化铝导热绝缘层的厚度可以精确控制，在满足耐高压的情况下，可尽量减少导热绝缘层的厚度，本发明的氧化铝导热绝缘层的厚度可在10μm之内，仅为传统单层线路板的制造方法形成的绝缘层厚度的几分之一，甚至几十分之一，同时所述氧化铝导热绝缘层的导热系数高，使得本发明氧化铝导热绝缘层的导热性能优异，整体热阻是传统铝基板的热阻的1/80～1/200，因此导热性大大提高，能够减少散热基板的尺寸，有利于光源的小型化，同时为将LED芯片与光源基板集成于一体作为一个独立的光源提供了良好的基础，只通过一次封装就能够实现LED芯片之间的串并联组合关系，直接接于驱动电路就可以发光工作，简化了工艺步骤，节省了半导体材料，节约了成本，使得生产效率大幅提高，由于本发明的导热散热性能好，因此能够延长光源的LED芯片的使用寿命，故本发明成本低、工艺简单、散热效果好；
同理，采用本发明的制造方法制造的LED光源具有上述优点。
附图说明
图1是本发明实施例一的LED光源的局部断面结构示意图；
图2是图1所示LED光源的导电金属层的图形示意图；
图3是本发明实施例的LED光源的制造方法中步骤(a)过程的断面结构示意图；
图4是本发明实施例的LED光源的制造方法中步骤(b)过程的断面结构示意图；
图5、图6是本发明实施例的LED光源的制造方法中步骤(c)过程的断面结构示意图；
图7是本发明实施例的LED光源的制造方法中步骤(e)过程的断面结构示意图；
图8是本发明实施例的LED光源的制造方法中步骤(f)过程的断面结构示意图；
图9是本发明实施例二的LED光源的局部断面结构示意图；
图10是本发明实施例二的LED光源的制造方法中步骤(b1)过程的断面结构示意图。
具体实施方式
实施例一：
如图1、图2所示，本实施例中，LED照明高效散热铝基板包括铝底板1，所述铝底板1的上、下表面均附着有一层氧化铝导热绝缘层2，所述铝底板1的上表面附着的所述氧化铝导热绝缘层2上沉积有铝层形成导电金属层3，所述氧化铝导热绝缘层2的厚度为5μm，其范围可在0.1～50μm内变化，所述氧化铝导热绝缘层2上沉积的铝层厚度为2～5μm，所述氧化铝导热绝缘层2的厚度越大，耐压值也越大，所述导电金属层3蚀刻后形成LED芯片的底座31及构成电路连线32，所述导电金属层3上除焊点、芯片及打线预留位置外的其余部分覆有防焊层4，以避免不同的所述导电金属层3之间短路及误焊，还可以防止触电，图2中41所示的方框表示所述防焊层4的开口。
如图1、图2所示，本实施例中，LED光源除包括上述LED照明高效散热铝基板外，还包括若干个LED芯片5，若干个所述LED芯片5粘结固定在所述LED芯片的底座31上并通过所述电路连线32构成串并联关系的LED照明电路，在所述LED芯片5上及其周围的相应位置覆盖含有荧光粉的硅胶或树脂，也可以根据情况不含有荧光粉，形成保护层6，所述保护层6将所述LED芯片1及用于封装的金属线覆盖，以防止金属线折断，同时可保护所述LED芯片1不受外界环境变化的影响，所述LED芯片5为大功率LED芯片，所述LED芯片5分为若干组，各组内部的所述LED芯片5之间及若干组所述LED芯片5之间均通过所述电路连线32相连接，各组内部的所述LED芯片5之间互相串联或并联或串并联组合连接，若干组所述LED芯片5之间互相串联或并联或串并联组合连接，所述导电金属层3既是电极、导电体，又是LED芯片的散热传导片，还是底面光线的反光体。
如图3～图7所示，本实施例的LED照明高效散热铝基板的制造方法包括以下步骤：
(a)铝底板预处理：将所述铝底板1在浓硫酸中清洗，去除所述铝底板1的表面的油污及杂质，然后用含有磷酸、醋酸、硝酸的腐蚀液进行表面化学抛光，再用去离子水清洗干净，此步骤最后形成的断面图如图3所示；
(b)形成氧化铝导热绝缘层：将清洗干净的所述铝底板1进行电化学阳极处理，使所述铝底板1的上、下表面均附着有一层厚度为0.1～50μm的氧化铝导热绝缘层2，此步骤最后形成的断面图如图4所示；
(c)形成导电金属层：在经过阳极处理的所述铝底板1的上表面附着的所述氧化铝导热绝缘层2上以溅射方式沉积厚度为2～5μm铝层，形成所述导电金属层3，如图5所示；然后在带所述导电金属层3的所述铝底板1上涂上光刻胶，再在光刻机上利用金属光刻掩模版进行光刻，再经显影形成导电金属层的图形，或者，采用丝网印刷的方法直接形成导电金属层的图形；经烘烤固化后，再用湿法蚀刻工艺对所述铝层进行蚀刻，蚀刻后剩余的所述铝层形成所述LED芯片的底座31及构成所述电路连线32，此步骤最后形成的断面图如图6所示；
(d)合金化：在300～450℃温度下，将上述形成所述LED芯片的底座31及构成所述电路连线32的所述导电金属层3在氮气或含氢气的环境下加以合金化；
(e)形成防焊层：在形成所述LED芯片的底座31及构成所述电路连线32的所述铝底板1上采用丝网印刷的方法涂覆防焊材料，形成防焊层的图形；再在高温下烘烤固化所述防焊材料，形成所述防焊层4，此步骤最后形成的断面图如图7所示。
如图1、图3～图8所示，本实施例的LED光源的制造方法包括以下步骤：
(a)铝底板预处理：将所述铝底板1在浓硫酸中清洗，去除所述铝底板(1)的表面的油污及杂质，然后用含有磷酸、醋酸、硝酸的腐蚀液进行表面化学抛光，再用去离子水清洗干净，此步骤最后形成的断面图如图3所示；
(b)形成氧化铝导热绝缘层：将清洗干净的所述铝底板1进行电化学阳极处理，使所述铝底板1的上、下表面均附着有一层厚度为0.1～50μm的氧化铝导热绝缘层2，此步骤最后形成的断面图如图4所示；
(c)形成导电金属层：在经过阳极处理的所述铝底板1的上表面附着的所述氧化铝导热绝缘层2上以溅射方式沉积厚度为2～5μm铝层，形成所述导电金属层3，如图5所示；然后在带所述导电金属层3的所述铝底板1上涂上光刻胶，再在光刻机上利用金属光刻掩模版进行光刻，再经显影形成导电金属层的图形，或者，采用丝网印刷的方法直接形成导电金属层的图形；经烘烤固化后，再用湿法蚀刻工艺对所述铝层进行蚀刻，蚀刻后剩余的所述铝层形成所述LED芯片的底座31及构成所述电路连线32，此步骤最后形成的断面图如图6所示；
(d)合金化：在300～450℃温度下，将上述形成所述LED芯片的底座31及构成所述电路连线32的所述导电金属层3在氮气或含氢气的环境下加以合金化；
(e)形成防焊层：在形成所述LED芯片的底座31及构成所述电路连线32的所述铝底板1上采用丝网印刷的方法涂覆防焊材料，形成防焊层的图形；再在高温下烘烤固化所述防焊材料，形成所述防焊层4，此步骤最后形成的断面图如图7所示；
(f)LED芯片封装：将若干个所述LED芯片5用超声键合或用银浆或锡粘合固定在所述LED芯片的底座31上，所述LED芯片5的电极接点通过金属线打线焊接在所述电路连线32上进行封装，此步骤最后形成的断面图如图8所示；
(g)形成保护层：在所述LED芯片5上及其周围的相应位置覆盖含有荧光粉的硅胶或树脂，也可以根据情况不含有荧光粉，经过高温固化，形成保护层，所述保护层将所述LED芯片5及用于打线的金属线覆盖，此步骤最后形成的断面图如图1所示。
实施例二：
如图9所示，本实施例与实施例一的区别之处在于：本实施例中，LED照明高效散热铝基板及LED光源均在所述氧化铝导热绝缘层2与所述导电金属层3之间设有高阻值多晶硅阻挡层8，所述高阻值多晶硅阻挡层8既可以增加所述氧化铝导热绝缘层2的抗电压的能力，更有利于防止在湿法蚀刻形成所述导电金属层3的过程中对所述导电金属层3下的所述氧化铝导热绝缘层2的破坏，有利于对所述氧化铝导热绝缘层2的控制。
同样，LED照明高效散热铝基板及LED光源的制造方法在实施例一的基础上，在所述步骤(b)与所述步骤(c)之间还包括如下步骤：
(b1)形成阻挡层：在经过阳极处理的所述铝底板1的上表面附着的所述氧化铝导热绝缘层2上以溅射方式沉积厚度为0.1～5μm的高阻值多晶硅，所述高阻值多晶硅形成阻挡层。
本实施例的其余特征同实施例一。
本发明突破了本领域的固有思维模式，本发明通过电化学及集成电路的制造工艺在所述铝底板1的上、下表面附着氧化铝导热绝缘层2及导电金属层3，使得氧化铝导热绝缘层2的厚度可以精确控制，在满足耐高压的情况下，可尽量减少导热绝缘层的厚度，本发明的氧化铝导热绝缘层2的厚度可在10μm之内，仅为传统单层线路板的制造方法形成的绝缘层厚度的几分之一，甚至几十分之一，同时所述氧化铝导热绝缘层2的导热系数高，使得本发明氧化铝导热绝缘层2的导热性能优异，整体平均热阻是传统铝基板的热阻的1/80～1/200，因此导热性大大提高，能够减少散热基板的尺寸，有利于光源的小型化，同时为将LED芯片5与光源基板集成于一体作为一个独立的光源提供了良好的基础，只通过一次封装就能够实现LED芯片之间的串并联组合关系，直接接于驱动电路就可以发光工作，简化了工艺步骤，节省了半导体材料，节约了成本，使得生产效率大幅提高，由于本发明的LED照明高效散热铝基板导热散热性能好，因此能够延长光源中LED芯片的使用寿命，因此本发明成本低、工艺简单、散热效果好；本发明的LED光源，其应用调整自由，可广泛应用于路灯、工矿灯、LED灯管、普通照明灯等交、直流及高、低压及不同功率的灯具中。
本发明可广泛应用于LED光源领域。

Claims (10)

1.一种LED照明高效散热铝基板，包括铝底板(1)，其特征在于：所述铝底板(1)的上、下表面均附着有一层氧化铝导热绝缘层(2)，所述铝底板(1)的上表面附着的所述氧化铝导热绝缘层(2)上沉积有铝层形成导电金属层(3)，所述导电金属层(3)蚀刻后形成LED芯片的底座(31)及构成电路连线(32)，所述导电金属层(3)上除焊点、芯片及打线预留位置外的其余部分覆有防焊层(4)。
2.根据权利要求1所述的LED照明高效散热铝基板，其特征在于：在所述氧化铝导热绝缘层(2)与所述导电金属层(3)之间设有高阻值多晶硅阻挡层(8)。
3.根据权利要求1或2所述的LED照明高效散热铝基板，其特征在于：所述氧化铝导热绝缘层(2)的厚度为0.1～50μm，所述氧化铝导热绝缘层(2)上沉积的铝层厚度为2～5μm。
4.一种LED光源，包括若干个LED芯片(5)，其特征在于：所述LED光源还包括权利要求1所述的LED照明高效散热铝基板，若干个所述LED芯片(5)粘结固定在所述LED芯片的底座(31)上并通过所述电路连线(32)构成串并联关系的LED照明电路，在所述LED芯片(5)上及其周围的相应位置覆盖含有或不含有荧光粉的硅胶或树脂，形成保护层(6)。
5.根据权利要求4所述的LED光源，其特征在于：在所述氧化铝导热绝缘层(2)与所述导电金属层(3)之间设有高阻值多晶硅阻挡层(8)。
6.根据权利要求4所述的LED光源，其特征在于：所述LED芯片(5)分为若干组，各组内部的所述LED芯片(5)之间及若干组所述LED芯片(5)之间均通过所述电路连线(32)相连接；各组内部的所述LED芯片(5)之间互相串联或并联或串并联组合连接，若干组所述LED芯片(5)之间互相串联或并联或串并联组合连接。
7.一种权利要求1所述的LED照明高效散热铝基板的制造方法，其特征在于：包括以下步骤：
(a)铝底板预处理：将所述铝底板(1)在浓硫酸中清洗，去除所述铝底板(1)的表面的油污及杂质，然后用含有磷酸、醋酸、硝酸的腐蚀液进行表面化学抛光，再用去离子水清洗干净；
(b)形成氧化铝导热绝缘层：将清洗干净的所述铝底板(1)进行电化学阳极处理，使所述铝底板(1)的上、下表面均附着有一层厚度为0.1～50μm的氧化铝导热绝缘层(2)；
(c)形成导电金属层：在经过阳极处理的所述铝底板(1)的上表面附着的所述氧化铝导热绝缘层(2)上以溅射方式沉积厚度为2～5μm铝层，形成所述导电金属层(3)；然后在带所述导电金属层(3)的所述铝底板(1)上涂上光刻胶，再在光刻机上利用金属光刻掩模版进行光刻，再经显影形成导电金属层的图形，或者，采用丝网印刷的方法直接形成导电金属层的图形；经烘烤固化后，再用湿法蚀刻工艺对所述铝层进行蚀刻，蚀刻后剩余的所述铝层形成所述LED芯片的底座(31)及构成所述电路连线(32)；
(d)合金化：在300～450℃温度下，将上述形成所述LED芯片的底座(31)及构成所述电路连线(32)的所述导电金属层(3)在氮气或含氢气的环境下加以合金化；
(e)形成防焊层：在形成所述LED芯片的底座(31)及构成所述电路连线(32)的所述铝底板(1)上采用丝网印刷的方法涂覆防焊材料，形成防焊层的图形；再在高温下烘烤固化所述防焊材料，形成所述防焊层(4)。
8.根据权利要求7所述的LED照明高效散热铝基板的制造方法，其特征在于：在所述氧化铝导热绝缘层(2)与所述导电金属层(3)之间设有高阻值多晶硅阻挡层(8)，在所述步骤(b)与所述步骤(c)之间还包括如下步骤：
(b1)形成阻挡层：在经过阳极处理的所述铝底板(1)的上表面附着的所述氧化铝导热绝缘层(2)上以溅射方式沉积厚度为0.1～5μm的高阻值多晶硅，所述高阻值多晶硅形成阻挡层。
9.一种权利要求4所述的LED光源的制造方法，其特征在于：包括以下步骤：
(a)铝底板预处理：将所述铝底板(1)在浓硫酸中清洗，去除所述铝底板(1)的表面的油污及杂质，然后用含有磷酸、醋酸、硝酸的腐蚀液进行表面化学抛光，再用去离子水清洗干净；
(b)形成氧化铝导热绝缘层：将清洗干净的所述铝底板(1)进行电化学阳极处理，使所述铝底板(1)的上、下表面均附着有一层厚度为0.1～50μm的氧化铝导热绝缘层(2)；
(c)形成导电金属层：在经过阳极处理的所述铝底板(1)的上表面附着的所述氧化铝导热绝缘层(2)上以溅射方式沉积厚度为2～5μm铝层，形成所述导电金属层(3)；然后在带所述导电金属层(3)的所述铝底板(1)上涂上光刻胶，再在光刻机上利用金属光刻掩模版进行光刻，再经显影形成导电金属层的图形，或者，采用丝网印刷的方法直接形成导电金属层的图形；经烘烤固化后，再用湿法蚀刻工艺对所述铝层进行蚀刻，蚀刻后剩余的所述铝层形成所述LED芯片的底座(31)及构成所述电路连线(32)；
(d)合金化：在300～450℃温度下，将上述形成所述LED芯片的底座(31)及构成所述电路连线(32)的所述导电金属层(3)在氮气或含氢气的环境下加以合金化；
(e)形成防焊层：在形成所述LED芯片的底座(31)及构成所述电路连线(32)的所述铝底板(1)上采用丝网印刷的方法涂覆防焊材料，形成防焊层的图形；再在高温下烘烤固化所述防焊材料，形成所述防焊层(4)；
(f)LED芯片封装：将若干个所述LED芯片(5)用超声键合或用银浆或锡粘合固定在所述LED芯片的底座(31)上，所述LED芯片(5)的电极接点通过金属线打线焊接在所述电路连线(32)上进行封装；
(g)形成保护层：在所述LED芯片(5)上及其周围的相应位置覆盖含有或不含有荧光粉的硅胶或树脂，经过高温固化，形成保护层，所述保护层将所述LED芯片(5)及用于打线的金属线覆盖。
10.根据权利要求9所述的LED照明高效散热铝基板的制造方法，其特征在于：在所述氧化铝导热绝缘层(2)与所述导电金属层(3)之间设有高阻值多晶硅阻挡层(8)，在所述步骤(b)与所述步骤(c)之间还包括如下步骤：
(b1)形成阻挡层：在经过阳极处理的所述铝底板(1)的上表面附着的所述氧化铝导热绝缘层(2)上以溅射方式沉积厚度为0.1～5μm的高阻值多晶硅，所述高阻值多晶硅形成阻挡层。
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