CN102945921A - 一种led基板散热装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种LED基板散热装置，其包括导电铜层、绝缘层、基板，绝缘层在导电铜层与基板之间，基板的散热表面覆有氧化铝薄膜。本发明LED基板散热装置提高热导率。
Description
技术领域
本发明涉及一种散热装置，特别是涉及一种LED基板散热装置。
背景技术
随着LED向大功率、高光强方向发展，其散热问题日渐突出，已成为LED发展的难题。大功率LED的散热方式主要是通过基板材料传导到外壳而发散出去，因此基板材料必须有高热导率、高稳定性、高绝缘性、高强度和平整性以及与芯片相近的热膨胀系数。金属或合金具有高导热率和低膨胀系数，从而成为现有主要的LED基板材料，为保障电绝缘性，通常在金属表面涂覆高分子聚合物介质膜，从而导致热导率降低，高温性能变差。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种LED基板散热装置，其提高热导率。
本发明是通过下述技术方案来解决上述技术问题的：一种LED基板散热装置，其特征在于，其包括导电铜层、绝缘层、基板，绝缘层在导电铜层与基板之间，基板的散热表面覆有氧化铝薄膜。
优选地，所述氧化铝薄膜的厚度为20 um 至40um。
本发明的积极进步效果在于：本发明LED基板散热装置提高热导率，稳定性好，简化了LED的封装结构和工艺，降低了成本。
附图说明
图1为本发明LED基板散热装置的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图给出本发明较佳实施例，以详细说明本发明的技术方案。
如图1所示，本发明LED基板散热装置包括导电铜层1、绝缘层2、基板3，绝缘层2在导电铜层1与基板3之间，基板3的散热表面覆有氧化铝薄膜4。本发明LED基板散热装置的整体结构为层状结构。
氧化铝薄膜4通过微弧氧化技术生成，氧化铝薄膜4的厚度为20 um 至40um。所述的微弧氧化是通过电解液与相应参数的组合，在铝基板表面依靠弧光放电产生瞬时高温高压作用，生长出以基体氧化物为主的陶瓷膜层，具体工艺如下：步骤（1），将铝合金放在碱溶液中浸泡，去除表面机械油污；步骤（2），用清水洗净，风干；步骤（3），将铝合金放置于电解槽中进行微弧氧化，微弧氧化电解液为小于1%的Na2SiO3和KOH混合溶液；电源采用双端不对称的脉冲调制电源；调制电源工作时，利用峰值较大的正脉冲对工件进行微弧氧化，利用峰值较小的负脉冲对工件表面疏松的氧化膜进行去除，使表面变得更光滑、更致密，从而得到较好的膜层质量。氧化铝薄膜具有较高的热导率，在2.1W/K.m左右，远远超过导热胶的热导率，所述基板可抵抗500v以上的静电击穿电压，并且导热基板介质层线膨胀系数与铝基体差异较小，抗剥离强度高，大于5N/mm，因此，所述的基板可以在很高及全温度范围内可靠性的工作。微弧氧化技术工艺简单、效率高、无污染、处理工件能力强，制作成本低，便于加工和进行多样结构的封装。
本领域的技术人员可以对本发明进行各种改型和改变。因此，本发明覆盖了落入所附的权利要求书及其等同物的范围内的各种改型和改变。
Claims (2)
1.一种LED基板散热装置，其特征在于，其包括导电铜层、绝缘层、基板，绝缘层在导电铜层与基板之间，基板的散热表面覆有氧化铝薄膜。
2.如权利要求1所述的LED基板散热装置，其特征在于，所述氧化铝薄膜的厚度为20 um 至40um。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| CN2012104968741A CN102945921A (zh) | 2012-11-29 | 2012-11-29 | 一种led基板散热装置 |
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Publications (1)
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| CN102945921A true CN102945921A (zh) | 2013-02-27 |
Family
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Family Applications (1)
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| CN2012104968741A Pending CN102945921A (zh) | 2012-11-29 | 2012-11-29 | 一种led基板散热装置 |
Country Status (1)
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|---|---|
| CN (1) | CN102945921A (zh) |
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2012
- 2012-11-29 CN CN2012104968741A patent/CN102945921A/zh active Pending
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