CN101702417B - 一种制作碲化镉薄膜太阳电池的工艺方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种制作碲化镉薄膜太阳电池的工艺方法。它具有方法简单，成本低，原材料利用率高等优点，它的步骤为：1)导电玻璃清洗；2)真空蒸发沉积硫化镉；3)采用气体输运沉积碲化镉；4)磁控溅射沉积铬；5)磁控溅射沉积钼；6)磁控溅射沉积铝；7)完成电池制作。
Description
技术领域
本发明涉及一种制作碲化镉薄膜太阳电池的工艺方法。
背景技术
目前碲化镉太阳电池的制作方法为近空间升华方法，有如下一些缺点：1设备结构复杂，要求控温精度高；2源制作复杂，对工艺要求较高；3生产得到的光电转换效率低；4原材料利用率低。
发明内容
本发明的目的就是为了解决上述问题，提供一种具有方法简单，成本低，原材料利用率高等优点的制作碲化镉薄膜太阳电池的工艺方法。
为实现上述目的，本发明采用如下技术方案：
一种制作碲化镉薄膜太阳电池的工艺方法，它的步骤为：
1)导电玻璃清洗；
●用高纯水配制浓度为0.1％-20％的氢氧化钠溶液；
●将要清洗的导电玻璃浸泡在配制好的氢氧化钠溶液中，室温下浸泡时间为5-20分钟；
●用滚刷反复清洗导电玻璃表面1-5分钟；
●用高纯水配制浓度为0.1％-20％的氢氟酸溶液；
●将刷洗后的导电玻璃浸泡在配制好的氢氟酸溶液中，室温下浸泡时间为1-10分钟；
●将导电玻璃从氢氟酸溶液中取出，放入去离子水中室温下漂洗1-5分钟；
●将导电玻璃从去离子水中取出，放入无水乙醇中脱水即可。
2)真空蒸发沉积硫化镉；
将步骤1清洗好的导电玻璃，放入真空镀膜机内。抽真空到0.01pa-0.0001pa，温度为室温，生长厚度为50-500nm的硫化镉薄膜；
3)采用气体输运沉积碲化镉；
在将生长了一定厚度硫化镉薄膜的导电玻璃，放到气体输运沉积设备中，设备抽真空到1-100pa，将导电玻璃加热到400-1000摄氏度，在沉积源中放入碲化镉粉末0.1kg-50kg，将沉积源加热到500-1000摄氏度，向沉积源通入气体，导电玻璃在沉积源下移动，沉积时间1-10分钟，生长厚度为1-10微米的碲化镉薄膜；
4)磁控溅射沉积铬
将步骤4中完成的工件，放入磁控溅射镀膜机内，按照磁控溅射标准工艺生长厚度为5-500nm的铬层；
5)磁控溅射沉积钼
在步骤5相同磁控溅射镀膜机内，按照磁控溅射标准工艺生长厚度为5-500nm的钼层；
6)磁控溅射沉积铝
在步骤5相同磁控溅射镀膜机内，按照磁控溅射标准工艺生长厚度为5-500nm的铝层
7)完成电池制作。
本发明的有益效果为：1.设备成本低，20MW的组件生产线，建造成本为5000万元，相当于近空间升华制造设备价格的一半；
2.成膜速度快，碲化镉的最快成膜速度为每分钟4平方米，相当于近空间升华设备的2倍；
3.原材料利用率高，原材料利用率接近90％；
4.产品光电转换效率高，最高可达12％的光电转换效率。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明做进一步说明。
实施例1；
一种制作碲化镉薄膜太阳电池的工艺方法，它的步骤为：
1)导电玻璃清洗；
2)真空蒸发沉积硫化镉；
将步骤1清洗好的导电玻璃，放入真空镀膜机内，抽真空到0.01pa，温度为室温，生长厚度为50nm的硫化镉薄膜；
3)采用气体输运沉积碲化镉；
在将生长了一定厚度硫化镉薄膜的导电玻璃，气体输运沉积设备中，设备抽真空到1pa，将导电玻璃加热到400摄氏度，在沉积源中放入碲化镉粉末0.1kg，将沉积源加热到500摄氏度，向沉积源通入气体，导电玻璃在沉积源下移动，沉积时间1分钟，生长厚度为1微米的碲化镉薄膜；
4)磁控溅射沉积铬
将步骤3中完成的工件，放入磁控溅射镀膜机内，按照磁控溅射标准工艺生长厚度为5nm的铬层；
5)磁控溅射沉积钼
在步骤4相同磁控溅射镀膜机内，按照磁控溅射标准工艺生长厚度为5nm的钼层；
6)磁控溅射沉积铝
在步骤4相同磁控溅射镀膜机内，按照磁控溅射标准工艺生长厚度为5nm的铝层；
7)完成电池制作。
实施例2：
一种制作碲化镉薄膜太阳电池的工艺方法，它的步骤为：
1)导电玻璃清洗；
2)真空蒸发沉积硫化镉；
将步骤1清洗好的导电玻璃，放入真空镀膜机内，抽真空到0.008pa，温度为室温，生长厚度为100nm的硫化镉薄膜；
3)采用气体输运沉积碲化镉；
在将生长了一定厚度硫化镉薄膜的导电玻璃，气体输运沉积设备中，设备抽真空到30pa，将导电玻璃加热到600摄氏度，在沉积源中放入碲化镉粉末2kg，将沉积源加热到700摄氏度，向沉积源通入气体，导电玻璃在沉积源下移动，沉积时间4分钟，生长厚度为3微米的碲化镉薄膜；
4)磁控溅射沉积铬
将步骤3中完成的工件，放入磁控溅射镀膜机内，按照磁控溅射标准工艺生长厚度为100nm的铬层；
5)磁控溅射沉积钼
在步骤4相同磁控溅射镀膜机内，按照磁控溅射标准工艺生长厚度为100nm的钼层；
6)磁控溅射沉积铝
在步骤4相同磁控溅射镀膜机内，按照磁控溅射标准工艺生长厚度为100nm的铝层；
7)完成电池制作。
实施例3：
一种制作碲化镉薄膜太阳电池的工艺方法，它的步骤为：
1)导电玻璃清洗；
2)真空蒸发沉积硫化镉；
将步骤1清洗好的导电玻璃，放入真空镀膜机内，抽真空到0.001pa，温度为室温，生长厚度为300nm的硫化镉薄膜；
3)采用气体输运沉积碲化镉；
在将生长了一定厚度硫化镉薄膜的导电玻璃，气体输运沉积设备中，设备抽真空到70pa，将导电玻璃加热到800摄氏度，在沉积源中放入碲化镉粉末5kg，将沉积源加热到900摄氏度，向沉积源通入气体，导电玻璃在沉积源下移动，沉积时间8分钟，生长厚度为7微米的碲化镉薄膜；
4)磁控溅射沉积铬
将步骤3中完成的工件，放入磁控溅射镀膜机内，按照磁控溅射标准工艺生长厚度为300nm的铬层；
5)磁控溅射沉积钼
在步骤4相同磁控溅射镀膜机内，按照磁控溅射标准工艺生长厚度为300nm的钼层；
6)磁控溅射沉积铝
在步骤4相同磁控溅射镀膜机内，按照磁控溅射标准工艺生长厚度为300nm的铝层；
7)完成电池制作。
实施例4：
1.一种制作碲化镉薄膜太阳电池的工艺方法，其特征是，它的步骤为：
1)导电玻璃清洗；
2)真空蒸发沉积硫化镉；
将步骤1清洗好的导电玻璃，放入真空镀膜机内，抽真空到0.0001pa，温度为室温，生长厚度为500nm的硫化镉薄膜；
3)采用气体输运沉积碲化镉；
在将生长了一定厚度硫化镉薄膜的导电玻璃，气体输运沉积设备中，设备抽真空到100pa，将导电玻璃加热到1000摄氏度，在沉积源中放入碲化镉粉末7kg，将沉积源加热到1000摄氏度，向沉积源通入气体，导电玻璃在沉积源下移动，沉积时间10分钟，生长厚度为10微米的碲化镉薄膜；
4)磁控溅射沉积铬
将步骤3中完成的工件，放入磁控溅射镀膜机内，按照磁控溅射标准工艺生长厚度为500nm的铬层；
5)磁控溅射沉积钼
在步骤4相同磁控溅射镀膜机内，按照磁控溅射标准工艺生长厚度为500nm的钼层；
6)磁控溅射沉积铝
在步骤4相同磁控溅射镀膜机内，按照磁控溅射标准工艺生长厚度为500nm的铝层；
7)完成电池制作。
实施例5：
一种制作碲化镉薄膜太阳电池的工艺方法，它的步骤为：
1)导电玻璃清洗；
2)真空蒸发沉积硫化镉；
将步骤1清洗好的导电玻璃，放入真空镀膜机内，抽真空到0.005pa，温度为室温，生长厚度为200nm的硫化镉薄膜；
3)采用气体输运沉积碲化镉；
在将生长了一定厚度硫化镉薄膜的导电玻璃，气体输运沉积设备中，设备抽真空到50pa，将导电玻璃加热到700摄氏度，在沉积源中放入碲化镉粉末10kg，将沉积源加热800摄氏度，向沉积源通入气体，导电玻璃在沉积源下移动，沉积时间6分钟，生长厚度为5微米的碲化镉薄膜；
4)磁控溅射沉积铬
将步骤3中完成的工件，放入磁控溅射镀膜机内，按照磁控溅射标准工艺生长厚度为200nm的铬层；
5)磁控溅射沉积钼
在步骤4相同磁控溅射镀膜机内，按照磁控溅射标准工艺生长厚度为200nm的钼层；
6)磁控溅射沉积铝
在步骤4相同磁控溅射镀膜机内，按照磁控溅射标准工艺生长厚度为200nm的铝层；
7)完成电池制作。
Claims (6)
1.一种制作碲化镉薄膜太阳电池的工艺方法，其特征是，它的步骤为：
1)导电玻璃清洗；
2)真空蒸发沉积硫化镉；
将步骤1)清洗好的导电玻璃，放入真空镀膜机内，抽真空到0.01pa-0.0001pa，温度为室温，生长厚度为50-500nm的硫化镉薄膜；
3)采用气体输运沉积碲化镉；
在将生长了一定厚度硫化镉薄膜的导电玻璃，送入气体输运沉积设备中，设备抽真空到1-100pa，将导电玻璃加热到400-1000摄氏度，在沉积源中放入碲化镉粉末0.1kg-50kg，将沉积源加热到500-1000摄氏度，向沉积源通入气体，导电玻璃在沉积源下移动，沉积时间1-10分钟，生长厚度为1-10微米的碲化镉薄膜；
4)磁控溅射沉积铬
将步骤3)中完成的工件，放入磁控溅射镀膜机内，按照磁控溅射标准工艺生长厚度为5-500nm的铬层；
5)磁控溅射沉积钼
在步骤4)相同磁控溅射镀膜机内，按照磁控溅射标准工艺生长厚度为5-500nm的钼层；
6)磁控溅射沉积铝
在步骤4)相同磁控溅射镀膜机内，按照磁控溅射标准工艺生长厚度为5-500nm的铝层；
7)完成电池制作。
2.如权利要求1所述的制作碲化镉薄膜太阳电池的工艺方法，其特征是，所述步骤2)中，抽真空到0.001pa-0.008pa，温度为室温，生长厚度为100-300nm的硫化镉薄膜。
3.如权利要求1所述的制作碲化镉薄膜太阳电池的工艺方法，其特征是，所述步骤3)中，设备抽真空到30-70pa，将导电玻璃加热到600-800摄氏度，在沉积源中放入碲化镉粉末，将沉积源加热到700-900摄氏度，向沉积源通入气体，导电玻璃在沉积源下移动，沉积时间4-8分钟，生长厚度为3-7微米的碲化镉薄膜。
4.如权利要求1所述的制作碲化镉薄膜太阳电池的工艺方法，其特征是，所述步骤4)中，铬层厚度为100-300nm。
5.如权利要求1所述的制作碲化镉薄膜太阳电池的工艺方法，其特征是，所述步骤5)中，钼层厚度为100-300nm。
6.如权利要求1所述的制作碲化镉薄膜太阳电池的工艺方法，其特征是，所述步骤6)中，铝层厚度为100-300nm。
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