CN101686738B - 高切割效率的切割框架 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种切割框架，其包括用于以预定倾角从矩形基底材料上切割一种或更多种具有较小尺寸的矩形单元件的多个切割器，所述切割器安装或形成在所述切割框架中，使得所述切割器与所述矩形单元件相对应，其中，所述切割器基于所述矩形单元件的阵列结构而安装或形成在所述切割框架中，使得除最上排矩形单元件和最下排矩形单元件以外的大多数剩余矩形单元件被布置为在每个矩形单元件的四条边处邻近不同的矩形单元件，并且相邻的四个矩形单元件的至少一些组合在其中心形成岛式剩余部。

Description

高切割效率的切割框架

技术领域

本发明涉及一种高切割效率的切割框架，并且尤其涉及一种包括多个切割器的切割框架，所述切割器用于以预定倾角从矩形基底材料上切割一种或更多种具有较小尺寸的矩形单元件，所述切割器安装或形成在所述切割框架中，使得所述切割器与所述矩形单元件相对应，其中，所述切割器基于所述矩形单元件的阵列结构而安装或形成在所述切割框架中，使得除最上排矩形单元件和最下排矩形单元件以外的大多数剩余矩形单元件被布置为在每个矩形单元件的四条边处邻近不同的矩形单元件，并且相邻的四个矩形单元件的至少一些组合在其中心形成岛式剩余部。

背景技术

在多个领域中已经采用了这样一种技术：其用于切割具有较大尺寸的矩形基底材料，以制造具有较小尺寸的多个矩形单元件。例如，通过一次切割处理，用切割框架重复地切割具有预定宽度和长的长度的基底材料片，以同时制造多个矩形单元件。

同时，基底材料的尺寸(宽度)是规定的，而由于例如基底材料供应方的限制、制造处理的效率方面、矩形单元件的需求波动等的多种因素，矩形单元件的尺寸可以根据需要而变化。在这种情况下，当基于基底材料的尺寸来切割多个所期望的矩形单元件时，切割效率取决于切割框架以何种结构来构造，即用于从基底材料上切割矩形单元件的切割器以何种结构布置而显著变化。低的切割效率增加了由基底材料产生的废料量，而废料将在切割处理之后被除去，最后的结果是，矩形单元件的制造成本增加。

当基底材料的尺寸(宽度和长度)与具体的矩形单元件的尺寸(长度和宽度)成恒定比例时，可以通过按顺序布置矩形单元件使得矩形单元件在具有这种恒定比例的位置处彼此接触而将切割损失降至最低。然而，当未形成这种恒定比例时，切割损失可能取决于矩形单元件的阵列结构而变化。

此外，当将要以与基底材料的纵向成预定角度来切割矩形单元件时，不可避免地产生了大量的废料。

为了以预定角度来切割矩形单元件，通常使用切割器(例如，刀具)布置在切割框架上使得与切割器相对应的矩形单元件彼此相邻的阵列结构。

在这一方面，图1和图2典型地图示了常规的切割框架，在常规的切割框架中，矩形单元件位于基底材料上以构造与矩形单元件相对应的切割器。为了描述方便，基底材料图示为具有预定的长度。

参考这些附图，从具有预定宽度和长的长度的基底材料片10上切割多个矩形单元件20。在切割框架30上，布置有与矩形单元件20相对应的多个切割器32。因此，矩形单元件20的阵列结构与切割器32的阵列结构实质上是相同的。

切割器32安装或形成在切割框架30中，使得切割器32能够通过一次切割处理来切割预定数量(图1中为六个而图2中为八个)的矩形单元件20。因此，基底材料片10通过切割框架30来切割，然后在基底材料片10在基底材料片10的纵向上交迭了预定长度s时再次通过切割框架30来切割基底材料片10。这样，实现了一连串的切割处理。

每个矩形单元件20构造为这样一种矩形结构：其中，每个矩形单元件20的纵边a比每个矩形单元件20的横边b长。而且，每个矩形单元件20与基底材料片10的纵向成大约45度的角α倾斜。当倾斜的矩形单元件20布置在基底材料10上时，可以考虑如图1和图2所示的两种矩形单元件的阵列结构。

矩形单元件的第一种阵列结构为：按顺序布置矩形单元件使得各个矩形单元件的横边b彼此重合，如图1所示。根据这种阵列结构，可以从具有有效宽度W和长度L的基底材料片10上切割出总共24个矩形单元件20。然而，不可能切割出位于偏离基底材料片10的有效宽度W的位置处的矩形单元件21。

在这种阵列结构中，实质上仅使用了基底材料片10的切割宽度D，而非有效宽度W，因此，剩余宽度W-D被作为废料而除去。由于矩形单元件20以大约45度角倾斜，因此在基底材料片的上端区域也不可避免地产生了废料。

矩形单元件的第二种阵列结构为：按顺序布置矩形单元件，使得各个矩形单元件的纵边a彼此重合，如图2所示。根据这种阵列结构，可以从具有有效宽度W和长度L的基底材料片10上切割出总共19个矩形单元件20。

考虑到以上描述，可以看出，切割效率可以根据矩形单元件的阵列结构而变化。然而，当矩形单元件与基底材料片成特定角度倾斜时，不易以不同的方式来布置矩形单元件。为此，在现有技术中，仅主要考虑如图1或图2所示的矩形单元件的特定边(纵边或横边)彼此重合的结构的矩形单元件的阵列结构。

此外，当从同一基底材料上切割两种或更多种具有不同尺寸的矩形单元件时，矩形单元件的阵列结构是非常复杂的。为此，仅考虑矩形单元件的特定边彼此重合或矩形单元件的中心轴线彼此重合的结构的矩形单元件的阵列结构(参见图7)。

因此，当提供了一种表现出比如图1和图2所示的矩形单元件的阵列结构的切割效率高的切割效率的矩形单元件的阵列结构时，可以降低切割损失并且最终降低产品的制造成本。切割效率的提高越来越重要，尤其在基底材料价格高和/或要大规模地制造矩形单元件时。

发明内容

因此，本发明致力于解决上述问题，以及尚待解决的其它技术问题。

作为对切割框架进行多种广泛且深入的研究和实验的结果，本发明的发明人发现：当切割器以稍后将进行描述的矩形单元件的特定阵列结构而形成使得切割器与各个矩形单元件相对应时，与常规的矩形单元件的阵列结构相比，切割效率得到了显著提高。本发明基于这些发现而完成。

具体地，本发明的一个目的是提供一种包括多个切割器的切割框架，所述切割器形成为在从具有较大尺寸的矩形基底材料上切割与矩形基底材料的纵向成预定角度倾斜的多个矩形单元件时表现出高的切割效率。

本发明的另一目的是提供一种废料，其具有与矩形单元件相对应的孔，所述矩形单元件布置在如上所述表现出高的切割效率的矩形单元件的阵列结构中。

根据本发明的一个方案，上述以及其它目的可以通过提供这样一种切割框架来实现：所述切割框架包括用于以预定倾角从矩形基底材料上切割一种或更多种具有较小尺寸的矩形单元件的多个切割器，所述切割器安装或形成在所述切割框架中，使得所述切割器与所述矩形单元件相对应，其中，所述切割器基于所述矩形单元件的阵列结构而安装或形成在所述切割框架中，使得除最上排矩形单元件和最下排矩形单元件以外的大多数剩余矩形单元件被布置为在每个矩形单元件的四条边处邻近不同的矩形单元件，并且相邻的四个矩形单元件的至少一些组合在其中心形成岛式剩余部。

因此，根据本发明的切割框架是以这样一种结构来构造的：其中，尽管如图1和图2所示矩形单元件布置为彼此相邻，但是一个矩形单元件的一条边并不与另一矩形单元件的对应边完全重合，而是略偏离于另一矩形单元件的对应边。当切割器布置在基底材料上以切割倾斜的矩形单元件时，所述矩形单元件的这种阵列结构并不是通常容易考虑到的。然而，出乎我们意料的是，经证实矩形单元件的这种独特的阵列结构提供了比常规的切割框架更高的切割效率。

因为单元件是以矩形结构构造而成的，所以根据本发明的切割框架通过如上所述的矩形单元件的独特阵列结构而表现出比常规切割框架高的切割效率，并且矩形单元件是与基底材料的纵向成预定角度倾斜而被切割的。

本发明的发明人证实：当单元件以正方形结构构造或者单元件在不倾斜时进行切割时，通过将单元件布置为彼此相邻从而相对边彼此重合的阵列结构，切割效率得到了进一步提高。因此，根据本发明的切割框架优选地用于在矩形单元件以预定角度倾斜的同时切割矩形单元件。

在以上描述中，术语“最上排单元件”和术语“最下排单元件”是指在布置在矩形基底材料上的一系列矩形单元件中实质上位于最上侧和最下侧的矩形单元件。这些矩形单元件的特征在于，所述矩形单元件通常仅在其第一至第三边处邻近不同的矩形单元件。

另一方面，如先前所限定的，位于最上排矩形单元件与最下排矩形单元件之间的大多数剩余的矩形单元件被布置为在每个矩形单元件的四条边处邻近不同的矩形单元件。在根据现有技术的矩形单元件的阵列结构中，在每个矩形单元件的四条边中，每个矩形单元件的两条边的每条边均邻近两个不同的矩形单元件，并且每个矩形单元件的剩余两条边的每条边均邻近一个不同的矩形单元件。因此，根据现有技术，一个矩形单元件可以邻近不同的矩形单元件的数量为五个(参见图2)或六个(参见图1)。

考虑到这点，根据本发明的矩形单元件的阵列结构以矩形单元件略偏离于彼此的结构构造而成，使得任一矩形单元件的每条边均仅邻近一个不同的矩形单元件。因此，相邻的四个矩形单元件的至少一些组合在其中心形成岛式剩余部。“岛式剩余部”是指由如上所述的矩形单元件的偏置阵列结构所产生的具有较大尺寸的剩余部。所述岛式剩余部留在以小矩形切割基底材料之后所产生的废料上。

在本发明中，除最上排矩形单元件和最下排矩形单元件以外的大多数剩余的矩形单元件被布置为在每个矩形单元件的四条边处邻近不同的矩形单元件的结构包括这样一种结构：其中，特别地，由于阵列结构的变化，一些矩形单元件邻近少于或多于四个矩形单元件。然而，大多数的矩形单元件表现出这种规则性。

在本发明中，所述基底材料可以是可以执行一次或多次切割处理的分离的单个材料或具有预定宽度和相对较大长度的连续材料。后者可以是长的基底材料片。在这种情况下，可以将基底材料片从辊子上展开，并且通过切割框架来按顺序切割展开的基底材料片。考虑到制造矩形单元件的生产效率和经济效率，基底材料优选地为一种连续材料。

如前所述，所有的矩形单元件是在与基底材料的纵向成预定角度倾斜的同时从基底材料上切割出的。例如，当基底材料在纵向或横向上的固有物理性质必须通过相对于矩形单元件的预定角度来表达时，矩形单元件可以在与基底材料成预定角度倾斜的同时被切割。例如，所述矩形单元件可以以20至70度倾斜。

在优选实施例中，所述基底材料是一种包括在纵向或横向上仅吸收或透射特定方向的光波或电磁波的波动的层(‘吸收层或透射层’)的薄膜，并且从所述基底材料上切割出的所述矩形单元件是一种尺寸较小的薄膜，所述薄膜的吸收层或透射层以45度角倾斜。

根据本发明的切割框架具有与现有技术相比实质上增加了基底材料的切割面积率的矩形单元件的阵列结构。在如前所述的图1和图2的现有技术中，基底材料的切割宽度D比基底材料的有效宽度W小的多。也就是说，除切割宽度D以外的有效宽度W的下端区域被作为废料除去。

因此，切割面积率优选地通过将矩形单元件的阵列结构设置为最大化地利用基底材料的有效宽度来增加。例如，所述最上排矩形单元件的上端顶点与所述最下排矩形单元件的下端顶点之间的宽度(‘切割宽度’)可以是所述基底材料的有效宽度的95％至100％。

在这种情况下，如前所述，矩形单元件布置为略偏离彼此，使得矩形单元件可以接近基底材料的有效宽度。因此，大量的矩形单元件被布置为使得每四个矩形单元件彼此相邻，并且在每四个相邻的矩形单元件中形成岛式剩余部。

有效宽度是指除基底材料的无需包括在切割的矩形单元件中的区域或由于基底材料的性质或切割处理的原因而不易于切割的区域(例如，基底材料的上端区域和下端区域)以外实质上能够切割的基底材料的剩余区域。根据情况，有效宽度可以等于基底材料的实际宽度。

形成所述岛式剩余部的每四个相邻的矩形单元件的组合数量优选地不少于除所述最上排矩形单元件和所述最下排矩形单元件以外剩余的矩形单元件的数量的50％，更优选地不少于90％，但是每四个相邻的矩形单元件的组合数量可以取决于矩形单元件的种类和数量而变化。

尽管切割了两种或更多种矩形单元件，但是当切割一种矩形单元件时或者当矩形单元件的尺寸不成正比时，矩形单元件的大多数组合产生了岛式剩余部。岛式剩余部可以具有相同的尺寸或不同的尺寸。

优选地，在所述矩形单元件彼此相邻的区域形成具有比所述岛式剩余部的尺寸小的尺寸的切割边缘。切割框架通过使用切割器而从大尺寸的矩形基底材料上独立地切割多个小尺寸的矩形单元件。因此，当矩形单元件彼此接触时，也就是说，当相邻的矩形单元件的对边通过单个切割器而同时形成时，在切割处理之后的随后处理时难以将矩形单元件作为独立的单元件来处理。因此，更优选地是，矩形单元件布置为使得在各个矩形单元件之间设置有小的切割边缘。然而，如前所述，切割边缘具有比岛式剩余部的尺寸小的尺寸。

在本发明中，可以切割一种矩形单元件，或者可以切割两种或更多种矩形单元件。然而，在布置有两种或更多种矩形单元件的结构中，也可以这样应用矩形单元件的上述相邻条件以及岛式剩余部的形成条件。

在本发明中，矩形单元件的阵列结构与切割框架的切割器或切割器的阵列结构实质上是重合的。因此，在未给出另外的描述时，可以认为矩形单元件的阵列结构是指切割器或切割器的阵列结构。

在切割器表现出从基底材料上切割矩形单元件的结构或特性时，不对切割器进行特别地限制。典型地，每个切割器可以是一种用于切割的刀具，例如金属刀或冲水刀(jet water knife)，或者用于切割的光源，例如激光。

根据本发明的另一方案，提供了一种废料，其是在以预定倾角从基底材料上切割一种或更多种矩形单元件之后获得的。

具体地，所述废料的特征在于，与所述矩形单元件相对应的多个孔沿切割边缘连续地彼此连接，除最上排矩形单元件孔和最下排矩形单元件孔以外的大多数剩余的矩形单元件孔被布置为通过与所述切割边缘相对应的间隙而在其四条边上邻近不同的矩形单元件孔，并且相邻的四个矩形单元件的至少一些组合在其中心形成具有比所述切割边缘的尺寸大的尺寸的岛式剩余部。

所述废料的矩形单元件孔的形状反映了切割框架的切割器或切割器的阵列形状。因此，在与废料相对应的切割框架中，切割器在矩形单元件之间通过切割边缘而彼此间隔开，并且切割器布置为使得相邻的四个矩形单元件的大多数组合形成岛式剩余部。

附图说明

通过结合附图的下列详细描述，将更加清楚地理解本发明的上述和其它目的、特征以及其它优点，其中：

图1和图2为图示了常规的切割框架的典型图，在常规的切割框架中，矩形单元件位于基底材料上以构造与矩形单元件相对应的切割器；

图3为图示了根据本发明的优选实施例的切割框架的典型图，其中，一种矩形单元件位于基底材料上以构造与矩形单元件相对应的切割器；

图4为图示了根据现有技术的当矩形单元件布置在特定切割框架上时具有预定尺寸的矩形单元件的阵列结构的典型图；

图5和图6为图示了在与图4相同的情况下在根据本发明的切割框架上的矩形单元件的各种阵列结构的实施例的局部典型图；

图7为图示了常规的切割框架的典型图，其中，两种矩形单元件位于基底材料上以构造与矩形单元件相对应的切割器；

图8为图示了根据本发明的优选实施例的当矩形单元件布置在切割框架上时两种矩形单元件的阵列结构的局部典型图；以及

图9为图示了根据本发明的实施例的废料的形状的局部典型图。

具体实施方式

现在，将结合附图对本发明的优选实施例进行详细地描述。应当注意到的是，本发明的范围不受所图示的实施例限制。

图3为图示了根据本发明的优选实施例的切割框架的典型图，其中，一种矩形单元件位于基底材料上以构造与矩形单元件相对应的切割器。

参考图3，矩形单元件布置为使得一个矩形单元件200邻近两个矩形单元件210和230而不邻近一个矩形单元件220。与该阵列结构相比，在如图1所示的矩形单元件的阵列结构中，一个矩形单元件与六个矩形单元件接触，而在如图2所示的矩形单元件的阵列结构中，一个矩形单元件与五个矩形单元件接触。因此，在如图1和图2所示的矩形单元件的阵列结构中，矩形单元件的一些边同时与两个不同的矩形单元件接触。作为参考，为了图示的简化，图3仅示出了邻近矩形单元件200的两个矩形单元件210和230，而未示出另外两个矩形单元件。

而且，矩形单元件布置为使得在邻近的四个矩形单元件200、210、220和230中形成岛式剩余部110(参见点划线所示的圆圈)。岛式剩余部110是由矩形单元件的各个边所限定的近似为矩形的剩余部。该结构是从图1和图2的阵列结构中根本看不到的。

在如上所述的矩形单元件的阵列结构中，基底材料片100的使用大于图1中的情况。优选地，基底材料片100的有效宽度W与切割宽度D实质上几乎相等。

而且，具有比岛式剩余部110的尺寸小的尺寸的切割边缘120位于矩形单元件200和210之间，矩形单元件200和210在每个矩形单元件的一条边处彼此相邻。因此，当从基底材料片100上切割矩形单元件200、210、220和230时，各个矩形单元件通过切割框架的切割器而被有效地切割为独立的单元件。

通过图4至图6以及结合附图的下列描述，可以证实通过在根据本发明的切割框架上的矩形单元件的阵列结构来提高基底材料的切割效率的事实。

图4为图示了根据现有技术的当矩形单元件布置在特定切割框架上时具有预定尺寸的矩形单元件的阵列结构的典型图，而图5和图6为图示了在相同的情况下在根据本发明的切割框架上的矩形单元件的各种阵列结构的实施例的局部典型图。

首先参考图4，具有长度为25cm并且宽度为20cm的矩形单元件20布置在具有长度为160cm并且宽度为100cm的切割框架100上，使得矩形单元件20在每个矩形单元件的横边(单边)彼此重合，如图1所示，同时矩形单元件20以45度角倾斜。

根据矩形单元件的阵列结构101，总共16个矩形单元件20(精确地说，与矩形单元件相对应的切割器)布置在切割框架100上。未布置有矩形单元件20的区域作为基底材料的废料而被除去。

切割框架100以预定的节宽P来连续地切割基底材料(未示出)。当通过一次切割处理切割出的矩形单元件20的数量增加或者当尽管通过一次切割处理切割出相同数量的矩形单元件20但是节宽P减小时，可以相应地降低切割损失。

根据如图4所示的矩形单元件的阵列结构101，当切割长度为100m(即，长度为1000cm并且宽度为100cm)的基底材料时，产生了总共1372个矩形单元件20。也就是说，该阵列结构表现出这样的生产率：其中，从长度为1m的基底材料中产生了总共13.72个矩形单元件20。当将该生产率转换为面积率时，该生产率对应于63.41％的面积率。与36.59％的剩余面积率相对应的基底材料被作为基底材料的废料而除去。

另一方面，如图5和图6所示的矩形单元件的阵列结构102和103在以下方面彼此相同：其中，在四个相邻的矩形单元件200中形成了岛式剩余部111和112。然而，岛式剩余部111和112具有不同的形状。具体地，图5的岛式剩余部111以在一个方向上具有比图6的岛式剩余部112长的长度的矩形形状形成。这导致了如图5所示的在矩形单元件的阵列结构102中的矩形单元件200之间较大的偏差。

当基于上述矩形单元件的阵列结构来切割具有与关于图4所描述的尺寸相同尺寸的基底材料时，根据如图5所示的矩形单元件的阵列结构102产生了总共1521个矩形单元件200，而根据如图6所示的矩形单元件的阵列结构103产生了总共1630个矩形单元件200。当将生产率转换为面积率时，如图5所示的矩形单元件的阵列结构102具有69.9％的面积率，而如图6所示的矩形单元件的阵列结构103具有74.88％的面积率。因此，如图5所示的矩形单元件的阵列结构102和如图6所示的矩形单元件的阵列结构103的切割效率比如图4所示的矩形单元件的阵列结构101的切割效率高出6.49％和11.47％。

因此，与我们期望根据现有技术的其中矩形单元件布置为使得矩形单元件彼此紧密接触的图4所示的阵列结构表现出最高的切割效率相反，出乎我们意料的是，证实了图5和图6的偏置阵列结构表现出更高的切割效率。还证实了切割效率可以取决于岛状剩余部的形状而变化。

图7为图示了常规的切割框架的典型图，其中，两种矩形单元件位于基底材料上以构造与矩形单元件相对应的切割器。当将要取决于矩形单元件的需求波动而灵活地生产各种矩形单元件时，尤其优选的是，同时切割两种或更多种矩形单元件。

根据现有技术，当布置有两种矩形单元件时，矩形单元件布置为使得矩形单元件在每个矩形单元件的一条边处彼此重合或者使得矩形单元件位于同一轴线上。图7图示了矩形单元件在每个矩形单元件的一条边处彼此重合的阵列结构。在该阵列结构中，一些矩形单元件例如矩形单元件201中的每一个与三个不同的矩形单元件接触，并且一些矩形单元件例如矩形单元件202中的每一个与五个不同的矩形单元件接触。也就是说，该阵列结构未表现出规则性。另外，在该阵列结构中未产生岛式剩余部。

尽管如图7所示的矩形单元件的阵列结构表现出其中切割宽度D与基底材料100的有效宽度W几乎相等的结构，但是本发明的发明人对矩形单元件的各种阵列结构的检查显示，即使在布置两种矩形单元件时，根据本发明的阵列结构也表现出较高的切割效率。

图8为图示了根据本发明的优选实施例的当矩形单元件布置在切割框架上时两种矩形单元件的阵列结构的局部典型图。如图8所示的矩形单元件的阵列结构表现出比图7的切割效率更高的切割效率。

参考图8，局部地图示了示范性阵列结构104，其中，小尺寸的矩形单元件203和204与大尺寸的矩形单元件205和206以数量比2∶3布置，所述矩形单元件的尺寸比为30∶34。

岛式剩余部114包括在包括小尺寸的矩形单元件203和204以及大尺寸的矩形单元件205和206的阵列结构中。因此，图8的阵列结构不同于图7的阵列结构。

根据矩形单元件的阵列结构，在一些矩形单元件204、205和206彼此相邻的特定区域B处可能未产生岛式剩余部。然而，在根据本发明的矩形单元件的阵列结构中，在至少一些矩形单元件的组合中不可避免地包括岛式剩余部114。

图9为图示了根据本发明的实施例的废料的形状的局部典型图。

参考图9，废料100a是在根据如图3所示的矩形单元件的阵列结构从基底材料上切割多个矩形单元件之后获得的。具体地，当通过切割如图3所示的包括矩形单元件的阵列结构的切割框架来按顺序切割基底材料时，可以获得废料100a，其中，与矩形单元件相对应的多个孔200a通过切割边缘120a连续地彼此连接，并且与矩形单元件相对应的孔200a被布置为通过与切割边缘120a相对应的间隙而在其四条边处邻近不同的矩形单元件孔。

而且，在废料100a的相邻的四个矩形单元件孔200a中形成了具有比切割边缘120a的尺寸大的尺寸的岛式剩余部110a。

尽管为了图示目的已经公开了本发明的优选实施例，但是本领域技术人员应当意识到的是，可以在不背离如随附的权利要求所公开的本发明的范围和精神的情况下进行各种改进、增加以及替换。

工业应用性

从以上描述中可以清楚地看出，当在矩形单元件相对于基底材料倾斜的同时将要从基底材料上切割矩形单元件时，根据本发明的切割框架通过一种独特且规则的矩形单元件的阵列结构而表现出高的切割效率，根据材料的性质对所述矩形单元件的方向特性是有要求的。特别是，当通过大规模生产来产生大量的矩形单元件时，可以基于高的切割效率而显著降低矩形单元件的总制造成本。

Claims (8)

1.一种切割框架，其包括用于以预定倾角从矩形基底材料上切割一种或更多种具有较小尺寸的矩形单元件的多个切割器，所述切割器安装或形成在所述切割框架中，使得所述切割器与所述矩形单元件相对应，其中

基底材料片通过所述切割框架来切割，然后在所述基底材料片在所述基底材料片的纵向上交迭了预定长度时再次通过所述切割框架来切割所述基底材料片；

由于所述基底材料在纵向或横向上的固有物理性质必须通过相对于所述矩形单元件的预定角度来表达，因此所述矩形单元件必须在成所述预定倾角的同时被切割；

所述切割器基于所述矩形单元件的阵列结构而安装或形成在所述切割框架中，使得除最上排矩形单元件和最下排矩形单元件以外的大多数剩余矩形单元件被布置为在每个矩形单元件的四条边处邻近不同的矩形单元件，并且相邻的四个矩形单元件的至少一些组合在其中心形成岛式剩余部；

所述矩形单元件以20度至70度角倾斜；并且

在所述矩形单元件彼此相邻的区域形成具有比所述岛式剩余部的尺寸小的尺寸的切割边缘。

2.根据权利要求1所述的切割框架，其中，所述基底材料是一种具有预定宽度和相对较大长度的连续材料。

3.根据权利要求1所述的切割框架，其中，所述基底材料是一种包括在纵向或横向上仅吸收或透射特定方向的光波或电磁波的波动的层的薄膜，即一种包括吸收层或透射层的薄膜，并且从所述基底材料上切割出的所述矩形单元件是一种较小尺寸的薄膜，所述薄膜的所述吸收层或透射层以45度角倾斜。

4.根据权利要求1所述的切割框架，其中，所述最上排矩形单元件的上端顶点与所述最下排矩形单元件的下端顶点之间的宽度是所述基底材料的有效宽度的95％至100％。

5.根据权利要求1所述的切割框架，其中，形成所述岛式剩余部的所述矩形单元件的组合数量不少于除所述最上排矩形单元件和所述最下排矩形单元件以外剩余的矩形单元件的数量的50％。

6.根据权利要求1所述的切割框架，其中，每个切割器是用于切割的刀具或用于切割的光源。

7.根据权利要求6所述的切割框架，其中，所述用于切割的刀具是金属刀或冲水刀，而所述用于切割的光源是激光。

8.一种废料，其是在以预定倾角从基底材料上切割一种或更多种矩形单元件之后获得的，其中

基底材料片通过切割框架来切割，然后在所述基底材料片在所述基底材料片的纵向上交迭了预定长度时再次通过所述切割框架来切割所述基底材料片；

由于所述基底材料在纵向或横向上的固有物理性质必须通过相对于所述矩形单元件的预定角度来表达，因此所述矩形单元件必须在成所述预定倾角的同时被切割；

与所述矩形单元件相对应的多个孔通过切割边缘连续地彼此连接，除最上排矩形单元件孔和最下排矩形单元件孔以外的大多数剩余的矩形单元件孔被布置为通过与所述切割边缘相对应的间隙而在其四条边上邻近不同的矩形单元件孔，并且相邻的四个矩形单元件的至少一些组合在其中心形成具有比所述切割边缘的尺寸大的尺寸的岛式剩余部；并且

所述矩形单元件孔以20度至70度角倾斜。

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