CN101681769A - 等离子显示面板 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种等离子显示面板,具有:按照覆盖在前面玻璃基板上形成的显示电极的方式形成电介质层,并且在该电介质层上形成了保护层的前面板;和按照形成放电空间的方式与该前面板对置配置,且在与显示电极交叉的方向形成地址电极,并设置有对放电空间进行划分的隔壁的背面板。前面板的电介质层含有氧化铋和氧化钙、且不含有铅;并且,该电介质层上的保护层通过在电介质层上形成有基底膜,且在该基底膜上按照遍及整个面分布的方式附着由金属氧化物构成的多个结晶粒子而构成。
Description
技术领域
本发明涉及在显示设备等中使用的等离子显示面板。
背景技术
等离子显示面板(以下称为“PDP”)由于能够实现高精细化、大画面化,所以,被用于生产65英寸等级的电视机等。近年来,PDP与以往的NTSC方式相比,不仅在扫描线数两倍以上的高清电视机中得以应用,而且考虑到环保的问题,还要求不含有铅成分的PDP。
PDP基本上由前面板和背面板构成。前面板由基于漂浮法(floatprocess)的硼硅酸钠系玻璃的玻璃基板、由在玻璃基板的一个主面上形成的条纹状透明电极与总线电极构成的显示电极、覆盖显示电极并起到作为电容器的作用的电介质层、和形成在电介质层上由氧化镁(MgO)形成的保护层构成。另一方面,背面板由玻璃基板、在其一个主面上形成的条纹状地址电极、覆盖地址电极的基底电介质层、形成在基底电介质层上的隔壁、和形成在隔壁间的分别发出红色、绿色及蓝色光的荧光体层构成。
前面板与背面板其电极形成面侧对置,并被气密封闭,在被隔壁划分的放电空间中,以400Torr~600Torr的压力封入了Ne-Xe的放电气体。PDP通过选择性地对显示电极施加影像信号电压而使其进行放电,由该放电产生的紫外线激励各色荧光体层,发出红色、绿色、蓝色的光,从而实现了彩色图像显示(参照专利文献1)。
在这样的PDP中,形成在前面板的电介质层上的保护层的作用可举出:保护电介质层不受因放电引起的离子冲击的影响、和释放出用于发生地址放电的初始电子等。保护电介质层不受离子冲击的影响,是防止放电电压上升的重要作用。而释放出用于发生地址放电的初始电子,是对成为图像偏差的原因的地址放电错误进行防止的重要作用。
为了增加来自保护层的初始电子的释放数、降低图像的偏差,例如进行了向MgO中添加Si或Al等的尝试。
近年来,随着电视机的高精细化不断发展,市场上要求低成本、低消耗功率、高亮度的全高清晰度(1920×1080像素:逐次逼近显示)PDP。由于来自保护层的电子释放性能决定PDP的画质,所以,控制电子释放性能是非常重要的。
在PDP中,进行了通过向保护层混入杂质来改善电子释放性能的尝试。但是,在向保护层中混入杂质来改善电子释放性能的情况下,与此同时会在保护层表面蓄积电荷,导致想要作为存储器功能而使用时的电荷随着时间减少的衰减率增大。因此,需要采取增大用于抑制该情况的施加电压等的对策。这样,存在着必须兼具下述两个相制约功能的问题:作为保护层的特性,不仅具有高的电子释放性能,而且具有使作为存储器功能的电荷的衰减量减小、即高的电荷保持性能。
专利文献1:特开2003-128430号公报
发明内容
本发明的PDP具有:按照覆盖在基板上形成的显示电极的方式形成电介质层,并且在该电介质层上形成了保护层的前面板;和按照形成放电空间的方式与该前面板对置配置,且在与所述显示电极交叉的方向形成地址电极,并设置有对放电空间进行划分的隔壁的背面板。前面板的电介质层不含有铅,含有氧化铋和氧化钙,保护层通过在电介质层上形成有基底膜,且在该基底膜上按照遍及整个面分布的方式附着由金属氧化物构成的多个结晶粒子而构成。
根据这样的构成,通过提供不仅改善了电子释放特性,而且还兼具电荷保持特性,并可使高画质与低成本、低电压同时成立的PDP,从而能够实现功耗低且具备高精细、高亮度的显示性能的PDP。
并且,通过在含有氧化铋和氧化钙、且不含有铅的电介质层上形成基底膜,而且按照遍及整个面分布的方式在该基底膜上附着由金属氧化物构成的多个结晶粒子,由此,能够在不使用对环境造成影响的材料的情况下,使特性提高。
附图说明
图1是表示本发明的实施方式中的PDP的构造的立体图。
图2是表示该PDP的前面板的构成的剖面图。
图3是对该PDP的保护层部分进行放大表示的剖面图。
图4是用于在该PDP的保护层中说明凝集粒子的放大图。
图5是表示结晶粒子的阴极发光测定结果的特性图。
图6是在为了说明本发明的实施方式的效果而进行的实验结果中,表示PDP的电子释放性能和Vscn点亮电压的研究结果的特性图。
图7是表示结晶粒子的粒径与电子释放性能的关系的特性图。
图8是表示结晶粒子的粒径与隔壁的破损发生率的关系的特性图。
图9是在本发明的实施方式涉及的PDP中,表示结晶粒子的粒度分布的一个例子的特性图。
图10是在本发明的实施方式所涉及的PDP的制造方法中,表示保护层形成步骤的工序流程图。
图中:1-PDP,2-前面板,3-前面玻璃基板,4-扫描电极,4a、5a-透明电极,4b、5b-金属总线电极,5-维持电极,6-显示电极,7-黑条纹(遮光层),8-电介质层,9-保护层,10-背面板,11-背面玻璃基板,12-地址电极,13-基底电介质层,14-隔壁,15-荧光体层,16-放电空间,81-第一电介质层,82-第二电介质层,91-基底膜,92-凝集粒子,92a-结晶粒子。
具体实施方式
下面,利用附图,对本发明的一个实施方式中的PDP进行说明。
(实施方式)
图1是表示本发明的实施方式中的PDP的构造的立体图。PDP的基本构造与通常的交流面放电型PDP相同。如图1所示,PDP1将由前面玻璃基板3等构成的前面板2、和由背面玻璃基板11等构成的背面板10对置配置。PDP1的外周部被由玻璃料等构成的密封件气密封闭。在被封闭的PDP1内部的放电空间16中,以400Torr~600Torr的压力封入有Ne及Xe等放电气体。
在前面板2的前面玻璃基板3上,相互平行地分别配置有多列由扫描电极4及维持电极5构成的一对带状显示电极6、和黑条纹(遮光层)7。在前面玻璃基板3上,按照覆盖显示电极6和遮光层7的方式形成有起到电容器的作用的电介质层8。并且,在电介质层8的表面形成有由氧化镁(MgO)等构成的保护层9。
另外,在背面板10的背面玻璃基板11上,沿着与前面板2的扫描电极4及维持电极5正交的方向,相互平行地配置有多个带状地址电极12。而且,由基底电介质层13被覆地址电极12。并且,在地址电极12间的基底电介质层13上,形成有划分放电空间16的规定高度的隔壁14。在隔壁14间的槽中,按每个地址电极12,依次涂敷形成有通过紫外线而分别发出红色、绿色及蓝色光的荧光体层15。在扫描电极4及维持电极5与地址电极12交叉的位置形成放电单元,具有沿着显示电极6方向排列的红色、绿色、蓝色荧光体层15的放电单元,成为用于彩色显示的像素。
图2是表示本发明的一个实施方式中的PDP1的前面板2的构成的剖面图,图2与图1上下颠倒地进行了表示。如图2所示,在基于漂浮法等制造的前面玻璃基板3上,图案形成有由扫描电极4与维持电极5构成的显示电极6、和遮光层7。扫描电极4和维持电极5分别由透明电极4a、5a和形成在透明电极4a、5a上的金属总线电极4b、5b构成,其中,透明电极4a、5a由铟锡氧化物(ITO)或氧化锡(SnO2)等构成。金属总线电极4b、5b用于在透明电极4a、5a的长度方向赋予导电性的目的,由以银(Ag)材料为主成分的导电性材料形成。
电介质层8成为第一电介质层81、和形成在第一电介质层81上的第二电介质层82的至少两层结构,所述第一电介质层81被设置成对在前面玻璃基板3上形成的上述透明电极4a、5a、金属总线电极4b、5b和遮光层7进行覆盖。并且,在第二电介质层82上形成有保护层9。保护层9由形成在电介质层8上的基底膜91、和附着在该基底膜91上的凝集粒子92构成。
接着,对PDP的制造方法进行说明。首先,在前面玻璃基板3上形成扫描电极4及维持电极5和遮光层7。它们的透明电极4a、5a和金属总线电极4b、5b通过利用光刻法等进行构图而形成。透明电极4a、5a利用薄膜工艺等形成,金属总线电极4b、5b通过将含有银(Ag)材料的膏以规定的温度烧制,使其固化而成。另外,遮光层7也同样,通过使用对含有黑色颜料的膏进行丝网印刷的方法;或在玻璃基板的整个面形成了黑色颜料之后,利用光刻法进行构图并进行烧制的方法形成。
接着,按照覆盖扫描电极4、维持电极5及遮光层7的方式,在前面玻璃基板3上利用模涂法(die coating method)等涂敷电介质膏,形成电介质膏层(电介质材料层)。在涂敷了电介质膏之后,通过放置规定的时间对被涂敷的电介质膏表面校平,成为平坦的平面。然后,通过对电介质膏层进行烧制使其固化,形成覆盖扫描电极4、维持电极5及遮光层7的电介质层8。其中,电介质膏是含有玻璃粉末等电介质材料、粘合剂及溶剂的涂料。
接着,在电介质层8上通过真空蒸镀法形成由氧化镁(MgO)构成的保护层9。通过以上的步骤,在前面玻璃基板3上形成规定的构成物,即扫描电极4、维持电极5、遮光层7、电介质层8、保护层9,从而完成了前面板2。
另一方面,背面板10按下述步骤形成。首先,通过对含有银(Ag)材料的膏进行丝网印刷的方法;或在整个面形成了金属膜之后,利用光刻法进行构图的方法等,在背面玻璃基板11上形成成为地址电极12的构成物的材料层。然后,通过以规定的温度对该材料层进行烧制,形成地址电极12。
接着,在形成了地址电极12的背面玻璃基板11上,通过模涂法等按照覆盖地址电极12的方式涂敷电介质膏,形成电介质膏层。随后,通过对电介质膏层进行烧制,形成基底电介质层13。其中,电介质膏是含有玻璃粉末等电介质材料、粘合剂及溶剂的涂料。
接着,通过在基底电介质层13上涂敷含有隔壁材料的隔壁形成用膏,并构图成规定的形状,形成隔壁材料层。随后,通过对隔壁材料层进行烧制,形成隔壁14。这里,作为对在基底电介质层13上涂敷的隔壁形成用膏进行构图的方法,可以采用光刻法或喷砂法。接着,通过对相邻的隔壁14间的基底电介质层13及隔壁14的侧面涂敷含有荧光体材料的荧光体膏,并进行烧制,形成荧光体层15。通过以上的步骤,完成了在背面玻璃基板11上具有规定构成部件的背面板10。
将这样具备规定的构成部件的前面板2和背面板10按照扫描电极4与地址电极12正交的方式对置配置,并利用玻璃料密封其周围,向放电空间16中封入含有Ne、Xe等的放电气体,由此完成了PDP1。
这里,对构成前面板2的电介质层8的第一电介质层81和第二电介质层82进行详细说明。第一电介质层81的电介质材料由下述材料组成构成。即,含有20重量%~40重量%的氧化铋(Bi2O3)、含有0.5重量%~12重量%的从氧化钙(CaO)、氧化锶(SrO)、氧化钡(BaO)中选择的至少一种、含有0.1重量%~7重量%的从氧化钼(MoO3)、氧化钨(WO3)、氧化铈(CeO2)、二氧化锰(MnO2)中选择的至少一种。
另外,也可取代氧化钼(MoO3)、氧化钨(WO3)、氧化铈(CeO2)、二氧化锰(MnO2),而含有0.1重量%~7重量%的从氧化铜(CuO)、氧化铬(Cr2O3)、氧化钴(Co2O3)、氧化钒(V2O7)、氧化锑(Sb2O3)中选择的至少一种。
此外,作为上述之外的成分,可以含有0重量%~40重量%的氧化锌(ZnO)、0重量%~35重量%的氧化硼(B2O3)、0重量%~15重量%的氧化硅(SiO2)、0重量%~10重量%的氧化铝(Al2O3)等不含铅成分的材料组成,这些材料组成的含有量没有特殊的限定。
将由这些组成成分构成的电介质材料通过湿式喷射研磨机或球磨机,粉碎成平均粒径为0.5μm~2.5μm,制成电介质材料粉末。接着,利用三个辊充分混合55重量%~70重量%的该电介质材料粉末、30重量%~45重量%的粘合剂成分,制成模涂用或印刷用的第一电介质层用膏。
粘合剂成分是乙基纤维素或含有1重量%~20重量%的丙烯酸树脂的萜品醇、或者二甘醇一丁醚乙酸酯。另外,可以根据需要,向膏中添加作为增塑剂的邻苯二甲酸二辛酯、邻苯二甲酸二丁酯、磷酸三苯酯、磷酸三丁酯的至少一个以上,并添加作为分散剂的甘油单油酸酯、山梨糖醇酐倍半油酸酯、homogenol(阴离子表面活性剂Kao Corporation公司产品名)、烷基烯丙基的磷酸酯的至少一个以上,来提高印刷性。
接着,使用该第一电介质层用膏,按照覆盖显示电极6的方式通过模涂法或丝网印刷法印刷到前面玻璃基板3上,并使其干燥,然后,以比电介质材料的软化点稍高的温度575℃~590℃进行烧制。
接着,对第二电介质层82进行说明。第二电介质层82的电介质材料由下述的材料组成构成。即,含有11重量%~20重量%的氧化铋(Bi2O3),且第二电介质层82的氧化铋的含有量比第一电介质层81的氧化铋含有量少。并且,含有1.6重量%~21重量%的从氧化钙(CaO)、氧化锶(SrO)、氧化钡(BaO)中选择的至少一种,含有0.1重量%~7重量%的从氧化钼(MoO3)、氧化钨(WO3)、氧化铈(CeO2)中选择的至少一种。
另外,也可取代氧化钼(MoO3)、氧化钨(WO3)、氧化铈(CeO2),而含有0.1重量%~7重量%的从氧化铜(CuO)、氧化铬(Cr2O3)、氧化钴(Co2O3)、氧化钒(V2O7)、氧化锑(Sb2O3)、二氧化锰(MnO2)中选择的至少一种。
此外,作为上述之外的成分,可以含有0重量%~40重量%的氧化锌(ZnO)、0重量%~35重量%的氧化硼(B2O3)、0重量%~15重量%的氧化硅(SiO2)、0重量%~10重量%的氧化铝(Al2O3)等不含铅成分的材料组成,这些材料组成的含有量没有特殊的限定。
将由这些组成成分构成的电介质材料通过湿式喷射研磨机或球磨机,粉碎成平均粒径为0.5μm~2.5μm,制成电介质材料粉末。接着,利用三个辊充分混合55重量%~70重量%的该电介质材料粉末、30重量%~45重量%的粘合剂成分,制成模涂用或印刷用的第二电介质层用膏。粘合剂成分是乙基纤维素或含有1重量%~20重量%的丙烯酸树脂的萜品醇、或者二甘醇一丁醚乙酸酯。另外,可以根据需要,向膏中添加作为增塑剂的邻苯二甲酸二辛酯、邻苯二甲酸二丁酯、磷酸三苯酯、磷酸三丁酯,并添加作为分散剂的甘油单油酸酯、山梨糖醇酐倍半油酸酯、homogenol(阴离子表面活性剂Kao Corporation公司产品名)、烷基烯丙基的磷酸酯等,来提高印刷性。
接着,使用该第二电介质层用膏,通过丝网印刷法或模涂法将其印刷到第一电介质层81上,并使其干燥,然后,以比电介质材料的软化点稍高的温度550℃~590℃进行烧制。
其中,针对电介质层8的膜厚而言,为了确保可见光透过率,优选第一电介质层81与第二电介质层82合计为41μm以下。为了抑制与金属总线电极4b、5b的银(Ag)的反应,第一电介质层81使氧化铋(Bi2O3)的含有量比第二电介质层82的氧化铋(Bi2O3)含有量多,设为20重量%~40重量%。因此,由于第一电介质层81的可见光透过率比第二电介质层82的可见光透过率低,所以,使第一电介质层81的膜厚比第二电介质层82的膜厚薄。
另外,如果在第二电介质层82中氧化铋(Bi2O3)小于11重量%,则难以发生着色,但容易在第二电介质层82中产生气泡,因此不优选。此外,如果第一电介质层81的氧化铋(Bi2O3)的含有量超过40重量%,则容易发生着色,在提高透过率方面不优选。
而且,由于电介质层8的膜厚越小,面板亮度的提高和降低放电电压的效果越显著,所以,优选在绝缘耐压不降低的范围内,尽量将膜厚设定得小。基于该观点,在本发明的实施方式中,将电介质层8的膜厚设定为41μm以下,将第一电介质层81设为5μm~15μm,将第二电介质层82设为20μm~36μm。
对于如此制造的PDP而言,即使显示电极6采用了银(Ag)材料,前面玻璃基板3的着色现象(黄变)也会减少,而且不会在电介质层8中产生气泡等。因此,可实现绝缘耐压性能出色的电介质层8。
接着,对在本发明的实施方式的PDP中,可通过这些电介质材料抑制在第一电介质层81中产生黄变与气泡的原因进行考察。即,公知通过向含有氧化铋(Bi2O3)的电介质玻璃中添加氧化钼(MoO3)或氧化钨(WO3),容易在580℃以下的低温下生成Ag2MoO4、Ag2Mo2O7、Ag2Mo4O13、Ag2WO4、Ag2W2O7、Ag2W4O13等化合物。在本发明的实施方式中,由于电介质层8的烧制温度为550℃~590℃,所以,烧制过程中扩散到电介质层8中的银离子(Ag+)会与电介质层8中的氧化钼(MoO3)、氧化钨(WO3)、氧化铈(CeO2)、二氧化锰(MnO2)反应,生成稳定的化合物而到达稳态。即,由于银离子(Ag+)未被还原而处于稳态,所以,不会凝集生成胶体。因此,由于基于银离子(Ag+)处于稳态,伴随银(Ag)的胶体化的氧的产生也减少,所以,电介质层8中气泡的产生也减少。
另一方面,为了使这些效果有效,优选在含有氧化铋(Bi2O3)的电介质玻璃中,将氧化钼(MoO3)、氧化钨(WO3)、氧化铈(CeO2)、二氧化锰(MnO2)的含有量设为0.1重量%以上,更优选为0.1重量%以上7重量%以下。尤其在小于0.1重量%的情况下,抑制黄变的效果降低,而如果超过7重量%,则在玻璃引起着色,因此不优选。
如上所述,本实施方式中的PDP1的前面板2的电介质层8不含有铅,含有氧化铋和氧化钙。而且,电介质层8由覆盖显示电极6的第一电介质层81、和形成在第一电介质层81上的第二电介质层82构成。并且,优选第一电介质层81的氧化铋含有量与第二电介质层82的氧化铋含有量不同。即,第一电介质层81的电介质材料含有20重量%~40重量%的氧化铋(Bi2O3),第二电介质层82的电介质材料含有11重量%~20重量%的氧化铋(Bi2O3),并且,优选第二电介质层82的氧化铋含有量比第一电介质层81的氧化铋含有量少。
即,本发明的实施方式中的PDP的电介质层8,在与由银(Ag)材料构成的金属总线电极4b、5b相接的第一电介质层81,抑制了黄变现象和气泡产生。而且,电介质层8通过设置在第一电介质层81上的第二电介质层82,实现了高的光透过率。结果,能够实现电介质层8整体的气泡与黄变的产生极少、且透过率高的PDP。
接着,对本发明的实施方式中的PDP的特征、即保护层的构成及制造方法进行说明。
在本发明的实施方式的PDP中,如图3所示那样构成保护层9。保护层9在电介质层8上形成了由含有Al作为杂质的MgO构成的基底膜91。并且,在该基底膜91上离散地散布着凝集粒子92,其中,凝集粒子92通过几个作为金属氧化物的MgO的结晶粒子92a凝集而成。这样,通过按照遍布整个面大致均匀地分布的方式附着多个凝集粒子92,构成了保护层9。其中,电介质层8上的保护层9可以在电介质层8上形成基底膜91,并且在基底膜91上按照遍布整个面分布的方式附着由金属氧化物构成的多个结晶粒子。
这里,如图4所示,凝集粒子92是规定的一次粒径的结晶粒子92a凝集或缩颈的状态的粒子。不是作为固体具有大的结合力而结合,而是通过静电或范德瓦耳斯力等由多个一次粒子构成集合体。即,结晶粒子92a通过超声波等外部刺激,以其一部分或全部成为一次粒子的状态的程度进行结合。作为凝集粒子92的粒径,约为1μm左右,作为结晶粒子92a,优选所具有的多面体形状具备14面体或12面体等7面以上的面。
另外,该MgO的结晶粒子92a的一次粒子的粒径,可以根据结晶粒子92a的生成条件进行控制。例如,在对碳酸镁或氢氧化镁等MgO前体进行烧制生成结晶粒子的情况下,通过控制烧制温度或烧制气氛,可以控制粒径。通常情况下,可以在700℃左右到1500℃左右的范围选择烧制温度,但通过使烧制温度为比较高的1000℃以上,可以将一次粒径控制为0.3~2μm左右。并且,通过基于加热MgO前体来得到结晶粒子92a,可以在生成过程中发生多个一次粒子彼此凝集或被称为缩颈的现象,而得到结合的凝集粒子92。
接着,针对用于确认具有本发明的实施方式涉及的保护层的PDP的效果而进行的实验结果实施说明。
首先,试制具有构成不同的保护层的PDP。试制品1是仅形成了基于MgO的保护层的PDP。试制品2是基于掺杂了Al、Si等杂质的MgO形成了保护层的PDP。试制品3是在基于MgO的基底膜上只散布由金属氧化物构成的结晶粒子的一次粒子,使其附着的PDP。试制品4是本发明的制品,如上所述,是在基于MgO的基底膜上按照整个面大致均匀分布的方式附着了使多个结晶粒子凝集的凝集粒子的PDP。其中,在试制品3、4中,采用了MgO的单结晶粒子作为金属氧化物。另外,对于本发明的实施方式涉及的试制品4而言,当针对附着在基底膜上的结晶粒子测定阴极发光时,具有图5所示那样的发光强度相对波长的特性。其中,发光强度以相对值进行了表示。
针对具有这四种保护层的构成的PDP,调查了其电子释放性能和电荷保持性能。
其中,电子释放性能是表示其越大电子释放量越多的数值,通过放电的表面状态及气体种类和由该状态决定的初始电子释放量来表现。针对初始电子释放量,可以通过朝向表面照射离子或电子束并对从表面释放出的电子电流量进行测定的方法来测量,但同时存在着难以在不进行破坏的情况下对面板的前面板表面实施评价的问题。鉴于此,如特开2007-48733号公报所记载那样,对放电时的延迟时间中,被称为统计延迟时间的成为放电发生容易程度的度量的数值进行了测定。然后,通过对该数值的倒数进行积分,计算出与初始电子释放量线性对应的数值。这里,使用如此计算出的数值,对初始电子释放量进行了评价。该放电时的延迟时间是指,从脉冲的上升开始延迟进行放电的放电延迟的时间,可认为放电延迟是在放电开始之际成为触发的初始电子难以从保护层表面释放到放电空间中的主要原因。
另外,对于电荷保持性能而言,作为其指标,采用了制作PDP时为了抑制电荷释放现象而需要的、对扫描电极施加的电压(以下称为“Vscn点亮电压”)的电压值。即,Vscn点亮电压越低,表示电荷保持性能越高。由于在PDP的面板设计上也能以低电压驱动,所以这成为优点。即,可以使用耐压及电容小的部件,作为PDP的电源和各电气部件。在现状的制品中,用于依次对面板施加扫描电压的MOSFET等半导体开关元件使用了耐压为150V左右的元件。因此,作为Vscn点亮电压,考虑到基于温度的变动,优选抑制为120V以下。
图6表示了针对这些电子释放性能和电荷保持性能进行了调查的结果。根据该图6可知,对于试制品4而言,在电荷保持性能的评价中,可以将Vscn点亮电压设为120V以下,并且能够得到电子释放性能为6以上的良好性能。
通常情况下,PDP的保护层的电子释放性能与电荷保持性能相制约。例如,通过变更保护层的制膜条件、或在保护层中掺杂Al或Si、Ba等杂质进行制膜,能够提高电子释放性能,但其副作用是也会导致Vscn点亮电压上升。
在形成了本发明的实施方式涉及的保护层的PDP中,可以得到作为电子释放性能,具有6以上的特性,作为电荷保持性能,Vscn点亮电压为120V以下的PDP。因此,相对于因高精细化而增加了扫描线数量、且单元尺寸具有减小趋势的PDP的保护层,能够满足电子释放性能与电荷保持性能双方。
接着,对本实施方式的PDP的保护层中使用的结晶粒子的粒径进行说明。其中,在以下的说明中,粒径是平均粒径,意味着体积累积平均直径(D50)。
图7是表示在上述图6所说明的本实施方式的试制品4中,使MgO的结晶粒子的粒径变化,来调查电子释放性能的实验结果的图。其中,在图7中,MgO的结晶粒子的粒径通过对结晶粒子进行SEM观察来测定。
如该图7所示,如果粒径小至0.3μm左右,则电子释放性能降低,如果大致为0.9μm以上,则可以得到高的电子释放性能。
不过,为了使放电单元内的电子释放数增加,优选基底膜上的单位面积的结晶粒子数量多。根据本发明者们的实验可知,因在与前面板的保护层紧密接触的相当于背面板的隔壁的顶部的部分存在结晶粒子,会使隔壁的顶部破损。结果,因该材料跃居到荧光体之上,会发生对应的单元不正常点亮熄灭的现象。如果结晶粒子在与隔壁顶部对应的部分不存在,则难以发生该隔壁破损的现象,因此,如果附着的结晶粒子数量增多,则隔壁的破损发生概率增高。
图8是表示在上述图6所说明的本实施方式的试制品4中,单位面积散布了粒径不同的相同数量的结晶粒子,对隔壁破损的关系进行实验的结果的图。
由该图8可知,如果结晶粒子直径大至2.5μm左右,则隔壁破损的概率急剧增高。但是,如果结晶粒子直径比2.5μm小,则可以将隔壁破损的概率抑制得小。
根据以上的结果认为,在本发明的实施方式的PDP的保护层中,作为结晶粒子,优选其粒径为0.9μm以上2.5μm以下。但是,在实际量产PDP的情况下,需要考虑结晶粒子在制造上的偏差、和形成保护层时在制造上的偏差。
为了考虑这样的制造上的偏差等原因,使用粒度分布不同的结晶粒子进行了实验。图9是在本发明的实施方式涉及的PDP中,表示结晶粒子的粒度分布的一个例子的特性图。纵轴的频度(%)表示了将横轴表示的结晶粒子的粒径的范围分割,在各个范围中存在的结晶粒子的量相对整体的比例(%)。实验的结果如图9所示,如果使用平均粒径位于0.9μm以上2μm以下的范围的结晶粒子,则可以稳定地得到上述本发明的效果,因此更加优选。
如上所述,在形成了本实施方式的保护层的PDP中,能够得到作为电子释放性能,具有6以上的特性,作为电荷保持性能,Vscn点亮电压为120V以下的PDP。即,作为因高精细化而增加了扫描线数量、且单元尺寸具有减小的趋势的PDP的保护层,可以满足电子释放性能与电荷保持性能双方,由此,能够实现具备高精细、高亮度的显示性能,并且能耗低的PDP。
接着,利用图10,对在本实施方式的PDP中形成保护层的制造步骤进行说明。
如图10所示,进行形成由第一电介质层81和第二电介质层82的层叠构造构成的电介质层8的电介质层形成步骤A1。然后,在接下来的基底膜蒸镀步骤A2中,通过以含有铝(Al:Aluminium)的MgO的烧结体为原材料的真空蒸镀法,在电介质层8的第二电介质层82上形成由MgO构成的基底膜。
然后,在基底膜蒸镀步骤A2中形成的未烧制的基底膜上,进行离散地附着多个凝集粒子的凝集粒子膏膜形成步骤A3。
在该步骤A3中,首先生成将具有规定粒度分布的凝集粒子92与树脂成分一同混合到溶剂中的凝集粒子膏,通过丝网印刷法等的印刷,将该凝集粒子膏涂敷到未烧制的基底膜上,形成凝集粒子膏膜。另外,作为用于在未烧制的基底膜上涂敷凝集粒子膏来形成凝集粒子膏膜的方法,除了丝网印刷法之外,还可以采用喷涂法、旋涂法、模涂法、微缝涂法等。
在形成了该凝集粒子膏膜之后,进行使凝集粒子膏膜干燥的干燥步骤A4。
随后,对在基底膜蒸镀步骤A2中形成的未烧制的基底膜;和在凝集粒子膏膜形成步骤A3中形成,并实施了干燥步骤A4的凝集粒子膏膜,在烧制步骤A5中,以几百℃的温度同时进行加热烧制。在该烧制步骤A5中,通过除去残留在凝集粒子膏膜上的溶剂和树脂成分,可以形成在基底膜91上附着了由金属氧化物构成的多个结晶粒子92a凝集而成的凝集粒子92的保护层9。
通过该方法,能够按照在整个面均匀分布的方式,使多个凝集粒子92附着于基底膜91。
另外,除了这样的方法之外,还可以采用不使用溶剂等而直接将粒子群与气体等一同喷出的方法、或单纯利用重力使其散布的方法等。
此外,在以上的说明中,作为保护层,举例说明了MgO的情况,但基底被要求的性能始终是具有用于保护电介质不受离子冲击的高的耐溅射性能,而电子释放性能可以不怎么高。在以往的PDP中,为了使一定以上的电子释放性能和耐溅射性能这两种性能同时满足,多数情况下形成了以MgO为主成分的保护层。但是,由于采取了电子释放性能主要由金属氧化物单结晶粒子控制的结构,所以,完全没有必要是MgO,也可以采用Al2O3等耐冲击性出色的其他材料。
而且,在本实施方式中,举例说明了使用MgO粒子作为单结晶粒子的情况,但也可以是其他的单结晶粒子。即,利用与MgO同样地具有高的电子释放性能的Sr、Ca、Ba、Al等金属的氧化物形成的结晶粒子,也可以得到同样的效果。因此,作为粒子种类不限定于MgO。
工业上的可利用性
如上所述,本发明在实现具有高精细、高亮度的显示性能,且功耗低的PDP方面是有用的发明。
Claims (3)
1、一种等离子显示面板,具有:
按照覆盖在基板上形成的显示电极的方式形成电介质层,并且在所述电介质层上形成了保护层的前面板;和
按照形成放电空间的方式与所述前面板对置配置,且在与所述显示电极交叉的方向形成地址电极,并设置有对所述放电空间进行划分的隔壁的背面板;
所述前面板的电介质层不含有铅,含有氧化铋和氧化钙,
所述保护层以下述方式构成:在所述电介质层上形成有基底膜,且在所述基底膜按照遍及整个面分布的方式附着由金属氧化物构成的多个结晶粒子。
2、根据权利要求1所述的等离子显示面板,其特征在于,
所述结晶粒子的平均粒径处于0.9μm以上2μm以下的范围。
3、根据权利要求1所述的等离子显示面板,其特征在于,
所述电介质层由覆盖所述显示电极的第一电介质层、和形成在所述第一电介质层上的第二电介质层构成,
而且,所述第一电介质层的氧化铋的含有量与所述第二电介质层的氧化铋的含有量不同。
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