CN101681760B - 等离子体显示面板 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种等离子体显示面板，具有：前面板(2)，在该前面板中形成有电介质层(8)且其覆盖形成在前面玻璃基板(3)上的显示电极(6)，并且在电介质层(8)上形成了保护层(9)；和背面板，该背面板与前面板(2)对置配置且二者之间形成有放电空间，并且在该背面板上，在与显示电极(6)交叉的方向上形成有地址电极，还设置有划分放电空间的隔壁，保护层(9)在电介质层(8)上形成由MgO构成的底部膜(91)，并且使底部膜(91)的整个面上分布由金属氧化物构成的多个结晶粒子所凝聚的多个凝聚粒子(92)而附着构成的，并且，作为材料杂质底部膜(91)包括Si，底部膜的Si浓度超过0ppm且在10ppm以下。

Description

等离子体显示面板

技术领域

本发明涉及一种用于显示装置等的等离子体显示面板。

背景技术

由于等离子体显示面板(以下，称作“PDP”)能够实现高精细化、大画面化，因此被产品化为65英寸类的电视等。近年来，与以往的NTSC方式相比，促进了PDP向扫描线数为2倍以上的高清晰电视的应用，并且考虑到环境问题，要求不含铅成分的PDP。

PDP主要由前面板和背面板构成。前面板由以下部分构成：基于浮选法的硼硅酸钠类玻璃的玻璃基板；由形成在玻璃基板的一边的主面上的长条状的透明电极与总线电极构成的显示电极；覆盖显示电极并起到作为电容器的作用的电介质层；由形成在电介质层上的氧化镁(MgO)形成的保护层。另一方面，背面板由以下部分构成：玻璃基板；形成在其一边的主面上的长条状的地址电极；覆盖地址电极的底部电介质层；形成在底部电介质层上的隔壁；形成在各隔壁间且分别发出红色、绿色、蓝色光的荧光体层。

使前面板与背面板的电极形成面侧对置，从而密封封装，在由隔壁隔开的放电空间中，通过400Torr～600Torr的压力封入Ne-Xe的放电气体。PDP通过在显示电极上选择性施加影像信号电压从而进行放电，基于该放电产生的紫外线激发各色荧光体层，并使其发出红色、绿色、蓝色光，从而实现彩色图像显示。

在这样的PDP中，形成在前面板的电介质层上的保护层的作用可以列举，由基于放电的离子冲击保护电介质层，释放用于产生地址放电的初始电子等。由离子冲击保护电介质层是防止放电电压的上升的重要作用。另外，释放用于产生地址放电的初始电子是防止成为图像闪烁的原因的地址放电错误的重要作用。

为了增加来自保护层的初始电子的释放数量并减少图像闪烁，例如，公开有在MgO中添加杂质的例子，在MgO保护层上形成MgO粒子的例子(例如，参照专利文献1、2、3)。

近几年，推进了电视的高精细化，在市场中要求低成本/低功率消耗/高亮度的全HD(高清晰)(1920×1080像素：渐进显示)PDP。由于来自保护层的电子释放特性决定PDP的图像质量，因此控制电子释放特性非常重要。

通过向保护层中混入杂质，从而试图进行改善电子释放特性的尝试。但是，向保护层中混入杂质而改善电子释放特性时，与此同时会在保护层表面上积蓄电荷，想要作为存储功能而使用时的电荷与时间一同减少的衰减率会增大。因此，需要增大用于抑制这些的施加电压等对策。如上所述，作为保护层的特性，必须兼备相反的两个特性：具有高电子释放特性，并且减小作为存储功能的电荷的衰减率，即具有高电荷保持特性。

【专利文献1】特开2002-260535号公报

【专利文献2】特开平11-339665号公报

【专利文献3】特开2006-59779号公报

发明内容

本发明的PDP具有：前面板，在该前面板中形成有电介质层且其覆盖形成在基板上的显示电极，并且在电介质层上形成了保护层；和背面板，该背面板与所述前面板对置配置且二者之间形成有放电空间，并且在该背面板上，在与所述显示电极交叉的方向上形成有地址电极，还设置有划分放电空间的隔壁。而且，保护层在电介质层上形成由MgO构成的底部膜，并且在底部膜上以遍及整个面离散地分布的方式附着由金属氧化物构成的多个结晶粒子所凝聚的多个凝聚粒子。作为材料杂质底部膜包括Si，底部膜的Si浓度超过0ppm且在10ppm以下。

根据这样的结构，改善了电子释放特性，并且兼备电荷保持特性，能够提供一种能使高画质、低成本、低电压并存的PDP。

而且，进一步优选底部膜的Si的浓度为5ppm以下。通过这样的结构，能够进一步提高电荷保持特性。

而且，优选凝聚粒子的平均粒径在0.9μm以上至2μm以下的范围内。通过这样的结构，能够进一步提高电子释放特性。

附图说明

图1是表示本发明的实施方式的PDP的结构的透视图。

图2是表示本发明的实施方式的PDP的前面板的结构的剖面图。

图3是表示扩大本发明的实施方式的PDP的保护层部分的说明图。

图4是在本发明的实施方式的PDP的保护层中用于说明凝聚粒子的放大图。

图5是表示基于保护层结构的电子释放性能与电荷保持性能的结果的图。

图6是表示本发明的实施方式的PDP的底部膜中的Si浓度与作为电子释放特性的放电延迟(Ts)之间的关系的图。

图7是表示本发明的实施方式的PDP的底部膜中的Si浓度与作为电荷保持特性的70℃环境下的Vscn点亮电压之间的关系的图。

图8是表示改变本发明的实施方式的PDP的MgO的结晶粒子的粒径来调查电子释放性能的实验结果的图。

图9是表示本发明的实施方式的PDP的结晶粒子的粒径与隔壁破损产生概率之间的关系的特性图。

图中：1-PDP；2-前面板；3-前面玻璃基板；4-扫描电极；4a、5a-透明电极；4b、5b-金属总线电极；5-维持电极；6-显示电极；7-黑色长条(遮光层)；8-电介质层；9-保护层；10-背面板；11-背面玻璃基板；12-地址电极；13-底部电介质层；14-隔壁；15-荧光体层；16-放电空间；81-第1电介质层；82-第2电介质层；91-底部膜；92-凝聚粒子；92a-结晶粒子。

具体实施方式

以下，利用附图对本发明的实施方式的PDP进行说明。

(实施方式)

图1是表示本发明的实施方式的PDP的结构的透视图。PDP的基本 结构与一般的交流面放电型PDP相同。如图1所示，对置由前面玻璃基板3等构成的前面板2与由背面玻璃基板11等构成的背面板10来配置PDP1。通过由玻璃料等构成的密封材料密封PDP1的外周部。在密封的PDP1内部的放电空间16中，基于400Torr～600Torr的压力封入Ne和Xe等放电气体。

在前面板2的前面玻璃基板3上，分别相互平行地配置有多列由一对带状的扫描电极4和维持电极5构成的显示电极6与黑色长条(遮光层)7。在前面玻璃基板3上，形成有电介质层8，其覆盖显示电极6与遮光层7并起到作为电容器的作用。而且，在电介质层8的表面上形成有由氧化镁(MgO)形成的保护层9。

另外，在背面板10的背面玻璃基板11上，在与前面板2的扫描电极4以及维持电极5垂直的方向上，相互平行地配置有多个带状的地址电极12。而且，底部电介质层13覆盖地址电极12。而且，在地址电极12间的底部电介质层13上，形成有划分放电空间16的规定高度的隔壁14。隔壁14间的沟槽中，在每个地址电极12上依次涂敷形成有基于紫外线分别发出红色、绿色、蓝色光的荧光体层15。放电单元形成在扫描电极4、维持电极5、地址电极12交叉的位置上，具有与显示电极6方向并列的红色、绿色、蓝色的荧光体层15的放电单元成为用于彩色显示的像素。

图2是表示本发明的实施方式的PDP1的前面板2的结构的剖面图，将图1上下反转来表示图2。如图2所示，在由浮选法等制造出的前面玻璃基板3上，图案形成有由扫描电极4与维持电极5构成的显示电极6和遮光层7。扫描电极4与维持电极5分别由铟锡氧化物(ITO)或氧化锡(SnO₂)等构成的透明电极4a、5a与在透明电极4a、5a上形成的金属总线电极4b、5b构成。使用金属总线电极4b、5b的目的在于在透明电极4a、5a的长边方向上提供导电性，由银(Ag)材料为主成分的导电性材料形成。

电介质层8是具有覆盖形成在前面玻璃基板3上的这些透明电极4a、5a、金属总线电极4b、5b与遮光层7而设置的第1电介质层81和在第1电介质层81上形成的第2电介质层82的至少2层结构，而且，在第2电介质层82上形成有保护层9。保护层9由形成在电介质层8上的底部膜 91与附着在该底部膜91上的凝聚粒子92构成。

下面，对PDP的制造方法进行说明。首先，在前面玻璃基板3上，形成扫描电极4、维持电极5、遮光层7。利用光刻法等布图形成这些透明电极4a、5a与金属总线电极4b、5b。利用薄膜加工等形成透明电极4a、5a，在规定的温度下烧结包含银(Ag)材料的膏状物，从而固化金属总线电极4b、5b。另外，同样地，由丝网印刷包含黑色颜料的膏状物的方法或在玻璃基板的整面上形成黑色颜料后利用光刻法进行布图，由烧结的方法形成遮光层7。

其次，以覆盖扫描电极4、维持电极5、遮光层7的方式，在前面玻璃基板3上，由压型涂料法等涂敷电介质膏状物，形成电介质膏状物层(电介质材料层)。涂敷电介质膏状物之后，通过放置规定时间来均化涂敷的电介质膏状物表面，使其成为平坦的表面。之后，通过烧结固化电介质膏状物层来形成覆盖扫描电极4、维持电极5、遮光层7的电介质层8。另外，电介质膏状物是包含玻璃料末等的电介质材料、粘接剂、溶剂的涂料。之后，在电介质层8上通过真空镀膜法形成由氧化镁(MgO)构成的保护层9。基于以上的步骤，在前面玻璃基板3上形成规定的结构物(扫描电极4、维持电极5、遮光层7、电介质层8、保护层9)，完成前面板2。

另一方面，通过如下方式形成背面板10。首先，在背面玻璃基板11上，通过丝网印刷包含银(Ag)材料的膏状物的方法或整面形成金属膜之后利用光刻法进行布图的方法形成成为地址电极12的结构物的材料层。然后，通过在规定的温度下烧结该材料层，从而形成地址电极12。之后，在形成了地址电极12的背面玻璃基板11上，由压型涂料法等涂敷电介质膏状物使其覆盖地址电极，来形成电介质膏状物层。之后，通过烧结电介质膏状物层来形成底部电介质层13。另外，电介质膏状物是包含玻璃料末等的电介质材料、粘接剂、溶剂的涂料。

之后，通过在底部电介质层13上涂敷包含隔壁材料的隔壁形成用膏状物并布图成规定的形状，来形成隔壁材料层。之后，通过烧结隔壁材料层来形成隔壁14。这里，作为布图涂敷在底部电介质层13上的隔壁形成用膏状物的方法，能够使用光刻法或喷砂法。然后，通过在相邻的隔壁14间的底部电介质层13上以及隔壁14的侧面上涂敷并烧结包含荧光体材料 的荧光体膏状物，从而形成荧光体层15。通过以上步骤，在背面玻璃基板11上完成具有规定的结构部件的背面板10。

这样，使具有规定的结构部件的前面板2和背面板10与扫描电极4和地址电极12垂直对置配置，由玻璃料密封其周围，通过在放电空间16中封入包含Ne、Xe等的放电气体来完成PDP1。

在这里，对构成前面板2的电介质层8的第1电介质层81与第2电介质层82进行详细说明。第1电介质层81的电介质材料由以下材料组合构成。即，包含20重量％～40重量％的氧化铋(Bi₂O₃)，包含0.5重量％～12重量％的从氧化钙(CaO)、氧化锶(SrO)、氧化钡(BaO)中选择的至少一种，包含0.1重量％～7重量％的从氧化钼(MoO₃)、氧化钨(WO₃)、氧化铈(CeO₂)、二氧化锰(MnO₂)中选择的至少一种。

另外，代替氧化钼(MoO₃)、氧化钨(WO₃)、氧化铈(CeO₂)、二氧化锰(MnO₂)，也可以包含0.1重量％～7重量％的从氧化铜(CuO)、氧化铬(Cr₂O₃)、氧化钴(Co₂O₃)、氧化钒(V₂O₇)、氧化锑(8b₂O₃)中选择的至少一种。

另外，作为上述以外的成分，也可以包含0重量％～40重量％的氧化锌(ZnO)、0重量％～35重量％的氧化硼(B₂O₃)、0重量％～15重量％的氧化硅(SiO₂)、0重量％～10重量％的氧化铝(Al₂O₃)等不含铅成分的材料组合，对这些材料组合的含有量没有特别的限定，是现有技术程度的材料组合的含有量范围。

利用湿式喷射研磨机或球磨机粉碎由这些组合成分构成的电介质材料，使其成为平均粒径为0.5μm～2.5μm的粒子，从而制造电介质材料粉末。之后，由三根辊混匀该电介质材料粉末55重量％～70重量％与粘接剂成分30重量％～45重量％，从而制造压型涂料用或印刷用的第1电介质层用膏状物。

粘接剂成分包含1重量％～20重量％的乙基纤维素或丙烯酸树脂的松油醇(Terpineol)或丁基乙酸卡必醇酯。另外，也可以在膏状物中根据需要作为可塑剂而添加邻苯邻苯二甲酸二辛酯、邻苯二甲酸二丁酯、磷酸三苯酯、磷酸三丁酯的至少1种以上，作为分散剂添加甘油单油酸酯、失水山梨醇倍半油酸酯、特殊高分子界面活性剂(kao株式会社产品名)、烯 丙基二酸酯的磷酸酯等的至少1种以上来提高印刷性。

之后，利用该第1电介质层用膏状物，按照覆盖显示电极6的方式在前面玻璃基板3上由压型涂料法或丝网印刷法进行印刷并干燥，然后在比电介质材料的软化点稍微高的温度575℃～590℃下进行烧结。

下面，对第2电介质层82进行说明。第2电介质层82的电介质材料由以下的材料组合构成。即，包含11重量％～20重量％的氧化铋(Bi₂O₃)，而且，包含1.6重量％～21重量％的从氧化钙(CaO)、氧化锶(SrO)、氧化钡(BaO)中选择的至少一种，并且包含0.1重量％～7重量％的从氧化钼(MoO₃)、氧化钨(WO₃)、氧化铈(CeO₂)中选择的至少一种。

另外，也可以代替氧化钼(MoO₃)、氧化钨(WO₃)、氧化铈(CeO₂)而包含0.1重量％～7重量％的从氧化铜(CuO)、氧化铬(Cr₂O₃)、氧化钴(Co₂O₃)、氧化钒(V₂O₇)、氧化锑(Sb₂O₃)、二氧化锰(MnO₂)中选择的至少一种。

另外，作为上述以外的成分，也可以包含0重量％～40重量％的氧化锌(ZnO)、0重量％～35重量％的氧化硼(B₂O₃)、0重量％～15重量％的氧化硅(SiO₂)、0重量％～10重量％的氧化铝(Al₂O₃)等不含铅成分的材料组合，对这些材料组合的含有量没有特别的限定，是现有技术程度的材料组合的含有量范围。

利用湿式喷射研磨机或球磨机粉碎由这些组合成分构成的电介质材料，使其成为平均粒径为0.5μm～2.5μm的粒子，从而制造电介质材料粉末。之后，由三根辊混匀该电介质材料粉末55重量％～70重量％与粘接剂成分30重量％～45重量％，从而制造压型涂料用或印刷用的第2电介质层用膏状物。粘接剂成分是包含1重量％～20重量％的乙基纤维素或丙烯酸树脂的松油醇或丁基乙酸卡必醇酯。另外，也可以在膏状物中根据需要作为可塑剂而添加邻苯二甲酸二辛酯、邻苯二甲酸二丁酯、磷酸三苯酯、磷酸三丁酯，作为分散剂添加甘油单油酸酯、失水山梨醇倍半油酸酯、特殊高分子界面活性剂(kao株式会社产品名)、烯丙基二酸酯的磷酸酯等来提高印刷性。

之后，利用该第2电介质层用膏状物，在第1电介质层81上由丝网印刷法或压型涂料法进行印刷并干燥，然后在比电介质材料的软化点稍微 高的温度575℃～590℃下进行烧结。

另外，为了合并第1电介质层81与第2电介质层82并确保可视光透过率，对于电介质层8的膜厚优选41μm以下。为了抑制金属总线电极4b、5b与银(Ag)之间的反应，第1电介质层81的氧化铋(Bi₂O₃)的含有量比第2电介质层82的氧化铋(Bi₂O₃)的含有量高，为20重量％～40重量％。因此，由于第1电介质层81的可视光透过率变得比第2电介质层82的可视光透过率低，所以，使第1电介质层81的膜厚做得要比第2电介质层82的膜厚薄。

另外，若在第2电介质层82中氧化铋(Bi₂O₃)的含有量在11重量％以下，则很难着色，但是不希望在第2电介质层82中易产生气泡。另外，若氧化铋(Bi₂O₃)的含有量超过40重量％，则容易着色，不利于提高透过率的目的。

另外，由于电介质层8的膜厚越薄，则提高面板的亮度与降低放电电压的效果越变得显著，因此只要在不降低绝缘耐压的范围内，优选尽可能薄地设定膜厚。从这样的观点出发，在本发明的实施方式中，设定电介质层8的膜厚为41μm以下，使第1电介质层81为5μm～15μm，使第2电介质层82为20μm～36μm。

即使在显示电极6上利用银(Ag)材料，由于前面玻璃基板3的着色现象(变黄)变少，而且在电介质层8中不会产生气泡，因此这样制造出的PDP确保实现了在绝缘耐压性能上出色的电介质层8。

下面，在本发明的实施方式的PDP中，研究由这些电介质材料抑制第1电介质层81中的变黄或产生气泡的理由。即，通过在包含氧化铋(Bi₂O₃)的电解质玻璃中添加氧化钼(MoO₃)或氧化钨(WO₃)，可知在580℃以下的温度下易产生所谓Ag₂MoO₄、Ag₂Mo₂O₇、Ag₂Mo₄O₁₃、Ag₂WO₄、Ag₂W₂O₇、Ag₂W₄O₁₃的化合物。在本发明的实施方式中，由于电介质层8的烧结温度为550℃～590℃，因此在烧结中，扩散到电介质层8的银离子(Ag+)与电介质层8的氧化钼(MoO₃)、氧化钨(WO₃)、氧化铈(CeO₂)、二氧化锰(MnO₂)反应并生成稳定的化合物，从而稳定化。即，为了无需还原银离子(Ag+)而使其稳定化，不需要使其凝聚并生成凝胶。因此，通过稳定化银离子(Ag+)，伴随银(Ag)的凝胶化的氧气的产生会变少， 所以向电介质层8中的气泡的产生也会变少。

另一方面，为了使这些效果有效，优选在包含氧化铋(Bi₂O₃)的电介质玻璃中使氧化钼(MoO₃)、氧化钨(WO₃)、氧化铈(CeO₂)、二氧化锰(MnO₂)的含有量为0.1重量％以上的电介质玻璃，而且优选其含量为0.1重量％以上至7重量％以下的电介质玻璃。特别是，不希望因不满0.1重量％而导致抑制变黄的效果减少，且不希望因超过7重量％而导致在玻璃上产生着色现象。

即，本发明的实施方式的PDP的电介质层8与由银(Ag)材料构成的金属总线电极4b、5b连接的第1电介质层81中抑制变黄现象与产生气泡，通过设置在第1电介质层81上的第2电介质层82，实现高的光透过率。其结果，作为电介质层8整体，能够实现气泡或变黄的产生极其少的透过率高的PDP。

下面，对作为本发明的PDP的特征的保护层的结构及其制造方法进行说明。

图3是表示扩大本发明的实施方式的PDP的保护层部分的说明图。如图3所示，保护层9构成为：在电介质层8上形成由作为杂质而含有Si的MgO构成的底部膜91，在该底部膜91上离散散布作为金属氧化物的MgO的结晶粒子92a多个凝聚的多个凝聚粒子92，使其以整个面大致均匀分布的方式附着多个。

这里，如图4所示，凝聚粒子92是指规定的一级粒径的结晶粒子92a凝聚或凝结(necking)的状态的粒子，并不是因作为固体而具有大的结合力而结合，而是基于静电或范德瓦耳斯(van der Waals)力等使多个一级粒子构成为聚合体的粒子。即，结晶粒子92a是通过超声波等外在刺激，其一部分或全部变成一级粒子的状态的环境下结合的粒子。凝聚粒子92的粒径为1μm左右，作为结晶粒子92a优选具有14面体或12面体等具有7面以上的面的多面体形状的粒子。

另外，能由结晶粒子92a的生成条件控制该MgO的结晶粒子92a的一级粒子的粒径。例如，烧结碳酸镁或氢氧化镁等MgO的前体来生成时，通过控制烧结温度或烧结气体来控制粒径。一般，烧结温度能选择700℃左右至1500℃左右的范围，通过使烧结温度在比较高的1000℃以上，从 而能够控制一级粒径在0.3μm～2μm左右。而且，通过加热MgO的前体来获得结晶粒子92a，在该生成过程中，通过所谓多个一级粒子彼此凝聚或凝结的现象，能够得到结合的凝聚粒子92。

下面，对为了确认具有本发明的保护层的PDP的效果而进行的实验结果进行说明。在本发明的实施方式中，试验具有不同结构的保护层的PDP，分别对电子释放特性与电荷保持特性进行研究。试验品1是仅由MgO形成保护层的PDP。试验品2是由掺入Al、Si等杂质的MgO形成了保护层的PDP。试验品3是在由MgO构成的底部膜上整个面大致均匀分布附着凝聚了多个结晶粒子的多个凝聚粒子的PDP。试验品4是控制试验品3的底部膜的杂质量的结构，是本发明的实施方式的PDP。

对具有这4种保护层的结构的PDP，调查其电子释放性能与电荷保持性能。

另外，电子释放性能是表示越大则电子释放量越多的数值，用基于放电的表面状态和气体种类与其状态决定的初始电子释放量来表现。对于初始电子释放量而言，能够利用在表面上照射离子或电子束来测定从表面释放的电子电流量的方法来进行测定，但是很难无损地进行面板的前面板表面的评价。因此，如特开2007-48733号公报所记载，在放电时的延迟时间内，测定统计延迟时间的易产生放电的数值。然后，通过积分该数值的倒数，从而得到线性对应于初始电子释放量的数值。在这里利用该得到的数值评价初始电子释放量。该放电时间的延迟时间意味着从脉冲上升沿开始延迟进行放电的放电延迟(以下，称作“Ts”)时间。认为放电延迟(Ts)的主要原因是开始放电时成为触发的初始电子很难从保护层表面释放到放电空间中。

另外，电荷保持特性作为其指标利用了作为PDP而制作时施加到为了抑制电荷释放现象而必要的扫描电极上的电压(以下，称作“Vscn点亮电压”)的电压值。即，Vscn点亮电压低的一方表示电荷保持性能高。Vscn点亮电压越低，在PDP的面板设计上能够由低电压驱动，因此是优点。即，作为PDP的电源或各电部件，能够使用耐压和容量小的部件。在现状的产品中，由于在用于向面板依次施加扫描电压的MOSFET等半导体开关元件中使用了耐压150V左右的元件，因此考虑到由于温度的变化，作为Vscn 点亮电压优选在70℃环境下，抑制在120V以下。

图5是表示基于保护层结构的电子释放性能与电荷保持性能的结果的图。图5中，在横轴上以从试验品1的最低值到依次增大的电子电流量的值作为基准，表示了作为电子释放性能由电子电流量的测定而测定出的结果。另外，在纵轴上表示了所述的Vscn点亮电压。如图5所示，可知在试验品1、试验品2、试验品3中集合了各自的特性值。

即，在试验品1的仅由现有的MgO形成保护层的PDP中，如集合A所示，虽然电子释放性能低，但是电荷保持特性良好。在试验品2的由掺入Al、Si等杂质的MgO形成了保护层的PDP中，如集合B所示，虽然电子释放性能高，但是电荷保持特性降低了。在试验品3的由MgO构成的底部膜上整个面大致均匀分布附着凝聚了多个结晶粒子的多个凝聚粒子的PDP中，如集合C所示，虽然格外提高了电子释放性能，但是极端降低了电荷保持特性。因此，可知在试验品1～3的任一个PDP中都不能满足电子释放性能与电荷保持特性这两者。

因此，在本发明中，作为满足电子释放性能与电荷保持特性这两者的保护层的结构，关注底部膜中含有的杂质的量，在图5的集合B中规定特定的杂质量，并且关注了整个面大致均匀分布凝聚了集合C的多个结晶粒子的多个凝聚粒子的保护层的结构。即，本发明的实施方式的保护层在电介质层上形成由MgO构成的底部膜，并且附着构成为在底部膜上整个面分布多个结晶粒子凝聚的多个凝聚粒子，并且底部膜中的Si的浓度为10ppm以下。

图6是针对具有所述结构的保护层的本发明的实施方式的PDP表示了底部膜中的Si浓度与作为电子释放特性的放电延迟(Ts)之间的关系的图。图6中表示了作为试验品4(本发明)的电子释放特性的放电延迟(Ts)。另外，也表示了仅由试验品2的底部膜改变底部膜中的Al浓度时的特性。另外，同样地，图7是表示底部膜中的Si浓度与作为电荷保持特性的70℃环境下的Vscn点亮电压之间的关系的图。

从如图6所示的作为电子释放特性的放电延迟(Ts)可知，具有本发明的保护层的PDP不受底部膜中的Si浓度的影响且放电延迟(Ts)小，可知电子释放特性出色。另一方面，在试验品2的底部膜上没有凝聚粒子 的保护层的结构中可知，不依赖于Al浓度，随着Si浓度的增加而放电延迟(Ts)变小，改善了电子释放特性。

另一方面，如图7所示，在本发明的实施方式的PDP的保护层的结构中，可知作为电荷保持特性的Vscn点亮电压因底部膜中的Si浓度而变化。另外，此时可知Vscn点亮电压不依赖于底部膜中的Al浓度。另外，如图7所示，可知Si浓度超过10ppm时，Vscn点亮电压呈几乎饱和倾向，如上述所示，能够使Vscn点亮电压在120V以下。

因此，作为电荷保持特性的降低Vscn点亮电压的保护层的结构，形成由MgO构成的底部膜，并且在底部膜上附着构成为整个面分布由金属氧化物构成的多个结晶粒子凝聚的多个凝聚粒子。而且，底部膜的Si的浓度为10ppm以下即可。另外，为了使Vscn点亮电压为100V以下，优选底部膜的Si浓度为5ppm以下。

因此，在具有本发明的实施方式的保护层的结构的PDP中，能够得到如图5所示的作为电子释放性能的6以上的特性并且作为电荷保持性能的Vscn点亮电压为120V以下的PDP。另外，在基于高精细化增加扫描线数且单元尺寸具有变小的倾向的PDP的保护层中，能够满足电子释放性能与电荷保持性能这两者。

另外，底部膜Si浓度的下限值是超过0ppm的浓度。即，作为材料杂质，底部膜包含Si，而且是分析计量的测定极限值。

下面，针对在本发明的实施方式的PDP的保护层中用到的结晶粒子的粒径进行说明。另外，在以下的说明中，粒径意味着平均粒径，平均粒径意味着体积累积平均直径(D50)。图8是表示在图7中说明的本发明的实施方式的PDP中改变MgO的结晶粒子的粒径来研究电子释放性能的实验结果的图。另外，在图8中，通过SEM观察结晶粒子，从而测量了MgO的结晶粒子的粒径的长度。

如图8所示可知，粒径减小到0.3μm左右时，电子释放性能变低，约为0.9μm以上时，能够得到高的电子释放性能。

但是，为了增加放电单元内的电子释放数，优选底部膜上的每一单位面积的结晶粒子数多。但是，另一方面，根据本发明者们的实验可知，由于相当于前面板的保护层密切接触的背面板的隔壁的顶部的部分中存在 结晶粒子，会破损隔壁的顶部，由于该材料附着到荧光体上等，会产生该单元无法正常点亮熄灯的现象。若结晶粒子不存在对应于隔壁顶部的部分中，则很难产生该隔壁破损现象，因此附着的结晶粒子数越多，隔壁破损的产生概率越高。

图9是表示在图7中说明的本发明的实施方式的PDP中，在每一单位面积上散布粒径不同的相同数目的结晶粒子后，实验了粒径与隔壁破损产生概率之间的关系的结果的特性图。从图9可知，结晶粒子直径增大到2.5μm左右时，隔壁破损产生概率急剧变高，若为比2.5μm小的结晶粒子直径时，能够使隔壁破损产生概率控制得较小。

基于以上的结果，在本发明的实施方式的PDP的保护层中，作为结晶粒子，优选粒径在0.9μm以上且2.5μm以下。但是，作为PDP实际量产时，需要考虑到结晶粒子的制造上的偏差或形成保护层时的制造上的偏差。

为了考虑这样的制造上的偏差等因素，利用粒径分布不同的结晶粒子进行了实验。其结果，获得了只要使用平均粒径在0.9μm以上且2μm以下的范围的凝聚粒子，就能稳定得到所述的本发明的效果的结果。

在具有如上所述的本发明的保护层的结构的PDP中，能够得到作为电子释放性能的6以上的特性并且作为电荷保持性能的Vscn点亮电压为120V以下的PDP。因此，作为基于高精细化而增加扫描线数且单元尺寸具有变小的倾向的PDP的保护层，能够满足电子释放性能与电荷保持性能这两者。因此，具有高精细且高亮度的显示性能，且能够实现低功率消耗的PDP。

另外，在以上说明中，列举了作为底部膜以MgO为主成分时的例子，但是为了得到基于金属氧化物的单结晶粒子而主要控制电子释放性能的结构，不一定非需要MgO不可，也可以利用Al₂O₃等在耐冲击性上出色的其它的材料。另外，在本实施方式中，作为单结晶粒子利用MgO进行了说明，但是利用其它的单结晶粒子，例如，由与MgO同样地具有高电子释放特性的Sr、Ca、Ba、Al等的金属氧化物构成的结晶粒子也能得到同样的效果。因此，作为粒子种类，并不限定在MgO上。

(产业上的利用可能性)

如上所述，本发明具有高精细且高亮度的显示性能，且在实现低功率消耗的PDP上是有用的发明。

Claims (3)

1.一种等离子体显示面板，其特征在于，具有：

前面板，在该前面板中形成有电介质层且其覆盖形成在基板上的显示电极，并且在该电介质层上形成了保护层；和

背面板，该背面板与所述前面板对置配置且二者之间形成有放电空间，并且在该背面板上，在与所述显示电极交叉的方向上形成有地址电极，还设置有划分所述放电空间的隔壁，

所述保护层在所述电介质层上形成由MgO构成的底部膜，并且在所述底部膜上以遍及整个面离散地分布的方式附着由金属氧化物构成的多个结晶粒子所凝聚的多个凝聚粒子，并且，

作为材料杂质所述底部膜包括Si，所述底部膜的Si浓度超过0ppm且在10ppm以下。

2.根据权利要求1所述的等离子体显示面板，其特征在于，

所述底部膜的所述Si浓度在5ppm以下。

3.根据权利要求1所述的等离子体显示面板，其特征在于，

所述凝聚粒子的平均粒径在0.9μm以上至2μm以下的范围内。

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