CN101680092A - 用于cvd反应器中的基板的表面温度的温度控制的装置 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种具有多个旋转台(2)的CVD反应器，所述旋转台支承于动态气体垫(3)上的旋转驱动衬托器(1)，其中每个气体垫(3)由单独控制的气体流形成，每个气体流，取决于由温度测量装置(4)测量的表面温度，可由单独致动器(5)改变。本发明还包括承载件(6)，承载衬托器(1)并且随着衬托器(1)旋转。共用气体供给管线(7)终端于承载件(6)，其为本发明的关键并且为布置在承载件(6)上的致动器(5)提供形成气体流的气体。
Description
技术领域
本发明涉及一种具有承载于旋转受驱动衬托器上的动态气体垫上的多个旋转台的CVD反应器，每个气体垫通过单独控制的气体流形成，每个气体流可根据由温度测量装置测量的表面温度借助单独控制元件而进行变化。
背景技术
DE 100 56 029 A1和EP 1 335 997 B1描述这种类型的CVD反应器。这里所述的装置设置有基本上采用环形盘形式的衬托器，其在处于水平平面的表面上具有多个凹槽，在每个凹槽中设置有可设置一个或多个基板的旋转台，这些基板可涂覆有一个层，尤其是半导体层，在处理腔中，形成层的材料采用气体形式穿过气体入口元件被引入该处理腔。所述旋转台承载在各个气体垫上，气体被导引入旋转台下侧与凹槽底部之间的中间空间，使得旋转台能够旋转。在衬托器下方具有加热器，从下方加热该衬托器。由此，借助热传导和热辐射类似地加热各个旋转台。旋转台的表面温度或者位于旋转台上的基板的表面温度借助温度测量元件进行监视。该表面温度可通过增加或减小形成相应气体垫的气体流来改变气体垫的高度而被独立地改变。因此，通过旋转台与凹槽底部之间的间隙的热传递被改变。
EP 1 335 997 B1所描述的方法涉及通过改变气体垫的高度而进行的温度控制。该气体流由气体质量流控制装置进行设定。
DE 10 2006 018 514 A1描述一种用于控制处理腔中的基板的表面温度的装置。在那里，并不是改变气体垫的高度，而是改变包括气体混合物的气体的成分。其中一个气体具有高热传导性。另一气体具有较低的热传导性。
DE 103 23 085 A1公开一种CVD涂覆装置，其中可旋转地设置在反应器壳体中的承载器承载用于分别容纳基板的多个衬托器。
DE 101 33 914 A1公开一种具有底部的处理腔，其在不同位置被不同地旋转驱动。共用的气体供给管线通向衬托器的气体通道的系统。在那里进行分区，产生许多承载腔，其中分别设置基板保持器，由气体膜承载。
DE 100 43 600 A1公开一种具有可旋转地设置在反应器壳体中承载器的涂覆装置，该承载器承载多个容纳腔，这些容纳腔以卫星状的方式围绕承载器的旋转中心设置，其中的每个设置一基板保持器。
EP 0 242 898 B1记载一种CVD反应器中的衬托器，基板在涂覆期间旋转。
在开始时提起的普通装置的情况下，每个旋转台都需要从外部进入反应器壳体中的单独供给管线，因为由气体质量流控制装置形成在那里的控制元件与固定气体混合系统相关联。如果需要在普通装置的情况下衬托器也应当在旋转台之外围绕其轴线旋转，那么需要复杂的气体供给管线，因为位于反应器外部的多个固定供给管线必须独立地对应于随着衬托器旋转的供给管线。
发明内容
本发明的目的是有利地改善常用装置的用途。
该目的通过权利要求中限定的发明实现，权利要求2至12是权利要求1中限定的CVD反应器的有利改进。尤其优选的是，权利要求2至12的每个是用于实现本发明目的的独立方案且可与任何其他权利要求结合。
首先以及重要的，设置伴随衬托器旋转的控制元件。为此目的，它们与承载衬托器的承载件相关联。在本发明的改进方案中，提供一种共用气体供给管线，向外开通进入承载器。该承载件可在这种情况下具有伴随着衬托器旋转的部分以及相对于反应器壳体固定的部分。该共用气体供给管线与该固定部分相关联。该共用气体供给管线可开通进入气体分布容积，由此单独的供给管线分支至每个控制元件。从每个控制元件起，然后分别延伸一供给管线，将气体流运送至一凹槽，在该凹槽中在每种情况下设置一旋转台，每个都位于由单独气体流形成的单独气体垫上。该控制元件优选地采用阀。由于阀随着衬托器旋转，所以需要专门激活后者。这可遥测地或者借助滑动触头进行。如果需要将电力供给至控制元件，那么可电感地或者类似地借助滑动触头供给电力。这些阀优选地在没有动力的情况下保持它们的位置。压力控制器可设置在供给管线中从而将共用供给管线中的气体压力保持为恒定。该方法的区别尤其在于下述事实，基本上以围绕衬托器中心的环形形状设置的许多旋转台或基板的表面温度通过单一温度测量元件一个接一个地进行测量，该测量元件单独地与相应环相关联。采用对应的方式，流向相关联气体垫的气体流一个接一个地进行对应的改变。气体垫的高度的变化因此以特定的确定间隔一个接一个地进行，控制或调节事件之间的时间相对于相对缓慢的温度改变来说是短暂的。该承载件可具有设置在反应器壳体内部的部分以及设置在反应器壳体外部的部分。所述阀优选地关联于设置在反应器壳体外部的承载件的部分，精确地讲，是旋转驱动部分。该承载件也可具有旋转固定部分。这一部分具有共用供给管线。在优选改进中，将控制元件以围绕承载件的旋转轴线的星型方式分组。采用对应的方式，供给管线也设置成围绕中心的星的形式，也就是说，采用均匀角度分布。该承载件可包括中空轴，中空轴的端部边缘上为衬托器。具有共用气体供给管线的芯部可装配在这一中空轴中。该气体分布容积可通过环形腔形成，其壁部通过芯部以及通过供给管线二者形成。该环形腔可位于中空轴与芯部之间的轴承间隙中。为了安装该中空轴，设置固定地连接至反应器壳体的轴承壳体。该中空轴因此在芯部与轴承壳体之间旋转。设置对应的轴承和密封元件，从而使得反应器外部与内部之间的气体密封性在中空轴的安装的区域中得以确保。
附图说明
本发明的示例性实施例根据附图如下所述进行说明，其中：
图1示出说明本发明关键的CVD反应器的部件，示出根据图3的线I-I的剖面，
图2示出根据图3中的线II-II的剖面；
图3示出根据图1中的线III-III的剖面；
图4示出根据箭头IV的衬托器的平面图；
图5示出位于轴承壳体中的下承载器的透视图，伴随有驱动马达，以及
图6示出该气体流的示意性图示。
具体实施方式
该CVD反应器具有反应器壳体，其下壁11示出于图1中，以相对于外部气密和压密的方式封装反应器壳体的内部。在反应器壳体11内部，存在气体入口元件24，其具有气体出口开口(未示出)，这些开口设置在水平面中，处理气体可通过这些气体出口开口流入设置在气体入口元件24下方的处理腔25中。该处理腔25的底部由衬托器1的表面形成。该衬托器1包括石墨并且可围绕轮廓轴线Z旋转。
如图4和图1所示的，衬托器1承载多个旋转台2，这些旋转台通过圆形盘形式的石墨元件形成并且位于衬托器1中的对应凹槽中。单独的供给管线26通向于每个凹槽的底部，通过这些管线的每个，单独的气体流可被引入旋转台2的下侧与凹槽底部之间的间隙。这一气体流形成气体垫，旋转台2距离底部一间隔地承载在气体垫上。该气体流被引入该凹槽，使得旋转被施加至相应的旋转台2。
在气体入口元件24中的开口32上方，设置有温度传感器4，例如高温计。温度传感器4直接地位于旋转台2上方，距离旋转中心Z为对应的径向距离，使得旋转台2的表面温度或者位于旋转台2上的一个或多个基板的表面温度可被温度传感器4测量。该表面温度可通过改变气体垫3的高度进行改变。
在衬托器1下方是加热器27，该加热器可以是辐射加热器或者RF加热器。采用这一加热器，首先加热衬托器1的下侧。热量基本上通过热传导传递至气体垫，然后通过由气体垫3形成的间隙传递至旋转台2，类似地通过热传导或热辐射。该热传递会受到气体垫3的高度的影响。
气体垫3的高度由流过相应供给管线26的气体流的量确定。这一气体流由阀5设定。阀5的设置根据由温度传感器4测量的温度而进行调整。阀5优选地采用即使在没有动力的情况下也可保持其位置的阀。该阀可借助滑动触头(未示出)或者通过无线电遥测地保持其位置。不论何时相关联旋转台2的表面温度已经被温度传感器4测量以及需要温度变化时，都需要对阀5进行调整。
衬托器1位于承载器6上。承载器6具有中空轴31，在该中空轴的端部边缘上设置有衬托器1。气体供给管线12在中空轴31内部延伸，该管线设置成围绕中心Z的均匀周向分布，并且将形成气体垫3的承载器气体从阀5传导至衬托器1中的通道26，所述气体可以是氮或氢。
中空轴31安装在轴承壳体20中，其固定地连接至反应器壳体11。为此目的，轴承壳体20具有轴承腔，其中，密封件28设置在两个旋转轴承29、30之间。
从轴承壳体20的下侧伸出的是一部分中空轴31，以及从动轮21，其也承载多个阀5。阀5设置成围绕中心Z的均匀周向分布，也就是说采用星的形式。设置在中空轴31中，平行于轴向延伸气体管线12的是独立的供给管线9，这些管线将气体从气体分布容积8传递至阀5。
在中空轴31内部的是芯部13，其采用旋转固定的方式连接至反应器壳体11并且承载驱动马达23，该驱动马达具有驱动轮22，由此可借助驱动带(未示出)旋转该从动轮21。中空轴31以及由此承载的阀5然后围绕旋转轴线Z旋转并且带上承载衬托器1与它们一起，使得衬托器1能够相对于固定至壳体的气体入口元件24旋转。
芯部13的外壁的一部分14形成以环的形式环绕该芯部的腔的内壁，其形成气体分布容积8。环形腔8的面向外的壁部15由中空轴31的内壁形成。气体分布容积8的两个环形上壁和下壁分别通过密封元件16、17形成，所述密封元件分别设置在轴承18的上方和轴承19的下方。
芯部13具有共用的供给管线7，在芯部13的端面上具有通向气体管线的连接件。供给管线7初始地平行于中心轴线Z延伸。供给管线7的径向持续部分向外开通入气体分布容积8，由此形成腔内壁14中的开口。在外腔壁15中，相对于内腔壁14设置的是独立的供给管线9的开口，通过该开口，流入腔8的气体传导至阀5。供给管线9初始地沿着径向方向延伸并且随后平行于中心轴线Z延伸。
图6说明，共用供给管线7中的压力借助压力控制器10保持恒定。可选的流量计FM额外地设置在共用气体供给管线7中。除了上述的氮和氢，也可使用惰性气体或一些其他可用气体作为形成气体垫3的气体。
伴随着衬托器1旋转的阀5可永久地供给有动力。为此目的，可借助滑动触头(未示出)实现电流供给，例如在芯部13与中空轴31之间或者壳体20与中空轴31之间。但是，阀5也可电感性地供给有能量。另外，阀也可仅仅周期性地供给有电能。
所公开的所有特征(本身)与本发明有关。相关联的/所附的优先权文件(在先专利申请的副本)的公开内容在申请的公开中完整地引用结合于此，包括为了将这些文件的特征结合在本申请的权利要求中。权利要求书(按照条约第19条的修改)
1、一种CVD反应器，具有承载于旋转受驱动衬托器(1)上的动态气体垫(3)的多个旋转台(2)，每个气体垫(3)由单独控制的气体流形成，每个气体流是借助单独控制元件(5)根据由温度测量装置(4)测量的表面温度可进行变化的，并且具有承载件(6)，所述承载件承载衬托器(1)并且随着衬托器(1)旋转，其特征在于，共用的气体供给管线(7)，所述气体供给管线通向承载器(6)中，采用该气体供给管线，设置在承载件(6)上的控制元件(5)被供给有形成气体流的气体。
2、根据权利要求1所述的CVD反应器，其特征在于，所述共用气体供给管线(7)开通进入气体分布容积(8)，由此，各个管线(9)分支至每个控制元件(5)。
3、根据权利要求1或2所述的CVD反应器，其特征在于，所述控制元件采用阀(5)，所述阀从外部遥测地或者借助滑动触头而被致动。
4、根据权利要求3所述的CVD反应器，其特征在于，所述阀(5)在没有动力的情况下保持其位置。
5、根据权利要求1至4任一项所述的CVD反应器，其特征在于，压力控制器(10)与共用供给管线(7)相关联从而保持共用供给管线(7)中的气体压力恒定。
6、根据权利要求1至5任一项所述的CVD反应器，其特征在于，温度测量元件(4)，所述温度测量元件设置成使得许多旋转台(2)的表面温度一个接一个地被测量从而相对应地一个接一个地改变流入相关联气体垫(3)的气体流，所述旋转台设置成基本上采用围绕衬托器(1)的旋转中心(Z)的环的形式。
7、根据权利要求1至6任一项所述的CVD反应器，其特征在于，所述承载件(6)基本上设置在反应器壳体(11)的内部。
8、根据权利要求3至7任一项所述的CVD反应器，其特征在于，承载所述阀(5)的承载件(6)的部分设置在反应器壳体(11)外部。
9、根据权利要求1至8任一项所述的CVD反应器，其特征在于，供给管线(9，12)和控制元件(5)设置成相对于承载件(6)的旋转轴线(Z)成星型的形式。
10、根据权利要求1至9任一项所述的CVD反应器，其特征在于，所述承载件(6)包括中空轴(31)，其容纳固定至壳体的且设置有共用供给管线(7)的芯部(13)。
11、根据权利要求1至10任一项所述的或者尤其是根据后文权利要求所述的CVD反应器，其特征在于，所述中空轴(31)旋转地安装在固定地连接至反应器壳体(11)的轴承壳体(20)的轴承腔中。
12、根据权利要求1至11任一项所述的或者尤其是根据后文权利要求所述的CVD反应器，其特征在于，所述气体分布容积(8)是设置在芯部(13)与中空轴(31)之间的环形腔。
Claims (12)
1、一种CVD反应器，具有承载于旋转受驱动衬托器(1)上的动态气体垫(3)的多个旋转台(2)，每个气体垫(3)由单独控制的气体流形成，每个气体流是借助单独控制元件(5)根据由温度测量装置(4)测量的表面温度可进行变化的，并且具有承载件(6)，所述承载件承载衬托器(1)并且随着衬托器(1)旋转，其特征在于，共用的气体供给管线(7)，所述气体供给管线通向承载器(6)中，采用该气体供给管线，设置在承载件(6)上的控制元件(5)被供给有形成气体流的气体。
2、根据权利要求1所述的或者尤其是根据后文权利要求所述的CVD反应器，其特征在于，所述共用气体供给管线(7)开通进入气体分布容积(8)，由此，各个管线(9)分支至每个控制元件(5)。
3、根据权利要求1或2所述的或者尤其是根据后文权利要求所述的CVD反应器，其特征在于，所述控制元件采用阀(5)，所述阀从外部遥测地或者借助滑动触头而被致动。
4、根据权利要求1至3任一项所述的或者尤其是根据后文权利要求所述的CVD反应器，其特征在于，所述阀(5)在没有动力的情况下保持其位置。
5、根据权利要求1至4任一项所述的或者尤其是根据后文权利要求所述的CVD反应器，其特征在于，压力控制器(10)与共用供给管线(7)相关联从而保持共用供给管线(7)中的气体压力恒定。
6、根据权利要求1至5任一项所述的或者尤其是根据后文权利要求所述的CVD反应器，其特征在于，温度测量元件(4)，所述温度测量元件设置成使得许多旋转台(2)的表面温度一个接一个地被测量从而相对应地一个接一个地改变流入相关联气体垫(3)的气体流，所述旋转台设置成基本上采用围绕衬托器(1)的旋转中心(Z)的环的形式。
7、根据权利要求1至6任一项所述的或者尤其是根据后文权利要求所述的CVD反应器，其特征在于，所述承载件(6)基本上设置在反应器壳体(11)的内部。
8、根据权利要求1至7任一项所述的或者尤其是根据后文权利要求所述的CVD反应器，其特征在于，承载所述阀(5)的承载件(6)的部分设置在反应器壳体(11)外部。
9、根据权利要求1至8任一项所述的或者尤其是根据后文权利要求所述的CVD反应器，其特征在于，供给管线(9，12)和控制元件(5)设置成相对于承载件(6)的旋转轴线(Z)成星型的形式。
10、根据权利要求1至9任一项所述的或者尤其是根据后文权利要求所述的CVD反应器，其特征在于，所述承载件(6)包括中空轴(31)，其容纳固定至壳体的且设置有共用供给管线(7)的芯部(13)。
11、根据权利要求1至10任一项所述的或者尤其是根据后文权利要求所述的CVD反应器，其特征在于，所述中空轴(31)旋转地安装在固定地连接至反应器壳体(11)的轴承壳体(20)的轴承腔中。
12、根据权利要求1至11任一项所述的或者尤其是根据后文权利要求所述的CVD反应器，其特征在于，所述气体分布容积(8)是设置在芯部(13)与中空轴(31)之间的环形腔。
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105051879A (zh) * | 2013-03-15 | 2015-11-11 | 应用材料公司 | 具有光学测量的旋转式气体分配组件 |
| CN105074049A (zh) * | 2013-02-21 | 2015-11-18 | 应用材料公司 | 用于注射器至基板的空隙控制的装置及方法 |
| CN105121697A (zh) * | 2013-02-20 | 2015-12-02 | 应用材料公司 | 基板的压差夹持的装置与方法 |
| CN112725767A (zh) * | 2020-07-06 | 2021-04-30 | 苏州雨竹机电有限公司 | 气相沉积晶圆温度控制结构及方法 |
| CN113454264A (zh) * | 2019-02-21 | 2021-09-28 | 艾克斯特朗欧洲公司 | 具有用于局部影响基座温度的器件的cvd反应器 |
| CN114196944A (zh) * | 2020-09-17 | 2022-03-18 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 化学气相沉积装置及基片温度控制方法 |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102007026348A1 (de) * | 2007-06-06 | 2008-12-11 | Aixtron Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Temperatursteuerung der Oberflächentemperaturen von Substraten in einem CVD-Reaktor |
| DE102009044276A1 (de) * | 2009-10-16 | 2011-05-05 | Aixtron Ag | CVD-Reaktor mit auf einem mehrere Zonen aufweisenden Gaspolster liegenden Substrathalter |
| CN102640260B (zh) * | 2009-11-02 | 2014-12-03 | 丽佳达普株式会社 | 化学气相沉积设备以及化学气相沉积设备的温度控制方法 |
| KR20110136583A (ko) * | 2010-06-15 | 2011-12-21 | 삼성엘이디 주식회사 | 서셉터 및 이를 구비하는 화학 기상 증착 장치 |
| CN101949009B (zh) * | 2010-09-07 | 2012-09-26 | 理想能源设备(上海)有限公司 | 等离子体化学气相沉积基座温度控制方法 |
| KR101395243B1 (ko) * | 2011-04-29 | 2014-05-15 | 세메스 주식회사 | 기판처리장치 및 방법 |
| JP5640894B2 (ja) * | 2011-05-26 | 2014-12-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 温度測定装置、温度測定方法、記憶媒体及び熱処理装置 |
| DE102011053498A1 (de) * | 2011-09-12 | 2013-03-14 | Aixtron Se | Verfahren und Vorrichtung zur Ermittlung der Verformung eines Substrates |
| US20130074774A1 (en) * | 2011-09-28 | 2013-03-28 | Pinecone Material Inc. | Heating systems for thin film formation |
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Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US4858556A (en) * | 1986-09-15 | 1989-08-22 | Siebert Jerome F | Method and apparatus for physical vapor deposition of thin films |
| DE3943482C2 (de) * | 1989-05-08 | 1994-07-07 | Balzers Hochvakuum | Werkstückträger für ein scheibenförmiges Werkstück, sowie Vakuumprozeßkammer |
| EP0423327B1 (en) * | 1989-05-08 | 1994-03-30 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Apparatus and method for treating flat substrates under reduced pressure |
| US5468299A (en) * | 1995-01-09 | 1995-11-21 | Tsai; Charles S. | Device comprising a flat susceptor rotating parallel to a reference surface about a shaft perpendicular to this surface |
| US6406545B2 (en) * | 1999-07-27 | 2002-06-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor workpiece processing apparatus and method |
| DE10043600B4 (de) * | 2000-09-01 | 2013-12-05 | Aixtron Se | Vorrichtung zum Abscheiden insbesondere kristalliner Schichten auf einem oder mehreren, insbesondere ebenfalls kristallinen Substraten |
| DE10056029A1 (de) | 2000-11-11 | 2002-05-16 | Aixtron Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Temperatursteuerung der Oberflächentemperaturen von Substraten in einem CVD-Reaktor |
| DE10133914A1 (de) * | 2001-07-12 | 2003-01-23 | Aixtron Ag | Prozesskammer mit abschnittsweise unterschiedlich drehangetriebenem Boden und Schichtabscheideverfahren in einer derartigen Prozesskammer |
| US20030168174A1 (en) | 2002-03-08 | 2003-09-11 | Foree Michael Todd | Gas cushion susceptor system |
| US20040142558A1 (en) | 2002-12-05 | 2004-07-22 | Granneman Ernst H. A. | Apparatus and method for atomic layer deposition on substrates |
| DE10323085A1 (de) * | 2003-05-22 | 2004-12-09 | Aixtron Ag | CVD-Beschichtungsvorrichtung |
| DE102005055252A1 (de) * | 2005-11-19 | 2007-05-24 | Aixtron Ag | CVD-Reaktor mit gleitgelagerten Suszeptorhalter |
| DE102006018514A1 (de) * | 2006-04-21 | 2007-10-25 | Aixtron Ag | Vorrichtung und Verfahren zur Steuerung der Oberflächentemperatur eines Substrates in einer Prozesskammer |
| JP4996184B2 (ja) * | 2006-09-19 | 2012-08-08 | 東京エレクトロン株式会社 | ウエハの温度制御装置及びウエハの温度制御方法 |
| DE102007026348A1 (de) * | 2007-06-06 | 2008-12-11 | Aixtron Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Temperatursteuerung der Oberflächentemperaturen von Substraten in einem CVD-Reaktor |
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Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105121697A (zh) * | 2013-02-20 | 2015-12-02 | 应用材料公司 | 基板的压差夹持的装置与方法 |
| CN105074049A (zh) * | 2013-02-21 | 2015-11-18 | 应用材料公司 | 用于注射器至基板的空隙控制的装置及方法 |
| CN105051879A (zh) * | 2013-03-15 | 2015-11-11 | 应用材料公司 | 具有光学测量的旋转式气体分配组件 |
| CN113454264A (zh) * | 2019-02-21 | 2021-09-28 | 艾克斯特朗欧洲公司 | 具有用于局部影响基座温度的器件的cvd反应器 |
| CN112725767A (zh) * | 2020-07-06 | 2021-04-30 | 苏州雨竹机电有限公司 | 气相沉积晶圆温度控制结构及方法 |
| CN114196944A (zh) * | 2020-09-17 | 2022-03-18 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 化学气相沉积装置及基片温度控制方法 |
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