CN101667627A - 发光装置以及发光装置的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明实现一种发光特性优良的发光装置以及发光装置的制造方法。发光装置具有：第一电极；在上述第一电极上的至少一层以上的载流子传输层；在上述载流子传输层上的第二电极；隔壁，具有与形成在基板的上面侧的上述第一电极连通的开口部；以及发光保护层，存在于上述隔壁和上述载流子传输层之间。

Description

发光装置以及发光装置的制造方法

技术领域

本发明涉及发光装置以及发光装置的制造方法。

背景技术

近年来，已公知作为便携式电话机等的电子设备的显示部件，使用了将作为自发光元件的多个EL(Electro Luminescence)发光元件排列为矩阵状的EL发光面板的技术。

EL发光元件是例如在聚酰亚胺所构成的绝缘层上的开口部露出的第一电极上进行发光层成膜，在该发光层上层积第二电极而成的(例如，参照专利文献1)，其面板中各开口部分别成为相当于像素的发光部分，由多个EL发光元件构成发光区域。

专利文献1：日本特开2002-91343号公报

然而，在上述以往技术的EL发光面板中，会出现在构成该EL发光面板的发光区域的多个EL发光元件中存在有部分EL发光元件不发光的区域的情况。

发明内容

因此，本发明的目的在于提供一种发光特性优良的发光装置以及发光装置的制造方法。

为了得到上述优点，本发明的一个方式是一种发光装置，具有第一电极、在上述第一电极上的至少一层以上的载流子传输层以及在上述载流子传输层上的第二电极，其特征在于，该发光装置还具有：隔壁，具有与形成在基板的上面侧的上述第一电极连通的开口部；以及至少覆盖上述隔壁的发光保护层，上述发光保护层存在于上述隔壁和上述载流子传输层之间。

优选中和由上述隔壁所引起的发光阻碍要因或者使该发光阻碍要因变为酸性，从而改善由该发光阻碍要因所引起的载流子传输层的传输性劣化。

此外，优选上述发光保护层由酸性材料形成。

此外，优选上述隔壁是使阳性的感光性聚酰亚胺类树脂材料固化而成。

此外，优选通过碱性溶液来对上述隔壁进行显影。

本发明的其他的方式是一种发光装置的制造方法，所述发光装置具有第一电极、在上述第一电极上的至少一层以上的载流子传输层以及在上述载流子传输层上的第二电极，该发光装置的制造方法包括以下工序：隔壁形成工序，形成隔壁，该隔壁具有与形成在基板的上面侧的上述第一电极连通的开口部；发光保护层形成工序，形成发光保护层，该发光保护层至少覆盖上述隔壁，并封住由上述隔壁引起的发光阻碍要因；以及载流子传输层形成工序，形成上述载流子传输层，上述载流子传输层覆盖上述第一电极以及上述发光保护层。

优选上述发光保护层形成工序包括在对成为上述发光保护层的材料进行成膜时，中和由该隔壁引起的发光阻碍要因或者使该发光阻碍要因变为酸性的工序。

此外，优选上述隔壁形成工序包括用碱性溶液对成为上述隔壁的材料进行显影的工序，上述发光保护层形成工序包括中和在上述隔壁以及上述第一电极的表面残留的上述碱性溶液或者使该残留的上述碱性溶液变为酸性的工序。

本发明的其他的方式是一种发光装置的制造方法，所述发光装置具有第一电极、在上述第一电极上的至少一层以上的载流子传输层以及在上述载流子传输层上的第二电极，该发光装置的制造方法包括以下工序：隔壁形成工序，形成隔壁，该隔壁具有与基板上的上述第一电极连通的开口部；表面清洗工序，对上述隔壁以及上述第一电极的表面进行清洗，从而除去在上述隔壁形成工序中产生的发光阻碍要因；以及载流子传输层形成工序，形成上述载流子传输层，上述载流子传输层覆盖上述第一电极以及上述隔壁。

优选上述隔壁形成工序包括在用规定的掩模图案对成为上述隔壁的材料进行曝光后，用碱性溶液对成为上述隔壁的材料进行显影的工序，

上述表面清洗工序包括用酸性溶液中和在上述隔壁以及上述第一电极的表面残留的上述碱性溶液或者使该残留的上述碱性溶液变为酸性的工序。

优选还包括在用上述酸性溶液中和残留的上述碱性溶液或者使该残留的上述碱性溶液变为酸性的工序后，用水或与上述酸性溶液相比呈弱酸性的水溶液清洗上述隔壁以及上述第一电极的工序。

优选还包括在上述载流子传输层形成工序后，在上述开口部内的上述载流子传输层上形成上述第二电极的第二电极形成工序。

而且，还提供一种发光装置，其特征在于，通过上述的发光装置的制造方法而被制造。

附图说明

图1是表示EL面板的像素的配置构成的平面图。

图2是表示EL面板的概略构成的平面图。

图3是表示与EL面板的一个像素相当的电路的电路图。

图4是表示EL面板的一个像素的平面图。

图5是表示沿图4的V-V线的面的向视断面图。

图6是表示沿图4的VI-VI线的面的向视断面图。

图7是表示在基板的上面侧形成的薄膜晶体管和层间绝缘膜的断面图。

图8是表示成为在基板的上面侧成膜的隔板(bank)的材料层的断面图。

图9是在表示基板的上面侧形成的隔板的断面图。

图10是表示在隔板以及开口部内形成的发光保护层的断面图。

图11是表示在隔板以及开口部内形成的空穴注入层的断面图。

图12是表示在开口部内形成的空穴注入层、中间层(interlayer)以及发光层的断面图。

图13A和图13B是表示EL面板的发光图像的说明图，图13A是不具备发光保护层的EL面板的比较例，图13B是成膜了发光保护层的EL面板的实施例。

图14是表示EL面板的像素的配置构成的其他例的平面图。

图15是表示其他的实施方式中的沿图4的V-V线的面的向视断面图。

图16是表示其他的实施方式中的沿图4的VI-VI线的面的向视断面图。

图17是表示隔板以及在开口部内形成的空穴注入层的断面图。

图18是表示在开口部内形成的空穴注入层、中间层以及发光层的断面图。

具体实施方式

下面，参照附图对实施本发明的优选的实施方式进行说明。在以下所述的实施方式中，为了实施本发明而进行了技术上优选的种种限定，但发明的范围不仅限于以下的实施方式以及图示例。

另外，在本实施方式中，将发光装置适用于作为显示装置的EL面板来说明本发明。

图1是表示EL面板1中的多个像素P的配置构成的平面图，图2是表示EL面板1的概略构成的平面图。

如图1、图2所示，在EL面板1中，例如，分别发出R(红)、G(绿)、B(蓝)光的多个像素P以规定的图案配置为矩阵状。

在该EL面板1上，多个扫描线2沿行方向以大致互相平行的方式排列，多个信号线3在俯视情况下沿着与扫描线2大致正交的列方向以大致互相平行的方式排列。此外，在相邻的扫描线2之间，沿着扫描线2设有电压供给线4。而且，由这些各扫描线2、相邻的两条信号线3和各电压供给线4围成的范围相当于像素P。

此外，在EL面板1中，以覆盖扫描线2、信号线3、电压供给线4的上方的方式，设有格子状的隔壁即隔板13。针对各像素P形成有由该隔板13围成的大致长方形形状的多个开口部13a，在该开口部13a内层积设置有后述的像素电极8a、发光保护层8f、空穴注入层8b、中间层8c、发光层8d、对置电极8e。

图3是表示以有源矩阵驱动方式动作的EL面板1的一个像素所相当的电路的电路图。

如图3所示，在EL而板1中设有扫描线2、与扫描线2交差的信号线3、沿着扫描线2的电压供给线4，在该EL面板1的一个像素P中设有开关晶体管5、驱动晶体管6、电容7和EL元件8，所述开关晶体管5和所述驱动晶体管6都是薄膜晶体管。

在各像素P中，开关晶体管5的栅极与扫描线2连接，开关晶体管5的漏极和源极中的一个与信号线3连接，开关晶体管5的漏极和源极中的另一个与电容7的一个电极以及驱动晶体管6的栅极连接。驱动晶体管6的源极和漏极中的一个与电压供给线4连接，驱动晶体管6的源极和漏极中的另一个与电容7的另一个电极以及EL元件8的阳极连接。另外，所有的像素P的EL元件8的阴极保持着一定电压Vcom(例如，接地)。开关晶体管5以及驱动晶体管6可以都是n沟道型，也可以都是p沟道型，也可以一个是n沟道型另一个是p沟道型。

此外，在该EL面板1的周围，各扫描线2与扫描驱动器连接，各电压供给线4与输出一定电压源或者适当的电压信号的驱动器连接，各信号线3与数据驱动器连接，通过这些驱动器，以有源矩阵驱动方式来驱动EL面板1。向电压供给线4供给一定电压源或者由驱动器提供的规定的电能。

接着，参照图4～图6，对EL面板1和该像素P的电路结构进行说明。在此，图4是与EL面板1的一个像素P相当的平面图，图5是沿图4的V-V线的面的向视断面图，图6是沿图4的VI-VI线的面的向视断面图。另外，在图4中主要表示电极以及布线。

如图4所示，开关晶体管5以及驱动晶体管6沿着信号线3排列，在开关晶体管5的附近配置有电容7，在驱动晶体管6的附近配置有EL元件8。此外，在与该像素对应的扫描线2以及电压供给线4之间配置有开关晶体管5、驱动晶体管6、电容7以及EL元件8。

如图4～图6所示，在基板10上的一面上成膜有栅极绝缘膜11，在开关晶体管5、驱动晶体管6以及这些周围的栅极绝缘膜11上成膜有层间绝缘膜12。信号线3形成在栅极绝缘膜11和基板10之间，扫描线2以及电压供给线4形成在栅极绝缘膜11和层间绝缘膜12之间。

此外，如图4、图6所示，开关晶体管5是逆参差构造的薄膜晶体管。该开关晶体管5具有栅极电极5a、栅极绝缘膜11、半导体膜5b、沟道保护膜5d、杂质半导体膜5f、5g、漏极电极5h、源极电极5i等。

栅极电极5a形成在基板10和栅极绝缘膜11之间。该栅极电极5a例如由Cr膜、Al膜、Cr/Al层积膜、AlTi合金膜、AlTiNd合金膜或者MoNb合金膜构成。此外，在栅极电极5a上成膜有绝缘性的栅极绝缘膜11，通过该栅极绝缘膜11来覆盖栅极电极5a。

栅极绝缘膜11例如由硅氮化物或者硅氧化物构成。在该栅极绝缘膜11上与栅极电极5a对应的位置形成有本征的半导体膜5b、半导体膜5b隔着栅极绝缘膜11与栅极电极5a相对。

半导体膜5b例如由非晶体硅或者多结晶硅构成，在该半导体膜5b中形成沟道。此外，在半导体膜5b的中央部上形成有绝缘性的沟道保护膜5d。该沟道保护膜5d例如由硅氮化物或者硅氧化物构成。

此外，在半导体膜5b的一端部上形成有杂质半导体膜5f，并且该杂质半导体膜5f与沟道保护膜5d的一部分重叠，半导体膜5b的另一端部上形成有杂质半导体膜5g，并且该杂质半导体膜5g与沟道保护膜5d的一部分重叠。而且，杂质半导体膜5f、5g分别形成在半导体膜5b的两端侧且相互离开。另外，杂质半导体膜5f、5g是n型半导体，但也不仅限于此，也可以是p型半导体。

在杂质半导体膜5f上形成有漏极电极5h。在杂质半导体膜5g上形成有源极电极5i。漏极电极5h、源极电极5i例如由Cr膜、Al膜、Cr/Al层积膜、AlTi合金膜、AlTiNd合金膜或者MoNb合金膜构成。

在沟道保护膜5d、漏极电极5h以及源极电极5i上成膜有作为保护膜的绝缘性的层间绝缘膜12，沟道保护膜5d、漏极电极5h以及源极电极5i被层间绝缘膜12覆盖。而且，开关晶体管5被层间绝缘膜12覆盖。层间绝缘膜12例如由厚度为100nm～200nm的氮化硅或者氧化硅构成。

此外，如图4、图5所示，驱动晶体管6是逆参差构造的薄膜晶体管。该驱动晶体管6具有栅极电极6a、栅极绝缘膜11、半导体膜6b、沟道保护膜6d、杂质半导体膜6f、6g、漏极电极6h、源极电极6i等。

栅极电极6a例如由Cr膜、Al膜、Cr/Al层积膜、AlTi合金膜、AlTiNd合金膜或者MoNb合金膜构成，与栅极电极5a相同，栅极电极6a形成在基板10和栅极绝缘膜11之间。而且，栅极电极6a例如被由硅氮化物或者硅氧化物构成的栅极绝缘膜11覆盖。

在该栅极绝缘膜11上与栅极电极6a对应的位置形成有沟道的半导体膜6b，例如由非晶体硅或者多结晶硅形成。该半导体膜6b隔着栅极绝缘膜11与栅极电极6a相对。

在半导体膜6b的中央部上形成有绝缘性的沟道保护膜6d。该沟道保护膜6d例如由硅氮化物或者硅氧化物构成。

此外，在半导体膜6b的一端部上形成有杂质半导体膜6f，并且该杂质半导体膜6f与沟道保护膜6d的一部分重叠，在半导体膜6b的另一端部上形成有杂质半导体膜6g，该杂质半导体膜6g与沟道保护膜6d的一部分重合。而且，杂质半导体膜6f、6g分别形成在半导体膜6b的两端侧并且相互离开。另外，杂质半导体膜6f、6g是n型半导体，但不仅限于此，也可以是p型半导体。

在杂质半导体膜6f上形成有漏极电极6h。在杂质半导体膜6g上形成有源极电极6i。漏极电极6h、源极电极6i例如由Cr膜、Al膜、Cr/Al层积膜、AlTi合金膜、AlTiNd合金膜或者MoNb合金膜构成。

在沟道保护膜6d、漏极电极6h以及源极电极6i上成膜有作为保护膜的绝缘性的层间绝缘膜12，沟道保护膜6d、漏极电极6h以及源极电极6i被层间绝缘膜12覆盖。而且，驱动晶体管6被层间绝缘膜12覆盖。

如图4、图6所示，电容7具有对置的一对的电极7a、7b以及存在于它们之间作为介质的栅极绝缘膜11。而且，一个电极7a形成在基板10和栅极绝缘膜11之间，另一个电极7b形成在栅极绝缘膜11和层间绝缘膜12之间。

另外，电容7的电极7a与驱动晶体管6的栅极电极6a连接为一体，电容7的电极7b与驱动晶体管6的源极电极6i连接为一体。此外，驱动晶体管6的漏极电极6h与电压供给线4连接为一体。

另外，通过光刻法(photolithography)以及蚀刻法等对在基板10上成膜为一个面的导电膜即栅极金属层进行形状加工，从而一次性形成信号线3、电容7的电极7a、开关晶体管5的栅极电极5a以及驱动晶体管6的栅极电极6a。

此外，通过光刻法以及蚀刻法等，对在栅极绝缘膜11等上成膜为一个面的导电膜即源极、漏极金属层进行形状加工，从而形成扫描线2、电压供给线4、电容7的电极7b、开关晶体管5的漏极电极5h、源极电极5i以及驱动晶体管6的漏极电极6h、源极电极6i。

此外，在栅极绝缘膜11上，在栅极电极5a与扫描线2重叠的区域形成接触孔(contact hole)11a，在漏极电极5h和信号线3重叠的区域形成接触孔11b，在栅极电极6a和源极电极5i重合的区域形成导电性的接触孔11c，在接触孔11a～11c内分别埋入了接触插塞(contact plug)20a～20c。开关晶体管5的栅极5a和扫描线2通过接触插塞20a而电导通，开关晶体管5的漏极电极5h和信号线3通过接触插塞20b而电导通，开关晶体管5的源极电极5i和电容7的电极7a通过接触插塞20c而电导通，并且开关晶体管5的源极电极5i和驱动晶体管6的栅极电极6a通过接触插塞20c而电导通。也可以不经由上述接触插塞20a～20c，使扫描线2与直接栅极电极5a接触、漏极电极5h与信号线3接触、源极电极5i与栅极电极6a接触。

像素电极8a隔着栅极绝缘膜11而设在基板10上，且按各像素P独立形成。在EL面板1是从基板10射出EL元件8的光的底部发光(bottomemission)式的情况下，该像素电极8a是透明电极，例如包含掺杂锡的氧化铟(ITO)、掺杂锌的氧化铟、氧化铟(In₂O₃)、氧化锡(SnO₂)、氧化锌(ZnO)或者镉-锡氧化物(CTO)的至少一种。在EL面板1是EL元件8的光透射后述的对置电极8e而射出的顶部发光(top emission)式的情况下，像素电极8a可以是在上述的透明电极的层以及该层之下层积Al膜、Al合金膜等的光反射层的层积构造。此时，光反射层也可以由源极、漏极金属层形成。另外，像素电极8a的一部分与驱动晶体管6的源极电极6i重叠，从而像素电极8a与源极电极6i连接。

而且，如图4～图6所示，层间绝缘膜12以覆盖扫描线2、信号线3、电压供给线4、开关晶体管5、驱动晶体管6、像素电极8a的周缘部、电容7的电极7b以及栅极绝缘膜11的方式形成。

在该层间绝缘膜12上形成有开口部12a，以露出各像素电极8a的中央部。因此，层间绝缘膜12形成为俯视情况下的格子状。

如图4、图5所示，EL元件8具备：成为阳极的第一电极即像素电极8a；在像素电极8a上以及后述的隔板13的表面上形成的发光保护层8f；在发光保护层8f上形成的作为载流子传输层的空穴注入层8b；在空穴注入层8b上形成的作为载流子传输层的一部分而发挥作用的中间层8c；在中间层8c上形成的发光层8d；以及在发光层8d上形成的作为第二电极的对置电极8e。对置电极8e是全部像素P的公共的阴极，作为单一电极而在全部像素P上连续形成。

发光保护层8f例如是由导电性高分子的PEDOT(poly(ethylenedioxy)thiophene：聚二氧乙基噻吩)以及作为掺杂剂的PSS(polystyrene sulfonate：聚对苯乙烯磺酸)构成的层。

由该PEDOT/PSS构成的发光保护层8f在全部像素P(像素电极8a)上连续成膜而成，覆盖整个像素电极8a以及隔板13。

尤其是，发光保护层8f是隔在空穴注入层8b与像素电极8a之间、空穴注入层8b与隔板13之间的层，以使得空穴注入层8b未直接形成在像素电极8a和隔板13上。

由于该发光保护层8f是低电阻的导电性高分子，因此若在厚度方向施加正偏电压，则该发光保护层8f具有从像素电极8a向空穴注入层8b传输空穴的功能，另外，还具有使隔板13的成分不向空穴注入层8b移动的遮蔽功能。

空穴注入层8b例如是由迁移金属氧化物构成的层，是从像素电极8a向发光层8d注入空穴的载流子注入层。该空穴注入层8b可以使用作为迁移金属氧化物的氧化钼、氧化钒、氧化钨、氧化钛等，尤其优选氧化钼。

该空穴注入层8b成膜在相当于隔板13以及隔板13的开口部13a内的整个面的发光保护层8f的整个上面。

中间层8c例如是由聚芴类材料构成的电子传输抑制层，具有抑制电子从发光层8d向空穴注入层8b侧移动的功能。

发光层8d包含使各像素P发出R(红)、G(绿)、B(蓝)光中的某一种光的有机材料，例如由聚芴类发光材料、聚苯亚乙烯类发光材料等的共轭双键聚合物构成，该发光层8d是伴随着从对置电极8e供给的电子和从空穴注入层8b注入的空穴的再结合而发光的层。因此，发出R(红)光的像素P、发出G(绿)光的像素P、发出B(蓝)光的像素P各自的发光层8d的发光材料不同。像素P的R(红)、G(绿)、B(蓝)的图案可以是三角(delta)排列，或者也可以是在纵方向上排列同色像素的色带(stripe)图案。

在EL面板1是底部发光式的情况下，例如，Mg、Ca、Ba、Li等的功函数为4.0eV以下，优选3.0eV以下，对置电极8e可以是层积30nm以下的厚度的低功函数层和厚度为100nm以上的Al膜、Al合金膜等的光反射层的层积构造，所述光反射层为了降低薄膜电阻而被设置在低功函数层上。

此外，在EL面板1是顶部发光式的情况下，对置电极8e可以是层积上述低功函数层和透明导电层的层积构造，该透明导电层设在该低功函数层上，例如由掺杂锡的氧化铟(ITO)、掺杂锌的氧化铟、氧化铟(In₂O₃)、氧化锡(SnO₂)、氧化锌(ZnO)或者镉-锡氧化物(CTO)等构成。

该对置电极8e是全部像素P的公共的电极，覆盖在隔板13以及发光层8d等上。

隔板13是在层间绝缘膜12上形成的隔壁，例如由感光性的聚酰亚胺类树脂材料等的绝缘性的树脂材料构成。在利用湿式法形成中间层8c、发光层8d时，隔板13作为隔壁而发挥作用，以使得将成为中间层8c、发光层8d的材料溶解或分散在溶剂中的液状体不向相邻的像素P流出。

而且，通过隔板13以及层间绝缘膜12，按照各像素P来区隔成为发光部位的发光层8d。在像素P的R(红)、G(绿)、B(蓝)的图案是色带图案的情况下，如图14所示，隔板13沿同色像素在纵方向上排列为色带状，层间绝缘膜12与图4相同，设有包围像素电极8a且露出像素电极8a的开口部12a。

在该隔板13的开口部13a内，在像素电极8a上依次层积发光保护层8f、空穴注入层8b、中间层8c、发光层8d。

例如，如图5所示，在隔板13的开口部13a内的像素电极8a上层积了发光保护层8f，在发光保护层8f上层积了空穴注入层8b。

而且，在各开口部13a中的空穴注入层8b上涂敷了含有成为中间层8c的材料的液状体，对各基板10进行加热，形成使该液状体干燥而成膜的化合物膜，从而层积为中间层8c。

进一步，在各开口部13a中的中间层8c上涂敷含有成为发光层8d的材料的液状体，对各基板10进行加热，形成使该液状体干燥而成膜的化合物膜，从而层积为发光层8d。

另外，以覆盖该发光层8d和隔板13的方式设置有对置电极8e(参照图5)。EL元件8也可以构成为不设置中间层8c，而直接在空穴注入层8b上层积发光层8d，也可以层积发光层8d以外的电子注入层。

如下这样驱动该EL面板1，使其发光。

在向全部的电压供给线4施加规定程度的电压的状态下，通过扫描驱动器向扫描线2依次施加导通(ON)电压，从而依次选择与这些扫描线2连接的开关晶体管5。

在分别选择各扫描线2时，若通过数据驱动器向全部的信号线3施加与灰度(階調)相对应的程度的电压，则与该选择的扫描线2对应的开关晶体管5变为导通，向驱动晶体管6的栅极电极6a施加与该灰度相对应的程度的电压。

与向该驱动晶体管6的栅极电极6a施加的电压相对应地，确定了驱动晶体管6的栅极电极6a和源极电极6i之间的电位差，确定了驱动晶体管6中的漏极-源极电流的大小，EL元件8以对应于该漏极-源极电流的明亮度发光。

然后，若解除该扫描线2的选择，则开关晶体管5变为关断，因此，按照向驱动晶体管6的栅极电极6a施加的电压而向电容7蓄积电荷，从而保持驱动晶体管6的栅极电极6a和源极电极6i之间的电位差。

因此，驱动晶体管6中继续流动与选择时的电流值相同的漏极-源极电流，维持了EL元件8的发光亮度。

下面，对EL面板1的制造方法进行说明。

在基板10上通过溅射来堆积栅极金属层，通过光刻进行构图(patteming)，从而形成信号线3、电容7的电极7a、开关晶体管5的栅极电极5a以及驱动晶体管6的栅极电极6a。

接着，利用等离子CVD来堆积氮化硅等的栅极绝缘膜11。

接着，在连续堆积成为半导体膜5b、6b的非晶体硅等的半导体层、成为沟道保护膜5d、6d的氮化硅等的绝缘层之后，通过光刻形成沟道保护膜5d、6d的图案，在堆积了成为杂质半导体膜5f、5g、6f、6g的杂质层后，通过光刻对杂质层以及半导体层进行连续构图，从而形成杂质半导体膜5f、5g、6f、6g、半导体膜5b、6b。

而且，通过光刻，在栅极绝缘膜11上形成在各扫描线2的外部连接端子上开口的接触孔(未图示)以及接触孔11a～11c，所述接触孔用于连接位于EL面板1的一边的扫描驱动器。接着，在接触孔11a～11c内形成接触插塞20a～20c。也可以省略该接触插塞的形成工序。

接着，在EL面板1是底部发光式的情况下，在堆积ITO等的透明导电膜后进行构图从而形成像素电极8a。此时，像素电极8a的一侧边周缘与杂质半导体膜6g的一侧边周缘的上面重叠。然后，对开关晶体管5的漏极电极5h、源极电极5i以及驱动晶体管6的漏极电极6h、成为源极电极6i的源极、漏极金属层进行堆积并适当地进行构图，从而形成扫描线2、电压供给线4、电容7的电极7b、开关晶体管5的漏极电极5h、源极电极5i以及驱动晶体管6的漏极电极6h、源极电极6i。此时，像素电极8a的上述一侧边周缘的上面与源极电极6i的一侧边周缘重叠从而相互连接。

在EL面板1是顶部发光式的情况下，形成杂质半导体膜5f、5g、6f、6g、半导体膜5b、6b，在继续堆积源极、漏极金属层后，进行构图，除了形成扫描线2、电压供给线4、电容7的电极7b、开关晶体管5的漏极电极5h、源极电极5i以及驱动晶体管6的漏极电极6h、源极电极6i之外，还可以在形成像素电极8a的区域内形成光反射膜。该光反射膜形成为与源极电极6i连续。然后，在堆积了ITO等的透明导电膜后进行构图，并在光反射膜上形成像素电极8a。在此，源极电极6i的一侧边周缘的上面与像素电极8a的一侧边周缘重叠从而相互连接。

此外，在EL面板1是顶部发光式的情况下，可以使用源极、漏极金属层以外的其他的光反射膜(银或者铝等)。在该情况下，在形成杂质半导体膜5f、5g、6f、6g、半导体膜5b、6b后，连续堆积上述其他的光反射膜以及ITO等的透明导电膜，然后通过光刻一次性地对像素电极8a的形状进行构图。接着，也可以在堆积源极、漏极金属层之后，进行构图，从而形成扫描线2、电压供给线4、电容7的电极7b、开关晶体管5的漏极电极5h、源极电极5i以及驱动晶体管6的漏极电极6h、源极电极6i。在此，电极8a的一侧边周缘的上面与源极电极6i的一侧边周缘像素重叠从而相互连接。此外，也可以在堆积上述其他的光反射膜后进行构图，然后在堆积ITO等的透明导电膜后进行构图。此时，对透明导电膜进行湿蚀刻时使用的腐蚀剂有侵蚀上述其他的光反射膜的危险，在该情况下，以比上述其他的光反射膜大一圈的方式构图透明导电膜，以使得在上述其他的光反射膜的上面和侧面残留透明导电膜。此外，若不需要与透明导电膜一起构成光反射膜作为像素电极8a的一部分，则也可以在像素电极形成区域中形成上述其他的光反射膜、透明绝缘膜、透明导电膜的三层构造。

接着，如图7所示，通过气相成长法，以覆盖开关晶体管5、驱动晶体管6等的方式来成膜氮化硅等的绝缘膜，通过光刻对该绝缘膜进行构图，从而形成具有开口部12a的层间绝缘膜12，该开口部12a露出了像素电极8a的中央部。与该开口部12a一起，还形成了多个接触孔，该多个接触孔在未图示的扫描线2的外部连接端子上、与位于EL面板1的一边的数据驱动器连接的各信号线3的外部连接端子上以及电压供给线4的外部连接端子上分别开口。

接着，如图8所示，在基板10的上面侧用聚酰亚胺类的感光性树脂材料(13)成膜，并进行预焙(プリベ一ク)。

例如，在本实施方式的情况下，利用作为阳性的感光性聚酰亚胺类树脂材料的“東レ株式会社制フオトニ一スDW-1000”，通过旋转涂层(回転コ一ト)进行成膜，然后进行预焙。

接着，如图9所示，在使用光掩模对成膜的感光性树脂材料(13)进行曝光后再进行显影处理，形成具有开口部13a的格子状的隔板13，该开口部13a能够露出像素电极8a。

例如，在本实施方式的情况下，在利用规定的掩模图案对已成膜的感光性树脂材料(13)进行曝光处理后，通过四甲基氢氧化铵(TMAH)水溶液进行显影处理，使与开口部13a相当的部分的树脂材料溶出从而形成开口部13a，并形成了隔板13。另外，作为显影液的TMAH水溶液是碱性的水溶液。

而且，在进行水洗以冲洗掉附着在隔板13的表面、像素电极8a的表面的TMAH水溶液之后，对形成有隔板13的基板10进行干燥，以180℃～250℃的温度进行后焙(ポストベ一ク)，从而烧成隔板13。

接着，如图10所示，形成覆盖隔板13和在该隔板13的开口部13a内露出的像素电极8a的发光保护层8f。

在此，在本实施方式中用作显影液的TMAH容易吸附在隔板13的表面等而残留。尤其是，在隔板13、像素电极8a的表面残留了呈碱性的TMAH的状态下，若在该隔板13、像素电极8a上成膜了氧化钼层等的空穴注入层8b，则在TMAH的作用下，该空穴注入层8b可能会变质。即，使空穴注入层8b变质的TMAH成为发光阻碍要因，由于变质后的空穴注入层8b的空穴注入性恶化，因此EL元件8的发光有时会出问题。因此，需要在该隔板13、像素电极8a的表面覆盖发光保护层8f，以使得在隔板13以及像素电极8a的表面残留的TMAH不作用于空穴注入层8b。

而且，例如，在隔板13和像素电极8a的表面，将导电性高分子的PEDOT进行成膜，从而形成发光保护层8f，所述导电性高分子的PEDOT包含强酸性的PSS作为掺杂剂。例如，在本实施方式的情况下，将以1/10的比例用纯水来稀释“株式会社シユタルク社制的CH8000”的溶液通过旋转涂层法进行涂敷，在180℃～200℃的温度下进行干燥，并形成具有4～5nm的厚的发光保护层8f。也可以在形成发光保护层8f前，对隔板12以及像素电极8a的表面进行亲液处理。

尤其，由于在该发光保护层8f成膜时所涂敷的材料溶液是含有PSS的酸性溶液，因此，在隔板13、像素电极8a的表面残留有碱性的TMAH的情况下，能够中和该TMAH或者使其变为酸性来减少或清除成为发光阻碍要因的TMAH，从而减少或清除TMAH。

即，通过形成该发光保护层8f，利用发光保护层8f来封住TMAH，能够避免在有可能残留TMAH的隔板13和像素电极8a上直接形成空穴注入层8b。另外，在成膜发光保护层8f的过程中，由于能够进行残留TMAH的中和处理，能够进一步防止TMAH作用在空穴注入层8b上。

接着，如图11所示，通过溅射法、真空蒸镀法等，成膜由氧化钼等构成的迁移金属氧化物层，从像素电极8a上的发光保护层8f上开始、到隔板13表面上的发光保护层8f上连续形成空穴注入层8b。

例如，在本实施方式的情况下，通过蒸镀法将氧化钼成膜为30nm的厚度，形成空穴注入层8b，该空穴注入层8b覆盖与隔板13以及隔板13的开口部13a内的整个面相当的发光保护层8f。

接着，如图12所示，通过将分离的多个液滴喷出的喷墨方式或者流出连续的液流的喷嘴打印(nozzle print)方式，在隔板13的开口部13a内的空穴注入层8b上，涂敷将构成中间层8c的有机材料溶解或分散在水、氢化萘、四甲基苯或三甲苯等的有机溶剂中而成的液状体，并使其干燥，从而在空穴注入层8b上层积形成中间层8c。

另外，如图12所示，通过喷墨方式或者喷嘴打印方式，在隔板13的开口部13a内的中间层8c上涂敷将构成发光层8d的聚对苯亚乙烯类或聚芴类的有机发光材料溶解或分散在水、氢化萘、四甲基苯或三甲苯等的有机溶剂中而成的液状体，并使其干燥，从而在中间层8c上层积形成发光层8d。另外，在本实施方式的情况下，为了发光试验，将绿色的聚芴类发光材料溶解在二甲苯中，并将由此得到的溶液涂敷在开口部13a内的中间层8c上从而形成发光层8d。此外，可以不设中间层8c而构成为直接在空穴注入层8b上层积发光层8d，除了发光层8d之外还可以层积电子注入层。

接着，如图5所示，在隔板13上的空穴注入层8b的上面和隔板13的开口部13a内的发光层8d的上面，将对置电极8e成膜为一个面，从而形成覆盖发光层8d的对置电极8e。

例如，在本实施方式的情况下，在通过蒸镀法将Ca成膜为30nm的厚度后，进一步，通过蒸镀法将低电阻且具有安定性状的Al成膜为500nm的厚度，从而形成对置电极8e。

而且，通过成膜该对置电极8e，从而形成了EL元件8，制成了EL面板1。

这样，通过在成膜氧化钼层并形成空穴注入层8b之前，在隔板13和从该隔板13的开口部13a露出的像素电极8a的表面上成膜含有酸性材料的发光保护层8f，能够中和在隔板13、像素电极8a上残留的碱性的TMAH，或者使其变为酸性，从而除去上述残留的碱性的TMAH。另外，由于形成的发光保护层8f存在于空穴注入层8b和像素电极8a之间以及空穴注入层8b和隔板13之间，能够使得有可能残留TMAH的隔板13和像素电极8a不与空穴注入层8b接触。

如上所述，通过形成该发光保护层8f，能够防止使该空穴注入层8b变质的、成为发光阻碍要因的TMAH作用于空穴注入层8b，从而使得制造出的EL面板1能够具备具有良好状态的空穴注入层8b的EL元件8。

(实施例1)

在形成有被构图的多个ITO的玻璃基板上对由氮化硅构成的层间绝缘膜进行构图，通过旋转涂层，在整个面上将阳性的感光性聚酰亚胺类树脂材料(“フオトニ一スDW-1000東レ株式会社制”)堆积1～5μm的厚度，然后，通过加热板对堆积了感光性聚酰亚胺类树脂材料的玻璃基板进行2分钟的120℃的预焙。然后，在曝光工序中，在50～100mJ/cm²、5～10秒的条件下，用gh混合线照射隔壁非形成区域的感光性聚酰亚胺类树脂材料，在通过2.3～2.5％TMAH溶液对玻璃基板进行显影后，用纯水清洗玻璃基板，并进行旋转干燥。接着，在洁净烘箱(clean oven)中以180～320℃的温度对玻璃基板进行2小时的后焙，从而形成了具有开口部13a的隔板13。在隔板13表面上以及ITO上涂敷PEDOT:PSS酸性溶液(“CH8000株式会社シユタルク社制”)的1/10稀释水溶液，在以180～200℃进行干燥后，覆盖了4～5nm的发光保护层。在发光保护层的表面，通过蒸镀法将氧化钼成膜30nm的厚度。接着，在依次成膜了中间层、聚芴类的发光层(65nm厚度)后，作为阴极而连续蒸镀成膜30nm的Ca、500nm的Al。

而且，在对位于空穴注入层8b的下层侧的EL面板1进行发光试验时，如图13B所示，确认了构成EL面板1的各像素P的EL元件8处于适当发光的状态。

与此相对，在未成膜发光保护层8f而其他的条件与实施例1相同的情况下，对形成了空穴注入层8b的EL面板进行发光试验时，如图13A所示，发现在该EL面板的随机的位置产生了EL元件8部分不发光的区域，即所谓的黑斑(dark spot)。这是由于呈碱性的TMAH等的发光阻碍要因使得由氧化钼等构成的空穴注入层8b变质，导致该变质的空穴注入层8b的空穴注入性恶化，从而产生了不发光的EL元件8。

根据以上的结果，该EL面板的制造方法，即，在使用碱性的TMAH作为显影液来形成隔板13之后形成由氧化钼等构成的空穴注入层8b时，在形成该空穴注入层8b之前，成膜发光保护层8f的方法，是能够制造发光特性优良的EL面板(发光装置)的技术。

此外，根据该制造方法而在成膜发光保护层8f后形成空穴注入层8b的EL面板1是发光特性优良的发光装置。

(实施例2)

在形成有被构图的多个ITO的玻璃基板上对由氮化硅构成的层间绝缘膜进行构图，通过旋转涂层，在整个面上将阳性的感光性聚酰亚胺类树脂材料(“フオトニ一スDW-1000東レ株式会社制”)堆积1～5μm的厚度，然后，通过加热板对堆积了感光性聚酰亚胺类树脂材料的玻璃基板进行2分钟的120℃的预焙。然后，在曝光工序中，在50～100mJ/cm²、5～10秒的条件下，用gh混合线照射隔壁非形成区域的感光性聚酰亚胺类树脂材料，在通过2.3～2.5％TMAH溶液对玻璃基板进行显影后，用纯水清洗玻璃基板，并进行旋转干燥。接着，在洁净烘箱(clean oven)中以180～320℃的温度对玻璃基板进行2小时的后焙，从而形成了具有开口部的隔板。在隔板表面以及ITO上溅射氧化锗(GeO2)而成膜为2nm的厚度，作为发光保护层，与实施例1相同，在发光保护层的表面上，通过蒸镀法将氧化钼成膜为30nm的厚度。接着，在依次成膜了中间层、发光层(65nm厚度)后，作为阴极而连续蒸镀成膜3nm的Ba、500nm的Al。通过氧化锗来阻止隔板的成分向氧化钼移动，从而确认了黑斑不成长。

这样，由于由氧化锗(GeO₂)构成的发光保护层8f存在于空穴注入层8b和像素电极8a之间以及空穴注入层8b和隔板13之间，因此发光保护层8f封住了TMAH，能够防止有可能残留TMAH的隔板13和像素电极8a不与空穴注入层8b接触。

而且，由于由GeO₂构成的发光保护层8f具有空穴注入性，因此在向空穴注入层8b层积时，发光保护层8f作为空穴注入层的一部分而发挥作用，另外，能够防止成为发光阻碍要因的TMAH作用于空穴注入层8b，从而使得制造出的EL面板1具备具有良好状态的空穴注入层8b的EL元件8。

另外，本发明不仅限于上述实施方式。

例如，发光保护层8f不仅限于成膜了PEDOT/PSS的层，例如也可以是将不妨碍穴注入性的氧化硅(SiO₂)等的金属氧化物(第IV族元素的氧化物)成膜为数nm的层。将氧化硅作为发光保护层8f的EL面板1的制造方法与氧化锗的EL面板1的制法相同，因此省略其说明。

另外，在以上的实施方式中，以将发光装置适用于作为显示装置的EL面板的情况为例进行了说明，但本发明并不仅限定于此，本发明例如也可以适用于曝光装置、光编址装置、照明装置等。

此外，对于其他的具体的细节结构等，当然也可以进行适当的变更。

下面，使用附图对实施本发明的优选方式进行说明。其中，在以下所述的实施方式中，为了实施本发明而在技术上进行了优选的种种限定，但发明的范围并不仅限于以下的实施方式以及图示例。

另外，在本实施方式中，将发光装置适用于作为显示装置的EL面板来说明本发明。

图1是表示EL面板1的多个像素P的配置构成的平面图，图2是表示构成EL面板1的概略构成的平面图。

如图1、图2所示，在EL面板1上以规定的图案矩阵状地配置了例如分别发出R(红)、G(绿)、B(蓝)光的多个像素P。

在该EL面板1上，多个扫描线2沿行方向以大致互相平行的方式排列，多个信号线3在俯视情况下沿着与扫描线2大致正交的列方向以大致互相平行的方式排列。此外，在相邻的扫描线2之间，沿着扫描线2设有电压供给线4。而且，由这些各扫描线2、相邻的两条信号线3和各电压供给线4围成的范围相当于像素P。

此外，在EL面板1中，以覆盖扫描线2、信号线3、电压供给线4的上方的方式，设有格子状的隔壁即隔板13。针对各像素P形成有由该隔板13围成的大致长方形形状的多个开口部13a，在该开口部13a内层积设置有后述的像素电极8a、空穴注入层8b、中间层8c、发光层8d。

图3是表示以有源矩阵驱动方式动作的EL面板1的一个像素所相当的电路的电路图。

如图3所示，在EL面板1中设有扫描线2、与扫描线2交差的信号线3、沿着扫描线2的电压供给线4，在该EL面板1的一个像素P中设有开关晶体管5、驱动晶体管6、电容7和EL元件8，所述开关晶体管5和所述驱动晶体管6都是薄膜晶体管。

在各像素P中，开关晶体管5的栅极与扫描线2连接，开关晶体管5的漏极和源极中的一个与信号线3连接，开关晶体管5的漏极和源极中的另一个与电容7的一个电极以及驱动晶体管6的栅极连接。驱动晶体管6的源极和漏极中的一个与电压供给线4连接，驱动晶体管6的源极和漏极中的另一个与电容7的另一个电极以及EL元件8的阳极连接。另外，所有的像素P的EL元件8的阴极保持着一定电压Vcom(例如，接地)。开关晶体管5以及驱动晶体管6可以都是n沟道型，也可以都是p沟道型，也可以一个是n沟道型另一个是p沟道型。

此外，在该EL面板1的周围，各扫描线2与扫描驱动器连接，各电压供给线4与输出一定电压源或者适当的电压信号的驱动器连接，各信号线3与数据驱动器连接，通过这些驱动器，以有源矩阵驱动方式来驱动EL面板1。向电压供给线4供给一定电压源或者由驱动器提供的规定的电能。

下面，参照图4、图15、图16，对EL面板1和该像素P的电路结构进行说明。

在此，图4是与EL面板1的一个像素P相当的平面图，图15是沿图4的V-V线的面的向视断面图，图16是沿图4的VI-VI线的面的向视断面图。另外，在图4中主要表示电极以及布线。

如图4所示，开关晶体管5以及驱动晶体管6沿着信号线3排列，在开关晶体管5的附近配置有电容7，在驱动晶体管6的附近配置有EL元件8。此外，在与该像素对应的扫描线2以及电压供给线4之间配置有开关晶体管5、驱动晶体管6、电容7以及EL元件8。

如图4、图15、图16所示，在基板10上的一面上成膜有栅极绝缘膜11，在开关晶体管5、驱动晶体管6以及这些周围的栅极绝缘膜11上成膜有层间绝缘膜12。信号线3形成在栅极绝缘膜11和基板10之间，扫描线2以及电压供给线4形成在栅极绝缘膜11和层间绝缘膜12之间。

此外，如图4、图16所示，开关晶体管5是逆参差构造的薄膜晶体管。该开关晶体管5具有栅极电极5a、栅极绝缘膜11、半导体膜5b、沟道保护膜5d、杂质半导体膜5f、5g、漏极电极5h、源极电极5i等。

栅极电极5a形成在基板10和栅极绝缘膜11之间。该栅极电极5a例如由Cr膜、Al膜、Cr/Al层积膜、AlTi合金膜、AlTiNd合金膜或者MoNb合金膜构成。此外，在栅极电极5a上成膜有绝缘性的栅极绝缘膜11，通过该栅极绝缘膜11来覆盖栅极电极5a。

栅极绝缘膜11例如由硅氮化物或者硅氧化物构成。在该栅极绝缘膜11上与栅极电极5a对应的位置形成有本征的半导体膜5b、半导体膜5b隔着栅极绝缘膜11与栅极电极5a相对。

半导体膜5b例如由非晶体硅或者多结晶硅构成，在该半导体膜5b中形成沟道。此外，在半导体膜5b的中央部上形成有绝缘性的沟道保护膜5d。该沟道保护膜5d例如由硅氮化物或者硅氧化物构成。

此外，在半导体膜5b的一端部上形成有杂质半导体膜5f，并且该杂质半导体膜5f与沟道保护膜5d的一部分重叠，半导体膜5b的另一端部上形成有杂质半导体膜5g，并且该杂质半导体膜5g与沟道保护膜5d的一部分重叠。而且，杂质半导体膜5f、5g分别形成在半导体膜5b的两端侧且相互离开。另外，杂质半导体膜5f、5g是n型半导体，但也不仅限于此，也可以是p型半导体。

在杂质半导体膜5f上形成有漏极电极5h。在杂质半导体膜5g上形成有源极电极5i。漏极电极5h、源极电极5i例如由Cr膜，Al膜，Cr/Al层积膜，AlTi合金膜或者AlTiNd合金膜构成。

沟道保护膜5d、漏极电极5h以及源极电极5i上成膜有作为保护膜的绝缘性的层间绝缘膜12，沟道保护膜5d、漏极电极5h以及源极电极5i被层间绝缘膜12覆盖。而且，开关晶体管5被层间绝缘膜12覆盖。层间绝缘膜12例如由厚度为100nm～200nm的氮化硅或者氧化硅构成。

此外，如图4、图15所示，驱动晶体管6是逆参差构造的薄膜晶体管。该驱动晶体管6具有栅极电极6a、栅极绝缘膜11、半导体膜6b、沟道保护膜6d、杂质半导体膜6f、6g、漏极电极6h、源极电极6i等。

栅极电极6a例如由Cr膜、Al膜、Cr/Al层积膜、AlTi合金膜、AlTiNd合金膜或者MoNb合金膜构成，与栅极电极5a相同，栅极电极6a形成在基板10和栅极绝缘膜11之间。而且，栅极电极6a例如被由硅氮化物或者硅氧化物构成的栅极绝缘膜11覆盖。

在该栅极绝缘膜11上与栅极电极6a对应的位置形成有沟道的半导体膜6b，例如由非晶体硅或者多结晶硅形成。该半导体膜6b隔着栅极绝缘膜11与栅极电极6a相对。

在半导体膜6b的中央部上形成有绝缘性的沟道保护膜6d。该沟道保护膜6d例如由硅氮化物或者硅氧化物构成。

此外，在半导体膜6b的一端部上形成有杂质半导体膜6f，并且该杂质半导体膜6f与沟道保护膜6d的一部分重叠，在半导体膜6b的另一端部上形成有杂质半导体膜6g，该杂质半导体膜6g与沟道保护膜6d的一部分重合。而且，杂质半导体膜6f、6g分别形成在半导体膜6b的两端侧并且相互离开。另外，杂质半导体膜6f、6g是n型半导体，但不仅限于此，也可以是p型半导体。

在杂质半导体膜6f上形成有漏极电极6h。在杂质半导体膜6g上形成有源极电极6i。漏极电极6h、源极电极6i例如由Cr膜、Al膜、Cr/Al层积膜、AlTi合金膜、AlTiNd合金膜或者MoNb合金膜构成。

在沟道保护膜6d、漏极电极6h以及源极电极6i上成膜有作为保护膜的绝缘性的层间绝缘膜12，沟道保护膜6d、漏极电极6h以及源极电极6i被层间绝缘膜12覆盖。而且，驱动晶体管6被层间绝缘膜12覆盖。

如图4、图16所示，电容7具有对置的一对的电极7a、7b以及存在于它们之间作为介质的栅极绝缘膜11。而且，一个电极7a形成在基板10和栅极绝缘膜11之间，另一个电极7b形成在栅极绝缘膜11和层间绝缘膜12之间。

另外，电容7的电极7a与驱动晶体管6的栅极电极6a连接为一体，电容7的电极7b与驱动晶体管6的源极电极6i连接为一体。此外，驱动晶体管6的漏极电极6h与电压供给线4连接为一体。

另外，通过光刻法以及蚀刻法等对在基板10上成膜为一个面的导电膜即栅极金属层进行形状加工，从而一次性形成信号线3、电容7的电极7a、开关晶体管5的栅极电极5a以及驱动晶体管6的栅极电极6a。

此外，通过光刻法以及蚀刻法等，对在栅极绝缘膜11等上成膜为一个面的导电膜即源极、漏极金属层进行形状加工，从而形成扫描线2、电压供给线4、电容7的电极7b、开关晶体管5的漏极电极5h、源极电极5i以及驱动晶体管6的漏极电极6h、源极电极6i。

在栅极绝缘膜11上，在栅极电极5a与扫描线2重叠的区域形成接触孔11a，在漏极电极5h和信号线3重叠的区域形成接触孔11b，在栅极电极6a和源极电极5i重合的区域形成接触孔11c，在接触孔11a～11c内分别埋入了导电性的接触插塞20a～20c。开关晶体管5的栅极5a和扫描线2通过接触插塞20a而电导通，开关晶体管5的漏极电极5h和信号线3通过接触插塞20b而电导通，开关晶体管5的源极电极5i和电容7的电极7a通过接触插塞20c而电导通，并且开关晶体管5的源极电极5i和驱动晶体管6的栅极电极6a通过接触插塞20c而电导通。也可以不经由上述接触插塞20a～20c，使扫描线2与直接栅极电极5a接触、漏极电极5h与信号线3接触、源极电极5i与栅极电极6a接触。

像素电极8a隔着栅极绝缘膜11而设在基板10上，且按各像素P独立形成。在EL面板1是从基板10射出EL元件8的光的底部发光式的情况下，该像素电极8a是透明电极，例如包含掺杂锡的氧化铟(ITO)、掺杂锌的氧化铟、氧化铟(In₂O₃)、氧化锡(SnO₂)、氧化锌(ZnO)或者镉-锡氧化物(CTO)的至少一种。在EL面板1是EL元件8的光透射后述的对置电极8e而射出的顶部发光式的情况下，像素电极8a可以是上述的透明电极的层以及在该层之下直接或者隔着透明绝缘膜层积Al膜、Al合金膜或者Cr膜等的光反射层的层积构造。此时，光反射层也可以由源极、漏极金属层形成。另外，像素电极8a的一部分与驱动晶体管6的源极电极6i重叠，从而像素电极8a与源极电极6i连接。

而且，如图4、图15、图16所示，层间绝缘膜12以覆盖扫描线2、信号线3、电压供给线4、开关晶体管5、驱动晶体管6、像素电极8a的周缘部、电容7的电极7b以及栅极绝缘膜11的方式形成。

在该层间绝缘膜12上形成有开口部12a，以露出各像素电极8a的中央部。因此，层间绝缘膜12形成为俯视情况下的格子状。

如图4、图15所示，EL元件8具备：成为阳极的第一电极即像素电极8a；在像素电极8a上形成的作为载流子传输层的空穴注入层8b；在空穴注入层8b上形成的作为载流子传输层的一部分而发挥作用的中间层8c；在中间层8c上形成的作为载流子传输层的发光层8d；以及在发光层8d上形成的作为第二电极的对置电极8e。对置电极8e是全部像素P的公共的电极，作为单一电极(阴极)而在全部像素P上连续形成。

空穴注入层8b例如是由迁移金属氧化物构成的层，是从像素电极8a向发光层8d注入空穴的载流子注入层。该空穴注入层8b可以使用作为迁移金属氧化物的氧化钼、氧化钒、氧化钨、氧化钛等，尤其优选氧化钼。

中间层8c例如是由聚芴类材料构成的电子传输抑制层，具有在施加了正偏电压时抑制电子从发光层8d向空穴注入层8b侧移动的功能。

发光层8d包含使各像素P发出R(红)、G(绿)、B(蓝)光中的某一种光的有机材料，例如由聚芴类发光材料、聚苯亚乙烯类发光材料等的共轭双键聚合物构成，该发光层8d是伴随着从对置电极8e供给的电子和从空穴注入层8b注入的空穴的再结合而发光的层。因此，发出R(红)光的像素P、发出G(绿)光的像素P、发出B(蓝)光的像素P各自的发光层8d的发光材料不同。像素P的R(红)、G(绿)、B(蓝)的图案可以是三角排列，或者也可以是在纵方向上排列同色像素的色带图案。

在EL面板1是底部发光式的情况下，例如，Mg、Ca、Ba、Li等的功函数为4.0eV以下，优选3.0eV以下，对置电极8e可以是层积30nm以下的厚度的低功函数层和厚度为100nm以上的Al膜、Al合金膜等的光反射层的层积构造，所述光反射层为了降低薄膜电阻而被设置在低功函数层上。

此外，在EL面板1是顶部发光式的情况下，对置电极8e可以是层积上述低功函数层和透明导电层的层积构造，该透明导电层设在该低功函数层上，例如由掺杂锡的氧化铟(ITO)、掺杂锌的氧化铟、氧化铟(In₂O₃)、氧化锡(SnO₂)、氧化锌(ZnO)或者镉-锡氧化物(CTO)等构成。

该对置电极8e是全部像素P的公共的电极，覆盖在隔板13以及发光层8d等上。

隔板13是在层间绝缘膜12上形成的隔壁，例如由感光性的聚酰亚胺类树脂材料等的绝缘性的树脂材料构成。在利用湿式法形成中间层8c、发光层8d时，隔板13作为隔壁而发挥作用，以使得将成为中间层8c、发光层8d的材料溶解或分散在溶剂中的液状体不向相邻的像素P流出。

而且，通过隔板13以及层间绝缘膜12，按照各像素P来区隔成为发光部位的发光层8d。在像素P的R(红)、G(绿)、B(蓝)的图案是色带图案的情况下，如图14所示，隔板13沿同色像素在纵方向上排列为色带状，层间绝缘膜12与图4相同，设有包围像素电极8a且露出像素电极8a的开口部12a。

在该隔板13的开口部13a内，依次层积空穴注入层8b、中间层8c、发光层8d。

例如，如图15所示，在隔板13的开口部13a内的像素电极8a上层积了空穴注入层8b。

而且，在各开口部13a中的空穴注入层8b上涂敷了含有成为中间层8c的材料的液状体，对各基板10进行加热，形成使该液状体干燥而成膜的化合物膜，从而层积为中间层8c。

进一步，在各开口部13a中的中间层8c上涂敷含有成为发光层8d的材料的液状体，对各基板10进行加热，形成使该液状体干燥而成膜的化合物膜，从而层积为发光层8d。

另外，以覆盖该发光层8d和隔板13的方式设置有对置电极8e(参照图15)。

如下这样驱动该EL面板1，使其发光。

在向全部的电压供给线4施加规定程度的电压的状态下，通过扫描驱动器向扫描线2依次施加导通电压，从而依次选择与这些扫描线2连接的开关晶体管5。

在分别选择各扫描线2时，若通过数据驱动器向全部的信号线3施加与灰度(階調)相对应的程度的电压，则与该选择的扫描线2对应的开关晶体管5变为导通，向驱动晶体管6的栅极电极6a施加与该灰度相对应的程度的电压。

与向该驱动晶体管6的栅极电极6a施加的电压相对应地，确定了驱动晶体管6的栅极电极6a和源极电极6i之间的电位差，确定了驱动晶体管6中的漏极-源极电流的大小，EL元件8以对应于该漏极-源极电流的明亮度发光。

然后，若解除该扫描线2的选择，则开关晶体管5变为关断，因此，按照向驱动晶体管6的栅极电极6a施加的电压而向电容7蓄积电荷，从而保持驱动晶体管6的栅极电极6a和源极电极6i之间的电位差。

因此，驱动晶体管6中继续流动与选择时的电流值相同的漏极-源极电流，维持了EL元件8的发光亮度。

下面，对EL面板1的制造方法进行说明。

在基板10上通过溅射来堆积栅极金属层，通过光刻进行构图，从而形成信号线3、电容7的电极7a、开关晶体管5的栅极电极5a以及驱动晶体管6的栅极电极6a。

接着，通过等离子CVD来堆积氮化硅等的栅极绝缘膜11。

接着，在连续堆积成为半导体膜5b、6b的非晶体硅等的半导体层、成为沟道保护膜5d、6d的氮化硅等的绝缘层之后，通过光刻形成沟道保护膜5d、6d的图案，在堆积了成为杂质半导体膜5f、5g、6f、6g的杂质层后，通过光刻对杂质层以及半导体层进行连续构图，从而形成杂质半导体膜5f、5g、6f、6g、半导体膜5b、6b。

而且，通过光刻，在栅极绝缘膜11上形成在各扫描线2的外部连接端子上开口的接触孔(未图示)以及接触孔11a～11c，所述接触孔用于连接位于EL面板1的一边的扫描驱动器。接着，在接触孔11a～11c内形成接触插塞20a～20c。也可以省略该接触插塞的形成工序。

接着，在EL面板1是底部发光式的情况下，在堆积ITO等的透明导电膜后进行构图从而形成像素电极8a。此时，像素电极8a的一侧边周缘与杂质半导体膜6g的一侧边周缘的上面重叠。然后，对开关晶体管5的漏极电极5h、源极电极5i以及驱动晶体管6的漏极电极6h、成为源极电极6i的源极、漏极金属层进行堆积并适当地进行构图，从而形成扫描线2、电压供给线4、电容7的电极7b、开关晶体管5的漏极电极5h、源极电极5i以及驱动晶体管6的漏极电极6h、源极电极6i。此时，像素电极8a的上述一侧边周缘的上面与源极电极6i的一侧边周缘重叠从而相互连接。

在EL面板1是顶部发光式的情况下，形成杂质半导体膜5f、5g、6f、6g、半导体膜5b、6b，在继续堆积源极、漏极金属层后，进行构图，除了形成扫描线2、电压供给线4、电容7的电极7b、开关晶体管5的漏极电极5h、源极电极5i以及驱动晶体管6的漏极电极6h、源极电极6i之外，还可以在形成像素电极8a的区域内形成光反射膜。该光反射膜形成为与源极电极6i连续。然后，在堆积了ITO等的透明导电膜后进行构图，并在光反射膜上形成像素电极8a。在此，源极电极6i的一侧边周缘的上面与像素电极8a的一侧边周缘重叠从而相互连接。

此外，在EL面板1是顶部发光式的情况下，可以使用源极、漏极金属层以外的其他的光反射膜(银或者铝等)。在该情况下，在形成杂质半导体膜5f、5g、6f、6g、半导体膜5b、6b后，连续堆积上述其他的光反射膜以及ITO等的透明导电膜，然后通过光刻一次性地对像素电极8a的形状进行构图。接着，也可以在堆积源极、漏极金属层之后，进行构图，从而形成扫描线2、电压供给线4、电容7的电极7b、开关晶体管5的漏极电极5h、源极电极5i以及驱动晶体管6的漏极电极6h、源极电极6i。在此，电极8a的一侧边周缘的上面与源极电极6i的一侧边周缘像素重叠从而相互连接。此外，也可以在堆积上述其他的光反射膜后进行构图，然后在堆积ITO等的透明导电膜后进行构图。此时，对透明导电膜进行湿蚀刻时使用的腐蚀剂有侵蚀上述其他的光反射膜的危险，在该情况下，以比上述其他的光反射膜大一圈的方式构图透明导电膜，以使得在上述其他的光反射膜的上面和侧面残留透明导电膜。此外，若不需要与透明导电膜一起构成光反射膜作为像素电极8a的一部分，则也可以在像素电极形成区域中形成上述其他的光反射膜、透明绝缘膜、透明导电膜的三层构造。

接着，如图7所示，通过气相成长法，以覆盖开关晶体管5、驱动晶体管6等的方式来成膜氮化硅等的绝缘膜，通过光刻对该绝缘膜进行构图，从而形成具有开口部12a的层间绝缘膜12，该开口部12a露出了像素电极8a的中央部。与该开口部12a一起，还形成了多个接触孔，该多个接触孔在未图示的扫描线2的外部连接端子上、与位于EL面板1的一边的数据驱动器连接的各信号线3的外部连接端子上以及电压供给线4的外部连接端子上分别开口。

接着，如图8所示，在基板10的上面侧用聚酰亚胺类的感光性树脂材料(13)成膜，并进行预焙。

例如，在本实施方式的情况下，利用作为阳性的感光性聚酰亚胺类树脂材料的“東レ株式会社制フオトニ一スDW-1000”，通过旋转涂层(旋转コ一ト)进行成膜，然后进行预焙。

接着，如图9所示，在使用光掩模对成膜的感光性树脂材料(13)进行曝光后再进行显影处理，形成具有开口部13a的格子状的隔板13，该开口部13a能够露出像素电极8a。

例如，在本实施方式的情况下，在利用规定的掩模图案对已成膜的感光性树脂材料(13)进行曝光处理后，通过四甲基氢氧化铵(TMAH)水溶液进行显影处理，使与开口部13a相当的部分的树脂材料溶出从而形成开口部13a，并形成了隔板13。

另外，作为显影液的TMAH水溶液是碱性的水溶液。

另外，对隔板13和从该隔板13的开口部13a露出的像素电极8a的表面进行中和清洗。

在此，由于在本实施方式中用作显影液的TMAH容易吸附在隔板13的表面等而残留，因此需要对形成的隔板13以及像素电极8a的表面所附着的TMAH进行除去清洗。尤其是，在隔板13、像素电极8a的表面残留了呈碱性的TMAH的状态下，由氧化钼等构成的空穴注入层8b可能会变质。即，使空穴注入层8b变质的TMAH成为发光阻碍要因，由于变质后的空穴注入层8b的空穴注入性恶化，因此EL元件8的发光有时会出问题。

而且，例如，在显影处理后，首先，对形成的隔板13和像素电极8a的表面进行水洗处理。在该水洗处理后，使用具有显酸性的羧基以及磺基等、而反离子中不含有金属离子的有机酸水溶液，至少冲洗(リンス)一次，中和碱性或者使其变为酸性。此外，在用有机酸水溶液处理了残留TMAH后，再次用中性的水或者与有机酸水溶液相比呈弱酸性的水溶液清洗隔板13以及像素电极8a的表面，从而除去有机酸。另外，有机酸水溶液例如可以使用0.1M的醋醋酸水溶液，当然只要是酸性即可，浓度以及有机酸的种类并不仅限于此，例如，甲酸，柠檬酸，草酸。

在进行了该有机酸的处理后，对形成有隔板13的基板10进行干燥，以180℃～250℃的温度进行后焙，从而烧成隔板13。

接着，如图17所示，通过溅射法、真空蒸镀法等，成膜由例如氧化钼等构成的空穴注入性的迁移金属氧化物层，在像素电极8a上形成空穴注入层8b。

例如，在本实施方式的情况下，通过蒸镀法将氧化钼成膜为30nm的厚度，从而形成覆盖像素电极8a以及隔板13的空穴注入层8b。

接着，如图18所示，通过将分离的多个液滴喷出的喷墨方式或者流出连续的液流的喷嘴打印方式，在隔板13的开口部13a内的空穴注入层8b上，涂敷将构成呈电子阻断(blocking)性的中间层8c的、含有聚芴类的化合物的有机材料溶解或分散在氢化萘、四甲基苯、三甲苯等的有机溶剂中而成的液状体，并使其干燥，从而在空穴注入层8b上层积形成中间层8c。

另外，如图18所示，通过喷墨方式或者喷嘴打印方式，在隔板13的开口部13a内的中间层8c上涂敷将构成发光层8d的聚对苯亚乙烯类或聚芴类的有机发光材料溶解或分散在水、氢化萘、四甲基苯或三甲苯等的有机溶剂中而成的液状体，并使其干燥，从而在中间层8c上层积形成发光层8d。另外，在本实施方式的情况下，为了发光试验，将绿色的聚芴类发光材料溶解在二甲苯中，并将由此得到的溶液涂敷在开口部13a内的中间层8c上从而形成发光层8d。此外，可以不设中间层8c而构成为直接在空穴注入层8b上层积发光层8d。

接着，如图15所示，在隔板13上的空穴注入层8b的上面和隔板13的开口部13a内的发光层8d的上面，将对置电极8e成膜为一个面，从而形成覆盖发光层8d的对置电极8e。

例如，在本实施方式的情况下，在通过蒸镀法将Ca成膜为30nm的厚度后，进一步，通过蒸镀法将低电阻且具有安定性状的Al成膜为500nm的厚度，从而形成对置电极8e。

而且，通过成膜该对置电极8e，从而形成了EL元件8，制成了EL面板1。

这样，通过在成膜迁移金属氧化物层并形成空穴注入层8b之前，对隔板13和从该隔板13的开口部13a露出的像素电极8a的表面进行中和清洗，由于能够除去使空穴注入层8b变质的、成为发光阻碍要因的TMAH这种碱性部材，从而使得制造出的EL面板1能够具备具有良好状态的空穴注入层8b的EL元件8。

而且，在对隔板13以及像素电极8a的表面进行中和清洗从而除去成为发光阻碍要因的碱性物质之后，在形成空穴注入层8b的EL面板1中，构成各像素P的EL元件8变为适当发光的状态。

与此相对，若不进行除去成为发光阻碍要因的碱性物质的中和清洗就形成空穴注入层8b的EL面板，则发现在该EL面板的随机的位置产生了EL元件8部分不发光的区域，即所谓的黑斑。这是由于呈碱性的TMAH使得由氧化钼等构成的空穴注入层8b变质，导致该变质的空穴注入层8b的空穴注入性恶化，从而产生了不发光的EL元件8。

根据以上的结果，在制造具备EL元件8的EL面板1时(其中所述EL元件8是由像素电极8a、空穴注入层8b、发光层8d和对置电极8e层积而成)，上述EL面板制造方法，即，在对隔板13以及像素电极8a的表面进行中和清洗从而除去成为发光阻碍要因的碱性物质之后，形成空穴注入层8b的方法，是能够制造出发光特性优良的EL面板(发光装置)的技术。

此外，根据该制造方法而在除去TMAH后形成空穴注入层8b的EL面板1是发光特性优良的发光装置。

另外，在上述的实施方式中，以将发光装置适用于作为显示装置的EL面板的情况为例进行了说明，但本发明并不仅限定于此，本发明例如也可以适用于曝光装置、光编址装置、照明装置等。

此外，对于其他的具体的细节结构等，当然也可以进行适当的变更。

Claims (13)

1.一种发光装置，其特征在于，具有：

第一电极；

在上述第一电极上的至少一层以上的载流子传输层；

在上述载流子传输层上的第二电极；

隔壁，具有与形成在基板的上面侧的上述第一电极连通的开口部；以及

发光保护层，存在于上述隔壁和上述载流子传输层之间。

2.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，

上述发光保护层对由上述隔壁所引起的发光阻碍要因进行中和或者使该发光阻碍要因变为酸性。

3.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，

上述发光保护层由酸性材料形成。

4.如权利要求1～3中任一项所述的发光装置，其特征在于，

上述隔壁是使阳性的感光性聚酰亚胺类树脂材料固化而成。

5.如权利要求1～3中任一项所述的发光装置，其特征在于，

通过碱性溶液来对上述隔壁进行显影。

6.一种发光装置的制造方法，所述发光装置具有第一电极、在上述第一电极上的至少一层以上的载流子传输层以及在上述载流子传输层上的第二电极，该发光装置的制造方法包括以下工序：

隔壁形成工序，形成隔壁，该隔壁具有与形成在基板的上面侧的上述第一电极连通的开口部；

发光保护层形成工序，形成发光保护层，该发光保护层至少覆盖上述隔壁，并封住由上述隔壁引起的发光阻碍要因；以及

载流子传输层形成工序，形成上述载流子传输层，上述载流子传输层覆盖上述第一电极以及上述发光保护层。

7.如权利要求6所述的发光装置的制造方法，其特征在于，

上述发光保护层形成工序包括在对成为上述发光保护层的材料进行成膜时，对由该隔壁引起的发光阻碍要因进行中和或者使该发光阻碍要因变为酸性的工序。

8.如权利要求6或7所述的发光装置的制造方法，其特征在于，

上述隔壁形成工序包括用碱性溶液对成为上述隔壁的材料进行显影的工序，

上述发光保护层形成工序包括对在上述隔壁以及上述第一电极的表面残留的上述碱性溶液进行中和或者使该残留的上述碱性溶液变为酸性的工序。

9.一种发光装置的制造方法，所述发光装置具有第一电极、在上述第一电极上的至少一层以上的载流子传输层以及在上述载流子传输层上的第二电极，该发光装置的制造方法包括以下工序：

隔壁形成工序，形成隔壁，该隔壁具有与基板上的上述第一电极连通的开口部；

表面清洗工序，对上述隔壁以及上述第一电极的表面进行清洗，从而除去在上述隔壁形成工序中产生的发光阻碍要因；以及

载流子传输层形成工序，形成上述载流子传输层，上述载流子传输层覆盖上述第一电极以及上述隔壁。

10.如权利要求9所述的发光装置的制造方法，其特征在于，

上述隔壁形成工序包括在用规定的掩模图案对成为上述隔壁的材料进行曝光后，用碱性溶液对成为上述隔壁的材料进行显影的工序，

上述表面清洗工序包括用酸性溶液对在上述隔壁以及上述第一电极的表面残留的上述碱性溶液进行中和或者使该残留的上述碱性溶液变为酸性的工序。

11.如权利要求10所述的发光装置的制造方法，其特征在于，

还包括在用上述酸性溶液对残留的上述碱性溶液进行中和或者使该残留的上述碱性溶液变为酸性的工序后，用水或与上述酸性溶液相比呈弱酸性的水溶液清洗上述隔壁以及上述第一电极的工序。

12.如权利要求9所述的发光装置的制造方法，其特征在于，

还包括在上述载流子传输层形成工序后，在上述开口部内的上述载流子传输层上形成上述第二电极的第二电极形成工序。

13.一种发光装置，其特征在于，

通过权利要求9～12中任一项所述的发光装置的制造方法而被制造。

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