CN101646741A - 感光性粘接剂组合物、膜状粘接剂、粘接片、粘接剂图形、贴有粘接剂层的半导体晶片，半导体装置及半导体装置的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明的感光性粘接剂组合物，其含有(A)碱可溶性树脂、(B)环氧树脂、(C)放射线聚合性化合物和(D)光引发剂，其中，(D)光引发剂至少含有(D1)通过放射线照射而表现出促进环氧树脂的聚合和/或固化反应的功能的光引发剂。

Description

感光性粘接剂组合物、膜状粘接剂、粘接片、粘接剂图形、贴有粘接剂层的半导体晶片，半导体装置及半导体装置的制造方法

技术领域

本发明涉及感光性粘接剂组合物、膜状粘接剂、粘接片、粘接剂图形、贴有粘接剂层的半导体晶片、半导体装置及半导体装置的制造方法。

背景技术

在半导体封装等半导体装置的制造中，在半导体元件和半导体元件搭载用支撑基材的接合中一直以来使用粘接剂。该粘接剂，从半导体装置的可靠性的观点出发，要求用于充分确保耐焊接回流性的耐热性或耐湿可靠性。另外，有经过将膜状的粘接剂粘附于半导体晶片等的工序进行接合的方法，此时，为了使对于被粘接物的热损伤较少而要求低温粘附性。近年来，伴随着电子部件的高性能化、高功能化，提出了具有各种形态的半导体封装，根据半导体装置的功能、形态及组装步骤的简略化的手法，除了上述特性以外还要求具有图形形成功能的粘接剂。作为可形成粘接剂图形的粘接剂，已知具有感光性的功能的感光性粘接剂。所谓感光性是照射了光的部分产生化学变化，不溶于或可溶于水溶液或有机溶剂的功能。如果使用具有该感光性的感光性粘接剂，则通过隔着光掩模进行曝光，利用显影液形成图形，可形成高精细的粘接剂图形。

作为构成具有这样的图形形成功能的感光性粘接剂的材料，目前为止考虑耐热性，使用以聚酰亚胺树脂前体(聚酰胺酸)或聚酰亚胺树脂为基体的材料(例如，参照专利文献1～3)。

专利文献1：日本特开2000-290501号公报

专利文献2：日本特开2001-329233号公报

专利文献3：日本特开平11-24257号公报

发明内容

发明要解决的课题

但是，虽然上述材料在耐热性方面优异，但前者使用聚酰胺酸时的热闭环酰亚胺化时，后者使用聚酰亚胺树脂的场合加工时，分别要求300℃以上的高温，因此对于周边材料的热损伤大，另外，还有容易产生热应力等的问题。

另外，尝试通过在含有聚酰亚胺树脂等的粘接剂中配合热固化性树脂进行交联，改善低温加工性及焊接耐热性。但是，这样的方法，对于利用碱性显影液的图形形成性及对于被粘接物的低温粘附性两方面很难同时达到高水平。此外，上述以往的材料，难以达成图形形成后的再热压接性及固化后充分高的粘接力。进而，处于赋予对碱性显影液的溶解性的目的而使用含有羧基或羟基等亲水性的取代基的热塑性树脂的系统中，为了提高粘接性或耐湿性而添加咪唑衍生物等固化催化剂时，存在适用期大幅降低等的问题。

本发明是鉴于上述以往技术所具有的问题而完成的，目的在于提供图形形成性、图形形成后的粘接性、粘接后的耐热性及耐湿可靠性优异，形成膜状时低温粘附性也优异的感光性粘接剂组合物，使用其的膜状粘接剂、粘接片、粘接剂图形、贴有粘接剂层的半导体晶片、半导体装置及半导体装置的制造方法。

解决课题的手段

为了达成上述目的，本发明提供一种感光性粘接剂组合物，其含有(A)碱可溶性树脂、(B)环氧树脂、(C)放射线聚合性化合物和(D)光引发剂，其中，(D)光引发剂至少含有(D1)通过放射线照射而表现出促进环氧树脂的聚合和/或固化反应的功能的光引发剂。

在这里，所谓促进环氧树脂的聚合，表示通过单独环氧基在低温度下进行反应或者在短时间进行凝胶化。

利用本发明的感光性粘接剂组合物，通过具有上述构成，可满足图形形成性、图形形成后的低温短时间固化性及粘接性、粘接后的耐热性和耐湿可靠性、以及形成膜状时低温粘附性全部性能。另外，通过本发明，通过上述(A)、(B)及(C)成分以及含有(D1)成分的(D)成分的组合，可发挥上述效果且可实现室温下的贮藏稳定性也优异的感光性粘接剂组合物。

另外，在本发明的感光性粘接剂组合物中，(D1)光引发剂优选为通过放射线照射产生碱的化合物。此时，可进一步提高感光性粘接剂组合物的对于被粘接物的高温粘接性及耐湿可靠性。作为其理由，考虑是由于由上述化合物生成的碱可有效作为环氧树脂的固化催化剂发挥作用，由此可进一步提高交联密度。

另外，利用上述感光性粘接剂组合物，可使环氧树脂有效地进行反应，并可进一步降低高温放置时的排气。

另外，感光性粘接剂组合物含有的(A)碱可溶性树脂具有作为碱可溶性基团的羧基和/或羟基时，这些基团的含有比例变高时会存在固化后的吸湿率的上升及吸湿后的粘接力的低下的隐患，与此相对，利用上述感光性粘接剂组合物，通过配合利用放射线照射产生碱的化合物，可减少上述羧基和/或羟基与环氧树脂反应后残存的羧基和/或羟基，可以更高水平兼具耐湿可靠性及粘接性和图形形成性。

另外，在本发明的感光性粘接剂组合物中，(D1)光引发剂优选为含有肟酯基和/或吗啉环的化合物。此时，可进一步提高热分解开始温度。

另外，在本发明的感光性粘接剂组合物中，从提高图形形成性的观点出发，优选(D1)光引发剂对于波长365nm的光的分子消光系数为1000ml/g·cm以上。

另外，在本发明的感光性粘接剂组合物中，从降低排气及提高高温粘接性的观点出发，优选(D1)光引发剂的质量损失5％时的温度为150℃以上。

在这里，所谓光引发剂的质量损失5％时的温度，表示使用示差热重量同时测定装置(精工电子纳米科技公司制造：TG/DTA6300)、以升温速度10℃/min、氮气流(400ml/min)下测定光引发剂时的重量损失5％时的温度。

本发明的感光性粘接剂组合物含有上述(D1)光引发剂时，可满足图形形成性、图形形成后的粘接性、粘接后的耐热性和耐湿可靠性、以及形成膜状时的低温粘附性全部性能。

另外，作为产生上述效果的理由，本发明人考虑是由于，上述构成保存稳定性好，可使来自粘接后的热处理的排气的发生减少的同时，形成膜状时，可充分抑制通过涂布干燥温度进行反应。

另外，在本发明的感光性粘接剂组合物中，(D1)光引发剂优选为上述结构式(I-1)表示的化合物和/或下述结构式(I-2)表示的化合物和/或下述结构式(I-3)表示的化合物。

[化1]

[化2]

[化3]

进而，在本发明的感光性粘接剂组合物中，从提高低温粘附性的观点出发，(A)碱可溶性树脂的玻璃化转变温度优选为150℃以下。

另外，在本发明的感光性粘接剂组合物中，(A)碱可溶性树脂优选为含有羧基和/或羟基的树脂。

通常，上述基团的含有比例变高时会有固化后的吸湿率的上升及吸湿后的粘接力的低下的担心。对此，利用本发明的感光性粘接剂组合物，通过配合上述(D1)成分，可降低上述羧基和/或羟基与环氧树脂的反应后残存的羧基和/或羟基，可以更高水平兼具耐湿可靠性及粘接性和图形形成性。

另外，在本发明的感光性粘接剂组合物中，(A)碱可溶性树脂优选为聚酰亚胺树脂。此时，可进一步提高图形形成性。

进而，上述聚酰亚胺树脂优选为使四羧酸二酐与分子中含有羧基和/或羟基的二胺反应得到的聚酰亚胺树脂。

另外，上述聚酰亚胺树脂优选为使四羧酸二酐与下述结构式(3)表示的芳香族二胺和/或下述结构式(4)表示的芳香族二胺反应得到的聚酰亚胺树脂。

[化4]

[化5]

另外，本发明提供将上述本发明的感光性粘接剂组合物成形为膜状的膜状粘接剂。

利用本发明的膜状粘接剂，通过包含本发明的感光性粘接剂组合物，可全部满足图形形成性、图形形成后的粘接性、粘接后的耐热性和耐湿可靠性、以及低温粘附性，并可谋求提高半导体装置的组装步骤的效率化及半导体装置的可靠性。

另外，本发明，提供具有基材和在该基材的一面上设置的包含上述本发明的感光性粘接剂组合物的粘接剂层的粘接片。

利用本发明的膜状粘接剂，通过由本发明的感光性粘接剂组合物构成，可满足图形形成性、图形形成后的粘接性、粘接后的耐热性和耐湿可靠性、以及低温粘附性全部特性，并可实现提高半导体装置的组装步骤的效率化及半导体装置的可靠性提高。

另外，本发明提供具有将上述本发明膜状粘接剂和切割薄片进行层叠形成的层叠结构的粘接片。

利用上述粘接片，通过具有上述结构，可实现图形形成性、图形形成后的粘接性、粘接后的耐热性和耐湿可靠性、以及低温粘附性能够全部满足的晶片接合用切割薄片。由此，可谋求半导体装置的组装步骤的效率化及半导体装置的可靠性提高。

另外，本发明提供在被粘接物上形成由上述本发明的感光性粘接剂组合物形成的粘接剂层，通过隔着光掩模曝光该粘接剂层，通过利用碱性显影液来显影处理曝光后的前述粘接剂层而形成的粘接剂图形。

本发明的粘接剂图形，通过由本发明的感光性粘接剂组合物形成，可高精细化的同时获得优异的粘接性，并且在粘接后可获得优异的耐热性及耐湿可靠性。

另外，本发明提供贴有粘接剂层的半导体晶片，其具有半导体晶片和在该半导体晶片的一面上设置的由上述本发明的感光性粘接剂组合物构成的粘接剂层。

利用本发明的贴有粘接剂层的半导体晶片，通过具有由本发明的感光性粘接剂组合物构成的粘接剂层，可形成粘接剂层的图形的同时，图形形成后的粘接性、粘接后的耐热性及耐湿可靠性优异，因此可谋求提高导体装置的组装步骤的效率化及半导体装置的可靠性提高。

另外，本发明提供通过上述本发明的感光性粘接剂组合物来粘接半导体元件和半导体元件搭载用支撑部件而形成的半导体装置。

本发明的半导体装置的半导体元件和半导体元件搭载用支撑部件，通过图形形成性、图形形成后的粘接性、粘接后的耐热性(即，高温粘接性)及耐湿可靠性优异的本发明的感光性粘接剂组合物进行粘合，因此对于制造步骤的简略化可充分适应，而且可具有优异的可靠性。

另外，本发明提供一种半导体装置的制造方法，其具有使用上述本发明的感光性粘接剂组合物来粘接半导体元件和半导体元件搭载用支撑部件的工序。

本发明的半导体装置的制造方法，由于使用本发明的感光性粘接剂组合物，因此可提供具有优异的可靠性的半导体装置。另外，通过本发明的半导体装置的制造方法，可以可靠性良好地制造具有各种功能、形式的半导体装置。

发明的效果

通过本发明，可提供图形形成性、图形形成后的粘接性、粘接后的耐热性及耐湿可靠性优异、形成膜状时低温粘附性也优异的感光性粘接剂组合物，使用其的膜状粘接剂、粘接片、粘接剂图形、贴有粘接剂层的半导体晶片、半导体装置及半导体装置的制造方法。

附图说明

[图1]表示本发明的粘接膜的一个实施方式的模式截面图。

[图2]表示本发明的粘接片的一个实施方式的模式截面图。

[图3]表示本发明的粘接片的另一实施方式的模式截面图。

[图4]表示本发明的粘接片的另一实施方式的模式截面图。

[图5]表示本发明的贴有粘接剂层的半导体晶片的一个实施方式的俯视图。

[图6]表示图5的沿着VI-VI线的截面图。

[图7]表示本发明的粘接剂图形的一个实施方式的俯视图。

[图8]表示沿着图7的V-V线的截面图。

[图9]表示本发明的粘接剂图形的一个实施方式的俯视图。

[图10]表示沿着图9的VI-VI线的截面图。

[图11]表示本发明的半导体装置的一个实施方式的截面图。

[图12]表示本发明的半导体装置的另一实施方式的截面图。

[图13]表示剥离强度测定装置的概略图。

具体实施方式

以下，根据情况一边参照附图一边详细说明本发明的适合的实施方式。另外，附图中赋予相同或相同部分以相同符号，省略重复的说明。另外，上下左右等的位置关系，没有特别事先说明，根据附图表示的位置关系决定。进而，附图的尺寸比例不限于图示的比例。

本发明的感光性粘接剂组合物是含有(A)碱可溶性树脂、(B)环氧树脂、(C)放射线聚合性化合物、(D)光引发剂的感光性粘接剂组合物，其中，(D)光引发剂至少含有(D1)通过放射线照射而表现出促进(B)环氧树脂的聚合和/或固化反应的功能的光引发剂。

作为构成本发明的感光性粘接剂组合物的(A)碱可溶性树脂，可列举例如具有碱可溶性基团、具体地为羧基和/或羟基的热塑性树脂。作为这样的热塑性树脂，可列举例如，聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、聚醚酰亚胺树脂、聚氨酯酰亚胺树脂、聚氨酯酰胺酰亚胺树脂、硅氧烷聚酰亚胺树脂、聚酯酰亚胺树脂、或它们的共聚物、它们的前体(聚酰胺酸)、此外苯氧树脂、聚砜树脂、聚苯并噁唑、聚醚砜树脂、苯酚酚醛清漆树脂、甲酚酚醛清漆树脂、聚苯硫醚树脂、聚酯树脂、聚醚酮树脂、重均分子量为1万～100万的(甲基)丙烯酸共聚物等，这些物质可单独使用一种或组合两种以上使用。另外，根据需要，除了这些物质以外还可添加不含有碱可溶性基团的上述树脂。

另外，作为(A)碱可溶性树脂，从可得到良好的显影性方面考虑，优选含有羧基的树脂。进而，作为(A)碱可溶性树脂，优选末端或侧链具有碱可溶性基团的树脂。另外，碱可溶性基团为羟基时，优选为酚性羟基。

本发明的膜状粘接剂对晶片背面的粘贴温度，从抑制半导体晶片的翘曲的观点出发，优选温度为20～200℃，更优选为20～150℃，特别优选为25～100℃。为了使上述温度下的粘附能进行，优选使膜状粘接剂的Tg为150℃以下。因此，感光性粘接剂组合物中使用的(A)碱可溶性树脂的玻璃化转变温度(Tg)优选为150℃以下，更优选为-20～100℃，特别优选为-20～80℃，(A)碱可溶性树脂的Tg超过150℃时，对于晶片背面的粘贴温度超过200℃的可能性变高，存在对晶片背面粘合后晶片的翘曲容易发生的倾向，Tg小于-20℃时，B阶段状态下的膜表面的粘性变得过强，操作性倾向于变差。决定后述的聚酰亚胺树脂的组成时，其Tg优选设计为150℃以下。

另外，(A)碱可溶性树脂的重均分子量优选控制为10000～300000的范围内，更优选为10000～100000，进一步优选为10000～80000。重平均分子量为上述范围内时，将感光性粘接剂组合物制成薄片状或膜状时的强度、挠性及粘性良好，另外，受热时流动性变得良好，因此可确保对基板表面的配线段差(凹凸)的良好的埋入性。另外，上述重均分子量小于10000时，有膜形成性变差的倾向，超过300000时，受热时的流动性变差，有对基板上的凹凸的埋入性低下的倾向，另外，有对于(A)碱可溶性树脂对碱性显影液的溶解性低下的倾向。

通过使(A)碱可溶性的树脂的Tg及重均分子量为上述范围内，可抑制向晶片背面粘贴的温度到较低，同时也可降低将半导体元件粘接固定于半导体元件搭载用支撑部件时的加热温度(晶片接合温度)，并可抑制半导体元件的翘曲的增大。另外，可有效赋予作为本发明特征的晶片接合时的流动性或显影性。

另外，上述所谓Tg是将(A)碱可溶性树脂膜化时得主分散峰温度，使用RHEOMETRICS公司(レオメトリツクス)制粘弹性分析仪(アナライザ一)“RSA-2”(商品名)，在升温速度5℃/min、频率1Hz、测定温度-150～300℃的条件下进行测定，测定Tg付近的tanδ峰温度，将其作为主分散温度。另外，上述所谓重均分子量是使用岛津制作所制高效液相色谱“C-R4A”(商品名)，按照聚苯乙烯换算测定时的重量平均分子量。

另外，(A)碱可溶性树脂在耐热性及粘接性方面考虑，优选为聚酰亚胺树脂。聚酰亚胺树脂，例如，可用公知的方法使四羧酸二酐与二胺进行缩合反应来得到、即，在有机溶剂中，以等摩尔或根据需要相对于四羧酸二酐的合计1.0mol，二胺的合计优选为0.5～2.0mol，更优选为0.8～1.0mol，以这样的范围调整组成比(各成分的添加顺序任意)，在反应温度80℃以下，优选为0～60℃，使四羧酸二酐与二胺进行加成反应。随着反应进行反应液的粘度缓缓上升，作为聚酰亚胺树脂的前体的聚酰胺酸生成。另外，为了抑制粘接剂组合物的各特性的低下，上述四羧酸二酐优选为用乙酸酐进行重结晶精制处理后的四羧酸二酐。

这里，关于上述缩合反应中的四羧酸二酐与二胺的组成比，相对于四羧酸二酐的合计1.0mol，二胺的合计超过2.0mol时，得到的聚酰亚胺树脂中，胺末端的聚酰亚胺低聚物的量有变多的倾向，由于聚酰亚胺树脂的重均分子量变小，粘接剂组合物包含耐热性的各种的特性有低下的倾向。另一方面，二胺的合计小于0.5mol时，酸末端的聚酰亚胺低聚物的量有变多的倾向，聚酰亚胺树脂的重平均分子量变低，粘接剂组合物的包含耐热性的各种特性有低下的倾向。

另外，可使得到的聚酰亚胺树脂的重均分子量为10000～300000来适当决定四羧酸二酐与二胺装入的组成比。

聚酰亚胺树脂可使上述反应物(聚酰胺酸)进行脱水闭环来得到。脱水闭环可通过进行加热处理的热闭环法、使用脱水剂的化学闭环法等来进行。

作为聚酰亚胺树脂的原料使用的四羧酸二酐没有特别限制，可列举例如，均苯四酸二酐、3，3’，4，4’-联苯四羧酸二酐、2，2’，3，3’-联苯四羧酸二酐、2，2-双(3，4-二羧基苯基)丙烷二酐、2，2-双(2，3-二羧基苯基)丙烷二酐、1，1-双(2，3-二羧基苯基)乙烷二酐、1，1-双(3，4-二羧基苯基)乙烷二酐、双(2，3-二羧基苯基)甲烷二酐、双(3，4-二羧基苯基)甲烷二酐、双(3，4-二羧基苯基)砜二酐、3，4，9，10-苝四羧酸二酐、双(3，4-二羧基苯基)醚二酐、苯-1，2，3，4-四羧酸二酐、3，4，3’，4’-二苯甲酮四羧酸二酐、2，3，2’，3’-二苯甲酮四羧酸二酐、3，3，3’，4’-二苯甲酮四羧酸二酐、1，2，5，6-萘四羧酸二酐、1，4，5，8-萘四羧酸二酐、2，3，6，7-萘四羧酸二酐、1，2，4，5-萘四羧酸二酐、2，6-二氯萘-1，4，5，8-四羧酸二酐、2，7-二氯萘-1，4，5，8-四羧酸二酐、2，3，6，7-四氯萘-1，4，5，8-四羧酸二酐、菲-1，8，9，10-四羧酸二酐、吡嗪-2，3，5，6-四羧酸二酐、噻吩-2，3，5，6-四羧酸二酐、2，3，3’，4’-联苯四羧酸二酐、3，4，3’，4’-联苯四羧酸二酐、2，3，2’，3’-联苯四羧酸二酐、双(3，4-二羧基苯基)二甲基硅烷二酐、双(3，4-二羧基苯基)甲基苯基硅烷二酐、双(3，4-二羧基苯基)二苯基硅烷二酐、1，4-双(3，4-二羧基苯基二甲基甲硅烷基)苯二酐、1，3-双(3，4-二羧基苯基)-1，1，3，3-四甲基二环己烷二酐、对亚苯基双(偏苯三酸酯酐)、亚乙基四羧酸二酐、1，2，3，4-丁烷四羧酸二酐、十氢萘-1，4，5，8-四羧酸二酐、4，8-二甲基-1，2，3，5，6，7-六氢萘-1，2，5，6-四羧酸二酐、环戊烷-1，2，3，4-四羧酸二酐、吡咯烷-2，3，4，5-四羧酸二酐、1，2，3，4-环丁烷四羧酸二酐、双(外式二环[2，2，1]庚烷-2，3-二羧酸二酐、二环-[2，2，2]-辛-7-烯-2，3，5，6-四羧酸二酐、2，2-双(3，4-二羧基苯基)丙烷二酐、2，2-双[4-(3，4-二羧基苯基)苯基]丙烷二酐、2，2-双(3，4-二羧基苯基)六氟丙烷二酐、2，2-双[4-(3，4-二羧基苯基)苯基]六氟丙烷二酐、4，4’-双(3，4-二羧基苯氧基)二苯基硫醚二酐、1，4-双(2-羟基六氟异丙基)苯双(偏苯三酸酐)、1，3-双(2-羟基六氟异丙基)苯双(偏苯三酸酐)、5-(2，5-二氧四氢呋喃基)-3-甲基-3-环己烯-1，2-二羧酸二酐、四氢呋喃-2，3，4，5-四羧酸二酐、下述通式(5)表示的四羧酸二酐等。

[化6]

[式中，a表示2～20的整数。]

上述通式(5)表示的四羧酸二酐，可列举例如，可由偏苯三酸酐单氯化物和对应的二醇来合成，具体地可列举1，2-(亚乙基)双(偏苯三酸酐)、1，3-(三亚甲基)双(偏苯三酸酐)、1，4-(四亚甲基)双(偏苯三酸酐)、1，5-(五亚甲基)双(偏苯三酸酐)、1，6-(六亚甲基)双(偏苯三酸酐)、1，7-(七亚甲基)双(偏苯三酸酐)、1，8-(八亚甲基)双(偏苯三酸酐)、1，9-(九亚甲基)双(偏苯三酸酐)、1，10-(十亚甲基)双(偏苯三酸酐)、1，12-(十二亚甲基)双(偏苯三酸酐)、1，16-(十六亚甲基)双(偏苯三酸酐)、1，18-(十八亚甲基)双(偏苯三酸酐)等。

另外，作为四羧酸二酐，从赋予对于溶剂的良好的溶解性及耐湿可靠性的观点出发，优选下述式(6)或(7)表示的四羧酸二酐

[化7]

[化8]

如以上那样的四羧酸二酐，可单独使用一种或组合两种以上使用。

作为上述聚酰亚胺树脂的原料使用的二胺，优选含有下述式(8)、(9)、(10)或(11)表示的芳香族二胺。这些下述式(8)～(11)表示的二胺，优选为全部二胺的1～50摩尔％，由此可制备对于碱性显影液可溶的聚酰亚胺树脂。

[化9]

[化10]

[化11]

[化12]

作为上述聚酰亚胺树脂的原料使用的其他的二胺没有特别限制，可列举例如邻苯二胺、间苯二胺、对苯二胺、3，3’-二氨基二苯基醚、3，4’-二氨基二苯基醚、4，4’-二氨基二苯基醚、3，3’-二氨基二苯基甲烷、3，4’-二氨基二苯基甲烷、4，4’-二氨基二苯基醚甲烷、双(4-氨基-3，5-二甲基苯基)甲烷、双(4-氨基-3，5-二异丙基苯基)甲烷、3，3’-二氨基二苯基二氟甲烷、3，4’-二氨基二苯基二氟甲烷、4，4’-二氨基二苯基二氟甲烷、3，3’-二氨基二苯基砜、3，4’-二氨基二苯基砜、4，4’-二氨基二苯基砜、3，3’-二氨基二苯基硫醚、3，4’-二氨基二苯基硫醚、4，4’-二氨基二苯基硫醚、3，3’-二氨基二苯基酮、3，4’-二氨基二苯基酮、4，4’-二氨基二苯基酮、2，2-双(3-氨基苯基)丙烷、2，2’-双(3，4’-二氨基二苯基)丙烷、2，2-双(4-氨基苯基)丙烷、2，2-双(3-氨基苯基)六氟丙烷、2，2-双(3，4’-二氨基二苯基)六氟丙烷、2，2-双(4-氨基苯基)六氟丙烷、1，3-双(3-氨基苯氧基)苯、1，4-双(3-氨基苯氧基)苯、1，4-双(4-氨基苯氧基)苯、3，3’-(1，4-亚苯基双(1-甲基亚乙基)双苯胺、3，4’-(1，4-亚苯基双(1-甲基亚乙基)双苯胺、4，4’-(1，4-亚苯基双(1-甲基亚乙基)双苯胺、2，2-双(4-(3-氨基苯氧基)苯基)丙烷、2，2-双(4-(3-氨基苯氧基)苯基)六氟丙烷、2，2-双(4-(4-氨基苯氧基)苯基)六氟丙烷、双(4-(3-氨基乙氧基)苯基)硫醚、双(4-(4-氨基乙氧基)苯基)硫醚、双(4-(3-氨基乙氧基)苯基)砜、双(4-(4-氨基乙氧基)苯基)砜、3，3’-二羟基-4，4’-二氨基联苯、3，5-二氨基苯甲酸等芳香族二胺、1，3-双(氨基甲基)环己烷、2，2-双(4-氨基苯氧基苯基)丙烷、下述通式(12)表示的脂肪族醚二胺、下述通式(13)表示的脂肪族二胺、下述通式(14)表示的硅氧烷二胺等等。

[化13]

[式中，Q¹、Q²及Q³各自独立地表示碳原子数1～10的亚烷基，b表示2～80的整数]

[化14]

[式中，c表示5～20的整数。]

[化15]

[式中，Q⁴及Q⁹各自独立地表示可含有碳原子数1～5的亚烷基或取代基的亚苯基，Q⁵、Q⁶、Q⁷及Q⁸各自独立地表示碳原子数1～5的烷基、苯基或苯氧基，d表示1～5的整数]

作为上述通式(12)表示的脂肪族醚二胺，具体地可列举下述式

[化16]

表示的脂肪族二胺，还有下述式(15)表示的脂肪族醚二胺。

化[17]

[式中，e表示0～80的整数。]

作为上述通式(13)表示的脂肪族二胺，具体地可列举1，2-二氨基乙烷、1，3-二氨基丙烷、1，4一二氨基丁烷、1，5-二氨基戊烷、1，6-二氨基己烷、1，7-二氨基庚烷、1，8-二氨基辛烷、1，9-二氨基壬烷、1，10-二氨基癸烷、1，11-二氨基十一烷、1，12-二氨基十二烷、1，2-二氨基环己烷等。

作为上述通式(14)表示的硅氧烷二胺，式(14)中的d为1时，具休的可列举1，1，3，3-四甲基-1，3-双(4-氨基苯基)二硅氧烷、1，1，3，3-四苯氧基-1，3-双(4-氨基乙基)二硅氧烷、1，1，3，3-四苯基-1，3-双(2-氨基乙基)二硅氧烷、1，1，3，3-四苯基-1，3-双(3-氨基丙基)二硅氧烷、1，1，3，3-四甲基-1，3-双(2-氨基乙基)二硅氧烷、1，1，3，3-四甲基-1，3-双(3-氨基丙基)二硅氧烷、1，1，3，3-四甲基-1，3-双(3-氨基丁基)二硅氧烷、1，3-二甲基-1，3-二甲氧基-1，3-双(4-氨基丁基)二硅氧烷等；式(14)中的d为2时，可列举1，1，3，3，5，5-六甲基-1，5-双(4-氨基苯基)三硅氧烷、1，1，5，5-四苯基-3，3-二甲基-1，5-双(3-氨基丙基)三硅氧烷、1，1，5，5-四苯基-3，3-二甲氧基-1，5-双(4-氨基丁基)三硅氧烷、1，1，5，5-四苯基-3，3-二甲氧基-1，5-双(5-氨基戊基)三硅氧烷、1，1，5，5-四甲基-3，3-二甲氧基-1，5-双(2-氨基乙基)三硅氧烷、1，1，5，5-四甲基-3，3-二甲氧基-1，5-双(4-氨基丁基)三硅氧烷、1，1，5，5-四甲基-3，3-二甲氧基-1，5-双(5-氨基戊基)三硅氧烷、1，1，3，3，5，5-六甲基-1，5-双(3-氨基丙基)三硅氧烷、1，1，3，3，5，5-六乙基-1，5-双(3-氨基丙基)三硅氧烷、1，1，3，3，5，5-六丙基-1，5-双(3-氨基丙基)三硅氧烷等。

上述二胺，可单独使用一种或组合两种以上使用。

另外，上述聚酰亚胺树脂，可单独使用一种或根据需要混合(掺合)两种以上使用。

另外，如上述那样，决定聚酰亚胺树脂的组成时，优选设计使得其Tg为150℃以下，作为聚酰亚胺树脂的原料的二胺，优选使用上述通式(15)表示的脂肪族醚二胺，作为上述通式(15)表示的脂肪族醚二胺，具体地可列举sun-techno chemical(サンテクノケミカル)公司制的杰法明(ジエフア一ミン)D-230、D-400、D-2000、D-4000、ED-600、ED-900、ED-2000、EDR-148、BASF(制)的聚醚胺D-230、D-400、D-2000等的聚氧化亚烷基二胺等脂肪族二胺。这些二胺优选为总二胺的1～80摩尔％，更优选为总二胺的5～60摩尔％。该量小于1摩尔％时，低温粘附性、受热时流动性的赋予有变得困难的倾向，另一方面，超过80摩尔％时，聚酰亚胺树脂的Tg变得过低，有损害膜的自身支撑性的倾向。

聚酰亚胺树脂可通过四羧酸二酐与含有羧基及氨基的二胺的反应得到，由此，在聚酰亚胺中导入来自二胺的羧基。作为(A)碱可溶性的树脂使用聚酰亚胺树脂时，特别优选通过适当调整二胺的种类及其装入比、反应条件等，使Tg为150℃以下，Mw为5000～150000的聚酰亚胺树脂。

在本发明的感光性粘接剂组合物中，从图形形成性及粘接性的观点出发，以感光性粘接剂组合物的固体成分总量作为标准，优选(A)成分的含量为5～90质量％，更优选为20～80质量％。该含量小于20质量％时，有损害图形形成性的倾向，超过80质量％时，有图形形成性及粘接性低下的倾向。

作为本发明中使用的(B)环氧树脂，优选分子内含有至少2个以上环氧基的树脂，从固化性或固化物特性的观点出发更优选酚的缩水甘油醚型的环氧树脂。作为这样的树脂，可列举例如双酚A(或AD型、S型、F型)的缩水甘油醚、氢化双酚A型的缩水甘油醚、双酚A的环氧乙烷加成物型的缩水甘油醚、双酚A的环氧丙烷加成物型的缩水甘油醚、苯酚酚醛清漆树脂的缩水甘油醚、甲酚酚醛清漆树脂的缩水甘油醚、双酚A酚醛清漆树脂的缩水甘油醚、萘树脂的缩水甘油醚、3官能型(或4官能型)的缩水甘油醚、二环戊二烯酚树脂的缩水甘油醚、二聚酸的缩水甘油酯、3官能型(或4官能型)的缩水甘油胺、萘树脂的缩水甘油胺等。这些树脂可单独使用或组合二种以上使用。

另外，从防止电迁移或防止金属导体电路腐食的观点出发，(B)环氧树脂优选使用将作为杂质离子的碱金属离子、碱土金属离子、卤离子、特别是氯离子或加水分解性氯等降低至300ppm以下的高纯度品。

在本发明的感光性粘接剂组合物中，(B)成分的含量优选相对于(A)成分100质量份为0.1～200质量份，更优选为2～50质量份，该含量超过200质量份时，有对碱水溶液的溶解性低下、图形形成性低下的倾向。另一方面，上述含量小于2质量份时，有高温粘接性变低的倾向。

在本发明的感光性粘接剂组合物中，根据需要，可含有环氧树脂的固化剂，作为此固化剂，可列举例如酚系化合物、脂肪族胺、脂环族胺、芳香族多胺、聚酰胺、脂肪族酸酐、脂环族酸酐、芳香族酸酐、双氰胺、有机酸二酰肼、三氟化硼胺络合物、咪唑类、叔胺等。这些化合物中优选酚系化合物，更优选分子中具有至少2个以上酚性羟基的酚系化合物等，作为这样的化合物，可列举例如线性苯酚酚醛、线性甲酚酚醛、线性叔丁基苯酚酚醛、线性二环戊二烯甲酚酚醛、线性二环戊二烯苯酚酚醛、线性亚二甲苯基改性苯酚酚醛、萘酚系化合物、三苯酚系化合物、线性四苯酚酚醛、线性双酚A酚醛、聚-对乙烯基酚、苯酚芳烷基树脂等。这些化合物中，优选数均分子量为400～1500的范围内的化合物。由此，在半导体装置组装加热时，可抑制成为半导体元件或装置等的污染原因的加热时的排气。

进而，在本发明的感光性粘接剂组合物中，根据需要，可含有固化促进剂。作为该固化促进剂，只要是使环氧树脂固化的物质就没有特别限制，可列举例如，咪唑类、双氰胺衍生物、二羧酸二酰肼、三苯基膦、四苯基鏻四苯基硼酸盐、2-乙基-4-甲基咪唑-四苯基硼酸盐、1，8-二氮杂双环[5.4.0]十一碳烯-7-四苯基硼酸盐等。通过加热产生碱的氨酯系碱发生剂等。感光性粘接剂组合物中的固化促进剂的含量，优选相对于环氧树脂100质量份为0.01～50质量份。

另外，作为本发明的感光性粘接剂组合物中含有的(C)放射线聚合性化合物，只要是通过紫外线及电子束等放射线照射而聚合和/或固化的化合物即可，并没有特别的限制。作为放射线聚合性化合物的具体例，可列举丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸丁酯、丙烯酸-2-乙基己酯、甲基丙烯酸-2-乙基己酯、丙烯酸戊烯酯、丙烯酸四氢糠酯、甲基丙烯酸四氢糠酯、二乙二醇二丙烯酸酯、三乙二醇二丙烯酸酯、四乙二醇二丙烯酸酯、二乙二醇二甲基丙烯酸酯、三乙二醇二甲基丙烯酸酯、四乙二醇二甲基丙烯酸酯、三羟甲基丙烷二丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、三羟甲基丙烷二甲基丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯、1，4-丁二醇二丙烯酸酯、1，6-己二醇二丙烯酸酯、1，4-丁二醇二甲基丙烯酸酯、1，6-己二醇二甲基丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、季戊四醇三甲基丙烯酸酯、季戊四醇四甲基丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、二季戊四醇六甲基丙烯酸酯、苯乙烯、二乙烯基苯、4-乙烯基甲苯、4-乙烯基吡啶、N-乙烯基吡咯烷酮、丙烯酸2-羟基乙酯、甲基丙烯酸2-羟基乙酯、1，3-丙烯酰氧基-2-羟基丙烷、1，2-甲基丙烯酰氧基-2-羟基丙烷、亚甲基双丙烯酰胺、N，N-二甲基丙烯酰胺、N-羟甲基丙烯酰胺、三(β-羟基乙基)三聚异氰酸酯的二丙烯酸酯、三(β-羟基乙基)三聚异氰酸酯的三丙烯酸酯、下述通式(16)所示化合物、环氧丙烯酸酯、氨酯丙烯酸酯或氨酯甲基丙烯酸酯、及脲化丙烯酸酯等。

[化18]

[式中，R⁴¹及R¹²各自独立地表示氢原子或甲基，f及g各自独立地表示1以上的整数。]

上述氨酯丙烯酸酯或氨酯甲基丙烯酸酯，例如可通过使二醇类、下述通式(17)表示的异氰酸酯化合物、及下述通式(18)表示的化合物的反应来产生。

[化19]

[式中，R⁴³表示碳原子数1～30的2价或3价的有机基团，h表示0或1。

[化20]

[式中，R⁴⁴表示氢原子或甲基，R⁴⁵表示亚乙基或亚丙基]。

上述脲化甲基丙烯酸酯，例如通过使下述通式(19)表示的二胺和下述通式(20)表示的化合物的反应来产生。

[化21]

H₂N-R⁴⁶-NH₂(19)

[式中，R⁴⁶表示碳原子数2～30的2价的有机基团。

[化22]

[式中，i表示0或1。]

除了如上的化合物之外，可使用侧链上具有乙烯性不饱和基的放射线聚合性共聚物等，所述共聚物通过使具有至少1个乙烯性不饱和基团和环氧(oxirane)环、异氰酸酯基、羟基及羧基等官能团的化合物与含有官能团的乙烯共聚合物加成反应而得到。

这些放射线聚合性化合物可单独使用一种或组合两种以上使用。其中上述通式(16)表示的放射线聚合性化合物可充分赋予固化后的耐溶剂性，因此优选；氨酯丙烯酸酯及氨酯甲基丙烯酸酯、异氰脲酸改性丙烯酸酯可充分赋予固化后的高粘接性，因此优选。

在本发明的感光性粘接剂组合物中，(C)成分的含量优选相对于(A)成分100质量份为20～200质量份，更优选为30～100质量份。该含量超过200质量份时，由于聚合热熔融时的流动性降低，有热压接时的粘接性低下的倾向。另一方面，小于5质量份时，由于曝光使光固化后的耐溶剂性变低，有难以形成图形的倾向。

作为本发明的感光性粘接剂组合物中含有的(D1)表现出通过放射线照射来促进上述环氧树脂的聚合和/或固化反应的功能的光引发剂，可列举例如，通过放射线照射产生碱的光碱发生剂、通过放射线照射产生酸的光酸发生剂等。

在本发明的感光性粘接剂组合物中，作为(D1)成分优选使用光碱发生剂。此时，可进一步提高感光性粘接剂组合物对于被粘体的高温粘接性及耐湿可靠性。作为其理由，考虑是由上述化合物产生的碱作为环氧树脂的固化催化剂有效发挥作用，由此可进一步提高交联密度的缘故。

另外，通过使感光性粘接剂组合物含有光碱发生剂，可提高交联密度，并可进一步降低高温放置时的排气。

另外，感光性粘接剂组合物中含有的(A)碱可溶性树脂具有作为碱可溶性基团的羧基和/或羟基时，这些基团含有比例变高时会担心固化后的吸湿率上升及吸湿后的粘接力的低下。对此，利用上述感光性粘接剂组合物，通过配合由放射线照射产生碱的化合物，可降低上述羧基和/或羟基与环氧树脂的反应后残存的羧基和/或羟基，并可以更高水平兼具耐湿可靠性及粘接性和图形形成性。

另外，光碱发生剂，只要是放射线照射时产生碱的化合物就可以不受特别限制地使用。作为产生的碱，通常作为碱性指标使用酸解离常数的对数pKa值，优选水溶液中的pKa值为7以上的碱，进而更优选8以上的碱。

作为这样的放射线照射时产生的碱，可列举例如，咪唑、2，4-二甲基咪唑、1-甲基咪唑等咪唑衍生物；哌嗪，2，5-二甲基哌嗪等哌嗪衍生物；哌啶、1，2-二甲基哌啶等哌啶衍生物；脯氨酸衍生物；三甲基胺、三乙基胺、三乙醇胺等三烷基胺衍生物；4-甲基氨基吡啶、4-二甲基氨基吡啶等在4位进行了氨基或烷基氨基取代的吡啶衍生物；吡咯烷、n-甲基吡咯烷等吡咯烷衍生物；三乙二胺、1，8-二氮杂二环(5，4，0)十一碳烯-1(DBU)等脂环式胺衍生物；苄基甲基胺、苄基二甲基胺、苄基二乙基胺等苄基胺衍生物；吗啉衍生物；伯烷基胺等。

作为如上述通过放射线照射生成碱的光碱发生剂，可使用例如，Journal ofPhotopolymer Science and technology(《光聚合物科学与技术期刊》)，12卷，313～314项(1999年)或Chemistry of Materials(《材料化学》)，11卷，170～176项(1999年)等中记载的季铵盐衍生物。这些物质通过活性光线的照射生成高碱性的三烷基胺，因此最适合用于(B)成分的环氧树脂的固化。

另外，作为光碱发生剂可使用Journal of American Chemical Sociely(《美国化学学会期刊》)，118卷，12925页(1996年)或Polymer Journal(《聚合物期刊》)，28卷，795页(1996年)等中记载的氨基甲酸衍生物。

另外，通过活性光线的照射产生伯氨基的肟衍生物，可使用作为光自由基发生剂市售的2-甲基-1-(4-(甲硫基)苯基)-2-吗啉基-1-丙酮(Chiba SpecialtyChemicals公司制，Irgacure 907)、2-苄基-2-二甲基氨基-1-(4-吗啉代苯基)-1-丁酮(Chiba Specialty Chemicals公司制，Irgacure 369)、3，6-双(2-甲基-2-吗啉基丙酰基)-9-N-辛基咔唑(ADEKA公司制，Optoma(オプトマ)N-1414)、六芳基双咪唑衍生物(卤素、烷氧基、硝基、氰基等取代基可在苯基取代)、苯并异噁唑酮衍生物等。

另外，光碱发生剂可使用在高分子的主链和/或侧链引入了产生碱的基团的化合物。作为此时的分子量，从作为粘接剂的粘接性、流动性的观点出发优选重均分子量为1000～100000，更优选为5000-30000。

上述的光碱发生剂，在室温不照射放射线的状态下不显示与作为(B)成分环氧树脂的反应性，因此具有室温下的贮藏稳定性非常优异的特征。

本发明中使用的上述(D1)光引发剂，从耐热性的观点出发，优选使用下述通式(21)表示的具有肟酯基的化合物和/或下述通式(22)或下述通式(23)表示的具有吗啉环的化合物，这些化合物可单独使用一种或组合使用。

[化23]

[化24]

[化25]

[式中，R⁵¹及R⁵²各自独立地表示氢原子、碳原子数1～7的烷基或含有芳香族系烃基的有机基团，R⁵³表示碳原子数1～7的烷基或含有芳香族系烃基的有机基团。另外，式中，R⁵⁴及K⁵⁵表示含有芳香族系烃基的有机基团。]

作为上述芳香族系烃基，没有特别限制，可列举例如，苯基、萘基、苯偶姻衍生物、咔唑衍生物、噻吨酮衍生物及二苯甲酮衍生物等。另外，芳香族烃基可具有取代基。

进而，上述(D1)光引发剂优选对于波长365nm的光的分子消光系数为ml/g·cm以上。另外，调制样品的0.001质量％乙腈溶液，对于该溶液使用分光光度计(日立高新技术公司制，“U-3310”(商品名)测定吸光度，由此可求得分子消光系数。

另外，上述(D1)光引发剂，从排气降低及提高高温粘接性的方面考虑，优选质量损失5％时的温度为150℃以上。光引发剂的质量损失5％时的温度，表示使用示差热重量同时测定装置(精工电子纳米科技公司制造：TG/DTA6300)、以升温速度10℃/min、氮气流(400ml/min)下测定样品时的重量损失5％时的温度。

作为上述的(D1)光引发剂特别优选的光引发剂是具有肟酯基和/或吗啉环的化合物，其是对于波长365nm的光的分子消光系数为1000ml/g·cm以上，而且质量损失5％时的温度为180℃以上的化合物。

作为这样的(D1)光引发剂，可列举例如，下述结构式(1-1)表示的化合物、下述结构式(1-2)表示的化合物及结构式(1-3)表示的化合物。

[化26]

[化27]

[化28]

这些化合物可单独使用一种或组合使用。

另外，除了使用通过放射线照射产生碱的光碱发生剂以外，可通过光弗利斯(フリ一ス)重排、光克莱森(光Cleisen重排)重排或库尔提斯重排(Curtius重排)、史蒂文斯重排(Stevens重排)等反应而产生碱，进行(B)成分环氧树脂的固化。

本发明的感光性粘接剂组合物含有光碱发生剂时，可根据需要并用增感剂。作为增感剂，可列举例如，含有莰醌、苯偶酰、丁二酮、苯偶酰苯二甲基缩酮、苯偶酰二乙基缩酮、苯偶酰二(2-甲氧基乙基)缩酮、4，4’-二甲基苯偶酰-二甲基缩酮、蒽醌，1-氯蒽醌、2-氯蒽醌、1，2-苯并蒽醌、1-羟基蒽醌、1-甲基蒽醌、2-乙基蒽醌、1-溴蒽醌、噻吨酮、2-异丙基噻吨酮、2-硝基噻吨酮、2-甲基噻吨酮、2，4-二甲基噻吨酮、2，4-二乙基噻吨酮、2，4-二异丙基噻吨酮、2-氯-7-三氟甲基噻吨酮、噻吨酮-10，10-二氧化物、噻吨酮-10-氧化物、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、异丙醚、苯偶姻异丁醚、二苯甲酮、双(4-二甲基氨基苯基)酮、4，4’-双二乙基氨基二苯甲酮、含叠氮基的化合物等。这些化合物可单独使用一种或同时使用两种以上。

本发明的感光性粘接剂组合物，包含作为(D1)成分的具有肟酯基和/或吗啉环的化合物时，感光性粘接剂组合物中可进一步含有光引发剂。将感光性粘接剂组合物制成膜后30μm以下的粘接剂层使用时，可单独含有具有肟酯基和/或吗啉环的化合物，但制成膜厚50μm以上的粘接剂层时，优选并用其他的光引发剂。

作为其他的光引发剂，优选在300～500nm具有吸收的光引发剂，进而更优选通过光照射进行漂白的光引发剂。

作为这样的光引发剂，可列举例如，2-苄基-2-二甲基氨基-1-(4-吗啉代苯基)-丁酮-1，2，2-二甲氧基-1，2-二苯基乙烷-1-酮、1-羟基-环己基-苯基-酮、2-甲基-1-(4-(甲硫基)苯基)-2-吗啉基丙酮-1，2，4-二乙基噻吨酮、2-乙基蒽醌、菲醌等芳香族酮，苯偶酰二甲基酮等的苯偶酰衍生物，2-(邻氯苯基)-4，5-二苯基咪唑二聚物、2-(邻氯苯基)-4，5-二(间甲氧基苯基)咪唑二聚物、2-(邻氟苯基)-4，5-苯基咪唑二聚物、2-(邻甲氧基苯基)-4，5-二苯基咪唑二聚物、2-(对甲氧基苯基)-4，5-二苯基咪唑二聚物、2，4-二(对甲氧基苯基)-5-苯基咪唑二聚物、2-(2，4-二甲氧基苯基)-4，5-二苯基咪唑二聚物等2，4，5-三芳基咪唑二聚物，9-苯基吖啶、1，7-双(9，9’-吖啶基)庚烷等吖啶衍生物，双(2，6-二甲氧基苯甲酰)-2，4，4-三甲基-戊基膦氧化物、双(2，4，6-三甲基苯甲酰)-苯基膦氧化物等双酰基膦氧化物等中通过UV照射发生光褪色的化合物。这些化合物可单独使用或组合二种以上使用。

在本发明的感光性粘接剂组合物中，(D)成分的含量没有特别限制，但优选相对于(B)成分100质量份为0.01～50质量份。

另外，在本发明的感光性粘接剂组合物中，(D)成分中的(D1)成分的含量，优选相对于(D)成分的合计100质量份为0.01～80质量份。

进而，在本发明的感光性粘接剂组合物中，可使用填料。作为上述填料，可列举例如银粉、金粉、铜粉、镍粉等金属填料，氧化铝、氢氧化铝、氢氧化镁、碳酸钙、碳酸镁、硅酸钙、硅酸镁、氧化钙、氧化镁、氧化铝、氮化铝、结晶性二氧化硅、非晶性二氧化硅、氮化硼、二氧化钛、玻璃、氧化铁、陶瓷等无机填料，碳、橡胶类填料等有机填料等，不管种类、形状等可没有特别限制地使用。

上述填料可根据期望的功能分别使用。例如，例如出于对感光性粘接剂组合物赋予导电性、热传导性、触变性等的目的而添加金属填料，出于对粘接剂层赋予热传导性、低热膨涨性、低吸湿性等的目的而添加非金属无机填料，出于对粘接剂层赋予韧性的目的而添加有机填料。这些金属填料、无机填料及有机填料可单独使用或组合二种以上使用。其中，从可赋予半导体装置用粘接材料所要求的导电性、热传导性、低吸湿特性、绝缘性等方面出发，优选金属填料、无机填料或绝缘性的填料，在无机填料或绝缘性的填料中，从对于树脂清漆的分散性良好、且可赋予加热时高的粘接力的方面出发，更优选二氧化硅填料和/或氧化铝填料。

上述填料的平均粒径，优选为10μm以下，最大粒径为30μm以下，平均粒径为5μm以下，更优选最大粒径20μm以下。平均粒径超过10μm、而且最大粒径超过30μm时，有难以获得破坏韧性提高的效果的倾向。下限没有特别限制，但通常都为0.001μm。

上述填料，优选满足平均粒径为10μm以下、最大粒径为30μm以下这两者。使用最大粒径为30μm以下、平均粒径超过10μm的填料时，有难以获得高的粘接强度的倾向。另外，使用平均粒径为10μm以下、最大粒径超过30μm的填料时，有粒径分布变广且粘接强度容易出现参差的倾向，同时将感光性粘接剂组合物加工成膜状来使用时，有表面变粗且粘接力低下的倾向。

作为上述填料的平均粒径及最大粒径的测定方法，例如，使用扫描型电子显微镜(SEM)，测定200个左右的填料粒径的方法等。作为使用SEM的测定方法，可列举例如，使用接将剂层来粘接半导体元件和半导体搭载用支撑部件后，制作被加热固化(优选为150～200℃下1～10小时)的样品，切断该样品的中心部分，用SEM观察其截面的方法等。此时，优选粒径30μm以下的填料的存在率为总填料的80％以下。

在本发明的感光性粘接剂组合物中，上述填料的含量根据赋予的特性或功能来决定，优选相对于树脂成分和填料的合计为1～50质量％，更优选为2～40％质量，进一步优选为5～30％质量。通过使填料增量，可谋求高弹性率化，并可有效提高切割性(利用切割刀的切断性)，晶片接合性(超声波效率)，可有效提高受热时的粘接强度。使填料增量为必要量以上时，由损害热压接性的倾向，填料的含量有效为上述范围内。决定可取得要求特性的平衡的最适合填料含量。使用填料时的混合·混炼，可适当组合通常的搅拌机、混砂机、三辊机、球磨机等分散机来进行。

在本发明的感光性粘接剂组合物中，为了使不同材料间的界面接合良好，可添加各种偶合剂。作为偶合剂，可列举例如硅烷系、钛系系、铝系等，其中从效果高的方面考虑，优选硅烷系偶合剂。上述偶合剂的使用量，从其效果或耐热性及成本等方面出发，优选相对于使用的(A)碱可溶性的树脂100质量份为0.01～20质量份。

本发明的感光性粘接剂组合物，吸附离子性杂质，为了使吸湿时的绝缘可靠性良好，可进一步添加离子捕捉剂。作为这样的离子捕捉剂，没有特别限制，可列举例如，三嗪硫醇化合物、双酚系还元剂等作为用于防止铜离子化溶出的铜毒抑制剂而已知的化合物，锆系、锑铋系镁铝化合物等无机离子吸附剂等。上述离子捕捉剂的使用量，从添加带来的效果或耐热性、成本等的观点出发，优选相对于(A)碱可溶性的树脂100质量份为0.01～10质量份。

图1表示本发明的膜状粘接剂的一个实施形式的模式截面图。

图1表示的膜状粘接剂(粘接膜)1，是将上述感光性粘接剂组合物成形为膜状的粘接剂。图2表示本发明的粘接片的一个实施形式的模式截面图。图2表示的粘接片100由基材3和在其另一面上设置的粘接膜1构成的粘接剂层构成。图3表示本发明的粘接片的另一个实施形式的模式截面图。图3表示的粘接片110由基材3和在其另一面上设置的粘接膜1构成的粘接剂层和保护膜2构成。

膜状粘接剂1可利用以下方法获得，所述方法是将(A)碱可溶性树脂、(B)环氧树脂、(C)放射线聚合性化合物、包含(D1)通过放射线照射而表现出促进环氧树脂的聚合和/或固化反应的功能的光引发剂的(D)光引发剂、以及根据需要添加的其他成分在有机溶剂中进行混合，混炼混合液并调制清漆，在基材3上形成该清漆的层，通过加热干燥清漆层后除去基材3。此时，也可不除去基材3，以粘接片100、110的状态保存及使用。

上述的混合及混炼，可适当组合通常的搅拌机，搅拌机、研磨机、三辊机、球磨机等分散机来进行。另外，干燥中是在(B)环氧树脂等的热固化性树脂不充分反应的温度下、而且溶剂充分挥发的条件下进行干燥。具体地说，通常在60～180℃下、通过0.1～90分钟加热来干燥清漆层。干燥前的上述清漆层的优选厚度为1～100μm。该厚度が小于1μm时，有损害粘接固定功能的倾向，超过100μm时，后述的残存挥发成分有变多的倾向。

得到的清漆层优选残存挥发成分为10质量％以下。该残存挥发成分超过10质量％时，由于组合加热时的溶剂挥发引起的发泡的缘故，粘接剂层内部容易残存空隙，有损害耐湿可靠性的倾向，另外，加热时产生的挥发成分引起的污染周边材料或部件的可能性也有变高的倾向。另外，上述残存挥发成分的测定条件如下，即，对于切断为50mm×50mm尺寸的膜状粘接剂，将初期的质量作为M1，将该膜状粘接剂在160℃的烘箱中加热3小时后的质量作为M2，得到[(M2-M1)/M1]×100＝残存挥发成分(％)时的值。

另外，所谓上述的热固化性树脂不充分反应的温度，具体地说，是使用DSC(例如PerkinElmer公司制“DSC-7型”(商品名))，以试样量10mg、升温速度5℃/min、测量气氛为空气的条件测定时的反应热的峰温度以下的温度。

用于调制清漆的有机溶剂，即清漆溶剂，只要是可使材料均匀溶解或分散的溶剂即可，并没有特别的限制。可列举例如二甲基甲酰胺、甲苯、苯、二甲苯、甲基乙基酮、四氢呋喃、乙基溶纤剂、乙基溶纤剂乙酸酯、二噁烷、环己酮、乙酸乙酯、及N-甲基-吡咯烷酮。

基材3只要为可耐受上述干燥条件者即可，并无特别限定。例如聚酯膜、聚丙烯膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯膜、聚酰亚胺膜、聚醚酰亚胺膜、聚醚萘二酸酯膜、甲基戊烯膜可作为基材3使用。作为基材3的膜可为组合两种以上膜的多层膜，也可为表面利用有机硅系、二氧化硅系等脱模剂等处理过的膜。

另外，也可层叠本发明的膜状粘接剂1和切割片，作为粘接片。上述切割片是在基材上设置了粘接剂层的薄片。上述粘接剂层，可以是压敏型或放射线固化型中的任一种。另外，上述基材优选可膨胀(エキスパンド)的基材，通过制成这样的粘接片，可获得兼有晶片接合膜的功能和切割片的功能的切割·接合(bond)一体型粘接片。

作为上述切割·接合一体型粘接片，具体地可列举如图4所示，将基材膜7、粘接剂层6及本发明的膜状粘接剂1依次形成的粘接片120。

图5表示本发明的贴有粘接剂层的半导体晶片的一个实施方式的俯视图，图6表示沿着图5的VI-VI线的截面图。图5，6表示的贴有粘接剂层的半导体晶片20具有半导体晶片8和在其一面上设置的由上述感光性粘接剂组成物构成的膜状粘接剂(粘接剂层)1。

贴有粘接剂层的半导体晶片20，通过在半导体晶片8上一边加热膜状粘接剂1一边进行层叠来得到。膜状粘接剂1是由上述感光性粘接剂组合物构成的膜，因此例如，可在室温(25℃)～150左右的低温下粘贴于半导体晶片8。

图7、图9表示本发明的粘接剂图形的一个实施方式的俯视图，图8表示沿着图7的V-V线的截面图，图10表示沿着图9的VI-VI线的截面图。图7、8、9、10表示的粘接剂图形1a及1b，作为被粘接物的半导体晶片8上，形成具有沿近正方形的边的图形或正方形的图形。

粘接剂图形1a及1b是通过如下方法形成：将由感光性粘接剂组合物构成的粘接剂1形成于作为被粘接物的半导体晶片8上而得到贴有粘接剂层的半导体晶片20，通过隔着光掩模来曝光粘接剂层1，利用碱性显影液将曝光后的粘接剂层1进行显影处理形成粘接剂图形。另外，由此，得到形成粘接剂图形1a，1b的贴有粘接剂层的半导体晶片20a、20b。

作为本发明的膜状粘接剂的用途，对于具有膜状粘接剂的半导体装置使用附图进行具体地说明。另外，提出了近年来各种结构的半导体装置，本发明的膜状粘接剂的用途，不限定于具有以下说明的结构的半导体装置。

图11表示本发明的半导体装置的一个实施方式的截面图。在图11表示的半导体装置200中，半导体元件12隔着本发明的膜状粘接剂1粘接于半导体元件搭载用支撑部件13上，半导体元件12的连接端子(未图示)隔着电线14与外部连接端子(未图示)进行电连接，通过密封材料5进行密封。

另外，图12表示本发明的半导体装置的另一实施方式的截面图。在图12表示的半导体装置210中，第一段的半导体元件12隔着本发明的膜状粘接剂1，粘接于形成了端子16的半导体元件搭载用支撑部件13上，在第一段的半导体元件12a上进一步隔着本发明的膜状粘接剂1粘接第二段的半导体元件12b。第一段的半导体元件12a及第二段的半导体元件12b的连接端子(未图示)，通过电线14与外部连接端子进行电连接，通过密封材料进行密封。这样，本发明的膜状粘接剂，适合用于具有重叠了多个半导体元件的结构的半导体装置。

图11及图12表示的半导体装置(半导体封装体)，例如，将图9表示的半导休晶片20b沿虚线D切割，将切割后的粘有膜状粘接剂的半导休元件加热压接于半导体元件搭载用支撑部件13上而将两者粘接，然后，经过引线接合工序，根据需要可经过利用密封材料进行的密封工序等工序来得到。上述加热压接的加热温度，通常为20～250℃，荷重通常为0.01～20kgf，加热时间通常为0.1～300秒。

实施例

以下基于实施例和比较例来更具体地说明本发明，但是，本发明并不限于以下实施例。

(聚酰亚胺PI-1的合成)

在具有搅拌机、温度计、冷却管及氮气置换装置的烧瓶内，装入3，5-二氨基苯甲酸(分子量152.2，以下简称为“DABA”)1.89g及脂肪族醚二胺(BASF公司制“D-400”(商品名)、分子量452.4)15.21g、1，1，3，3-四甲基-1，3-双(4-氨基苯基)二硅氧烷(信越化学制“LP-7100”(商品名)，分子量248.5)0.39g及N-甲基-2-吡咯烷酮(以下简称为“NMP ”)116g。

接着，一边在冰浴中冷却上述烧瓶一边少量地添加4，4’-氧双邻苯二甲酸酐(分子量326.3，以下简称为“ODPA”)16.88g至该烧瓶内。添加结束后，进一步于室温下搅拌5小时。

接着在该烧瓶内安装附有水分接受器的回流冷却器，加入二甲苯70g，一边吹入氮气一边使其升温至180℃并保持该温度5小时，与水一起共沸除去二甲苯。将这样得到的溶液冷却至室温后，投进蒸留水中进行再沉淀。用真空干燥机干燥得到的沉淀物，得到聚酰亚胺树脂(以下称为“聚酰亚胺PI-1”)。测定得到的聚酰亚胺树脂的GPC时，按照聚苯乙烯换算为Mw＝33000。另外，得到的聚酰亚胺树脂的Tg为55℃。

(聚酰亚胺PI-2的合成)

在具有搅拌机、温度计、及氮气置换装置的烧瓶内，装入5，5’-亚甲基-双(邻氨基苯甲酸)(分子量286.3，以下简称为“MBAA”)2.16g、脂肪族醚二胺(“D-400”)15.13g、1，1，3，3-四甲基-1，3-双(4-氨基苯基)二硅氧烷(“LP-7100”)1.63g及NMP115g。

接着，一边在冰浴中冷却上述烧瓶一边少量地添加ODPA 16.51g至该烧瓶内。添加结束后，进一步于室温下搅拌5小时。接着在该烧瓶内安装附有水分接受器的回流冷却器，加入二甲苯81g，一边吹入氮气一边使其升温至180℃并保持该温度5小时，与水一起共沸除去二甲苯。将这样得到的溶液冷却至室温后，投进蒸留水中进行再沉淀。得到聚酰亚胺树脂(以下称为“聚酰亚胺PI-2”)。测定得到的聚酰亚胺树脂的GPC时，按照聚苯乙烯换算为Mw＝30000。另外，得到的聚酰亚胺树脂的Tg为31℃。

(聚酰亚胺PI-3的合成)

在具有搅拌机、温度计、及氮气置换装置的烧瓶内，装入2，2-双(4-(4-氨基苯氧基)苯基)丙烷(分子量410.5，以下简称为“BAPP”)20.5g及NMP101g。

接着，一边在冰浴中冷却上述烧瓶一边少量地添加1，2-(亚乙基)双(偏苯三酸酐)(分子量410.3，以下简称为“EBTA”)20.5g至该烧瓶内。添加结束后，进一步于室温下搅拌5小时。接着在该烧瓶内安装附有水分接受器的回流冷却器，加入二甲苯67g，一边吹入氮气一边使其升温至180℃并保持该温度5小时，与水一起共沸除去二甲苯。将这样得到的溶液冷却至室温后，投进蒸留水中进行再沉淀。得到聚酰亚胺树脂(以下称为“聚酰亚胺PI-3”)。测定得到的聚酰亚胺树脂的GPC时，按照聚苯乙烯换算为Mw＝98000。另外，得到的聚酰亚胺树脂的Tg为180℃。

实施例1～7及比较例1～4

分别使用上述的聚酰亚胺PI-1～3，按照下述表1所示的组成比(单位：质量份)配合各成分，得到感光性粘接剂组合物(粘接剂层形成用清漆)。

另外，表1及2中的各成分的记号表示下述物质。

E-3708：DAICEL-CYTEC公司制、环氧丙烯酸酯

U-2PPA：新中村化学公司制、氨酯丙烯酸酯

YDF-8170：东都化成公司制、双酚F型环氧树脂

BEO-60E：新日本理化公司制、双酚A双(三乙二醇缩水甘油醚)醚

TrsP-PA：本州化学公司制、三酚化合物(α，α，α’-三(4-羟基酚)-1-乙基-4-异丙基苯)

R972：日本AEROSIL公司制、疏水性热解硅石(Fumed Silica)(平均粒径：约16nm)

I-819：汽巴特殊化学品公司制、双(2，4，6-三甲基苯甲酰)-苯基膦氧化物(重量损失5％时的温度：210℃、365nm的分子消光系数：2300ml/g·cm)

I-OXE01：汽巴特殊化学品公司制、2，4-二甲氧基-1，2-二苯基乙烷-1-酮、1，2-辛二酮、1-[4-(苯基硫)-2-(O-苯甲酰肟)]、含有肟酯基的光引发剂(重量损失5％时的温度：220℃、365nm的分子消光系数：7000ml/g·cm)

I-OXE02：汽巴特殊化学品公司制、乙醇、1-[9-乙基-6-(2-甲基苯甲酰)-9H-咔唑-3-基]-1-(O-乙酰肟)、含有肟酯基的化合物(重量损失5％时的温度：370℃、365nm的分子消光系数：7700ml/g·cm)

I-907：汽巴特殊化学品公司制，2-甲基-1-[4-甲硫基)苯基]-2-吗啉基丙烷，含有吗啉环的光引发剂(重量损失5％时的温度：220℃、365nm的分子消光系数：450ml/g·cm)

N-1919：ADEKA公司制、结构未公开、含有肟酯基光引发剂(重量损失5％时的温度：280℃、365nm的分子消光系数：4500ml/g·cm)

N-1414：ADEKA公司制、3，6-双-(2-甲基-2-吗啉基丙酰基)-9-N-辛基咔唑、含有吗啉环的光引发剂(重量损失5％时的温度：350℃、365nm的分子消光系数：2000ml/g·cm)

OXAZ：奥德里奇(Aldrich)公司制、3-苯基-5-异噁唑酮、含有肟酯基化合物(重量损失5％时的温度：140℃、365nm的分子消光系数＜10ml/g·cm)

NMP：关东化学公司制、N-甲基-2-吡咯烷酮

另外，光引发剂的重量损失5％时的温度表示使用示差热重量同时测定装置(精工电子纳米科技公司制、“TG/DTA6300”(商品名))、在氮气流量(400ml/min)下测定的值。

[表1]

[表2]

将得到的粘接剂层形成用清漆分别涂布于基材(剥离剂处理过的PET膜)上，使得干燥后的膜厚为50μm，放在烘箱中80℃下30分钟，接下在120℃下进行加热30分钟，得到在基材上形成了粘接剂层的实施例1～7及比较例1～4的粘接片。

<低温粘附性的评价>

在放置于支撑台上的硅晶片(6英寸直径，厚度400μm)的背面(与支撑台相反侧的面)上，使粘接剂层在硅晶片侧、通过滚筒(温度100℃、线压4kgf/cm、传送速度0.5m/分钟)将实施例1～7及比较例1～4得到的粘接片加压而层叠。接着，剥离基材(PET膜)，于粘接剂层上在与上述相同的条件下使用滚筒加压而层叠厚度80μm、宽度10mm、长度40mm的聚酰亚胺膜(宇部兴产公司制、“Upilex”(商品名))。对于如上操作而准备的试样，使用流变仪(Rheometer)(东洋制机制作所制、“STROGRAPH E-S(ストログラフE-S)”(商品名))，于室温进行90°的剥离试验，测量粘接剂层-Upilex膜间的剥离强度。根据其测定结果，剥离强度2N/cm以上的试样为A，小于2N/cm的试样为B。将该结果示于表3及表4。

<图形形成性的评价>

粘接片通过下述方式层叠而成，即，在硅晶片(6英寸直径，厚度400μm)上，其中实施例1～7及比较例1、3、4的粘接片是在温度100℃下、比较例2的粘接片是在温度300℃下，将粘接剂层在硅晶片侧通过滚筒加压(线压4kgf/cm、传送速度0.5m/分钟)而层叠形成。

接着，在基材(PET膜)上载置负型图形用掩模(日立化成公司制，“No.G-2”(商品名))，用高精度平行曝光机(ORC制作所制、“EXM-1172-B-∞”(商品名))以500mJ/cm²进行曝光，并在80℃的加热板上放置约30秒钟。

其后，除去基材(PET膜)，使用康维尔(Convair)显影机(ヤコ一公司制)，以氢氧化四甲铵(TMAH)2.38质量％溶液作为显影液，在温度28℃、喷射压0.18MPa的条件下进行喷射显影后，在温度23℃的纯水中、在喷射压0.02MPa的条件下进行水洗。显影后，目视确认形成线宽/间距＝200μm/400μm的图形，图形形成时评价为A，图形未形成时评价为B。将其结果示于表3及表4。

<光感度的评价>

粘接片通过下述方式层叠而成，即，在硅晶片(6英寸直径，厚度400μm)上，其中实施例1～7及比较例1、3、4的粘接片是在温度100℃下、比较例2的粘接片是在温度300℃下，将粘接剂层在硅晶片侧通过滚筒加压(线压4kgf/cm、传送速度0.5m/分钟)层叠而成。

接着，在基材(PET膜)上载置作为负型图形用掩模光透过量阶段性减少的通称阶段式曝光表(Step Tablet)的光掩模(日立化成公司制、“photo 41stepstage tablet(フオテツク41ステツプデンシテイタブレツト)(商品名))、用高精度平行曝光机(ORC制作所制、“EXM-1172-B-∞”(商品名))以500mJ/cm²进行曝光，并在80℃的加热板上放置约30秒钟。

其后，除去基材(PET膜)，使用康维尔显影机(ヤコ一公司制)，以氢氧化四甲铵(TMAH)2.38质量％溶液作为显影液，在温度26℃、喷射压0.18MPa的条件下进行喷射显影后，在温度23℃的纯水中、在喷射压0.02MPa的条件下进行水洗。显影后，接着在通过测定在硅晶片上形成的固化膜的Step Tablet的段格数，评价粘接片的感光度。根据其测定结果，将残存段格数为25段格数以上时为A，25段格数以下时为B。将其结果示于表3及表4。

<260℃剥离强度的测定(高温时的粘接性评价)>

将硅晶片(6英寸直径，厚度400μm)半切为5mm×5mm的大小、深度至180μm。其后，按如下方法层叠形成粘接片，即，在进行了半切处理的硅晶片上，其中实施例1～7及比较例1、3、4的粘接片是在温度100℃下、比较例2的粘接片是在温度300℃下，将粘接剂层在硅晶片侧，通过滚筒加压(线压4kgf/cm、传送速度0.5m/分钟)层叠形成。接着，将得到的样品用高精度平行曝光机(ORC制作所制、“EXM-1172-B-∞”(商品名))以500mJ/cm²进行曝光，并在80℃的加热板上放置约30秒钟。其后，除去基材(PET膜)，将样品形成5mm×5mm单片。

形成了单片的贴有粘接剂层的半导体晶片，在玻璃基板(10mm×10mm×0.55mm)上，使玻璃基板侧载置粘接剂层，边以2kgf进行加压边在120℃进行10秒钟压接。将这样得到的试验片，在烘箱中120℃、3小时的条件下进行加热固化。其后，将试验片在260℃的热盘上加热10秒钟，使用图13表示的剥离强度测定装置，在测定速度0.5mm/scc的条件下测定260℃的硅晶片的剥离强度，将此时的值作为260℃剥离强度(吸湿前)。另外，吸湿后的260℃剥离强度是，将进行了加热固化的试验片在85℃/85％RH的恒温恒湿槽中放置48小时后，与上述同样操作测定260℃的剥离强度。将它们的结果示于表3及4。

另外，在图13表示的剥离强度测定装置300中，在推拉箱31中安装了棒的顶端，将把手32在支点33的周围设计成角度可变。接着，260℃剥离强度的测定是，将具有突起部的硅晶片34和玻璃基板35通过粘接剂层1粘接成的试验片载置于260℃的热盘36上，在硅晶片34的突起部粘附把手32的状态下，通过用推拉箱31测定以0.5mm/秒移动把手32时的剥离应力来进行。

<粘接剂固化物的重量损失5％时的温度>

粘接片是通过如下方法层叠形成，即，在硅晶片(6英寸直径，厚度400μm)上，其中实施例1～7及比较例1、3、4的粘接片是在温度100℃下、比较例2的粘接片是在温度300℃下，将粘接剂层在硅晶片侧，通过滚筒加压(线压4kgf/cm、传送速度0.5m/分钟)层叠而成。

接着，将得到的样品用高精度平行曝光机(ORC制作所制、“EXM-1172-B-∞”(商品名))以500mJ/cm²进行曝光，并在80℃的热板上放置约30秒钟。其后，除去基材(PET膜)，在烘箱中120℃、3小时的条件下进行加热固化。由硅晶片上削掉已固化的粘接剂，使用示差热重量同时测定装置(精工电子纳米科技公司制造：TG/DTA6300，商品名)、在氮气流量：400ml/min的条件下测定重量损失5％时的温度。将其结果示于表3及表4。

[表3]

[表4]

产业上的可利用性

通过本发明，可以提供图形形成性、图形形成后的粘接性、粘接后的耐热性及耐湿可靠性优异，形成膜状时低温粘附性也优异的感光性粘接剂组合物，使用其的膜状粘接剂、粘接片、粘接剂图形、贴有粘接剂层的半导体晶片，半导体装置及半导体装置的制造方法。

Claims (18)

1.一种感光性粘接剂组合物，其含有

(A)碱可溶性树脂、

(B)环氧树脂、

(C)放射线聚合性化合物以及

(D)光引发剂，

其中，所述(D)光引发剂至少含有(D1)通过放射线照射而表现出促进所述环氧树脂的聚合和/或固化反应的功能的光引发剂。

2.根据权利要求1所述的感光性粘接剂组合物，其中，所述(D1)光引发剂为通过放射线照射产生碱的化合物。

3.根据权利要求1或2所述的感光性粘接剂组合物，其中，所述(D1)光引发剂为含有肟酯基和/或吗啉环的化合物。

4.根据权利要求1～3的任一项所述的感光性粘接剂组合物，其中，所述(D1)光引发剂对于波长365nm的光的分子消光系数为1000ml/g·cm以上。

5.根据权利要求1～4的任一项所述的感光性粘接剂组合物，其中，所述(D1)光引发剂的质量损失5％时的温度为150℃以上。

6.根据权利要求1～5的任一项所述的感光性粘接剂组合物，其中，所述(D1)光引发剂为下述结构式(I-1)表示的化合物和/或下述结构式(I-2)表示的化合物和/或下述结构式(I-3)表示的化合物

7.根据权利要求1～6的任一项所述的感光性粘接剂组合物，其中，所述(A)碱可溶性树脂的玻璃化转变温度为150℃以下。

8.根据权利要求1～7的任一项所述的感光性粘接剂组合物，其中，所述(A)碱可溶性树脂为含有羧基和/或羟基的树脂。

9.根据权利要求1～8的任一项所述的感光性粘接剂组合物，其中，所述(A)碱可溶性树脂为聚酰亚胺树脂。

10.根据权利要求9所述的感光性粘接剂组合物，其中，所述聚酰亚胺树脂是使四羧酸二酐与分子中含有羧基和/或羟基的二胺反应而得到的聚酰亚胺树脂。

11.根据权利要求13或14所述的感光性粘接剂组合物，其中，所述聚酰亚胺树脂是使四羧酸二酐与下述结构式(3)表示的芳香族二胺和/或下述结构式(4)表示的芳香族二胺反应而得到的聚酰亚胺树脂

12.一种膜状粘接剂，其是将权利要求1～11的任一项所述的感光性粘接剂组合物成形为膜状而形成。

13.一种粘接片，其具有基材和在该基材的一面上设置的包含权利要求1～11的任一项所述的粘接剂组合物的粘接剂层。

14.一种粘接片，其具有将权利要求12所述的膜状粘接剂和切割片进行层叠形成的层叠结构。

15.一种粘接剂图形，其是通过在被粘接物上形成包含权利要求1～11所述的感光性粘接剂组合物的粘接剂层，隔着光掩模曝光该粘接剂层，利用碱性显影液来显影处理曝光后的所述粘接剂层而形成。

16.一种贴有粘接剂层的半导体晶片，其具有半导体晶片和在该半导体晶片的一面上设置的包含权利要求1～11的任一项所述的感光性粘接剂组合物的粘接剂层。

17.一种半导体装置，其是通过权利要求1～11的任一项所述的感光性粘接剂组合物来粘接半导体元件和半导体元件搭载用支撑部件而形成。

18.一种半导体装置的制造方法，其具有使用权利要求1～11的任一项所述的感光性粘接剂组合物来粘接半导体元件和半导体元件搭载用支撑部件的工序。

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