CN101642898A - 抛光垫及其形成方法以及抛光方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种抛光垫，包括基材，设于基材上的黏合介质，以及复数个纳米碳管丛，分布于黏合介质上，且直立于基材上方，其中纳米碳管丛在基材上的分布密度由内向外递减或由内向外递增。本发明另提供一种抛光垫的形成方法及一种抛光方法。

Description

抛光垫及其形成方法以及抛光方法

技术领域

本发明有关于一种抛光垫及其制法与使用方法，特别有关于一种包括纳米碳管丛的抛光垫。

背景技术

随着半导体工艺日益精进，芯片上单位面积所能制作的组件数目随之增加，使得半导体结构更趋复杂。根据SIA(Semiconductor IndustryAssociation)的预测，目前90纳米的集成电路线宽已进入量产阶段，而65纳米线宽的技术也有雏型产品问世。预估于2012年集成电路线宽将缩小至32纳米，芯片上的组件密度将更进一步提升。

集成电路结构主要是由半导体材料层、介电材料层、及导电材料层组成，借着沉积、微影、与蚀刻等工艺，将各材料层图案化并彼此堆叠为集成电路结构。在制作集成电路的过程中，常利用化学机械研磨法(chemicalmechanical polishing，CMP)来平坦化材料层。化学机械研磨可提供平坦的表面，有助于随后沉积工艺的进行，还可提高微影工艺的分辨率。此外，化学机械研磨还可取代部分的后蚀刻工艺，可同时移除多余的材料并提供平坦的表面。

尤其，当集成电路的堆叠密度持续提高时，每一材料层形成时所能容许的误差范围变小，为了提高各工艺的品质，化学机械研磨平坦化显得格外重要。

常用的化学机械研磨为氧化硅化学机械研磨、多晶硅化学机械研磨、钨化学机械研磨、及铜化学机械研磨等，主要是利用抛光垫抵住待抛光表面，并配合化学研磨浆料与待抛光表面进行相对运动而使待抛光表面的膜层平坦化。

然而，传统的CMP工艺除了需使用大量昂贵的化学研磨浆料与抛光垫，且化学研磨浆料中的游离磨粒容易影响平坦化的精度，并容易聚集成大颗粒或沉积于抛光垫上形成硬块，造成平坦化的精度下降或造成刮痕，使良率下降。此外，化学研磨浆料中的磨粒还容易掉入高深宽比的结构中，如介层窗(via)或对准标记(alignment mark)等，不易清除且严重影响良率。

因此，业界亟需新颖的抛光垫及抛光方法，除了达到抛光目的外，还要能避免化学研磨浆料对半导体结构品质的危害。

发明内容

本发明的目的在于提供一种抛光垫及其形成方法以及抛光方法。

为实现上述目的，本发明提供的抛光垫，包括：

一基材；

一黏合介质，设于该基材上；以及

复数个纳米碳管丛，分布于该黏合介质上，且直立于该基材上方，其中该些纳米碳管丛在该基材上的分布密度由内向外递减或由内向外递增。

所述的抛光垫，其中，该黏合介质包括高分子材料。

所述的抛光垫，其中，该基材包括高分子材料，其中该高分子选自：聚甲基丙烯酸甲酯、聚二甲基硅氧烷、聚碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚氨酯、聚苯乙烯、聚酰亚胺、或前述任意的组合。

所述的抛光垫，其中，该些纳米碳管丛的形状包括圆形、矩形、椭圆形、多边形、不规则形、或前述任意的组合。

所述的抛光垫，其中，该些纳米碳管丛包括圆形的纳米碳管丛，且该圆形的纳米碳管丛内单根纳米碳管的直径约为1～100纳米之间。

所述的抛光垫，其中，该圆形的纳米碳管丛的高度约为1～1000微米之间。

所述的抛光垫，其中，该些纳米碳管丛之间的间距由内部的约2微米向外递增至约500微米或由内部的约500微米向外递减至约2微米。

本发明提供的抛光垫的形成方法，包括：

提供一第一基材；

于该第一基材上布植复数个催化剂区域，且该些催化剂区域在该第一基材上的分布密度由内向外递减或由内向外递增；

于该些催化剂区域上形成复数个纳米碳管丛；

提供一第二基材；

于该第二基材上形成一黏合介质；

将该些纳米碳管丛转印压合于该第二基材上，其中由该黏合介质使该些纳米碳管丛固定于该第二基材上；以及

移除该第一基材。

所述的抛光垫的形成方法，其中，该黏合介质包括高分子材料。

所述的抛光垫的形成方法，其中，在移除该第一基材的步骤前，还包括固化该黏合介质。

所述的抛光垫的形成方法，其中，该第二基材包括高分子材料，选自聚甲基丙烯酸甲酯、聚二甲基硅氧烷、聚碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚氨酯、聚苯乙烯、聚酰亚胺、或前述任意的组合。

所述的抛光垫的形成方法，其中，该些催化剂区域的形状包括圆形、矩形、椭圆形、多边形、不规则形、或前述任意的组合。

所述的抛光垫的形成方法，其中，该些催化剂区域之间的间距由内部的约2微米向外递增至约500微米或由内部的约500微米向外递减至约2微米。

所述的抛光垫的形成方法，其中，该些纳米碳管丛包括圆形的纳米碳管丛，且该圆形的纳米碳管丛内单根纳米碳管的直径约为1～100纳米之间。

所述的抛光垫的形成方法，其中，该圆形的纳米碳管丛的高度约为1～1000微米之间。

所述的抛光垫的形成方法，其中，该些催化剂区域包括铁、铂、钴、镍、铬、金、或前述任意的组合。

所述的抛光垫的形成方法，其中，该些纳米管丛的形成是以化学气相沉积法于该些催化剂区域上成长复数个纳米碳管。

本发明提供的抛光方法，包括：

提供一待抛光物，具有一待抛光表面；

提供一如权利要求1所述的抛光垫；

将该抛光垫贴抵住该待抛光表面；以及

在不添加研磨浆料下使该抛光垫与该待抛光表面间作一相对运动。

所述的抛光方法，其中，该相对运动包括使该抛光垫相对于该待抛光表面旋转。

所述的抛光方法，其中，在该相对运动期间还包括添加一润滑剂于该抛光垫与该待抛光表面之间。

简言之，本发明提供一种抛光垫，包括基材，设于基材上的黏合介质，以及复数个纳米碳管丛，分布于黏合介质上，且直立于基材上方，其中纳米碳管丛在基材上的分布密度由内向外递减或由内向外递增。

本发明另提供一种抛光垫的形成方法，包括提供第一基材，于第一基材上布植复数个催化剂区域，且催化剂区域在第一基材上的分布密度由内向外递减或由内向外递增，于催化剂区域上形成复数个纳米碳管丛，提供第二基材，于第二基材上形成黏合介质，将纳米碳管丛转印压合于第二基材上，其中藉由黏合介质使纳米碳管丛固定于第二基材上，以及，移除第一基材。

本发明又提供一种抛光方法，包括，提供待抛光物，具有待抛光表面，提供本发明的抛光垫，将抛光垫贴抵住待抛光表面，以及在不添加研磨浆料下使抛光垫与待抛光表面间作相对运动。

本发明的效果是，提供了新颖的抛光垫及其制法，利用本发明的抛光垫来抛光，不需使用传统化学机械研磨中的研磨浆料，可节省成本并保护环境，并可避免研磨浆料对于待抛光物的伤害。本发明通过催化剂布植与转印压合，可于特定位置与特定形状的区域成长纳米碳管，可轻易控制抛光垫上纳米管丛的分布密度与形状，可达到纳米级均匀的材料去除率。

附图说明

图1显示本发明一实施例的抛光垫的底部仰视图。

图2显示图1所示抛光垫中，区域A的剖面图。

图3A-3G显示本发明一实施例的抛光垫的形成过程。

图4显示本发明实施例的抛光垫上的一纳米碳管丛的SEM照片

图5显示本发明一实施例的抛光方法的示意图。

图6显示以本发明实施例的抛光垫对黄铜试片进行抛光的结果。

附图中主要组件符号说明：

A、B～区域；

10～抛光垫；

100～(第二)基材；

102～黏合介质；

104～纳米碳管丛；

d1、d2、d3、d4～间距；

106～第一基材；

108～催化剂区域；

110～模具；

112～开口；

108a～催化剂材料；

a～方向；

506～待抛光物；

508～待抛光表面；

500～平台；

504～支撑座；

b～旋转方向。

具体实施方式

为让本发明的上述和其它目的、特征、和优点能更明显易懂，下文特举出实施例，并配合附图作详细说明如下。

本发明主要是通过转印压合的方式，形成具有复数个纳米碳管丛的抛光垫，利用纳米碳管丛的材料特性，可在不添加研磨浆料的情形下完成抛光，可避免研磨浆料对待抛光物所造成的伤害。

图1显示本发明一实施例的抛光垫的底部仰视图。图2显示图1所示抛光垫中，区域A的剖面图。如图1及图2所示，本发明实施例的抛光垫10包括基材100、设置于基材100上的黏合介质102(显示于图2中)、以及复数个纳米碳管丛104，以分布密度由内向外递减或递增的梯度形式分布于黏合介质102上，且直立于基材100上方。每一纳米碳管丛104由复数个直立的纳米碳管所构成。

适合本发明的基材100的材质可包括硬质材料或软质材料，例如可为高分子材料、半导体材料、金属材料、陶瓷材料、或前述任意的组合。在一实施例中，基材100可选用高分子材料，可为硬质高分子材料或软质高分子材料。适合的高分子材料例如有聚甲基丙烯酸甲酯、聚二甲基硅氧烷、聚碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚氨酯、聚苯乙烯、聚亚酰胺或前述任意的组合。本发明实施例的基材100不限于上述所举例的材质，举凡可承载黏合介质102及复数个纳米碳管丛104的基材，且足以承受抛光时所产生的应力的各种材料或结构，皆适于用作本发明的基材100。

适合本发明的黏合介质102可为高分子材料，例如环氧树脂或其它适合的黏着剂，用以将复数个纳米碳管丛104固定于基材100上。可因应不同的用途，采用不同的胶来作为黏合介质102，例如可使用导热胶、导电胶、具弹性的紫外线胶、或前述任意的组合等。

本发明实施例的纳米碳管丛104的形状包括圆形、矩形、椭圆形、多边形、不规则形、或前述任意的组合。图1显示当纳米碳管丛104的形状为圆形的情形，纳米碳管丛104内单根纳米碳管的直径例如约为1～100纳米之间，然其直径不限于前述的范围，可视实际应用任意调整。例如，针对抛光精细度要求较高的情形，可采用较小的直径范围，如约10～50纳米之间。若是对于抛光精细度要求较低的粗抛光，可采用较大的直径范围，如约60～90纳米，或者更大的直径如约200～900纳米。纳米碳管丛104的高度可约为1～1000微米之间，在一实施例中，纳米碳管丛104的高度约为200～700微米之间。此外，复数个纳米碳管丛104于基材100上的密度分布可由内向外递减或由内向外递增。如图1所示，复数个纳米碳管丛104于基材100上的密度分布是由内向外递减，基材100中心的复数个纳米碳管丛104之间的间距d1较小而密度分布较高，而较靠近基材100外侧的复数个纳米碳管丛104之间的间距d2较大而密度分布较低。在一实施例中，采用纳米碳管丛密度分布由内向外递减的抛光垫尤佳，当进行抛光时，抛光垫外侧的转速会大于内部转速，为维持抛光面研磨的均匀性，采用外侧纳米碳管丛分布较少的抛光垫可得到较佳的抛光效果。在一实施例中，复数个纳米碳管丛104之间的间距，由内部的2微米向外递增至约500微米。然而，于其它应用中，例如粗糙度不均匀的待抛光表面，亦可能采用纳米碳管丛密度分布由内向外递增的抛光垫，其中复数个纳米碳管丛104之间的间距，可由内部的500微米向外递减至约2微米。本发明的抛光垫上复数个纳米碳管丛的形状、范围大小、分布密度、高度等，皆可视情况作任意的调整与组合，端视待抛光物不同或所需抛光情形不同而定。

由于纳米碳管具有高强度、耐磨耗、高磨润性等特性，因此本发明实施例的抛光垫10上的复数个纳米碳管丛104可作为固定式的切削点，以用于抛光工艺中，达成纳米级均匀的材料去除率。由于纳米碳管本身的磨润特性，可降低抛光工艺中的刮痕与损伤，进一步提升平坦化工艺的效率与良率。通过使用复数个纳米碳管丛104来作为抛光介质，无需使用传统CMP工艺中昂贵的研磨浆料，可大幅降低工艺成本与减少研磨浆料对环境的危害，及可避免传统研磨浆料中游离磨粒所造成的问题。

以下，将配合附图说明本发明实施例的抛光垫的形成方法。图3A-3G显示本发明一实施例的抛光垫的形成过程。如图3A所示，首先提供第一基材106，于第一基材106上布植复数个以梯度形式分布的催化剂区域108，其分布方式可为由内向外递减或递增。第一基材106的材质可为金属材料、半导体材料、其它适合材料、或前述任意的组合。以梯度形式布植于第一基材106上的复数个催化剂区域108，目的用以成长复数个纳米碳管，而于相应位置上形成复数个纳米碳管丛104。

催化剂区域108的材质包括铁、铂、钴、镍、铬、金、或前述的组合。在一实施例中，复数个催化剂区域108的布植方法可使用纳米转印、薄膜工艺、或前述任意的组合来形成。图3B显示以纳米转印法布植复数个催化剂区域108的示意图。首先，提供模具110，其上具有数个例如以等离子体等高能能量束所切开的开口112，未被等离子体切开的部分可用以附着催化剂材料108a。接着，将模具110朝方向a压向第一基材106而使催化剂材料108a转印于第一基材106上，以形成如图3A所示的复数个催化剂区域108。可通过控制模具110上开口112的切开大小与位置的分布，来控制纳米转印所形成的催化剂区域108的形状、范围大小、及分布密度等。除了通过纳米转印，催化剂区域108还可以薄膜工艺来布植，例如可以溅镀的方式于第一基材106上形成催化剂金属层(未显示)，再以微影及蚀刻工艺将催化剂金属层图案化以形成复数个催化剂区域108。此外，亦可先于第一基材106上形成图案化光阻层(未显示)，接着于光阻层上方及第一基材106上方沉积催化剂金属层，之后将图案化光阻层剥离而留下预定图案的图案化催化剂金属层，即形成复数个催化剂区域108。

催化剂区域108布植于第一基材106上的分布情形，将影响随后成长的纳米碳管丛的分布。复数个催化剂区域108的形状不限于如图3A所示的圆形，其形状可为圆形、矩形、椭圆形、多边形、不规则形、或前述的组合。复数个催化剂区域108于第一基材106上的密度分布可由内向外递减，其彼此间的间距可由内部约2微米的间距d3向外递增至较外部约500微的间距d4。另一方面，复数个催化剂区域108的密度分布亦可由内向外递增，其彼此间的间距可由内部约500微米的间距d3向外递减至较外部约2微米的间距d4。

图3C显示图3A中，区域B的剖面图，其显示第一基材106上形成有复数个催化剂区域108。为简化附图与方便说明，以下的图3D-3G将亦仅显示区域B部分的工艺剖面图。

请接着参照图3D，在布植催化剂区域108后，以化学气相沉积法于复数个催化剂区域108上方成长复数个纳米碳管，而形成复数个纳米碳管丛104。经由控制纳米碳管的成长气氛、温度、与时间，可形成特定直径与高度的纳米碳管。经由对于催化剂区域108的形状、范围大小、及分布密度等布植位置与大小的控制，可控制纳米碳管丛的形状大小与分布状况。纳米碳管的成长可例如在约大于250℃的温度，以例如乙烯等气体于催化剂上成长纳米碳管。烃分子可持续在温度较高的催化剂表面裂解，碳原子由扩散进入催化剂，导致催化剂中碳浓度产生过饱和而从较冷的表面区域析出而持续抽出成长为纳米碳管。纳米碳管的成长方式，如温度、气氛、时间、及催化剂种类等，已有许多公知的相关研究可供参考，例如美国专利第6350488号等。在一实施例中，所形成的纳米碳管丛是圆形，其直径约为100～1000纳米之间，其高度约为1～1000微米之间，然不限于上述范围，可视所需作任意的调整。

接着，如图3E所示，提供第二基材100，并于其上形成黏合介质102。第二基材100对应于图1或图2所示的基材100，而黏合介质102对应于图2所示的黏合介质102。

请接着参照图3F，将纳米碳管丛104转印压合于第二基材100上，其中借着黏合介质102使纳米碳管丛固定于第二基材100上。最后，如图3G所示，移除第一基材106以完成本发明一实施例的抛光垫的制作。在一实施例中，在移除第一基材106时，会连同催化剂区域108一起移除。此外，在一实施例中，在移除第一基材106前，先固化黏合介质102以加强对于纳米碳管丛104的黏着力。例如，当采用高分子材料作为黏合介质102时，可采用热固化或光固化等方式，使纳米碳管丛104顺利转印压合于第二基材100上并黏着固定。此外，可因应不同的用途，采用不同的胶来作为黏合介质102，例如可使用导热胶、导电胶、具弹性的紫外线胶、或前述任意的组合等。

此外，应注意的是，在部分实施例中，第一基材106的尺寸受限于硅圆片尺寸与沉积设备，是经由多次成长与转贴而将纳米碳管接合于第二基材100上，在这些实施例中，第一基材106的尺寸小于第二基材100，需多次的转印压合以形成例如图1所示的抛光垫。在此情形中，第二基材100的尺寸会远大于第一基材106，然为简化图示，仅于例如图3E-3G中显示部分的第二基材100，其实际尺寸应大于第一基材106。在其它实施例中，第一基材106的大小可大抵与第二基材100相等，仅需一次转印压合便可形成例如图1所示的抛光垫。

图4显示本发明实施例的抛光垫上的一纳米碳管丛的SEM照片，可利用纳米碳管丛的顶部表面作为纳米级的固定式切削点，取代传统研磨浆料中的游离磨粒，来抛光待抛光物，因纳米碳管的磨润特性，可降低抛光工艺中的刮痕与损伤。由于不需添加研磨浆料便可抛光，除节省成本外，还可避免研磨浆料固化团聚后对待抛光物所造成的伤害。

图5显示本发明一实施例的抛光方法的示意图。如图5所示，首先提供待抛光物506，其具有待抛光表面508。接着，提供本发明实施例的抛光垫10，将抛光垫10贴抵住待抛光表面508，并在不添加研磨浆料的情形下，使抛光垫10与待抛光表面508间作相对运动而进行对待抛光表面508的抛光或平坦化。如图5所示，可例如以平台500承接抛光垫10，接着以支撑座504承接待抛光物506并压向抛光垫10，使抛光垫10贴抵住待抛光表面508。并可例如旋转支撑座504使抛光垫10与待抛光表面508间作一相对运动，例如以旋转方向b使抛光垫10相对于待抛光表面508旋转而将其抛光或平坦化。此外，亦可使支撑座504大抵维持不动，而使平台500相对于待抛光表面508旋转。

适合以本发明实施例的抛光方法来抛光或平坦化的待抛光物506例如包括圆片基板、半导体基板、光电组件基板、玻璃基板、或蓝宝石基板等。待抛光表面508上的材质例如包括半导体材料、金属材料、陶瓷材料、高分子材料、或前述任意的组合。特别是本发明的抛光垫可用以对铜等软质金属进行抛光，可导入铜工艺中来移除铜金属，取代传统的化学机械研磨法。在一实施例中，铜金属表面的粗糙度在抛光前为约12.25纳米，在以本发明的抛光垫抛光后，其粗糙度可降至约9纳米。

以下，列举本发明一实施例的制作过程与其抛光结果。本发明的抛光垫制作流程与抛光实验如下：

抛光垫制作流程：

1.设计光罩：利用黄光微影工艺定义碳管成长区。

2.蒸镀催化剂薄膜以形成催化剂区域：利用E-beam蒸镀机将铁催化剂薄膜涂布于具二氧化硅薄膜的硅基板上。

3.以化学气相沈积法成长纳米碳管丛：将乙烯(C₂H₄)通入950℃的石英管预热区使碳源(即乙烯)裂解，而750℃的成长区里铁催化剂由氧化铝球粒化并散布于二氧化硅上，当碳源到了成长区时，吸附在催化剂表面进而沉积成长。

4.纳米碳管丛转贴固着：采用简单胶合转印法，属于间接固着方式，因应不同的用途可采用不同的胶来进行固化，如欲作散热的用途可采用导热胶、欲从事导电用途可采用导电胶，本发明采用具弹性的紫外线胶将纳米碳管丛转移在具可挠性的PU基板上。

抛光实验：

1.试片准备：实验采用10mm×50mm×80mm的6-4黄铜(锌比例为40％)，以Hausber B3DR工模镗床对材料进行前加工，并以钻石型刀精加工至表面粗糙度约Ra20～30nm。

2.抛光加工：使用例如图5的自制实验装置进行抛光，将上述抛光垫与黄铜试片(相当于待抛光物506)分别固定于平台500与支撑座504上。设定平台500转速范围5～120rpm，经由旋转轴施加的抛光压力范围2～14psi，抛光过程于工件与抛光垫之间有喷洒水雾作为润滑用。

3.抛光品质量测：经由各种实验安排下的抛光结果，通过表面粗度仪(Taylor Hobson Form Talysurf，切断值(cut-off)设定的范围在0.08mm至8mm间)来量测其抛光后的结果。图6显示以本发明实施例的抛光垫对黄铜试片进行抛光的结果：

在刷光速度为1000mm/s，刷光时间为0.2s的条件下进行刷光实验，其中纳米碳管丛长度分别是：(1)736μm(进刀量为30μm)；(2)755μm(进刀量为50μm)；(3)775μm(进刀量为70μm)；(4)763μm(进刀量为90μm)。由图6可看出，试片的粗糙度在以本发明实施例的抛光垫抛光，可获得明显的改善。例如，对于进刀量90微米而纳米碳管长度763微米的抛光垫，可使粗糙度原为约25nm的试片下降到约22nm。其中，进刀量的定义为当纳米碳管丛接触到待抛光物表面时，设定纳米碳管丛沿待抛光物表面的垂直方向进入待抛光物表面的深度。

本发明实施例的抛光方法，由于使用具有复数个固定式切削点(即复数个纳米碳管丛)的抛光垫来抛光或平坦化，再加上纳米碳管本身的磨润特性，因此不需添加含有游离磨粒的研磨浆料便可进行抛光。在一实施例中，可于抛光过程中添加润滑剂(例如水)于抛光垫与待抛光表面之间，可进一步改善抛光品质。在一实施例中，只需添加水作为润滑剂便可进行抛光。此外，还可添加其它液体如酸液、碱液、或氧化剂来辅助移除待抛光表面上的材料，所添加液体的种类视待抛光表面的材质而定。

虽然本发明已以数个实施例描述如上，然其并非用以限定本发明，本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，当可作任意的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视申请的权利要求范围所界定的内容为准。

Claims (20)

1.一种抛光垫，包括：

一基材；

一黏合介质，设于该基材上；以及

复数个纳米碳管丛，分布于该黏合介质上，且直立于该基材上方，其中该些纳米碳管丛在该基材上的分布密度由内向外递减或由内向外递增。

2.如权利要求1所述的抛光垫，其中，该黏合介质包括高分子材料。

3.如权利要求2所述的抛光垫，其中，该基材包括高分子材料，其中该高分子选自：聚甲基丙烯酸甲酯、聚二甲基硅氧烷、聚碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚氨酯、聚苯乙烯、聚酰亚胺、或前述任意的组合。

4.如权利要求1所述的抛光垫，其中，该些纳米碳管丛的形状包括圆形、矩形、椭圆形、多边形、不规则形、或前述任意的组合。

5.如权利要求4所述的抛光垫，其中，该些纳米碳管丛包括圆形的纳米碳管丛，且该圆形的纳米碳管丛内单根纳米碳管的直径为1～100纳米。

6.如权利要求4所述的抛光垫，其中，该圆形的纳米碳管丛的高度为1～1000微米。

7.如权利要求1所述的抛光垫，其中，该些纳米碳管丛之间的间距由内部的2微米向外递增至500微米或由内部的500微米向外递减至2微米。

8.一种抛光垫的形成方法，包括：

提供一第一基材；

于该第一基材上布植复数个催化剂区域，且该些催化剂区域在该第一基材上的分布密度由内向外递减或由内向外递增；

于该些催化剂区域上形成复数个纳米碳管丛；

提供一第二基材；

于该第二基材上形成一黏合介质；

将该些纳米碳管丛转印压合于该第二基材上，其中由该黏合介质使该些纳米碳管丛固定于该第二基材上；以及

移除该第一基材。

9.如权利要求8所述的抛光垫的形成方法，其中，该黏合介质包括高分子材料。

10.如权利要求8所述的抛光垫的形成方法，其中，在移除该第一基材的步骤前，包括固化该黏合介质。

11.如权利要求8所述的抛光垫的形成方法，其中，该第二基材包括高分子材料，选自聚甲基丙烯酸甲酯、聚二甲基硅氧烷、聚碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚氨酯、聚苯乙烯、聚酰亚胺、或前述任意的组合。

12.如权利要求8所述的抛光垫的形成方法，其中，该些催化剂区域的形状包括圆形、矩形、椭圆形、多边形、不规则形、或前述任意的组合。

13.如权利要求8所述的抛光垫的形成方法，其中，该些催化剂区域之间的间距由内部的2微米向外递增至500微米或由内部的500微米向外递减至2微米。

14.如权利要求8所述的抛光垫的形成方法，其中，该些纳米碳管丛包括圆形的纳米碳管丛，且该圆形的纳米碳管丛内单根纳米碳管的直径为1～100纳米之间。

15.如权利要求14所述的抛光垫的形成方法，其中，该圆形的纳米碳管丛的高度为1～1000微米之间。

16.如权利要求8所述的抛光垫的形成方法，其中，该些催化剂区域包括铁、铂、钴、镍、铬、金、或前述任意的组合。

17.如权利要求8所述的抛光垫的形成方法，其中，该些纳米管丛的形成是以化学气相沉积法于该些催化剂区域上成长复数个纳米碳管。

18.一种抛光方法，包括：

提供一待抛光物，具有一待抛光表面；

提供一如权利要求1所述的抛光垫；

将该抛光垫贴抵住该待抛光表面；以及

在不添加研磨浆料下使该抛光垫与该待抛光表面间作一相对运动。

19.如权利要求18所述的抛光方法，其中，该相对运动包括使该抛光垫相对于该待抛光表面旋转。

20.如权利要求18所述的抛光方法，其中，在该相对运动期间包括添加一润滑剂于该抛光垫与该待抛光表面之间。

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