CN101640217A - 改善微波功率晶体管发射区电流集边效应的结构和方法 - Google Patents

Abstract

本发明是一种改善微波功率晶体管发射区电流集边效应的结构及方法，其特征是在发射区有平行于硅衬底表面和发射结的多晶硅薄层分布电阻，用以平衡发射区下方基区分布电阻，改善发射结电压的一致性，从而改善发射区电流集边效应；发射区薄层分布电阻是由掺杂多晶硅形成的，通过控制构成发射区窗口的二氧化硅厚度、二氧化硅侧向钻蚀深度来获得所需的掺杂多晶硅电阻的阻值。优点：在发射区中引入平行于硅衬底表面和发射结的多晶硅薄层分布电阻，当发射区电流流经该分布电阻时，产生的电压降可以补偿基极电流在内基区电阻上的电压降，减小发射结不同位置的电压降的差异，改善电流集边效应，扩大发射结的有效工作面积，提升芯片单位面积微波输出功率。

Description

改善微波功率晶体管发射区电流集边效应的结构和方法

技术领域

本发明涉及的是一种特别适用于微波功率晶体管研制生产的改善微波功率晶体管发射区电流集边效应的结构和方法，属于半导体微电子设计制造技术领域。

背景技术

在半导体微波功率晶体管中，发射区下方的基区(即所谓内基区)电阻率较高，而且基区宽度较窄，所以内基区电阻较大。由于基区电阻的存在，当发射结处于正偏状态时，发射结电流主要集中在发射结边缘(即所谓发射区电流集边效应)，发射结中间区域只增加发射结电容，对电流的贡献很小，从而限制了器件的频率性能和功率性能。过去一般是通过减小发射区条宽来减小内基区电阻和发射结电容，来提高器件的微波性能；通过增加发射区周长来增加功率性能。但是，这种设计不利于减小集电极面积，限制了芯片单位面积的输出功率，而且减小发射区条宽度给工艺带来困难，影响加工成品率。

发明内容

本发明提出的是一种改善微波功率晶体管发射区电流集边效应的结构和方法，旨在改善发射区电流集边效应，该方法可以放宽发射区条宽度，增加有效发射区面积，提高单位芯片面积的输出功率，同时降低加工工艺难度。

本发明的技术解决方案：一种改善微波功率晶体管发射区电流集边效应的结构，其特征是在发射区有平行于硅衬底表面和发射结的多晶硅薄层分布电阻，用以平衡发射区下方基区分布电阻，改善发射结电压的一致性，从而改善发射区电流集边效应；发射区薄层分布电阻是由掺杂多晶硅形成的。

利用较薄的掺杂多晶硅，在发射区中引入平行于发射结的横向分布的多晶硅电阻，当发射区电流流经该分布电阻时，所产生的电压降可以补偿基极电流在内基区电阻上的电压降，减小了发射结不同位置的电压降的差异，达到改善电流集边效应，扩大发射结的有效工作面积，最终改善芯片的微波输出功率。

一种改善微波功率晶体管发射区电流集边效应的方法，其特征在于，在发射区引入平行于硅衬底表面和发射结的多晶硅薄层分布电阻，用以平衡发射区下方基区分布电阻；发射区薄层分布电阻的阻值，是通过控制构成发射区窗口的二氧化硅厚度、二氧化硅侧向钻蚀深度来实现的；

该方法的具体工艺步骤分为；

1)、选择厚度为380μm-560μm，电阻率≤0.003Ω·cm的掺砷硅衬底区，其硅外延层掺磷(n型)，电阻率0.75Ω·cm-1.5Ω·cm，厚度1μm-15μm；

2)、在硅衬底表面涂附一层光刻胶薄膜，厚度1.0μm-2.5μm；

3)、对光刻胶进行选择性曝光和显影，获得基极接触区窗口，然后利用离子注入工艺在窗口内进行B⁺(或BF₂ ⁺)掺杂，形成p⁺掺杂区；

4)、采用干法或者湿法工艺去掉附图5中的光刻胶，然后在硅衬底表面重新涂附一层光刻胶薄膜，厚度1.0μm-2.5μm；对光刻胶进行选择性曝光和显影，形成基区注入窗口；

5)、利用离子注入工艺在基区窗口内进行BF₂ ⁺掺杂，形成p型掺杂基区；

6)、利用LPCVD工艺先后在硅衬底表面淀积一层厚度为0.01μm-0.1μm的二氧化硅和一层厚度为0.1μm-0.3μm的氮化硅；

7)、在硅衬底表面涂附一层光刻胶，厚度1.0μm-2.5μm，并光刻形成发射区窗口，利用反应离子刻蚀工艺腐蚀掉窗口内的氮化硅和二氧化硅，然后去掉光刻胶得到由二氧化硅和氮化硅形成的发射区窗口；

8)、利用湿法工艺选择性腐蚀窗口内的二氧化硅，而氮化硅边界保持不变，获得所需的发射区窗口；氮化硅与二氧化硅边界距离控制在0.25μm-0.4μm；

9)、利用LPCVD工艺在硅衬底表面淀积一层厚度为0.2μm-0.5μm的掺砷多晶硅；

10)、在硅衬底表面涂附一层光刻胶，厚度1.0μm-2.5μm，并光刻形成发射区多晶硅图形，然后利用反应离子刻蚀工艺腐蚀掉图形以外的多晶硅，再去掉光刻胶得到发射区掺砷多晶硅图形；硅衬底在扩散炉中，氮气环境条件下，经920℃-980℃，15分钟-30分钟扩散形成n+掺杂的发射区；

11)、在硅衬底表面涂附一层光刻胶，厚度1.0μm-2.5μm，并光刻形成基极接触窗口，利用反应离子刻蚀工艺腐蚀掉窗口内的氮化硅和二氧化硅，再去掉光刻胶得到由氮化硅和二氧化硅形成的基极接触窗口图形；

12)、采用溅射工艺在硅衬底表面先后淀积钛钨合金厚度0.1μm-0.3μm，金厚度1.0μm-2μm；并光刻形成发射极金属和基极金属图形；先后利用离子铣工艺和反应离子刻蚀工艺刻蚀掉电极图形以外的金属，再去掉光刻胶得到基极和发射极金属图形；

13)、采用减薄工艺磨掉硅衬底背面部分厚度，剩下硅衬底厚度为70μm-120μm；采用电子束蒸发工艺在硅衬底背面先后淀积钛厚度0.1μm-0.3μm，镍厚度0.3μm-0.6μm，金厚度0.4μm-0.6μm；形成集电极金属电极。

本发明的有益效果是，改善电流集边效应，扩大发射结的有效工作面积，提升单位芯片面积微波输出功率，降低了工艺难度。

附图说明

附图1是现有晶体管基区电阻分布剖面示意图；

附图2是现有晶体管发射区电流分布剖面示意图；

附图3是本发明晶体管发射区中平行于硅衬底表面和发射结的多晶硅薄层分布电阻剖面示意图；

附图4是本发明晶体管发射区电流分布剖面示意图；

附图5硅衬底的剖面示意图；

附图6是硅衬底表面涂附一层光刻胶后的剖面示意图；

附图7是光刻出基极接触窗口，并选择性注入形成p⁺掺杂后的剖面示意图；

附图8是光刻出基区注入窗口后的剖面示意图；

附图9是光刻基区注入窗口，选择性注入形成p型掺杂后的剖面示意图；

附图10是硅衬底片表面淀积二氧化硅和氮化硅后的剖面示意图；

附图11是光刻，并选择性刻蚀二氧化硅和氮化硅形成发射区窗口后的剖面示意图；

附图12是湿发腐蚀发射区窗口内二氧化硅后的剖面示意图；

附图13是硅衬底片表面淀积掺砷多晶硅后的剖面示意图；

附图14是光刻，并选择性刻蚀掺砷多晶硅后的剖面示意图；

附图15是光刻刻蚀基极接金属触窗口后的剖面示意图；

附图16是硅衬底片上表面制作上电极后的剖面示意图；

附图17是硅衬底片下表面减薄并制作下电极后的剖面示意图；

具体实施方式

图中的1是硅衬底n⁺⁺区，为砷掺杂，厚度380μm-560μm；2是硅衬底n型外延区，厚度1μm-15μm；3是P⁺掺杂区，即基极接触区，厚度1μm-2μm；4是二氧化硅薄膜，厚度0.01μm-0.1μm；5是氮化硅薄膜，厚度0.1μm-0.3μm；6是p型掺杂基区，厚度0.2μm-0.3μm；7是n⁺掺杂发射区，厚度0.1μm-0.15μm；8是掺砷多晶硅，厚度0.2μm-0.5μm；9是基区分布电阻，位于发射区下方；10是发射极金属电极；11是基极金属电极；12是集电极金属电极；13是发射区多晶硅分布电阻；14是基极接触注入窗口；15是发射区多晶硅淀积窗口，宽度0.4μm-0.8μm；16是光刻胶薄膜，厚度1.0μm-2.5μm；17是基极金属接触窗口；18是发射区电流分布示意图；

对照附图1，现有晶体管基区分布电阻9上方的发射区不存在平行于衬底表面的多晶硅分布电阻；

对照附图2，现有晶体管发射区电流分布18主要集中在发射区边缘，发射区中间区域不能有效工作；

对照附图3，本发明晶体管基区分布电阻9上方包含两个平行于衬底表面的发射区多晶硅分布电阻13。多晶硅分布电阻对基区分布电阻起到平衡作用，能够改善发射区电流分布的均匀性；

对照附图4，是本发明晶体管发射区电流分布18均匀性得到改善，发射区中间区域有电流通过；

对照附图5，1区电阻率≤0.003Ω·cm，厚度为380μm-560μm，掺砷；2区电阻率0.75Ω·cm-1.5Ω·cm，厚度1μm-15μm，掺磷；

对照附图6，在硅衬底表面涂附一层光刻胶薄膜，厚度1.0μm-2.5μm，

对照附图7，光刻胶经过曝光显影后获得基极接触区窗口，然后利用离子注入工艺在窗口内进行B⁺(或BF₂ ⁺)掺杂，形成p⁺掺杂区；

对照附图8，采用干法或者湿法工艺去掉图5中的光刻胶，然后在硅衬底表面重新涂附一层光刻胶薄膜，厚度1.0μm-2.5μm；光刻形成基区注入窗口；

对照附图9，利用离子注入工艺在基区窗口内进行BF₂ ⁺掺杂，形成p掺杂区

对照附图10，利用LPCVD工艺先后在硅衬底表面淀积一层厚度为0.01μm-0.1μm的二氧化硅和一层厚度为0.1μm-0.3μm的氮化硅；

对照附图11，在硅衬底表面涂附一层光刻胶，厚度1.0μm-2.5μm，并光刻形成发射区窗口，然后利用反应离子刻蚀工艺腐蚀掉窗口内的氮化硅和二氧化硅，然后去掉光刻胶得到由二氧化硅和氮化硅形成的发射区窗口；

对照附图12，利用湿法工艺选择性腐蚀窗口内的二氧化硅，而氮化硅边界保持不变，获得所需的发射区窗口；氮化硅与二氧化硅边界距离控制在0.25μm-0.4μm；

对照附图13，利用LPCVD工艺在硅衬底表面淀积一层厚度为0.2μm-0.5μm的掺砷多晶硅。

对照附图14，在硅衬底表面涂附一层光刻胶，厚度1.0μm-2.5μm，并光刻形成发射区多晶硅图形，然后利用反应离子刻蚀工艺腐蚀掉图形以外的多晶硅，再去掉光刻胶得到发射区掺砷多晶硅图形；硅衬底在扩散炉中，氮气环境条件下，经920℃-980℃，15分钟-30分钟扩散形成n+掺杂的发射区。

对照附图15，在硅衬底表面涂附一层光刻胶，厚度1.0μm-2.5μm，并光刻形成基极接触窗口，利用反应离子刻蚀工艺腐蚀掉窗口内的氮化硅和二氧化硅，再去掉光刻胶得到由氮化硅和二氧化硅形成的基极接触窗口图形；

对照附图16，采用溅射工艺在硅衬底表面先后淀积钛钨合金厚度0.1μm-0.3μm，金厚度1.0μm-2μm；并光刻形成发射极金属和基极金属图形；先后利用离子铣工艺和反应离子刻蚀工艺刻蚀掉电极图形以外的金属，再去掉光刻胶得到基极和发射极金属图形。

对照附图17，采用减薄工艺磨掉硅衬底背面部分厚度，剩下硅衬底厚度为70μm-120μm；采用电子束蒸发工艺在硅衬底背面先后淀积钛厚度0.1μm-0.3μm，镍厚度0.3μm-0.6μm，金厚度0.4μm-0.6μm；形成集电极金属电极。

实施例1

1)、选择厚度为380μm，电阻率≤0.003Ω·cm的掺砷硅衬底区，其硅外延层掺磷(n型)，电阻率0.75Ω·cm，厚度1μm(附图5)；

2)、在硅衬底表面涂附一层光刻胶薄膜，厚度1.0μm(附图6)；

3)、对光刻胶进行选择性曝光和显影，获得基极接触区窗口，然后利用离子注入工艺在窗口内进行B⁺(或BF₂ ⁺)掺杂，形成p⁺掺杂区(附图7)；

4)、采用干法或者湿法工艺去掉附图5中的光刻胶，然后在硅衬底表面重新涂附一层光刻胶薄膜，厚度1.0μm；对光刻胶进行选择性曝光和显影，形成基区注入窗口(附图8)；

5)、利用离子注入工艺在基区窗口内进行BF₂ ⁺掺杂，形成p型掺杂基区

(附图9)；

6)、利用LPCVD工艺先后在硅衬底表面淀积一层厚度为0.01μm的二氧化硅和一层厚度为0.1μm的氮化硅；(附图10)；

7)、在硅衬底表面涂附一层光刻胶，厚度1.0μm，并光刻形成发射区窗口，利用反应离子刻蚀工艺腐蚀掉窗口内的氮化硅和二氧化硅，然后去掉光刻胶得到由二氧化硅和氮化硅形成的发射区窗口(附图11)；

8)、利用湿法工艺选择性腐蚀窗口内的二氧化硅，而氮化硅边界保持不变，获得所需的发射区窗口；氮化硅与二氧化硅边界距离控制在0.25μm(附图12)；

9)、利用LPCVD工艺在硅衬底表面淀积一层厚度为0.2μm的掺砷多晶硅(附图13)；

10)、在硅衬底表面涂附一层光刻胶，厚度1.0μm，并光刻形成发射区多晶硅图形，然后利用反应离子刻蚀工艺腐蚀掉图形以外的多晶硅，再去掉光刻胶得到发射区掺砷多晶硅图形；硅衬底在扩散炉中，氮气环境条件下，经920℃，15分钟扩散形成n+掺杂的发射区(附图14)；

11)、在硅衬底表面涂附一层光刻胶，厚度1.0μm，并光刻形成基极接触窗口，利用反应离子刻蚀工艺腐蚀掉窗口内的氮化硅和二氧化硅，再去掉光刻胶得到由氮化硅和二氧化硅形成的基极接触窗口图形(附图15)；

12)、采用溅射工艺在硅衬底表面先后淀积钛钨合金厚度0.1μm，金厚度1.0μm；并光刻形成发射极金属和基极金属图形；先后利用离子铣工艺和反应离子刻蚀工艺刻蚀掉电极图形以外的金属，再去掉光刻胶得到基极和发射极金属图形(附图16)；

13)、采用减薄工艺磨掉硅衬底背面部分厚度，剩下硅衬底厚度为70μm；

采用电子束蒸发工艺在硅衬底背面先后淀积钛厚度0.1μm，镍厚度0.3μm，金厚度0.4μm；形成集电极金属电极(附图17)。

实施例2

1)、选择厚度为470μm，电阻率≤0.003Ω·cm的掺砷硅衬底区，其硅外延层掺磷(n型)，电阻率1.125Ω·cm，厚度8μm(附图5)；

2)、在硅衬底表面涂附一层光刻胶薄膜，厚度1.75μm(附图6)；

3)、对光刻胶进行选择性曝光和显影，获得基极接触区窗口，然后利用离子注入工艺在窗口内进行B⁺(或BF₂ ⁺)掺杂，形成p⁺掺杂区(附图7)；

4)、采用干法或者湿法工艺去掉附图5中的光刻胶，然后在硅衬底表面重新涂附一层光刻胶薄膜，厚度1.75μm；对光刻胶进行选择性曝光和显影，形成基区注入窗口(附图8)；

5)、利用离子注入工艺在基区窗口内进行BF₂ ⁺掺杂，形成p型掺杂基区(附图9)；

6)、利用LPCVD工艺先后在硅衬底表面淀积一层厚度为0.055μm的二氧化硅和一层厚度为0.2μm的氮化硅；(附图10)；

7)、在硅衬底表面涂附一层光刻胶，厚度1.75μm，并光刻形成发射区窗口，利用反应离子刻蚀工艺腐蚀掉窗口内的氮化硅和二氧化硅，然后去掉光刻胶得到由二氧化硅和氮化硅形成的发射区窗口(附图11)；

8)、利用湿法工艺选择性腐蚀窗口内的二氧化硅，而氮化硅边界保持不变，获得所需的发射区窗口；氮化硅与二氧化硅边界距离控制在0.325μm(附图12)；

9)、利用LPCVD工艺在硅衬底表面淀积一层厚度为0.35μm的掺砷多晶硅(附图13)；

10)、在硅衬底表面涂附一层光刻胶，厚度1.75μm，并光刻形成发射区多晶硅图形，然后利用反应离子刻蚀工艺腐蚀掉图形以外的多晶硅，再去掉光刻胶得到发射区掺砷多晶硅图形；硅衬底在扩散炉中，氮气环境条件下，经950℃，22.5分钟扩散形成n+掺杂的发射区(附图14)；

11)、在硅衬底表面涂附一层光刻胶，厚度1.75μm，并光刻形成基极接触窗口，利用反应离子刻蚀工艺腐蚀掉窗口内的氮化硅和二氧化硅，再去掉光刻胶得到由氮化硅和二氧化硅形成的基极接触窗口图形(附图15)；

12)、采用溅射工艺在硅衬底表面先后淀积钛钨合金厚度0.2μm，金厚度1.5μm；并光刻形成发射极金属和基极金属图形；先后利用离子铣工艺和反应离子刻蚀工艺刻蚀掉电极图形以外的金属，再去掉光刻胶得到基极和发射极金属图形(附图16)；

13)、采用减薄工艺磨掉硅衬底背面部分厚度，剩下硅衬底厚度为95μm；采用电子束蒸发工艺在硅衬底背面先后淀积钛厚度0.2μm，镍厚度0.45μm，金厚度0.5μm；形成集电极金属电极(附图17)。

实施例3

1)、选择厚度为560μm，电阻率≤0.003Ω·cm的掺砷硅衬底区，其硅外延层掺磷(n型)，电阻率1.5Ω·cm，厚度15μm(附图5)；

2)、在硅衬底表面涂附一层光刻胶薄膜，厚度2.5μm(附图6)；

3)、对光刻胶进行选择性曝光和显影，获得基极接触区窗口，然后利用离子注入工艺在窗口内进行B⁺(或BF₂ ⁺)掺杂，形成p⁺掺杂区(附图7)；

4)、采用干法或者湿法工艺去掉附图5中的光刻胶，然后在硅衬底表面重新涂附一层光刻胶薄膜，厚度2.5μm；对光刻胶进行选择性曝光和显影，形成基区注入窗口(附图8)；

5)、利用离子注入工艺在基区窗口内进行BF₂ ⁺掺杂，形成p型掺杂基区(附图9)；

6)、利用LPCVD工艺先后在硅衬底表面淀积一层厚度为0.1μm的二氧化硅和一层厚度为0.3μm的氮化硅；(附图10)；

7)、在硅衬底表面涂附一层光刻胶，厚度2.5μm，并光刻形成发射区窗口，利用反应离子刻蚀工艺腐蚀掉窗口内的氮化硅和二氧化硅，然后去掉光刻胶得到由二氧化硅和氮化硅形成的发射区窗口(附图11)；

8)、利用湿法工艺选择性腐蚀窗口内的二氧化硅，而氮化硅边界保持不变，获得所需的发射区窗口；氮化硅与二氧化硅边界距离控制在0.4μm(附图12)；

9)、利用LPCVD工艺在硅衬底表面淀积一层厚度为0.5μm的掺砷多晶硅(附图13)；

10)、在硅衬底表面涂附一层光刻胶，厚度2.5μm，并光刻形成发射区多晶硅图形，然后利用反应离子刻蚀工艺腐蚀掉图形以外的多晶硅，再去掉光刻胶得到发射区掺砷多晶硅图形；硅衬底在扩散炉中，氮气环境条件下，经980℃，30分钟扩散形成n+掺杂的发射区(附图14)；

11)、在硅衬底表面涂附一层光刻胶，厚度2.5μm，并光刻形成基极接触窗口，利用反应离子刻蚀工艺腐蚀掉窗口内的氮化硅和二氧化硅，再去掉光刻胶得到由氮化硅和二氧化硅形成的基极接触窗口图形(附图15)；

12)、采用溅射工艺在硅衬底表面先后淀积钛钨合金厚度0.3μm，金厚度2μm；并光刻形成发射极金属和基极金属图形；先后利用离子铣工艺和反应离子刻蚀工艺刻蚀掉电极图形以外的金属，再去掉光刻胶得到基极和发射极金属图形(附图16)；

13)、采用减薄工艺磨掉硅衬底背面部分厚度，剩下硅衬底厚度为120μm；采用电子束蒸发工艺在硅衬底背面先后淀积钛厚度0.3μm，镍厚度0.6μm，金厚度0.6μm；形成集电极金属电极(附图17)。

Claims (2)

1、一种改善微波功率晶体管发射区电流集边效应的结构，其特征是在发射区有平行于硅衬底表面和发射结的多晶硅薄层分布电阻，用以平衡发射区下方基区分布电阻，改善发射结电压的一致性，从而改善发射区电流集边效应；发射区薄层分布电阻是由掺杂多晶硅形成的。

2、一种改善微波功率晶体管发射区电流集边效应的方法，其特征在于，在发射区引入平行于硅衬底表面和发射结的多晶硅薄层分布电阻，用以平衡发射区下方基区分布电阻；发射区薄层分布电阻的阻值，是通过控制构成发射区窗口的二氧化硅厚度、二氧化硅侧向钻蚀深度来实现的；该方法的具体工艺步骤分为；

1)、选择厚度为380μm-560μm，电阻率≤0.003Ω·cm的掺砷硅衬底区，其硅外延层掺磷(n型)，电阻率0.75Ω·cm-1.5Ω·cm，厚度1μm-15μm；

2)、在硅衬底表面涂附一层光刻胶薄膜，厚度1.0μm-2.5μm；

3)、对光刻胶进行选择性曝光和显影，获得基极接触区窗口，然后利用离子注入工艺在窗口内进行B⁺(或BF₂ ⁺)掺杂，形成p⁺掺杂区；

4)、采用干法或者湿法工艺去掉附图5中的光刻胶，然后在硅衬底表面重新涂附一层光刻胶薄膜，厚度1.0μm-2.5μm；对光刻胶进行选择性曝光和显影，形成基区注入窗口；

5)、利用离子注入工艺在基区窗口内进行BF₂ ⁺掺杂，形成p型掺杂基区；

6)、利用LPCVD工艺先后在硅衬底表面淀积一层厚度为0.01μm-0.1μm的二氧化硅和一层厚度为0.1μm-0.3μm的氮化硅；

7)、在硅衬底表面涂附一层光刻胶，厚度1.0μm-2.5μm，并光刻形成发射区窗口，利用反应离子刻蚀工艺腐蚀掉窗口内的氮化硅和二氧化硅，然后去掉光刻胶得到由二氧化硅和氮化硅形成的发射区窗口；

8)、利用湿法工艺选择性腐蚀窗口内的二氧化硅，而氮化硅边界保持不变，获得所需的发射区窗口；氮化硅与二氧化硅边界距离控制在0.25μm-0.4μm；

9)、利用LPCVD工艺在硅衬底表面淀积一层厚度为0.2μm-0.5μm的掺砷多晶硅；

10)、在硅衬底表面涂附一层光刻胶，厚度1.0μm-2.5μm，并光刻形成发射区多晶硅图形，然后利用反应离子刻蚀工艺腐蚀掉图形以外的多晶硅，再去掉光刻胶得到发射区掺砷多晶硅图形；硅衬底在扩散炉中，氮气环境条件下，经920℃-980℃，15分钟-30分钟扩散形成n⁺掺杂的发射区；

11)、在硅衬底表面涂附一层光刻胶，厚度1.0μm-2.5μm，并光刻形成基极接触窗口，利用反应离子刻蚀工艺腐蚀掉窗口内的氮化硅和二氧化硅，再去掉光刻胶得到由氮化硅和二氧化硅形成的基极接触窗口图形；

12)、采用溅射工艺在硅衬底表面先后淀积钛钨合金厚度0.1μm-0.3μm，金厚度1.0μm-2μm；并光刻形成发射极金属和基极金属图形；先后利用离子铣工艺和反应离子刻蚀工艺刻蚀掉电极图形以外的金属，再去掉光刻胶得到基极和发射极金属图形；

13)、采用减薄工艺磨掉硅衬底背面部分厚度，剩下硅衬底厚度为70μm-120μm；采用电子束蒸发工艺在硅衬底背面先后淀积钛厚度0.1μm-0.3μm，镍厚度0.3μm-0.6μm，金厚度0.4μm-0.6μm；形成集电极金属电极。

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