CN101639597B - 阵列基板 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种阵列基板。在该阵列基板中，像素电极包括轮廓部、连接部和狭长切口部。轮廓部沿着数据线和栅极线设置，并且连接部分别在与数据线和栅极线交叉的方向上延伸，以连接到轮廓部。狭长切口部从连接部的侧表面突出出来，以连接到轮廓部。屏蔽电极朝向轮廓部设置在数据线与轮廓部以及栅极线与轮廓部之间。

Description

阵列基板

技术领域

本发明涉及阵列基板、制造阵列基板的方法以及具有该阵列基板的液晶显示(LCD)装置。更具体地，本发明的示范性实施例涉及具有改善的显示质量的阵列基板、制造该阵列基板的方法以及具有该阵列基板的LCD装置。

背景技术

移动构图垂直配向(mPVA)模式的LCD装置(下文中被称为mPVA LCD装置)可以具有其中施加圆偏振且透射率相对优于其它模式的光模式(opticalmode)。

与施加线偏振的PVA模式相比，具有圆偏振光模式的mPVA LCD装置会具有涉及视觉特性或者对比度的缺点。然而，线偏振PVA模式的透射率会低于圆偏振PVA模式的透射率。

因此，当线偏振光模式可应用于mPVA模式时，像素的开口率可以很大，且液晶指向矢可以相对于偏振器的偏振轴形成约45度的角度，从而改善透射率。

然而，在滤色器基板的公共电极上形成狭长切口部时，线偏振mPVA模式的液晶由杂散场控制。因此，线偏振mPVA模式是不利的，会降低透射率。

为了解决这些问题，可以采用微狭长切口模式，在该微狭长切口模式中狭长切口形成在阵列基板的像素电极上，而不是形成在公共电极上。然而，微狭长切口模式具有不利之处：难以控制形成在像素电极上的微狭长切口边缘处或者微狭长切口之间的液晶，因此而会使LCD装置的显示质量退化。

发明内容

本发明提供一种改善显示质量的阵列基板。

本发明还提供制造上述阵列基板的方法。

本发明还提供具有上述阵列基板的液晶显示(LCD)装置。

本发明的其它特征将在下面的描述中阐述且在下面的描述中部分显见，或者可以通过实践本发明而知悉。

本发明揭示了一种包括基板、像素电极和屏蔽电极的阵列基板。基板包括彼此交叉且彼此绝缘的栅极线和数据线，以及连接到布置在其上的栅极线和数据线的开关元件。像素电极包括轮廓部、多个连接部和多个狭长切口部。轮廓部沿着数据线和栅极线设置在基板上。连接部在与数据线交叉的方向及与栅极线交叉的方向上延伸，并且连接到轮廓部。连接部将轮廓部限定的像素区域分成多个域。狭长切口部从每个域中的连接部的侧表面突出，并且狭长切口部连接到轮廓部。屏蔽电极分别在数据线上沿着轮廓部及在栅极线上沿着轮廓部设置，以屏蔽数据线和栅极线。屏蔽电极设置在数据线和轮廓部之间。

本发明揭示了一种制造阵列基板的方法，包括在基板上形成开关元件、像素电极和屏蔽电极。开关元件连接到栅极线和数据线。像素电极包括沿着数据线和栅极线形成在基板上的轮廓部、将由轮廓部限定的像素区域分成多个域的多个连接部。连接部在与数据线交叉的方向和与栅极线交叉的方向上延伸，并且连接到轮廓部，从每个域中的连接部的侧表面突出多个狭长切口部，其中狭长切口部连接到轮廓部。屏蔽电极分别在数据线上沿着轮廓部及在栅极线上沿着轮廓部形成，以屏蔽数据线和栅极线，并且屏蔽电极设置在数据线和轮廓部之间。

本发明揭示了一种LCD装置，包括第一基板、第二基板和液晶层。第一基板包括上基板和公共电极。第二基板包括下基板、像素电极和屏蔽电极。下基板具有连接到设置在其上的栅极线和数据线的开关元件。像素电极包括轮廓部、连接部和狭长切口部。轮廓部沿着数据线和栅极线设置。连接部分别在与数据线和栅极线交叉的方向上延伸，以连接到轮廓部。狭长切口部从连接部的侧表面突出以连接到轮廓部。屏蔽电极分别在数据线上沿着轮廓部及在栅极线上沿着轮廓部设置，以屏蔽数据线和栅极线，并且设置在数据线和轮廓部之间。液晶层设置在像素电极和公共电极之间。

应当理解的是，前面的总体描述和下面的详细描述都是示范性和说明性的，并且旨在对如权利要求所述的本发明提供进一步的说明。

附图说明

包括附图以提供对本发明的进一步理解，这些附图被并入、并构成本说明书的一部分，其图解了本发明的实施例，并与描述一起用于说明本发明的原理。

图1是示出根据本发明示范性实施例的液晶显示(LCD)装置的平面图；

图2是示出图1所示的像素区域的示例的放大平面图；

图3是沿图2中的I-I’线剖取的截面图；

图4A、图4B、图4C、图4D、图4E、图4F、图4G、图4H和图4I是示出制造图1、图2和图3所示阵列基板的工艺的截面图；

图5A是沿图2中的II-II’线剖取的截面图；

图5B是沿图2中的III-III’线剖取的截面图；

图6是示出图5A和图5B中的屏蔽电极和像素电极的轮廓部之间的液晶层的运动的截面图；

图7A是观测LCD装置的透光率的图像，在该LCD装置中在对角线方向上形成有狭长切口部；

图7B是观测图1、图2、图3、图4、图5A和图5B所示的LCD装置的透光率的图像；

图8是代表图7A和图7B所示的LCD装置的响应时间的图；

图9是示出根据本发明另一个示范性实施例的LCD装置的阵列基板的像素区域的放大平面图；

图10是沿图9中的IV-IV’线剖取的截面图；

图11A、图11B、图11C和图11D是示出制造图9和图10所示的阵列基板的工艺的截面图；

图12A是示出LCD装置的透光率的图像，该LCD装置的阵列基板除了像素电极没有轮廓部之外与图9和图10所示的阵列基板相同；

图12B是示出具有图9和图10所示阵列基板的LCD装置的透光率的图像；

图13是示出图12A和图12B所示LCD装置的响应时间的图。

具体实施方式

下面，将参考附图更全面地描述本发明，附图中示出了本发明的示范性实施例。然而，本发明可以以多种不同的形式实施并且不应被解释为限于在此所阐述的示范性实施例。相反，提供这些实施例使得该揭示透彻和完整，并且向本领域的技术人员充分传达本发明的范围。在附图中，为了清楚起见，可能夸大层和区的尺寸和相对尺寸。

应当理解的是，当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或者“耦接到”另一元件或层时，它可以直接在其它元件或层上、直接连接到或者耦接到其它元件或层，或者它们之间可以存在插入的元件或层。相反，当元件被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或者“直接耦接到”另一元件或层时，它们之间不存在插入的元件或层。相似的附图标号通篇表示相似的元件。如这里所用，词语“和/或”包括一个或多个相关所列项目的任何及所有组合。

应当理解的是，尽管词语第一、第二、第三等可以在此用于描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应当受限于这些词语。这些词语仅用于区别一个元件、组件、区域、层或者部分与另一个区域、层或部分。因此，下面讨论的第一元件、组件、区域、层或部分可以被称为第二元件、组件、区域、层或部分，而不脱离本发明的教导。

空间相对词语，例如“在……之下”、“下面”、“下面的”、“在……之上”、“上面的”等，在此可用于方便描述，以描述一个元件或者特征与图中所示的另一个元件(多个元件)或者特征(多个特征)的关系。应当理解的是，空间相对词语旨在包括装置在使用或者运行中的不同取向以及图中所示的取向。例如，如果图中的装置被倒置，则描述为在其它元件或者特征“下面”或者“之下”的元件会取向为在其它元件或者特征的“上面”。因此，示范性词语“在……之下”可以包括之上和之下两种取向。装置还可以以别的方式取向(旋转90度或者在其它取向)，并且相应地解释在此使用的空间相对描述符。

在此采用的术语仅为了描述特定的示范性实施例，而不旨在限制本发明。正如这里所使用的，单数形式“一个(a、an)”和“所述(the)”也旨在包括复数形式，除非上下文中清楚地另有示意。还应当理解的是，当在说明书中使用时，词语“包括(comprises)”和/或“包含(comprising)”是指定所述特征、数量、步骤、操作、元件和/或组件的存在，但并不排除一个或者多个其它特征、数量、步骤、操作、元件、组件和/或其组合的存在或者增加。

这里，参考截面图来描述本发明的示范性实施例，这些截面图是本发明的理想化示范性实施例(和中间结构)的示意图。同样，可以预期由例如，制造技术和/或公差引起的图示形状的变化。因此，本发明的示范性实施例不应解释为限于在此所示的区域的特定形状，而是包括由例如制造所引起的形状上的改变。例如，所示为矩形的注入区域典型地具有圆形或者弯曲的特征和/或在其边缘上的注入浓度梯度，而非从注入区域到非注入区域的二元改变。同样，通过注入形成的埋入区域可以导致在埋入区域与进行注入的表面之间的区域中的某些注入。因此，图中所示的区域本质上是示意性的，它们的形状不意味着图示装置的区域的实际形状，并且不旨在限制本发明的范围。

除非另有限定，在此采用的所有词语(包括技术和科学词语)具有与本发明所属技术领域的普通技术人员所通常理解的相同的含义。还应当理解的是，除非在此特别限定，诸如通用字典中定义的词语应当解释为具有与它们在相关技术的上下文中意思一致的意思，而不应被解释为理想化或者过于形式化。

下面，将参考附图详细地说明本发明。

图1的平面图示出了根据本发明示范性实施例的液晶显示(LCD)装置100。

参考图1，根据本发明示范性实施例的LCD装置100包括显示面板10和驱动部5。

显示面板10包括阵列基板101、相对基板105和液晶层。彼此相对的阵列基板101和相对基板105通过具有框架形状的密封件102接合。液晶设置在阵列基板101、相对基板105和密封件102之间的空间中以形成液晶层。

在图1中，相对基板105沿离开地面的方向设置，而阵列基板101沿朝向地面的方向设置。

相对基板105可以是具有RGB滤色器的滤色器基板。阵列基板101是元件基板，其采用薄膜晶体管(TFT)元件通过有源矩阵驱动方法驱动。

另外，在LCD装置100中，阵列基板101包括在其中形成的具有微狭长切口图案的像素电极，而相对基板105包括在其中形成的具有平板形状的公共电极。

阵列基板101可以大致上具有矩形形状。在该实施例中，阵列基板101的水平方向定义为“x”，并且阵列基板101的垂直方向定义为“y”。

图2的放大平面图示出了图1所示的像素区域的示例。图3是沿图2中的I-I’线剖取的截面图。

参考图1、图2、图3，显示装置100包括阵列基板101、相对基板105和液晶层107。

阵列基板101的平面图如图2所示，阵列基板101、相对基板105和液晶层107的截面图如图3所示。

参考图1、图2和图3，根据本发明的阵列基板101包括下基板102、多个栅极线111、多个数据线115、开关元件108、屏蔽电极160和像素电极170。

图4A、图4B、图4C、图4D、图4F、图4G、图4H和图4I的截面图示出了制造图1、图2和图3所示的阵列基板101的工艺。

根据该示范性实施例中制造阵列基板的工艺，栅极金属可以是由铝(Al)和钼(Mo)形成的两层结构，通过溅射工艺在下基板102上沉积至约

厚度，如图4A所示执行蚀刻工艺，以形成栅极线111以及从栅极线111突出的栅极电极112。栅极线111平行于水平方向在下基板102上延伸。

然后，形成如图3和图4B所示的栅极绝缘层113和半导体图案114。栅极绝缘层113可以由硅氮化物(SiNx)形成，在栅极线111上沉积为具有约

的厚度。半导体层沉积于栅极绝缘层113上，其可以由厚度约的非晶硅(a-Si)和厚度约

的高浓度掺杂的非晶硅(n+a-Si)制成。蚀刻半导体层以形成半导体图案114。蚀刻非晶硅(n+a-Si)层以形成半导体图案114。半导体图案114对应于栅极电极112的位置形成在栅极绝缘层113上。

如图3和图4C所示，数据金属可以是由钼-铝-钼形成的三层结构，在栅极绝缘层113上沉积为分别具有约

和

的厚度，并且被构图以形成数据线115、源极电极121和漏极电极123。

数据线115沿垂直方向“y”在栅极绝缘层113上延伸。源极电极121靠近栅极线111与数据线115的交叉点从数据线115突出，以在栅极电极112上的半导体图案114上延伸。漏极电极123在半导体图案114上与源极电极121相对设置，并且在栅极绝缘层113上延伸至部分像素区域PA中。

在该实施例中，像素区域PA具有沿垂直方向延伸的大致上的矩形形状。

作为选择，像素区域PA可以具有Z形状，使得栅极线111沿水平方向布置在像素区域PA周围，并且数据线115沿垂直方向布置在像素区域PA周围。

当半导体层和数据金属层由单一蚀刻工艺蚀刻时，半导体图案114形成在数据线115、源极电极121和漏极电极123下方，并且形成于栅极线112上的栅极绝缘层113上。采用回蚀工艺，在半导体图案114中形成设置在源极电极121和漏极电极123之间的沟道区域。

栅极电极112、栅极绝缘层113、半导体图案114、源极电极121和漏极电极123构成开关元件108。

然后，如图4D所示，形成第一钝化层130，第一钝化层130覆盖其上形成有数据线115的下基板102。第一钝化层130可以由硅氮化物(SiNx)制成，且可以沉积为具有约的厚度。可以在第一钝化层130中形成接触孔，以暴露漏极电极123的一部分。

如图4E所示，在第一钝化层130上形成厚度约为2.0μm的有机绝缘层140。暴露一部分漏极电极123的接触孔143可以形成在有机绝缘层140和第一钝化层130中。有机绝缘层140减小稍后将描述的像素电极170和数据线115之间的寄生电容。当像素电极170形成为与数据线115不交叠时，可以省略有机绝缘层140。

如图4F所示，在有机绝缘层140上形成屏蔽电极160。屏蔽电极160可以防止寄生电容形成在数据线115、栅极线111和像素电极170之间。作为选择，屏蔽电极160可以与像素电极170形成存储电容器，以存储施加给像素电极170的一帧的像素电压。

在有机绝缘层140上沉积约

厚度的诸如铟锡氧化物(ITO)或者铟锌氧化物(IZO)的导电透光材料，并且构图以形成屏蔽电极160。

图5A是沿着图2中的II-II’线剖取的截面图。图5B是沿着图2中的III-III’线剖取的截面图。

参考图2、图5A和图5B，屏蔽电极160形成在栅极线111和数据线115上以在宽度方向上屏蔽。就是说，屏蔽电极160形成在数据线115上和形成在像素区域PA之间的栅极线111上，并且屏蔽电极160的线宽分别宽于栅极线111和数据线115的宽度。因此，屏蔽电极160延伸到像素区域PA的边缘。在该示范性实施例中，屏蔽电极160由导电透光材料形成，使得即使屏蔽电极160与像素区域PA的边缘交叠，像素区域PA的开口率也不减小。

如图4G所示，在屏蔽电极160上形成第二钝化层165。第二钝化层165可以由与第一钝化层130基本上相同的材料和以与第一钝化层130基本上相同的厚度形成。在第二钝化层165中可以形成接触孔，其中该接触孔连接到形成在有机绝缘层140中的接触孔143。

如图4H所示，在第二钝化层165上沉积约

厚度的诸如ITO或IZO的导电透光材料，并且被构图以形成像素电极170。像素电极170通过接触孔143连接到漏极电极123。

参考图2、图5A和图5B，像素电极170包括轮廓部175、连接部171和狭长切口部173。轮廓部175形成在第二钝化层165上，并且沿着栅极线111和数据线115对应于像素区域PA的边缘。轮廓部175的一部分可以形成为与在宽度方向上延伸到像素区域PA边缘的屏蔽电极160交叠。如图5A和图5B所示，轮廓部175的一部分可以形成为在宽度方向上与栅极线111和数据线115交叠。

连接部171将像素区域PA分成连接到轮廓部175的多个域。连接部171分别设置在与栅极线111和数据线115的延伸方向交叉的方向上。

在该示范性实施例中，如图2所示，像素电极170包括两个连接部171。一个连接部171设置在相对于栅极线111成45度角的方向上，而另一连接部171设置在相对于栅极线111成135度角的方向上。

两个连接部171分别延伸到像素电极170的对角线方向。因此，连接部171设置为X形状。因此，像素区域PA由连接部分171分成八个域。

狭长切口部173在像素区域PA的域上分别彼此平行。狭长切口部173从连接部171的侧表面突出出来，以连接到轮廓部175。在接触栅极线111的域上，狭长切口部173基本上与数据线115平行，在接触数据线115的域上，狭长切口部173基本上与栅极线111平行。

在该示范性实施例中，在一个像素区域PA上设置两个像素电极170。两个像素电极170设置在数据线115上，以通过轮廓部175彼此连接。因此，像素电极170的水平方向的长度和垂直方向的长度几乎彼此相同。因此，狭长切口部173的水平方向的长度和垂直方向的长度几乎彼此相同。

当从驱动部5给数据线115施加数据信号并且给栅极线111施加栅极信号时，数据信号经由开关元件108施加给像素电极170作为像素电压。

在该示范性实施例中，尽管像素电极170的一部分轮廓部175与数据线115和栅极线111交叠，但屏蔽电极160与数据线115形成寄生电容且防止寄生电容形成在像素电极170和数据线115之间，因此防止数据信号失真。

最后，如图4I所示，形成覆盖像素电极170的下配向层168。

下配向层168和稍后描述的相对基板105使得液晶层107的液晶分子在垂直方向上取向。就是说，在第一阶段，液晶分子在从阵列基板101朝向相对基板105的方向取向。

阵列基板还可以包括下偏振器30。如图4I所示，下偏振器30附着在下基板102上，从而被制作在阵列基板101中。

下偏振器30的下偏振轴与连接部171的延伸方向即对角线方向平行。因此，下偏振轴设置在相对于狭长切口部173的延伸方向成约45度或者约135度角的方向上。

参考图1、图2和图3，相对基板105可以包括上基板104、遮光图案181、滤色器图案185、覆层187、公共电极190、上配向层60和上偏振器70。

遮光图案181形成在上基板104下方，且与栅极线111、数据线115和开关元件108相对应。因此，滤色器图案185对应于像素区域PA形成在上基板上。滤色器图案185可以包括例如红滤光片、绿滤光片和蓝滤光片。红滤光片、绿滤光片和蓝滤光片可以在每个像素区域PA上以水平方向x依次设置。

覆层187覆盖滤色器图案185和遮光层图案181，并且在覆层187上形成公共电极190。

上配向层60形成在公共电极190上以垂直配向液晶层107。

上偏振器70附着在上基板104上，并且上偏振器70的偏振轴可以基本上垂直于下偏振器30的偏振轴。

在该示范性实施例中，在诸如狭长切口部173的微狭长切口图案形成在像素电极170中的位置处，采用被垂直配向的液晶。因此，在像素区域PA中可以形成多个域，从而可以改善LCD装置100的侧视性。

图6的截面图示出了图5A或图5B中的屏蔽电极和像素电极的轮廓部之间的液晶层的运动。

参考图6，当给像素电极170施加像素电压时，在屏蔽电极160和轮廓部175之间形成电场边界。轮廓部175的边缘与屏蔽电极160的上部分交叠，从而该部分电场边界的水平分量形成为强于其它部分的电场边界的水平分量。因此，如图6所示，应当认识到屏蔽电极160上的液晶分子的方向接近于水平方向。

就是说，在施加电场的条件下，位于像素区域PA边缘处的液晶分子的第二效率提高了。第二效率是指液晶分子从垂直方向旋转到水平方向的运动效率。

作为选择，电场边界的水平分量在栅极线111的上部分处可以基本上与垂直方向平行，并且在数据线115的上部分处可以基本上与水平方向平行。同样，液晶分子的指向矢(director)可以设置为与狭长切口部173的长度方向平行。狭长切口部173根据该域延伸到水平方向或者垂直方向。

就是说，电场边界的水平分量方向(液晶分子沿该方向运动)基本上与狭长切口部173的长度方向相同，其引导液晶分子的指向矢。因此，液晶分子不需要在水平方向上旋转。因此，提高了液晶分子的第三效率。第三效率是指液晶分子在水平方向上的旋转效率。

因此，在像素区域PA的边缘处可以有效控制液晶分子，从而防止纹理(texture)的产生，并且可以改善液晶分子的开口率和响应时间。

图7A的图像示出了LCD装置的透光率，在该LCD装置中狭长切口部173沿对角线方向形成。图7B的图像示出了图1、图2、图3、图4A、图4B、图4C、图4D、图4E、图4F、图4G、图4H、图4I、图5A和图5B所示的LCD装置100的透光率。

图7A和图7B的图像示出了从施加像素电压开始的相同时间之后的透光率。图像的深色部分表示透光率因液晶分子的慢响应而低于其它部分。

如图7A所示，与本示范性实施例不同，LCD装置的狭长切口部173延伸到一个对角线方向。另外，与本示范性实施例不同，删去了连接到狭长切口部173的边缘部分的轮廓部175，以遮光金属在像素区域PA的一部分上形成屏蔽电极160。该LCD装置除了上述方式之外与本示范性实施例的LCD装置100基本上相同。

图7B中的图像比图7A中的图像明亮，并且具有均匀的亮度。图7B中，像素区域PA的边缘部分和狭长切口部173的间隙部分比其它部分相对较暗。

图8的图示出了图7A和图7B所示的LCD装置的响应时间。

横轴表示施加像素电压后经过的时间，而纵轴表示图8中的像素区域PA的透光率。参考图8，应当认识到，对于基本相同的时间，用虚线表示的图7A中描述的LCD装置的透光率实质上低于用实线表示的图7B中描述的本示范性实施例的LCD 100的透光率。

就是说，图7A和图8所描述的LCD装置与本示范性实施例不同，不包括由轮廓部175和屏蔽电极160带来的透光率改善作用，并且狭长切口部173的方向和水平电场的方向成45度角而彼此不同，从而液晶分子的第二和第三效率低。

通过轮廓部175、屏蔽电极160和狭长切口部173方向，本示范性实施例的LCD装置100中的液晶分子的第二和第三效率可以被改善而比图7A和图8中描述的LCD装置增大，从而可以改善LCD装置100的显示质量。

图9的放大平面图示出了根据本发明另一示范性实施例的LCD装置的阵列基板的像素区域。图10是沿着图9中的IV-IV’剖取的截面图。

参考图9和图10，除了像素电极370的尺寸和省略的有机绝缘层140外，该示范性实施例的阵列基板和制造该阵列基板的工艺与图1和图6中描述的阵列基板和制造该阵列基板的工艺基本上相同。因此，相似的附图标记将用于指代与已描述的相同的元件，并且将省略其任何详细的说明。

在该示范性实施例中，其中在像素区域PA中设置一个像素电极370，并且像素电极370的长边基本上平行于数据线315延伸的方向。像素电极基本上与图1、图2、图3、图4A、图4B、图4C、图4D、图4E、图4F、图4G、图4H、图4I、图5A、图5B和图6中描述的像素电极170相同。因此，垂直方向的狭长切口部373比水平方向的狭长切口部373长。

图11A、图11B、图11C和图11D的截面图示出了制造图9和图10所示阵列基板的工艺。

在形成根据该示范性实施例的阵列基板的工艺中，省略了有机绝缘层140，并且第一钝化层330形成为如图11A所示，屏蔽电极360如图11B所示形成在第一钝化层330上。然后，覆盖屏蔽电极360的第二钝化层365形成为如图11C所示。然后，像素电极370形成在第二钝化层365上，并且配向层368形成为如图11D所示。

为了减少本示范性实施例的工艺步骤，省略了形成有机绝缘层140的工艺。

本示范性实施例中的LCD装置除了具有图9和图10中的阵列基板外，基本上与图1、图2、图3、图4A、图4B、图4C、图4D、图4E、图4F、图4G、图4H、图4I、图5A、图5B和图6中描述的LCD装置相同。因此，将省略任何详细的说明。

图12A的图像示出了除了像素电极没有轮廓部之外，具有与图9和图10所示的阵列基板相同的阵列基板的LCD装置的透光率。图12B的图像示出了具有图9和图10所示的阵列基板的LCD装置的透光率。

与本示范性实施例不同，除去了连接到狭长切口部373的边缘部分的轮廓部375，并且以遮光金属在像素区域PA的一部分上形成屏蔽电极360。除了上述方式外，LCD装置基本上与本示范性实施例的LCD装置100相同。图12B中的图像比图12A中的图像更明亮，并且具有均匀的亮度。图12A中，像素区域PA的边缘部分和狭长切口部173的间隙部分比其它部分相对较暗。

图13的图表示图12A和图12B所示的LCD装置的响应时间。

横轴表示施加像素电压后经过的时间，纵轴表示图13中的像素区域PA的透光率。参考图13，应当认识到，对于基本相同的时间，施加像素电压40毫秒后，用虚线表示的图12A中描述的LCD装置的透光率基本上低于用实线表示的图12B中描述的本示范性实施例的LCD装置的透光率。

就是说，通过轮廓部375和屏蔽电极360，本示范性实施例的LCD装置中的液晶分子的第二和第三效率比图12A中描述的LCD装置显著地改善，因此可以改善LCD装置的显示质量。

本领域的技术人员应当理解的是，本发明中可以进行各种修改和变化，而不脱离本发明的精神或者范围。因此，本发明旨在覆盖所提供的落在所附权利要求及其等同方案范围内的所述修改和变化。

Claims (9)

1.一种阵列基板，包括：

基板，包括彼此交叉且彼此绝缘的栅极线和数据线以及连接到所述栅极线和所述数据线的开关元件；

像素电极，包括：

轮廓部，沿着所述数据线和所述栅极线设置在所述基板上，

多个连接部，在与所述数据线交叉的方向和与所述栅极线交叉的方向上延伸，并且连接到所述轮廓部，所述连接部将由所述轮廓部限定的像素区域分成多个域，以及

多个狭长切口部，在每个所述域中从所述连接部的侧表面突出，所述狭长切口部连接到所述轮廓部并且被所述轮廓部闭合；以及

屏蔽电极，分别在所述数据线上沿着所述轮廓部和在所述栅极线上沿着所述轮廓部设置，且屏蔽所述数据线和所述栅极线，其中所述屏蔽电极设置在所述数据线和所述轮廓部之间并且设置在所述栅极线和所述轮廓部之间。

2.如权利要求1所述的阵列基板，还包括：

第一绝缘层，设置在所述数据线和所述屏蔽电极之间；以及

第二绝缘层，设置在所述屏蔽电极和所述像素电极之间。

3.如权利要求2所述的阵列基板，还包括：

有机绝缘层，设置在所述第一绝缘层和所述屏蔽电极之间。

4.如权利要求2所述的阵列基板，其中所述连接部在所述像素电极上的对角线方向上延伸以具有X形状，所述狭长切口部在接触所述数据线的域处平行于所述栅极线，并且所述狭长切口部在接触所述栅极线的域处平行于所述数据线。

5.如权利要求4所述的阵列基板，其中两个像素电极设置在所述数据线方向上，且在所述像素区域中将所述两个像素电极的轮廓部彼此连接。

6.如权利要求4所述的阵列基板，其中在所述像素区域中设置一个像素电极，并且所述像素电极的长边平行于所述数据线的延伸方向。

7.如权利要求4所述的阵列基板，其中所述屏蔽电极包括导电透光材料，并且所述屏蔽电极的宽度宽于所述数据线的宽度，以与所述轮廓部的一部分交叠。

8.如权利要求7所述的阵列基板，其中所述轮廓部的所述一部分与所述数据线和所述栅极线的一部分交叠。

9.如权利要求4所述的阵列基板，还包括：

偏振器，设置在所述基板下方，其中所述偏振器具有平行于所述对角线方向之一的偏振轴。

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