CN101635424B - 一种极细同轴线与连接器连接的加工工艺方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种极细同轴线与连接器连接的加工工艺方法，包括步骤：首先把整列的同轴排线切成产品所要的长度；再用激光割断同轴线的外皮层并挪移开割断的外皮层以露出屏蔽线层；接着用230度以上高温把镀有锡的铜接地片和露出的屏蔽线层进行焊接；再用激光将焊接有铜接地片的屏蔽线层割断或割破并挪移开被割后的屏蔽线层以露出绝缘体层；然后用激光割断露出的绝缘体层并挪移开被割后的绝缘体层以露出芯线导体；在露出的芯线导体的表面镀上一层锡；根据所要连接的连接器的连接要求将铜接地片和芯线导体切断；最后用230度以上高温将芯线导体和要连接的连接器端子进行焊接。本发明方法制作精度高、做成的产品品质有保证。
Description
技术领域
本发明涉及一种加工工艺方法，尤其是涉及一种同轴线与连接器连接的加工工艺方法。
背景技术
极细同轴线大多由多层线体所构成，由外到内依次包括外皮层、屏蔽线层、绝缘体层以及芯线导体层，其中，屏蔽线层主要作为芯线导体层在导接信号时防止电磁干扰的产生。此种线材在厂内制出时为整条同轴线，因而必需进行线端剥切加工以露出屏蔽线层和芯线导体层以分别与地线板和连接器端子焊接。
公开号为1328364A的中国专利公开了一种极细同轴线与连接器端子连接的加工方法，依次包括如下步骤：
1、切出所需极细同轴线线材的长度后，直接在相关位置对极细同轴线段进行裁切，剥线出端子铆接段与地线板结合段；
2、将此已裁切、剥线的极细同轴线端子铆接段送入另一铆合机构与端子进行铆接；
3、将线材已铆合端子段插入预设胶壳中；
4、将地线板焊设于上述预切的地线板结合段；
5、排线贴齐。
然而，采用上述工艺方法在极细同轴线与连接器端子之间进行铆接，连接器端子与同轴线之间连接的精度不高，线路的机械连接不可靠，影响电信号的传输。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种极细同轴线与连接器连接的加工工艺方法，极细同轴线与连接器端子焊接的精度高，品质好。
为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种极细同轴线与连接器连接的加工工艺方法，包括如下步骤：
A.把整列的同轴排线切成产品所要的长度；
B.用激光割断所述同轴线的外皮层；
C.把步骤B中割断的外皮层挪移开，露出屏蔽线层；
D.用230度以上的高温把镀有锡的铜接地片和步骤C中露出的屏蔽线层焊接，使接地片和屏蔽线层连成一个回路；
E.用激光将焊接有铜接地片的屏蔽线层割断或割破；
F.把步骤E中被割后的屏蔽线层挪移开，露出绝缘体层；
G.用激光割断步骤F中所露出的绝缘体层；
H.把步骤G中被割后的绝缘体层挪移开，露出芯线导体；
I.在步骤H中露出的芯线导体的表面镀上一层锡；
J.根据所要连接的连接器的连接要求将铜接地片和芯线导体切断；
K.用230度以上的高温将切好的极细同轴线的芯线导体和要连接的连接器端子进行焊接。
其中，在步骤A中，所述同轴排线之间按与所述连接的连接器端子间的间距要求用胶带粘连成呈等间距排列的排线，间距为0.2mm～1.5mm。
其中，在步骤E中，在用激光将焊接地片后的屏蔽线层割断或割破后，切断焊接时屏蔽线两侧多出来的接地片的毛头，然后再弯折多次将屏蔽线层折断。
其中，在步骤K进行之前，在所述与极细同轴线连接的连接器端子上加上锡丝条或锡膏。
其中，在步骤B中，所述激光为CO2激光，在步骤E中，所述激光为YAG激光。
其中，在步骤D、K中，所述230度以上的高温采用脉冲加热或者激光加热的方式获得。
本发明采用的另一个技术方案是：提供一种极细同轴线与连接器连接的加工工艺方法，包括如下步骤：
A.把整列的同轴排线切成产品所要的长度；
B.用激光割断所述同轴线的外皮层；
C.用挪移机把步骤B中割断的外皮层挪移开，露出屏蔽线层；
D.用激光将步骤C中露出的屏蔽线层割断或割破；
E.用挪移机把被割后的屏蔽线层挪移开，露出绝缘体层；
F.用230度以上的高温把镀有锡的铜接地片和步骤C中露出的屏蔽线层焊接，使铜接地片和屏蔽线层连成一个回路；
G.用激光割断步骤E中露出的绝缘体层；
H.用挪移机把步骤G中被割后的绝缘体层挪移开，露出芯线导体；
I.将步骤H中露出的芯线导体的表面镀上一层锡；
J.根据所要连接的连接器的连接要求将铜接地片和芯线导体切断；
K.用230度以上的高温将切好的极细同轴线和要连接的连接器端子进行焊接。
其中，在步骤A中，所述同轴排线之间按与所述连接的连接器端子间的间距要求用胶带粘连成呈等间距排列的排线，间距为0.2mm～1.5mm。
其中，在步骤D中，所述用激光将焊接地片后的屏蔽线层割断或割破后，切断焊接时屏蔽线层两侧多出来的接地片的毛头，然后再弯折多次将屏蔽线层折断，在步骤B中，所述激光为CO2激光，在步骤E中，所述激光为YAG激光。
其中，在步骤K进行之前，所述与极细同轴线连接的连接器端子上加上锡丝条或锡膏，在步骤F、K中，所述230度以上的高温采用脉冲加热或者激光加热的方式获得。
本发明的有益效果是：区别于现有极细同轴线与连接器端子之间采用铆接方式进行连接而导致连接精度不高的情况，本发明将极细同轴线的每一层线体分别进行激光割断并采用高温将芯线导体与连接器的端子焊接，采用激光割切精度高、品质得到了保证，高温焊接保证了极细同轴线与连接器端子线路连接的稳固，从而保证了电信号的传输的稳定。
附图说明
图1是本发明极细同轴线与连接器连接的加工工艺方法的第一种实施例的流程图；
图2是本发明极细同轴线与连接器连接的加工工艺方法的第二种实施例的流程图。
具体实施方式
为详细说明本发明的技术内容、构造特征、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图详予说明。
极细同轴线大多由多层线体构成，由外到内依次包括外皮层、屏蔽线层、绝缘体层以及芯线导体层。本发明极细同轴线与连接器(包括软性电路板FPC/电路板PCB)焊接的加工工艺方法的第一实施例依次包括如下步骤：
(1).根据所要连接的连接器的间距要求用胶带把同轴线粘连成间距为0.2mm～1.5mm的等间距的排线；
(2).把粘连好的同轴排线切成产品所要的长度；
(3).用CO2激光割断步骤(2)中所述同轴线的外皮层；
(4).用挪移机把步骤(3)中割断的外皮层挪移开，露出屏蔽线层；
(5).用230度以上高温采用脉冲加热或激光加热的方式把镀有锡的铜接地片和步骤(4)中露出的屏蔽线层焊接，使铜接地片和屏蔽线层连成一个回路；
(6).用YAG激光将焊接有铜接地片后的屏蔽线层割断或割破后，切断屏蔽线层两侧的多余的接地片的毛头，再弯折几次将屏蔽线层折断；
(7).再用挪移机把步骤(6)中被割后的屏蔽线层挪移开，露出绝缘体层；
(8).用CO2激光割断步骤(7)中所露出绝缘体层；
(9).用挪移机把步骤(8)中被割后的绝缘体层挪移开，使露出芯线导体；
(10).在步骤(9)中露出的芯线导体的表面镀上一层锡；
(11).根据所要焊接的连接器的连接要求将铜接地片和芯线导体切断；
(12).在连接器要连接的端子上加上锡丝条或锡膏；
(13).用230度以上的高温采用脉冲加热或激光加热的方式将切好的极细同轴线和步骤(12)中已经在端子上加好锡的连接器端子与同轴线的芯线导体焊接成产品所需要的回路。
请参阅图2，本发明极细同轴线与连接器连接的加工工艺方法的第二实施例与所述第一实施例基本相同，其不同之处在于，步骤(5)为用YAG激光将屏蔽线层割断或割破，再弯折几次将屏蔽线层折断；
步骤(6)为用挪移机把被割后的屏蔽线层挪移开，露出绝缘体层；
步骤(7)为用230度以上高温采用脉冲加热或激光加热的方式把镀有锡的铜接地片和步骤(4)中露出的屏蔽线层焊接，使铜接地片和屏蔽线层连成一个回路。
区别于现有的极细同轴线与连接器端子连接采用铆接的方法，连接器端子与同轴线之间连接的精度不高，线路连接不稳定的情况。本发明极细同轴线与连接器连接的加工工艺方法将极细同轴线的每一层线体分别进行激光割断并采用高温将芯线导体与连接器的端子焊接，每一步骤都做到精细，精度高、品质得到了保证，从而保证了极细同轴线与连接器端子线路连接的稳固，保证了电信号传输的稳定性。本实施例中，所述焊接温度的最佳温度范围为230度～250度。
综上所述，本发明极细同轴线与连接器连接的加工工艺方法将极细同轴线的每一层线体分别进行激光割断并采用高温将芯线导体与连接器的端子焊接，精度高、品质得到了保证，从而保证了极细同轴线与连接器端子线路连接的稳固，保证了电信号传输的稳定性。
以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (2)
1.一种极细同轴线与连接器连接的加工工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：
A.把整列的极细同轴线切成产品所要的长度；
B.用CO2激光割断所述极细同轴线的外皮层；
C.把步骤B中割断的外皮层挪移开，露出屏蔽线层；
D.用通过脉冲加热或激光加热的方式获得的230度以上的高温把镀有锡的铜接地片和步骤C中露出的屏蔽线层焊接，使铜接地片和屏蔽线层连成一个回路；
E.用YAG激光将焊接有铜接地片的屏蔽线层割断或割破；
F.把步骤E中被割后的屏蔽线层挪移开，露出绝缘体层；
G.用激光割断步骤F中所露出的绝缘体层；
H.把步骤G中被割后的绝缘体层挪移开，露出芯线导体；
I.在步骤H中露出的芯线导体的表面镀上一层锡；
J.根据所要连接的连接器的连接要求将铜接地片和芯线导体切断；
K.用通过脉冲加热或激光加热的方式获得的230度以上的高温将切好的极细同轴线的芯线导体和所要连接的连接器的端子进行焊接；
其中，在步骤A中，所述极细同轴线之间按与所要连接的连接器的端子间的间距要求用胶带粘连成呈等间距排列的排线，间距为0.2mm～1.5mm；在步骤E中，在用激光将焊接铜接地片后的屏蔽线层割断或割破后，切断焊接时屏蔽线层两侧多出来的铜接地片的毛头，然后再弯折多次将屏蔽线层折断；在步骤K进行之前，在与极细同轴线连接的连接器的端子上加上锡丝条或锡膏；通过230度以上的高温进行焊接，使得极细同轴线与连接器的端子的连接稳固，同时使得电信号的传输稳定。
2.一种极细同轴线与连接器连接的加工工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：
A.把整列的极细同轴线切成产品所要的长度；
B.用CO2激光割断所述极细同轴线的外皮层；
C.用挪移机把步骤B中割断的外皮层挪移开，露出屏蔽线层；
D.用YAG激光将步骤C中露出的屏蔽线层割断或割破；
E.用挪移机把被割后的屏蔽线层挪移开，露出绝缘体层；
F.用通过脉冲加热或者激光加热的方式获得的230度以上的高温把镀有锡的铜接地片和步骤C中露出的屏蔽线层焊接，使铜接地片和屏蔽线层连成一个回路；
G.用激光割断步骤E中露出的绝缘体层；
H.用挪移机把步骤G中被割后的绝缘体层挪移开，露出芯线导体；
I.将步骤H中露出的芯线导体的表面镀上一层锡；
J.根据所要连接的连接器的连接要求将铜接地片和芯线导体切断；
K.用通过脉冲加热或者激光加热的方式获得的230度以上的高温将切好的极细同轴线和要连接的连接器的端子进行焊接；
其中，在步骤A中，所述极细同轴线之间按与所要连接的连接器的端子间的间距要求用胶带粘连成呈等间距排列的排线，间距为0.2mm～1.5mm；在步骤D中，用激光将焊接地片后的屏蔽线层割断或割破后，切断焊接时屏蔽线层两侧多出来的接地片的毛头，然后再弯折多次将屏蔽线层折断；在步骤K进行之前，在与极细同轴线连接的连接器的端子上加上锡丝条或锡膏；通过230度以上的高温进行焊接，使得极细同轴线与连接器的端子的连接稳固，同时使得电信号的传输稳定。
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