CN101626229A - 具有校准电路部分的电路 - Google Patents

Abstract

本发明涉及具有校准电路部分的电路。在实施例中，公开了一种电路，其包括耦合到端子的电路部分和耦合到所述端子的校准电路部分。

Description

具有校准电路部分的电路

技术领域

本发明的一些实施例涉及具有校准电路部分的电路。其它实施例涉及对应的方法。

背景技术

电子电路在许多情况下制造为芯片，其中一个或多个半导体集成电路封装在芯片外壳中，其中这种芯片外壳通常具有从中延伸出的多个管脚。这些管脚用作封装内的集成电路的端子，例如作为输入端子、输出端子或用于电源的端子。一般来说，制造这种包括封装的半导体集成电路的芯片的成本随管脚数目的增加而增大。

另一方面，半导体集成电路有时包括具有某一公差的电路元件。例如，半导体集成电路可包括一个或多个由多晶硅制成的电阻器。为了校准这种内部电路元件，即，将它们调整到期望标称值，可使用外部电路元件，即，连接到半导体芯片的一个或多个管脚的电路元件，其中该外部电路元件制造成比内部电路元件具有更低的公差。显然，为了进行这种校准，需要对应管脚以将外部电路元件耦合到半导体芯片。

发明内容

根据实施例，提供一种电路，其包括至少一个端子和耦合到所述端子的电路部分。所述电路还包括耦合到所述端子的校准电路以及内部电路元件。所述电路部分配置成在所述电路的第一操作模式下经由所述端子通信。而且，所述校准电路配置成在所述电路的第二操作模式下使用耦合到所述端子的至少一个外部电路元件来校准所述内部电路元件。

在其它实施例中，可以提供不同的电路、方法或芯片。

附图说明

图1是根据本发明实施例的电路的示意性框图。

图2是根据本发明另一个实施例的电路的电路图。

图3是根据本发明又一个实施例的电路的电路图。

图4是根据本发明再一个实施例的电路的电路图。

图5是根据本发明另一个实施例的电路图。

图6是根据本发明再一个实施例的电路的电路图。

图7示出根据本发明实施例的可调电阻器的示例。

具体实施方式

下面将详细描述本发明的实施例。要理解的是，给出以下描述只是为了例证的目的，并不应以限制的意义来理解。本发明的范围不意图由后面所描述的实施例来限制，而是意图仅由所附的权利要求书及其等效物来限制。

还要理解的是，在实施例的以下描述中，功能块、器件、部件、电路元件或附图中示出的或本文描述的其它物理或功能单元之间的任何直接连接或耦合(即，没有中间元件的任何连接或耦合)也可以通过间接连接或耦合(即，包括一个或多个附加中间元件的连接或耦合)来实现。而且，应该认识到，附图中表示执行不同功能的不同块或单元不应解释为指示这些块或单元必须以物理上分离的电路来实现。与此相反，除非做出相反说明，图中所示的功能块或单元在一些实施例中可实现为分离的电路，但在其它实施例中，也可完全或部分实现在公共电路中。

还要注意的是，描述包括多个元件的实施例不应解释为指示所有这些元件对于实施本发明都是必需的。相反，在其它实施例中，可存在较少的元件和/或可选的元件。

要理解的是，本文描述的各种实施例的特征可彼此组合，除非另有明确说明。

现在转到附图，在图1中，示出了根据本发明实施例的电路10。另外，示出了耦合到电路10的电路系统(circuitry)20。另一个实施例除了电路10之外还可包括电路系统20中的一个或多个元件。

图1的实施例的电路10包括端子11、经由开关15与端子11耦合的电路部分12、经由开关16与端子11耦合的校准电路部分13以及内部电路元件14。在实施例中，在第一操作模式下，闭合开关15，并断开开关16。在这种情况下，电路部分12可经由端子11与电路系统20的元件(例如与元件21)通信。“通信”可包括经由端子11输出信号、经由端子11接收信号、或经由端子11输出和接收信号二者。例如，在实施例中，电路部分12可以是驱动电路，以经由端子11输出由电路10的其它电路部分(未示出)产生的信号。在另一实施例中，电路部分12可以是经由端子11接收信号的接收器电路部分。

在图1中表示的第二操作模式下，断开开关15，并闭合开关16。在该第二操作模式下，校准电路部分13可使用外部电路元件22校准内部电路元件14。例如，内部电路元件14可以是具有某一制造公差的电阻器、电阻器阵列、电容器或电容器阵列。外部电路元件22也可以是电阻器或电容器，在实施例中其具有比内部电路元件14更低的制造公差。在实施例中，校准电路部分13执行测量，例如电阻测量、内部电路元件14和/或外部电路元件22上压降的测量、流过内部电路元件14和/或外部电路元件22的电流的电流测量、或电容测量。通过比较由测量外部电路元件22获得的测量数据与由测量内部电路元件14获得的测量数据，可以校准内部电路元件14。例如，在内部电路元件14是可切换电阻器阵列或可切换电容器阵列或另一类型的可调电阻器或电容器的情况下，校准电路部分13例如可通过断开和闭合其开关来调整内部电路元件14的值，以将内部电路元件14的电阻或电容值调整到期望的标称值。

应该注意的是，虽然在图1的实施例中表示出一个端子11，但电路部分12和校准电路部分13每个可连接到不止一个端子，例如两个端子。而且，虽然在图1的实施例中示出了开关15和16，但在其它实施例中，可以省略这些开关中的一个或都省略。在其它实施例中，对于开关15和16附加或可选的是，电路部分12和/或校准电路部分13可以在活动(active)状态与不活动(inactive)状态之间切换。

在上面描述的实施例中，通过将端子11用作电路部分12的端子并且用作校准电路部分13的端子，一方面，启动(enable)内部电路元件14的校准，另一方面，需要数量减少的端子，例如需要数量减少的芯片管脚。

电路10可以是集成电路的一部分，并且端子11可以是包括这种集成电路的芯片的管脚。元件21可以是意图与电路部分12通信的任何元件，例如用于经由端子11接收由电路部分12输出的信号的元件。

接下来，参考图2-6，将论述电路10和外部电路系统20的其它实施例。在所有附图中，相似或类似的元件用相同的附图标记表示，这不应解释为指示这些元件必须是完全一样的。

在图2中，根据本发明又一实施例的电路10包括耦合到端子34、35的驱动电路33以经由这些端子输出差分输出信号。例如，在实施例中，驱动电路33配置成输出通信信号，如由电路10的其它部分(未示出)产生的以太网信号、DSL(数字订户线路)或VDSL(超高速DSL)。驱动电路33是图1的电路部分12的可能示例。

电路10可以是封装在半导体芯片中的集成电路的一部分，并且端子34、35可以是这个半导体芯片的管脚。

图2实施例的电路10还包括可调电阻器32。可调电阻器32例如可包括并联可切换多晶硅电阻器阵列，其中通过开关，电阻器值可以改变。这种电阻器的示例将在后面参考图7进行描述。可调电阻器32可被校准为具有期望的标称值，使得例如通过调谐或校准，制造公差可在预定精度内得以均衡或减轻。

为了执行这种校准，图2实施例的电路10包括校准电路部分。图2实施例中的校准电路部分包括电流源30、31、开关36、37和节点38、39。图2实施例的电路10的校准电路部分可包括图2中未示出的其它元件，但是这些其它元件的示例将在后面参考图5和6进行讨论。

在图2的实施例中，电路系统20包括用作将通信线路42(例如双绞铜线)耦合到端子34、35的耦合电路的变压器(transformer)40。

在电路10的第一操作模式下，驱动电路33配置成经由端子34和35输出信号，例如输出通信信号，其中该通信信号然后经由变压器40耦合到线路42。在第一操作模式下，断开开关36和37，使得电流源30、31不干扰驱动电路部分33的操作。

在第二操作模式下，电路10的校准电路部分可操作以校准电阻器32，即，将电阻器32调谐到期望的标称值。使用电路系统20的外部电路元件来实现调谐，在图2的实施例中所述外部电路元件是耦合在变压器40的中间接点与地之间的参考电阻器41。在图2的实施例中，电阻器41具有与可调电阻器32的标称(即期望)值对应的电阻值。

在实施例中，在第二操作模式下，使驱动电路33去激活(deactivate)。例如，驱动电路33可被置于高阻状态，例如三态。例如，在实施例中，驱动电路部分33包括MOS晶体管，并且在三态中，这些MOS晶体管中的一些或全部都被置于高阻状态，即，MOS晶体管在它们相应的源和漏端子之间基本上不导电的状态。而且，在这个第二操作模式下，在图2的实施例中，开关36和37闭合。

电流源30、31设计成输出标称上相同的电流，即，在预定公差内输出相同电流。在实施例中，电流源30、31产生的电流之间的偏差小于电阻器32的电阻值相比其标称值的期望公差。

当在第二操作模式下闭合开关36、37时，电流流经电流源31、开关36、端子34、对于图2实施例中的直流电流具有可忽略的欧姆电阻的一部分变压器40以及外部电阻器41到地。在该配置中，外部电阻器41上的压降可以在节点38测量，并且在图2中标记为Vext。另一方面，由电流源30产生的电流流经开关37和可调电阻器32到地。可调电阻器32上的压降可以在节点39测量，并且在图2中标记为Vint。在实施例中，比较Vint和Vext，并调谐电阻器32的值，使得Vint＝Vext。在这种情况下，在由电阻器41的公差和电流源30和31所产生的电流的偏差所确定的公差内，将电阻器32的值调谐到外部电阻器41的值。

在图2的实施例中，外部电阻器41连接到变压器40的中间接点，即，相对于端子34、35以对称方式连接。在这种实施例中，第一操作模式下驱动电路部分33的操作基本上不受外部电阻器41存在的干扰。

在其它实施例中，像外部电阻器之类的外部电路元件可设置在外部电路系统20中除了变压器中间接点的位置。现在将参考图3和4来描述这个的示例。在图3和4的实施例中，电路10对应于已经参考图2描述的电路，并且对应的元件具有相同的附图标记。因此，图3和4实施例的电路10将不再描述。并且，电路10在第一操作模式下用于输出由驱动电路部分33产生的信号和在第二操作模式下用于校准可调电阻器32的操作大体对应于已经参考图2描述的操作。

在图3的实施例中，电路系统20包括变压器40和耦合到变压器40的线路42，使得由驱动电路部分33产生的信号经由端子34和35输出，并经由变压器40耦合到线路42中，如已经参考图2描述的。而且，在图3的实施例中，提供两个外部参考电阻器45、46，其中外部参考电阻器45耦合在端子34与地之间，而外部参考电阻器46耦合在端子35与地之间，如图3中所示。在图3的实施例中，电阻器45、46标称上是相等的，即，基本上具有相同的电阻值。因此，在图3的实施例中，电阻器45、46表示关于变压器40和端子34、35的对称负载，该对称负载基本上不干扰在第一操作模式下要经由线路42传输的由驱动电路部分33所输出的信号的信号传输。

在实施例中，电阻器45、46的电阻值是可调电阻器32的期望标称电阻值的两倍，即，是要将可调电阻器32校准到的值的两倍。当在电路10的第二操作模式下闭合开关36时，如参考图2已经描述的，由于变压器40的电阻基本上是可忽略的，电阻器45和46形成到地的并联连接，于是其总电阻是电阻器45、46的单个电阻器的电阻值的一半，或换句话说，电阻器32的期望标称电阻值。因此，在图3的实施例中，电阻器32的调谐可以与已经参考图2说明的相同的方式执行，即，通过调谐电阻器32使得Vint＝Vext。

在图4中，示出了根据实施例的电路系统20的其它配置。在图4中，线路42经由电容器50、51与端子34、35耦合，或换句话说，图2和3的实施例的通过变压器40的电感耦合已经被经由电容器50、51的电容耦合代替。电容器50、51对于直流电流基本上不导电，而它们对于交流电流或由驱动电路部分33输出的调制信号导电。因此，同样在图4的实施例中，由驱动电路部分33输出的这种调制信号(例如通信信号)可耦合到线路42。

而且，为了校准目的，提供外部参考电阻器52，其耦合在端子34与地之间，如图4中所示的。在实施例中，外部电阻器52具有与可调电阻器32的标称值(即期望值)相同的电阻器值。在实施例中，电阻器52以低制造公差制造，所述低制造公差例如基本上与可调电阻器32的期望调谐精度对应的制造公差。

在图4的实施例中，提供其他外部电阻器53，其具有与电阻器52相同的标称值，并且耦合在端子35与地之间，如图4中所示的。电阻器52、53表示对于端子34、35的对称负载，该对称负载在图4的实施例中基本上不干扰在第一操作模式下信号从驱动电路部分33到线路42的传输。

在要校准可调电阻器32(即，将其调谐到期望标称值)的电路10的第二操作模式下，电流源31输出的电流流经开关36、端子34和电阻器52到地，并因此Vex t对应于电阻器52上的压降。由于电容器50对于直流电流基本上不导电，所以在这种情况下，没有电流流经电阻器53或线路42。

在图2-4的实施例中，电阻器32的调谐通过比较分别在节点39、38的电压Vint和Vext来执行。现在将参考图5来讨论这种比较的可能实现方式，以及可调电阻器的可能应用。

在图5的实施例中，外部电路系统20对应于已经参考图3描述的电路系统，并且因此将不再描述。应该注意的是，代替图3实施例的外部电路系统，在图5的实施例中也可以使用图2实施例或图4实施例的外部电路系统。此外，在图5的实施例中，电流源30、31、可调电阻器32、驱动电路部分33、端子34、35和开关36、37对应于已经参考图2所描述的元件，并且因此将不再详细描述了。

在图5的实施例中，提供了状态机60，其控制校准以及电路10的第一操作模式和第二操作模式之间的切换。状态机60包括用于控制开关36、37在第一操作模式下断开而在第二操作模式下闭合的切换输出(switching output)61。此外，状态机60包括驱动控制输出64，以在第二操作模式下例如通过使驱动电路部分33处于三态模式来使驱动电路部分33去激活，而在第一操作模式下激活驱动电路部分33。

图5实施例的电路10还包括耦合到节点38和39的比较器66，以比较外部电阻器45、46处的电压Vext与内部可调电阻器32处的电压Vint(见图2)，并将对应的比较信号馈送到状态机60的输入62。实施例中的比较器66具有指示电压Vint、Vext哪个比较大的数字输出。在另一个实施例中，比较器66可具有三个状态的输出，所述状态包含指示在期望的精度等级内这些电压相等的状态。然而，在其它实施例中比较器66的输出不局限于这些可能性。

状态机60还包括用于调谐可调电阻器32的输出63。输出63可以是多位数字输出，例如与可调电阻器32的8个不同调谐值对应的3位输出。在实施例中，如果比较器66输出的信号指示Vint＞Vext，即，可调电阻器32的电阻值大于外部电阻器45的电阻值的一半，则改变输出63所输出的信号以降低可调电阻器32的电阻，并且如果比较器66的输出信号指示Vext＞Vint，则改变在输出63输出的信号以增加可调电阻器32的电阻值。可调电阻器32在这种情况下可包括并联可切换电阻器阵列。

图7中示出了这种可调电阻器32的示例。在图7的实施例中，可调电阻器32包括基本电阻器90和能够分别利用开关94、95和96进行切换的三个并联可切换电阻器91、92和93。在实施例中，开关94、95和96可以是CMOS开关。在实施例中，电阻器90、91、92和93可以是多晶硅电阻器。

在实施例中，基本电阻器90具有略微超出电阻器32的标称总电阻值(例如超出10％)的标称电阻值。通过闭合开关94、95和96中的一个或多个，降低电阻器32的总电阻值，使得通过有选择地闭合开关94、95和96，可将该电阻值调谐到期望值。

在实施例中，例如3位信号可用于调谐图7的电阻器32，每个位断开或闭合开关94、95和96中的一个。

在实施例中，电阻器91、92和93的电阻值是不同的，以能够将总电阻降低不同的量。例如，电阻器91、92和93的电阻比可近似为1∶2∶4，不过所述值在此方面不受限制。

应该注意的是，图7中的电阻器的布置仅用作示例，并且其它布置同样是可能的。例如，可提供多于3个的并联可切换电阻器，或者还可以提供例如具有可切换旁路路径的串联耦合的电阻器。

现在回到图5，上面描述的调谐过程继续，直到比较器66指示节点38和39处的电压在给定公差内相等，或在另一个实施例中，直到下述情况：如果在可调电阻器32的电阻小于外部电阻器45的一半电阻值的电阻的情况下，将可调电阻器32的电阻值增加最小可能的量将反转这种状况，即，使可调电阻器32的电阻值大于外部电阻器45的电阻值的一半；或反之亦然，即，如果比较器66指示可调电阻器32的电阻值大于外部电阻器45或46的电阻值的一半，并且如果将可调电阻器32的电阻值降低最小可能的量将反转这种状况。在这种情况下，得到最优调谐，即，在这种情况下，内部可调电阻器32的电阻值在调谐精度内尽可能紧密地匹配电阻器45、46的电阻值的一半。

图5实施例的电路10还包括在图5中大体标记为75的电流源电路部分，其包括可调电阻器67、运算放大器68和MOS晶体管69-72。MOS晶体管71、72与电源电压(例如正电源电压VDD)耦合，并产生在它们的源和漏端子之间流动的电流，该电流由馈送到运算放大器68的正输入的带隙电压Vbg和可调电阻器67的电阻值来确定。具体地说，流过在图5的实施例中充当电流源的MOS晶体管71、72的电流等于Vbg/Rtune，其中Rtune是可调电阻器67的电阻值。图5实施例中的Vbg是与半导体的带隙相对应而产生的基本恒定的电压，例如当硅用作半导体时，该电压大致为1.2V。在图5的实施例中，运算放大器68调节MOS晶体管69的栅电压，使得对应于上述值的电流流过MOS晶体管70，并且这个电流被镜像到MOS晶体管71、72。应该注意的是，虽然示出了在电路部分75中充当电流源的两个MOS晶体管71、72，但是可以使用任何期望数量的这种电流源，该期望数量取决于包括图6没有示出的电路10的其它部分的电路10所需的电流源的数目。

在实施例中，可调电阻器67设计成等于可调电阻器32，例如具有相同的标称值，以及例如可具有相同或相似的布局布置，例如相等或相似的电阻器宽度和/或长度，和/或电阻器32和67可以布置成在电路布局中彼此邻近，使得电阻器32的电阻值的处理(process)或其它变化基本上也施加到电阻器67。

在图5的实施例中，当已经调谐了可调电阻器32时，在状态机60的输出65上，将与输出63上相同的调谐信号施加到可调电阻器67以对其进行校准。由于，如上所述，在图5的实施例中，电阻器32和67设计成相等的，这样，将可调电阻器67调谐到其期望标称值，并从而将经由MOS晶体管71、72输出的电流调谐到期望标称值。

在图5的实施例中，晶体管69-72是MOS晶体管。在其它实施例中，可以使用其它晶体管或晶体管的其它配置。

应该注意，在实施例中，可通过MOS晶体管71、72实现电流源30、31。在这方面，甚至在调谐电阻器67之前，晶体管71、72输出标称上相同的电流，不过该电流的绝对值尚未校准。在另一个实施例中，电流源30、31可与电流源电路部分75分开实现，和/或可以是电路10外部的电流源。

在图5的实施例中，校准第一可调电阻器32，即，将其调谐到期望标称值，并且然后将结果用于校准可调电阻器67。在另一个实施例中，电阻器32和67可以是相同的物理电阻器，使得直接调谐在电路10中用于某一目的(在这种情况下在电流源电路部分75中用于电流产生)的可调电阻器。在这种实施例中，可省略状态机60的输出65，因为直接调谐相应的电阻器。在下面将参考图6描述的又一个实施例中，代替可调电阻器32，使用具有固定值的参考电阻器。

在图6的实施例中，与已经参考图5描述的元件对应的元件具有相同的附图标记，并且将不再详细描述。具体地说，外部电路系统20和电流源电路部分75对应于图5的对应部分。此外，同样在图6的实施例中，提供了与图5的相应元件对应的电流源30、31、开关36、37和驱动电路部分33。应该注意的是，在图6的实施例中，也可实现参考图5讨论的关于两个实施例中存在的元件的所有修改。

在图6的实施例中，提供具有与电阻器67的期望标称值对应的预定标称值的内部参考电阻器87，而不是图5实施例的可调电阻器32。在实施例中，内部参考电阻器87可设计成使得影响内部参考电阻器87的电阻值的处理变化(process variation)以基本上相同的方式或程度影响可调电阻器67的电阻值。例如，内部参考电阻器87的电阻器长度和/或电阻器宽度可类似于用于可调电阻器67的电阻器长度和/或电阻器宽度。

此外，代替图5实施例的状态机60，提供状态机80，并代替图5实施例的比较器66，提供模数转换器86。图6实施例的状态机80具有用于控制开关36、37的输出81以及用于激活和去激活驱动电路部分33的输出84，对应于图5实施例的状态机60的输出61和64。在第二操作模式下，当开关36、37闭合并且驱动电路部分33被去激活时，模数转换器86将节点38与39之间的电压差，即Vext与Vint之间的差，转换成数字值，并将这个数字值馈送到状态机80的输入82。在这种情况下，Vint(即节点39处的电压)对应于内部参考电阻器87上的压降。在图6的实施例中，如已经关于之前的实施例所描述的，电阻器45和46的电阻值每个都是内部参考电阻器87标称值的两倍。因此，由图6实施例的模数转换器86输出的数字值表示内部参考电阻器87的电阻值与其标称值的偏差。

使用存储的表83的状态机80然后将模数转换器86输出的数字值变换成控制信号，例如3位调谐控制信号，以将可调电阻器67调谐到其期望标称值。例如，如果模数转换器86的输出信号指示内部参考电阻器87的电阻值偏离其标称值某一偏差值，则假设可调电阻器67的值也偏离其标称值相同的相对偏差值，并且选择调谐控制信号来补偿这个偏差。

要注意的是，上面参考图1-7所描述的实施例仅仅用作示例，并不解释为限制本发明的范围，因为在不脱离本发明范围的前提下，许多修改和变化都是可能的。例如，虽然在图2-7的实施例中，电路系统20中的外部电阻器已经用作用于调谐电路10中的可调电阻器的参考，但在其它实施例中，可以调谐其它类型的电路元件。例如，在实施例中，在电路系统20中可以提供外部参考电容器。这种外部参考电容器例如可耦合到变压器的中间接点，类似于图2实施例的电阻器41的耦合。该外部电容器然后可用于调谐内部可调电容器，例如通过使用在激活图2-6实施例的直流参考源30、31时出现的电流阶跃(current step)进行调谐。

此外，虽然在图5和6中已经调谐了电流源电路部分75的可调电阻器67，但在其它实施例中，可将电路10的其它电阻器附加地或可选地调谐到期望值。例如，在其它实施例中，可以调谐RC滤波器的电阻器、电容器或其它电路元件、振荡器(其中电路元件确定振荡器的频率)、确定放大器的放大倍数的反馈电阻器、确定电压的电阻器或期望高精度调谐的任何其它电路元件。

此外，虽然在图5和6中状态机60、80用于执行校准和操作模式之间的切换，但在其它实施例中，可以使用其它电路，例如相应编程的多用途处理器。

此外，虽然在上面所描述实施例中的一些实施例中，已经使用了与内部可调电阻器具有相同标称值的外部电阻器或其总电阻值对应于标称值的外部电阻器的组合，但在另一个实施例中，可以使用一个或多个外部电阻器，该一个或多个外部电阻器的电阻值与内部可调电阻器或内部参考电阻器的标称电阻值具有预定关系。例如，在基于图2实施例的实施例中，电阻器41可具有是可调电阻器32标称值两倍的标称值。在这个示例中，代替Vint＝Vext，可以使用2·Vint＝Vext作为调谐条件。

此外，虽然在图2-6中，驱动电路部分已经用作与校准电路共享端子的电路部分的示例，但在其它实施例中，除了驱动电路部分之外的电路部分在第一操作模式下可使用端子，而这些端子中的一个或多个在第二操作模式下用于校准。

因此，本发明的范围不意图由上面描述的实施例来限制，而是仅由所附的权利要求书及其等效物来限制。

Claims (25)

1.一种电路，包括：

至少一个端子，

耦合到所述端子的电路部分，

耦合到所述端子的校准电路部分，以及

内部电路元件，

其中所述电路部分配置成在所述电路的第一操作模式下经由所述端子进行通信，并且其中所述校准电路部分配置成在所述电路的第二操作模式下使用耦合到所述端子的至少一个外部电路元件校准所述内部电路元件。

2.如权利要求1所述的电路，其中所述校准电路部分配置成通过比较所述外部电路元件上的压降与所述内部电路元件上的压降来校准所述内部电路元件。

3.如权利要求1所述的电路，还包括：

内部参考元件，

其中所述校准电路部分配置成比较所述内部参考元件与所述外部电路元件，并基于所述比较校准所述内部电路元件。

4.权利要求1所述的电路，其中所述内部电路元件选自包括可调电阻器和可调电容器的组。

5.如权利要求1所述的电路，还包括：

其它内部电路元件，

其中所述校准电路部分配置成基于所述内部电路元件的校准结果来校准所述其它内部电路元件。

6.如权利要求5所述的电路，还包括电流源电路部分，其中所述其它内部电路元件配置成确定所述电流源电路部分的电流输出。

7.一种芯片，包括：

多个管脚，以及

集成电路，所述集成电路包括：

驱动电路，其耦合到所述多个管脚中的至少一个驱动管脚，以及

校准电路，其耦合到所述至少一个驱动管脚中的至少一个。

8.如权利要求7所述的芯片，其中所述校准电路包括：

第一电流源，

第二电流源，以及

内部电路元件，

其中该第一电流源与所述内部电路元件耦合，并且其中所述第二电流源耦合到所述至少一个驱动管脚中的所述至少一个。

9.如权利要求8所述的芯片，还包括分配给所述第一电流源的第一开关和分配给所述第二电流源的第二开关，以在所述校准电路不活动的第一操作模式与所述校准电路活动的第二操作模式之间切换所述第一和第二电流源。

10.如权利要求8所述的芯片，其中所述校准电路还包括比较器，其中所述比较器的第一输入与在所述第一电流源和所述内部电路元件之间的节点耦合，而所述比较器的第二输入与在所述第二电流源和所述至少一个驱动管脚中的所述至少一个之间的节点耦合。

11.如权利要求10所述的芯片，还包括评估电路，以评估所述比较器的输出，并基于所述比较器的所述输出来调谐所述内部电路元件。

12.如权利要求11所述的芯片，其中所述评估电路配置成基于所述内部电路元件的所述调谐的结果进一步调谐其它内部电路元件。

13.如权利要求12所述的芯片，其中所述内部电路元件和所述其它内部电路元件设计成是相等的。

14.如权利要求8所述的芯片，其中所述校准电路还包括模数转换器，其中所述模数转换器的第一输入与在所述第一电流源和所述内部电路元件之间的节点耦合，而所述模数转换器的第二输入与在所述第二电流源和所述至少一个驱动管脚中的所述至少一个之间的节点耦合。

15.如权利要求14所述的芯片，还包括评估电路，以评估所述模数转换器的输出，并基于所述模数转换器的所述输出来调谐其它内部电路元件。

16.如权利要求8所述的芯片，其中所述内部电路元件包含选自包括多晶硅电阻器、多晶硅电阻器阵列、电容器和电容器阵列的组的电路元件。

17.一种设备，包括：

芯片，所述芯片包括：

至少一个管脚，

耦合到所述至少一个管脚的电路部分，

耦合到所述至少一个管脚中的至少一个的校准电路部分，以及

内部电路元件，

其中所述电路部分配置成在所述芯片的第一操作模式下经由所述至少一个管脚进行通信，并且其中所述校准电路部分配置成在所述芯片的第二操作模式下校准所述内部电路元件，以及

与所述芯片耦合的外部电路系统，所述外部电路系统包括：

至少一个外部电路元件，其耦合到所述至少一个管脚中的所述至少一个，其中所述校准电路部分配置成使用所述外部电路元件将所述内部电路元件调谐到与所述外部电路元件的电路元件值对应的电路元件值，来校准所述内部电路元件。

18.如权利要求17所述的设备，其中所述内部电路元件和所述外部电路元件的所述电路元件值选自包括电阻和电容的组。

19.如权利要求17所述的设备，其中所述电路部分包括配置成经由所述至少一个管脚输出通信信号的驱动电路，其中所述外部电路部分还包括将所述至少一个管脚与通信线路耦合的耦合电路。

20.如权利要求19所述的设备，其中所述耦合电路包括变压器，并且其中所述至少一个外部电路元件耦合到所述变压器的在与所述芯片耦合的所述变压器一侧的中间接点。

21.如权利要求19所述的设备，其中所述至少一个管脚包括第一管脚和第二管脚，其中所述耦合电路包括耦合到所述第一管脚并耦合到所述第二管脚的变压器，并且其中所述至少一个外部电路元件包括耦合到所述第一管脚的第一外部电路元件和耦合到所述第二管脚的第二外部电路元件。

22.如权利要求19所述的设备，其中所述耦合电路包括至少一个电容器，并且其中所述至少一个外部电路元件耦合到在所述至少一个电容器和所述至少一个管脚中的所述至少一个之间的节点。

23.如权利要求17所述的设备，其中所述至少一个管脚包括至少两个管脚，并且其中所述至少一个外部电路元件相对于所述至少两个管脚以对称方式连接。

24.一种校准方法，包括：

使耦合到芯片的至少一个管脚的电路部分去激活，以及

使用与所述至少一个管脚耦合的外部电路元件校准所述芯片的内部电路元件。

25.如权利要求24所述的方法，其中所述电路部分包括驱动电路部分，并且其中使所述电路部分去激活包括将所述驱动电路部分设置为三态模式。

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