CN101622572A - 液晶显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种液晶显示装置及其制造方法，在分割基板进行取向处理而形成有两个以上的畴的液晶显示装置中，能够提高显示品质和成品率。本发明是一种液晶显示装置的制造方法，该液晶显示装置具备相对的一对基板、在基板间设置的液晶层、和设置在至少一个基板的液晶层侧的表面的取向膜，并且在像素内具有两个以上取向方向不同的区域，所述制造方法包括：隔着光掩模对取向膜的一部分进行曝光的曝光工序，所述光掩模设置有在遮光区域内形成有多个透光部的掩模中央部和具有以比掩模中央部的透光部的分布密度小的透光部的分布密度在遮光区域内形成有多个透光部的区域的掩模接合部。

Description

液晶显示装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及液晶显示装置及其制造方法。更详细地说，涉及通过在像素内形成两个以上的畴能够实现高显示品质的矩阵型液晶显示装置及其制造方法。
背景技术
由于液晶显示装置是能够轻量化、薄型化和低消耗电力化的显示装置，所以被广泛应用于电视机、个人用计算机用监视器、便携式终端用监视器等。这样的液晶显示装置通常利用与一对基板间(液晶层)施加的电压对应变化的液晶分子的倾斜角度控制透过液晶层的光的透过率。因此，液晶显示装置在透过率中具有角度依存性。结果，在现有的液晶显示装置中，由于视角方向而产生对比度降低、中间灰度显示时的灰度等级反转等显示不良。因而，一般地在液晶显示装置中，在提高视野角特性这一点上有改善的余地。
因此，正在开发将各像素分割为液晶分子的倾斜方向不同的两个以上的区域的取向分割的技术。根据该技术，在向液晶层施加电压的情况下，由于液晶分子在像素内向不同的方向倾斜，所以能够改善视野角特性。另外，取向方向不同的各区域也叫做畴，取向分割也叫做多畴。
作为进行取向分割的液晶模式，在水平取向模式中，可列举多畴扭转向列(TN；Twist Nematic)模式、多畴双折射控制(ECB；ElectricallyControlled Birefringence)模式、多畴光学补偿双折射(OCB；OpticallyCompensated Birefringence)模式等。另一方面，在垂直取向模式中，可列举多畴垂直取向(MVA；Multi-Domain Vertical Alignment)模式、PVA(Patterned Vertical Alignment)模式、多畴VAECB(VerticalAlignment ECB)模式等，在各模式的液晶显示装置中，完成了用于实现更加广视野角化的各种改良。
作为进行取向分割的方法，可列举研磨法、光取向法等。作为研磨法，提案有将研磨区域和非研磨区域在利用形成有图案的抗蚀剂分离的状态下进行取向膜的研磨处理的方法。但是，研磨法通过用卷绕在辊上的布摩擦取向膜表面来进行取向处理。因而，在研磨法中，产生布毛、削片等垃圾，或产生由静电引起的开关元件的破坏、特性转变、劣化等不良，存在进一步改善的余地。
另一方面，光取向法是使用光取向膜作为取向膜材料，向光取向膜照射(曝光)紫外线等的光，由此使取向膜产生取向限制力和/或使取向膜的取向限制方向变化的取向方法。因而，由于光取向法能够以非接触的方式进行取向膜的取向处理，所以能够抑制在取向处理中的污垢、垃圾等的产生。此外，通过在曝光时使用光掩模，能够在不同的条件下对取向膜面内的所希望的区域进行光照射，因此能够容易地形成具有所希望的设计的畴。
作为现有的光取向法的取向分割的方法，例如在将像素分割成两个畴的情况下，可举出以下的方法。即，可举出准备在遮光区域形成有具有像素间距的一半左右的宽度的狭缝状的透光部的光掩模，首先在对像素的一半的区域进行第一曝光之后，将光掩模偏移半间距左右，以与第一曝光不同的条件对像素的剩余区域进行第二曝光的方法。根据这样的方法，能够将各像素容易地分割成两个以上的畴。此外，作为实现不研磨就能够实现多畴取向的垂直取向用的液晶取向膜、和使用这样的液晶取向膜的液晶显示装置的技术，公开了在由单分子膜状的薄膜构成的液晶取向膜中，上述薄膜的薄膜构成分子具有碳氟基和感光性基，并且用薄膜构成分子的一端结合固定在基板表面，且在上述薄膜的各区域的每一个中图案状向多个方向取向，薄膜构成分子彼此通过上述感光性基聚合或交联的液晶取向膜(例如参照专利文献1)。进而，作为使用光取向法能够实现液晶的稳定的取向，由此得到良好的显示的技术，公开了取向膜由包含二胺成分的聚酰胺酸和包含与聚酰胺酸的二胺成分不同的二胺成分的聚酰亚胺的混合物构成，并且利用紫外线照射进行取向处理的液晶显示装置(例如参照专利文献2)。
近年来，随着液晶显示装置的大型化的进展，在从40型到60型的现有的作为等离子体电视机的主战场的尺寸领域，液晶电视机急速扩展。但是，通过上述现有的光取向法取向分割这样的60型等级的大型液晶显示装置是非常困难的。这是因为能够一次曝光60型等级的基板，且能够在工厂内设置的尺寸的曝光装置迄今为止还不存在，不可能一次曝光60型等级的基板整个面。因此，在利用光取向法取向分割大型液晶显示装置的情况下，需要将基板分割几次进行曝光。此外，在利用光取向法取向分割20型等级的比较小型的液晶显示装置的情况下，也存在想要尽量缩小曝光装置的尺寸的要求，所以也需要考虑像这样将基板分割几次进行曝光。但是，在通过像这样将基板分割几次进行曝光来取向分割的液晶显示装置中，在显示画面中能够清楚地看到各曝光区域间的接口，成为劣质产品。因而，在通过分割曝光基板来进行液晶显示装置的取向分割的情况下，在提高显示品质、提高成品率这一点上还存在下功夫的余地。
另外，作为用于图案形成开关元件、电极等的曝光技术，公开了以下液晶显示装置的制造方法(例如参照专利文献3)，其具备：在要形成多个像素的基板上形成抗蚀剂膜的工序；使用第一掩模，对构成上述抗蚀剂膜的一部分的第一区域进行曝光，由此将第一掩模图案转印到上述抗蚀剂膜的第一区域的工序；和使用第二掩模，对与上述抗蚀剂膜的第一区域局部地重叠邻接的第二区域进行曝光，由此将第二掩模图案转印到上述抗蚀剂膜的第二区域的工序，上述转印第一掩模图案的工序，包括将第一掩模图案部分转印到位于上述第一区域和第二区域重叠的边界共有区域的像素内的一部分上的工序，上述转印第二掩模图案的工序，包括将第二掩模图案部分转印到上述像素内的其它部分上的工序。
专利文献1：日本特开2001-281669号公报
专利文献2：日本特开2003-43492号公报
专利文献3：日本特开2000-66235号公报
发明内容
本发明是鉴于上述现状而完成的，其目的在于提供一种在通过分割基板进行取向处理而在像素内形成有两个以上的畴的液晶显示装置中，能够提高显示品质和成品率的液晶显示装置及其制造方法。
本发明的发明人们对即使通过将基板分割曝光来进行取向分割，也能够提高显示品质和成品率的液晶显示装置的制造方法进行了各种研讨，着眼于在分割曝光基板时的曝光方式。而且，发现假使在同一曝光区域内在中心附近和周边附近照射条件不同，该不同在面内连续变化，由该不同引起的显示特性的偏差用肉眼几乎无法识别，但另一方面，在相邻的曝光区域间，即使照射条件的差微小，不连续的条件变得相邻，可作为接口被肉眼识别。另外，即便使装置精度、光掩模的图案精度成为最大限度高精度，在分割曝光的基板的各曝光区域间使照射条件完全一致实质上是不可能的。
因此，本发明的发明人们进行了进一步的研讨，发现接口发生的要因主要是相邻的曝光区域间的光掩模的对准偏差、照射量偏差、照射角度偏差、作为掩模和基板间的间隔的邻近间隙偏差、和进行偏光照射时的偏光的偏光轴偏差和偏光度偏差。另外，在这些偏差之中现在最容易发生的是光掩模的对准偏差，即使在使光掩模的对准精度在曝光装置上尽量为高精度的情况下，在现在的技术水平中，在相邻的曝光区域间发生±几μm左右的光掩模的对准偏差。
而且，如果在相邻的曝光区域间引起这样的照射条件的偏差，则像素的亮度和像素开口部内的各畴的面积比在相邻的曝光区域中不连续地变化，即相邻的曝光区域的光学特性不连续地变化，因此特别是从倾斜方向观察显示画面时，在各曝光区域间的亮度变得不连续，结果发现各曝光区域的边界作为接口而被识别，并且在分割曝光基板时，通过使用具有以比光掩模的中央部的透光部的分布密度小的分布密度形成有透光部的区域的光掩模对取向膜进行曝光，能够控制在接口附近亮度急剧变化，结果发现即使通过将基板分割曝光来进行取向分割处理，也能够实现提高显示品质和成品率的液晶显示装置及其制造方法，想到能够很好地解决上述课题，达到本发明。
即，本发明是一种液晶显示装置的制造方法，该液晶显示装置具备相对的一对基板、在基板间设置的液晶层、和设置在至少一个基板的液晶层侧的表面的取向膜，并且在像素内具有两个以上取向方向不同的区域，其中，上述制造方法包括：隔着光掩模对取向膜的一部分进行曝光的曝光工序，所述光掩模设置有在遮光区域内形成有多个透光部的掩模中央部和具有以比掩模中央部的透光部的分布密度小的透光部的分布密度在遮光区域内形成有多个透光部的区域的掩模接合部。
以下详述本发明的液晶显示装置的制造方法。
本发明的液晶显示装置的制造方法包括：隔着设置有在遮光区域内形成有多个透光部的掩模中央部和具有以比掩模中央部的透光部的分布密度小的透光部的分布密度在遮光区域内形成有多个透光部的区域的掩模接合部的光掩模对取向膜的一部分进行曝光的曝光工序。由此，能够实现对基板(取向膜)面内进行分割曝光的形态，更具体而言，将取向膜面内分割成两个以上的曝光区域、和介于相邻的曝光区域之间的曝光区域的接合部(以下也叫做“接合曝光部”)，并且隔着掩模接合部对该曝光区域的接合部的取向膜进行曝光，并且隔着掩模中央部对该曝光区域的取向膜进行曝光的形态。即，能够与接合曝光部对应配置掩模接合部，且与除去接合曝光部的区域(曝光区域)对应配置掩模中央部。因此，即使在相邻的曝光区域(以下也叫做“第一曝光区域和第二曝光区域”)之间发生照射条件的偏差，位于第一曝光区域的像素和位于第二曝光区域的像素的亮度不同，或位于第一曝光区域的像素的像素开口部中的畴的面积比和位于第二曝光区域的像素的像素开口部内的畴的面积比不同时，由于光掩模在掩模接合部中具有以比掩模中央部的透光部的分布密度小的分布密度形成有透光部的区域，因此在接合曝光部中，也能够使发挥与位于第一曝光区域的像素同等的光学特性的像素(以下也叫做“第一像素”)和与位于第二曝光区域的像素同等的光学特性的像素(以下也叫做“第二像素”)混合存在。结果，在由本发明制造的液晶显示装置中，即使在与第一曝光区域和第二曝光区域对应的两个显示区域之间在亮度上产生差异的情况下，由于与接合曝光部对应的显示区域能够具有与第一曝光区域和第二曝光区域对应的两个显示区域之间的亮度，所以与第一曝光区域和第二曝光区域对应的两个显示区域之间的亮度变化在与接合曝光部对应的显示区域中变得更缓和。因而，能够提高液晶显示装置的显示品质，提高成品率。此外，根据本发明的液晶显示装置的制造方法，使用上述光掩模，能够分多次对基板进行曝光。因而，即使是大型的液晶显示装置，使用通常的装置尺寸的曝光装置，也能够遍及基板全面有效地进行取向分割处理。
上述取向膜是由曝光进行取向处理的光取向膜，通常由液晶的取向方向与光线的照射方向或光线的照射区域的移动方向对应变化的材料(光取向材料)形成。
另外，从提高液晶显示装置的显示品质和响应性的观点出发，上述取向膜，优选设置在两个基板的液晶层侧的表面。
此外，从使本发明的效果更有效的观点出发，优选对在液晶层侧的表面分别设置有取向膜的两个基板进行上述曝光工序。
上述掩模中央部和掩模接合部中的多个透光部的平面形状并不作特别限定，但从对各像素内有效地取向分割，且高精度地形成透光部的观点出发，优选是大致矩形状。此外，从对矩阵状排列的各像素内进行有效地取向分割，且抑制光掩模的制造成本的观点出发，优选上述光掩模具有在遮光区域内反复形成有多个遮光部的反复图案，此外，更优选上述光掩模具有在遮光区域内反复形成有俯视呈大致矩形状的多个遮光部的反复图案，上述反复图案从光掩模的大致一端形成至另一端。即，上述光掩模更优选具有所谓的条纹图案，上述透光部更优选是所谓的狭缝。因而，也可以说是更优选上述光掩模具有在遮光区域内形成有多个狭缝的条纹图案，且设置有在遮光区域内形成有多个狭缝的掩模中央部和具有以比掩模中央部的狭缝的分布密度小的狭缝的分布密度在遮光区域内形成有多个狭缝的区域的掩模接合部。另外，作为上述反复图案并不作特别限定，除了条纹图案之外，例如也可以是点图案等。
另外，在本说明书中，分布密度意味着每某任意的一定面积的透光部的个数。
此外，在本发明的液晶显示装置的制造方法中，优选掩模中央部和掩模接合部中的各透光部的平面形状和尺寸通常大致相同。即，在上述光掩模具有反复图案的情况下，优选上述光掩模通常在掩模接合部中具有在掩模中央部(适当)间拔透光部的构造。进而，上述光掩模的掩模中央部的透光部的分布密度通常大致一定。
本发明的液晶显示装置的制造方法，只要具有这些工序，则利用其它的工序就没有特别的限定。
此外，由本发明制造的液晶显示装置，具备相对的一对基板、在基板间设置的液晶层、和设置在至少一个基板的液晶层侧的表面的取向膜，并且在像素内具有两个以上取向方向不同的区域。作为由本发明制造的液晶显示装置的结构，只要以这样的取向分割的矩阵型液晶显示装置的标准的构成要素为必需，则对于其它的构成要素就没有特别的限定。
另外，由本发明制造的液晶显示装置，优选是有源矩阵型液晶显示装置，但也可以是单纯矩阵型液晶显示装置。
此外，在本说明书中，取向方向不同的区域意味着随着向液晶层施加的电压变化而变化的液晶层所包含的液晶分子的倾斜方向互不相同的多个区域，意味着所谓的畴。
以下对本发明的液晶显示装置的制造方法中的优选方式进行详细说明。另外，以下所示的各种方式也可以适当组合。
上述曝光工序优选包括将取向膜面内分割成两个以上的区域和介于相邻的曝光区域之间的曝光区域的接合部(以下也叫做“接合曝光部”)，且隔着掩模接合部对上述曝光区域的接合部的取向膜进行曝光，并且隔着掩模中央部对上述曝光区域的取向膜进行曝光的工序。由此，能够充分发挥本发明的效果，并且能够更容易地实施本发明的液晶显示装置的制造方法。另外，作为本发明的液晶显示装置的制造方法中的曝光区域的分割方式并没有特别的限定，可以进行适当设定，例如可列举两等分基板的方式、分割成条纹状的方式、矩阵状四分割的方式等。此外，曝光区域的分割数并没有特别的限定，可以进行适当设定。
这样，上述曝光工序优选隔着与介于相邻的曝光区域之间的曝光区域的接合部对应形成的掩模接合部和与除去曝光区域的接合部(曝光区域)对应形成的掩模中央部进行取向膜的曝光。此外，上述曝光工序也可以包括将取向膜面内分割成两个以上的曝光区域和介于相邻的曝光区域之间的曝光区域的接合部，且隔着掩模接合部对上述曝光区域的接合部的取向膜进行一次曝光，隔着掩模中央部对上述两个以上的曝光区域中的一个区域的取向膜进行一次曝光的工序。
优选上述曝光区域包括隔着分别设置有掩模接合部和掩模中央部的多个不同的光掩模在每个曝光区域和曝光区域的接合部对取向膜进行曝光的工序，上述多个光掩模包括对第一曝光区域和曝光区域的接合部进行曝光的第一光掩模、和对与第一曝光区域相邻的第二曝光区域和曝光区域的接合部进行曝光的第二光掩模，上述第一光掩模和第二光掩模在掩模接合部中，与具有相互互补的配置关系的两个像素组的任一个对应形成透光部。由此，在接合曝光部中，能够抑制产生完全没有曝光的像素。另外，在该方式中，不同的光掩模，作为物质也可以是其它的光掩模，不同光掩模也可以分别具有相同的透光部的配置方式(图案)。同样地，第一光掩模和第二光掩模也可以具有相同的透光部的配置方式(图案)。此外，在该方式中，更优选对相邻的曝光区域曝光的任一组的光掩模，在掩模接合部中，与具有相互互补的配置关系的两个像素组的任一个对应形成透光部。另外，作为不同光掩模分别具有相同的透光部的配置方式(图案)的具体方式，优选后述的在掩模接合部中，与具有相对于掩模接合部的中心线相互对称的配置关系的两个像素组对应配置透光部和遮光区域的方式。此外，在本发明的液晶显示装置的制造方法中，对于各像素通常设置在同一基板上的取向膜，通过隔着同一光掩模对取向膜进行多次曝光而进行取向分割。
这样，本发明也提供一种液晶显示装置的制造方法，该液晶显示装置具备相对的一对基板、在基板间设置的液晶层、和设置在至少一个基板的液晶层侧的表面的取向膜，并且在像素内具有两个以上取向方向不同的区域，其中，上述制造方法包括：将取向膜面内分割成相邻的第一曝光区域和第二曝光区域和介于第一曝光区域和第二曝光区域之间的曝光区域的接合部，进行取向膜的曝光的曝光工序，上述曝光区域包括隔着在遮光区域内形成有多个透光部的第一光掩模对第一曝光区域和曝光区域的接合部的取向膜进行曝光的第一曝光工序、和隔着在遮光区域内形成有多个透光部的第二光掩模对第二区域和曝光区域的接合部的取向膜进行曝光的第二曝光工序，上述第一光掩模和第二光掩模，具有与曝光区域的接合部对应的掩模接合部、和与第一曝光区域和第二曝光区域对应的掩模中央部，且在掩模接合部具有以比掩模中央部的透光部的分布密度小的分布密度形成有透光部的区域(上述第一光掩模具有与曝光区域的接合部对应的掩模接合部、和与第一曝光区域对应的掩模中央部，且在掩模接合部具有以比掩模中央部的透光部的分布密度小的分布密度形成有透光部的区域，上述第二光掩模具有与曝光区域的接合部对应的掩模接合部、和与第二曝光区域对应的掩模中央部，且在掩模接合部具有以比掩模中央部的透光部的分布密度小的分布密度形成有透光部的区域)，上述第一光掩模和第二光掩模的透光部，在掩模接合部中，与具有相互互补的配置关系的两个像素组的任一个对应形成透光部，上述第一曝光工序包括隔着第一光掩模对位于第一曝光区域的像素内的一部分和位于曝光区域的接合部的第一像素内的一部分进行曝光的工序、和隔着第一光掩模，对位于第一曝光区域的像素内的其它至少一部分和第一像素内的其它至少一部分进行曝光的工序(上述第一曝光工序包括隔着第一光掩模的掩模中央部对位于第一曝光区域的像素内的一部分进行曝光且隔着第一光掩模的掩模接合部对位于曝光区域的接合部的第一像素内的一部分进行曝光的工序、和隔着第一光掩模的掩模中央部对位于第一曝光区域的像素内的其它至少一部分进行曝光且隔着第一光掩模的掩模接合部对第一像素内的其它至少一部分进行曝光的工序)，上述第二曝光工序包括隔着第二光掩模对位于第二曝光区域的像素内的一部分和位于曝光区域的接合部且与第一像素不同的第二像素内的一部分进行曝光的工序、和隔着第二光掩模对位于第二曝光区域的像素内的其它至少一部分和第二像素内的其它至少一部分进行曝光的工序(上述第二曝光工序包括隔着第二光掩模的掩模中央部对位于第二曝光区域的像素内的一部分进行曝光并且隔着第二光掩模的掩模接合部对位于曝光区域的接合部且与第一像素不同的第二像素内的一部分进行曝光的工序、和隔着第二光掩模的掩模中央部对位于第二曝光区域的像素内的其它至少一部分进行曝光并且隔着第二光掩模的掩模接合部对第二像素内的其它至少一部分进行曝光的工序)。
另外，在本发明中，上述曝光工序所使用的光掩模的数量并没有特别的限定，能够考虑基板、曝光装置和光掩模的尺寸、曝光方式等进行适当设定。
作为上述曝光工序中的曝光方式，优选扫描方式和拍摄(shot)方式。即，上述曝光工序优选在对基板和光源的至少一个进行扫描的同时对取向膜进行曝光的方式(扫描方式)、和在固定基板和光源的状态下对取向膜进行曝光的方式(拍摄方式)。根据扫描方式，由于基板面内的照射光量的稳定性优异，所以能够抑制取向方向、预倾角等的特性发生偏差。此外，由于能够使曝光装置小型化所以能够降低装置成本。进而，能够降低在光掩模中发生不良或破损时的光掩模的更换成本。另外，在扫描方式中，在扫描方向配置有透光部的间距不同的其它面板时，必须配合该面板更换掩模，但另一方面，在拍摄方式中，通过预先在掩模内形成多个面板用的图案，能够一次曝光不同种类的面板。另外，在扫描方式中对光源进行扫描的情况下，光源和光掩模通常一体地移动。
上述光掩模，优选掩模接合部的透光部的分布密度是掩模中央部的透光部的分布密度的一半。由此，即使在与第一曝光区域和第二曝光区域对应的两个显示区域之间产生亮度差的情况下，在与接合曝光部对应的显示区域中，也能够以大致50％的比例混合第一像素和第二像素。因而，由于与接合曝光部对应的显示区域能够具有与第一曝光区域和第二曝光区域对应的两个显示区域的中间的亮度，所以能够将与第一曝光区域和第二曝光区域对应的两个显示区域用与具有它们的中间亮度的接合曝光部对应的显示区域相连。结果，能够使显示画面中接合线难以识别。
另外，在本说明书中，“一半”是起到本发明的各效果程度的一半即可，可以是完全的一半，也可以是大致一半。
另一方面，上述光掩模也可以在掩模接合部具有透光部的分布密度随着远离掩模中央部侧而减少的区域。由此，即使在与第一曝光区域和第二曝光区域对应的两个显示区域之间产生亮度差的情况下，在与接合曝光部对应的显示区域中，也能够使第一像素和第二像素以各自的分布密度逐渐变化的方式混合。因而，与第一曝光区域和第二曝光区域对应的两个显示区域能够用与具有它们的中间的亮度且亮度逐渐变化的接合曝光部对应的显示区域相连。结果，能够使显示画面中接合线更难以识别。这样，也可以说是上述光掩模优选在掩模接合部具有透光部的分布密度随着远离掩模中央部侧而单调减少的区域。
上述光掩模，优选在掩模接合部具有透光部的数量随着远离掩模中央部侧而以大致一定的比例减少的区域。即，上述光掩模，优选在掩模接合部具有透光部的分布密度随着远离掩模中央部侧而线性减少的区域。由此，即使在与第一曝光区域和第二曝光区域对应的两个显示区域之间产生亮度差的情况下，在与接合曝光部对应的显示区域中，也能够使第一像素和第二像素以各自的分布密度圆滑变化的方式混合。因而，能够将与第一曝光区域和第二曝光区域对应的两个显示区域用与具有它们的中间的亮度且亮度圆滑变化的接合曝光部的显示区域对应的显示区域接合。结果，能够使显示画面中接合线实质上难以被识别。
在透光部的分布密度线性变化的方式中，作为透光部的分布密度的变化的比例并没有特别的限定，能够进行适当设定。即，上述光掩模，也可以在掩模接合部具有透光部的数量随着远离掩模中央部侧而按每一定的区域分别以任意的自然数减少的区域。其中，上述光掩模，优选在掩模接合部具有透光部的数量随着远离掩模中央部侧而按每一定的面积一个一个减少的区域。由此，即使在与第一曝光区域和第二曝光区域对应的两个显示区域之间产生亮度差的情况下，也能够将与第一曝光区域和第二曝光区域对应的两个显示区域的亮度差，通过与接合曝光部对应的显示区域，更圆滑地相连。结果，能够使显示画面中接合线更难识别。
另外，在本说明书中，一定的面积通常是指与多个像素、子像素或副像素的面积的整数倍对应的任意的一定的面积，也可以是一定的区域、范围、区段或小块。
上述光掩模，优选在掩模接合部中，透光部的数量随着远离掩模中央部侧而按每一定的面积一个一个地减少。由此，即使在与第一曝光区域和第二曝光区域对应的两个显示区域之间产生亮度差的情况下，也能够将与第一曝光区域和第二曝光区域对应的两个显示区域的亮度差，通过与接合曝光部对应的显示区域，更圆滑地相连。结果，能够使显示画面中接合线更难识别。
上述光掩模优选在透光部的数量随着远离掩模中央部侧而按每一定的面积一个一个地减少的区域之间，多个透光部均等地分散形成。由此，在掩模接合部能够使狭缝的分布密度大致线性变化。因而，即使在与第一曝光区域和第二曝光区域对应的两个显示区域之间产生亮度差的情况下，也能够将与第一曝光区域和第二曝光区域对应的两个显示区域的亮度差，通过与接合曝光部对应的显示区域，更圆滑地相连。结果，能够使显示画面中接合线更难识别。
另外，在本说明书中，“均等”是指只要起到本发明的各效果的程度均等，可以是完全均等，也可以大致均等。
上述光掩模，也可以在透光部的数量随着远离掩模中央部侧而按每一定的面积一个一个地减少的区域的中央，具有用掩模中央部的透光部的分布密度的一半的分布密度形成有透光部的区域。此外，上述光掩模，也可以在透光部的数量随着远离掩模中央部侧而按每一定的面积一个一个地减少的区域之间，具有用邻接的一定的面积中的透光部的分布密度之间的分布密度形成有透光部的区域。据此，难以在掩模接合部的整个区域，使透光部的数量按每个一定的区域一个一个地减少的情况下，通过与接合曝光部对应的显示区域，也能够将与第一曝光区域和第二曝光区域对应的两个显示区域的亮度差比较圆滑地相连。
另外，在本说明书中，“中央”是指起到本发明的各效果的程度的中央即可，可以是完全中央，也可以是大致中央。
上述光掩模，也可以在掩模接合部中，与具有相对于掩模接合部的中心线相互对称的配置关系的两个像素组对应配置透光部和遮光区域。由此也能够使接合线无法识别。
上述曝光工序优选以在各像素内形成俯视基板时取向膜表面附近的液晶分子在相互反平行方向上取向的两个区域的方式对取向膜进行曝光。由此，能够容易地实现多畴TN模式、多畴ECB模式、多畴VAECB(Vertical Alignment Electrically Controled Birefringence)模式、多畴VAHAN(Vertical Alignment Hybrid-aligned Nematic)模式、多畴VATN(Vertical Alignment Twisted Nematic)模式等的广视野角的液晶显示装置。另外，在本说明书中，优选“取向膜表面附近”是取向膜表面。
此外，优选上述取向膜设置在两基板上，上述液晶显示装置的制造方法，进行两基板的取向膜的曝光和两基板的贴合，使得各基板的取向膜表面附近的液晶分子在俯视基板时在各像素内在相互反平行方向上取向，并且一个基板的取向膜表面附近的液晶分子和另一个基板的取向膜表面附近的液晶分子在俯视基板时在相互正交方向上取向。由此，能够在每一个像素中容易地形成四个畴。因而，例如以上下左右的四个方向这样的方式在相互正交的四个方向的任一个上都能够实现广视野角化。此外，由于四个畴的对称性优异，所以能够使相互正交的四个方向的任一个的视野角特性都相同。结果，能够实现没有视野角依存性的液晶显示装置。
另外，在本说明书中，“正交”只要是起到本发明的各效果的程度的正交即可，可以是完全的正交，也可以是大致正交，但具体而言，优选能够实现VATN模式的显示的程度的正交。
进而，优选上述液晶层包含具有负的介电常数各向异性的液晶分子，上述取向膜在不向液晶层施加电压时使液晶分子相对于取向膜表面接近垂直地取向(垂直取向膜)。由此，能够实现垂直取向模式的液晶显示装置。
另外，在本说明书中，“接近垂直”只要是起到本发明的各效果的程度的垂直即可，但具体而言，优选是能够实现VATN模式的显示的程度的垂直，更具体而言，优选以液晶分子的长轴方向相对于取向膜表面的法线方向具有0.1～5°左右的角的方式进行取向。
另一方面，也可以上述液晶层包含具有正的介电常数各向异性的液晶分子，上述取向膜在不向液晶层施加电压时使液晶分子相对于取向膜表面接近水平地取向(水平取向膜)。由此，能够实现水平取向模式的液晶显示装置。
在本说明书中，“接近水平”只要是起到本发明的各效果的程度的水平即可，但具体而言，优选是能够实现TN模式的显示的程度的水平。
本发明也是由本发明的液晶显示装置的制造方法制造的液晶显示装置。根据本发明的液晶显示装置的制造方法，在与接合曝光部对应的显示区域中，能够实现混合第一像素和第二像素的液晶显示装置。因而，在相邻的第一曝光区域和第二曝光区域之间发生照射条件的偏差，位于第一曝光区域的像素和位于第二曝光区域的像素的亮度不同，或位于第一曝光区域的像素的像素开口部的畴的面积比和位于第二曝光区域的像素的像素开口部的畴的面积比不同，结果，在与第一曝光区域和第二曝光区域对应的两个显示区域之间产生亮度差的情况下，通过与接合曝光部对应的显示区域也能够使与第一曝光区域和第二曝光区域对应的两个显示区域之间的亮度变化更缓和。结果，在通过将基板分割进行取向处理而在像素内形成有两个以上的畴的液晶显示装置中，能够实现优异的显示品质。
因而，这样的具有混合第一像素和第二像素的区域的液晶显示装置也是本发明的一种。即，本发明也提供一种液晶显示装置，其具备相对的一对基板、在基板间设置的液晶层、和设置在至少一个基板的液晶层侧的表面的取向膜，并且在像素内具有两个以上取向方向不同的区域，其中，上述液晶显示装置具有相邻的第一显示区域和第二显示区域、和介于第一显示区域和第二显示区域之间的接合显示区域，上述第一显示区域排列有多个第一像素，上述第二显示区域，排列有亮度和像素开口部内的取向方向不同的区域的面积比的至少一种与第一像素不同的多个第二像素，上述接合显示区域在第一像素和第二像素混合的状态下排列。
以下对本发明的液晶显示装置进行详细叙述。
本发明的液晶显示装置，其具备相对的一对基板、在基板间设置的液晶层、和设置在至少一个基板的液晶层侧的表面的取向膜，并且在像素内具有两个以上取向方向不同的区域(畴)。因而，本发明的液晶显示装置适合取向分割的矩阵型液晶显示装置，具有优异的视野角特性。
另外，本发明的液晶显示装置，优选是有源矩阵型液晶显示装置，但也可以是单纯矩阵型液晶显示装置。
本发明的液晶显示装置，具有相邻的第一显示区域和第二显示区域、和介于第一显示区域和第二显示区域之间的接合显示区域，上述第一显示区域排列有多个第一像素，上述第二显示区域，排列有亮度和像素开口部内的取向方向不同的区域的面积比的至少一种(亮度和像素开口部内的取向方向不同的区域的面积比的至少一种)与第一像素不同的多个第二像素。这样，由于本发明的液晶显示装置在相邻的第一显示区域和第二显示区域之间像素的光学特性不同，所以根据视角方向，在第一显示区域和第二显示区域的亮度上产生差异。
另外，在本说明书中，像素开口部是指像素内的开口部(透过光的区域)。这样，各像素通常具有像素开口部和沿着像素开口部的轮廓形成的遮光区域。另外，遮光区域是由遮光部件遮光的区域。
此外，在本说明书中，像素是构成显示图像的最小单位，在黑白显示的有源矩阵型液晶显示装置中，通常是由像素电极和与其相对的共用电极所规定的区域。另一方面，在彩色显示的有源矩阵型液晶显示装置中，通常是由多个颜色(例如三色)的子像素构成的区域。子像素(sub-pixel)是构成像素的单色的区域，通常是由像素电极和与其相对的共用电极所规定的区域。另外，子像素也可以具有多个驱动元件(TFT等)和与各驱动元件分别连接的多个像素电极。即，子像素也可以由多个副像素构成。副像素是在子像素内由一个像素电极和与其相对的共用电极所规定的区域。因而，在将本发明的液晶显示装置和本发明的液晶显示装置的制造方法应用于彩色显示的有源矩阵型液晶显示装置及其制造方法中时，像素也可以是子像素或副像素。另外，在一般的彩色显示的有源矩阵型液晶显示装置中，各像素通常由红、蓝和绿的3色的子像素构成，但在本发明的液晶显示装置中，构成各像素的子像素的颜色的种类和数量并没有特别的限定，能够进行适当设定。即，在本发明的液晶显示装置中，各像素例如可以由青绿色、品红和黄色的三色的子像素构成，也可以由4色以上的子像素构成。另一方面，在单纯矩阵型液晶显示元件中，像素通常是由条纹状的信号电极和扫描电极的交叉部规定的区域。
上述接合显示区域以第一像素和第二像素混合的状态排列。这样，由于接合显示区域在混合的状态下具备具有与第一显示区域的各像素同等的光学特性的第一像素、和具有与第二显示区域的各像素同等的光学特性的第二像素，所以接合显示区域能够具有第一显示区域和第二显示区域之间的亮度。因而，能够通过接合显示区域进一步缓和第一显示区域和第二显示区域之间的亮度变化。结果，能够提高显示品质和成品率。
作为本发明的液晶显示装置的结构，只要将这样的构成要素作为必需而形成，则也可以包括也可以不包括其它的构成要素，并没有特别的限定。
此外，作为制造本发明的液晶显示装置的方法并没有特别的限定，但优选上述的本发明的液晶显示装置的制造方法。由此，能够容易地实现本发明的液晶显示装置。此外，在这种情况下，优选本发明的液晶显示装置中的取向膜是由曝光进行取向处理的光取向膜，由液晶的取向方向对应光线的照射方向或光线的照射区域的移动方向而发生变化的材料(光取向材料)形成。进而，在这种情况下，本发明的液晶显示装置中的第一显示区域和第二显示区域，相当于本发明的液晶显示装置的制造方法中的相邻的曝光区域(第一曝光区域和第二曝光区域)，本发明的液晶显示装置中的接合显示区域相当于本发明的液晶显示装置的制造方法中的接合曝光部。
以下对本发明的液晶显示装置中的优选的方式进行详细说明。另外，以下所示的各种方式也可以适当组合。
上述液晶显示装置优选在接合显示区域具有第一像素和第二像素交替排列的区域。由此，在接合显示区域中，能够使第一像素和第二像素以大致50％的比例混合。因而，接合显示区域具有第一显示区域和第二显示区域的中间的亮度，第一显示区域和第二显示区域用具有它们的中间的亮度的接合显示区域相连。结果，能够使显示画面中接合线难以被识别。
另一方面，上述液晶显示装置也可以在接合显示区域中具有第一像素的分布密度随着远离第一显示区域而减少的区域。由此，在接合显示区域中，能够使第一像素和第二像素以各自的分布密度逐渐变化的方式混合。因而，第一显示区域和第二显示区域用具有它们中间的亮度且亮度逐渐变化的接合显示区域相连。结果，能够使显示画面中接合线更难以被识别。这样，也可以说优选上述液晶显示装置在接合显示区域中具有第一像素的分布密度随着远离第一显示区域而单调减少的区域。
上述液晶显示装置优选在接合显示区域中具有第一像素和第二像素的分布密度线性变化的区域。由此，在接合显示区域中，能够使第一像素和第二像素以各自的分布密度圆滑地变化的方式混合存在。因而，第一显示区域和第二显示区域用具有它们中间的亮度且亮度圆滑地变化的接合显示区域相连。结果，能够使显示画面中接合线实质上难以被识别。
上述液晶显示装置优选在接合显示区域中具有第一像素和第二像素的数量按每一定的面积一个一个地变化的区域。由此，通过接合显示区域能够将第一显示区域和第二显示区域的亮度差更圆滑地相连。结果，能够使显示画面中接合线更难以被识别。
上述液晶显示装置优选在接合显示区域中第一像素和第二像素的数量按每一定的面积一个一个地变化。由此，通过接合显示区域能够将第一显示区域和第二显示区域的亮度差更圆滑地相连。结果，能够使显示画面中接合线更难以被识别。
上述液晶显示装置优选在第一像素和第二像素的数量按每一定的面积一个一个地变化的区域之间，第一像素或第二像素均等分散配置。由此，通过接合显示区域能够将第一显示区域和第二显示区域的亮度差更圆滑地相连。结果，能够使显示画面中接合线更难以被识别。
上述液晶显示装置也可以在第一像素和第二像素的数量按每一定的面积一个一个地变化的区域的中央具有第一像素和第二像素交替排列的区域。此外，上述液晶显示装置也可以在第一像素和第二像素的数量按每一定的面积一个一个地变化的区域之间，以用邻接的一定面积的第一像素的分布密度之间的分布密度配置第一像素的方式排列第一像素和第二像素的区域。由此，在接合显示区域的整个区域中，在难以使第一像素和第二像素的数量按每一定的区域一个一个地变化的情况下，通过接合显示区域能够比较圆滑地将第一显示区域和第二显示区域的亮度差相连。
上述液晶显示装置也可以在接合显示区域中具有第一像素和第二像素相对于显示区域的中心线相互对称的配置关系。由此，能够使显示画面中接合线难以被识别。
上述液晶层包含具有负的介电常数各向异性的液晶分子，上述取向膜设置在两基板上，并且在不向液晶层施加电压时使液晶分子相对于取向膜表面接近垂直取向(垂直取向膜)也可以。由此，能够实现垂直取向模式的液晶显示装置。
上述液晶层包含具有正的介电常数各向异性的液晶分子，上述取向膜设置在两基板上，并且在不向液晶层施加电压时使液晶分子相对于取向膜表面接近水平取向(水平取向膜)也可以。由此，能够实现水平取向模式的液晶显示装置。
上述取向方向不同的区域(畴)优选在每一个像素中设置2个以上、4个以下，更优选在每一个像素中设置4个。由此，能够抑制制造工序的复杂化，并且能够实现视野角特性优异的液晶显示装置。另外，如果畴为两个，则在显示画面中，例如上下、左右的任一方向能够实现广视野角化，但难以提高另一方向的视野角特性。另一方面，通过将畴设为4个，能够以上下左右的四个方向这样的方式在相互正交的四个方向的任一个上都实现广视野角化。此外，相互正交的四个方向的任一个的视野角特性也大致相同，即能够实现对称性优异的视野角特性。因此，能够实现没有视野角依存性的液晶显示装置。另外，作为取向分割成四个畴时的畴的取向方式并没有特别的限定，可列举矩阵状、目字那样的条纹状等。另外，也可以将畴设为四个以上，但制造工艺变得烦杂，而且取向处理时间也变长。此外，可知在四畴的取向分割和其以上的取向分割之间在视野角特性方面在实用上并没有那么大的不同。
上述液晶显示装置，优选在俯视基板时，设置在一个基板上的取向膜表面附近的液晶分子的取向方向和设置在另一个基板上的取向膜表面附近的液晶分子的取向方向正交。由此，能够实现多畴TN模式或多畴VATN模式的液晶显示装置。另外，VATN(Vertical AlignmentTwisted Nematic)模式是具有如下构造的模式，通过使用俯视基板时的基板的取向处理方向大致正交的垂直取向膜，在不向液晶层施加电压时，液晶分子垂直取向，且扭转取向。
根据本发明的液晶显示装置的制造方法和本发明的液晶显示装置，在通过分割基板进行取向处理而在像素内形成两个以上的畴的液晶显示装置中，能够提高显示品质和成品率。
附图说明
图1是表示实施方式1的液晶显示装置的结构的截面模式图。
图2是表示对实施方式1的液晶显示装置的1个子像素中的垂直取向膜照射的光的照射方向的平面模式图，(a)表示第一基板，(b)表示第二基板。
图3是表示对实施方式1的液晶显示装置的1个子像素中的垂直取向膜照射的光的照射方向、电压施加时的液晶分子的取向方向、和偏光板的偏光轴方向的平面模式图。
图4(a)是实施方式1的第一基板(TFT阵列基板)的平面模式图，(b)是实施方式1的第二基板(CF基板)的平面模式图。
图5(a)～(e)是表示曝光工序中的实施方式1的第一基板的平面模式图。
图6是表示曝光工序中的实施方式1的第一基板的截面模式图，表示对第一基板的光的照射状态。
图7(a)～(e)是表示曝光工序中的实施方式1的第二基板的平面模式图。
图8是实施方式1的光掩模的放大平面模式图。
图9是实施方式1的光掩模的掩模接合部的放大平面模式图。
图10是表示实施方式1的光掩模的掩模接合部的狭缝密度分布的变化的图。
图11是实施方式1的其它光掩模的掩模接合部的放大平面模式图。
图12是表示实施方式1的被贴合的第一基板和第二基板的平面模式图。
图13是表示实施方式1的液晶显示装置的显示区域的平面模式图。
图14是表示图13所示的液晶显示装置的显示区域中的像素的排列的放大平面图，(a)表示第一显示区域中的像素的排列，(b)表示接合显示区域中的像素的排列，(c)表示与第一显示区域相邻的第二显示区域中的像素的排列。
图15是表示图13所示的液晶显示装置的第一显示区域和第二显示区域中的子像素的平面模式图，(a)表示第一区域中的子像素，(b)表示第二显示区域中的子像素。
图16是表示实施方式1的其它液晶显示装置的显示区域的平面模式图。
图17是实施方式1的光掩模的其它掩模接合部的放大平面模式图。
图18是表示其它的曝光工序中的实施方式1的液晶显示装置的平面模式图。
图19是实施方式2的光掩模的放大平面模式图。
图20是实施方式2的光掩模的掩模接合部的放大平面模式图。
图21表示实施方式2的光掩模的掩模接合部的狭缝密度分布的变化的图。
图22是实施方式3的光掩模的掩模接合部的放大平面模式图。
图23是表示实施方式3的光掩模的掩模接合部的狭缝密度分布的变化的图。
图24是实施方式3的其它光掩模的掩模接合部的放大平面模式图。
图25是表示实施方式3的其它光掩模的掩模接合部的狭缝密度分布的变化的图，(a)表示一个光掩模，(b)表示另一个光掩模。
图26是实施方式4的光掩模的掩模接合部的放大平面模式图。
图27是表示实施方式4的光掩模的掩模接合部的狭缝密度分布的变化的图。
图28是实施方式4的其它光掩模的掩模接合部的放大平面模式图。
图29是表示实施方式4的其它光掩模的掩模接合部的狭缝密度分布的变化的图，(a)表示一个光掩模，(b)表示另一个光掩模。
图30是实施方式5的光掩模的掩模接合部的放大平面模式图。
图31是表示实施方式5的光掩模的掩模接合部的狭缝密度分布的变化的图，(a)表示一个光掩模，(b)表示另一个光掩模。
图32是实施方式6的光掩模的掩模接合部的放大平面模式图。
图33(a)～(c)是表示曝光工序中的实施方式7的第一基板的平面模式图。
符号说明
1  第一基板
2  第二基板
3  液晶层
3a、3b  液晶分子
4a、4b  透明电极
5a、5b  垂直取向膜
6a、6b  偏光板
7a、7b  相位差板
8、63、64  子像素
9  扫描信号线
10  数据信号线
11  TFT
12  像素电极
13  黑矩阵(BM)
14  彩色滤光片
15  光线(偏振紫外线)
16  邻近间隙
17  预倾角
18  基板
19a、19b、19c、19d  掩模中央部
20a、20b、20c、20d  掩模接合部
21、21a、21b、21c、21d  光掩模
22、23、32、33  曝光区域
24、34  接合曝光部
25  狭缝
26a、26b  绝缘基板
41、42、43、44、45、46  显示区域
51、52、53、54、55  接合显示区域
56  交叉显示区域
61、62  像素
70  显示区域
100  液晶显示装置
P  偏光板6a的偏光轴方向
Q  偏光板6b的偏光轴方向
A、B  方向
R  红的着色层
G  蓝的着色层
B  绿的着色层
D1、D2、D3、D4  畴
具体实施方式
以下揭示实施方式，参照附图对本发明进行更详细的说明，但本发明并不仅限于这些实施方式。
(实施方式1)
首先，对实施方式1的液晶显示装置的结构进行说明。图1是表示实施方式1的液晶显示装置的结构的截面模式图。本实施方式的液晶显示装置100，如图1所示，具有相对的一对基板即第一基板1(例如TFT阵列基板)和第二基板2(例如CF基板)、和设置在第一基板和第二基板2之间的液晶层3。此外，第一基板1，在绝缘基板26a的液晶层3侧，从绝缘基板26a侧依次具有用于向液晶层3施加驱动电压的透明电极4a(像素电极)、和垂直取向膜5a。此外同样地，第二基板2，在绝缘基板26b的液晶层3侧，从绝缘基板26b侧依次具有用于向液晶层3施加驱动电压的透明电极4b(共用电极)、和垂直取向膜5b。进而，在第一基板1和第二基板2的与液晶层3相反一侧，从基板侧依次配置有相位差板7a、7b和偏光板6a、6b。另外，也可以不设置相位差板7a、7b，但从实现广视野角的观点来看，优选设置。此外，也可以仅配置相位差板7a、7b的任一个。这样，液晶显示装置100包括所谓的液晶显示面板。
液晶层3例如包含介电常数各向异性为负的向列液晶材料(负型向列液晶材料)。液晶层3内的液晶分子在不向液晶层3施加驱动电压时(无电压施加时)，在相对于垂直取向膜5a、5b的表面大致垂直方向上取向。实际上，液晶分子此时相对于垂直取向膜5a、5b的表面的法线方向从0.1°左右到几度左右稍微倾斜取向。即，液晶分子以具有若干的预倾角的方式通过垂直取向膜5a、5b取向。另外，在本说明书中，预倾角意味着在无电压施加时取向膜表面和取向膜表面附近的液晶分子的长轴方向所成的角度。此外，在无电压施加时，俯视基板时的取向膜表面附近的液晶分子倾斜的方向设为预倾斜方向。另一方面，在向液晶层3施加某阈值以上的充分的驱动电压时(施加电压时)，液晶分子根据预先设定的预倾角向一定的方向进一步倾斜。更具体而言，位于液晶层3的厚度方向的大致中央的液晶分子3a倾斜至相对于第一基板1和第二基板2面大致平行的方向。另外，垂直取向膜5a、5b由光取向膜材料形成，垂直取向膜5a、5b所规定的预倾斜方向由隔着光掩模从相对于例如基板面倾斜方向对垂直取向膜5a、5b的表面进行曝光而决定。
图2是表示对实施方式1的液晶显示装置的1个子像素中的垂直取向膜照射的光的照射方向的平面模式图，(a)表示第一基板，(b)表示第二基板。此外，图3是表示对实施方式1的液晶显示装置的1个子像素中的垂直取向膜照射的光的照射方向、电压施加时的液晶分子的取向方向、和偏光板的偏光轴方向的平面模式图。另外，在图2和图3中，虚线箭头表示对第一基板进行的光线照射方向，实线箭头表示对第二基板进行的光线照射方向。此外，在图3中，液晶分子3a表示位于俯视基板时的各畴的大致中央，且位于液晶层的厚度方向的大致中央的液晶分子。
如图2所示，垂直取向膜5a、5b分别在俯视基板时在子像素8内从反平行方向(平行且反向的方向A和B)照射光。此外，对垂直取向膜5a、5b的光的照射方向，如图2和图3所示，在贴合第一基板1和第二基板2时，设定为相互大致相差90°。由此，在各畴中，垂直取向膜5a规定的预倾斜方向和垂直取向膜5b规定的预倾斜方向成为相互大致相差90°。因而，液晶层3所包含的液晶分子在俯视基板时在各畴中大致90°扭转取向。此外，液晶分子3a在俯视基板时相对于光的照射方向大致偏移45°的方向上取向。进而，各畴中的液晶分子3a朝各自不同的四个方向倾斜。这样，本实施方式的液晶显示装置100，通过使用预倾斜方向(取向处理方向)相互正交的垂直取向膜，使液晶分子大致90°扭转取向。因而，液晶显示装置100具有4畴的VATN模式。另外，各子像素8被分割成8个区域，但由于液晶分子3a的倾斜方向为4个，所以液晶显示装置100为4畴。
4畴的VATN模式的优点在于，如图2所示，分别对第一基板1和第二基板2进行两次照射，通过合计4次的照射能够形成液晶分子3a的取向方向相互不同的4个畴，因此能够实现装置台数的消减和取向处理时间的缩短(生产节拍时间(tact time)的缩短)。此外，使1个像素(1个子像素)分割成4畴从实现液晶显示装置的广视野角化的观点来看是优选的方式。进而，能够消减用于形成在如现有的MVA模式等那样具有取向控制构造物的液晶模式中需要的肋(突起)等的取向控制构造物的光掩模、即光刻工序，结果能够实现制造工艺的简略化。另外，在使1个像素(1个子像素)分割成2畴的情况下，对于例如上下、左右的任意方向能够实现广视野角化，但无法提高其它方向的视野角特性。此外，也可以将畴增加到5个以上，但工艺变得复杂，而且处理时间也变长，因此不优选。进而，可知在4畴和其以上的畴中，在视野角特性方面实质上并没有那么大的不同。
在本实施方式中，偏光板6a、6b，在俯视面板(基板)时，配置成偏光板6a的偏光轴方向P和偏光轴6b的偏光轴方向Q相互大致正交。此外，偏光板6a的偏光轴方向P和偏光轴6b的偏光轴方向Q中的一个配置成沿着对垂直取向膜5a的光的照射方向，偏光板6a的偏光轴方向P和偏光轴6b的偏光轴方向Q中的另一个配置成沿着对垂直取向膜5b的光的照射方向。因而，在电压施加时，从偏光板6b侧入射的光成为偏光轴方向P的偏光，在液晶层3中沿着液晶分子的扭转90°旋光，成为偏光轴方向Q的偏光从偏光板6a射出。另一方面，在无电压施加时，在液晶层3中液晶分子一直保持垂直取向，偏光轴方向P的偏光不旋光直接透过液晶层3，被偏光板6a遮断。这样，液晶显示装置100是常黑模式。另外，在本说明书中，偏光轴意味着吸收轴。此外，偏光板6a的偏光轴方向P和偏光轴6b的偏光轴方向Q并不限定于图2所示的方向，能够进行适当设定，但优选一对偏光板6a、6b的偏光轴方向在俯视面板(基板)时大致相差90°。即，优选偏光板6a、6b正交尼科耳配置。
另外，在本实施方式中，对垂直取向型的液晶显示装置进行了说明，但本实施方式的液晶显示装置也可以是水平取向型的液晶显示装置。在这种情况下，液晶层3包括介电常数各向异性为正的向列液晶材料(正型向列液晶材料)，此外，也可以在第一基板1和第二基板2的液晶层3侧，代替垂直取向膜5a、5b设置水平取向膜。
以下对实施方式1的液晶显示装置的制造方法进行说明。图4(a)是实施方式1的第一基板(TFT阵列基板)的平面模式图，(b)是实施方式1的第二基板(CF基板)的平面模式图。
首先，利用一般的方法，准备取向膜形成前的一对的第一基板和第二基板。作为第一基板，例如图4(a)所示，使用通过在由玻璃等构成的绝缘基板(未图示)上依次形成扫描信号线9、TFT11、数据信号线10和像素电极12，扫描信号线9和数据信号线10隔着绝缘膜(未图示)以格子状交叉的方式配置在绝缘基板上，进而在其每一个交点配置TFT11和像素电极12的TFT阵列基板。另一方面，作为第二基板，例如图4(b)所示，在由玻璃等构成的绝缘基板(未图示)上，依次形成黑矩阵(BM)13、由红(R)、蓝(G)和绿(B)三色的着色层构成的彩色滤光片14、保护膜(未图示)和透明电极膜(未图示)，在绝缘基板上格子状配置BM13，进而在用该BM13划分的区域中配置彩色滤光片14的CF基板。这样，在本实施方式中，1个像素由在x轴方向(从正面看显示面时的横方向)排列的RGB三个子像素构成。另外，绝缘基板具有绝缘性的表面即可，并不限定于玻璃。此外，上述各构成部件的材质使用通常所使用的材料即可。
接着，在利用旋转浇铸法对TFT阵列基板和CF基板涂敷包含光取向膜材料的溶液之后，通过例如以180℃对光取向膜材料进行60分钟的烧制，形成垂直取向膜。作为光取向膜材料并没有特别的限定，可例举包含感光性基的树脂等。更具体而言，优选包括4-查耳酮基(下述化学式(1))、4’-查耳酮基(下述化学式(2))、香豆素基(下述化学式(3))、和肉桂酰基(下述化学式(4))等感光性基的聚酰亚胺等。下述化学式(1)～(4)的感光性基利用光(优选紫外线)的照射产生交联反应(包括二聚反应)、异构化反应、光再取向等，据此，与光分解型的光取向膜材料相比能够有效地缩小取向膜面内的预倾角的偏差。另外，下述化学式(1)～(4)的感光性基也包括苯环上结合有取代基的构造。此外，下述化学式(4)的肉桂酰基中的羰基还结合有氧原子的肉桂酸酯基(C6H5-CH＝CH-COO-)具有易于合成的优点。因而，作为光取向膜材料，更优选包含肉桂酸酯基的聚酰亚胺。另外，烧制温度、烧制时间和光取向膜的膜厚并没有特别的限定，进行适当设定即可。
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Figure G2007800519990D00264
另外，在本实施方式中，作为取向膜材料，使用与光反应在光线的照射方向产生液晶分子的预倾角的光取向膜材料，但也可以如在“M.Kimura、其它3名，“Photo-Rubbing Method：A Single-ExposureMethod to Stable Liquid-Crystal Pretilt Angle on Photo-Alignment Film”、IDW’04：proceedings of the 11th International Display Workshops、IDW’04 Publication committee、2004年、LCT2-1、p.35-38”中公开的光取向法，使用通过光的照射区域的移动方向能够进行预倾斜方向的规定的光取向膜材料。在该情况下，不需要使光相对于基板倾斜入射，能够使光相对于基板大致垂直地入射。
接着，对取向膜的曝光方法进行说明。图5(a)～(e)是表示曝光工序中的实施方式1的第一基板的平面模式图。图6是表示曝光工序中的实施方式1的第一基板的截面模式图，表示对第一基板的光的照射状态。图7(a)～(e)是表示曝光工序中的实施方式1的第二基板的平面模式图。
在本实施方式中，取向膜通过扫描方式被曝光。首先，说明对第一基板的曝光工序。更具体而言，首先，准备具有掩模中央部19a和掩模接合部20a的光掩模21a、和具有掩模中央部19b和掩模接合部20b的光掩模21b。接着，如图5(a)所示，以掩模接合部20a和掩模接合部20b在x轴方向重叠的方式配置光掩模21a和光掩模21b。在光掩模21a、21b上在x轴方向上设置有多个沿y轴方向形成的狭缝。更具体而言，在掩模中央部19a、19b中，在遮光区域内具有x轴方向(从正面看显示面时的横方向)的子像素间距的大致一半的宽度的多个矩形的透光部，设置成与x轴方向的子像素间距大致相同的间距。另一方面，在掩模接合部20a、20b中，在遮光区域内也设置有多个与掩模中央部19a、19b的狭缝相同的狭缝，但掩模接合部20a、20b的狭缝的分布密度比掩模中央部19a、19b的狭缝的分布密度小。对于掩模接合部20a、20b的狭缝的配置方式将在后面进行详细叙述。此外，在光掩模21a、21b的上方配置有光源(未图示)。
接着，在使光掩模21a、21b的狭缝与第一基板1的子像素对位之后，如图5(b)所示，隔着光掩模21a、21b，使第一基板1在+y方向上移动，并且使用偏振紫外线，将设置在第一基板1表面的取向膜从基板的一端至另一端进行曝光(第一次扫描)。此时，使第一基板1以光掩模21a、21b的狭缝沿着设置在第一基板1上的数据信号线10、扫描信号线9等总线配线的方式移动。此外，如图6所示，偏振紫外线15从倾斜方向对第一基板1进行照射。此外，在光掩模21a、21b与第一基板1之间设置有一定间隔(邻近间隔16)。由此，能够顺利地进行第一基板1的移动，并且即使光掩模21a、21b由于自重而弯曲，也能够抑制与第一基板1接触。利用该第一次扫描，对各像素(各子像素)的大致一半的区域进行取向处理。此外，垂直取向膜5a表面附近的液晶分子3b，如图6所示，发现具有大致一定的预倾角17。进而，第一基板1，如图5(c)所示，具有隔着光掩模21a的掩模中央部19a扫描曝光的曝光区域22、隔着光掩模21b的掩模接合部19b扫描曝光的曝光区域23、隔着光掩模21a、21b的掩模接合部20a、20b扫描曝光的接合曝光部24。即，本实施方式的曝光工序包括使设置在第一基板1上的取向膜面内被分割成曝光区域22、23、和介于相邻的曝光区域22、23之间的接合曝光部24，且隔着掩模接合部20a、20b对曝光接合部24的取向膜进行曝光，并且隔着掩模中央部19a、19b对曝光区域22、23的取向膜进行曝光的工序。另外，作为本发明的扫描方式的曝光方式，也可以是固定基板，移动光掩模和光源的方式。
接着，如图5(d)所示，在将第一基板1在面内180°旋转之后，以设置在光掩模21a、21b上的各狭缝与各子像素的未曝光区域对应的方式，使第一基板1在x轴方向上水平移动子像素间距的大致一半。之后，如图5(e)所示，与图5(b)相同，在使第一基板1移动的同时，从取向膜的一端至另一端进行曝光(第二次扫描)。由此，各像素(各子像素)的剩余的大致一半的区域被取向处理，第一基板1的整个面被曝光。另外，在第一次扫描和第二次扫描之间，由于光源和光掩模21a、21b被固定，所以第二次扫描时的光线(偏振紫外线15)的相对于第一基板1的入射角和第一次扫描时的光线(偏振紫外线15)的相对于第一基板1的入射角大致相同。另一方面，在第一次扫描和第二次扫描之间，由于第一基板1在面内180°旋转，所以第一次扫描时的相对于第一基板1的光线的朝向和第二次扫描时的相对于第一基板1的光线的朝向，如图2(a)所示，在俯视第一基板1时，正好为反向。即，第一基板1的各子像素，如图2(a)所示，被取向分割成取向方向相互反平行方向的两个区域。
接着，说明对第二基板的曝光工序。对第二基板的曝光方式只有光掩模的种类不同，其他与对第一基板的曝光方式大致相同。即，首先，准备具有掩模中央部19c和掩模接合部20c的光掩模21c、和具有掩模中央部19d和掩模接合部20d的光掩模21d。接着，如图7(a)所示，以掩模接合部20c和掩模接合部20d在y轴方向重叠的方式配置光掩模21c和光掩模21d。在光掩模21c、21d上在y轴方向上设置有多个沿x轴方向形成的狭缝。更具体而言，在掩模中央部19c、19d中，在遮光区域内具有y轴方向(从正面看显示面时的纵方向)的像素间距的大致1/4的宽度的多个矩形的透光部，设置成与y轴方向的像素间距的一半大致相同的间距。另一方面，在掩模接合部20c、20d中，在遮光区域内也设置有多个与掩模中央部19c、19d的狭缝相同的狭缝，但掩模接合部20c、20d的狭缝的分布密度比掩模中央部19c、19d的狭缝的分布密度小。对于掩模接合部20c、20d的狭缝的配置方式将在后面进行详细叙述。此外，在光掩模21c、21d的上方配置有光源(未图示)。另外，在本实施方式中，从正面看显示面时的纵方向的像素间距和子像素为同一间距。
接着，在使光掩模21c、21d的狭缝与第二基板2的像素对位之后，如图7(b)所示，隔着光掩模21c、21d，在使第二基板2向+x方向移动的同时，使用偏振紫外线，将设置在第二基板2表面的取向膜从基板的一端至另一端进行曝光(第一次扫描)。此时，使第二基板2以光掩模21c、21d的狭缝沿着设置在第二基板2上的BM13的方式移动。此外，如图6所示的对第一基板的照射方向同样，偏振紫外线从倾斜方向对第二基板进行照射。此外，与第一基板同样地，在光掩模21c、21d和第二基板2之间设置有邻近间隙。利用该第一次扫描，对各像素(各子像素)的大致一半的区域进行取向处理。此外，设置在第二基板上的垂直取向膜表面附近的液晶分子，如图6所示，与第一基板的情况同样地，发现具有大致一定的预倾角。进而，第二基板2，如图7(c)所示，具有隔着光掩模21c的掩模中央部19c扫描曝光的曝光区域32、隔着光掩模21d的掩模接合部19d扫描曝光的曝光区域33、隔着光掩模21c、21d的掩模接合部20c、20d扫描曝光的接合曝光部34。即，本实施方式的曝光工序包括使设置在第二基板2上的取向膜面内被分割成曝光区域32、33、和介于相邻的曝光区域32、33之间的接合曝光部34，且隔着掩模接合部20c、20d对曝光接合部34的取向膜进行曝光，并且隔着掩模中央部19c、19d对曝光区域32、33的取向膜进行曝光的工序。
接着，如图7(d)所示，在将第二基板2在面内180°旋转之后，以设置在光掩模21c、21d上的各狭缝与各像素的未曝光区域对应的方式，使第二基板2在y轴方向上移动像素间距的大致1/4。之后，如图7(e)所示，与图7(b)相同，在使第二基板2移动的同时，从取向膜的一端至另一端进行曝光(第二次扫描)。由此，各像素(各子像素)的剩余的大致一半的区域被取向处理，第二基板2的整个面被曝光。另外，与第一基板同样地，第一次扫描时的相对于第二基板2的光线的朝向和第二次扫描时的相对于第二基板2的光线的朝向，如图2(b)所示，在俯视第二基板2时，正好为反向。即，第二基板2的各子像素，如图2(b)所示，被取向分割成取向方向相互反平行方向的两个区域。
另外，在本实施方式中对为了将1个子像素取向分割成4畴，使用以从正面看液晶显示装置的显示面时的横方向的子像素间距(图4中为x轴方向)的大致1/2的宽度形成条纹图案的光掩模对TFT阵列基板进行曝光，另一方面，使用以从正面看液晶显示装置的显示面时的纵方向的子像素间距(图4中为y轴方向，另外，在本实施方式中纵方向的子像素间距与像素间距相同)的大致1/4的宽度形成条纹图案的光掩模对CF基板进行曝光的方式进行了说明。但是，透光部的图案并没有特别的限定，根据像素(子像素)的布局、像素(子像素)尺寸、面板的分辨率等进行适当设定即可。此外，在本实施方式中将4个畴形成为矩阵状，但畴的配置方式并不特别限定于矩阵状，也可以是目字那样的条纹状。进而，在各子像素具有副像素的情况下，为了取向分割各副像素，也可以根据各副像素形成狭缝图案。
作为本实施方式可使用的材料和可适应的制造工艺的条件，举出下述情况。但是，本实施方式可使用的材料和条件并不限定于下述情况。此外，曝光所使用的光线的种类并不特别限定于偏振紫外线，能够根据取向膜材料、制造工艺等进行适当设定，也可以为无偏光(消光比＝1∶1)。
·液晶材料：具有Δn(双折射)＝0.06～0.14，Δε(介电常数各向异性)＝-2.0～-8.0，Tni(向列-各向同性相转变温度)＝60～110℃的向列液晶。
·预倾角：85～89.9°
·单元厚度：2～5μm
·照射能量密度：0.01～5J/cm2
·邻近间隙：10～250μm
·光源：低压水银灯、高压水银灯、氘灯、金属卤化物灯、氩共振灯、氙灯、受激准分子激光器。
·紫外线的消光比(偏光度)：1∶1～60∶1
·紫外线的照射方向：从基板面法线方向起0～60°方向
接着，详细说明与接合曝光部对应配置的掩模接合部的狭缝的配置方式。首先，对光掩模21a、21b进行说明。图8是实施方式1的光掩模的放大平面模式图。此外，图9是实施方式1的光掩模的掩模接合部的放大平面模式图。进而，图10是表示实施方式1的光掩模的掩模接合部的狭缝密度分布的变化的图。首先，掩模接合部20a、20b设置在相对于狭缝25的长边方向垂直的方向(图5中的x方向)的与90个像素对应的区域。此外，光掩模21a、21b，如图8和图9所示，在掩模接合部20a、20b中，每隔1个像素形成有狭缝25。即，如图10所示，掩模接合部20a、20b中的狭缝25的分布密度形成为掩模中央部的狭缝25的分布密度的50％。另外，掩模接合部20a、20b中的狭缝25，如图9所示，三个子像素(1RGB单位)为一组而形成。此外，在本说明书中，相对于光掩模的狭缝的长边方向垂直方向的像素的排列数为简称为“像素数”。由此，在接合曝光部24中，由光掩模21a曝光的像素和由光掩模21b曝光的像素沿着x轴方向分别交替配置。
接着，对光掩模21c、21d进行说明。图11是实施方式1的其它光掩模的掩模接合部的放大平面模式图。掩模接合部20a、20b，设置在相对于狭缝25的长边方向垂直的方向(图7中的y方向)的与90个像素对应的区域。此外，光掩模21c、21d，与光掩模21a、21b同样，如图11所示，在掩模接合部20c、20d中，每隔1个像素形成有狭缝25。即，掩模接合部20c、20d中的狭缝25的分布密度形成为掩模中央部的狭缝25的分布密度的50％。由此，在接合曝光部34中，由光掩模21c曝光的像素和由光掩模21d曝光的像素沿着y轴方向分别交替配置。
接着，对第一基板和第二基板的贴合工序进行说明。图12是表示实施方式1中贴合的第一基板和第二基板的平面模式图。在贴合工序中，首先，在按照上述制作成的第一基板或第二基板的周围涂敷密封材料。接着，在将例如4μm的塑料珠散布在涂敷有密封材料的基板上后，贴合第一基板和第二基板。此时，1个子像素中的两基板的光线照射方向的关系，成为图3那样，在各畴内，扫描方向在相对的基板彼此之间大致正交。此外，第一基板1的接合曝光部24、和第二基板2的接合曝光部34，如图12所示，大致正交。
接着，如果在第一基板和第二基板之间封入例如上述液晶材料，则发现在各畴中液晶分子在各自不同的方向上具有预倾角。由此，各畴的液晶层的层面内方向和厚度方向的中央附近的液晶分子的取向方位，如图3所示，在俯视基板时，为从光线照射的方向倾斜45度的方向。
接着，在第一基板1和第二基板2的外侧以偏光轴朝向图3所示的朝向的方式贴合两个偏光板6a、6b。由此，在无电压施加时，由于液晶分子大致垂直取向，所以本实施方式的液晶显示面板，能够实现良好的黑显示(常黑模式)。此外，由于本实施方式的液晶显示面板具有液晶分子在各自不同的4个方向上响应的四个畴，所以能够显示几乎不依存于视角方向的显示特性。
之后，经过一般的模型制造工序，能够完成本实施方式的液晶显示装置。
接着，对本实施方式的液晶显示装置的显示画面进行说明。本实施方式的液晶显示装置，如上所述，分多次进行向各基板上的取向膜的取向处理(曝光处理)。因而，由于第一基板和第二基板具有接合曝光部，所以在与该接合曝光部对应的显示区域有可能产生接合线。
首先，对发生了光掩模的对准偏差的情况进行说明。图13是表示实施方式1的液晶显示装置的显示区域的平面模式图。此外，图14是表示图13所示的液晶显示装置的显示区域中的像素的排列的放大平面模式图，(a)表示第一显示区域中的像素的排列，(b)表示接合显示区域中的像素的排列，(c)表示与第一显示区域相邻的第二显示区域中的像素的排列。进而，图15是表示图13所示的液晶显示装置的第一显示区域和第二显示区域中的子像素的平面模式图，(a)表示第一显示区域中的子像素，(b)表示第二显示区域中的子像素。另外，图13表示在第一基板的曝光工序中发生了光掩模的对准偏差等时的显示区域。
在第一基板的曝光工序中发生了光掩模的对准偏差时，本实施方式的液晶显示装置100的显示区域70，如图13所示，具有相邻的显示区域41和显示区域42、和介于显示区域41和显示区域42之间的接合显示区域51。如图12和13所示，显示区域41位于与第一基板1的曝光区域22对应的区域，显示区域42位于与第一基板1的曝光区域23对应的区域，接合显示区域51位于与第一基板1的接合曝光部24对应的区域。首先，如图14(a)所示，在显示区域41中排列有多个像素61，如图14(c)所示，在显示区域42中排列有多个像素62。而且，在第一基板的曝光工序中发生了光掩模的对准偏差时，在构成像素61的子像素和构成像素62的子像素之间，像素开口部的对应的各畴的面积比不同。更具体而言，如图15(a)所示，例如在构成像素61的子像素63的像素开口部内，畴边界线从子像素的中心线(图15(a)中的虚线)偏向右方向，畴D1、D4的面积变得比畴D2、D3的面积大。另一方面，如图15(b)所示，例如在构成像素62的子像素64的像素开口部内，畴边界线从子像素的中心线(图15(b)中的虚线)偏向左方向，畴D1、D4的面积变得比畴D2、D3的面积小。这样，子像素63的各畴的面积比和子像素64的各畴的面积比变得不同。因而，子像素63和子像素64的亮度通常根据观察方向而不同，结果，包含子像素63(像素61)构成的显示区域41和包含子像素64(像素62)构成的显示区域42的亮度根据观察方向而不同。另外，利用市场上出售的显微镜能够进一步确认子像素63和子像素64中的畴的面积比的不同。此外，子像素63和子像素64的亮度差可以通过利用市场上出售的亮度计测定子像素63和子像素64的像素开口部的亮度(最大亮度)的差的方式等测定。
另一方面，由于接合显示区域51是与第一基板1的接合曝光部24对应的显示区域，所以在接合显示区域51中，在混合状态下排列像素61和像素62。具体而言，像素61和像素62，如图14(b)所示，在接合显示区域51中，由像素61构成的列和由像素62构成的列交替排列。即，在接合显示区域51中，以大致50％的比例混合像素61和像素62。因而，接合显示区域51具有显示区域41和显示区域42的中间的亮度。因此，显示区域41和显示区域42之间的亮度变化在接合显示区域51中变得缓和。另外，虽然在显示区域41和接合显示区域51的边界，以及显示区域42和接合显示区域51的边界，存在出现2条可识别的接合线的情况，但是本实施方式的接合线，跟没有接合显示区域51时的接合线、即显示区域41和显示区域42直接相接配置时的接合线相比，不会对显示特性产生那么大的恶劣影响。这样，根据本实施方式的液晶显示装置，由于能够将显示区域41和显示区域42用具有它们中间的亮度的接合显示区域51相连，所以能够使接合线变得难以识别。因而，能够提高液晶显示装置的显示品质和成品率。
接着，对在第一基板和第二基板的曝光工序中发生了光掩模的对准偏差的情况进行说明。图16是表示实施方式1的其它液晶显示装置的显示区域的平面模式图。
在第一基板和第二基板的曝光工序中发生了光掩模的对准偏差的情况下，本实施方式的液晶显示装置100，如图16所示，作为显示区域70，具有显示区域43、显示区域44、显示区域45和显示区域46，显示区域43和显示区域44相邻配置，显示区域44和显示区域45相邻配置，显示区域45和显示区域46相邻配置，显示区域43和显示区域46相邻配置。此外，显示区域70包括介于显示区域43和显示区域44之间的接合显示区域52、介于显示区域44和显示区域45之间的接合显示区域53、介于显示区域45和显示区域46之间的接合显示区域54、介于显示区域43和显示区域46之间的接合显示区域55。进而，显示区域70包括配置在接合显示区域52、53、54、55交叉的区域的交叉显示区域56。而且，在第一基板和第二基板的曝光工序中发生了光掩模的对准偏差的情况下，各显示区域43、44、45、46由具有各不相同的光学特性的多个像素构成。因而，各显示区域43、44、45、46的亮度通常根据观察方向而不同。
另一方面，接合显示区域52、53、54、55与图13所说明的情况同样，构成邻接的显示区域的两个种类的像素交替配置。因而，接合显示区域52具有显示区域43、44的中间的亮度，接合显示区域53具有显示区域44、45的中间的亮度，接合显示区域54具有显示区域45、46的中间的亮度，接合显示区域55具有显示区域43、46的中间的亮度。因此，各显示区域43、44、45、46之间的亮度变化，在接合显示区域52、53、54、55中变得缓和。因而，这样，即使在第一基板和第二基板的曝光工序中发生了光掩模的对准偏差的情况下，根据本实施方式的液晶显示装置，也能够将各显示区域43、44、45、46用具有它们的中间的亮度的接合显示区域52、53、54、55相连，因此与图13所说明的情况同样，能够使接合线变得难以识别。另外，在交叉显示区域56中，大致均等地混合构成各显示区域43、44、45、46的4个种类的像素。因而，交叉显示区域56具有显示区域43、44、45、46的平均的亮度。因此，各显示区域43、44、45、46能够通过具有它们的平均的亮度的交叉显示区域56相连。这样，在本发明的液晶显示装置中，通常交叉显示区域不会作为不良的原因而成为问题。
接着，对在第一基板和第二基板的曝光工序中没有发生光掩模的对准偏差的情况进行说明。在这种情况下，存在发生照射量偏差、照射角度偏差、作为掩模和基板间的间隔的邻近间隙偏差、和进行偏光照射时的偏光的偏光轴偏差和/或偏光度偏差等的情况。因此，如图13和图16所示，虽然分割曝光的各显示区域的亮度根据观察方向而不同，但与发生光掩模的对准偏差时同样地，位于各显示区域之间的各接合显示区域中，构成邻接的显示区域的两个种类的像素交替配置。因而，在没有发生光掩模的对准偏差的情况下，也能够使接合线变得难以识别。
另外，在本实施方式的曝光区域中，在掩模接合部20a、20b中，每隔1个像素(RGB子像素)配置有狭缝25，但如图17所示，也可以每隔1个子像素配置狭缝25。图17是实施方式1的光掩模的其它掩模接合部的放大平面模式图。在该情况下，本实施方式的液晶显示装置，具有相邻的显示区域和显示区域(以下也称为“第一显示区域和第二显示区域”)、和介于第一显示区域和第二显示区域之间的接合显示区域，第一显示区域排列有多个第一子像素，第二显示区域排列有亮度和在子像素开口部内的畴的面积比的至少一种与第一子像素不同的多个第二子像素，接合显示区域在第一子像素和第二子像素混合的状态下排列。更具体而言，在该情况下，本实施方式的液晶显示装置，在接合显示区域中具有第一子像素和第二子像素交替排列的区域。
此外，在本发明的曝光工序中，使用的光掩模的个数并不限定于两个，也可以为3个以上，例如如图18所示，使用千鸟状配置的6个光掩模21进行基板18的分割曝光。图18是表示其它的曝光工序中的实施方式1的液晶显示装置的平面模式图。由此，由于能够使用更小型的光掩模，所以能够降低光掩模的制作成本。此外，由于通过缩小掩模尺寸，能够抑制由掩模的自重而发生掩模弯曲的情况，所以能够以更高的精度进行取向膜处理。进而，通过缩小掩模尺寸，能够提高掩模自身的图案精度。
(实施方式2)
对实施方式2的液晶显示装置进行说明。另外，在本实施方式和实施方式1中，由于仅取向膜的曝光所使用的光掩模的形态不同，所以对重复的内容省略说明，并对发挥同样的功能的构成部件标注同一符号。图19是实施方式2的光掩模的放大平面模式图。此外，图20是实施方式2的光掩模的掩模接合部的放大平面模式图。进而，图21是表示实施方式2的光掩模的掩模接合部的狭缝密度分布的变化的图。另外，在图20中，由于纸面的空间的关系，以1个像素作为最小单位图示。但是，实际上，与RGB的各子像素对应设置各狭缝。即，在图20中，在图示有狭缝的像素中，与RGB的各子像素对应设置有具有子像素间距的大致一半的宽度的狭缝。
光掩模21a、21b，如图19和20所示，在掩模接合部中狭缝25的分布密度随着远离掩模中央部而从密到疏线性变化。更具体而言，如表1和图21所示，光掩模21a、21b，在掩模接合部中，随着远离掩模中央部，狭缝25按每一个小块(在本实施方式中与10个像素对应的面积)一个一个地减少。另外，由于狭缝25实际上以3个子像素(1RGB单位)为一组而形成，所以狭缝25按每一个小块三个三个地减少。此外，所谓小块是指由某一定像素数(在本实施方式中为10个像素)构成的任意的一定的面积，光掩模21a、21b在相邻的小块之间狭缝数一个一个(实际上为三个三个)地变化。这样，光掩模21a、21b，在掩模接合部中狭缝25的分布密度随着远离掩模中央部而减少。更具体而言，也可以说在掩模接合部中，狭缝25的分布密度随着远离掩模中央部从密到疏模拟线性变化。另外，从掩模中央部侧起依次标注小块No.。此外，光掩模21a的掩模接合部的狭缝25、和光掩模21b的掩模接合部的狭缝25，以各自曝光的像素不重复的方式，与具有相互互补的位置关系的两个像素组对应配置。此外，对于光掩模21c、21d也同样，在掩模接合部中，随着远离掩模中央部，狭缝按每一个小块(与10个像素对应的面积)一个一个地减少。
[表1]
Figure G2007800519990D00371
通过使用这样的光掩模进行曝光工序，在本实施方式的液晶显示装置中，即使在第一基板和/或第二基板的曝光工序中发生光掩模的对准偏差等，构成相邻的显示区域的各像素(以下也称为“第一像素和第二像素”)的光学特性不同，在接合显示区域中，第一像素和第二像素，其分布密度线性变化并混合存在。因而，能够将第一显示区域和第二显示区域的亮度差圆滑地相连，结果能够在接合显示区域中使接合线变得难以识别。另外，在本实施方式的液晶显示装置中，对于第一像素和第二像素，也可以在接合显示区域中，其分布密度单调变化并混合存在。
在此，使用表2，对各小块内的狭缝的配置方式进行详细说明。在表2中，表示在各小块内大致均等地配置狭缝的情况。另外，在表2和后述的表3中，狭缝配置是指各小块中的与形成有狭缝的区域对应的像素数(无阴影的单元)、和与没有形成狭缝的区域(遮光区域)对应的像素数(带阴影的单元)。此外，狭缝间隔表示与没有形成狭缝的区域(遮光区域)对应的像素数，狭缝间隔差是取各间隔的差的值。
[表2]
Figure G2007800519990D00391
如表2所示，在各小块内大致均等地配置狭缝的情况下，在掩模接合部中，产生狭缝间隔差为2以上的区域(在表2中用粗字表示的单元)。如果产生这样的区域，则狭缝间隔产生偏差，狭缝的密度分布的变化变得不连续，从有效地抑制识别接合线的观点来看，不优选。因而，优选在掩模接合部的整个区域内适当调整配置狭缝的间隔，如表3所示，配置狭缝25，使得尽量缩小邻接的狭缝彼此的间隔差，更具体而言，使狭缝间隔差成为1以下。由此，由于能够使狭缝25的分布密度进一步线性变化，所以能够更有效地抑制识别接合线。
[表3]
Figure G2007800519990D00411
另外，在本实施方式中，从实现像素内的各子像素的优异亮度平衡，并实现色再现性优异的液晶显示装置的观点来看，在光掩模21a、21b的掩模接合部中，以1个像素(RGB子像素)为一组使狭缝的密度分布线性变化。但是，在本发明中，也可以与1个子像素对应使狭缝的密度分布变化。即，例如在令接合曝光部的像素数为90像素，令每一个像素的子像素数为3个子像素，令接合曝光部的子像素数为270子像素的情况下，也可以将接合曝光部分割成15个由子像素数为16个所构成的小块，各小块内的狭缝数如上所述，一个一个地减少。由此，由于能够使相邻的显示区域的亮度变化更圆滑，所以能够使相邻的显示区域的亮度变化更圆滑。在该情况下，本实施方式的液晶显示装置，具有第一显示区域和第二显示区域、和介于第一显示区域和第二显示区域之间的接合显示区域，第一显示区域排列有多个子像素(以下也称为“第一子像素)，第二显示区域排列有亮度和在像素开口部内的畴的面积比的至少一种与第一子像素不同的多个子像素(以下也称为“第二子像素)，此外，本实施方式的液晶显示装置，在接合显示区域中，第一子像素和第二子像素的数量按每一个小块一个一个地变化。另外，如上述例子所述那样，子像素为270-16×15＝30个剩余，对于该剩余，如后所述，在掩模接合部的内外适当分散配置即可。
(实施方式3)
对实施方式3的液晶显示装置进行说明。另外，在本实施方式与实施方式1和实施方式2中，由于仅取向膜的曝光所使用的光掩模的形态不同，所以对重复的内容省略说明，并对发挥同样的功能的构成部件标注同一符号。图22是实施方式3的光掩模的掩模接合部的放大平面模式图。此外，图23是表示实施方式3的光掩模的掩模接合部的狭缝密度分布的变化的图。另外，在图22中，由于纸面的空间的关系，以1个像素作为最小单位图示。但是，实际上，与RGB的各子像素对应设置各狭缝。即，在图22中，在图示有狭缝的像素中，与RGB的各子像素对应设置有具有子像素间距的大致一半的宽度的狭缝。
本实施方式的光掩模21a、21b，如图22所示，与98个像素对应设置掩模接合部。此时，在位于掩模接合部的中央侧的9个小块中，与实施方式2同样，狭缝25配置成其分布密度线性减少。另一方面，对于剩余的8个像素，各四个配置在掩模接合部的两端。更具体而言，如表4、图22和23所示，对于掩模接合部的配置在掩模中央部侧的一端的剩余4个像素，狭缝25与所有的像素对应，即以分布密度100％配置，另一方面，对于配置在掩模接合部的与掩模中央部相反侧的一端的剩余4个像素，不形成狭缝25。这样，掩模中央部侧的剩余与掩模中央部的狭缝的配置方式相同，另一方面，与掩模中央部相反侧的剩余成为遮光区域。因而，图22和23所示的光掩模，实质上具有与实施方式2的光掩模同样的形态，掩模中央部侧的剩余也可以说成是属于掩模中央部。此外，对于光掩模21c、21d，也与光掩模21a、21b同样，以剩余的像素配置在掩模接合部的两端的方式设置狭缝。
[表4]
Figure G2007800519990D00431
图24是实施方式3的其它光掩模的掩模接合部的放大平面模式图。图25是表示实施方式3的其它光掩模的掩模接合部的狭缝密度分布的变化的图，(a)表示一个光掩模，(b)表示另一个光掩模。另外，在图24中，由于纸面的空间的关系，以1个像素作为最小单位图示。但是，实际上，与RGB的各子像素对应设置各狭缝。即，在图24中，在图示有狭缝的像素中，与RGB的各子像素对应设置有具有子像素间距的大致一半的宽度的狭缝。
在本实施方式的光掩模21a、21b(和/或光掩模21c、21d)中，如图24所示，剩余8个像素也可以配置在掩模接合部的单侧的端部。更具体而言，对于光掩模21a，如表5和图25(a)所示，在位于掩模接合部的掩模中央部侧的9个小块中，与实施方式2同样，狭缝25配置成其分布密度线性减少，并且在配置在掩模接合部的与掩模中央部相反一侧的剩余8个像素中，也可以不形成狭缝25。另一方面，对于光掩模21b，如表6和图25(b)所示，在位于掩模接合部的与掩模中央部相反一侧的9个小块中，与实施方式2同样，狭缝25配置成其分布密度线性减少，并且在配置在掩模接合部的掩模中央部侧的剩余8个像素中，狭缝25与所有的像素对应，即以分布密度100％配置也可以。这样，光掩模21a具有在掩模接合部的与掩模中央部相反一侧成为遮光区域的剩余，另一方面，光掩模21b具有在掩模接合部的掩模中央部侧以掩模中央部的分布密度形成狭缝的剩余也可以。因而，图24和25所示的光掩模，与图22和23所示的光掩模同样，实质上具有与实施方式2的光掩模同样的形态，光掩模21b中的掩模接合部的掩模中央部侧的剩余也可以说成是属于掩模中央部。
[表5]
Figure G2007800519990D00441
[表6]
根据实施方式3，即使在掩模接合部的像素数中产生尾数的情况下，也与实施方式2同样，能够在本实施方式的液晶显示装置中有效地抑制识别接合线。
(实施方式4)
对实施方式4的液晶显示装置进行说明。另外，在本实施方式和实施方式1～3中，由于仅取向膜的曝光所使用的光掩模的形态不同，所以对重复的内容省略说明，并对发挥同样的功能的构成部件标注同一符号。图26是实施方式4的光掩模的掩模接合部的平面模式图。此外，图27是表示实施方式4的光掩模的掩模接合部的狭缝密度分布的变化的图。另外，在图26中，由于纸面的空间的关系，以1个像素作为最小单位图示。但是，实际上，与RGB的各子像素对应设置各狭缝。即，在图26中，在图示有狭缝的像素中，与RGB的各子像素对应设置有具有子像素间距的大致一半的宽度的狭缝。
本实施方式的光掩模21a、21b，如图26所示，与98个像素对应设置掩模接合部。此时，在位于掩模接合部的两端侧的从第一个小块到第五个小块和从第六个小块到第九个小块中，与实施方式2同样，狭缝25配置成其分布密度线性减少。另一方面，对于剩余的8个像素，配置在掩模接合部的大致中央。更具体而言，如表7和图27所示，在掩模接合部的大致中央(第五个小块和第六个小块之间)，狭缝25与1个像素对应，即以分布密度50％配置。此外，对于光掩模21c、21d，也与光掩模21a、21b同样，以在掩模接合部的大致中央配置剩余的像素的方式设置狭缝。
[表7]
这样，不论小块数是偶数还是奇数，在掩模接合部的大致中央，通过配置分布密度为50％的剩余的像素的狭缝，能够将狭缝的分布密度线性变化的两个区域圆滑地相连。因而，本实施方式的液晶显示装置，在接合显示区域中，第一像素和第二像素，其分布密度大致线性变化并混合存在。更具体而言，本实施方式的液晶显示装置，在第一像素和第二像素的数量按每个小块一个一个地变化的区域(接合显示区域)的大致中央，具有第一像素和第二像素交替排列的区域。因而，能够将第一显示区域和第二显示区域的亮度差圆滑地相连，结果，不会在接合显示区域中识别接合线。
图28是实施方式4的其它光掩模的掩模接合部的放大平面模式图。此外，图29是表示实施方式4的其它光掩模的掩模接合部的狭缝密度分布的变化的图，(a)表示一个光掩模，(b)表示另一个光掩模。另外，在图28中，由于纸面的空间的关系，以1个像素作为最小单位图示。但是，实际上，与RGB的各子像素对应设置各狭缝。即，在图28中，在图示有狭缝的像素中，与RGB的各子像素对应设置有具有子像素间距的大致一半的宽度的狭缝。
本实施方式的光掩模21a、21b，如图28所示，剩余的像素并不限定于掩模接合部的中央，可以配置在掩模接合部内的任意地方。更具体而言，对于光掩模21a，例如表8和图29(a)所示，剩余的8个像素也可以配置在第二个小块和第三个小块之间。另一方面，对于光掩模21b，例如表9和图29(b)所示，剩余的8个像素也可以配置在第七个小块和第八个小块之间。在该情况下，在光掩模21a的剩余8个的像素中，狭缝25以邻接的小块(第二个小块和第三个小块)的分布密度之间的分布密度75％配置。另一方面，在光掩模21b的剩余8个的像素中，狭缝25以邻接的小块(第七个小块和第八个小块)的分布密度之间的分布密度25％配置。这样，光掩模21a、21b在狭缝25的数量随着远离掩模中央部侧而按每个小块一个一个地减少的区域之间，具有以邻接的小块的狭缝25的分布密度之间的分布密度形成狭缝25的区域。此外，对于光掩模21c，也与光掩模21a同样，剩余的像素配置在第二个小块和第三个小块之间，并且对于光掩模21d，也与光掩模21b同样，剩余的像素配置在第七个小块和第八个小块之间。
[表8]
Figure G2007800519990D00461
[表9]
Figure G2007800519990D00462
在这样的方式中，使用剩余的像素的狭缝，能够将狭缝的分布密度线性变化的两个区域圆滑地相连。因而，使用该形态的光掩模制作成的液晶显示装置，在接合显示区域中，第一像素和第二像素，其分布密度大致线性变化并混合存在。更具体而言，使用该形态的光掩模制作成的液晶显示装置，在第一像素和第二像素的数量按每个小块一个一个地变化的区域(接合显示区域)之间(接合显示区域内)，具有按照以邻接的小块的第一像素的分布密度之间的分布密度配置第一像素的方式排列第一像素和第二像素的区域。因而，在该方式中，也与实施方式2和3同样，能够有效地抑制识别接合线。
(实施方式5)
对实施方式5的液晶显示装置进行说明。另外，在本实施方式和实施方式1～4中，由于仅取向膜的曝光所使用的光掩模的形态不同，所以对重复的内容省略说明，并对发挥同样的功能的构成部件标注同一符号。图30是实施方式5的光掩模的掩模接合部的放大平面模式图。此外，图31是表示实施方式5的光掩模的掩模接合部的狭缝密度分布的变化的图，(a)表示一个光掩模，(b)表示另一个光掩模。另外，在图30中，由于纸面的空间的关系，以1个像素作为最小单位图示。但是，实际上，与RGB的各子像素对应设置各狭缝。即，在图30中，在图示有狭缝的像素中，与RGB的各子像素对应设置有具有子像素间距的大致一半的宽度的狭缝。
本实施方式的光掩模21a、21b，如图30所示，与98个像素对应设置掩模接合部。此时，在由10个像素构成的各小块中，与实施方式2同样，狭缝25配置成其分布密度线性减少。另一方面，对于剩余的8个像素，在各小块之间均等地分散配置。更具体而言，对于光掩模21a，例如表10和图31(a)所示，在各小块之间各配置一个剩余的像素，并且在与剩余的像素对应的区域中，成为遮光区域。另一方面，对于光掩模21b，例如表11和图31(b)所示，在各小块之间各配置一个剩余的像素，并且在与各剩余的像素对应的区域中，配置狭缝25。此外，对于光掩模21c、21d，也与光掩模21a、21b同样，以在各小块之间均等地分散配置剩余的像素的方式设置狭缝。
[表10]
Figure G2007800519990D00471
[表11]
Figure G2007800519990D00481
这样，根据实施方式5，即使在掩模接合部的像素数中产生尾数的情况下，也能够在掩模接合部中使狭缝的分布密度大致线性变化。因而，本实施方式的液晶显示装置，在接合显示区域中，第一像素和第二像素，其分布密度大致线性变化并混合存在。更具体而言，本实施方式的液晶显示装置，在第一像素和第二像素的数量按每个小块一个一个地变化的区域(接合显示区域)之间(接合显示区域内)，大致均等地分散配置第二像素。因而，在实施方式5的液晶显示装置中，也与实施方式2等的液晶显示装置同样，能够有效地抑制识别接合线。
另外，在图30和31所示的光掩模21a、21b中，在与光掩模21a的剩余像素对应的区域中不配置狭缝，在与光掩模21b的剩余像素对应的区域中配置狭缝。但是，在本实施方式中，与各剩余像素对应的区域中配置有狭缝的光掩模并不限定于光掩模21b。即，在与剩余像素对应的区域中配置的狭缝，在各个小块之间，能够从光掩模21a和光掩模21b中适当选择。这样，也可以光掩模21a、21b在狭缝25的数量随着远离掩模中央部侧而按每一个小块一个一个地减少的区域之间，大致均等地分散形成多个狭缝(在本实施方式中为8个以下的狭缝)。此外，本实施方式的液晶显示装置也可以在第一像素和第二像素的数量按每个小块一个一个地变化的区域(接合显示区域)之间(接合显示区域内)，大致均等地分散配置第一像素或第二像素。当然对于光掩模21c、21d也同样。
以上，如实施方式2～5所说明的那样，在本发明中，优选决定与掩模接合部对应的像素数、小块数和小块内的像素数，使得(与掩模接合部对应的像素数)≤(小块数×小块内的像素数)的关系成立。由此，在(与掩模接合部对应的像素数)＝(小块数×小块内的像素数)时，如实施方式2说明的那样，能够使与掩模接合部对应的各像素在各小块内不会过多过少地分配。此外，在(与掩模接合部对应的像素数)＜(小块数×小块内的像素数)时，不能够使与掩模接合部对应的各像素完全分配在具有同一面积的各小块内，会产生剩余，但如实施方式3～5说明的那样，能够将剩余的配置在掩模接合部的内外。
此外，根据实施方式4说明的将剩余的配置在掩模接合部的端部以外的区域的方式、和实施方式5说明的将剩余的分散配置在各小块之间的方式，能够增加掩模接合部的面积。即，根据这些方式，能够使狭缝的密度分布遍及更广的范围变化。因而，能够将相邻的显示区域的亮度变化更圆滑地相连。这样，在实施方式3～5说明的将剩余的配置在掩模接合部的内外的各方式中，从更有效地抑制接合线的发生的观点来看，与实施方式3说明的将剩余的配置在掩模接合部的单侧或两侧的端部的方式相比，优选实施方式4和5。
此外，在本说明中，优选决定小块数和小块内的像素数，使得(小块内的像素数)＝(小块数)+1的关系成立。由此，如实施方式2～5说明的那样，能够在相邻的各小块之间使狭缝数一个一个地变化。因而，能够将相邻的显示区域的亮度变化更圆滑地相连。
(实施方式6)
对实施方式6的液晶显示装置进行说明。另外，在本实施方式和实施方式1～5中，由于仅取向膜的曝光所使用的光掩模的形态不同，所以对重复的内容省略说明，并对发挥同样的功能的构成部件标注同一符号。图32是实施方式6的光掩模的掩模接合部的放大平面模式图。另外，在图32中，由于纸面的空间的关系，以1个像素作为最小单位图示。但是，实际上，与RGB的各子像素对应设置各狭缝。即，在图32中，在图示有狭缝的像素中，与RGB的各子像素对应设置有具有子像素间距的大致一半的宽度的狭缝。
本实施方式的光掩模21a、21b，如图32所示，与35个像素对应设置掩模接合部。此时，在位于掩模接合部的5个小块中，与实施方式2同样，狭缝25配置成其分布密度线性减少。更具体而言，如表12所示，光掩模21a、21b，随着远离掩模中央部，狭缝25按每一个小块(在本实施方式中与6个像素对应的面积)一个一个地减少。此外，光掩模21a的掩模接合部的狭缝的配置方式、和光掩模21b的掩模接合部的狭缝的配置方式，具有在图32中左右反转的关系。即，光掩模21a、21b具有狭缝25同样地设置的掩模接合部。此外，对于光掩模21a、21b，与形成有狭缝的区域对应的像素组、和与没有形成狭缝的区域(遮光区域)对应的像素组，在掩模接合部中，相对于掩模接合部的中心线(在本实施方式中，第三个小块的中心线)对称配置。进而，对于掩模接合部21c、21d，也与光掩模21a、21b同样，设置狭缝，使相对于掩模接合部的中心线成为对称。
[表12]
Figure G2007800519990D00501
由此，根据上述实施方式，在本实施方式的液晶显示装置中，能够有效地抑制识别接合线。另外，本实施方式的液晶显示装置，在接合显示区域中，第一像素和第二像素具有相对于接合显示区域的中心线相互对称的配置关系。
(实施方式7)
对实施方式7的液晶显示装置进行说明。另外，在本实施方式和实施方式1～6中，由于仅制造工序中的取向膜的曝光方式不同，所以对重复的内容省略说明，并对发挥同样的功能的构成部件标注同一符号。图33(a)～(c)是表示曝光工序中的实施方式7的第一基板的平面模式图。
在本实施方式中，配向膜由拍摄方式曝光。更具体而言，首先，与实施方式1同样，准备具有掩模中央部19a和掩模接合部20a的光掩模21a、和具有掩模中央部19b和掩模接合部20b的光掩模21b。此外，光掩模21a、21b在x轴方向设置有多个沿y轴方向形成的狭缝。但是，光掩模21a、21b具有比第一基板1的一半稍大程度的面积。
接着，读取设置在第一基板1上的对准标记(未图示)，如图33(a)所示，将光掩模21a相对于第一基板1固定在所希望的位置。然后，在固定光掩模21a和第一基板1的状态下，隔着光掩模21a，从相对于第一基板1面倾斜的方向一并曝光设置在第一基板1表面的取向膜(第一次拍摄)。接着，以设置在光掩模21a上的各狭缝与各像素的未曝光区域对应的方式，使第一基板1在x轴方向水平移动子像素间距的大致一半。然后，与第一次拍摄时的入射角度大致相同，且从反方向一并曝光取向膜(第二次拍摄)。由此，第一基板1的左侧的大致一半的区域中的各像素(各子像素)，具体而言，与掩模中央部19a重复的区域的各子像素、和与掩模接合部20a重复的一部分的子像素，如图2(a)所示，被取向分割成取向方向为相互反平行方向的两个区域。
接着，如图33(b)所示，使用光掩模21b，与使用光掩模21a时同样，再次一并曝光第一基板1的右侧的大致一半的区域中的各像素。这样，在本实施方式中，第一基板1，如图33(c)所示，具有隔着光掩模21a的掩模中央部19a一并曝光的曝光区域22、隔着光掩模21b的掩模接合部19b一并曝光的曝光区域23、隔着光掩模21a、21b的掩模接合部20a、20b一并曝光的接合曝光部24。此外，在本实施方式中，与第一基板同样，也通过拍摄方式对第二基板进行曝光工序。
另外，在本实施方式中，关于与接合曝光部对应配置的各光掩模的掩模接合部的狭缝的配置方式，与实施方式1～6同样，适当减少狭缝的分布密度。由此，与使用实施方式1～6的扫描曝光的情况同样，在使用一并曝光的本实施方式中，也能够提高液晶显示装置的显示品质和成品率。
以上，通过实施方式1～7对本发明进行了详细说明，但各实施方式也可以在不脱离本发明的要旨的范围内进行适当组合。
本申请以2007年3月5日申请的日本国专利申请2007-54793号为基础，主张基于巴黎公约或进入国的法规的优先权。该申请的内容，其整体作为参照纳入本申请中。

Claims (33)

1.一种液晶显示装置的制造方法，所述液晶显示装置具备相对的一对基板、在基板间设置的液晶层、和设置在至少一个基板的液晶层侧的表面的取向膜，并且在像素内具有两个以上取向方向不同的区域，所述制造方法的特征在于，包括：
隔着光掩模对取向膜的一部分进行曝光的曝光工序，所述光掩模设置有在遮光区域内形成有多个透光部的掩模中央部和具有以比掩模中央部的透光部的分布密度小的透光部的分布密度在遮光区域内形成有多个透光部的区域的掩模接合部。
2.如权利要求1所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于：
所述曝光工序包括将取向膜面内分割成两个以上的曝光区域、和介于相邻的曝光区域之间的曝光区域的接合部，且隔着掩模接合部对该曝光区域的接合部的取向膜进行曝光，并且隔着掩模中央部对该曝光区域的取向膜进行曝光的工序。
3.如权利要求2所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于：
所述曝光工序包括隔着分别设置有掩模接合部和掩模中央部的多个不同的光掩模在每个曝光区域和曝光区域的接合部对取向膜进行曝光的工序，
该多个光掩模包括对第一曝光区域和曝光区域的接合部进行曝光的第一光掩模、和对与第一曝光区域相邻的第二曝光区域和曝光区域的接合部进行曝光的第二光掩模，
该第一光掩模和第二光掩模在掩模接合部中，与具有相互互补的配置关系的两个像素组的任一个对应形成透光部。
4.如权利要求1所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于：
所述光掩模，其掩模接合部的透光部的分布密度是掩模中央部的透光部的分布密度的一半。
5.如权利要求1所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于：
所述光掩模在掩模接合部中具有透光部的分布密度随着远离掩模中央部侧而减少的区域。
6.如权利要求5所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于：
所述光掩模在掩模接合部中具有透光部的分布密度随着远离掩模中央部侧而线性减少的区域。
7.如权利要求6所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于：
所述光掩模在掩模接合部中具有透光部的数量随着远离掩模中央部侧而按每一定的面积一个一个地减少的区域。
8.如权利要求7所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于：
所述光掩模在掩模接合部中透光部的数量随着远离掩模中央部侧而按每一定的面积一个一个地减少。
9.如权利要求7所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于：
所述光掩模，在透光部的数量随着远离掩模中央部侧而按每一定的面积一个一个地减少的区域之间，均等地分散形成有多个透光部。
10.如权利要求7所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于：
所述光掩模，在透光部的数量随着远离掩模中央部侧而按每一定的面积一个一个地减少的区域的中央，具有以掩模中央部的透光部的分布密度的一半的分布密度形成有透光部的区域。
11.如权利要求7所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于：
所述光掩模，在透光部的数量随着远离掩模中央部侧而按每一定的面积一个一个地减少的区域之间，具有以相邻的一定的面积的透光部的分布密度之间的分布密度形成有透光部的区域。
12.如权利要求1所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于：
所述光掩模，在掩模接合部中，与具有相对于掩模接合部的中心线相互对称的配置关系的两个像素组对应配置透光部和遮光区域。
13.如权利要求1所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于：
所述曝光工序在对基板和光源的至少一个进行扫描的同时，对取向膜进行曝光。
14.如权利要求1所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于：
所述曝光工序在固定基板和光源的状态下对取向膜进行曝光。
15.如权利要求1所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于：
所述曝光工序以在各像素内形成俯视基板时取向膜表面附近的液晶分子在相互反平行方向上取向的两个区域的方式对取向膜进行曝光。
16.如权利要求15所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于：
所述取向膜设置在两基板上，
所述液晶显示装置的制造方法，进行两基板的取向膜的曝光和两基板的贴合，使得各基板的取向膜表面附近的液晶分子在俯视基板时在各像素内在相互反平行方向上取向，并且一个基板的取向膜表面附近的液晶分子和另一个基板的取向膜表面附近的液晶分子在俯视基板时在相互正交方向上取向。
17.如权利要求16所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于：
所述液晶层包含具有负的介电常数各向异性的液晶分子，
所述取向膜在不向液晶层施加电压时使液晶分子相对于取向膜表面接近垂直取向。
18.如权利要求16所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于：
所述液晶层包含具有正的介电常数各向异性的液晶分子，
所述取向膜在不向液晶层施加电压时使液晶分子相对于取向膜表面接近水平取向。
19.一种液晶显示装置，其特征在于，通过权利要求1～18中任一项所述的液晶显示装置的制造方法制造。
20.一种液晶显示装置，其具备相对的一对基板、在基板间设置的液晶层、和设置在至少一个基板的液晶层侧的表面的取向膜，并且在像素内具有两个以上取向方向不同的区域，所述液晶显示装置的特征在于：
包括相邻的第一显示区域和第二显示区域、和介于第一显示区域和第二显示区域之间的接合显示区域，
该第一显示区域排列有多个第一像素，
该第二显示区域，排列有亮度和在像素开口部内的取向方向不同的区域的面积比的至少一种与第一像素不同的多个第二像素，
该接合显示区域，第一像素和第二像素在混合的状态下排列。
21.如权利要求20所述的液晶显示装置，其特征在于：
在接合显示区域具有第一像素和第二像素交替排列的区域。
22.如权利要求20所述的液晶显示装置，其特征在于：
在接合显示区域具有第一像素的分布密度随着远离第一显示区域而减少的区域。
23.如权利要求22所述的液晶显示装置，其特征在于：
在接合显示区域具有第一像素和第二像素的分布密度线性变化的区域。
24.如权利要求23所述的液晶显示装置，其特征在于：
在接合显示区域具有第一像素和第二像素的数量按每一定的面积一个一个地变化的区域。
25.如权利要求24所述的液晶显示装置，其特征在于：
在接合显示区域中，第一像素和第二像素的数量按每一定的面积一个一个地变化。
26.如权利要求24所述的液晶显示装置，其特征在于：
在第一像素和第二像素的数量按每一定的面积一个一个地变化的区域之间，第一像素或第二像素均等地分散配置。
27.如权利要求24所述的液晶显示装置，其特征在于：
在第一像素和第二像素的数量按每一定的面积一个一个地变化的区域的中央，具有第一像素和第二像素交替排列的区域。
28.如权利要求24所述的液晶显示装置，其特征在于：
在第一像素和第二像素的数量按每一定的面积一个一个地变化的区域之间，具有按照以相邻的一定面积的第一像素的分布密度之间的分布密度配置第一像素的方式排列第一像素和第二像素的区域。
29.如权利要求20所述的液晶显示装置，其特征在于：
在接合显示区域中，第一像素和第二像素具有相对于接合显示区域的中心线相互对称的配置关系。
30.如权利要求20所述的液晶显示装置，其特征在于：
所述液晶层包含具有负的介电常数各向异性的液晶分子，
所述取向膜设置在两基板上，并且在不向液晶层施加电压时使液晶分子相对于取向膜表面接近垂直取向。
31.如权利要求20所述的液晶显示装置，其特征在于：
所述液晶层包含具有正的介电常数各向异性的液晶分子，
所述取向膜设置在两基板上，并且在不向液晶层施加电压时使液晶分子相对于取向膜表面接近水平取向。
32.如权利要求30或31所述的液晶显示装置，其特征在于：
所述取向方向不同的区域在每一个像素设置有2个以上、4个以下。
33.如权利要求30或31所述的液晶显示装置，其特征在于：
所述液晶显示装置，在俯视基板时，设置在一个基板上的取向膜表面附近的液晶分子的取向方向与设置在另一个基板上的取向膜表面附近的液晶分子的取向方向正交。
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