CN101620352B - 显示基底、加工其的方法和使用其的显示设备 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种包含开关构件、滤色器层、无机绝缘层和像素电极的显示基底。该开关构件包含栅极线、与该栅极线交叉的数据线和电连接到该栅极线和该数据线的薄膜晶体管(TFT)。该滤色器层形成在该开关构件上。该无机绝缘层形成在该滤色器层上。该无机绝缘层具有形成其上的孔，其暴露对应于该TFT的该滤色器层的一部分。该像素电极形成在该无机绝缘层上。

Description

显示基底、加工其的方法和使用其的显示设备
技术领域
本发明涉及一种显示基底、加工该显示基底的方法和使用该显示基底的显示设备。更具体地说，本发明涉及用于显示设备的显示基底、加工该显示基底的方法和使用该显示基底的显示设备。
背景技术
液晶显示(LCD)设备包括薄膜晶体管(TFT)基底、面向该TFT基底的滤色器基底和设置在该TFT基底和该滤色器基底之间的液晶层。
该TFT基底包括形成在绝缘基底上的信号线、TFT和用于独立地驱动多个像素的像素电极。该滤色器基底包括含有红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器的滤色器层和面向该TFT基底的该像素电极的公用电极。如果该TFT基底和该滤色器基底相偏离可能导致质量降低。
为了减轻该TFT基底和该滤色器基底的偏离而导致的质量降低，具有滤色器在阵列上(COA)结构的LCD设备发展起来，其中滤色器层形成在该TFT基底上。
为了阻止有害气体从滤色器层流出，含有COA结构的该TFT基底可以包括覆盖滤色器层的无机绝缘层。
当形成在该滤色器层上的该无机绝缘层比该滤色器层硬时，该滤色器层相应于柱状间隔的接触部分的可压缩性会降低。结果，液晶分子的伸展性会降低，导致该TFT基底和该滤色器基底之间没有充满液晶分子的LCD形成部分。当那部分或该LCD处于黑色状态时，没有充满液晶分子的区域会产生微红色的缺陷。
发明内容
本发明提供了一种通过加强含有滤色器层在阵列上(COA)的结构的液晶显示(LCD)设备压缩特性来增强显示质量的显示基底。
本发明同时提供了一种加工上述显示基底的方法。
本发明同时提供了一种含有上述显示基底的显示设备。
本发明的一方面，显示基底包含开关构件、滤色器层、无机绝缘层和像素电极。该开关构件包含栅极线、与该栅极线交叉的数据线、电连接到该栅极线和该数据线的薄膜晶体管(TFT)。该滤色器层形成在开关构件上。该无机绝缘层形成在该滤色器层上。该无机绝缘层上有形成其上的一个孔，该孔暴露该滤色器层相应于该TFT的一部分。该像素电极形成在该无机绝缘层上。
在典型的实施例中，该无机绝缘层可以包含氮化硅(SiNx)。
在典型的实施例中，该滤色器层可以包含相应每个像素形成的红色滤色器层、绿色滤色器层和蓝色滤色器层。
在典型的实施例中，该开关构件可以进一步包括由用来形成该栅极线的金属层形成的存储电极。这里，该滤色器层上可以有形成其上的一个孔，这个孔暴露该TFT层相应于该存储电极的一部分。
在典型的实施例中，该开关构件可以进一步包括栅极绝缘层和保护层。该栅极绝缘层形成在含有该栅极线的绝缘基底上。该保护层形成在含有形成在其上的该栅极线、该栅极绝缘层、该数据线和该TFT的该绝缘基底上。这里，该保护层、该滤色器层和该无机绝缘层可以进一步含有暴露该TFT漏电极的一部分的接触孔。
本发明的典型的实施例中，加工这种显示基底的方法可以包括在绝缘基底上形成开关构件。该开关构件可以包含栅极线，与该栅极线交叉的数据线、电连接到该栅极线和该数据线的TFT。滤色器层可以形成在该开关构件上。无机绝缘层可以形成在该滤色器层上，该滤色器层上可以有一个孔，这个孔暴露该滤色器层相应于该TFT的一部分。像素电极形成在该无机绝缘层上。
为了加工该开关构件，第一金属图案形成在该绝缘基底上。第一金属图案可以包含该栅极线、该TFT的栅电极和存储电极。栅极绝缘层形成在含有其上形成该金属图案的该绝缘基底上。然后，第二金属图案形成在该栅极绝缘层上，该第二金属图案含有该数据线和该TFT的源电极和漏电极。保护层可以形成在其上形成有该第二金属图案的该绝缘基底上。
为了加工该滤色器层，红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器形成在该开关构件上。然后，存储孔和第一接触孔形成在每一个红色、绿色和蓝色滤色器上。该存储孔可以暴露相应于该存储电极的该开关构件的一部分。该第一接触孔可以暴露相应于该漏电极的开关构件的一部分。
为了加工该无机绝缘层，无机材料可以形成在其上形成有该存储孔和该第一接触孔的该滤色器层上。孔和第二接触孔可以通过图案化该无机绝缘材料来形成。所述孔可以暴露相应于该TFT的该滤色器层的一部分。该第二接触孔可以暴露相应于该漏电极的该开关构件的一部分。暴露该漏电极的一部分的第三接触孔可以穿过该保护层形成。该第二接触孔可以以与用于形成该第三接触孔相同的工艺形成在该滤色器层上。
在另一个典型的实施例中，显示设备包含第一基底、第二基底、液晶层和柱状间隔。该第二显示基底面向该第一显示基底。该液晶层插入在该第一显示基底和该第二显示基底之间。该柱状间隔设置在该第一显示基底和该第二显示基底之间使该第一显示基底和该第二显示基底之间保持单元间隔。该第一显示基底包含开关构件、滤色器、无机绝缘层和像素电极。该开关构件包含栅极线、与该栅极线交叉的数据线、电连接到该栅极线和该数据线的TFT。该滤色器层形成在该开关构件上。该无机绝缘层形成在该滤色器层上。该无机绝缘层在其上有间隔孔，该孔暴露相应于该柱状间隔的该滤色器层的部分。该像素电极形成在该无机绝缘层上。
依照上述的显示基底、加工这种显示基底的方法和含有这种显示基底的显示设备，相应于柱状间隔的无机绝缘层被移动，形成间隔孔，以增加该滤色器层的压缩特性。因此，可以阻止或减少形成没有充满液晶分子的区域，和阻止或减少由于没有充满的区域相应的显示质量缺陷。
附图说明
参照附图和下面相应的详细描述，本发明的上述和其它优点将变得明显，其中：
图1是依据本发明的典型的实施例的显示设备的平面图。
图2是图1中沿I-I’的剖视图。
图3A至3C是当形成有无机绝缘层时表明红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器的压缩特性的图。
图4A至4C是没有形成无机绝缘层时表明红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器的压缩特性的图。
图5至9是示出依据本发明的典型的实施例的图1和2的第一显示基底的加工方法的剖视图。
具体实施方式
结合附图对本发明进行详细的描述，在附图中示出本发明的实施例。然而，本发明可以有多种不同的实施方式来实现和不应该局限于这里阐明的实施例。进一步，提供这些实施例是为了本发明的公开是彻底的和完整的，和能够完整的向本领域技术人员表达本发明的范围。在图中，为了清楚起见，层和区域的尺寸和相对大小可能会被夸大。
能够理解当元件或者层被称为在另一元件或层“上”，“连接到”或“耦接到”另一元件或层时，它可以直接地在另一元件或层上、连接到或“耦接到”另一元件或层，或者可以存在中间元件或层。相反，当一个元件被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或者“直接耦接到”另一元件或层时，它们之间没有中间元件或者层。相同附图标记始终指的是相同的元件。如这里使用的，术语“和/或”包含联系在一起的列出的术语中的一个或者多个中的任何或者全部的组合。
能够理解的是，尽管术语第一、第二、第三等在这里使用表示描述不同的元件、成分、区域、层和/或部分，这些元件、成分、区域、层和/或部分不应该限制在这些术语。这些术语仅用来区别一个元件、成分、区域、层或部分与另一个区域、层或部分。这样，下面讨论的第一元件、成分、区域、层或部分可以被称为第二元件、成分、区域、层或部分也不脱离本发明的教导。
空间相对术语，例如“在...下”，“在...下面”，“较低的”，“在...上”，“上面的”和类似词语，可以用在这里为了简化图中一个元件或特征相对于另一个元件或特征的描述。能够理解空间相对术语意指除了图中方向描述之外设备在使用或操作中包含的不同方向。例如，如果图中设备被倒置，描述为“在其它元件或特征下”或“在其它元件或特征下面”的元件随后确定为将是在其它元件或特征的上面。这样，示例性术语“在...下”能够含有之上和之下的方向。设备可以确定其它的方向(旋转90度或者在其它的方向)和用在这里的该空间相对描述做相应的解释。
这里使用的术语目的仅仅为了描述特殊的实施例和并不意味着对本发明的限制。和这里使用的一样，单数形式“一个”、“一个”和“那”意指同样包含复数形式，除非上下文清楚地指明不同的情况。进一步理解的是，当在说明书中使用时，术语“包含(comprises)”和/或“包含(comprising)”指定存在一定特征、整体、步骤、操作、元件和/或成分，但不排除存在或增加一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、成分和/或组。
这里描述本发明实施例的剖视图，其是本发明理想的实施例(和中间结构)的示意图。如此，可以预料到由例如制作技术和/或误差导致的所示形状的变化。这样，本发明的实施例不应该解释为局限到这里示出的区域的特定形状而应该包括由例如制作产生的形状上的偏离。例如，所示为矩形的注入区域通常具有圆形或曲线特征和/或位于其边缘的注入浓度的梯度，而不是从注入的到非注入的区域的二元变化。同样地，通过注入形成的埋藏区域可以导致在埋藏区和通过其产生注入的表面之间的区域的一些注入。这样，图中所示区域实质上是示意性的和它们的形状并非想要示出设备的区域的实际形状和并非想要限制本发明的范围。
除非其它的定义，这里使用的所有术语(包括技术和科学术语)和本发明所属领域中普通技术人员一般的理解的意思相同。进一步理解的是，这些术语，例如在普通词典中定义的这些术语，应该解释为与相关领域的上下文的意思相一致的意思而不能解释为理想化或极度形式的意思除非按照这种限定表述。
以下，结合相关附图对本发明进行详细的描述。
图1是依据本发明的典型的实施例的显示设备的平面图。图2是图1中I-I’线剖开的剖视图。
参考图1至2，在典型的实施例中，显示设备100包含第一显示基底200、第二显示基底300、液晶层400和柱状间隔500。该第二显示基底300面对该第一显示基底200。该液晶层400插入在该第一显示基底200和该第二显示基底300之间。该柱状间隔500设置在该第一显示基底200和该第二显示基底300之间用来在该第一显示基底200和该第二显示基底300之间保持单元间隙。
该第一显示基底200含有第一绝缘基底210、开关构件220、滤色器层230、无机绝缘层240和像素电极250。
该第一绝缘基底210可以包括透明玻璃和塑料材料。
该开关构件220可以形成在该第一绝缘基底210上。该开关构件220可以含有栅极线GL、数据线DL和薄膜晶体管(TFT)。该开关构件200可以进一步包含栅极绝缘层221和保护层222。
该栅极线GL形成在该第一绝缘基底210上。从平面图看时该栅极线GL可以沿水平方向延伸。
该栅极绝缘层221可以形成在其上形成有该栅极线GL的该第一绝缘基底210上。该栅极绝缘层221可以包含例如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)。
该数据线DL形成在该栅极绝缘层221上。该数据线DL可以沿不同于水平方向的方向延伸以便与该栅极线GL相交。从平面图看时该数据线DL可以垂直方向延伸。该数据线DL通过该栅极绝缘层221电绝缘于该栅极线GL。
该TFT电连接于该栅极线GL和该数据线DL。该TFT可以包含该栅电极GE、活性图案AP、源电极SE和漏电极DE。
该栅电极GE电连接于该栅极线GL来执行该TFT的栅极终端功能。
该活性图案AP可以形成在该栅极绝缘层221上。该活性图案AP可以形成在该源电极SE、该漏电极DE和该数据线DL下。作为选择地，该活性图案AP可以仅形成在与该栅电极GE交叠的部分上。
该活性图案AP可以包含半导体层223和欧姆接触层224。该半导体层223可以作为电流流过的通道。该欧姆接触层224可以降低该半导体层223和该源漏电极SE和DE之间的接触电阻。例如，该半导体层223可以包含无定型硅(a-Si)。该欧姆接触层224可以包含n+无定型硅(n+a-Si)，其通过注入高浓度的n+杂质形成。例如，磷(P)可以注入到半导体层223的上面部分来形成该欧姆接触层224。该欧姆接触层224可以部分地移去从而使该半导体层223部分暴露。
该源电极电连接到该数据线DL。该源电极SE可以形成在该活性图案AP上以执行该TFT源端功能。
该漏电极DE可以形成在该活性图案AP上与源电极SE间隔一定距离来执行该TFT的漏端功能。
该数据线DL、该源电极SE、该漏电极DE和该活性图案AP可以通过一个掩膜工艺图案化形成，所以该活性图案AP的轮廓可以实质上与该数据线DL、该源电极SE和该漏电极DE的轮廓相同。
该TFT可以设置成将该数据线DL提供的数据电压施加到该像素电极250上来响应该栅极线GL提供的栅极电压。
该保护层222形成在其上有该栅极线GL、该栅极绝缘层221、该数据线DL和该TFT的该第一绝缘基底210上。该保护层222可以包含例如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)。
该开关构件220可以进一步包括存储电极STE。该存储电极STE可以用形成该栅极线GL的同一金属层形成。该存储电极STE可以平行于该栅极线GL且处于相邻的该栅极线GL之间。
该存储电极STE与该像素电极250相对，其间插入该栅极绝缘层221、该保护层222和该无机绝缘层240以形成存储电容Cst。这样，通过该TFT施加到该像素电极250的数据电压在一个帧间隔内可以通过该存储电容Cst保持。
该滤色器层230可以形成在该开关构件220上。该滤色器层230可以包含相对应于每个像素的红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器。例如，该红色滤色器可以包含有机合成物和红色染料或红色颜料，该绿色滤色器可以包括有机合成物和绿色染料或绿色颜料，和该蓝色滤色器可以包括有机合成物和蓝色染料或蓝色颜料。该红色、绿色和蓝色滤色器可以形成在该保护层222上并且可以有统一的图案。例如，该红色、绿色和蓝色滤色器可以顺序地沿水平方向或者垂直方向设置从而使一种滤色器相应一个像素。
该滤色器层230可以包含相对厚的厚度以平坦化该第一显示基底200的表面。该滤色器层230的厚度可以具有大约2.5μm到大约3.5μm的范围。该滤色器层230可以形成在该第一显示基底200上，所以平坦化该第一显示基底200的有机绝缘可以被省略。因此，液晶显示(LCD)设备的光透过率可以增加，和加工LCD设备的成本可以减少。
该滤色器层230可以包含暴露相应于该存储电极STE的位置的该开关构件200的至少一部分的存储孔STH。该存储电极STE和该像素电极250之间的距离通过该存储孔STH变小，所以该存储电容Cst的电容可以增加。
该无机绝缘层240可以形成在该滤色器层230上。该无机绝缘层240可以阻止有害气体从该滤色器层240中流出和可以阻止该液晶层400的污染，所以显示质量可以提高。
该无机绝缘层240可以形成在该滤色器层230和该像素电极250之间。该无机绝缘层240可以阻止液晶层400和设置在该像素电极250上的取向层(没有画出)通过该像素电极250的开口区域直接接触该滤色器层230。所以，该无机绝缘层240可以阻止有害气体从包含光敏合成物的滤色器层230中流出和通过该取向层渗透到该液晶层400中。而且，该滤色器层230和该取向层之间的反应可以被阻止。
该无机绝缘层240可以包含与有机材料低反应性的无机材料从而阻止有害气体流出。例如，该无机绝缘层240可以包含氮化硅(SiNx)。
该无机绝缘层240可以在大约100℃到大约250℃之间通过低温沉积工艺形成从而阻止例如通过包含光敏有机合成物的滤色器层230的高温分解而带来的损害。例如，该无机绝缘层240可以在大约160℃到大约180℃之间的温度上用化学气相沉积(CVD)工艺形成。该无机绝缘层240可以形成厚度为大约500
Figure G2008102103844D00081
到大约2000
Figure G2008102103844D00082
从而阻止气体从该滤色器层230中流出。
该无机绝缘层240包含暴露该滤色器层230的一部分的间隔孔SPH。该间隔孔SPH可以形成在相应于该柱状间隔500的位置上。进一步，该间隔孔SPH形成在该TFT上。例如，该间隔孔SPH可以形成在TFT的沟道部分上。
当该无机绝缘层240设置在该滤色器层230和该柱状间隔500之间时，相应于该柱状间隔500接触部分的该滤色器层230的压缩性可以减小。在典型的实施例中，该无机绝缘层240可以包含比可能含有有机材料的该滤色器层230硬的无机材料。这样，液晶分子的延展性降低，所以液晶分子没有充满的部分可能形成。
在典型的实施例中，移去该无机绝缘层240相应于该柱状间隔500的一部分可以增加相应于该柱状间隔500的滤该色器层230的压缩性，这可以有助于阻止由于液晶分子没有充满的区域导致的显示质量缺陷。
图3A到3C是当无机绝缘层存在时分别表示红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器压缩特性的图。图4A到4C是当无机绝缘层不存在时分别表示红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器压缩特性的图。图3A到4C所示的图表在下面表1中描述。图3A到4C中，x轴表示结合第一显示基底和第二显示基底的压缩性，和y轴表示依据该压缩性的红色、绿色和蓝色滤色器变化量。表1
Figure G2008102103844D00083
Figure G2008102103844D00091
参考图3和4和表1，检测红色、绿色和蓝色滤色器的变化量的结果，其根据是否形成无机绝缘层来检测，在滤色器中存在较小的重要区别。然而，该红色、绿色和蓝色滤色器的变化量在形成无机绝缘层的情况下要高于在不形成无机绝缘层的情况下。
当该红色、绿色和蓝色滤色器的变化量增加时，该第二显示基底300变得与该第一显示基底200更近所以液晶分子的延展性可以增加。这样，液晶分子未充满区域可以被阻止。
返回图1和2，该像素电极250可以形成在对应于每个像素的该无机绝缘层240上。该像素电极250为了透光可以包含光学透明和电学导电材料。例如，该像素电极250可以包含氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡(ITO)或其它合适材料。
该像素电极250可以电连接到该TFT的漏电极DE。为了电连接到该像素电极250和该漏电极DE，接触孔CNT可以形成在该保护层222上、该滤色器230和该无机绝缘层240上。该像素电极250通过该接触孔CNT电连接到该漏电极DE。
该像素电极250可以与该存储电极STE相对，在其间插入该无机绝缘层240、该保护层222和该栅极绝缘层221从而在该滤色器层230的存储孔区域STH形成该存储电容Cst。
该像素电极250可以包含用于分隔每个像素为多个区域以实现宽视角的预定的开口图案。该像素电极250可以包含主电极的分支结构和接受不同电压的子电极。和描述的一样，当该像素电极250被分为该主电极和该子电极时，电连接到该主电极和该子电极的两个TFTs可以形成在每个像素。
该第二显示基底300可以与该第一显示基底200通过插入该液晶层400结合。该第二显示基底300可以包含第二绝缘基底310、黑色矩阵320和公用电极330。
该第二绝缘基底310可以包含透明玻璃和塑料材料。
该黑色矩阵320可以形成在该第二绝缘基底310上。该黑色矩阵320形成为覆盖至少一个柱状间隔500。进一步，该黑色矩阵320可以形成在对应于该像素边界部分的该像素电极250之间的部分上。也就是说，黑色矩阵320可以形成在该像素的边界部分，所以光透过被阻止从而增加LCD设备的对比度。例如，该黑色矩阵320可以相应于该栅极线GL、该数据线DL、该存储电极STE和该TFT形成。
该公用电极330为了透光可以包含光学透明和电导材料。例如，该公用电极330可以包含氧化铟锌(IZO)，氧化铟锡(ITO)或其它合适材料。该公用电极330为了实现宽视角可以包含形成其上的开口图形。
该第二显示基底300可以包含一个形成在该第二绝缘基底310和该公用电极之间的外涂层340。该外涂层340为了平坦化其上形成有黑色矩阵320的该第二显示基底300的表面而形成在该第二显示基底300上。
该液晶层400可以含有具有光学和电学性质的液晶分子，比如各向异性折射系数和各向异性介电常数。当数据电压施加到该像素电极250时，电场可以在该像素电极250和该公用电极330之间产生从而改变该液晶层400中液晶分子的定向。当该液晶分子的定向被改变时，液晶层的光学透过率发生变化，使得显示图象。
该柱状间隔500可以部分形成在该第一显示基底200和该第二显示基底300之间来保持该第一显示基底200和该第二显示基底300之间的单元间隙。该柱状间隔500可以形成在该TFT相应的位置，所以可以被阻止孔隙率的减小。例如，柱状间隔500可以形成在预定数量的像素的组。另一个例子，柱状间隔500可以形成在一个像素中。
以下，参考图5至9说明图1和2中所示该第一显示基底的加工方法。
图5至9是依据本发明典型的实施例加工图1至2中的第一显示基底的方法的典型的实施例的剖视图。
参考图1到5，第一金属图案可以形成在包含该栅极线GL、该TFT的该栅极电极GE和该存储电极STE的该第一绝缘基底210上。该栅极电极GE电绝缘于该栅极线GL和该栅极电极GE，和该存储电极STE电绝缘于该栅极线GL和该栅极电极GE。
该第一金属图案可以包括单层结构、双层结构、多层结构，等等。一个例子中，当第一金属图案包含该单层结构时，该第一金属图案由单一金属材料例如铝(Al)、钼(Mo)、钕(Nd)、铬(Cr)、钽(Ta)、钛(Ti)、钨(W)、铜(Cu)、银(Ag)、等等，或上述金属的合金。另一个例子中，当该第一金属图案包含双层结构时，该第一金属图案的较低的金属层由相对高机械性能和化学特性的例如铝(Al)形成和该第一金属图案的上层金属层由相对低的阻抗的金属例如钼(Mo)、钼合金或其它合适材料形成。
参考图1和6，该栅极绝缘层221可以形成在其上有第一金属图案的该第一绝缘基底210从而覆盖该第一金属图案。该栅极绝缘层221可以包含例如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)。该栅极绝缘层221的厚度大约1500
Figure G2008102103844D00111
到大约2500
Figure G2008102103844D00112
。
该第二金属图案可以形成在该栅极绝缘层221上。该第二金属图案可以包含该活性图案AP、该栅极线DL、该TFT的源和漏电极。该活性图案AP和该第二金属图案可以通过使用一个掩膜的一个掩膜工艺图案化。当该活性图案AP和该第二金属图案通过一个掩膜工艺图案化时，该活性图案AP可以和该第二金属图案形成实质上一致的形状。也就是说，该活性图案AP可以在该栅极绝缘层221和该第二金属图案之间形成。作为选择地，该活性图案AP和该第二金属图案可以通过使用两个彼此不同的掩膜的两个掩膜工艺图案化。当该活性图案AP和该第二金属图案通过两个掩膜工艺图案化时，该活性图案AP可以部分形成在该活性图案AP和该栅极电极GE从第一显示基底平面图看交叠的部分。
该活性图案AP可以包含半导体层223和欧姆接触层224。例如，该半导体223可以包含无定型硅(a-Si)，和该欧姆接触层224可以包含n+无定型硅(n+a-Si)。在典型的实施例中，n+杂质以高浓度时注入到无定型硅层(a-Si)而形成该欧姆接触层224。
该源电极SE可以电连接到该数据线DL，以及该漏极电极DE和该栅极电极GE上的该源电极SE分开一定距离而形成该TFT的沟道。
该第二金属图案可以包含较低的钼(Mo)层、铝(Al)层和上面的钼(Mo)层依次沉积的Mo/Al/Mo的三层结构。作为选择的，该第二金属图案可以包含单层结构或多层结构。当该第二金属图案包含单层结构时，该第二金属图案可以由单一金属材料例如铝(Al)、钼(Mo)、钕(Nd)、铬(Cr)、钽(Ta)、钛(Ti)、钨(W)、铜(Cu)、银(Ag)、或其它合适的材料，或上述金属的合金构成。
为了形成该TFT，该沟道部分的该欧姆接触层224可以被移去，相应于该源电极SE和该漏电极DE之间的间隙。
参考图1和7，该保护层222可以形成在其上形成该第二金属图案的第一绝缘基底210上来覆盖该第二金属图案。该保护层222可以包含例如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)。因此，该开关构件220的加工工艺完成。
该滤色器层230可以形成在该开关构件220上。该滤色器层230可以包含相应于每个像素的红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器。该红色、绿色和蓝色滤色器可以顺序地形成以致一个滤色器层对应一个像素。
该存储孔STH和该第一接触孔CNT1可以形成在每个红色、绿色和蓝色滤色器。该存储孔STH可以暴露对应该存储电极STE的该开关构件230的一部分。该第一接触孔CNT1可以暴露对应该漏电极DE的该开关构件230的一部分。
参考图1和8，有机材料可以在具有存储孔STH和该第一接触孔CNT1的该滤色器层230上沉积。该有机材料可以图案化形成含有该间隔孔SPH和该第二接触孔CNT2的该无机绝缘层240。该间隔孔SPH可以暴露相应于该TFT的该滤色器层230的一部分。例如，该间隔孔SPH可以暴露相应于该TFT沟道的该滤色器层230的一部分。该第二接触孔CNT2可以暴露相应于该漏电极DE的该开关构件220的一部分。
该第三接触孔CNT3，其暴露该漏电极DE的一部分，可以穿过该保护层222形成。当该保护层222和该无机绝缘层240由同一氮化硅(SiNx)形成时，该第二接触孔CNT2和该第三接触孔CNT3可以同时形成。这样，该第一到第三接触孔CNT1、CNT2和CNT3可以定义暴露该漏电极DE的一部分的接触孔CNT。
参考图1和9，该像素电极250可以形成在其上形成该间隔孔SPH和该第三接触孔CNT3的该无机绝缘层240上。该像素电极250为了透光可以包含光学透明和电导材料。例如，该像素电极可以包含氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡(ITO)等。该像素电极250的厚度为约500到大约600
Figure G2008102103844D00122
。
该像素电极250可以通过形成在该无机绝缘层240、该滤色器层230和该保护层222上的该接触孔CNT电连接到该漏电极DE。进一步，该像素电极250与该存储电极STE相对，其间插入无机绝缘层240、该保护层222和该栅极绝缘层221从而形成该存储电容Cst。
依照上述显示基底、加工这种显示基底的方法和含有这种显示基底的显示设备，对应于该柱状间隔的无机绝缘层被移去，所以该滤色器层的压缩性质可以得到改善。因此，液晶分子的未充满区域可以被阻止，由于未充满区域的显示质量缺陷可以被阻止。
虽然本发明的典型的实施例已经描述，能够理解本发明不仅应该包含这些典型的实施例，还应该包括本领域技术人员在权利要求书中的本发明的精神和范围内的各种变化和调整。

Claims (19)

1.一种显示基底，其包含：
开关构件，其包括栅极线、与该栅极线交叉的数据线和电连接到该栅极线和该数据线的薄膜晶体管(TFT)；
形成在该开关构件上的滤色器层；
形成在该滤色器层上的无机绝缘层，该无机绝缘层在相应于柱状间隔的位置形成有间隔孔，该间隔孔暴露对应于该薄膜晶体管(TFT)的该滤色器层的一部分，和该间隔孔形成在该薄膜晶体管(TFT)的沟道部分上；以及
形成在该无机绝缘层上的像素电极。
2.如权利要求1所述的显示基底，其中该无机绝缘层包含氮化硅(SiNx)。
3.如权利要求1所述的显示基底，其中该滤色器层包含相应每个像素形成的红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器。
4.如权利要求1所述的显示基底，其中该开关构件进一步包含由形成该栅极线的金属层形成的存储电极。
5.如权利要求4所述的显示基底，其中该滤色器层上形成有存储孔，所述存储孔暴露对应于所述存储电极的该开关构件的一部分。
6.如权利要求1所述的显示基底，其中该开关构件进一步包含：
形成在具有该栅极线的绝缘基底上的栅极绝缘层；以及
形成在其上形成有该栅极线、该栅极绝缘层、该数据线和该薄膜晶体管(TFT)的该绝缘基底上的保护层。
7.如权利要求6所述的显示基底，其中接触孔穿过该保护层、该滤色器层和该无机绝缘层而形成从而暴露该薄膜晶体管(TFT)的漏极的一部分。
8.一种加工显示基底的方法，该方法包含：
在绝缘基底上形成包括栅极线、与该栅极线交叉的数据线和电连接到该栅极线和该数据线的薄膜晶体管(TFT)的开关构件；
在该开关构件上形成滤色器层；
在该滤色器层上形成无机绝缘层，所述无机绝缘层在相应于柱状间隔的位置具有暴露对应于该薄膜晶体管(TFT)的该滤色器层的一部分的间隔孔，该间隔孔形成在薄膜晶体管(TFT)的沟道部分上；以及
在该无机绝缘层上形成像素电极。
9.如权利要求8所述的方法，其中形成该开关构件包括：
在该绝缘基底上形成包括该栅极线、该薄膜晶体管(TFT)的栅极电极和存储电极的第一金属图案；
在其上形成有该第一金属图案的该绝缘基底上形成栅极绝缘层；
在该栅极绝缘层上形成包括该数据线、该薄膜晶体管(TFT)的源和漏极的第二金属图案；以及
在其上形成有所述第二金属图案的该绝缘基底上形成保护层。
10.如权利要求9所述的方法，其中形成该滤色器层包栝：
在该开关构件上形成红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器；以及
在该红色、绿色和蓝色滤色器中的每个上形成存储孔和第一接触孔，该存储孔暴露对应于该存储电极的该开关构件的一部分，和该第一接触孔暴露对应于该漏极的该开关构件的一部分。
11.如权利要求10所述的方法，其中形成该无机绝缘层包括：
在其上形成有该存储孔和该第一接触孔的该滤色器层上形成无机绝缘材料；
通过图形化该无机绝缘材料形成间隔孔和第二接触孔，该间隔孔暴露对应于该薄膜晶体管(TFT)的该滤色器层的一部分，和该第二接触孔暴露对应于该漏极的该开关构件的一部分；以及
穿过该保护层形成暴露该漏极的一部分的第三接触孔。
12.如权利要求11所述的方法，其中该第二接触孔通过与该第三接触孔的同一工艺同时形成在滤色器层上。
13.一种显示设备，其包含：
第一显示基底；
面对该第一显示基底的第二显示基底；
设置在该第一显示基底和该第二显示基底之间的液晶层；以及
设置在该第一显示基底和该第二显示基底之间的柱状间隔以保持该第一显示基底和该第二显示基底之间的单元间隙，其中该第一显示基底包括：
开关构件，其包括栅极线、与该栅极线交叉的数据线和电连接到该栅极线和该数据线的薄膜晶体管(TFT)；
形成在该开关构件上的滤色器层；
形成在该滤色器层上的无机绝缘层，该无机绝缘层具有形成其上的间隔孔，其暴露对应于该柱状间隔的该滤色器层的一部分，该间隔孔形成在薄膜晶体管(TFT)的沟道部分上；以及
形成在该无机绝缘层上的像素电极。
14.如权利要求13所述的显示设备，其中所述无机绝缘层包括氮化硅(SiNx)。
15.如权利要求13所述的显示设备，其中该开关构件进一步包含由形成该栅极线的金属层形成的存储电极，
该滤色器层具有暴露对应于该存储电极的该开关构件的一部分的存储孔。
16.如权利要求13所述的显示设备，其中该开关构件包括：
形成在其上形成有该栅极线的绝缘基底上的栅极绝缘层；以及
形成在其上形成有该栅极线、该栅极绝缘层、该数据线和该薄膜晶体管(TFT)的该绝缘基底上的保护层。
17.如权利要求16所述的显示设备，其中接触孔穿过该保护层、该滤色器层和该无机绝缘层形成而暴露该薄膜晶体管(TFT)的漏极的一部分。
18.如权利要求13所述的显示设备，其中该第二显示基底包含：
覆盖该柱状间隔的黑色矩阵；以及
面对该像素电极的公用电极。
19.如权利要求18所述的显示设备，其中该第二显示基底进一步包括用于平坦化其上形成有该黑色矩阵的该第二显示基底的表面的外涂层。
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